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JPH0746212B2 - Method for producing anisotropic LB film - Google Patents
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JPH0746212B2 - Method for producing anisotropic LB film - Google Patents

Method for producing anisotropic LB film

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JPH0746212B2
JPH0746212B2 JP1309193A JP30919389A JPH0746212B2 JP H0746212 B2 JPH0746212 B2 JP H0746212B2 JP 1309193 A JP1309193 A JP 1309193A JP 30919389 A JP30919389 A JP 30919389A JP H0746212 B2 JPH0746212 B2 JP H0746212B2
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ion
anisotropic
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寿紀 田鎖
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立子 小畑
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、複数の物質が異方性秩序をもって配置されて
いる異方性LB膜の製造法に関する。
The present invention relates to a method for producing an anisotropic LB film in which a plurality of substances are arranged in anisotropic order.

[従来の技術] LB膜(ラングミュア・ブロジェット膜)はサブフェーズ
(通常、水)上に展開した単分子膜の表面圧を制御して
単分子膜の凝集膜を得、これを基板上に移し取ることに
よつてサブフェーズ上に形成された分子秩序を基板に移
し取る技術または広くはこの技術の総称であり、分子オ
ーダーで制御された膜構造を与える手段として近年注目
をあびている。
[Prior Art] The LB film (Langmuir-Blodgett film) controls the surface pressure of the monomolecular film developed on the sub-phase (usually water) to obtain an aggregate film of the monomolecular film, which is placed on the substrate. A technique for transferring the molecular order formed on the sub-phase to the substrate by transferring, or a broad term for this technique, has been attracting attention in recent years as a means for providing a film structure controlled on a molecular order.

従来知られているLB膜としては、例えば、ステアリン酸
などの脂肪族カルボン酸からなるものがあり、このLB膜
は高い絶縁性を有することからその利用が検討されてい
る。このようなLB膜は単分子膜または累積膜とすること
ができる。
As a conventionally known LB film, for example, there is one made of an aliphatic carboxylic acid such as stearic acid, and its use is being studied because the LB film has a high insulating property. Such an LB film can be a monomolecular film or a cumulative film.

近年LB膜は機能性材料を形成する手段として関心が高ま
っている。
In recent years, the LB film has attracted much interest as a means for forming a functional material.

例えば複数の成分からなる機能性材料は、各成分分子が
相互作用をするために親密な配置をとる必要があるが、
LB膜は分子オーダーで配列された膜形成手段であり、機
能性材料製造の手段として大きく期待されている。
For example, a functional material consisting of multiple components needs to be intimately arranged in order for each component molecule to interact,
The LB film is a film forming means arranged in a molecular order, and is greatly expected as a means for producing a functional material.

機能性材料は例えば色素、増感剤、電子供与性物質、電
子受容性物質、機能性高分子材料等が挙げられるがこの
ような材料をLB膜に用いるときには当該材料にLB膜を形
成させるための長鎖アルキル基を置換基として導入する
のが一般的である。しかしこれらの材料は機能性を発現
するための分子骨格あるいは原子団が一般に大きく、LB
膜を形成しにくいことが多い。このためこれらの材料と
他のLB膜形成助剤との混合LB膜が広く行われている。LB
膜形成助剤とは例えばステアリン酸のような直鎖脂肪酸
のように両親媒性であり、それ自身が良好なLB膜形成材
料であるものと、オクタデカンのような非極性材料とが
挙げられる。両親媒性LB膜形成助剤を用いた場合にはそ
のものがサブフェース上にLB膜を形成し、機能性材料が
その間に分散したLB膜を与える。一方非極性材料を用い
た場合には機能性材料によるLB膜が形成されており、LB
膜形成助剤はこのLB膜中に残存する隙間に充填されるこ
とによって機能性材料の複雑な構造を単純化し、圧縮に
耐え得る強固な構造のLB膜にする役割を果たしている。
例えば米沢らは日本化学会誌1987年116頁においてキサ
ンテン色素長鎖アルキル誘導体とステアリン酸等の長鎖
アルキル脂肪酸との混合LB膜を報告している。同様に佐
藤らは日本化学会誌1987年2108頁においてシアニン色素
と長鎖アルキル脂肪酸エステルとの混合LB膜を報告して
いる。これらはいずれも色素の巨大骨格に対し隙間の充
填とLB膜の強化のためにLB膜形成助剤が用いられている
例であり、機能性材料である色素はこの助剤に単に分散
しているだけである。この例には他に対イオンが含まれ
る(ハロゲン、過塩素酸イオン)が前記色素に付随して
いるだけである。いうまでもなくここで用いられている
助剤、対イオンはそれ自身独自の機能を有しないためこ
こに開示されているLB膜は実質1種類の機能性材料から
なるLB膜である。
Examples of the functional material include dyes, sensitizers, electron-donating substances, electron-accepting substances, and functional polymer materials. When such a material is used for the LB film, the LB film is formed on the material. It is common to introduce a long-chain alkyl group of as a substituent. However, these materials generally have a large molecular skeleton or atomic group for expressing functionality, and LB
It is often difficult to form a film. For this reason, mixed LB films of these materials and other LB film forming aids are widely used. LB
The film forming aid includes, for example, those that are amphipathic like linear fatty acids such as stearic acid, and are themselves good LB film forming materials, and nonpolar materials such as octadecane. When an amphipathic LB film forming aid is used, it itself forms an LB film on the sub-face, and the functional material gives an LB film dispersed between them. On the other hand, when a non-polar material is used, an LB film made of a functional material is formed.
The film-forming aid plays a role in simplifying the complicated structure of the functional material by filling the gaps remaining in the LB film and making the LB film of a strong structure capable of withstanding compression.
For example, Yonezawa et al. Reported a mixed LB film of a long-chain alkyl derivative of xanthene dye and a long-chain alkyl fatty acid such as stearic acid on page 116 of 1987 in the Chemical Society of Japan. Similarly, Sato et al. Reported a mixed LB film of a cyanine dye and a long-chain alkyl fatty acid ester in 1987 page 2108 of the Chemical Society of Japan. All of these are examples in which a LB film formation aid is used to fill the gaps and strengthen the LB film in the macro skeleton of the dye, and the dye that is the functional material is simply dispersed in this aid. I'm just there. In this example, only other counterions (halogen, perchlorate ion) are associated with the dye. Needless to say, the auxiliaries and counterions used here do not have their own unique functions, so the LB film disclosed here is an LB film consisting essentially of one kind of functional material.

別の例として渡辺らは高分子学会予稿集第36巻3224頁
(1987年)において荷電ニッケルジチオレン錯体と長鎖
4級アルキルアンモニウム塩及び助剤として長鎖アルキ
ルアミドからなる混合LB膜を報告している。この場合、
長鎖4級アルキルアンモニウム塩と助剤によってLB膜が
形成され機能材料であるニッケルジチオレン錯体はその
対イオンとして付随してLB膜に取り込まれる。従ってこ
の場合も機能材料としては1種類のLB膜である。
As another example, Watanabe et al. Reported a mixed LB film consisting of a charged nickel dithiolene complex, a long-chain quaternary alkylammonium salt, and a long-chain alkylamide as an auxiliary agent in Proceedings of the Polymer Society of Japan, Vol. 36, page 3224 (1987). is doing. in this case,
An LB film is formed by the long-chain quaternary alkylammonium salt and the auxiliary agent, and the nickel dithiolene complex, which is a functional material, is incidentally incorporated into the LB film as its counter ion. Therefore, also in this case, one kind of LB film is used as the functional material.

これに対し複数の機能成分をLB膜中に配置することが考
えられる。この場合、各成分分子を同一層内に混合する
といった簡便な手段でも親密な配置は可能であるが、こ
の場合無秩序な配列では高機能の実現は難しい。
On the other hand, it is possible to arrange multiple functional components in the LB film. In this case, intimate arrangement is possible by a simple means such as mixing each component molecule in the same layer, but in this case, it is difficult to realize a high function with a disordered arrangement.

これに対し機能物質同士を対イオンの形で組み合わせた
LB膜が知られている。例えば、モレキュラ・クリスタル
ズ・アンド・リキッド・クリスタルズ(Molecular Crys
tals and Liquid Crystals)第120巻319頁(1985年)に
は長鎖アルキルピリジニウム/テトラシアノキノジメタ
ン(TCNQ)アニオンラジカル塩のLB膜が開示されてい
る。同様に川端らは日本化学会誌2180頁(1987年)でテ
トラチアフルバレン(TTF)誘導体カチオンラジカルとT
CNQアニオンラジカル長鎖誘導体からなる電荷移動錯体
のLB膜について報告している。これらの例はLB膜中でカ
チオン部分とアニオン部分が塩を形成するため機能物質
としては2種類の物質からなるLB膜を形成するものであ
る。
On the other hand, functional substances were combined in the form of counterions.
LB film is known. For example, Molecular Crystals and Liquid Crystals
tals and Liquid Crystals) 120, p. 319 (1985), LB film of long-chain alkylpyridinium / tetracyanoquinodimethane (TCNQ) anion radical salt is disclosed. Similarly, Kawabata et al. In the Chemical Society of Japan, page 2180 (1987), tetrathiafulvalene (TTF) derivative cation radical and T
We have reported LB film of charge transfer complex consisting of long-chain derivative of CNQ anion radical. In these examples, the cation portion and the anion portion form a salt in the LB film, so that the LB film composed of two kinds of substances is formed as the functional substance.

以上述べた方法に対し、各成分を別々のLB膜として順次
累積した膜いわゆるヘテロ構造LB膜が知られている。ヘ
テロ構造LB膜は秩序のある配列を作製することが可能で
あるため高機能の発現のために好ましいと考えられる。
この場合各機能分子はLB累積膜の各層に存在し複数層で
全体の機能を発現する。本方法は原理的に2種以上の多
分子の機能分子からなるLB膜を与える。
In contrast to the method described above, a so-called heterostructure LB film in which each component is sequentially accumulated as a separate LB film is known. It is considered that the heterostructure LB film is preferable for high-performance expression because it can form an ordered array.
In this case, each functional molecule exists in each layer of the LB cumulative film, and the entire function is expressed in multiple layers. This method gives an LB film composed of two or more kinds of polyfunctional molecules in principle.

このようなヘテロ構造を有するLB膜(ヘテロLB膜)の研
究としては例えばメビウス(D.Moebius)らによってジ
ャーナル・オブ・アメリカン・ケミカル・ソサエテイー
(J.Amer.Chem.Soc.)第104巻7407頁(1985年)に開示
された電子供与性物質、電子受容性物質及び光増感剤の
3元系からなる研究例が挙げられる。
As a study of the LB film having such a hetero structure (hetero LB film), for example, Journal of American Chemical Society (J. Amer. Chem. Soc.) Vol. 104, 7407 by D. Moebius et al. An example is a study consisting of a ternary system of an electron-donating substance, an electron-accepting substance and a photosensitizer disclosed on page (1985).

この具体例として示される電子移動型LB膜においてはこ
れらの材料中に含まれる各要素が異なる層間に配置され
るとともに各層の積層順も重要な要素であり、電子供与
性物質、光増感剤及び電子受容性物質を順次累積した構
造(D−S−A構造)のヘテロLB膜が電子移動を能率的
に行うための構造として有用であるとされる。
In the electron transfer type LB film shown as this specific example, the respective elements contained in these materials are arranged between different layers, and the stacking order of the respective layers is also an important element. It is considered that the hetero LB film having a structure (DSA structure) in which electron-accepting substances are sequentially accumulated is useful as a structure for efficiently performing electron transfer.

同様の機能的分子配列としては光増感剤、電子受容性物
質1及び電子受容性物質2を順次累積した構造(S-A1-A
2構造)或いは電子供与性物質1、電子供与性物質2及
び光増感剤を順次累積した構造(D1-D2-S構造)も考え
られ、これらの場合光増感剤は、前者では電子供与性及
び後者では電子受容性をも有する。このとき電子受容性
物質または電子供与性物質の複数を用いるときはそれら
の分子の還元電位または酸化電位の関係に留意して電子
の移動が妨げられないような関係で選択される。
The same functional molecular array has a structure in which a photosensitizer, an electron-accepting substance 1 and an electron-accepting substance 2 are sequentially accumulated (S-A1-A
2 structure) or a structure in which an electron-donating substance 1, an electron-donating substance 2 and a photosensitizer are sequentially accumulated (D1-D2-S structure), and in these cases, the photosensitizer is the electron donor. And the latter has electron accepting properties. At this time, when a plurality of electron-accepting substances or electron-donating substances are used, the relation between the reduction potential or the oxidation potential of those molecules is taken into consideration and selected in such a relation that the movement of electrons is not hindered.

このような機能分子の配列は植物の光合成の光反応中心
で実際に行われているものであり、このような機能分子
の配列を人工的に組み上げる技術を開発することは産業
への応用を考えたときにきわめて意義深いものである。
The arrangement of such functional molecules is actually performed in the photoreaction center of photosynthesis in plants, and it is considered that the technology for artificially assembling the arrangement of such functional molecules has industrial application. It is extremely significant when it is played.

ヘテロLB膜を得るためには各成分の単分子膜を形成し、
順次基板に移し取ることによって基本的には達成され
る。例えば、このためには、1つまたは複数のLB膜製造
装置を用いて各層を用意し、順次LBを作製、積層する方
法または1つの層を基板上に形成し、次いで、サブフェ
ーズ上に残存する層を洗い流した後に次層に新たに展開
して基板に写す方法等がある。さらに、最近、ヘテロLB
膜製造装置の提案がなされている。これらの提案はその
機構に差異はあるものの、複数の展開層を有し、各種の
工夫により、サブフェーズ上の単分子膜を基板に移しと
る過程でこれら複数の展開層間を基板が自由に移動でき
る機構を設け、ヘテロLB膜を得るものである。
In order to obtain a hetero LB film, a monomolecular film of each component is formed,
It is basically achieved by sequentially transferring to the substrate. For example, for this purpose, each layer is prepared using one or more LB film manufacturing apparatuses, and LB is sequentially manufactured and laminated, or one layer is formed on the substrate and then left on the sub-phase. There is a method in which the layer to be washed is washed off and then newly developed on the next layer to be transferred to the substrate. Furthermore, recently, hetero LB
Membrane production equipment has been proposed. Although these proposals have different mechanisms, they have multiple development layers, and by various means, the substrate can freely move between these development layers during the process of transferring the monolayer on the sub-phase to the substrate. A mechanism that can be used is provided to obtain a hetero LB film.

[発明が解決しようとする課題] ヘテロLB膜を得る方法として、前記したような各成分の
単分子膜を形成し、順次基板に移しとる方法は、言うま
でもなく非常に手間のかかる方法であり、非能率な手順
を必要とする。
[Problems to be Solved by the Invention] As a method for obtaining a hetero LB film, a method of forming a monomolecular film of each component as described above and sequentially transferring it to a substrate is, of course, a very troublesome method, Inefficient procedure is required.

また、種々提案されているヘテロLB膜製造装置は上記の
方法によるヘテロLB膜製造における非能率性を大幅に改
善するものではあるが、各層の形成を逐次的に行うとい
う点では本質的差異はなく、このような装置を用いても
ヘテロLB膜の製造にはなおかなりの手順が必要となるの
が実状である。
In addition, although various proposed hetero LB film manufacturing apparatuses greatly improve the inefficiency in the hetero LB film manufacturing by the above method, there is no essential difference in that each layer is formed sequentially. In reality, even if such an apparatus is used, a considerable procedure is still required to manufacture the hetero LB film.

本考案の目的は、第1に、多成分からなる機能性材料を
高機能実現のために各成分が秩序性を持った異方的配置
をとる異方性LB膜として製造する方法を提供することに
あり、第2に、該LB膜を簡便に得る方法を提供すること
にある。
The first object of the present invention is to provide a method for producing a functional material composed of multiple components as an anisotropic LB film in which each component has an anisotropic arrangement with order for realizing high functionality. Secondly, to provide a method for easily obtaining the LB film.

