JPH0744393B2 - Operational amplifier - Google Patents
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- JPH0744393B2 JPH0744393B2 JP1072563A JP7256389A JPH0744393B2 JP H0744393 B2 JPH0744393 B2 JP H0744393B2 JP 1072563 A JP1072563 A JP 1072563A JP 7256389 A JP7256389 A JP 7256389A JP H0744393 B2 JPH0744393 B2 JP H0744393B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、演算増幅器に関し、特にスイッチトキャパシ
タ回路に用いられ、初段がカスケード構造になっている
演算増幅器に関する。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to an operational amplifier, and more particularly to an operational amplifier used in a switched capacitor circuit and having an initial stage of a cascade structure.
従来、スイッチトキャパシタフィルタに用いられる演算
増幅器は入力トランジスタのゲート・ソース間及びゲー
ト・ドレイン間に発生する寄生容量の影響を防ぐため、
第3図に示すように初段1がカスケード構造になってい
る。初段差動増幅回路1は電流源トランジスタM35から
定電流を共通に受ける差動トランジスタM31とM32と、反
転入力端子VIN−とトランジスタM31のドレインとの間に
発生する寄生容量の影響を防ぐためのトランジスタM41
とM42と、その能動負荷トランジスタM33とM34からなっ
ている。第2段増幅回路2は、電流源トランジスタM36
と、初段差動増幅回路1からの信号を受ける出力トラン
ジスタM37と、位相補償用のトランジスタM30および容量
C1からなっている。また、バイアス回路3は、電流源I1
とトランジスタM38とで電流源トランジスタM35,M36にバ
イアス電圧VB1を与えており、バイアス回路4は、電流
源I2とトランジスタM39,M40とで、トランジスタM41,M42
にバイアス電圧VB2を与えている。VDDは第1定電位源、
GNDは第2定電位源、ACMは差動増器の信号の基準レベル
である第3定電位源、VOUTは出力端子である。また、M3
1,M32,M35,M36,M38,M39,M40,M41,M42はNチャネル型のM
OSトランジスタ、M30,M33,M34,M37はNチャネル型のMOS
トランジスタである。Conventionally, the operational amplifier used for the switched capacitor filter is to prevent the influence of the parasitic capacitance generated between the gate and the source of the input transistor and between the gate and the drain,
As shown in FIG. 3, the first stage 1 has a cascade structure. The first-stage differential amplifier circuit 1 is for preventing the influence of the parasitic capacitance generated between the differential transistors M31 and M32 that commonly receive a constant current from the current source transistor M35 and the inverting input terminal VIN− and the drain of the transistor M31. Transistor M41
And M42 and their active load transistors M33 and M34. The second-stage amplifier circuit 2 includes a current source transistor M36
And an output transistor M37 that receives a signal from the first-stage differential amplifier circuit 1, a transistor M30 for phase compensation, and a capacitor.
It consists of C1. Further, the bias circuit 3 uses the current source I 1
And the transistor M38 provide the bias voltage VB1 to the current source transistors M35 and M36. The bias circuit 4 includes the current source I 2 and the transistors M39 and M40, and the transistors M41 and M42.
Bias voltage VB2 is applied to. VDD is the first constant potential source,
GND is the second constant potential source, ACM is the third constant potential source which is the reference level of the signal of the differential multiplier, and VOUT is the output terminal. Also, M3
1, M32, M35, M36, M38, M39, M40, M41, M42 are N-channel type M
OS transistor, M30, M33, M34, M37 are N-channel type MOS
It is a transistor.
従来の演算増幅器は、バイアス電源VB2をバイアス回路
4によって与えているので、バイアス回路が複雑にな
り、消費電力も大きくなるという欠点がある。In the conventional operational amplifier, since the bias power supply VB2 is supplied by the bias circuit 4, the bias circuit is complicated and the power consumption is large.
上述した従来の演算増幅器は、バイアス回路が複雑で、
消費電力が大きいという欠点があった。本発明はバイア
ス回路を簡単にして、電力消費の小さい演算増幅器を提
供することを目的とする。The conventional operational amplifier described above has a complicated bias circuit,
It had the drawback of high power consumption. An object of the present invention is to provide an operational amplifier that simplifies the bias circuit and consumes less power.
