JPH074515B2 - Operating method of vacuum processing equipment - Google Patents
Operating method of vacuum processing equipmentInfo
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- JPH074515B2 JPH074515B2 JP62229567A JP22956787A JPH074515B2 JP H074515 B2 JPH074515 B2 JP H074515B2 JP 62229567 A JP62229567 A JP 62229567A JP 22956787 A JP22956787 A JP 22956787A JP H074515 B2 JPH074515 B2 JP H074515B2
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- cooling plate
- gas
- vacuum
- exhaust
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は真空排気装置に係り、特に高温沸点流体を吸着
除去しながら真空排気するものでスパッタ装置の真空処
理に好適な真空処理装置の運転方法に関するものであ
る。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a vacuum evacuation device, and in particular, to vacuum evacuation while adsorbing and removing a high-temperature boiling point fluid, and operation of a vacuum processing device suitable for vacuum processing of a sputtering device. It is about the method.
従来の装置は、米国特許第3168819号に記載のように、
ロータリポンプ,油拡散ポンプおよび液体窒素トラップ
で構成し、液体窒素トラップは液体窒素を内部に保留し
て、その冷却面を被排気室と油拡散ポンプとをつなぐ排
気管の中に露出させ、油拡散ポンプでは十分に排気でき
ない水分やCO2等の高温沸点ガス、または油拡散ポンプ
の性能を劣化させるような物質、例えば、塩素ガスや有
機溶剤の蒸発ガスを冷却面上に凝縮,凝固させてトラッ
プするようになっていた。また、液体窒素トラップ中の
液体窒素は絶えず熱侵入分だけ蒸発しているので、定期
的に液体窒素を補給し、液体窒素トラップを常時低温度
に保持するようになっている。Conventional devices are described in U.S. Pat.
It consists of a rotary pump, an oil diffusion pump, and a liquid nitrogen trap. The liquid nitrogen trap holds liquid nitrogen inside and exposes its cooling surface to the exhaust pipe that connects the exhaust chamber and the oil diffusion pump. Moisture or CO 2 or other high boiling point gas that cannot be exhausted sufficiently by the diffusion pump, or a substance that deteriorates the performance of the oil diffusion pump, such as chlorine gas or organic solvent vapor, is condensed and solidified on the cooling surface. It was supposed to trap. Further, since the liquid nitrogen in the liquid nitrogen trap constantly evaporates by the amount of heat intrusion, the liquid nitrogen is replenished periodically to keep the liquid nitrogen trap at a low temperature all the time.
上記従来技術は、保守性,制御性の点について配慮され
ておらず、液体窒素の補給作業を怠るとトラップ温度が
上昇し排気性能が劣化したり、トラップされたガスが昇
化して被排気室に逆流したりするという問題があり、ま
た、トラップの冷却に液体窒素を用いているため、冷却
温度は77Kでほぼ一定で、トラップするガスを選択でき
なかった。The above-mentioned prior art does not take into consideration maintainability and controllability. If liquid nitrogen replenishment work is neglected, the trap temperature rises and exhaust performance deteriorates, or trapped gas rises and the exhaust chamber is exhausted. However, since liquid nitrogen was used to cool the trap, the cooling temperature was almost constant at 77K, and the gas to be trapped could not be selected.
本発明の目的は、冷却板を常時低温に保持して排気性能
を維持し、トラップしたガスの昇化を防止すると共に、
アルゴンガスの消費量を低減することのできる真空処理
装置の運転方法を提供することにある。An object of the present invention is to keep the cooling plate at a low temperature all the time to maintain the exhaust performance and prevent the trapped gas from rising,
It is an object of the present invention to provide a method for operating a vacuum processing apparatus that can reduce the consumption of argon gas.