〔課題を解決するための手段〕[Means for Solving the Problems]

本発明における異方性LB膜の製造法は、 (A)光増感機能、電子受容性又は電子供与性を有する
イオン(イオンa)を構成成分として含み、LB膜形成助
剤の存在下又は不存在下にLB膜を形成することが可能な
少なくとも1個の塩 (B)光増感機能、電子受容性又は電子供与性を有し、
イオンaと反対符号の電荷を有するイオン(イオンb)
を構成成分として含み、親水性である少なくとも1個の
塩 及び (C)光増感機能、電子受容性又は電子供与性を有する
少なくとも1個の疎水性物質を、 上記(A),(B)及び(C)のうち、一種は光増感機
能を有し、二種は電子供与性又は電子受容性を有するよ
うに選択し、選択された三種の物質をLB膜形成助剤の存
在下又は不存在下にサブフェーズに展開し、表面圧を制
御しつつ基板上に移し取ることを特徴とする。
The method for producing an anisotropic LB film according to the present invention comprises (A) an ion having a photosensitizing function, an electron accepting property or an electron donating property (ion a) as a constituent component, in the presence of an LB film forming auxiliary agent or At least one salt capable of forming an LB film in the absence (B) having a photosensitizing function, an electron accepting property or an electron donating property,
Ion having the opposite sign to ion a (ion b)
At least one salt having hydrophilicity and (C) at least one hydrophobic substance having a photosensitizing function, an electron-accepting property or an electron-donating property, as described above in (A) and (B). And (C), one is selected to have a photosensitizing function and the other two are selected to have an electron donating or electron accepting property, and the three selected substances are added in the presence of an LB film forming auxiliary or It is characterized in that it is developed in the sub-phase in the absence of it and transferred onto the substrate while controlling the surface pressure.

前記の製造法において、(A),(B)及び(C)並び
に場合により使用されるLB膜形成助剤を適当な溶媒に溶
解して、サブフェーズ上に滴下し展開する。このとき各
物質は予め混合して用いてもよいし、各物質を任意の順
序でサブフェーズ上に滴下してもよい。
In the above-mentioned production method, (A), (B) and (C) and the LB film forming auxiliary optionally used are dissolved in an appropriate solvent and added dropwise onto the sub-phase for development. At this time, the substances may be mixed in advance and used, or the substances may be dropped on the sub-phase in any order.

サブフェーズ上に展開された物質(展開物)を圧縮して
表面圧を適宜に制御して少なくとも(A),(B)及び
(C)の3成分からなる異方的配置を有するLB膜を形成
する。このためには予め表面圧−面積曲線を測定して表
面圧が上昇し始めてから崩壊するまでの間の適当な表面
圧を選択し、上記展開物をこの表面圧になるまで圧縮す
る。上記の溶剤としてはベンゼン、クロロホルム、塩化
メチレン、ヘキサン等があり、サブフェーズに不溶性で
揮発性の溶剤が望ましい。場合により、エタノール、DM
F等のサブフェーズに溶解し易いものを小量併用しても
よい。サブフェーズとしては通常水が用いられるが、特
定のpHに調製した水(緩衝塩等)、金属塩水溶液、エチ
レングリコール、グリセリン等の極性材料が目的に応じ
使用される。
By compressing the substance (developed substance) developed on the sub-phase and controlling the surface pressure appropriately, an LB film having an anisotropic arrangement of at least three components (A), (B) and (C) is formed. Form. For this purpose, the surface pressure-area curve is measured in advance, an appropriate surface pressure is selected from the time when the surface pressure starts to rise until it collapses, and the spread is compressed to this surface pressure. Examples of the above solvent include benzene, chloroform, methylene chloride, hexane, etc., and a volatile solvent insoluble in the subphase is preferable. In some cases, ethanol, DM
A small amount of a substance that easily dissolves in the sub-phase such as F may be used together. Water is usually used as the subphase, but polar materials such as water (buffer salt etc.) adjusted to a specific pH, aqueous metal salt solution, ethylene glycol, glycerin etc. are used according to the purpose.

LB膜形成助剤の存在下または不存在下にLB膜を形成する
ことが可能な物質(A)によって形成される単分子膜に
は極性部分(親水性部分)と非極性部分(疎水性部分)
が存在し、極性部分はサブフェーズ側に位置し、非極性
部分はその反対側に位置する。このような系に塩(B)
を共存させた場合、これは親水性であり、イオンaとイ
オンbが反対の荷電を有するので上記単分子膜の極性部
分に引き寄せられ、同時に存在する疎水性物質(C)
は、それが疎水性であるため上記単分子膜の非極性部分
に引き寄せられて配置する。
The monomolecular film formed by the substance (A) capable of forming an LB film in the presence or absence of the LB film formation auxiliary has a polar part (hydrophilic part) and a non-polar part (hydrophobic part). )
Exists, the polar part is located on the subphase side, and the nonpolar part is located on the opposite side. Salt (B) in such a system
When coexisting, it is hydrophilic, and since the ion a and the ion b have opposite charges, they are attracted to the polar part of the monolayer, and the hydrophobic substance (C) present at the same time.
Is placed near the non-polar portion of the monolayer because it is hydrophobic.

即ち、少なくとも(A),(B)及び(C)の3成分か
らなる材料系を、場合によりLB膜形成助剤とともにサブ
フェーズ上に展開したときに、上記材料系はそれぞれの
分子が有している荷電状態及び/又は極性の違いを反映
して自発的にその集合状態を変化させて、単なる混合物
から、機能的特性を生じさせるような配置に再配列され
る。このようにして、少なくとも(A),(B)及び
(C)の3成分からなる材料系はサブフェーズ上、これ
らの機能物質同士が相互に膜中の違った位置に自発的に
配置した膜構造をとり、膜内では実質的に3層の分子秩
序を形成している。このような膜を基板に移し取ること
により上記膜構造を反映したLB膜が得られる。このLB膜
は、LB膜形成助剤の存在下または不存在下にLB膜を形成
することが可能な物質(A)を中心にその極性部分に塩
(B)が、及びその非極性部分に疎水性物質(C)配置
した構造をとっている。この構造を以下、異方性配置と
いう。このような異方性配置が1回のLB膜作製過程で得
られることは本発明に特徴的なことであり、複数のLB膜
作製過程を経て得られるヘテロ構造LB膜の製造法とは根
本的に区別される。
That is, when a material system consisting of at least three components (A), (B) and (C) is developed on a sub-phase together with an LB film forming aid, the above-mentioned material system has each molecule. It spontaneously changes its assembly state, reflecting the different charge states and / or polarities, and is rearranged from a mere mixture to an arrangement that gives rise to functional properties. In this way, the material system consisting of at least three components (A), (B) and (C) is a film in which these functional substances are spontaneously arranged at different positions in the film on the sub-phase. It has a structure and forms substantially three layers of molecular order in the film. By transferring such a film to the substrate, an LB film reflecting the above film structure can be obtained. This LB film is composed mainly of a substance (A) capable of forming an LB film in the presence or absence of an LB film formation aid, a salt (B) in its polar portion, and a salt (B) in its non-polar portion. It has a structure in which a hydrophobic substance (C) is arranged. Hereinafter, this structure is referred to as an anisotropic arrangement. It is a characteristic of the present invention that such an anisotropic arrangement can be obtained in a single LB film production process, and is basically the method of producing a heterostructure LB film obtained through a plurality of LB film production processes. Distinctly.

(A)が光増感機能を有するイオン(イオンa)を構成
成分として含み、LB膜形成助剤の存在下又は不存在下に
LB膜を形成することが可能な少なくとも1個の塩(光増
感剤)、 (B)が電子受容性又は電子供与性を有し、イオンaと
反対符号の電荷を有するイオン(イオンb)を構成成分
として含む少なくとも1個の塩 及び (C)が電子受容性又は電子供与性を有する少なくとも
1個の疎水性物質 である場合には、サブフェーズ上で電子供与性物質又は
電子受容性物質、光増感剤及び電子供与性物質又は電子
受容性物質が順次積層している分子配置を膜内に有して
おり、特に、上記(B)と(C)の一方が電子供与性を
有し、他方が電子受容性を有するものである場合には電
子供与性物質、光増感剤及び電子受容性物質が順次また
は逆順に積層している分子配置を膜内に有している。以
上の説明は単独で又はLB膜形成助剤の存在下、LB膜を形
成することの可能な物質が光増感剤である場合を例にと
って説明したが本発明になる異方性LB膜の製造法では用
いる材料のLB膜形成能力、親水性及び疎水性の関係に留
意すればS-A1-A2構造及びD1-D2-S構造にも適用が可能で
ある。
(A) contains an ion having a photosensitizing function (ion a) as a constituent and is present in the presence or absence of an LB film forming auxiliary agent.
At least one salt (photosensitizer) capable of forming an LB film, (B) is an ion (ion b) having an electron accepting or electron donating property and a charge having an opposite sign to that of the ion a When at least one salt containing C as a constituent component and (C) is at least one hydrophobic substance having an electron-accepting property or an electron-donating property, an electron-donating substance or an electron-accepting substance on the subphase is included. , A photosensitizer and an electron-donating substance or an electron-accepting substance are sequentially laminated in the film, and in particular, one of the above (B) and (C) has an electron-donating property. On the other hand, when the other has an electron-accepting property, the film has a molecular arrangement in which an electron-donating substance, a photosensitizer, and an electron-accepting substance are laminated in order or in reverse order. The above description has been given by taking as an example the case where the substance capable of forming the LB film is the photosensitizer alone or in the presence of the LB film forming auxiliary agent. In the manufacturing method, the S-A1-A2 structure and the D1-D2-S structure can be applied if attention is paid to the relationship between the LB film forming ability of the material used and the hydrophilicity and hydrophobicity.

特に、(A)を構成するイオンaと(B)を構成するイ
オンbが互いに対イオンとなっており、従って(A)と
(B)が予め一つの塩からなる場合、光増感機能を有す
る成分と電子供与性又は電子受容性を有する成分との間
の親密な関係がLB膜作製過程で保たれ異方性配置を一層
取り易くなるので好ましい。
In particular, when the ion a constituting (A) and the ion b constituting (B) are counter ions with each other, and therefore (A) and (B) are composed of one salt in advance, the photosensitizing function is improved. The intimate relationship between the component having the component and the component having the electron donating or electron accepting property is maintained in the process of preparing the LB film, and the anisotropic arrangement is more easily taken, which is preferable.

(A)と(B)が予め一つの塩でなくても、(A)と
(B)とはそれぞれ塩であるからイオンaの対イオン及
びイオンbの対イオンとしてサブフェーズに溶解し易い
ものを選定しておくと、(A)、(B)及び疎水性物質
(C)を溶媒に溶解して、混合した後又は順次、LB膜展
開層(サブフェーズ)に滴下するとサブフェーズ上でイ
オンa及びイオンbの対イオンの交換が良好に進行して
イオンaとイオンbが塩を形成し、目的の3成分からな
る異方性LB膜が製造される。上記のイオンa又はイオン
bの対イオンとしては金属イオン、ハロゲンイオン、低
級アルキル基置換4級アンモニウムイオン、過塩素酸イ
オン等がそれぞれの材料の荷電状態に応じて選ばれる。
Even if (A) and (B) are not a single salt in advance, since (A) and (B) are salts, they are easily dissolved in the subphase as the counter ion of ion a and the counter ion of ion b. If (A), (B) and the hydrophobic substance (C) are dissolved in a solvent and mixed or sequentially added to the LB film development layer (sub-phase), ions will be generated in the sub-phase. The exchange of counterions of a and ion b proceeds favorably to form a salt between ion a and ion b, and an anisotropic LB film composed of the desired three components is produced. A metal ion, a halogen ion, a lower alkyl group-substituted quaternary ammonium ion, a perchlorate ion, or the like is selected as the counter ion of the above-mentioned ion a or ion b, depending on the charge state of each material.

以上のようにしてサブフェーズ上に形成された異方的配
置を有する層は、基板に移し取られ異方性LB膜とされ
る。
The layer having an anisotropic arrangement formed on the sub-phase as described above is transferred to the substrate to be an anisotropic LB film.

上記のような異方的LB膜は次の別法によっても製造する
ことができる。
The anisotropic LB film as described above can also be manufactured by the following alternative method.

すなわち(B)としてサブフェーズに可溶であるものを
選択し、これをサブフェーズに溶解し、(A)及び
(C)をサブフェーズ上に展開し、展開物を圧縮し、表
面圧を制御しつつこれを基板上に展開することを特徴と
する。
That is, as (B), one that is soluble in the sub-phase is selected, this is dissolved in the sub-phase, (A) and (C) are developed on the sub-phase, the developed product is compressed, and the surface pressure is controlled. It is characterized by developing this on the substrate while doing.

この別法においてはサブフェーズ上に形成されたLB膜形
成助剤の存在下または不存在下にLB膜を形成することが
可能な(A)とサブフェーズ中に溶解している(B)と
が、これらを構成するイオンaとイオンbが反対の荷電
を有しているので引きつけられ、イオン交換によってイ
オンaとイオンbが塩を形成してイオンbにイオンaが
積層されているような配置をとる。この配置は上記材料
系をサブフェーズに展開したとき及び圧縮する過程で起
こる。
In this alternative method, it is possible to form the LB film in the presence or absence of the LB film formation auxiliary formed on the sub-phase (A) and the LB film is dissolved during the sub-phase (B). However, since the ions a and b constituting them are oppositely charged, they are attracted, and the ion a and the ion b form a salt by ion exchange so that the ion a is stacked on the ion b. Arrange. This arrangement occurs when the material system is expanded into sub-phases and during compression.

この方法によればサブフェーズに溶解された材料はサブ
フェーズ上に形成された単分子膜のサブフェーズ側に限
定されて接近するために、最終的にLB膜中で異方性がよ
り発達した配置をとるものと考えられる。
According to this method, the material dissolved in the sub-phase is confined to the sub-phase side of the monolayer formed on the sub-phase, and finally the anisotropy is further developed in the LB film. It is considered to be arranged.

前記した異方性LB膜の製造方法のいずれもLB膜作製手段
として、既知の作製手段をそのまま適用することができ
る。これらは展開水槽、固定バリア、移動バリア、表面
圧の検知及び制御手段、基板引き上げ装置を通常含むも
のであるが、所定の表面圧でサブフェーズ上に形成され
た単分子膜を基板に移し取る機能を備えたものであれば
特に限定はない。その例としては例えば協和界面科学
(株)製LB膜製造装置、ラウダ社製LBフィルムバラン
ス、ジョイスレーベル社製LB膜製造装置、サンエス計測
(株)製LB膜製造装置等の市販の装置をそのまま用いる
ことができる。製膜条件等は用いた材料によって最適な
条件を設定すべきであり、本発明では限定しない。
In any of the above-mentioned methods for producing an anisotropic LB film, a known production method can be applied as it is as an LB film production method. These usually include a developing water tank, a fixed barrier, a moving barrier, a means for detecting and controlling the surface pressure, and a substrate lifting device, but they have the function of transferring the monomolecular film formed on the sub-phase to the substrate at a predetermined surface pressure. There is no particular limitation as long as it is provided. For example, commercially available equipment such as LB film production equipment manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd., LB film balance manufactured by Lauda Co., LB film production equipment manufactured by Joyce Label Co., Ltd. Can be used. The film forming conditions and the like should be set to the optimum conditions depending on the material used, and the present invention is not limited thereto.

基板の引き上げ方法としては垂直浸漬法及び水平付着法
とが知られており、材料の性質によって選択される。
The vertical dipping method and the horizontal deposition method are known as the method of pulling up the substrate, and the method is selected depending on the properties of the material.

