JPH0744412B2 - AGC circuit - Google Patents
AGC circuitInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、AGC回路に係り、特にテレビチューナや衛星
放送受信機1GHzチューナに好適なAGC回路に関する。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to an AGC circuit, and more particularly to an AGC circuit suitable for a television tuner and a 1 GHz tuner of a satellite broadcast receiver.
〔従来の技術〕 チューナに用いるAGC回路の代表的な従来例が特許公報
昭56-107652号公報に記載されている。これは、ピンダ
イオード3個を用いて、π形のAGC回路を構成し、この
ピンダイオードに、制御用トランジスタを介して、AGC
制御電圧を印加して利得の可変をおこなう回路である。
この回路では、AGC回路として、ピンダイオードの他に
ピンダイオード駆動トランジスタも必要となり回路が大
形化する。消費電流が大きい等の課題があった。[Prior Art] A typical conventional example of an AGC circuit used in a tuner is described in Japanese Patent Publication No. 56-107652. This is a π-type AGC circuit that uses three pin diodes, and the AGC circuit is connected to this pin diode through a control transistor.
This is a circuit that applies a control voltage to vary the gain.
In this circuit, a pin diode drive transistor is required in addition to the pin diode as the AGC circuit, and the circuit becomes large. There were problems such as large current consumption.
上記従来技術では、増幅トランジスタを駆動するコレク
タ電流と、ピンダイオードを駆動する電流を独立にして
いたため、AGC回路の消費電力が増大し、またピンダイ
オード駆動のトランジスタを別に設けていたため、回路
が大形複雑になるという問題があった。In the above conventional technology, the collector current for driving the amplification transistor and the current for driving the pin diode are independent, so that the power consumption of the AGC circuit is increased, and the transistor for pin diode driving is separately provided, so that the circuit is large. There was a problem that the shape became complicated.
本発明の目的は、増幅トランジスタをピンダイオード駆
動トランジスタとして用い、AGC回路の小形,低消費電
力化をはかることにある。An object of the present invention is to use an amplifying transistor as a pin diode driving transistor to achieve a compact and low power consumption AGC circuit.
本発明では上記目的達成のために、トランジスタとピン
ダイオードより成るAGC回路において、トランジスタの
コレクタにピンダイオードのカソードを接続し、このカ
ソードには抵抗を介してバイアスを供給し、ピンダイオ
ードのアノードには、固定バイアスを供給し、かつピン
ダイオードに並列に容量を接続するか、又は容量と抵抗
の直列回路を接続し、そしてトランジスタのベースに入
力信号とAGC電圧を以下し、ピンダイオードのアノード
側から出力信号を取り出す構成とした。In the present invention, in order to achieve the above object, in an AGC circuit composed of a transistor and a pin diode, the cathode of the pin diode is connected to the collector of the transistor, and a bias is supplied to this cathode through a resistor to the anode of the pin diode. Supplies a fixed bias and connects a capacitor in parallel to the pin diode or a series circuit of a capacitor and a resistor, and lowers the input signal and AGC voltage to the base of the transistor, and the anode side of the pin diode. The output signal is taken out from.
