JPH0744000Y2 - シンクロトロン放射光装置 - Google Patents
シンクロトロン放射光装置Info
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- JPH0744000Y2 JPH0744000Y2 JP1987127616U JP12761687U JPH0744000Y2 JP H0744000 Y2 JPH0744000 Y2 JP H0744000Y2 JP 1987127616 U JP1987127616 U JP 1987127616U JP 12761687 U JP12761687 U JP 12761687U JP H0744000 Y2 JPH0744000 Y2 JP H0744000Y2
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 32
- BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] Chemical compound N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
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- Particle Accelerators (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案はシンクロトロン放射光装置に関する。
従来、シンクロトロン放射光装置において、入射器によ
りリング真空槽内に電子を入射し、所定のエネルギーで
リング真空槽内を周回させ、リング真空槽上に設けた偏
向磁石により電子を偏向させて、電子ビームの接線方向
にあるピーク波長を有し、赤外波長からＸ線波長に及ぶ
広帯域な波長特性を有するシンクロトロン放射光を発生
させている。
りリング真空槽内に電子を入射し、所定のエネルギーで
リング真空槽内を周回させ、リング真空槽上に設けた偏
向磁石により電子を偏向させて、電子ビームの接線方向
にあるピーク波長を有し、赤外波長からＸ線波長に及ぶ
広帯域な波長特性を有するシンクロトロン放射光を発生
させている。
このシンクロトロン放射光装置においては、一般にシン
クロトロン放射光の強度が長時間持続する光源が必要と
され、このシンクロトロン放射光の持続時間は、装置設
計上の重要なパラメータとなっている。ここで、シンク
ロトロン放射光の持続時間は一般に、シンクロトロン放
射光装置の蓄積電流量がｅ（約2.718）の逆数に相当す
る電荷量まで減衰するまでの時間（以下、蓄積電子の寿
命という。）で定義されている。
クロトロン放射光の強度が長時間持続する光源が必要と
され、このシンクロトロン放射光の持続時間は、装置設
計上の重要なパラメータとなっている。ここで、シンク
ロトロン放射光の持続時間は一般に、シンクロトロン放
射光装置の蓄積電流量がｅ（約2.718）の逆数に相当す
る電荷量まで減衰するまでの時間（以下、蓄積電子の寿
命という。）で定義されている。
この蓄積電子の寿命を決定する要因としては、 （１）リング真空槽内の軌道上で周回する電子（以下、
軌道電子という。）からの軌道放射エネルギーの量子的
ゆらぎ （２）軌道電子間の相互作用によるタッシェック（Tous
check）効果 （３）電子がリング真空槽の内壁面に突入する際に発生
する中性ガス分子と軌道電子との相互作用 （４）リング真空槽内で発生するイオンと軌道電子との
相互作用 の４つの要因が考えられる。上記（１）と（２）の要因
は、電子をリング真空槽内で加速させる高周波加速空胴
及び偏向磁石の設計に依存し、一方、上記（３）と
（４）の要因は、リング真空槽内の真空度に依存する。
軌道電子という。）からの軌道放射エネルギーの量子的
ゆらぎ （２）軌道電子間の相互作用によるタッシェック（Tous
check）効果 （３）電子がリング真空槽の内壁面に突入する際に発生
する中性ガス分子と軌道電子との相互作用 （４）リング真空槽内で発生するイオンと軌道電子との
相互作用 の４つの要因が考えられる。上記（１）と（２）の要因
は、電子をリング真空槽内で加速させる高周波加速空胴
及び偏向磁石の設計に依存し、一方、上記（３）と
（４）の要因は、リング真空槽内の真空度に依存する。
例えば、産業用に開発される小形シンクロトロン放射光
装置は、入射される電子のエネルギーが150MeV以下と低
くすることが望ましく、このとき軌道電子とイオンとの
相互作用が顕著となり、その作用によって、軌道電子が