なお本発明になる異方性LB膜の製造方法においては通常
の環境でLB膜を形成することも可能であるが不活性ガス
で置換した雰囲気で製膜を行うことが好ましい結果を与
える。このようにすることによって空気に対し不安定な
材料の製膜も安定に行うことが可能である。不活性ガス
としては窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガス等が挙
げられる。これらのガスをLB膜製造装置に通気すること
によって不活性ガス雰囲気を得ることができる。これに
先立ってサブフェーズにも通気を行ってサブフェーズ中
の溶存酸素を不活性ガスに置換することがより好ましい
結果を与える。また、本発明において、光に対して敏感
な材料を使用する場合は、遮光下に行うのが好ましい。
In the method for producing an anisotropic LB film according to the present invention, it is possible to form the LB film in a normal environment, but it is preferable to perform the film formation in an atmosphere replaced with an inert gas. By doing so, it is possible to stably form a film of a material that is unstable to air. Examples of the inert gas include nitrogen gas, argon gas and helium gas. An inert gas atmosphere can be obtained by ventilating these gases into the LB film manufacturing apparatus. Prior to this, the sub-phase is also ventilated to replace the dissolved oxygen in the sub-phase with the inert gas, which gives more preferable results. Further, in the present invention, when a material sensitive to light is used, it is preferable to perform it under light shielding.

なお、光増感機能を有するイオンを構成成分として含む
塩又は光増感機能を有する物質を光増感剤と、電子受容
性を有するイオンを構成成分として含む塩又は電子受容
性を有する物質を電子受容性物質と及び電子供与性を有
するイオンを構成成分として含む塩又は電子供与性を有
する物質を電子供与性物質という。
In addition, a salt containing an ion having a photosensitizing function as a constituent or a substance having a photosensitizing function and a salt containing an ion having an electron accepting property as a constituent or a substance having an electron accepting property. A salt containing an electron-accepting substance and an ion having an electron-donating property as a constituent or a substance having an electron-donating property is called an electron-donating substance.

次に、本発明に使用される材料について説明する。Next, the materials used in the present invention will be described.

本発明に用いられる光増感剤としては、光増感機能を有
するイオンを構成成分として含むものが好ましく、その
構成成分の骨格中または置換基部分のいずれかまたは両
方に荷電を有しているものが好ましい。特に酸化還元増
感剤の使用が好ましい。ポリフイリン系染料,フタロシ
アニン系染料,チアジン系染料,オキサジン系染料,キ
サンテン系染料,鉄族遷移金属トリスビピリジル錯体,
鉄族遷移金属トリスフエナンスロリル錯体等は光増感剤
としての能力に優れ特に望ましい。
The photosensitizer used in the present invention is preferably a photosensitizer containing an ion having a photosensitizing function as a constituent, and has a charge in the skeleton of the constituent or in both or both of the substituent moieties. Those are preferable. It is particularly preferable to use a redox sensitizer. Polyphenylene dye, phthalocyanine dye, thiazine dye, oxazine dye, xanthene dye, iron group transition metal trisbipyridyl complex,
Iron group transition metal trisphenanthrolyl complexes and the like are particularly preferable because they have excellent ability as a photosensitizer.

光増感剤の例としては5,10,15,20−テトラキス(p−カ
ルボキシフエニル)−21H,23H−ポルフインの一部また
は全部のアルカリ金属塩、5,10,15,20−テトラキス(p
−カルボキシフエニル)−21H,23H−ポルフイン亜鉛錯
体の一部または全部のアルカリ金属塩、5,10,15,20−テ
トラキス(p−カルボキシフエニル)−21H,23H−ポル
フインマグネシウム錯体の一部または全部のアルカリ金
属塩、5,10,15,20−テトラキス(p−カルボキシフエニ
ル)−21H,23H−ポルフインニツケル錯体の一部または
全部のアルカリ金属塩、5,10,15,20−テトラキス(p−
カルボキシフエニル)−21H,23H−ポルフイン鉄錯体の
一部または全部のアルカリ金属塩、5,10,15,20−テトラ
キス(p−トリアルキルアミノフエニル)−21H,23H−
ポルフイニウムテトラブロミド、5,10,15,20−テトラキ
ス(p−トリアルキルアミノフエニル)−21H,23H−ポ
ルフイン亜鉛錯体のテトラブロミド、5,10,15,20−テト
ラキス(p−オクタデシルジメチルアミノフエニル)−
21H,23H−ポリフイン亜鉛錯体のテトラブロミド、5,10,
15,20−テトラキス(p−スルホン酸フエニル)−21H,2
3H−ポルフインの一部または全部のアルカリ金属塩、5,
10,15,20−テトラキス(p−スルホン酸フエニル)−21
H,23H−ポルフイン亜鉛錯体の一部または全部のアルカ
リ金属塩、5,10,15,20−テトラキス(p−スルホン酸フ
エニル)−21H,23H−ポルフインニツケル錯体の一部ま
たは全部のアルカリ金属塩、5,10,15,20−テトラキス
(p−スルホン酸フエニル)−21H,23H−ポルフイン鉄
錯体の一部または全部のアルカリ金属塩等のテトラフェ
ニルポルフィリン化合物の荷電誘導体、 5,10,15,20−テトラキス(4−N−メチルピリジニウ
ム)−21H,23H−ポルフインテトラハライド、5,10,15,2
0−テトラキス(3−N−メチルピリジニウム)−21H,2
3H−ポルフインテトラハライド、5,10,15,20−テトラキ
ス(4−N−メチルピリジニウム)−21H,23H−ポルフ
イン亜鉛錯体テトラハライド、5,10,15,20−テトラキス
(4−N−メチルピリジニウム)−21H,23H−ポルフイ
ンニツケル錯体テトラハライド、5,10,15,20−テトラキ
ス(3−N−メチルピリジニウム)−21H,23H−ポルフ
イン亜鉛錯体テトラハライド、5,10,15,20−テトラキス
(3−N−メチルピリジニウム)−21H,23H−ポルフイ
ンニツケル錯体テトラハライド、5,10,15,20−テトラキ
ス(4−N−オクタデシルピリジニウム)−21H,23H−
ポルフイン亜鉛錯体テトラハライド、5,10,15,20−テト
ラキス(3N−オクタデシルピリジニウム)−21H,23H−
ポルフイン亜鉛錯体テトラハライド、5,10,15,20−テト
ラキス(4−N−オクタデシルピリジニウム)−21H,23
H−ポルフインニツケル錯体テトラハライド,5,10,15,20
−テトラキス(3−N−Nオクタデシルピリジニウム)
−21H,23H−ポルフインマグネシウム錯体テトラハライ
ド,5,10,15,20−テトラキス(3−N−オクタデシルピ
リジニウム)−21H,23H−ポルフイン鉄錯体テトラハラ
イド等のテトラピリジニウムポリフイリン化合物の荷電
誘導体などのポリフイリン系染料、 銅フタロシアニンテトラカルボン酸の一部または全部の
アルカリ金属塩、銅フタロシアニンテトラカルボン酸の
一部または全部のアルカリ金属塩、亜鉛フタロシアニン
テトラカルボン酸の一部または全部のアルカリ金属塩、
バナジルフタロシアニンテトラカルボン酸の一部または
全部のアルカリ金属塩、銅テトラアミノフタロシアニン
ハロゲン化アルキル付加物、亜鉛テトラアミノフタロシ
アニンハロゲン化アルキル付加物、ニツケルテトラアミ
ノフタロシアニンハロゲン化アルキル付加物、バナジル
テトラアミノフタロシアニンハロゲン化アルキル付加物
等のフタロシアニン化合物の荷電誘導体などのフタロシ
アニン系染料、 チオニン、メチレンブルー、長鎖アルキル置換メチレン
ブルー、ナイルブルー、メチレンバイオレツト、レゾル
フイン、エリスロシンB、エオキシY、フクシンB、ロ
ーダミンB、ローダミン6G、ローズベンガル、ルテニウ
ムトリス(2,2′−ビピリジル)、オスミウムトリス
(2,2′−ビピリジル)ルテニウムトリス(2,2′−フエ
ナンスロリン)等が挙げられる。
Examples of the photosensitizer include 5,10,15,20-tetrakis (p-carboxyphenyl) -21H, 23H-porphyin part or all of alkali metal salts, 5,10,15,20-tetrakis ( p
-Carboxyphenyl) -21H, 23H-porphine zinc complex partially or wholly alkali metal salt, 5,10,15,20-tetrakis (p-carboxyphenyl) -21H, 23H-porphyrin magnesium complex Part or all of alkali metal salt, 5,10,15,20-tetrakis (p-carboxyphenyl) -21H, 23H-part of or all alkali metal salt of porphinine nickel complex, 5,10,15,20 -Tetrakis (p-
Carboxyphenyl) -21H, 23H-porphyin iron complex part or all alkali metal salt, 5,10,15,20-tetrakis (p-trialkylaminophenyl) -21H, 23H-
Porphinium tetrabromide, 5,10,15,20-tetrakis (p-trialkylaminophenyl) -21H, 23H-porphyin zinc complex tetrabromide, 5,10,15,20-tetrakis (p-octadecyldimethyl) Aminophenyl)-
21H, 23H-polybromine zinc tetrabromide, 5,10,
15,20-Tetrakis (p-sulfonate) -21H, 2
Alkali metal salts of part or all of 3H-porphin, 5,
10,15,20-Tetrakis (phenyl sulfonate) -21
Alkali metal salt of part or all of H, 23H-porphin zinc complex, 5,10,15,20-Tetrakis (p-phenyl sulfonate) -21H, 23H-Part of all or part of alkali metal of porphinine nickel complex A charged derivative of a tetraphenylporphyrin compound such as a salt, 5,10,15,20-tetrakis (p-phenyl sulfonate) -21H, 23H-porphyrin iron complex or a part or all of an alkali metal salt thereof, 5,10,15 , 20-Tetrakis (4-N-methylpyridinium) -21H, 23H-porphine tetrahalide, 5,10,15,2
0-Tetrakis (3-N-methylpyridinium) -21H, 2
3H-porphine tetrahalide, 5,10,15,20-tetrakis (4-N-methylpyridinium) -21H, 23H-porphin zinc complex tetrahalide, 5,10,15,20-tetrakis (4-N-methyl) Pyridinium) -21H, 23H-porphine nickel complex tetrahalide, 5,10,15,20-tetrakis (3-N-methylpyridinium) -21H, 23H-porphine zinc complex tetrahalide, 5,10,15,20- Tetrakis (3-N-methylpyridinium) -21H, 23H-porphine nickel complex tetrahalide, 5,10,15,20-tetrakis (4-N-octadecylpyridinium) -21H, 23H-
Porphyne zinc complex tetrahalide, 5,10,15,20-tetrakis (3N-octadecylpyridinium) -21H, 23H-
Porphin zinc complex tetrahalide, 5,10,15,20-tetrakis (4-N-octadecylpyridinium) -21H, 23
H-porphine nickel complex tetrahalide, 5,10,15,20
-Tetrakis (3-NN octadecylpyridinium)
-21H, 23H-porphyrin magnesium complex tetrahalide, 5,10,15,20-tetrakis (3-N-octadecylpyridinium) -21H, 23H-porphyrin iron complex tetrahalide and other charged derivatives of tetrapyridinium polyfilin compound Polyfilin dye of, part or all of alkali metal salts of copper phthalocyanine tetracarboxylic acid, part or all of alkali metal salts of copper phthalocyanine tetracarboxylic acid, part or all of alkali metal salts of zinc phthalocyanine tetracarboxylic acid,
Alkali metal salt of vanadyl phthalocyanine tetracarboxylic acid or part thereof, copper tetraaminophthalocyanine halogenated alkyl adduct, zinc tetraaminophthalocyanine halogenated alkyl adduct, nickel tetraaminophthalocyanine halogenated alkyl adduct, vanadyl tetraaminophthalocyanine halogen Phthalocyanine dyes such as charged derivatives of phthalocyanine compounds such as alkylated adducts, thionine, methylene blue, long-chain alkyl-substituted methylene blue, nile blue, methylene violet, resorufin, erythrosine B, eoxy Y, fuchsin B, rhodamine B, rhodamine 6G , Rose bengal, ruthenium tris (2,2'-bipyridyl), osmium tris (2,2'-bipyridyl) ruthenium tris (2,2'-phenanthro) Down), and the like.

上記において一部または全部のアルカリ金属塩とは複数
のカルボキシル基の一部または全部の水素原子がNa,K,R
b,Cs等のイオンに置き変わつたものをさし、ハロゲン化
アルキルとしてはヨウ化メチル、ヨウ化エチル、エチル
ブロミド、臭化ブチル、ヨウ化ブチル、オクタデシルブ
ロミド、オクタデシルアイオダイド等が挙げられる。
In the above, part or all of the alkali metal salt is a part or all of the hydrogen atoms of a plurality of carboxyl groups Na, K, R
Examples of the alkyl halide include methyl iodide, ethyl iodide, ethyl bromide, butyl bromide, butyl iodide, octadecyl bromide, octadecyl iodide, and the like.

これらの光増感剤はおのおの単独で用いてもよく、また
これらの光増感剤をキノン化合物、アルキル置換キノン
化合物、メチルビオロゲン、ジ(長鎖アルキル)γ,
γ′−ビピリジニウムハライド等の電子リレー物質と組
み合わて光増感剤系として使用してもよい。また、これ
らの電子リレー物質をLB膜形成助剤の一部として使用し
てもよい。
These photosensitizers may be used alone, and these photosensitizers may be used as quinone compounds, alkyl-substituted quinone compounds, methylviologen, di (long-chain alkyl) γ,
It may be used as a photosensitizer system in combination with an electronic relay material such as γ'-bipyridinium halide. Further, these electron relay substances may be used as a part of the LB film formation auxiliary agent.

また、光増感剤としてはLB膜形成助剤の存在下又は不存
在下にLB膜を形成することが可能なものを選択使用する
のが好ましい。この中でも特に長鎖脂肪族基を置換基と
して含むものが望ましいが、これらの化合物で、特に長
鎖脂肪族基を含まないものでもLB膜を製造できることが
明らかになつており、長鎖脂肪族基の存在は必須要素で
はない。又、単独ではLB膜を形成しにくいものでもLB膜
形成助剤と組み合わせることにより混合膜の形でLB膜を
得ることが可能である。この際に用いることができるLB
膜形成助剤としてはステアリン酸、アラキジン酸、パル
ミチン酸等の長鎖脂肪族基を含有する脂肪酸、スチアリ
ン酸アミド、アラキジン酸アミド、パルミチン酸アミド
のような酸アミド化合物、オクタデカン、ノナデカン、
エイコサン、ドコサン、ヘキサデカン等の長鎖アルカ
ン、エイコサノール、オクタデカノール、ヘキサデカノ
ール等の長鎖アルキルアルコール類、ステアリン酸エチ
ル、ステアリン酸メチル、アラキジン酸エチル、アラキ
ジン酸メチル等の長鎖脂肪酸エステル類、ビフエニル、
ターフエニル、ビスフエニールA等の芳香族炭化水素、
ラウリルりん酸エステル、長鎖アルキルスルホン酸ナト
リウム等が挙げられる。これらLB膜形成助剤は用いられ
る光増感剤の荷電状態、分子占有面積、配列状態を考慮
してその種類、配合量が定められるが、一般的には光増
感剤に対し0.1当量〜10当量用いるのが好ましく、これ
が多すぎると電子移動反応を妨げる方向に作用するの
で、LB膜が形成可能な最低限度にとどめることが望まし
い。
Further, as the photosensitizer, it is preferable to selectively use a photosensitizer capable of forming an LB film in the presence or absence of the LB film formation auxiliary. Among them, those containing a long-chain aliphatic group as a substituent are particularly desirable, but it has been revealed that an LB film can be produced even with these compounds, particularly those containing no long-chain aliphatic group. The presence of a group is not an essential element. Further, even if it is difficult to form an LB film by itself, it is possible to obtain an LB film in the form of a mixed film by combining it with an LB film formation aid. LB that can be used in this case
As the film forming aid, stearic acid, arachidic acid, fatty acids containing long-chain aliphatic groups such as palmitic acid, styalinic acid amide, arachidic acid amide, acid amide compounds such as palmitic acid amide, octadecane, nonadecane,
Long chain alkanes such as eicosane, docosane and hexadecane, long chain alkyl alcohols such as eicosanol, octadecanol and hexadecanol, long chain fatty acid esters such as ethyl stearate, methyl stearate, ethyl arachidate and methyl arachidate. , Biphenyl,
Aromatic hydrocarbons such as terphenyl and bisphenyl A,
Examples thereof include lauryl phosphate and sodium long-chain alkyl sulfonate. The type and blending amount of these LB film forming aids are determined in consideration of the charge state of the photosensitizer used, the area occupied by the molecule, and the arrangement state, but generally 0.1 equivalent to the photosensitizer is used. It is preferable to use 10 equivalents. If the amount is too large, the electron transfer reaction is hindered. Therefore, it is desirable to limit the amount to the minimum level at which the LB film can be formed.