ピンダイオードのカソードには、増幅用トランジスタの
コレクタ電圧を供給し、アノードには電源より固定バイ
アスを印加する。増幅用トランジスタのベースに印加さ
れたAGC電圧が上昇すると、トランジスタのコレクタ電
圧は低下し、ピンダイオードがON状態となり、信号の減
衰量は小さくなる。これに対し、AGC電圧が低下する
と、トランジスタのコレクタ電圧は上昇し、ピンダイオ
ードを流れる電流が減少し、信号の減衰量は大きくな
る。トランジスタのコレクタ電圧が、ピンダイオードの
アノードに供給する固定電圧よりも高くなったときに
は、ピンダイオードはOFFし、減衰量は最大となる。こ
こで、トランジスタのベースに印加するAGC電圧が0Vと
なったときでも、トランジスタの歪特性を劣化させない
ためにトランジスタのベースに一定の電圧を印加してお
く必要がある。このため、本発明においては、電源より
抵抗分割によりあらかじめ一定の電圧をベースに印加し
ておき、さらにベースにスイッチングダイオードを介し
てAGC電圧を印加する。この方法によればAGC電圧がベー
スの固定バイアス以下のときは、ベースには固定バイア
スがそのまま印加され、増幅用トランジスタの歪特性の
劣化を防止できる。The collector voltage of the amplifying transistor is supplied to the cathode of the pin diode, and a fixed bias is applied to the anode from the power supply. When the AGC voltage applied to the base of the amplifying transistor rises, the collector voltage of the transistor falls, the pin diode turns on, and the amount of signal attenuation decreases. On the other hand, when the AGC voltage decreases, the collector voltage of the transistor increases, the current flowing through the pin diode decreases, and the amount of signal attenuation increases. When the collector voltage of the transistor becomes higher than the fixed voltage supplied to the anode of the pin diode, the pin diode is turned off and the amount of attenuation becomes maximum. Here, even when the AGC voltage applied to the base of the transistor becomes 0 V, it is necessary to apply a constant voltage to the base of the transistor in order not to deteriorate the distortion characteristics of the transistor. Therefore, in the present invention, a constant voltage is applied from the power supply to the base in advance by resistance division, and the AGC voltage is applied to the base via the switching diode. According to this method, when the AGC voltage is equal to or lower than the fixed bias of the base, the fixed bias is applied to the base as it is, and the deterioration of the distortion characteristic of the amplification transistor can be prevented.
以下、本発明を図に示す実施例に従って詳細に説明す
る。第1図に本発明の実施例を示す。本発明AGC回路
は、高周波増幅用トランジスタ1と、ピンダイオード5
およびスイッチングダイオード13より成る。トランジス
タ1のベースバイアス電圧は、抵抗10,11の抵抗分割で
与えられ、さらに抵抗12、スイッチングダイオード13を
介して端子20よりAGC制御電圧が印加される。いま端子1
8より入力される信号レベルが低いときは、端子20より
印加されるAGC制御電圧は高くなり、このAGC制御電圧
が、抵抗10,11で抵抗分割された電圧よりも高くなった
ときには、スイッチングダイオード13に電流が流れ、AG
C制御電圧に比例したバイアスが、トランジスタ1のベ
ースに印加される。一方、端子18より入力される信号レ
ベルが高いときは、端子20より印加されるAGC電圧は低
下し、このAGC制御電圧が、抵抗10,11で抵抗分割された
電圧よりも低くなったときには、スイッチングダイオー