安定周回軌道から逸脱する。これによって、シンクロト
ロン放射光装置の蓄積電流の減少が大きくなり、蓄積電
子の寿命が短くなるという問題点があった。
装置は、入射される電子のエネルギーが150MeV以下と低
くすることが望ましく、このとき軌道電子とイオンとの
相互作用が顕著となり、その作用によって、軌道電子が
安定周回軌道から逸脱する。これによって、シンクロト
ロン放射光装置の蓄積電流の減少が大きくなり、蓄積電
子の寿命が短くなるという問題点があった。
本考案の目的は、以上の問題点を解決し、蓄積電流を増
大させることができかつ上記イオンを効率的に除去する
ことができるとともに、蓄積電子の寿命を従来に比較し
長くさせることができる小型のシンクロトロン放射光装
置を提供することにある。
大させることができかつ上記イオンを効率的に除去する
ことができるとともに、蓄積電子の寿命を従来に比較し
長くさせることができる小型のシンクロトロン放射光装
置を提供することにある。
本考案に係るシンクロトロン放射光装置は、電子を加速
させる加速手段を有し内部で電子が周回するリング真空
槽と、上記リング真空槽内に電子を入射させる入射手段
と、上記リング真空槽内の電子の走行軌跡に沿った位置
に設けられ放射光を得るようになした上記電子を偏向す
る偏向手段とを備えたシンクロトロン放射光装置におい
て、 上記リング真空槽内のほぼ全周にわたって設けられる少
なくとも２対の第１と第２の電極対と、 上記第１の電極対に所定の直流電圧を印加する直流電圧
発生手段と、 上記第２の電極対に発生される高周波電磁場におけるイ
オンの電極間方向の振動を共鳴的に増大させるように、
上記第２の電極対に所定の高周波電圧を印加する高周波
電圧発生手段と、 を備えたことを特徴とする。
させる加速手段を有し内部で電子が周回するリング真空
槽と、上記リング真空槽内に電子を入射させる入射手段
と、上記リング真空槽内の電子の走行軌跡に沿った位置
に設けられ放射光を得るようになした上記電子を偏向す
る偏向手段とを備えたシンクロトロン放射光装置におい
て、 上記リング真空槽内のほぼ全周にわたって設けられる少
なくとも２対の第１と第２の電極対と、 上記第１の電極対に所定の直流電圧を印加する直流電圧
発生手段と、 上記第２の電極対に発生される高周波電磁場におけるイ
オンの電極間方向の振動を共鳴的に増大させるように、
上記第２の電極対に所定の高周波電圧を印加する高周波
電圧発生手段と、 を備えたことを特徴とする。
以上のように構成されたシンクロトロン放射光装置にお
いては、上記直流電圧発生手段は、上記第１の電極対に
所定の直流電圧を印加する。これによって、リング真空
槽内で発生するイオンを電子の走行軌跡から除去するこ
とができる。また、上記高周波電圧発生手段は、上記第
２の電極対に発生される高周波電磁場におけるイオンの
電極間方向の振動を共鳴的に増大させるように、上記第
２の電極対に所定の高周波電圧を印加する。これによっ
て上記第２の電極対に発生される高周波電磁場は、イオ
ンの電極間方向の振動を共鳴的に増大させるように強制
振動させる。すなわち、電子ビームによって生成される
ポテンシャルにトラップされたイオンの電子ビームに対
して垂直な方向の運動は、公知の通り、電子ビームの中
心付近では調和振動に近似することができ、上記強制振
動の周波数を上記調和振動の周波数の近傍に設定するこ
とにより、イオンの電極間方向の振動が共鳴的に増大す
る。振幅が増大するということは、電子ビームが作るポ
テンシャルの極小点（すなわち、ビーム中心位置）か
ら、ポテンシャルの浅い方へイオンが動くということで
あり、このイオンをビームポテンシャルから完全に引き
出すのに必要な直流印加電圧の値を低減することができ
る。これにより、上記イオンを電子の走行軌跡から効率
的に除去しやすくすることができる。従って、シンクロ
トロン放射光装置の蓄積電流を増大させることができ
る。
いては、上記直流電圧発生手段は、上記第１の電極対に
所定の直流電圧を印加する。これによって、リング真空
槽内で発生するイオンを電子の走行軌跡から除去するこ
とができる。また、上記高周波電圧発生手段は、上記第
２の電極対に発生される高周波電磁場におけるイオンの
電極間方向の振動を共鳴的に増大させるように、上記第
２の電極対に所定の高周波電圧を印加する。これによっ
て上記第２の電極対に発生される高周波電磁場は、イオ
ンの電極間方向の振動を共鳴的に増大させるように強制
振動させる。すなわち、電子ビームによって生成される
ポテンシャルにトラップされたイオンの電子ビームに対
して垂直な方向の運動は、公知の通り、電子ビームの中
心付近では調和振動に近似することができ、上記強制振