上記目的は、処理ガスとしてアルゴンガスが供給される
真空処理室と真空ポンプとをつなぐ排気管の途中に設け
られ冷凍機により冷却される温度制御可能な冷却板と、
排気管と真空ポンプとの間に設けられ真空処理室の排気
流量を調整するゲート弁とを具備し、所定の高真空域ま
で真空排気後冷凍機により冷却板の温度を32K程度に制
御し、冷却板の温度よりも高い沸点のガスを冷却板で吸
着除去後、残りのガスの排気量をゲート弁の開度制御に
よる調節することにより、達成される。The above-mentioned object is a temperature controllable cooling plate which is provided in the middle of an exhaust pipe connecting a vacuum processing chamber to which an argon gas is supplied as a processing gas and a vacuum pump, and which is cooled by a refrigerator.
It is provided with a gate valve provided between the exhaust pipe and the vacuum pump for adjusting the exhaust flow rate of the vacuum processing chamber, and after evacuation to a predetermined high vacuum region, the temperature of the cooling plate is controlled to about 32K by the refrigerator, This is achieved by adsorbing and removing the gas having a boiling point higher than the temperature of the cooling plate by the cooling plate, and then adjusting the exhaust amount of the remaining gas by controlling the opening degree of the gate valve.
冷凍機の冷凍運転中は常に冷却板が低温に保持されるの
で、液体窒素を使用しなくてよく供給忘れ等により問題
もなくなり、排気性能を維持してトラップしたガスの昇
化を防止することができる。Since the cooling plate is always kept at a low temperature during the freezing operation of the refrigerator, there is no need to use liquid nitrogen, so there is no problem due to forgetting to supply it, and the exhaust performance is maintained to prevent the trapped gas from rising. You can
また、冷却板の温度を32K程度に制御することにより、
被排気室(真空処理室)内のアルゴン以外、すなわち、
温度30K以上の高沸点ガスを吸着除去し、この状態でゲ
ート弁を絞りぎみにすることにより、アルゴンガスの消
費量を低減することができる。Also, by controlling the temperature of the cooling plate to about 32K,
Except for argon in the exhausted chamber (vacuum processing chamber), that is,
It is possible to reduce the consumption of argon gas by adsorbing and removing the high-boiling-point gas having a temperature of 30 K or higher, and squeezing the gate valve in this state.
以下、本発明の一実施例を第1図より説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.
被排気室1は排気口2を有し、排気口2には排気管であ
る、この場合、T字形の真空ダクト3を取り付ける。図
面上において、真空ダクト3の下部にはゲート弁4を介
して油拡散ポンプ5が接続してあり、油拡散ポンプ5の
下流にはロータリポンプ6が接続してある。The exhausted chamber 1 has an exhaust port 2, and the exhaust port 2 is an exhaust pipe. In this case, a T-shaped vacuum duct 3 is attached. In the drawing, an oil diffusion pump 5 is connected to the lower portion of the vacuum duct 3 via a gate valve 4, and a rotary pump 6 is connected downstream of the oil diffusion pump 5.
一方、真空ダクト3の上部には冷凍機、この場合、ヘリ
ウム冷凍機8を取り付けた蓋7が取り付けてある。ヘリ
ウム冷凍機8は蓋7を貫通して真空ダクト3内にコール
ドステーション9を配置し、コールドステーション9に
は、この場合、円筒状の冷却板10が取り付けてある。冷
却板10は排気口2に対応して配置してある。On the other hand, a lid 7, to which a refrigerator, in this case, a helium refrigerator 8 is attached, is attached to the upper part of the vacuum duct 3. The helium refrigerator 8 has a cold station 9 arranged in the vacuum duct 3 penetrating the lid 7, and a cold plate 10 of a cylindrical shape is attached to the cold station 9 in this case. The cooling plate 10 is arranged corresponding to the exhaust port 2.
ヘリウム冷凍機8は、冷媒であるヘリウムガスを循環す
る配管12および13を介して圧縮機11と接続してある。圧
縮機11にはインバータ14を介して電源15が接続してあ
る。インバータ14には制御器17が接続してあり、また、
制御器17にはコールドステーション9に取り付けた熱負
荷器16がつながる。The helium refrigerator 8 is connected to the compressor 11 via pipes 12 and 13 that circulate helium gas that is a refrigerant. A power source 15 is connected to the compressor 11 via an inverter 14. A controller 17 is connected to the inverter 14, and
The heat loader 16 attached to the cold station 9 is connected to the controller 17.