前記電子受容性物質又は電子供与性物質としては下記の
一般式(I),(II)又は(III)で示される遷移金属
錯体が好ましく、適宜、電子受容性又は電子供与性を有
するイオンを構成成分として含む親水性塩及び電子受容
性又は電子供与性を有する疎水性物質を選択して使用す
る。下記において、mが0のものは疎水性になりやす
く、mが1以上のものは親水性塩になりやすい。
The electron-accepting substance or the electron-donating substance is preferably a transition metal complex represented by the following general formula (I), (II) or (III), and appropriately forms an ion having an electron-accepting property or an electron-donating property. A hydrophilic salt contained as a component and a hydrophobic substance having an electron accepting or electron donating property are selected and used. In the following, when m is 0, it tends to be hydrophobic, and when m is 1 or more, it is likely to be hydrophilic salt.

一般式(I) 一般式(II) 一般式(I)及び(II)において、ZはO,S,NR(Rは水
素またはアルキル基)から選ばれる原子または原子団で
あり各位置において相違してもよくX及びX′は水素、
アルキル基、置換アルキル基、ハロゲン基、アルコキシ
基、アルキルオキシカルボニル基、カルボキシル基、ア
ルキルアミノ基、四級アルキルアンモニウム基、ニトロ
基またはシアノ基から選ばれ、X及びX′は同一でもよ
く、nは1〜4の整数、mは+2〜−2の整数、Aはm
によつて規定される電荷を中和するのに必要な電荷数を
有する1個以上のアニオン又は1個以上のカチオン及び
Mは遷移金属イオンを表す(ただし、mが0の場合には
Aが存在しない)。
General formula (I) General formula (II) In the general formulas (I) and (II), Z is an atom or atomic group selected from O, S and NR (R is hydrogen or an alkyl group), and X and X ′ may be hydrogen at each position,
It is selected from an alkyl group, a substituted alkyl group, a halogen group, an alkoxy group, an alkyloxycarbonyl group, a carboxyl group, an alkylamino group, a quaternary alkylammonium group, a nitro group or a cyano group, and X and X ′ may be the same, n Is an integer of 1 to 4, m is an integer of +2 to -2, A is m
One or more anions or one or more cations having the number of charges necessary to neutralize the charge defined by and M represents a transition metal ion (provided that when m is 0, A is not exist).

一般式(III) 一般式(III)においてZ′はS及びNR(Rは水素また
はアルキル基)から選ばれ各位置において相違してもよ
く、Yは水素、アルキル基、置換アルキル基、フエニル
基、置換フエニル基及びシアノ基から選ばれ、各位置に
おいて相違してもよく、mは+2〜−2の整数、Aはm
によつて規定される電荷を中和するのに必要な電荷数を
有する1個以上のアニオン又は1個以上のカチオン及び
Mは遷移金属イオンを表す(ただし、mが0の場合には
Aは存在しない)。
General formula (III) In the general formula (III), Z ′ is selected from S and NR (R is hydrogen or an alkyl group) and may be different at each position, and Y is hydrogen, an alkyl group, a substituted alkyl group, a phenyl group, a substituted phenyl group and Selected from a cyano group, may be different at each position, m is an integer of +2 to -2, A is m
One or more anions or one or more cations having the number of charges necessary to neutralize the charge defined by and M represents a transition metal ion (provided that when m is 0, A is not exist).

これらの化合物は例えば、マクレバテイ(J.A.Mclevert
y)ら、プログレスインインオーガニツクケミストリー
(Prog.Inorg.Chem.)10巻、49頁(1968)、シユラウツ
アー(G.N.Schrauzer)ら、アカウンツオブケミカルリ
サーチ(Acc.Chem.Res.)2巻、72頁(1969)、インオ
ーガニツクシンセシス(Inorg.Syn.)10巻、2頁にその
合成法、特性が詳しくまとめられており、通常の状態で
は−2価のアニオンから0価の状態で空気中で安定に単
離でき、その荷電状態は中心金属イオンの種類、配位子
の種類によつて異なる。これらの化合物には2価のアニ
オンから2価のカチオンの範囲の全部またはその一部に
つき種々の酸化状態が確認されており、その一部につい
ては異なる酸化状態のまま安定に単離できることが知ら
れている。例えばニツケルビス(ジチオマレオニトリ
ル)錯体である化合物1については次の両者の錯体1−
a,1−bが空気中で安定に単離されており異なる物性を
示す。
These compounds are, for example, JAMclevert (JAMclevert
y) et al., Progress in Inorganic Chemistry (Prog.Inorg.Chem.), vol. 10, p. 49 (1968), Syulau Tour (GNSchrauzer) et al., Accounts of Chemical Research (Acc. Chem. Res.), vol. (1969), Inorganic Synthesis (Inorg.Syn.), Vol. 10, p. 2, its synthesis method and properties are summarized in detail. Under normal conditions, in the air from -2 anion to 0 valent state. It can be stably isolated, and its charge state varies depending on the type of central metal ion and the type of ligand. Various oxidation states have been confirmed in all or part of the range of divalent anions to divalent cations in these compounds, and it is known that some of them can be stably isolated in different oxidation states. Has been. For example, for the compound 1 which is a nickel bis (dithiomaleonitrile) complex, the following both complexes 1-
a, 1-b is stably isolated in air and shows different physical properties.

これらは空気中のみならず溶液中でも安定であり、かつ
両者は酸化還元電位+0.23V(対飽和カロメル電極、以
下SCEと略す)で電気化学的にまたは化学的に可逆的酸
化還元反応を行つて相互に変換され、その際に近赤外域
での吸収係数の大幅な変化を伴う。同様の反応を種々こ
れらの化合物群より見いだすことができる。例えば次式
が挙げられる。
They are stable not only in air but also in solution, and both are capable of electrochemically or chemically performing reversible redox reaction at a redox potential of +0.23 V (vs. saturated calomel electrode, hereinafter abbreviated as SCE). They are converted to each other, with a large change in absorption coefficient in the near infrared region. Similar reactions can be found from various groups of these compounds. For example, the following formula can be given.

なお上記においてE1/2は半波電位である。 In the above, E1 / 2 is a half-wave potential.

前記一般式(I)〜(III)で表される遷移金属錯体
は、混合原子価状態をとりうる。混合原子価状態とは中
性状態及び複数の荷電状態のうち二種以上の状態が単独
にあるいは共存する形で存在している状態をさす。
The transition metal complexes represented by the general formulas (I) to (III) may have a mixed valence state. The mixed valence state refers to a state in which two or more types of states of a neutral state and a plurality of charged states exist individually or in a coexisting form.

上記遷移金属錯体としては、コバルトビス(ジチオマレ
オニトリル)錯体、マンガンビス(ジチオマレオニトリ
ル)錯体、鉄ビス(ジチオマレオニトリル)錯体、銅ビ
ス(ジチオマレオニトリル)錯体、ニツケルビス(ジチ
オマレオニトリル)錯体、白金ビス(ジチオマレオニト
リル)錯体、パラジウムビス(ジチオマレオニトリル)
錯体、ニツケルビス(トルエン−3,4−ジチオレート)
錯体、ニツケルビス(オクタデシルベンゼン−3,4−ジ
チオレート)錯体、白金ビス(トルエン−3,4−ジチオ
レート)錯体、銅ビス(トルエン−3,4−ジチオレー
ト)錯体、ニツケルビス(ベンゼン−4−ジメチルアミ
ノ−1,2−ジチオレート)錯体、ニツケルビス(ベンゼ
ン−4−ジオクタデシルアミノ−1,2−ジチオレート)
錯体、ニツケルビス(ベンゼン−3,4,5,6−テトラブロ
モ−1,2−ジチオレート)錯体、ニツケルビス(1,2−ジ
チオナフタリン)錯体、白金ビス(1,2−ジチオナフタ
リン)錯体、ニツケルビス(ジチオスチリベン)錯体、
白金ビス(ジチオスチリベン)錯体、パラジウムビス
(ジチオスチリベン)錯体、ニツケルビス(p−クロロ
ジチオスチリベン)錯体、ニツケルビス(p−メトキシ
ジチオスチリベン)錯体、ニツケルビス(p−オクタデ
シロキシジチオスチリベン)錯体、ニツケルビス(p−
オクタデシルオキシカルボニルジチオスチリベン)錯
体、ニツケルビス(p−カルボキシシジチオスチリベ
ン)錯体、ニツケルビス(p−ジメチルアミノジチオス
チリベン)錯体、ニツケルビス(p−トリメチルアンモ
ニウムジチオスチリベン)テトラアイオダイド、ニツケ
ルビス(p−ジオクタデシルアミノジチオスチリベン)
錯体、ニツケルビス(1,2−フエニレンジイミン)錯
体、白金ビス(1,2−フエニレンジイミン)錯体、パラ
ジウムビス(1,2−フエニレンジイミン)錯体、ニツケ
ルビス(4−クロロ−1,2−フエニレンジイミン)錯
体、ニツケルビス(3,4−ジクロロ−1,2−フエニレンジ
イミン)錯体、ニツケルビス(4−アルキル−1,2−フ
エニレンジイミン)錯体、ニツケルビス(ジイミノマレ
オニトリル)錯体、白金ビス(ジイミノマレオニトリ
ル)錯体、パラジウムビス(ジイミノマレオニトリル)
錯体、ニツケルビス〔ビス(トリフルオロメチル)エチ
レン−1,2−ジチエート〕錯体、白金ビス〔ビス(トリ
フルオロメチル)エチレン−1,2−ジチエート〕錯体、
パラジウムビス〔ビス(トリフルオロメチル)エチレン
−1,2−ジチエート〕錯体等が挙げられる。これらは、
一般式(I)〜(III)において、mが0でない場合、
適当なA、例えば、テトラメチルアンモニウムイオン、
テトラエチルアンモニウムイオン、テトラブチルアンモ
ニウムイオン、ジメチルジオクタデシルアンモニウムイ
オン等の四級アンモニウムイオン、ナトリウムイオン、
カリウムイオン等のアルカリ金属イオン等のカチオン、
ClO4 -、BF4 -、ハロゲンイオン等のアニオンを1個以上
含む。このような遷移金属錯体は、電子受容性物質とも
なり、電子供与性物質ともなるが、該錯体の中から選ば
れる物質の酸化還元電位及び酸化状態、該錯体の中から
選ばれる物質(一種以上、好ましくは二種以上)と光増
感剤の組合せ及びこれらの物質の配置によって、電子受
容性物質として機能するか、電子供与性物質として機能
するかが決まる。例えば、ニツケルビス(ジチオマレオ
ニトリル)ジアニオン(これはジメチルジオクタデシル
アンモニウム塩又はその他の塩の形態で使用される)
は、典型的には電子供与性物質として使用され、ニツケ
ルジチオスチリベン錯は、電子受容性物質としても電子
供与性物質としても機能するが、電子受容性物質として
使用するのが好ましい。上記錯体からの物質の選択は、
これらは系の種類、吸収極大位置、組み合わせるレドツ
クス対の酸化還元電位等を考慮して最終的に決定される
べきであるが、種々の酸化状態のうちの第一酸化還元反
応を考慮して選択することが化合物の安定性上望まし
い。またそのときの酸化還元電位は組み合わされるべき
レドツクス対を考慮して総合的に決定されるべきである
が酸化還元電位が−0.5V〜+0.8V(vs SCE.)好ましく
は−0.2V〜+0.5Vの範囲にあることが好ましい。この範
囲、特に好ましくは0V〜+0.4Vの範囲で両酸化状態が空
気中及び溶媒存在下で安定に存在しうる。もちろん系の
密閉化等の手段を取る場合はこの限りではない。
Examples of the transition metal complex include cobalt bis (dithiomaleonitrile) complex, manganese bis (dithiomaleonitrile) complex, iron bis (dithiomaleonitrile) complex, copper bis (dithiomaleonitrile) complex, nickel bis (dithiomaleonitrile) complex. , Platinum bis (dithiomaleonitrile) complex, palladium bis (dithiomaleonitrile)
Complex, nickel bis (toluene-3,4-dithiolate)
Complex, nickel bis (octadecylbenzene-3,4-dithiolate) complex, platinum bis (toluene-3,4-dithiolate) complex, copper bis (toluene-3,4-dithiolate) complex, nickel bis (benzene-4-dimethylamino-) 1,2-dithiolate) complex, nickel bis (benzene-4-dioctadecylamino-1,2-dithiolate)
Complex, nickel bis (benzene-3,4,5,6-tetrabromo-1,2-dithiolate) complex, nickel bis (1,2-dithionaphthalene) complex, platinum bis (1,2-dithionaphthalene) complex, nickel bis (dithiostilibene) ) Complex,
Platinum bis (dithiostilibene) complex, palladium bis (dithiostilibene) complex, nickel bis (p-chlorodithiostilibene) complex, nickel bis (p-methoxydithiostilibene) complex, nickel bis (p-octadecyloxydithiostilibene) Complex, nickel bis (p-
Octadecyloxycarbonyldithiostilibene) complex, nickelbis (p-carboxysidithiostilibene) complex, nickelbis (p-dimethylaminodithiostilibene) complex, nickelbis (p-trimethylammoniumdithiostilibene) tetraiodide , Nickel bis (p-dioctadecylaminodithiostilibene)
Complex, nickel bis (1,2-phenylenediimine) complex, platinum bis (1,2-phenylenediimine) complex, palladium bis (1,2-phenylenediimine) complex, nickel bis (4-chloro-1) , 2-phenylenediimine) complex, nickelbis (3,4-dichloro-1,2-phenylenediimine) complex, nickelbis (4-alkyl-1,2-phenylenediimine) complex, nickelbis (diimino) Maleonitrile) complex, platinum bis (diiminomaleonitrile) complex, palladium bis (diiminomaleonitrile)
Complex, nickel bis [bis (trifluoromethyl) ethylene-1,2-dithiate] complex, platinum bis [bis (trifluoromethyl) ethylene-1,2-dithiate] complex,
Examples thereof include palladium bis [bis (trifluoromethyl) ethylene-1,2-dithiate] complex. They are,
In the general formulas (I) to (III), when m is not 0,
A suitable A, eg, tetramethylammonium ion,
Quaternary ammonium ions such as tetraethylammonium ion, tetrabutylammonium ion, dimethyldioctadecylammonium ion, sodium ion,
Cation such as alkali metal ion such as potassium ion,
It contains one or more anions such as ClO 4 , BF 4 , and halogen ions. Such a transition metal complex serves as both an electron-accepting substance and an electron-donating substance, but the redox potential and oxidation state of the substance selected from the complex, the substance selected from the complex (one or more types) , Preferably two or more) and a photosensitizer, and the arrangement of these substances determine whether they function as an electron-accepting substance or an electron-donating substance. For example, nickel bis (dithiomaleonitrile) dianion, which is used in the form of dimethyldioctadecyl ammonium salt or other salts.
Is typically used as an electron-donating substance, and the nickel dithiostilibene complex functions as both an electron-accepting substance and an electron-donating substance, but it is preferably used as an electron-accepting substance. The selection of substances from the above complexes is
These should be finally determined in consideration of the type of system, the maximum absorption position, the redox potential of the redox couple to be combined, etc., but they should be selected in consideration of the first redox reaction among various oxidation states. This is desirable from the standpoint of compound stability. The redox potential at that time should be comprehensively determined in consideration of the redox couple to be combined, but the redox potential is -0.5 V to +0.8 V (vs SCE.), Preferably -0.2 V to +0. It is preferably in the range of 0.5V. In this range, particularly preferably in the range of 0 V to +0.4 V, both oxidation states can exist stably in air and in the presence of a solvent. Of course, this is not the case when means such as sealing of the system is taken.