ド13はオフし、トランジスタ1のベース2には、抵抗1
0,11で抵抗分割された一定電圧がバイアスされる。以上
述べたようなベースバイアス回路を採用することによ
り、AGC制御電圧が低下した場合でもトランジスタ1の
コレクタ電流は、一定値が確保され、歪特性が劣化する
ことがない。次に、トランジスタ1のコレクタ4には、
電源より抵抗8を介してバイアスが供給され、また、ピ
ンダイオード5のカソードが接続される。このピンダイ
オード5のアノードは、抵抗6,7の抵抗分割により固定
電圧がバイアスされ、ピンダイオード5のアノードより
コンデンサ16を介して端子19より高周波信号が出力され
る。一般に、ピンダイオードにおいて、その高周波抵抗
値が非常に大きくなり、高周波信号減衰に十分な効果が
得られるバイアス領域は、ピンダイオードのアノード,
カソード間のバイアスがピンダイオードのPN接合電位差
(シリコンにおいては0.7V)以下になった場合であり、
(つまりピンダイオードが、ON状態からOFF状態に遷移
する状態)、本発明においてもその遷移領域を積極的に
利用している。つまり、端子18より入力される入力信号
レベルが上がり、端子20より印加されるAGC制御電圧が
下降し、トランジスタ1に流れるコレクタ電流が減少し
た場合に、抵抗8による電圧降下が小さくなりトランジ
スタ1のコレクタ電圧つまり、ピンダイオード5のアノ
ード電圧が上昇する。このとき、ピンダイオード5のカ
ソードに抵抗6,7によりバイアスされた固定電圧より
も、ピンダイオード5のアノード電圧が上昇した場合に
は、ピンダイオード5はOFF状態になり、ピンダイオー
ド5の高周波抵抗は増大し、信号レベルが低下する。逆
に、端子18より入力される入力信号レベルが下がり、端
子20より印加されるAGC制御電圧が上昇し、トランジス
タ1に流れるコレクタ電流が増加した場合に、抵抗8に
よる電圧降下が大きくなり、トランジスタ1のコレクタ
電圧つまり、ピンダイオード5のアノード電圧が下降す
る。このとき、ピンダイオードのカソードに抵抗6,7に
よりバイアスされた固定電圧よりも、ピンダイオード5
のアノード電圧が下降した時には、ピンダイオード5に
微小電流が流れ出し、ピンダイオード5の高周波抵抗が
減少し、信号の減衰量が小さくなる。以上述べたよう
に、本発明はトランジスタ1のコレクタ抵抗8による電
圧降下で、ピンダイオード5をON,OFFさせることによ
り、信号レベルを減衰させる回路であり、増幅用トラン
ジスタ1とピンダイオードの駆動用トランジスタを兼用
させ、しかもトランジスタ1を流れるコレクタ電流の一
部を用いてピンダイオード5を駆動させているため、小
形,低消費電力のAGC回路となっている。本発明回路で
は、AGC制御電圧が低下しても、信号の減衰量を一定値
以下におさえるため、ピンダイオード5のカソードとア
ノード間に低容量のコンデンサ14を接続している。(第
1図(a))また、この低容量のコンデンサのかわり
に、第1図(b)に示すように、大容量のコンデンサ26
と抵抗22を直列に接続した回路を、ピンダイオード5の
アノードとカソード間に接続しても良い。本発明回路を
衛星放送受信機の400MHz帯第2IF回路に用いた場合につ
いて説明する。衛星放送受信機は、BSコンバータおよび
BSチューナより成り、BSコンバータで12GHz帯の信号か
ら1GHz帯第1IF信号に変換された信号が、BSチューナに
入力される。BSチューナでは、受信した1GHz帯の第1IF
信号から、希望信号を選局して、400MHz帯の第2IF信号
に変換し、復調する。ここで、BSチューナの入力レベル
が−20〜−60dBmと40dBのひらきがるため、これを同一
レベルにするためにAGC回路が必要となる。BSチューナ
においては、NF特性および歪特性の劣化をふせぐため、
第1IF回路および第2IF回路においてAGCをかける2段階A
GCが一般的に用いられ、第1IF回路のAGC(以下第1AGC回
路)で30dB以上、第2IF回路のAGC(以下第2AGC回路)で
約10dBの利得制御をおこない、AGC制御電圧の高いとこ
ろで第2AGC回路を動作させ、AGC制御電圧の低いところ
で第1AGC回路を動作させる。このため、AGC制御電圧が
5〜4Vにおいて、約10dBの減衰が得られ、4V以下におい
て、利得が変化しない第2AGC回路が必要となっていた。
このため、本発明のAGC回路においては、端子20より供
給するAGC制御電圧が、5Vでピンダイオード5がONからO
FF状態に遷移するようなバイアス条件を設定し、さら
に、AGC制御電圧が4V付近で10dB減衰し、それ以上減衰
しないようなコンデンサ14でピンダイオード5のカソー
ドとアノードを接続した。第1図に示す本発明回路の衛
星放送受信機の400MHz帯AGC回路として用いたときの特
性を第2図に示す。AGC制御電圧5〜4Vで、利得制御幅
約12dBの良好な特性が得られている。Hereinafter, the present invention will be described in detail according to the embodiments shown in the drawings. FIG. 1 shows an embodiment of the present invention. The AGC circuit of the present invention includes a high frequency amplification transistor 1 and a pin diode 5.