熱負荷器16は、この場合、温度素子内蔵型のものであ
り、コールドステーション9の温度を制御器17へ入力す
るようになっている。制御器17は熱負荷器16からの温度
情報を入力して制御値と比較して、入力値が制御値より
も低い場合には熱負荷器16に熱負荷を出力させる指示を
出したり、熱負荷器16の熱負荷出力を最小にするために
インバータ12を制御してヘリウム冷凍機8での寒冷発生
量を減少させるように制御する。また、熱負荷器16から
の温度入力値が制御値よりも高い場合には、制御器17は
熱負荷器16からの熱負荷出力は行なわせず、インバータ
14を制御してヘリウム冷凍機8での寒冷発生量を増加さ
せるように制御する。In this case, the heat loader 16 is of a temperature element built-in type, and is adapted to input the temperature of the cold station 9 to the controller 17. The controller 17 inputs the temperature information from the heat loader 16 and compares it with the control value.If the input value is lower than the control value, the heat loader 16 issues an instruction to output the heat load, In order to minimize the heat load output of the loader 16, the inverter 12 is controlled to control the amount of cold generation in the helium refrigerator 8. Further, when the temperature input value from the heat loader 16 is higher than the control value, the controller 17 does not output the heat load from the heat loader 16, and the inverter
14 is controlled to increase the amount of cold generation in the helium refrigerator 8.
このように構成された真空排気装置により、インバータ
14を制御しながら圧縮機11を作動させ、ヘリウム冷凍機
8にヘリウムガスを供給,循環させることによって、冷
媒であるヘリウムガスを補給することなくヘリウム冷凍
機8は寒冷を発生しコールドステーション9を冷却す
る。冷却されたコールドステーション9の寒冷は冷却板
10に伝わり、冷却板10が冷却される。この場合、冷凍機
はヘリウム冷凍機を用いているので、冷却板10は約20K
まで冷却可能である。With the vacuum exhaust device configured in this way, the inverter
By controlling the compressor 14 and operating the compressor 11 to supply and circulate the helium gas to the helium refrigerator 8, the helium refrigerator 8 generates cold without replenishing the helium gas as the refrigerant, and the cold station 9 is operated. Cooling. Cold plate of cold station 9 cooled
The cooling plate 10 is transmitted to the cooling plate 10 and cooled. In this case, since the refrigerator uses a helium refrigerator, the cooling plate 10 is about 20K.
It can be cooled down to.
これにより、ゲート弁4を開にしてロータリポンプ6お
よび油拡散ポンプ5によって被排気室1内を真空排気す
れば、被排気室1内のガスが排気口から真空ダクト3を
介して油拡散ポンプ5,ロータリポンプ6に順次吸い込ま
れて排気されていく。このとき、排気口2に対応して真
空ダクト3内に設けられた冷却板10に、排気口2から真
空ダクト3内に入ったガスが当たり、このガスのうち冷
却板10の温度よりも高い温度の沸点を有するガスは冷却
板10によって冷却され、冷却板10に凝縮または凝固して
吸着され、油拡散ポンプ5側へは冷却板10で吸着除去さ
れたガスを除いた残りのガスが流れ、排気される。Accordingly, when the gate valve 4 is opened and the exhaust chamber 1 is vacuum-exhausted by the rotary pump 6 and the oil diffusion pump 5, the gas in the exhaust chamber 1 is exhausted from the exhaust port through the vacuum duct 3 to the oil diffusion pump. 5, The rotary pump 6 is sequentially sucked and exhausted. At this time, the gas entering the vacuum duct 3 from the exhaust port 2 hits the cooling plate 10 provided in the vacuum duct 3 corresponding to the exhaust port 2, and the temperature of the gas is higher than that of the cooling plate 10. The gas having the boiling point of the temperature is cooled by the cooling plate 10, condensed or solidified and adsorbed on the cooling plate 10, and the remaining gas except the gas adsorbed and removed on the cooling plate 10 flows to the oil diffusion pump 5 side. Is exhausted.