動の周波数を上記調和振動の周波数の近傍に設定するこ
とにより、イオンの電極間方向の振動が共鳴的に増大す
る。振幅が増大するということは、電子ビームが作るポ
テンシャルの極小点（すなわち、ビーム中心位置）か
ら、ポテンシャルの浅い方へイオンが動くということで
あり、このイオンをビームポテンシャルから完全に引き
出すのに必要な直流印加電圧の値を低減することができ
る。これにより、上記イオンを電子の走行軌跡から効率
的に除去しやすくすることができる。従って、シンクロ
トロン放射光装置の蓄積電流を増大させることができ
る。
第１図は本考案の一実施例を示すシンクロトロン放射光
装置のブロック図である。
装置のブロック図である。
本装置においては、リング真空槽１にほぼ全周にわたっ
て電極を配置し、リング真空槽１内のイオンを除去させ
るために該各電極に直流電圧と高周波電圧を同時に印加
し、又は単独に直流電圧を印加している。
て電極を配置し、リング真空槽１内のイオンを除去させ
るために該各電極に直流電圧と高周波電圧を同時に印加
し、又は単独に直流電圧を印加している。
リング真空槽１はほぼ方形状で構成されその４隅が所望
の曲率で円弧形状となっており、該リング真空槽１は、
該方形の直線部に電子ビームの軌道20に沿って相対して
設けられたインフレクタ２およびパーターベーター３に
より電子を電子ビームの軌道20に入射蓄積させる形で、
設けられる。
の曲率で円弧形状となっており、該リング真空槽１は、
該方形の直線部に電子ビームの軌道20に沿って相対して
設けられたインフレクタ２およびパーターベーター３に
より電子を電子ビームの軌道20に入射蓄積させる形で、
設けられる。
リング真空槽１の４隅には、それぞれ所望の曲率の円弧
形状を有する電子ビームの偏向及び放射光出力用の４個
の偏向磁石４がリング真空槽を囲むように設けられ、こ
の偏向磁石４により電子ビームの軌道20が90°ずつ偏向
される。上記各偏向磁石４には、放射光が通過できる開
孔部を有するポート５が設けられ、偏向磁石４によって
電子ビームが偏向されるときに発せられる放射光を該ポ
ート５からとり出すことができる。
形状を有する電子ビームの偏向及び放射光出力用の４個
の偏向磁石４がリング真空槽を囲むように設けられ、こ
の偏向磁石４により電子ビームの軌道20が90°ずつ偏向
される。上記各偏向磁石４には、放射光が通過できる開
孔部を有するポート５が設けられ、偏向磁石４によって
電子ビームが偏向されるときに発せられる放射光を該ポ
ート５からとり出すことができる。
６はリング真空槽１内の電子ビームを加速するための高
周波加速空胴であり、偏向磁石４間の電子ビームの軌道
20に沿って設けられる。
周波加速空胴であり、偏向磁石４間の電子ビームの軌道
20に沿って設けられる。
７は電子ビームが発散しないように設けられる集束磁石
である。
である。
８はリング真空槽１内を所定の真空度に維持するための
真空ポンプであり、この真空ポンプ８は第１図において
１個のみしか図示していないが、実際上、必要な数の真
空ポンプ８が偏向磁石４間及び偏向磁石４部のリング真
空槽１に内蔵して設けられる。
真空ポンプであり、この真空ポンプ８は第１図において
１個のみしか図示していないが、実際上、必要な数の真
空ポンプ８が偏向磁石４間及び偏向磁石４部のリング真
空槽１に内蔵して設けられる。
９はリング真空槽１内に設けられリング真空槽１内のイ
オンを除去するための電極10に電圧を印加するための導
電性の電極端子であり、インフレクタ２、パーターベー
ター３、及び高周波加速空胴６が設けられる部分以外の
方形状のリング真空槽１の外側に、第２図のごとく対称
配置となるように各々４個の電極端子９が設けられる。
オンを除去するための電極10に電圧を印加するための導
電性の電極端子であり、インフレクタ２、パーターベー
ター３、及び高周波加速空胴６が設けられる部分以外の
方形状のリング真空槽１の外側に、第２図のごとく対称
配置となるように各々４個の電極端子９が設けられる。
第２図は第１図のシンクロトロン放射光装置のＡ−Ａ′
部での縦断面図であり、２対の電極端子9a,9b及び9c,9d
がリング真空槽１の断面において電子ビームの軌道20の
上下にほぼ対称にそれぞれ電気絶縁性材料にてなる絶縁
部材11a,11b,11c及び11dを介してリング真空槽１の外側
に設けられている。各電極端子9a,9b及び9c,9dはそれぞ
れ、円柱形状の導電性材料にてなる電極10a,10bと、平
板形状の導電性材料10c,10dに接続される。
部での縦断面図であり、２対の電極端子9a,9b及び9c,9d