さきに挙げた遷移金属錯体は特に好ましい結果を与える
が、この遷移金属錯体と併用して或いは電子供与性物質
または電子受容性物質の少なくとも一方として他の混合
原子価状態をとりうる物質の使用も考えられる。他の例
としてはプルーシアンブルー、鉄−イオウクラスター化
合物、ニツケルビス(デユロキノン)錯体、テトラチオ
フルバレン、テトラシアノキノジメタン、ポリピロー
ル、ポリチオフエン、ポリアルキルピロール、ポリアル
キルチオフエン、ポリイソチアナフテン等が挙げられ
る。また、これら混合原子価状態をとりうる物質と併用
して又は単独で他の通常の電子供与性物質、電子受容性
物質を用いてもよい。電子供与性物質としてはトリエタ
ノールアミン、エチレンジアミン四酢酸及びその塩、N
−アルキルカルバゾール、アルコール、水等が挙げら
れ、電子受容性物質としては各種キノン類等が挙げられ
る。これらの電子供与性物質、電子受容性物質は一般に
高活性であり、組み合わすべき混合原子価状態をとりう
る物質との酸化還元状態の差が大きすぎる場合には、さ
きに述べた理由によりその差に応じ速やかな逆反応或い
は正反応が起こるために慎重に選択すべきである。
The transition metal complexes listed above give particularly favorable results, but the use of substances capable of taking other mixed valence states in combination with the transition metal complex or as at least one of the electron donating substance and the electron accepting substance is also possible. Conceivable. Other examples include Prussian blue, iron-sulfur cluster compounds, nickel bis (deuroquinone) complex, tetrathiofulvalene, tetracyanoquinodimethane, polypyrrole, polythiophene, polyalkylpyrrole, polyalkylthiophene, polyisothianaphthene, etc. Can be mentioned. Further, other ordinary electron-donating substances and electron-accepting substances may be used in combination with these substances having mixed valence states or alone. Examples of electron-donating substances include triethanolamine, ethylenediaminetetraacetic acid and salts thereof, N
-Alkylcarbazole, alcohol, water and the like, and examples of the electron-accepting substance include various quinones and the like. These electron-donating substances and electron-accepting substances are generally highly active, and when the difference in the redox state between the substance capable of having the mixed valence state to be combined is too large, the reason is as described above. It should be carefully selected because a quick reverse reaction or a positive reaction occurs depending on the difference.

次に、光増感機能を有するイオンを構成成分として含
み、LB膜形成助剤の存在下又は不存在下にLB膜を形成す
ることが可能な塩からなる光増感剤,電子供与性物質及
び電子受容性物質を使用して本発明により得られる異方
性LB膜の機能について説明する。
Next, a photosensitizer and an electron-donating substance consisting of a salt containing an ion having a photosensitizing function as a constituent and capable of forming an LB film in the presence or absence of an LB film forming auxiliary agent. The function of the anisotropic LB film obtained by the present invention using an electron-accepting substance will be described.

光増感剤(S)に光照射を行うことによつて光増感剤の
励起状態を経由することによつて電子供与性物質(D)
から電子受容性物質(Ac)に電子が移動すること、即ち
光増感酸化還元反応によつて電荷移動反応が達成される
(第1図(1)及び(2)) 通常の系では、例えば第2図Aに示すように電子移動後
の電子供与性物質(-)及び電子受容性物質(-)は
通常このままでは電荷のバランスが取れないために不安
定でありその対イオン(+)を外部から取り込みまた
は外部へ放出するが、上記異方性LB膜においては、光増
感剤が電荷を有しているために先の反応は第2図Bに示
すように書き換えられる。この場合中心に位置する光増
感剤(S)が荷電を有しているために光増感剤が電子移
動反応後の電子供与性物質(-)、電子受容性物質
-)のそれぞれの対イオンをかねる。この反応は異
方性LB膜中で達成される。このためこの系では外部から
の対イオンの移動を考える必要がないため電子移動過程
のみが系に含まれる電荷移動反応であり、きわめて高速
の反応が生じると期待できる。
By irradiating the photosensitizer (S) with light, the electron-donating substance (D) is passed through the excited state of the photosensitizer.
From the electron to the electron-accepting substance (Ac), that is, the charge transfer reaction is achieved by the photosensitized redox reaction (Figs. 1 (1) and (2)). electron donating material after electron transfer as shown in FIG. 2 a and is usually unstable because it is not possible to balance the charge remains the the counterion (+) (- -) and an electron-accepting substance () Although it is taken in from the outside or released to the outside, in the above anisotropic LB film, the above reaction is rewritten as shown in FIG. 2B because the photosensitizer has a charge. In this case, since the photosensitizer (S) located at the center has an electric charge, the photosensitizer has an electron-donating substance ( - ) and an electron-accepting substance ( - ) after the electron transfer reaction. Can act as a counter ion. This reaction is achieved in the anisotropic LB film. Therefore, in this system, it is not necessary to consider the movement of the counter ion from the outside, and only the electron transfer process is the charge transfer reaction included in the system, and it can be expected that an extremely fast reaction occurs.

上記の例では電子供与性物質と電子受容性物質の荷電状
態をある特定の電荷状態の例で説明したがこのことはこ
の両者が他の荷電状態にあつても成立することは言うま
でもない。当面問題となる反応が電子移動反応であると
きは対イオンとしてカチオンが、また正孔移動反応のと
きは対イオンとしてアニオンがその対象であるがこれは
電子移動反応に還元して考えることができる。通常は電
子移動反応がおもに起こる反応である故、荷電を有して
いる光増感剤はおもに正荷電を有していれば、光増感剤
が移動すべきカチオンの役目を果たし、より好都合であ
る。
In the above example, the charge states of the electron-donating substance and the electron-accepting substance have been described by taking an example of a certain specific charge state, but it goes without saying that both of them can be established in other charge states. When the reaction in question is an electron transfer reaction, the target is a cation as a counter ion, and in the case of a hole transfer reaction, an anion is a counter ion, which can be reduced to an electron transfer reaction. . Usually, the electron transfer reaction mainly occurs. Therefore, if the photosensitizer having a charge mainly has a positive charge, the photosensitizer serves as a cation to be transferred, which is more convenient. Is.

上記において、電子供与性物質及び電子受容性物質のう
ちいずれか一方は塩であるが、この塩の構成成分である
電子供与性又は電子受容性を有するイオンが光増感剤の
構成成分である光増感機能を有するイオンと反対符号の
イオンであれば、これらの間に緊密な接触が期待でき、
効率のよい電子移動反応に役立つと考えられる。更にこ
のとき、上記のイオン同士が互いに対イオンであれば、
これらに恒久的な接触が期待でき、更に効率のよい反応
系を形成すると考えられる。
In the above, one of the electron-donating substance and the electron-accepting substance is a salt, and an ion having an electron-donating property or an electron-accepting property which is a component of this salt is a component of the photosensitizer. If the ion has the opposite sign to the ion having the photosensitizing function, close contact can be expected between them,
It is thought to be useful for efficient electron transfer reaction. Furthermore, at this time, if the above ions are counterions to each other,
Permanent contact with these can be expected, and it is thought that a more efficient reaction system will be formed.

前記した電荷移動によつて生じた反応生成物は対イオン
の電荷バランスを反応系内部だけで処理したとしても反
応生成物自体は一般に不安定である場合が多い。しか
し、この問題は光増感酸化還元反応における電子供与性
物質及び電子受容性物質のいずれか一方または両方を混
合原子価状態をとりうる物質とすることによつて解決で
きる。混合原子価状態をとりうる物質では一つの物質に
2種以上のとりうる酸化状態が存在し、これらの状態で
安定にまたは準安定に存在しうる。従つて光照射前及び
光照射後の電子移動を行つた生成物の熱力学的安定性に
は問題がない。また一般に混合原子価状態をとりうる物
質は複数の酸化状態に置けるエネルギー差が小さいこと
が通例であり、その酸化還元電位は狭い幅に集中してい
る。このため混合原子価状態をとりうる物質を電子供与
性物質及び/又は電子受容性物質とすることによつて電
子移動反応後の両者のエネルギー差を小さくすることが
でき系の熱力学的安定性を大幅に高めることができる。
このことは、上記異方性LB膜を光記録材料として使用す
る場合は重要である。
The reaction product generated by the above-mentioned charge transfer is generally unstable in many cases even if the charge balance of the counter ion is treated only inside the reaction system. However, this problem can be solved by using one or both of the electron-donating substance and the electron-accepting substance in the photosensitized redox reaction as a substance capable of having a mixed valence state. In a substance that can assume a mixed valence state, one substance has two or more possible oxidation states, and these substances can exist stably or metastable. Therefore, there is no problem in the thermodynamic stability of the product which has undergone electron transfer before and after light irradiation. In general, a substance capable of having a mixed valence state generally has a small energy difference in a plurality of oxidation states, and its redox potential is concentrated in a narrow width. Therefore, the energy difference between the two after the electron transfer reaction can be reduced by using the electron-donating substance and / or the electron-accepting substance as the substance capable of having the mixed valence state, and the thermodynamic stability of the system can be improved. Can be significantly increased.
This is important when the anisotropic LB film is used as an optical recording material.

このような特性を満たす電子供与性物質及び/または電
子受容性物質としては前記した遷移金属錯体が特に望ま
しい。それは遷移金属錯体は金属の原子価及び配位子と
の相互作用により種々の酸化状態をとりやすいことと相
まつて、近赤外域に吸収が得られ易いからである。また
これらの物質には熱的に安定なものが多く含まれること
も重要である。以上の構成において、光増感剤は電子供
与性物質と電子受容性物質との中間に位置し、光増感過
程で電子供与性物質から電子受容性物質に電子を受け渡
す役目と共に自身の有する電荷が反応後の電荷分布の安
定化に寄与し、さらには反応後の電子供与性物質と電子
受容性物質との間の好ましくない逆電子移動に対する障
壁として重要な役目を担うことになる。
As the electron-donating substance and / or electron-accepting substance satisfying such characteristics, the above-mentioned transition metal complex is particularly desirable. This is because the transition metal complex is likely to assume various oxidation states due to the valence of the metal and the interaction with the ligand, and the absorption in the near infrared region is easily obtained. It is also important that many of these substances are thermally stable. In the above structure, the photosensitizer is located between the electron-donating substance and the electron-accepting substance, and has a role of transferring electrons from the electron-donating substance to the electron-accepting substance during the photosensitization process. The charge contributes to stabilization of the charge distribution after the reaction, and also plays an important role as a barrier against undesired reverse electron transfer between the electron-donating substance and the electron-accepting substance after the reaction.

以上、特定の場合について、本発明によって得られる異
方性LB膜の機能を特定の場合について説明したが、同様
の機能が、光増感剤と2種の電子受容性物質を使用して
も、又光増感剤と2主の電子供与性物質を使用しても達
成されることは明らかである。前者の組合せでは電子移
動は光増感剤から1種の電子受容性物質及びもう一つの
電子受容性物質の順に移動し、後者の組合せでは1種の
電子供与性物質からもう一つの電子供与性物質及び光増
感剤の順に移動する。
In the above, regarding a specific case, the function of the anisotropic LB film obtained according to the present invention has been described with respect to a specific case. However, the same function is obtained even when a photosensitizer and two kinds of electron accepting substances are used. It is also clear that this can be achieved by using a photosensitizer and a two-primary electron-donating substance. In the former combination, electron transfer proceeds from the photosensitizer to one electron-accepting substance and another electron-accepting substance in this order, and in the latter combination, electron transfer from one electron-donating substance to another electron-donating substance. The substance and the photosensitizer move in this order.

以上説明したような電荷移動反応系においては逆電子移
動反応等の情報の保存安定性を妨げる要因を排除するた
めに、これらの3成分が自由に拡散しないような手段を
用いるべきである。この中でも特に電子供与性物質及び
電子受容性物質が直接接触しえないような配置となるよ
うに構成することが望ましく、本発明により得られる異
方性LB膜はこのような構成をとつている。例えば、光増
感機能を有するイオンを構成成分として含む塩(光増感
剤)LB膜形成性である場合を例にとると、この構成にお
いて、骨格分子または置換基部分の少なくともいずれか
一方に荷電を有している該光増感剤は電子供与性物質と
電子受容性物質との中間に位置し、光増感過程で電子供
与性物質から電子受容性物質に電子を受け渡す役目と共
に自身の有する電荷が反応後の電荷分布の安定化に寄与
し、さらには反応後の電子供与性物質と電子受容性物質
との間の好ましくない逆電子移動に対する障壁として重
要な役目を担うことになる。
In the charge transfer reaction system as described above, in order to eliminate the factors that hinder the storage stability of information, such as the reverse electron transfer reaction, means for preventing these three components from freely diffusing should be used. Among these, it is particularly preferable to configure the electron donating substance and the electron accepting substance so that they cannot come into direct contact with each other, and the anisotropic LB film obtained by the present invention has such a constitution. . For example, taking as an example the case where a salt (photosensitizer) containing an ion having a photosensitizing function as a constituent component is capable of forming an LB film, in this constitution, at least one of the skeletal molecule and the substituent group is The charged photosensitizer is located between the electron-donating substance and the electron-accepting substance, and has a role of transferring electrons from the electron-donating substance to the electron-accepting substance during the photosensitization process. The electric charge possessed by the compound contributes to the stabilization of the charge distribution after the reaction, and also plays an important role as a barrier against the undesired reverse electron transfer between the electron-donating substance and the electron-accepting substance after the reaction. .

光増感剤、電子供与性物質、電子受容性物質及びLB膜形
成助剤は、適宜必要なものが選択使用され、これらの配
合割合も適宜決定され特に制限はないが、光増感剤に対
して電子供与性物質又は電子受容性物質は、等モル以上
使用されるのが好ましい。電子供与性又は電子受容性を
有するイオンと光増感機能を有するイオンとが対イオン
として存在するときは、それらの存在割合は化学量論的
に規定されるが、この場合でも、このような関係にない
電子供与性物質又は電子受容性物質や光増感剤をさらに
追加使用してもよい。
The photosensitizer, the electron-donating substance, the electron-accepting substance, and the LB film-forming auxiliary are appropriately selected and used, and their mixing ratios are also appropriately determined and are not particularly limited. On the other hand, the electron donating substance or the electron accepting substance is preferably used in an equimolar amount or more. When an ion having an electron-donating or electron-accepting property and an ion having a photosensitizing function are present as counterions, their abundance ratios are specified stoichiometrically. An electron-donating substance or electron-accepting substance and a photosensitizer which are not related may be additionally used.