例えば、冷却板10の温度を約150Kに冷却すれば水分,ヨ
ウ素等のガスを冷却板10でトラップすることができ、冷
却板10を約100Kに冷却すればさらにアンモニアをトラッ
プでき、冷却板10を約85Kに冷却すればさらに二酸化炭
素をトラップでき、冷却板10を約55Kに冷却すればさら
にキセノンがトラップでき、冷却板10を約35Kに冷却す
ればさらにメタンをトラップでき、冷却板10を約30Kに
冷却すればさらにアルゴンをトラップすることができ
る。For example, if the temperature of the cooling plate 10 is cooled to about 150K, water, gas such as iodine can be trapped by the cooling plate 10, and if the cooling plate 10 is cooled to about 100K, ammonia can be further trapped. Carbon dioxide can be further trapped by cooling to about 85K, xenon can be trapped by cooling the cooling plate 10 to about 55K, and methane can be further trapped by cooling the cooling plate 10 to about 35K. If cooled to about 30K, more argon can be trapped.
このように、圧縮機11でヘリウムガスを圧縮,循環させ
ることで、ヘリウムガスの補給を行なうことなく、ヘリ
ウム冷凍機8から連続して寒冷を得られ、常に冷却板10
を冷却することができる。また、制御器17によってイン
バータ14を制御して圧縮機11のヘリウムガスの供給量を
制御し、ヘリウム冷凍機8の寒冷発生量を制御して、ガ
ス種を選択してトラップすることができる。In this way, by compressing and circulating the helium gas in the compressor 11, it is possible to continuously obtain cold from the helium refrigerator 8 without replenishing the helium gas, and to constantly cool the cooling plate 10.
Can be cooled. Further, the controller 17 controls the inverter 14 to control the amount of helium gas supplied to the compressor 11 and the amount of cold generation of the helium refrigerator 8 to select and trap the gas species.
このような特性をもつ真空排気装置(真空処理装置)
を、例えば、半導体製造装置であるスパッタ装置に使用
した場合について述べる。まず、冷却板10の温度を30K
以下に冷却して真空排気をスタートさせ、真空排気スタ
ート直後から上記した全てのガスをトラップして、短時
間内に被排気室(真空処理室)1内を高真空に排気す
る。所定の高真空域まで真空排気した後は、ゲート弁4
を絞り、油拡散ポンプ5による排気の速度を少し下げる
とともに、冷却板10の温度を32K程度に昇温させ、アル
ゴンガス以外の高沸点ガスのみをトラップする。このと
きの冷却板10の昇温は、制御器17によって熱負荷器16か
ら熱負荷出力させるとともに、インバータ14を制御して
圧縮機11からのヘリウムガスの供給量を少し減して、冷
却板10の温度を32Kで運転するときのヘリウム冷凍機8
の寒冷発生量にし、速やかに冷却板10を昇温させる。Vacuum pumping equipment (vacuum processing equipment) with such characteristics
Will be described, for example, when it is used in a sputtering apparatus which is a semiconductor manufacturing apparatus. First, set the temperature of the cooling plate 10 to 30K.
After cooling to the following and starting the vacuum exhaust, all the above-mentioned gases are trapped immediately after the start of the vacuum exhaust, and the inside of the exhausted chamber (vacuum processing chamber) 1 is exhausted to a high vacuum within a short time. After evacuation to a predetermined high vacuum area, the gate valve 4
And the temperature of the cooling plate 10 is raised to about 32K, and only the high boiling point gas other than the argon gas is trapped. The temperature rise of the cooling plate 10 at this time is controlled by the controller 17 to output the heat load from the heat loader 16, and the inverter 14 is controlled to slightly reduce the supply amount of the helium gas from the compressor 11 to cool the cooling plate 10. Helium refrigerator 8 when operating at a temperature of 10 at 32K
Then, the cooling plate 10 is quickly heated.