And a switching diode 13. The base bias voltage of the transistor 1 is given by resistance division of the resistors 10 and 11, and the AGC control voltage is applied from the terminal 20 via the resistor 12 and the switching diode 13. Now terminal 1
When the signal level input from 8 is low, the AGC control voltage applied from terminal 20 is high.When this AGC control voltage is higher than the voltage divided by resistors 10 and 11, the switching diode Current flows to 13, AG
A bias proportional to the C control voltage is applied to the base of the transistor 1. On the other hand, when the signal level input from the terminal 18 is high, the AGC voltage applied from the terminal 20 decreases, and when the AGC control voltage becomes lower than the voltage divided by the resistors 10 and 11, The switching diode 13 is turned off, and the base 2 of the transistor 1 has a resistor 1
A constant voltage divided by 0 and 11 is biased. By adopting the base bias circuit as described above, the collector current of the transistor 1 is maintained at a constant value even when the AGC control voltage is lowered, and the distortion characteristic is not deteriorated. Next, in the collector 4 of the transistor 1,
A bias is supplied from the power source through the resistor 8 and the cathode of the pin diode 5 is connected. A fixed voltage is biased to the anode of the pin diode 5 by resistance division of the resistors 6 and 7, and a high frequency signal is output from the terminal 19 of the anode of the pin diode 5 via the capacitor 16. Generally, in a pin diode, the high frequency resistance value becomes extremely large, and the bias region where a sufficient effect for high frequency signal attenuation is obtained is the anode of the pin diode,
When the bias between the cathodes is less than the PN junction potential difference of the pin diode (0.7V in silicon),
(That is, the state in which the pin diode transits from the ON state to the OFF state), the transition region is positively utilized in the present invention. That is, when the input signal level input from the terminal 18 rises, the AGC control voltage applied from the terminal 20 falls, and the collector current flowing in the transistor 1 decreases, the voltage drop due to the resistor 8 becomes small and the The collector voltage, that is, the anode voltage of the pin diode 5 rises. At this time, when the anode voltage of the pin diode 5 rises above the fixed voltage biased by the resistors 6 and 7 at the cathode of the pin diode 5, the pin diode 5 is turned off and the high frequency resistance of the pin diode 5 is increased. Increase and the signal level decreases. On the contrary, when the input signal level input from the terminal 18 decreases, the AGC control voltage applied from the terminal 20 increases, and the collector current flowing through the transistor 1 increases, the voltage drop due to the resistor 8 increases, The collector voltage of 1, that is, the anode voltage of the pin diode 5 drops. At this time, rather than the fixed voltage biased by the resistors 6 and 7 at the cathode of the pin diode 5,
When the anode voltage of 1 decreases, a minute current flows into the pin diode 5, the high frequency resistance of the pin diode 5 decreases, and the amount of signal attenuation decreases. As described above, the present invention is a circuit for attenuating the signal level by turning on and off the pin diode 5 by the voltage drop due to the collector resistance 8 of the transistor 1, and for driving the amplifying transistor 1 and the pin diode. Since the pin diode 5 is driven by using the transistor also and a part of the collector current flowing through the transistor 1, the AGC circuit has a small size and low power consumption. In the circuit of the present invention, the low-capacitance capacitor 14 is connected between the cathode and the anode of the pin diode 5 in order to keep the signal attenuation below a certain value even if the AGC control voltage is lowered. (Fig. 1 (a)) Also, instead of this low-capacity capacitor, as shown in Fig. 1 (b), a large-capacity capacitor 26