電子供与性物質及び電子受容性物質のうち一方が塩であ
つて、これをサブフエーズに溶解する場合、これは光増
感剤に対して大過剰で使用するのが好ましい。
When one of the electron-donating substance and the electron-accepting substance is a salt and it is dissolved in the subphase, it is preferably used in a large excess with respect to the photosensitizer.

本発明の機能性材料は光記録材料として使用することが
できる。この光記録材料に光を照射して前記した光増感
酸化還元反応により系に物理的,化学的変化を生じさ
せ、この変化を適当な検出手段によつて読み取ることが
できる。読み取る手段としては、屈折率変化,誘電率変
化,反射率変化,透過率変化,静電容量変化等が挙げら
れ、場合に応じた検出手段を用いればよい。
The functional material of the present invention can be used as an optical recording material. This optical recording material is irradiated with light to cause the above-mentioned photosensitized redox reaction to cause a physical or chemical change in the system, and this change can be read by an appropriate detecting means. Examples of the reading means include a change in refractive index, a change in dielectric constant, a change in reflectance, a change in transmittance, and a change in capacitance, and a detecting means may be used depending on the case.

この記録材料は透明性基体上に形成されているのが望ま
しい。透明性基体としては、石英ガラス,ほうけい酸ガ
ラス等の無機ガラス類,ポリメチルメタクリレート樹
脂,ポリカーボネート樹脂,エポキシ樹脂等のプラスチ
ツク基板が用いられる。上記基体上には、更にトラツキ
ング用の溝、記録層をはさんで導電性電極等が形成され
ていてもよい。導電性電極を設けて、この電極間に適当
な電位を印加することにより電子受容性物質に移動した
電子に対し逆反応を行わせて情報の消去を行うことも可
能である。
This recording material is preferably formed on a transparent substrate. As the transparent substrate, quartz glass, inorganic glass such as borosilicate glass, or plastic substrate such as polymethylmethacrylate resin, polycarbonate resin, or epoxy resin is used. Further, a conductive groove or the like may be formed on the substrate with a tracking groove and a recording layer sandwiched therebetween. It is also possible to erase information by providing a conductive electrode and applying an appropriate potential between the electrodes to cause a reverse reaction with respect to the electrons transferred to the electron-accepting substance.

また、これら基本に更に反射層が形成されているものを
用いることができる。反射層を設けることにより、信号
記録部と無記録部との反射光量が差が大きくなり、光学
的な検出がより容易になる。反射層は記録材料の上面ま
たは下面に設けられる。反射層の材質としては書き込み
光及び読み出し光に対し適当な反射率を有するものなら
ば何れでもよいが、通常アルミニウム,クロム,ニツケ
ル,金等の金属薄膜が用いられる。これらは真空蒸着等
の既知の手段によつて形成される。この反射層は前述の
導電性電極をかねていてもよい。
In addition, it is possible to use those in which a reflective layer is further formed. By providing the reflective layer, the difference in the amount of reflected light between the signal recording portion and the non-recording portion becomes large, and optical detection becomes easier. The reflective layer is provided on the upper surface or the lower surface of the recording material. The reflective layer may be made of any material as long as it has an appropriate reflectance for writing light and reading light, but a metal thin film of aluminum, chromium, nickel, gold or the like is usually used. These are formed by a known means such as vacuum deposition. This reflective layer may also serve as the above-mentioned conductive electrode.

また、記録材料中には先に述べたLB膜形成助剤のほかに
種々の目的をもつて他の添加剤等が含有されていてもよ
いが、LB膜形成を阻害しない範囲で使用されるべきであ
る。また、これらは用いた電子供与性物質、電子受容性
物質の酸化還元電位及びそれらの関係に対し悪影響を及
ぼさない範囲で選択して用いるべきである。
Further, the recording material may contain other additives for various purposes in addition to the above-mentioned LB film formation auxiliary agent, but it is used within a range that does not inhibit LB film formation. Should be. Further, these should be selected and used within a range that does not adversely affect the redox potentials of the electron-donating substance and the electron-accepting substance used and their relation.

添加剤の例としては、界面活性剤等の分散安定剤,電解
質物質,有機または無機フイラー,金属粉等が挙げられ
る。
Examples of additives include dispersion stabilizers such as surfactants, electrolyte substances, organic or inorganic fillers, metal powders and the like.

本発明により得られる異方性LB膜は、また、非線形光学
材料への応用も可能である。
The anisotropic LB film obtained by the present invention can also be applied to a nonlinear optical material.

〔実施例〕〔Example〕

以下実施例により本発明を説明する。 The present invention will be described below with reference to examples.

実施例1 還流器,攪はん機を備えた300ml反応フラスコに3−ピ
リジンカルボキシアルデヒド3.2g、プロピオン酸200ml
を入れて加熱した。
Example 1 3.2 g of 3-pyridinecarboxaldehyde and 200 ml of propionic acid were placed in a 300 ml reaction flask equipped with a reflux condenser and a stirrer.
It was put and heated.

このものに蒸留精製したピロール2.0gを徐々に滴下し、
滴下終了後1時間還流した。反応物を1昼夜放置し析出
した紫色結晶を単離精製することによつて、5,10,15,20
−テトラキス(3−ピリジル)−21H,23H−ポルフイン
0.74gを得た。このものを過剰の酢酸亜鉛とともに酢酸
中で還流することにより、ほぼ定量的に5,10,15,20−テ
トラキス(3−ピリジル)−21H,23H−ポルフイン亜鉛
錯体を得た。ついで得られた5,10,15,20−テトラキス
(3−ピリジル)−21H,23H−ポルフイン亜鉛錯体を過
剰のヨードオクタデカンとともにN,N−ジメチルホルミ
アミド中で6時間還流し、粗生成物をアセトン/エタノ
ールで繰り返し再結晶を行い光増感剤である5,10,15,20
−テトラキス(3−N−オクタデシルピリジニウム)−
21H,23H−ポルフイン亜鉛テトラアイオダイド錯体(以
下、C18ZnTPyP4+・4I-と略す)を得た。このもの5.47mg
を若干のエタノールを含むクロロホルム25mlに溶解して
試料溶液(溶液A)とした。また電子受容性物質である
ニツケルジチオスチリベン錯体(以下、Ni(DTSB)2と略
す)1.36×10-4モル/lのクロロホルム溶液(溶液B)を
作成した。溶液Aをサンエス計測(株)製ヘテロLB膜製
造装置を用い、石英2段蒸留塔で精製した純粋をサブフ
エーズとして20℃で展開し、その表面圧−面積(分子占
有面積)曲線を測定した。この結果を第3図にグラフ1
として示す。同様に溶液Aに同じ量の溶液Bを加えた混
合溶液について同様に表面圧−面積曲線を測定した。得
られてた結果を第3図にグラフ2として示す。第3図に
おいて、分子占有面積は、実測された展開層の面積を、
展開したC18ZnTPyP4+・4I-の分子数で割ったものであ
り、サブフェーズ上の分子1個当りの面積を示す。この
測定結果よりC18ZnTPyP4+・4I-において、グラフ1に示
すように、表面圧立上り付近の分子占有面積(2.5nm2
よりポルフイリン環が水面に平行に配置した構造をとつ
ていると推定されるがその表面圧の立ち上がりは緩やか
であり、かなり隙間の多い構造をとつていると考えられ
る。それに対しこのものに約1.2当量のNi(DTSB)2(溶液
B)を加えた系では、グラフ2に示すように、分子占有
面積(約3nm2)はたいして増加せず、表面圧の立ち上
がりが緩く、圧縮にともない表面圧が急峻になってい
る。この結果にNi(DTSB)2自身が顕著な疎水性を示すこ
とを考慮するとNi(DTSB)2はこの膜中でC18ZnTPyP4+〔こ
れは前記C18ZnTPyP4+・4I-中のカチオン(+4価)部分
を示す〕の上部にあってアルキル鎖の間に取り込まれて
いることを示している。
Gradually add 2.0 g of purified and purified pyrrole to this,
After the dropping was completed, the mixture was refluxed for 1 hour. The reaction product was allowed to stand for one day and night, and the precipitated purple crystals were isolated and purified to give 5,10,15,20
-Tetrakis (3-pyridyl) -21H, 23H-porphin
Obtained 0.74 g. This was refluxed with acetic acid in excess in acetic acid to obtain a 5,10,15,20-tetrakis (3-pyridyl) -21H, 23H-porphin zinc complex almost quantitatively. The 5,10,15,20-tetrakis (3-pyridyl) -21H, 23H-porphin zinc complex obtained was then refluxed with excess iodooctadecane in N, N-dimethylformamide for 6 hours to give the crude product. Was repeatedly recrystallized with acetone / ethanol to give a photosensitizer 5,10,15,20
-Tetrakis (3-N-octadecylpyridinium)-
A 21H, 23H-porphine zinc tetraiodide complex (hereinafter abbreviated as C18ZnTPyP 4 + · 4I ) was obtained. This thing 5.47mg
Was dissolved in 25 ml of chloroform containing some ethanol to prepare a sample solution (solution A). A nickel dithiostilibene complex (hereinafter abbreviated as Ni (DTSB) 2 ) 1.36 × 10 −4 mol / l chloroform solution (solution B), which is an electron-accepting substance, was prepared. Solution A was developed by using a hetero LB film manufacturing apparatus manufactured by San-S Co., Ltd. at 20 ° C. as pure phase purified by a quartz two-stage distillation column, and its surface pressure-area (molecular occupied area) curve was measured. This result is shown in Figure 1 in graph 1.
Show as. Similarly, the surface pressure-area curve was similarly measured for the mixed solution in which the same amount of the solution B was added to the solution A. The obtained result is shown as graph 2 in FIG. In FIG. 3, the molecular occupied area is the measured area of the developed layer,
It is divided by the number of expanded C18ZnTPyP 4+ · 4I molecules, and shows the area per molecule on the subphase. C18ZnTPyP 4+ · 4I From this measurement result - in, as shown in Graph 1, molecular area near the surface圧立uplink (2.5 nm 2)
It is presumed that the porphyrin ring has a structure arranged parallel to the water surface, but the rise of the surface pressure is gradual, and it is thought that it has a structure with many gaps. On the other hand, in the system in which about 1.2 equivalents of Ni (DTSB) 2 (solution B) was added to this, as shown in Graph 2, the occupied area of the molecule (about 3 nm 2 ) did not increase much, and the rise of the surface pressure did not occur. It is loose and the surface pressure becomes steep with compression. This result Ni (DTSB) When 2 itself considering that exhibit significant hydrophobic Ni (DTSB) is 2 C18ZnTPyP 4+ [This membrane in the C18ZnTPyP 4+ · 4I - cation medium (+4) It shows that it is incorporated between the alkyl chains.

前記と同様の条件でC18ZnTPyP4+・4I-のみの展開膜を作
製し、表面圧を20mN/mに一定に制御した。これにクロロ
トリメチルシラン希薄溶液を塗布乾燥して疎水処理を施
した清浄な石英ガラス基板を10mm/分の浸漬速度で浸漬
し、引き上げて膜を基板に移しとり、LB膜を作製した。
C18ZnTPyP 4+ · 4I under the same conditions as the - to prepare Extracts film was controlled at a constant surface pressure to 20 mN / m. A dilute chlorotrimethylsilane solution was applied to this and dried, and a clean quartz glass substrate that had been subjected to a hydrophobic treatment was dipped at a dipping speed of 10 mm / min, and was pulled up to transfer the film to the substrate to form an LB film.

また、前記と同様の条件でC18ZnTPyP4+・4I-及びNi(DTS
B)2を含む展開膜を作製し、上記と同様にしてLB膜を作
成した。
Also, under the same conditions as above, C18ZnTPyP 4+・ 4I - and Ni (DTS
A spread film containing B) 2 was prepared, and an LB film was prepared in the same manner as above.

実施例2 実施例1で得られたC18ZnTPyP4+・4I-をアセトンに溶解
し、同様にアセトンに溶解したニツケルビス(ジチオマ
レオニトリル)ジアニオン〔以下、Ni(MNT)2 2-と略す〕
のテトラブチルアンモニウム塩を小過剰になるように混
合した。ついで、この溶液を注意深く濃縮し濾過洗浄す
ることによつて、塩C18ZnTPyP4+・2Ni(MNT)2 2-を得
た。この塩において、C18ZnTPyP4+は光増感機能を有す
るイオンであり、Ni(MNT)2 2-は電子供与性を有するイオ
ンである。すなわち、光増感剤と電子供与性物質が一つ
の塩によつて両機能性物質として実現されている。
Example 2 Nickel bis (dithiomaleonitrile) dianion (hereinafter abbreviated as Ni (MNT) 2 2− ) in which C18ZnTPyP 4 + · 4I obtained in Example 1 was dissolved in acetone and similarly dissolved in acetone
The tetrabutylammonium salt of was mixed in a small excess. Then, the solution was carefully concentrated, filtered and washed to obtain the salt C18ZnTPyP 4 + · 2Ni (MNT) 2 2− . In this salt, C18ZnTPyP 4+ is an ion having a photosensitizing function, and Ni (MNT) 2 2− is an ion having an electron donating property. That is, the photosensitizer and the electron donating substance are realized as a bifunctional substance by one salt.

C18ZnTPyP4+・2Ni(MNT)2 2-0.1ミリモルのクロロホルム
−メタノール(クロロホルム:メタノール=4:1;容積
比)溶液と電子受容性物質であるNi(DTSB)20.1ミリモル
のクロロホルム溶液を同容積混合した。
C18ZnTPyP 4+・ 2Ni (MNT) 2 2 -0.1 mmol chloroform-methanol (chloroform: methanol = 4: 1; volume ratio) solution and an electron accepting substance, Ni (DTSB) 2 0.1 mmol chloroform solution Mixed.

得られた混合液を実施例1と同様にして展開し、その表
面圧−面積曲線を測定した。この結果を第4図に示す。
第4図において、分子占有面積はC18ZnTPyP4+・2Ni(MN
T)2 2-分子1個当りの面積を示す。第4図のグラフを第
3図のグラフ2比較すると表面圧の立上り点(3.2nm2
近)はあまり差がないが、圧縮にともなう表面圧の立上
りは第4図のグラフの方が急峻になっており、膜中の分
子の配置はより密になっている。得られた膜の構造の概
略を第5図に模式図として示す。第5図において、C18Z
nTPyP4+カチオン3とNi(MNT)2 2-アニオン4とが塩を形
成し、単分子層を形成しており、この単分子層内で親水
性Ni(MNT)2 2-アニオン4が下方に、疎水基である長鎖ア
ルキル基5を有するC18ZnTPyP4+カチオン3が上方に位
置している。長鎖アルキル基5の間にはNi(DTSB)26が
入り込んでいる。
The obtained mixed liquid was developed in the same manner as in Example 1 and its surface pressure-area curve was measured. The results are shown in FIG.
In Fig. 4, the occupied molecular area is C18ZnTPyP 4+・ 2Ni (MN
T) 2 2- indicates the area per molecule. Comparing the graph of Fig. 4 with graph 2 of Fig. 3, there is not much difference in the rising point of surface pressure (near 3.2 nm 2 ), but the rising of surface pressure due to compression is steeper in the graph of Fig. 4. And the arrangement of the molecules in the membrane is more dense. The schematic structure of the obtained film is shown in FIG. 5 as a schematic diagram. In Figure 5, C18Z
The nTPyP 4+ cation 3 and the Ni (MNT) 2 2- anion 4 form a salt to form a monolayer, and the hydrophilic Ni (MNT) 2 2- anion 4 is downward in the monolayer. In the upper part, C18ZnTPyP 4+ cation 3 having a long-chain alkyl group 5 which is a hydrophobic group is located above. Between the long-chain alkyl group 5 intrudes is Ni (DTSB) 2 6.