次に、被排気室1内にアルゴンガスを図示しない装置に
より供給し、この状態で被排気室1内の圧力を、例え
ば、10-3〜10-4mmHgに調整し、被排気室1内をスパッタ
条件にする。このとき、被排気室1内のアルゴン以外、
すなわち、温度30K以上の高沸点ガスの分圧は極力低く
抑える必要があり、これは冷却板10の温度を32K程度に
制御することにより行なえる。また、この状態でゲート
弁4を絞りぎみにすることによって、アルゴンガスの消
費量を低減することができる。Next, argon gas is supplied into the exhaust chamber 1 by a device (not shown), and in this state, the pressure inside the exhaust chamber 1 is adjusted to, for example, 10 −3 to 10 −4 mmHg, and the inside of the exhaust chamber 1 is adjusted. Under the sputtering conditions. At this time, except for argon in the exhaust chamber 1,
That is, the partial pressure of the high boiling point gas having a temperature of 30 K or higher needs to be suppressed as low as possible, and this can be done by controlling the temperature of the cooling plate 10 to about 32 K. Further, by squeezing the gate valve 4 in this state, the consumption of argon gas can be reduced.
以上、本一実施例によれば、冷却板10をヘリウム冷凍機
8で冷却するので、従来のようにトラップを冷却するた
めの液体窒素等の寒剤を補給する作業が必要ないので、
冷却板を常時低温に保持して排気性能を維持し、トラッ
プしたガスの昇化を防止することができる。As described above, according to the present embodiment, since the cooling plate 10 is cooled by the helium refrigerator 8, it is not necessary to replenish a cryogen such as liquid nitrogen for cooling the trap as in the conventional case.
The cooling plate can be constantly kept at a low temperature to maintain the exhaust performance and prevent the trapped gas from rising.
また、制御器17によってインバータ14を制御し圧縮機11
の冷媒の供給量を調整し、ヘリウム冷凍機8の寒冷発生
量を制御できるので、冷却板10の温度を任意の値に制御
でき、トラップするガスを選択することができるという
効果がある。Further, the controller 17 controls the inverter 14 to control the compressor 11
Since the amount of cold generation of the helium refrigerator 8 can be controlled by adjusting the supply amount of the refrigerant, the temperature of the cooling plate 10 can be controlled to an arbitrary value, and the gas to be trapped can be selected.
また、制御器17によって熱負荷器16を制御し、熱負荷を
出力させて冷却板10を加温することができるので、速や
かに冷却板10を温度制御できるとともに、上記同様、ト
ラップするガスを選択することができるという効果があ
る。また、上記寒冷発生量の制御と組み合わせて行なう
ことにより、効率の良い制御を行なうことができる。Further, since the controller 17 controls the heat loader 16 to output the heat load to heat the cooling plate 10, it is possible to quickly control the temperature of the cooling plate 10 and, similarly to the above, to trap the gas to be trapped. The effect is that you can choose. Further, by performing the control in combination with the control of the amount of cold generation, it is possible to perform efficient control.
さらに、スパッタ装置等に適用した場合に、従来技術で
は冷却板の温度が約77Kまでしか冷却できず、沸点の温
度が77K以下のガスはトラップすることができなかった
ので、真空排気をスタートとし被排気室内を高真空域ま
で排気するのに時間が長く掛っていたが、本一実施例に
よれば、冷却板10を約30Kまで冷却して全てのガス種を
吸着除去できるので、高真空域まで排気する時間を短縮
することができるという効果がある。Furthermore, when applied to a sputtering device, etc., the conventional technology was able to cool the temperature of the cooling plate to only about 77K and could not trap the gas having a boiling point temperature of 77K or less, so the vacuum exhaust was started. It took a long time to exhaust the exhausted chamber to a high vacuum region, but according to the present embodiment, the cooling plate 10 can be cooled to about 30 K to adsorb and remove all gas species, so that a high vacuum can be obtained. There is an effect that it is possible to shorten the time for exhausting to the region.
なお、本一実施例では冷却板10を円筒形にして排気口2
に対向させて設けたが、第2図,第3図に示すようにし
ても良い。In this embodiment, the cooling plate 10 has a cylindrical shape and the exhaust port 2
However, it may be arranged as shown in FIGS. 2 and 3.