A circuit in which the resistor 22 and the resistor 22 are connected in series may be connected between the anode and the cathode of the pin diode 5. A case where the circuit of the present invention is used in a 400 MHz band second IF circuit of a satellite broadcast receiver will be described. Satellite receiver, BS converter and
The BS tuner is used, and the signal obtained by converting the 12 GHz band signal to the 1 GHz band first IF signal by the BS converter is input to the BS tuner. In the BS tuner, the 1st IF received in the 1 GHz band
A desired signal is selected from the signals, converted into a 400 MHz band second IF signal, and demodulated. Here, since the input level of the BS tuner has a range of -20 to -60 dBm and 40 dB, an AGC circuit is required to make it the same level. In the BS tuner, to prevent deterioration of NF characteristics and distortion characteristics,
Two-stage A to apply AGC in the first IF circuit and the second IF circuit
A GC is generally used, and the gain control of the AGC of the first IF circuit (hereinafter referred to as the first AGC circuit) is 30 dB or more, and the AGC of the second IF circuit (hereinafter referred to as the second AGC circuit) is about 10 dB. The 2AGC circuit is operated, and the first AGC circuit is operated at a low AGC control voltage. Therefore, when the AGC control voltage is 5 to 4 V, an attenuation of about 10 dB is obtained, and at 4 V or less, the second AGC circuit in which the gain does not change is required.
Therefore, in the AGC circuit of the present invention, when the AGC control voltage supplied from the terminal 20 is 5V, the pin diode 5 is switched from ON to O.
A bias condition was set such that the state transitioned to the FF state, and further, the cathode and the anode of the pin diode 5 were connected by a capacitor 14 that attenuates the AGC control voltage by 10 dB near 4 V and does not further attenuate. FIG. 2 shows the characteristics of the circuit of the present invention shown in FIG. 1 when used as a 400 MHz band AGC circuit of the satellite broadcast receiver. Good characteristics with a gain control width of about 12 dB are obtained with an AGC control voltage of 5 to 4V.
第3図に第2の実施例を示す。これは、ピンダイオード
5のアノードの固定バイアスとして、電源より、チョー
クコイル23を用いてバイアスを供給した回路であり、第
1図の実施例と同様の動作をし、同様の効果が得られ
る。A second embodiment is shown in FIG. This is a circuit in which a bias is supplied from a power supply using a choke coil 23 as a fixed bias of the anode of the pin diode 5, and the same operation as that in the embodiment of FIG. 1 is performed and the same effect is obtained.
第4図に第3の実施例を示す。これは、ピンダイオード
5のアノードの固定バイアスとして、ツェナーダイオー
ド24を用いてバイアスを供給した回路であり、第1図の
実施例と同様の動作をし、同様の効果が得られる。FIG. 4 shows a third embodiment. This is a circuit in which a bias is supplied using a Zener diode 24 as a fixed bias for the anode of the pin diode 5, and the same operation as the embodiment of FIG. 1 is performed and the same effect is obtained.
第5図に、第4の実施例を示す。これは、トランジスタ
1のベース2に抵抗25,27を接続し、一方を電源電圧の
供給端子、他方をAGC制御電圧の供給端子としたもので
あり、AGC制御電圧が0V付近の小さな値になっても、ト
ランジスタ1のベース2には、電源電圧と抵抗25,27で
決まる電圧がバイアスされ、トランジスタ1に電流が流
れて、歪特性の劣化をふせぐものである。この回路を用
いても、第1図の実施例と同様の動作をし、同様の効果
が得られる。FIG. 5 shows a fourth embodiment. This is one in which resistors 25 and 27 are connected to the base 2 of the transistor 1, one is used as a power supply voltage supply terminal and the other is used as an AGC control voltage supply terminal, and the AGC control voltage becomes a small value near 0V. However, the base 2 of the transistor 1 is biased with a voltage determined by the power supply voltage and the resistors 25 and 27, and a current flows through the transistor 1 to prevent deterioration of distortion characteristics. Even if this circuit is used, the same operation as that in the embodiment of FIG. 1 is performed and the same effect is obtained.