協和界面科学(株)製密閉型LB膜作製装置内の減圧と該
装置内へのアルゴンガスの導入とを繰り返し、該装置内
をアルゴンガス雰囲気とした後、予めアルゴンガスを吹
き込んでおいた純水を、アルゴンガス気流下に上記装置
内のトラフに導入し、サブフェーズとした。水温を15℃
に保ち、前記混合液を純水上に展開し、バリヤ移動速度
20cm2で圧縮し、表面圧を25mN/mとし、この表面圧を保
つように圧縮しながら、クロロトリメチルシランの希薄
溶液を塗布乾燥して表面を疎水化した石英ガラス基板を
10cm/分の速度でサブフェーズに垂直に浸漬し引き上げ
た。この結果、上記ガラス上にC18ZnTPyP4+・2Ni(MNT)
2 2-とNi(DTSB)2を含む異方性LB膜がY膜として累積でき
た。
Kyowa Interface Science Co., Ltd., the pressure reduction in the closed type LB film forming apparatus and the introduction of argon gas into the apparatus were repeated, the inside of the apparatus was made an argon gas atmosphere, and then argon gas was blown in advance. Water was introduced into the trough in the above device under an argon gas stream to make a sub-phase. Water temperature 15 ℃
Keeping the above, spread the above mixed solution on pure water, and move the barrier moving speed.
Compress the surface pressure to 20 mN / m with a pressure of 20 cm 2 , and apply a dilute solution of chlorotrimethylsilane to the surface of the quartz glass substrate to dry the surface while compressing to maintain this surface pressure.
The sub-phase was immersed vertically and pulled up at a speed of 10 cm / min. As a result, C18ZnTPyP 4+・ 2Ni (MNT) on the above glass
An anisotropic LB film containing 2 2− and Ni (DTSB) 2 could be accumulated as a Y film.

得られた異方性LB膜の電子スペクトルを第6図に示す。The electronic spectrum of the obtained anisotropic LB film is shown in FIG.

また、基板としてフッ化カルシウム基板を用いたこと以
外は上記と同様にして異方性LB膜を作製し、FT-IR吸収
スペクトル測定した。その結果を第7図示す。
Further, an anisotropic LB film was prepared in the same manner as above except that a calcium fluoride substrate was used as the substrate, and an FT-IR absorption spectrum was measured. The results are shown in FIG.

第6図中430nm付近の吸収によりC18ZnTPyP4+の存在が及
び890nm付近の吸収によりNi(DTSB)2の存在が確認でき、
第7図中2200cm-1付近の吸収によりNi(MNT)2 2-の存在が
確認できる。
In Fig. 6, the presence of C18ZnTPyP 4+ can be confirmed by the absorption near 430 nm, and the presence of Ni (DTSB) 2 can be confirmed by the absorption near 890 nm.
It absorbed by Ni (MNT) 2 2- presence of near Figure 7 in 2200 cm -1 can be confirmed.

実施例3 実施例2において、LB膜作製装置内の減圧と該装置内へ
のアルゴンガスの導入とを繰り返し、該装置内をアルゴ
ンガス雰囲気とすること及び予め純水にアルゴンガスを
吹き込むことの代わりに、LB膜作製装置内の成膜部位を
遮光カバーで覆うこと及び純粋をアルゴンガスの吹き込
みなしに使用すること以外は実施例2に準じて異方性LB
膜を作製した。得られた異方性LB膜の電子スペクトルを
第8図に示す。
Example 3 In Example 2, the depressurization in the LB film forming apparatus and the introduction of argon gas into the apparatus were repeated to create an argon gas atmosphere in the apparatus and to blow argon gas into pure water in advance. Instead of the anisotropic LB according to Example 2, except that the film formation site in the LB film forming apparatus was covered with a light-shielding cover and pure was used without blowing argon gas.
A membrane was prepared. The electron spectrum of the obtained anisotropic LB film is shown in FIG.

また、基板としてフッ化カルシウム基板を用いたこと以
外は上記と同様にして異方性LB膜を作製し、FT-IR吸収
スペクトルを測定した。その結果を第9図示す。
An anisotropic LB film was prepared in the same manner as above except that a calcium fluoride substrate was used as the substrate, and the FT-IR absorption spectrum was measured. The results are shown in FIG.

実施例2におけると同様にC18ZnTPyP4+、Ni(DTSB)2及び
Ni(MNT)2 2-の存在が確認できる。
As in Example 2, C18ZnTPyP 4+ , Ni (DTSB) 2 and
Ni (MNT) 2 presence of 2 can be confirmed.

実施例4 まず、次に示す手順により、ニッケルビス(ジチオ−p,
p′−ジ−t−ブチルスチリベン)〔分子式:Ni(S2C22H
26)2、以下Ni(TBSB)2と略す〕を合成した。
Example 4 First, nickel bis (dithio-p,
p′-di-t-butylstilibene) [molecular formula: Ni (S 2 C 22 H
26 ) 2 , hereinafter abbreviated as Ni (TBSB) 2 ] was synthesized.

p−t−ブチルベンズアルデヒド40g、KCN7.0g及びN,N
−ジメチルホルムアミド240mlを用い、ベンゾイン合成
によって、p,p′−ジ−t−ブチルベンゾイン7.0gを合
成した。次いで、p,p′−ジ−t−ブチルベンゾイン5.0
g、P2S55.1g及び(NH4)2SO43.1gをジオキサン中で2時間
還流した後室温まで冷却し、沈殿を濾過によって除去し
た。濾液に、NiCl2・6H2O5.5gを水60mlに溶解したもの
を加え、2時間還流した後、反応液を一晩室温で放置し
た。生成した沈殿を濾過によって採取し、アセトンで洗
浄後、酢酸エチルで再結晶して暗緑色針状結晶のNi(TBS
B)22.1gを得た。
pt-Butylbenzaldehyde 40g, KCN 7.0g and N, N
7.0 g of p, p'-di-t-butylbenzoin was synthesized by benzoin synthesis using 240 ml of -dimethylformamide. Then, p, p'-di-t-butylbenzoin 5.0
g, P 2 S 5 5.1 g and (NH 4 ) 2 SO 4 3.1 g were refluxed in dioxane for 2 hours and then cooled to room temperature, and the precipitate was removed by filtration. To the filtrate was added 5.5 g of NiCl 2 .6H 2 O dissolved in 60 ml of water, the mixture was refluxed for 2 hours, and then the reaction solution was left overnight at room temperature. The precipitate formed was collected by filtration, washed with acetone, and recrystallized from ethyl acetate to obtain dark green needle-shaped Ni (TBS
B) 2 2.1 g were obtained.

次に、Ni(TBSB)21×10-4モル/lのクロロホルム溶液と
実施例1で得たのと同じ溶液A(C18ZnTPyP4+・4I-
溶液)を同容積混合して展開液Cを得た。
Then, a developing solution C was prepared by mixing Ni (TBSB) 2 1 × 10 −4 mol / l chloroform solution and the same solution A (C18ZnTPyP 4 + · 4I solution) obtained in Example 1 in the same volume. Got

また、Ni(TBSB)21×10-4モル/lのクロロホルム溶液と
実施例2におけるのと同様に得たC18ZnTPyP4+・2Ni(MN
T)2 2-1×10-4モル/lのエタノール−クロロホルム溶液
を同容積混合して展開液Dを得た。
Also, Ni (TBSB) 2 1 × 10 −4 mol / l chloroform solution and C18ZnTPyP 4 + · 2Ni (MN obtained in the same manner as in Example 2 were used.
T) 2 2 -1 × 10 -4 mol / l ethanol-chloroform solution was mixed in the same volume to obtain a developing solution D.

さらに、次のようにして2Na+・Ni(MNT)2 2-の水溶液を作
製した。エタノール−エーテル混合溶媒で3回再結晶し
て精製したジチオマレオニトリル二ナトリウム塩Na2S2C
2(CN)2(以下、Na2MNTと略す)3.7gを水10lに溶解し、
蒸留水で再結晶し真空乾燥したNaCl21.3gを溶解した。
得られた溶液は2Na+・Ni(MNT)2 2-の生成を示す濃赤色
を呈していた。これを水溶液Eとする。
Further, an aqueous solution of 2Na + · Ni (MNT) 2 2− was prepared as follows. Dithiomaleonitrile disodium salt purified by recrystallization three times with ethanol-ether mixed solvent Na 2 S 2 C
3.7 g of 2 (CN) 2 (hereinafter abbreviated as Na 2 MNT) is dissolved in 10 l of water,
1.3 g of NaCl 2 recrystallized with distilled water and dried under vacuum was dissolved.
The resulting solution was a deep red color, indicating the formation of 2Na + .Ni (MNT) 2 2− . This is an aqueous solution E.

水溶液Eをサンエス計測(株)製ヘテロLB膜製造装置の
テフロン展開槽に満たしサブフェーズとした。次いで、
展開液Cを該サブフェーズ上に20℃で展開し、20cm2
分の速度で圧縮し、表面圧−面積曲線を測定した。この
結果を第10図にグラフ7として示す。
Aqueous solution E was filled into a Teflon developing tank of a hetero LB film manufacturing apparatus manufactured by San-S Co., Ltd. to make a subphase. Then
The developing solution C is spread on the sub-phase at 20 ° C. to give 20 cm 2 /
It was compressed at a speed of minutes and the surface pressure-area curve was measured. The result is shown as graph 7 in FIG.

別に、サブフェーズを蒸留水とし展開液Cの代わりに展
開液Dを使用すること以外は上記と同様にして表面圧−
面積曲線を測定した。この結果を第10図にグラフ8とし
て示す。
Separately, in the same manner as above except that the subphase is distilled water and the developing solution D is used instead of the developing solution C, the surface pressure-
The area curve was measured. The result is shown as graph 8 in FIG.

これらの結果から明らかなように、サブフェーズに水溶
液E及び展開液として展開液Cを使用した場合(グラフ
7において)は、圧縮するにつれ、最初の表面圧の立上
りから相変化領域(イ)を経由して再度の表面圧の立上
りがあって領域(ロ)に移行する。グラフ7における最
初の表面圧の立上りは、サブフェーズに蒸留水及び展開
液として展開液Dを使用した場合(グラフ8)の表面圧
の立上りよりも、分子占有面積で約1nm2大きく、グラ
フ7における領域(ロ)はグラフ8における表面圧の立
上り以後の表面圧−面積曲線とほぼ一致している。
As is clear from these results, when the aqueous solution E and the developing solution C were used as the developing solution in the sub-phase (in Graph 7), the phase change region (a) was changed from the first rise of the surface pressure as it was compressed. There is another rise in the surface pressure via the transition to the region (b). The first rise of the surface pressure in graph 7 is about 1 nm 2 larger in the molecular occupied area than the rise of the surface pressure when using distilled water and developing solution D as the developing solution in the sub-phase (graph 8). The region (b) in (1) substantially coincides with the surface pressure-area curve after the rise of the surface pressure in graph 8.

以上の実験結果は、次のように解釈される。サブフェー
ズに水溶液E及び展開液として展開液Cを使用した場
合、光増感剤であるC18ZnTPyP4+・4I-及び電子受容性
物質であるNi(TBSB)2は気−液界面上に展開され、圧縮
されるにつれ光増感剤の単分子層が形成され、電子受容
性物質は光増感剤の非極性部分に引き寄せられる。一
方、電子供与性物質はサブフェーズに溶解しており、該
サブフェーズには電子供与性を有するイオンであるNi(M
NT)2 2-が高濃度で存在する。上気した圧縮の過程で、光
増感剤中の光増感機能を有するイオンであるC18ZnTPyP
4+の対イオンであるI-と電子供与性を有するイオンであ
るNi(MNT)2 2-との間でイオン交換がおこる。相変化領域
(イ)は、この過程を反映していると解釈される。Ni(M
NT)2 2-はサブフェーズ中にしか存在しないため、このイ
オン交換は気−液界面上に形成された単分子層のサブフ
ェーズ側からのみ起こる。以上の結果として、光増感機
能を有するイオンであるC18ZnTPyP4+、電子供与性を有
するイオンであるNi(MNT)2 2-及び電子受容性物質である
Ni(TBSB)2から第6図に示すのと同様の構造を有する膜
が気−液界面上に形成される。
The above experimental results are interpreted as follows. When using the aqueous solution E and the developing solution C as the developing solution in the sub-phase, the photosensitizer C18ZnTPyP 4 + · 4I and the electron accepting substance Ni (TBSB) 2 are developed on the gas-liquid interface. As it is compressed, a monolayer of the photosensitizer is formed, and the electron-accepting substance is attracted to the non-polar portion of the photosensitizer. On the other hand, the electron-donating substance is dissolved in the subphase, and Ni (M
NT) 2 2- is present in high concentration. C18ZnTPyP, an ion with a photosensitizing function in the photosensitizer during the process of upward compression
Ion exchange occurs between the 4+ counterion, I −, and the electron-donating ion, Ni (MNT) 2 2− . The phase change region (b) is interpreted as reflecting this process. Ni (M
Because NT) 2 2-is only present in the sub-phase, the ion exchange gas - arise from subphase side of the monomolecular layer formed on the liquid surface only. As a result of the above, C18ZnTPyP 4+ which is an ion having a photosensitizing function, Ni (MNT) 2 2- which is an ion having an electron donating property, and an electron accepting substance
A film having a structure similar to that shown in FIG. 6 is formed from Ni (TBSB) 2 on the gas-liquid interface.

これに対し、展開液Dを用いる実験では、光増感機能を
有するイオンであるC18ZnTPyP4+、電子供与性を有する
イオンであるNi(MNT)2 2-及び電子受容性物質であるNi(T
BSB)2は、既に該展開中に存在するため、圧縮につれこ
れらの3成分によって気−液界面上に第6図に示すのと
同様の構造を有する膜が当初から形成される。グラフ7
の領域(ロ)とグラフ8の表面圧の立上り以後の曲線が
ほぼ一致することは、最終的には同じ配置を有する膜が
形成されていることを表わしている。すなわち、Ni(MN
T)2 2-サブフェーズ側に及びC18ZnTPyP4+はポルフィリン
環をサブフェーズに平行に配列し、充分に疎水性である
Ni(TBSB)2はサブフェーズの反対側に伸びたC18ZnTPyP4+
の長鎖アルキル基部分に取り込まれていると考えられ
る。
On the other hand, in the experiment using the developing solution D, C18ZnTPyP 4+ which is an ion having a photosensitizing function, Ni (MNT) 2 2− which is an ion having an electron donating property, and Ni (T
Since BSB) 2 is already present during the development, a film having a structure similar to that shown in FIG. 6 is initially formed on the gas-liquid interface by these three components as it is compressed. Graph 7
The fact that the region (b) of (1) and the curve of the surface pressure of the graph 8 after the rising of the graph substantially coincide with each other indicate that the film having the same arrangement is finally formed. That is, Ni (MN
T) 2 2 -to the subphase side and C18ZnTPyP 4+ has a porphyrin ring arranged parallel to the subphase and is sufficiently hydrophobic
Ni (TBSB) 2 extended to the opposite side of the subphase C18ZnTPyP 4+
It is considered that they are incorporated in the long-chain alkyl group portion of.

このようにして作成された気−液界面上の膜は、いずれ
も実施例2と同様にして石英ガラス基板に移しとって異
方性LB膜とした。
The films thus formed on the gas-liquid interface were transferred to quartz glass substrates in the same manner as in Example 2 to form anisotropic LB films.