第2図は、排気口2に対向して設けた真空ダクト3a内に
断面がくの字形の板を円周状に複数設けた冷却板10aを
配置し、該冷却板10aをヘリウム冷凍機8のコールドス
テーション9に取り付け、排気口2から排気されるガス
のうち、冷却板10aの温度よりも高い沸点のガスを冷却
板10aにより吸着除去するようにしている。ヘリウム冷
凍機8の運転は前記一実施例と同様である。FIG. 2 shows that a cooling plate 10a having a plurality of V-shaped cross-section plates provided circumferentially is arranged in a vacuum duct 3a provided so as to face the exhaust port 2, and the cooling plate 10a is connected to the helium refrigerator 8. It is attached to the cold station 9 so that of the gases exhausted from the exhaust port 2, the gas having a boiling point higher than the temperature of the cooling plate 10a is adsorbed and removed by the cooling plate 10a. The operation of the helium refrigerator 8 is the same as that of the one embodiment.
第3図は、排気口2に連続させて排気路の方向を変える
真空ダクト3bを介して真空絞り弁19を接続し、さらに油
拡散ポンプ5を接続する。この場合、真空絞り弁19の上
流側に前記第2図と同様の冷却板10bを配置し、該冷却
板10bをヘリウム冷凍機8のコールドステーション9に
取り付け、排気口2から排気されるガスのうち、冷却板
10bの温度よりも高い沸点のガスを冷却板10bにより吸着
除去するようにしている。また、真空絞り弁19の下流側
に弁18を配置し、冷却板10bにより吸着除去した残りの
ガスの排気流量を調整するようにしている。In FIG. 3, the vacuum throttle valve 19 is connected through the vacuum duct 3b which is continuous with the exhaust port 2 and changes the direction of the exhaust path, and further the oil diffusion pump 5 is connected. In this case, a cooling plate 10b similar to that shown in FIG. 2 is arranged on the upstream side of the vacuum throttle valve 19, the cooling plate 10b is attached to the cold station 9 of the helium refrigerator 8, and the gas exhausted from the exhaust port 2 is removed. Of which, cooling plate
A gas having a boiling point higher than the temperature of 10b is adsorbed and removed by the cooling plate 10b. Further, the valve 18 is arranged on the downstream side of the vacuum throttle valve 19 to adjust the exhaust flow rate of the remaining gas adsorbed and removed by the cooling plate 10b.
また、本一実施例では真空排気ポンプとして油拡散ポン
プ5とロータリポンプ6とを組み合わせたものを使用し
ているが、油拡散ポンプの代わりにターボ分子ポンプ等
の別の真空ポンプを使用しても良い。Further, in the present embodiment, a combination of the oil diffusion pump 5 and the rotary pump 6 is used as the vacuum exhaust pump, but another vacuum pump such as a turbo molecular pump is used instead of the oil diffusion pump. Is also good.
さらに、本一実施例では排気ガスをトラップするのに冷
却板を使用しているが、この冷却板に吸着材を取り付け
て吸着材を冷却し、冷却された吸着材によって排気ガス
を吸着除去するようにしても良い。Further, although the cooling plate is used to trap the exhaust gas in this embodiment, the adsorbent is attached to the cooling plate to cool the adsorbent, and the exhaust gas is adsorbed and removed by the cooled adsorbent. You may do it.
本発明によれば、冷却板を常時低温に保持して排気性能
を維持できると共に、トラップしたガスの昇化を防止で
きる。つまり、冷却板で吸着除去されなかったアルゴン
ガスを真空ポンプで排気可能にゲート弁を制御し排気量
を調整すればよい。このため、真空処理室へのアルゴン
ガス供給量を低減できるので、アルゴンガスの消費量を
低減することができるという効果がある。According to the present invention, the cooling plate can be always kept at a low temperature to maintain the exhaust performance, and the trapped gas can be prevented from rising. That is, the amount of exhaust gas may be adjusted by controlling the gate valve so that the vacuum pump can exhaust the argon gas that has not been adsorbed and removed by the cooling plate. For this reason, the amount of argon gas supplied to the vacuum processing chamber can be reduced, which has the effect of reducing the amount of argon gas consumed.