本発明によれば、定電流源と、この定電流源からの定電
流を各ソースに受ける第1および第2の電界効果トラン
ジスタと、第1の電界効果トランジスタのドレインにソ
ースが接続された第3の電界効果トランジスタと、これ
ら第2および第3の電界効果トランジスタの各ドレイン
にそれぞれ接続された負荷として働く第4および第5の
電界効果トランジスタをそれぞれ含む第1および第2の
負荷回路と、第1の電界効果トランジスタのゲートに接
続された入力端子と、第2および第3の電界効果トラン
ジスタの各ゲートに接続された定電位源と、第4又は第
5の電界効果トランジスタのドレインに接続された出力
端子とを有する演算増幅器を得る。According to the present invention, a constant current source, first and second field effect transistors for receiving a constant current from the constant current source in each source, and a source connected to the drain of the first field effect transistor. Third field effect transistors, and first and second load circuits each including fourth and fifth field effect transistors acting as loads connected to respective drains of the second and third field effect transistors, An input terminal connected to the gate of the first field effect transistor, a constant potential source connected to each gate of the second and third field effect transistors, and a drain of the fourth or fifth field effect transistor. An operational amplifier having an output terminal connected to the operational amplifier.
このように、本発明によれば、第2および第3の電界効
果トランジスタのゲートは共通の定電位源に接続されて
いるので、定電位源の数が少なくて済み、バイアス回路
が簡単でで、消費電力も小さくできる。As described above, according to the present invention, since the gates of the second and third field effect transistors are connected to the common constant potential source, the number of constant potential sources is small and the bias circuit is simple. Also, the power consumption can be reduced.
次に、本発明について図面を参照して説明する。 Next, the present invention will be described with reference to the drawings.
第1図に本発明の一実施例の回路図を示す。図におい
て、1は初段差増幅回路、2は第2段増幅回路、3はバ
イアス回路、VIN−は反転入力端子、VOUTは出力端子で
ある。また、VDDは第1電源、GNDは第2定電位源、ACM
は第3定電位源、VBはバイアス電源である。また、M1,M
2はNチャネル初段差動対MOSトランジスタ、M3、M4はP
チャネル負荷MOSトランジスタ,M5,M6はNチャネル定電
流源MOSトランジスタ、M7は駆動段PチャネルMOSトラン
ジスタM8は、バイアス電源VBをつくるバイアス回路のN
チャネルMOSトランジスタ、M11,M12は演算増幅器の基準
レベルであり、M2のゲート電位である第3定電位源ACM
にバイアスされたNチャネルディプリッション型MOSト
ランジスタである。またC1は位相補償容量でこの容量C1
およびPチャネルMOSトランジスタM0のオン抵抗の直列
接続で形成される帰還ループにより、位相補償および零
補償回路が構成されている。またIは電流源である。FIG. 1 shows a circuit diagram of an embodiment of the present invention. In the figure, 1 is an initial step amplifier circuit, 2 is a second stage amplifier circuit, 3 is a bias circuit, VIN- is an inverting input terminal, and VOUT is an output terminal. VDD is the first power source, GND is the second constant potential source, ACM
Is a third constant potential source and VB is a bias power source. Also, M1, M
2 is an N-channel first stage differential pair MOS transistor, M3 and M4 are P
Channel load MOS transistors, M5 and M6 are N-channel constant current source MOS transistors, M7 is a driving stage P-channel MOS transistor M8 is a bias circuit N that forms a bias power supply VB.
The channel MOS transistors M11 and M12 are the reference level of the operational amplifier, and the third constant potential source ACM which is the gate potential of M2.
It is an N-channel depletion type MOS transistor biased to. C1 is a phase compensation capacitance, and this capacitance C1
A phase compensation and zero compensation circuit is constituted by a feedback loop formed by a series connection of ON resistances of the P channel MOS transistor M0 and the P channel MOS transistor M0. I is a current source.
Nチャネルディポリッション型MOSトランジスタM11,M12
のゲートを第3定電位源ACMにすることにより、反転入
力端子とトランジスタM1のドレインとの間に生じる寄生
容量の影響を防ぐことが出来、トランジスタM11,M12の
ゲートに与えるためのバイアス電源をつくるバイアス回
路は不必要となる。従って、バイアス回路が不必要とな
った分、消費電力が小さくなり、ICのチップ面積も小さ
くなる。N-channel depletion type MOS transistors M11, M12
By making the gate of the third constant potential source ACM, the influence of the parasitic capacitance generated between the inverting input terminal and the drain of the transistor M1 can be prevented, and the bias power supply to give to the gates of the transistors M11 and M12 can be provided. A built-in bias circuit is unnecessary. Therefore, since the bias circuit is unnecessary, the power consumption is reduced and the IC chip area is also reduced.
ここでは、トランジスタM11,M12をディプリッション型
のMOSトランジスタとしたがノンドープトランジスタで
もよことは明らかである。Here, the transistors M11 and M12 are depletion type MOS transistors, but it is obvious that they may be non-doped transistors.
次に本発明の他の実施例を第2図に示す。Next, another embodiment of the present invention is shown in FIG.