実験例1 実験例1で得られたC18ZnTPyP4+・4I-のみのLB膜(LB
膜1)、C18ZnTPyP4+・4I-及びNi(DTSB)2を含むLB膜
(LB膜2)並びに実施例2で得られた異方性LB膜(LB膜
3)蛍光スペクトルを測定した。測定は日立製作所製分
光蛍光光度計650-60を用い、430nmの波長光でC18ZnTPyP
4+を励起したときの蛍光強度を測定した。測定結果を第
11図に示す。第11図中、グラフ9はLB膜1に関する蛍光
スペクトルであり、グラフ10はLB膜2に関する蛍光スペ
クトルであり、グラフ11はLB膜3に関する蛍光スペクト
ルである。グラフ9では、C18ZnTPyP4+に基づく蛍光ス
ペクトルが明確に現われたが、グラフ10では、いくらか
蛍光強度が低下し、本発明により得られる異方性LB膜
(LB膜3)では、蛍光スペクトルが消失した。すなわ
ち、本発明により得られる異方性LB膜(LB膜3)では、
C18ZnTPyP4+の励起状態が完全に消光されたことを示
し、これは、本発明により得られる異方性LB膜の機能に
基づくものである。
Experimental Example 1 C18ZnTPyP 4+ · 4I - only LB film obtained in Experimental Example 1 (LB
The fluorescence spectra of the film 1), the LB film containing C18ZnTPyP 4 + · 4I and Ni (DTSB) 2 (LB film 2) and the anisotropic LB film (LB film 3) obtained in Example 2 were measured. The spectrophotometer 650-60 manufactured by Hitachi, Ltd. was used for the measurement, and C18ZnTPyP with a wavelength of 430 nm was used.
The fluorescence intensity when 4+ was excited was measured. Measurement result
Shown in Figure 11. In FIG. 11, graph 9 is the fluorescence spectrum for the LB film 1, graph 10 is the fluorescence spectrum for the LB film 2, and graph 11 is the fluorescence spectrum for the LB film 3. In Graph 9, the fluorescence spectrum based on C18ZnTPyP 4+ clearly appeared, but in Graph 10, the fluorescence intensity was somewhat reduced, and the fluorescence spectrum disappeared in the anisotropic LB film (LB film 3) obtained by the present invention. did. That is, in the anisotropic LB film (LB film 3) obtained by the present invention,
It was shown that the excited state of C18ZnTPyP 4+ was completely quenched, which is based on the function of the anisotropic LB film obtained by the present invention.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

請求項1乃至9における製造法によれば、光増感剤と電
子供与性物質又は電子受容性物質が親密な異方性配置を
とり、電荷移動反応を実現する異方性LB膜が得られ、し
かも一度のLB膜作製過程で得ることができる。特に、請
求項3における製造法においては、光増感剤、電子供与
性物質及び電子受容性物質を含む異方性LB膜を得ること
ができる。
According to the production method of claims 1 to 9, an anisotropic LB film is obtained in which the photosensitizer and the electron-donating substance or the electron-accepting substance have an intimate anisotropic arrangement to realize a charge transfer reaction. Moreover, it can be obtained in a single LB film production process. Particularly, in the manufacturing method according to the third aspect, an anisotropic LB film containing a photosensitizer, an electron donating substance and an electron accepting substance can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明における光励起によつて引き起こされる
電子の移動を説明する模式図、第2図は本発明における
光増感剤の対イオン移動の際における効果を示す図であ
る。第3図は実施例1で測定した表面圧−面積曲線、第
4図は実施例2で測定した表面圧−面積曲線、第5図は
実施例2で得られた展開膜の構造を示す模式図、第6図
は実施例2で得られた異方性LB膜の電子スペクトル、第
7図は実施例2で得られた異方性LB膜のFT-IR吸収スペ
クトル、第8図は実施例3で得られた異方性LB膜の電子
スペクトル、第9図は実施例3で得られた異方性LB膜の
FT-IR吸収スペクトル、第10図は実施例4で測定した表
面圧−面積曲線及び第11図は実験例1で測定した蛍光ス
ペクトルである。 符号の説明 1……C18ZnTPyP4+・4I-に関するグラフ、2……C18ZnT
PyP4+・4I-とNi(DTSB)2の混合系に関するグラフ、3…
…光増感機能を有するイオンとしてのC18ZnTPyP4+カチ
オン、4……電子供与性を有するイオンとしてのNi(MNT
2)2-アニオン、5……長鎖アルキル基、6……電子受容
性物質としてのNi(DTSB)2 7……サブフェーズに水溶液E及び展開液として展開液
Cを使用したときのグラフ、8……サブフェーズに蒸留
水及び展開液として展開液Dを使用したときのグラフ 9……C18ZnTPyP4+・4I-のみのLB膜(LB膜1)の蛍光ス
ペクトル 10……C18ZnTPyP4+・4I-とNi(DTSB)2を含むLB膜(LB膜
2)の蛍光スペクトル 11……実施例2で得られた異方性LB膜(LB膜3)の蛍光
スペクトル
FIG. 1 is a schematic diagram illustrating the movement of electrons caused by photoexcitation in the present invention, and FIG. 2 is a diagram showing the effect of the photosensitizer in the present invention upon the movement of counterions. FIG. 3 is a surface pressure-area curve measured in Example 1, FIG. 4 is a surface pressure-area curve measured in Example 2, and FIG. 5 is a schematic diagram showing the structure of the developed film obtained in Example 2. FIG. 6 is an electron spectrum of the anisotropic LB film obtained in Example 2, FIG. 7 is an FT-IR absorption spectrum of the anisotropic LB film obtained in Example 2, and FIG. The electronic spectrum of the anisotropic LB film obtained in Example 3 is shown in FIG. 9 of the anisotropic LB film obtained in Example 3.
FT-IR absorption spectrum, FIG. 10 is the surface pressure-area curve measured in Example 4, and FIG. 11 is the fluorescence spectrum measured in Experimental Example 1. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ...... C18ZnTPyP 4+ · 4I - on the graph, 2 ...... C18ZnT
Graph of mixed system of PyP 4+・ 4I - and Ni (DTSB) 2 , 3.
… C18ZnTPyP 4 + cation as an ion with photosensitizing function, 4… Ni (MNT as an ion with an electron donating property)
2 ) 2 -anion, 5 ... long-chain alkyl group, 6 ... Ni (DTSB) 2 7 as an electron-accepting substance ... Graph when aqueous solution E and developing solution C are used as a sub-phase, 8 ...... subphase of distilled water and eluent graph 9 ...... C18ZnTPyP 4+ · when using a developing solution D as 4I - fluorescence spectrum 10 ...... C18ZnTPyP 4+ · 4I of LB film only (LB film 1) - and a fluorescence spectrum of Ni (DTSB) fluorescence spectra 11 ...... obtained in example 2 was anisotropic LB film LB film (LB film 2) containing 2 (LB film 3)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−167089(JP,A) 特開 昭63−140434(JP,A) 特開 昭62−140886(JP,A) 特開 昭62−147456(JP,A) 特開 昭62−149482(JP,A) 特開 昭60−223117(JP,A) 特開 昭61−128244(JP,A) 特開 昭61−102642(JP,A) 特公 平4−55493(JP,B2) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) Reference JP 62-167089 (JP, A) JP 63-140434 (JP, A) JP 62-140886 (JP, A) JP 62- 147456 (JP, A) JP 62-149482 (JP, A) JP 60-223117 (JP, A) JP 61-128244 (JP, A) JP 61-102642 (JP, A) Japanese Patent Publication 4-55493 (JP, B2)

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】(A)光増感機能、電子受容性又は電子供
与性を有するイオン(イオンa)を構成成分として含
み、LB膜形成助剤の存在下又は不存在下にLB膜を形成す
ることが可能な少なくとも1個の塩 (B)光増感機能、電子受容性又は電子供与性を有し、
イオンaと反対符号の電荷を有するイオン(イオンb)
を構成成分として含み、親水性である少なくとも1個の
塩 及び (C)光増感機能、電子受容性又は電子供与性を有する
少なくとも1個の疎水性物質を、 上記(A),(B)及び(C)のうち、一種は光増感機
能を有し、二種は電子供与性又は電子受容性を有するよ
うに選択し、選択された三種の物質をLB膜形成助剤の存
在下又は不存在下にサブフェーズに展開し、表面圧を制
御しつつ基板上に移し取ることを特徴とする異方性LB膜
の製造法。
1. An LB film is formed in the presence or absence of an LB film formation aid, which comprises (A) an ion having a photosensitizing function, an electron accepting property or an electron donating property (ion a) as a constituent component. At least one salt (B) having a photosensitizing function, an electron accepting property or an electron donating property,
Ion having the opposite sign to ion a (ion b)
At least one salt having hydrophilicity and (C) at least one hydrophobic substance having a photosensitizing function, an electron-accepting property or an electron-donating property, as described above in (A) and (B). And (C), one is selected to have a photosensitizing function and the other two are selected to have an electron donating or electron accepting property, and the three selected substances are added in the presence of an LB film forming auxiliary or A method for producing an anisotropic LB film, which is characterized by developing into a sub-phase in the absence of a substrate and transferring it onto the substrate while controlling the surface pressure.
【請求項2】選択された三種の物質が、 (A)光増感機能を有するイオン(イオンa)を構成成
分として含み、LB膜形成助剤の存在下又は不存在下にLB
膜を形成することが可能な少なくとも1個の塩 (B)電子受容性又は電子供与性を有し、イオンaと反
対符号の電荷を有するイオン(イオンb)を構成成分と
して含み、親水性である少なくとも1個の塩 及び (C)電子受容性又は電子供与性を有する少なくとも1
個の疎水性物質 である請求項1記載の異方性LB膜の製造法。
2. The selected three kinds of substances include (A) an ion having a photosensitizing function (ion a) as a constituent component, and LB in the presence or absence of an LB film forming auxiliary agent.
At least one salt capable of forming a film (B) has an electron-accepting property or an electron-donating property, contains an ion (ion b) having a charge of the opposite sign to the ion a as a constituent, and is hydrophilic and At least one salt and (C) at least one having an electron accepting or electron donating property
The method for producing an anisotropic LB film according to claim 1, wherein the anisotropic LB film is a hydrophobic substance.
【請求項3】選択された三種の物質が、 (A)光増感機能を有するイオン(イオンa)を構成成
分として含み、LB膜形成助剤の存在下又は不存在下にLB
膜を形成することが可能な少なくとも1個の塩 (B)電子受容性又は電子供与性を有し、イオンaと反
対符号の電荷を有するイオン(イオンb)を構成成分と
して含み、親水性である少なくとも1個の塩 及び (C)電子受容性又は電子供与性を有する少なくとも1
個の疎水性物質 であって、(B)と(C)は一方が電子供与性を有する
とき他方は電子受容性を有するものである請求項2記載
の異方性LB膜の製造法。
3. The selected three kinds of substances include (A) an ion having a photosensitizing function (ion a) as a constituent component, and LB in the presence or absence of an LB film forming auxiliary agent.
At least one salt capable of forming a film (B) has an electron-accepting property or an electron-donating property, contains an ion (ion b) having a charge of the opposite sign to the ion a as a constituent, and is hydrophilic and At least one salt and (C) at least one having an electron accepting or electron donating property
3. The method for producing an anisotropic LB film according to claim 2, wherein each of the hydrophobic substances (B) and (C) has an electron-donating property and the other has an electron-accepting property.
【請求項4】請求項2又は請求項3に記載の(A)がポ
ルフィリン系染料又はフタロシアニン系染料である請求
項2又は請求項3に記載の異方性LB膜の製造法。
4. The method for producing an anisotropic LB film according to claim 2, wherein (A) according to claim 2 or 3 is a porphyrin dye or a phthalocyanine dye.
【請求項5】請求項1乃至3に記載の(B)及び(C)
が下記一般式(I)、(II)または(III)で示される
化合物から選ばれる遷移金属錯体である請求項1乃至3
記載の異方性LB膜の製造法。 一般式(I) 一般式(II) 一般式(I)及び(II)において、ZはO,S,NR(Rは水
素またはアルキル基)から選ばれる原子または原子団で
あり各位置において相違してもよくX及びX′は水素,
アルキル基,置換アルキル基,ハロゲン基,アルコキシ
基,アルキルオキシカルボニル基,カルボキシル基,ア
ルキルアミノ基,四級アルキルアンモニウム基,ニトロ
基またはシアノ基から選ばれ、X及びX′は同一でもよ
く、nは1〜4の整数、mは+2〜−2の整数、Aはm
によつて規定される電荷を中和するのに必要な電荷数を
有する1個以上のアニオン又は1個以上のカチオン及び
Mは遷移金属イオンを表す(ただし、mが0の場合には
Aは存在しない)。 一般式(III) 一般式(III)においてZ′はS及びNR(Rは水素また
はアルキル基)から選ばれ各位置において相違してもよ
く、Yは水素,アルキル基,置換アルキル基,フエニル
基,置換フエニル基及びシアノ基から選ばれ、各位置に
おいて相違してもよく、mは+2〜−2の整数、Aはm
によつて規定される電荷を中和するのに必要な電荷数を
有する1個以上のアニオン又は1個以上のカチオン及び
Mは遷移金属イオンを表す(ただし、mが0の場合には
Aは存在しない)。
5. (B) and (C) according to any one of claims 1 to 3.
Is a transition metal complex selected from compounds represented by the following general formula (I), (II) or (III).
A method for producing the anisotropic LB film described. General formula (I) General formula (II) In the general formulas (I) and (II), Z is an atom or atomic group selected from O, S, NR (R is hydrogen or an alkyl group), and X and X ′ may be hydrogen at each position,
It is selected from an alkyl group, a substituted alkyl group, a halogen group, an alkoxy group, an alkyloxycarbonyl group, a carboxyl group, an alkylamino group, a quaternary alkylammonium group, a nitro group or a cyano group, and X and X ′ may be the same, n Is an integer of 1 to 4, m is an integer of +2 to -2, A is m
One or more anions or one or more cations having the number of charges necessary to neutralize the charge defined by and M represents a transition metal ion (provided that when m is 0, A is not exist). General formula (III) In the general formula (III), Z ′ is selected from S and NR (R is hydrogen or an alkyl group) and may be different at each position, and Y is hydrogen, an alkyl group, a substituted alkyl group, a phenyl group, a substituted phenyl group and Selected from a cyano group, may be different at each position, m is an integer of +2 to -2, A is m
One or more anions or one or more cations having the number of charges necessary to neutralize the charge defined by and M represents a transition metal ion (provided that when m is 0, A is not exist).
【請求項6】請求項1乃至3に記載の(A)と(B)
が、それぞれ請求項1乃至3に記載のイオンaとイオン
bを互いに対イオンとして予め一つの塩を形成している
ものである請求項1乃至3のいずれかに記載の異方性LB
膜の製造法。
6. (A) and (B) according to claims 1 to 3.
4. Anisotropic LB according to any one of claims 1 to 3, wherein the ion a and the ion b according to claims 1 to 3 are counter-ions with each other to form one salt in advance.
Membrane manufacturing method.
【請求項7】請求項1乃至3に記載の(B)を予めサブ
フェーズに溶解し、請求項1乃至3に記載の(A)及び
(C)をサブフェーズに展開し、展開物を圧縮し、表面
圧を制御しつつ基板上に移し取ることを特徴とする異方
性LB膜の製造法。
7. (B) according to any one of claims 1 to 3 is dissolved in advance in a sub-phase, (A) and (C) according to any one of claims 1 to 3 are expanded into a sub-phase, and the expanded product is compressed. Then, the anisotropic LB film is manufactured by controlling the surface pressure and transferring it onto the substrate.
【請求項8】LB膜の作製を不活性ガスで置換した雰囲気
下に行う請求項1乃至6のいずれかに記載の異方性LB膜
の製造法。
8. The method for producing an anisotropic LB film according to claim 1, wherein the LB film is produced in an atmosphere substituted with an inert gas.
【請求項9】LB膜の作製を遮光下に行う請求項1乃至7
のいずれかに記載の異方性LB膜の製造法。
9. The method according to claim 1, wherein the LB film is formed under light shielding.
The method for producing an anisotropic LB film according to any one of 1.
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