第1図は本発明の一実施例である真空排気装置を示す構
成図、第2図および第3図は本発明の他の実施例を示す
部分断面図である。 1……被排気室、3,3a……真空ダクト、5……油拡散ポ
ンプ、6……ロータリポンプ、8……ヘリウム冷凍機、
10,10a,10b……冷却板、19……真空絞り弁FIG. 1 is a configuration diagram showing a vacuum exhaust device which is an embodiment of the present invention, and FIGS. 2 and 3 are partial cross-sectional views showing another embodiment of the present invention. 1 ... Exhaust chamber, 3, 3a ... Vacuum duct, 5 ... Oil diffusion pump, 6 ... Rotary pump, 8 ... Helium refrigerator,
10,10a, 10b …… Cooling plate, 19 …… Vacuum throttle valve
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高田 忠 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内 (56)参考文献 特開 昭55−33059(JP,A) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Tadashi Takada 794 Azuma Higashitoyo, Shimomatsu City, Yamaguchi Prefecture Inside the Kasado Plant, Hitachi Ltd. (56) References JP-A-55-33059 (JP, A)
Claims (1)
真空処理室と真空ポンプとをつなぐ排気管の途中に設け
られ冷凍機により冷却される温度制御可能な冷却板と、
排気管と真空ポンプとの間に設けられ真空処理室の排気
流量を調整するゲート弁とを具備し、所定の高真空域ま
で真空排気後冷凍機により冷却板の温度を32K程度に制
御し、冷却板の温度よりも高い沸点のガスを冷却板で吸
着除去後、残りのガスの排気量をゲート弁の開度制御に
より調節することを特徴とする真空処理装置の運転方
法。1. A temperature controllable cooling plate which is provided in the middle of an exhaust pipe connecting a vacuum processing chamber to which argon gas is supplied as a processing gas and a vacuum pump and which is cooled by a refrigerator.
It is provided with a gate valve provided between the exhaust pipe and the vacuum pump for adjusting the exhaust flow rate of the vacuum processing chamber, and after evacuation to a predetermined high vacuum region, the temperature of the cooling plate is controlled to about 32K by the refrigerator, A method for operating a vacuum processing apparatus, comprising: adsorbing and removing a gas having a boiling point higher than the temperature of a cooling plate by the cooling plate, and adjusting the exhaust amount of the remaining gas by controlling the opening of a gate valve.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62229567A JPH074515B2 (en) | 1987-09-16 | 1987-09-16 | Operating method of vacuum processing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62229567A JPH074515B2 (en) | 1987-09-16 | 1987-09-16 | Operating method of vacuum processing equipment |
Related Child Applications (1)
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| JP453196A Division JP2674591B2 (en) | 1996-01-16 | 1996-01-16 | Operating method of vacuum processing equipment |
Publications (2)
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| JPS6475031A JPS6475031A (en) | 1989-03-20 |
| JPH074515B2 true JPH074515B2 (en) | 1995-01-25 |
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| JP62229567A Expired - Lifetime JPH074515B2 (en) | 1987-09-16 | 1987-09-16 | Operating method of vacuum processing equipment |
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| JP (1) | JPH074515B2 (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0830260B2 (en) * | 1990-08-22 | 1996-03-27 | アネルバ株式会社 | Vacuum processing equipment |
| JP2641980B2 (en) * | 1990-11-08 | 1997-08-20 | 九州日本電気株式会社 | Low pressure CVD equipment |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5533059A (en) * | 1978-08-28 | 1980-03-08 | Semiconductor Res Found | Pressure-reduced reactor |
| JPS6053684A (en) * | 1983-09-02 | 1985-03-27 | Ulvac Corp | Cryopump |
| JPS62131983A (en) * | 1985-12-05 | 1987-06-15 | Anelva Corp | Cryopump |
-
1987
- 1987-09-16 JP JP62229567A patent/JPH074515B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6475031A (en) | 1989-03-20 |
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