がリング真空槽１の断面において電子ビームの軌道20の
上下にほぼ対称にそれぞれ電気絶縁性材料にてなる絶縁
部材11a,11b,11c及び11dを介してリング真空槽１の外側
に設けられている。各電極端子9a,9b及び9c,9dはそれぞ
れ、円柱形状の導電性材料にてなる電極10a,10bと、平
板形状の導電性材料10c,10dに接続される。
この電極10a,10b,10c及び10dは、ガス放出率の小さいSU
S、合金Al、又は無酸素Cuの導電性材料にてなり、第１
図において10で示されているように、リング真空槽１内
の電子ビームの軌道20に沿って各電極端子９間のリング
真空槽１内にほぼ全周に渡り設けられる。この電極10
は、第３図において電極10a,10b,10c,10dとして示され
るように、偏向磁石４の曲率に合わせて偏曲されてお
り、また、偏向磁石４が設けられたリング真空槽１の曲
線部及び集束磁石７が設けられたリング真空槽１の曲線
部の前後の２個の直線部において、第２図に示すよう
に、リング真空槽１の縦断面図において常に電子ビーム
の軌道20の上下にほぼ一定の位置関係を保ちながら電子
ビームの軌道20をはさんで設けられる。
S、合金Al、又は無酸素Cuの導電性材料にてなり、第１
図において10で示されているように、リング真空槽１内
の電子ビームの軌道20に沿って各電極端子９間のリング
真空槽１内にほぼ全周に渡り設けられる。この電極10
は、第３図において電極10a,10b,10c,10dとして示され
るように、偏向磁石４の曲率に合わせて偏曲されてお
り、また、偏向磁石４が設けられたリング真空槽１の曲
線部及び集束磁石７が設けられたリング真空槽１の曲線
部の前後の２個の直線部において、第２図に示すよう
に、リング真空槽１の縦断面図において常に電子ビーム
の軌道20の上下にほぼ一定の位置関係を保ちながら電子
ビームの軌道20をはさんで設けられる。
従って、１個のリング真空槽１内に各４本の電極10a,10
b,10c及び10dが設けられ、各電極10a,10b,10c及び10dの
両端に接続される各電極端子9a,9b,9c及び9dのうち、少
なくとも一対の電極端子9a及び9bは高周波増幅器31を介
して高周波発生器13に接続されるとともに、残りの１対
の電極端子9c及び9dは直流電圧発生器30に接続され、リ
ング真空槽１がアースに接続される。このとき、高周波
発生器13の出力インピーダンスは、高周波増幅器31の入
出力インピーダンス、並びに電極端子9a,9bの入力イン
ピーダンスに等しく設定される。
b,10c及び10dが設けられ、各電極10a,10b,10c及び10dの
両端に接続される各電極端子9a,9b,9c及び9dのうち、少
なくとも一対の電極端子9a及び9bは高周波増幅器31を介
して高周波発生器13に接続されるとともに、残りの１対
の電極端子9c及び9dは直流電圧発生器30に接続され、リ
ング真空槽１がアースに接続される。このとき、高周波
発生器13の出力インピーダンスは、高周波増幅器31の入
出力インピーダンス、並びに電極端子9a,9bの入力イン
ピーダンスに等しく設定される。
高周波発生器13によって発生され高周波増幅器31で増幅
された高周波電圧が電極端子9a,9bに印加され、これに
よって電極10a,10bに発生される高周波電磁場は、イオ
ンの上下方向の振動を増大させ、該イオンを電子ビーム
から除去し易くする。一方、直流電圧発生器30は、直流
電圧を発生し、リング真空槽１内に設けられた電極10c,
10d間に所定の電圧を生じさせ、電子ビーム20から効果
的にイオンを除去する。
された高周波電圧が電極端子9a,9bに印加され、これに
よって電極10a,10bに発生される高周波電磁場は、イオ
ンの上下方向の振動を増大させ、該イオンを電子ビーム
から除去し易くする。一方、直流電圧発生器30は、直流
電圧を発生し、リング真空槽１内に設けられた電極10c,
10d間に所定の電圧を生じさせ、電子ビーム20から効果
的にイオンを除去する。
以上のように構成した装置において、電子ビームをイン
フレクタ２より入射して、高周波加速空胴６で電子を所
定のエネルギーで加速して周回させる。入射された電子
ビームが偏向磁石４を通過するとき、この偏向磁石４の
磁界により、その偏向磁石４が有する電子ビームの偏向
曲率に応じた曲率で電子ビームが偏向され、電子ビーム
の接線方向にシンクロトロン放射光を生じながら弧状の
軌道に沿って進行し、次の偏向磁石４に向かって進行す
る。このとき生じるシンクロトロン放射光はポート５か
ら取り出される。
フレクタ２より入射して、高周波加速空胴６で電子を所
定のエネルギーで加速して周回させる。入射された電子