本発明は、増幅用トランジスタのベースにAGC制御電圧
を印加し、トランジスタのコレクタ抵抗の電圧降下で、
トランジスタのコレクタに直列に接続したピンダイオー
ドをON,OFFさせることにより、信号レベルを減衰させる
回路であり、増幅用トランジスタをピンダイオードの駆
動トランジスタとしても用い、しかもトランジスタを流
れるコレクタ電流の一部を用いてピンダイオードを駆動
させているため、小形で低消費電力のAGC回路が得られ
る。The present invention, by applying an AGC control voltage to the base of the amplifying transistor, by the voltage drop of the collector resistance of the transistor,
It is a circuit that attenuates the signal level by turning on and off the pin diode connected in series to the collector of the transistor.The amplifying transistor is also used as the drive transistor for the pin diode, and part of the collector current flowing through the transistor is used. Since it is used to drive the pin diode, a compact and low power consumption AGC circuit can be obtained.
第1図(a),(b)は、本発明の第一の実施例の回路
図、第2図は本発明回路の特性図、第3図〜第5図は本
発明の第2〜第4の実施例回路図である。 1……トランジスタ、5……ピンダイオード 13……スイッチングダイオード 20……AGC制御電圧印加端子 21……電源電圧印加端子、23……チョークコイル 24……ツェナーダイオード1 (a) and 1 (b) are circuit diagrams of the first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a characteristic diagram of the circuit of the present invention, and FIGS. 4 is a circuit diagram of an embodiment of FIG. 1 …… Transistor, 5 …… Pin diode 13 …… Switching diode 20 …… AGC control voltage application terminal 21 …… Power supply voltage application terminal, 23 …… Choke coil 24 …… Zener diode
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大鋸 正俊 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 日 立ビデオエンジニアリング株式会社内 (56)参考文献 特開 昭50−157041(JP,A) 実開 昭57−145012(JP,U) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Masatoshi Ohsaw Masatoshi Ohsaw 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Hitate Video Engineering Co., Ltd. (56) References JP-A-50-157041 (JP, A) 57-145012 (JP, U)
Claims (1)
C回路において、トランジスタのコレクタにピンダイオ
ードのカソードを接続し、このカソードには抵抗を介し
てバイアスを供給し、ピンダイオードのアノードには、
固定バイアスを供給し、かつピンダイオードに並列に容
量を接続するか、又は容量と抵抗の直列回路を接続し、
そしてトランジスタのベースに入力信号とAGC電圧を印
加し、ピンダイオードのアノード側から出力信号を取り
出すようにして成ることを特徴とするAGC回路。1. An AG comprising a transistor and a pin diode.
In the C circuit, the collector of the transistor is connected to the cathode of the pin diode, a bias is supplied to this cathode through a resistor, and the anode of the pin diode is connected to
Supply a fixed bias and connect a capacitor in parallel with the pin diode, or connect a series circuit of a capacitor and a resistor,
An AGC circuit is characterized in that an input signal and an AGC voltage are applied to the base of the transistor, and an output signal is taken out from the anode side of the pin diode.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62068909A JPH0744412B2 (en) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | AGC circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62068909A JPH0744412B2 (en) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | AGC circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63236404A JPS63236404A (en) | 1988-10-03 |
| JPH0744412B2 true JPH0744412B2 (en) | 1995-05-15 |
Family
ID=13387249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62068909A Expired - Lifetime JPH0744412B2 (en) | 1987-03-25 | 1987-03-25 | AGC circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0744412B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05175767A (en) * | 1991-12-19 | 1993-07-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Current control circuit |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50157041A (en) * | 1974-06-07 | 1975-12-18 | ||
| JPS5950127U (en) * | 1982-09-24 | 1984-04-03 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | Attenuator circuit |
-
1987
- 1987-03-25 JP JP62068909A patent/JPH0744412B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63236404A (en) | 1988-10-03 |
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