第2図における記号は全て第1図における記号と同一で
ある。この実施例はカスケードが、初段反転入力トラン
ジスタM1のドレイン側のみとなっている場合であるが、
この時もカスケードのトランジスタM11のゲートを非反
転入力端子の電位である第3定電位源ACMとすれば、反
転入力端子とトランジスタM1のドレインとの間に生じる
寄生容量の影響を防ぐことが出来、トランジスタM11の
ゲートに与えるためのバイアス電源をつくるバイアス回
路は不必要となるので、パワーが小さくなり、ICのチッ
プ面積も小さくなる。All symbols in FIG. 2 are the same as those in FIG. In this embodiment, the cascade is only on the drain side of the first stage inverting input transistor M1.
Even at this time, if the gate of the transistor M11 in the cascade is set to the third constant potential source ACM which is the potential of the non-inverting input terminal, it is possible to prevent the influence of the parasitic capacitance generated between the inverting input terminal and the drain of the transistor M1. Since the bias circuit for generating the bias power supply for supplying the gate of the transistor M11 is unnecessary, the power is reduced and the chip area of the IC is also reduced.
また、トランジスタM11が、ノンドープトランジスタで
でもよいことは明らかである。It is also clear that the transistor M11 may be a non-doped transistor.
以上説明したように、本発明は、スイッチトキャパシタ
回路などで用いるカスケード構造をした演算増幅器で、
カスケードのトランジスタのゲートに与えるバイアス電
源を、演算増幅器の非反転入力端子の電位にすることに
より、バイアス回路が不必要となるので、消費電力が小
さくなり、ICチップ面積を小さくすることができるとい
う効果がある。As described above, the present invention is an operational amplifier having a cascade structure used in a switched capacitor circuit or the like,
By setting the bias power supply to the gates of the cascade transistors to the potential of the non-inverting input terminal of the operational amplifier, the bias circuit becomes unnecessary, so the power consumption can be reduced and the IC chip area can be reduced. effective.
第1図は本発明の一実施例を示す回路図、第2図は本発
明の他の実施例を示す回路図、第3図は従来の一例の演
算増幅器を示す回路図である。 1……初段差動増幅回路、2……第2段増幅回路、3,4
……バイアス回路、VIN−……反転入力端子、VOUT……
出力端子、VDD……第1定電位源、GND……第2定電位
源、ACM……第3定電位源、I,I1,I2……電流源、VB,VB
1,VB2……バイアス電源、M0〜M12,M30〜M42……MOSトラ
ンジスタ、C1……容量。FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram showing another embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a circuit diagram showing an example of a conventional operational amplifier. 1 ... First stage differential amplifier circuit, 2 ... Second stage amplifier circuit, 3,4
...... Bias circuit, VIN− …… Inversion input terminal, VOUT ……
Output terminals, VDD ...... first constant potential source, GND ...... second constant potential source, ACM ...... third constant potential source, I, I 1, I 2 ...... current source, VB, VB
1, VB2 …… Bias power supply, M0 to M12, M30 to M42 …… MOS transistor, C1 …… Capacity.
Claims (1)
流源とを有する差動増幅器において、前記差動入力トラ
ンジスタ対の少なくともその一方にカスケード接続され
たゲート接地トランジスタを有し、前記ゲート接地トラ
ンジスタのゲートが前記差動入力トランジスタの一方の
ゲートに接続されていることを特徴とする演算増幅器。1. A differential amplifier having a differential input transistor pair, an active load, and a constant current source, comprising a gate grounded transistor cascade-connected to at least one of the differential input transistor pair, and the gate grounded. An operational amplifier, wherein the gate of the transistor is connected to one gate of the differential input transistor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1072563A JPH0744393B2 (en) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | Operational amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1072563A JPH0744393B2 (en) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | Operational amplifier |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02250510A JPH02250510A (en) | 1990-10-08 |
| JPH0744393B2 true JPH0744393B2 (en) | 1995-05-15 |
Family
ID=13492958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1072563A Expired - Lifetime JPH0744393B2 (en) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | Operational amplifier |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0744393B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023007556A1 (en) * | 2021-07-26 | 2023-02-02 | リコー電子デバイス株式会社 | Differential amplification circuit |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8897727B2 (en) * | 2012-06-01 | 2014-11-25 | Qualcomm Incorporated | Power detector with temperature compensation |
-
1989
- 1989-03-24 JP JP1072563A patent/JPH0744393B2/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023007556A1 (en) * | 2021-07-26 | 2023-02-02 | リコー電子デバイス株式会社 | Differential amplification circuit |
Also Published As
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|---|---|
| JPH02250510A (en) | 1990-10-08 |
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