ビームが偏向磁石４を通過するとき、この偏向磁石４の
磁界により、その偏向磁石４が有する電子ビームの偏向
曲率に応じた曲率で電子ビームが偏向され、電子ビーム
の接線方向にシンクロトロン放射光を生じながら弧状の
軌道に沿って進行し、次の偏向磁石４に向かって進行す
る。このとき生じるシンクロトロン放射光はポート５か
ら取り出される。
また、リング真空槽１内に設けられた電極10a,10bと10
c,10d間に所定の直流電圧及び高周波電圧を印加してい
るので、リング真空槽１内で発生するイオンを電子ビー
ムの軌道20から除去することができる。
c,10d間に所定の直流電圧及び高周波電圧を印加してい
るので、リング真空槽１内で発生するイオンを電子ビー
ムの軌道20から除去することができる。
以上の実施例において、電極10a,10b,10c及び10dをリン
グ真空槽１の縦断面において電子ビームの位置の上下に
対向するように電子ビームの軌道20をはさんで設けた
が、少なくとも１対の電極を電子ビームの軌道20をはさ
んで対称の位置に設けてもよい。この場合、直流電圧を
該電極に印加して、又は、直流電圧と高周波電圧を重畳
させた電圧を該電極に印加し、リング真空槽１内のイオ
ンの除去を行なう。
グ真空槽１の縦断面において電子ビームの位置の上下に
対向するように電子ビームの軌道20をはさんで設けた
が、少なくとも１対の電極を電子ビームの軌道20をはさ
んで対称の位置に設けてもよい。この場合、直流電圧を
該電極に印加して、又は、直流電圧と高周波電圧を重畳
させた電圧を該電極に印加し、リング真空槽１内のイオ
ンの除去を行なう。
リング真空槽１の周回形状はほぼ方形状に限らず、電子
ビームが周回する形状であればよく、上記リング真空槽
１の形状及び偏向磁石４の偏向曲率に応じて電子ビーム
が周回するように偏向磁場を設定すればよい。またリン
グ真空槽１の縦断面形状は、角形状に限らず、円形状等
の他の形状でもよい。
ビームが周回する形状であればよく、上記リング真空槽
１の形状及び偏向磁石４の偏向曲率に応じて電子ビーム
が周回するように偏向磁場を設定すればよい。またリン
グ真空槽１の縦断面形状は、角形状に限らず、円形状等
の他の形状でもよい。
さらに、電極10a,10b,10c,10dの形状は、円柱形状及び
／又は平板形状であってもよいし、他の形状でもよい。
／又は平板形状であってもよいし、他の形状でもよい。
以上詳述したように本考案によれば、リング真空槽内の
ほぼ全周にわたって少なくとも２対の第１と第２の電極
対を設け、上記第１の電極対に直流電圧発生手段によっ
て所定の直流電圧を印加することによって、リング真空
槽内で発生するイオンを電子ビーム軌道から除去するこ
とができる一方、上記第２の電極対に高周波電圧発生手
段によって上記第２の電極対に発生される高周波電磁場
におけるイオンの電極間方向の振動を共鳴的に増大させ
るように、所定の高周波電圧を印加することによって、
上記イオンを電子ビーム軌道から効率的に除去しやすく
する。従って、シンクロトロン放射光装置の蓄積電流を
増大させることがでるとともに周回する軌道電子の寿命
を従来例に比較し長くさせることができるという利点が
ある。
ほぼ全周にわたって少なくとも２対の第１と第２の電極
対を設け、上記第１の電極対に直流電圧発生手段によっ
て所定の直流電圧を印加することによって、リング真空
槽内で発生するイオンを電子ビーム軌道から除去するこ
とができる一方、上記第２の電極対に高周波電圧発生手
段によって上記第２の電極対に発生される高周波電磁場
におけるイオンの電極間方向の振動を共鳴的に増大させ
るように、所定の高周波電圧を印加することによって、
上記イオンを電子ビーム軌道から効率的に除去しやすく
する。従って、シンクロトロン放射光装置の蓄積電流を
増大させることがでるとともに周回する軌道電子の寿命
を従来例に比較し長くさせることができるという利点が
ある。
第１図は本考案の一実施例を示すシンクロトロン放射光
装置のブロック図、 第２図は第１図のＡ−Ａ′線の電極端子が設けられたシ
ンクロトロン放射光装置の縦断面図及び電極端子の電気
的接続を示す図、 第３図は第１図の装置の偏向磁石の部分を示す斜視図で
ある。 １……リング真空槽、２……インフレクタ、３……パー
ターベーター、４……偏向磁石、５……ポート、６……
高周波加速空胴、７……集速磁石、８……真空ポンプ、
９……電極端子、10……電極、13……高周波発生器、20
……電子ビームの軌道、30……直流電圧発生器。
装置のブロック図、 第２図は第１図のＡ−Ａ′線の電極端子が設けられたシ
ンクロトロン放射光装置の縦断面図及び電極端子の電気
的接続を示す図、 第３図は第１図の装置の偏向磁石の部分を示す斜視図で
ある。 １……リング真空槽、２……インフレクタ、３……パー
ターベーター、４……偏向磁石、５……ポート、６……
高周波加速空胴、７……集速磁石、８……真空ポンプ、
９……電極端子、10……電極、13……高周波発生器、20
……電子ビームの軌道、30……直流電圧発生器。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 筒井 康充 大阪府大阪市此花区島屋１丁目１番３号 住友電気工業株式会社大阪製作所内 審査官 榎本 吉孝 (56)参考文献 特開 昭62−26797（ＪＰ，Ａ) 高エネルギー加速器セミナーテキスト, ＯＨＯ ’86．（1986）Ｐ．▲ＶＩ▼−２ 〜▲ＶＩ▼−７
Claims (3)
- 【請求項１】電子を加速させる加速手段を有し内部で電
子が周回するリング真空槽と、上記リング真空槽内に電
子を入射させる入射手段と、上記リング真空槽内の電子
の走行軌跡に沿った位置に設けられ放射光を得るように
なした上記電子を偏向する偏向手段とを備えたシンクロ
トロン放射光装置において、 上記リング真空槽内のほぼ全周にわたって設けられる少
なくとも２対の第１と第２の電極対と、 上記第１の電極対に所定の直流電圧を印加する直流電圧
発生手段と、 上記第２の電極対に発生される高周波電磁場におけるイ
オンの電極間方向の振動を共鳴的に増大させるように、
上記第２の電極対に所定の高周波電圧を印加する高周波
電圧発生手段と、 を備えたことを特徴とするシンクロトロン放射光装置。 - 【請求項２】上記少なくとも２対の電極対がSUS、合金A
l又は無酸素Cuの導電性材料にてなることを特徴とする
実用新案登録請求の範囲第１項記載のシンクロトロン放
射光装置。 - 【請求項３】上記少なくとも２対の電極対が円柱形状及
び／又は平板形状であることを特徴とする実用新案登録
請求の範囲第１項記載のシンクロトロン放射光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987127616U JPH0744000Y2 (ja) | 1987-08-21 | 1987-08-21 | シンクロトロン放射光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987127616U JPH0744000Y2 (ja) | 1987-08-21 | 1987-08-21 | シンクロトロン放射光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6433200U JPS6433200U (ja) | 1989-03-01 |
| JPH0744000Y2 true JPH0744000Y2 (ja) | 1995-10-09 |
Family
ID=31380207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987127616U Expired - Lifetime JPH0744000Y2 (ja) | 1987-08-21 | 1987-08-21 | シンクロトロン放射光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0744000Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113993269B (zh) * | 2021-09-22 | 2024-05-03 | 成都利尼科医学技术发展有限公司 | 磁极气隙对称一体式270°偏转系统及其制作方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6226797A (ja) * | 1985-07-26 | 1987-02-04 | 三菱電機株式会社 | 荷電粒子装置 |
-
1987
- 1987-08-21 JP JP1987127616U patent/JPH0744000Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 高エネルギー加速器セミナーテキスト，ＯＨＯ’８６．（１９８６）Ｐ．▲ＶＩ▼−２〜▲ＶＩ▼−７ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6433200U (ja) | 1989-03-01 |
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