JPH0749924B2 - 多重出力電極型像位置検出器 - Google Patents
多重出力電極型像位置検出器Info
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- JPH0749924B2 JPH0749924B2 JP24972389A JP24972389A JPH0749924B2 JP H0749924 B2 JPH0749924 B2 JP H0749924B2 JP 24972389 A JP24972389 A JP 24972389A JP 24972389 A JP24972389 A JP 24972389A JP H0749924 B2 JPH0749924 B2 JP H0749924B2
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/95—Circuit arrangements
- H10F77/953—Circuit arrangements for devices having potential barriers
- H10F77/957—Circuit arrangements for devices having potential barriers for position-sensitive photodetectors, e.g. lateral-effect photodiodes or quadrant photodiodes
Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、光入射によって光電流が流れる抵抗層を複数
の区間に区分する出力電極群、その電極群から、選択さ
れた一対の電極により検出される出力電流値を演算する
光入射位置検出素子に係わり、特に、半導体像位置検出
素子（以下、PSDと言う）の相対像位置検出分解能を飛
躍的に向上させる多重出力電極型半導体像位置検出素子
に関する。
の区間に区分する出力電極群、その電極群から、選択さ
れた一対の電極により検出される出力電流値を演算する
光入射位置検出素子に係わり、特に、半導体像位置検出
素子（以下、PSDと言う）の相対像位置検出分解能を飛
躍的に向上させる多重出力電極型半導体像位置検出素子
に関する。
（従来の技術） 輝点像の位置検出素子としては、光入射位置で生成され
る光電流を抵抗層を通じて検出し、その検出値をアナロ
グ的に演算して、輝点の重心的位置を高速に求めるPSD
が広く用いられている。
る光電流を抵抗層を通じて検出し、その検出値をアナロ
グ的に演算して、輝点の重心的位置を高速に求めるPSD
が広く用いられている。
第4A図は、PSDの断面を示す概念図であり、第4B図は、
その等価回路である。抵抗層Ｒ、光感層Ｐ、バイアス層
ＣがPSDを構成しており、これに光Ｌが入射すると、そ
の入射位置で光感層Ｐで光電流が発生する。この光電流
は、バイアス電極Tcbによって与えられる電界の影響に
より、光入射位置において抵抗層Ｒに流入しこれを伝わ
って、両端に設けられた出力端子T1、T2より出力電流Ia
及びIbとして得られる。光入射位置より抵抗層Ｒに注入
された電流は、第4B図に示す等価回路図において、光入
射位置と出力端子T1、T2間の抵抗層Ｒの抵抗値に応じて
分割され、各出力端子より出力される出力電流Ia及びIb
を、次式に従って演算することにより、光入射位置と端
子間の抵抗値の偏位係数が求められる。
その等価回路である。抵抗層Ｒ、光感層Ｐ、バイアス層
ＣがPSDを構成しており、これに光Ｌが入射すると、そ
の入射位置で光感層Ｐで光電流が発生する。この光電流
は、バイアス電極Tcbによって与えられる電界の影響に
より、光入射位置において抵抗層Ｒに流入しこれを伝わ
って、両端に設けられた出力端子T1、T2より出力電流Ia
及びIbとして得られる。光入射位置より抵抗層Ｒに注入
された電流は、第4B図に示す等価回路図において、光入
射位置と出力端子T1、T2間の抵抗層Ｒの抵抗値に応じて
分割され、各出力端子より出力される出力電流Ia及びIb
を、次式に従って演算することにより、光入射位置と端
子間の抵抗値の偏位係数が求められる。
抵抗層の抵抗率が一様であれば、抵抗値は長さに比例
し、上式の演算値Ｘは、光入射位置の中心位置からの偏
位係数を示し、これに抵抗層Ｒの長さを乗じて光入射位
置を求めることができる。この演算は、通常、第3D図に
示される回路から選択スイッチ回路Swを除去したアナロ
グ演算回路、即ち、出力電流Ia及びIbをバッファアンプ
Ｂを介した後、二つの演算増幅器Σ、割り算器Ｄを通す
ことにより実行される。得られたアナログ値はアナログ
・デジタル変換器A/Dによりデジタル値Xdに変換され
る。この方式の像位置検出器の相対像位置検出分解能
（すなわち像位置検出区間に対する相対的な分解能）
は、このアナログ信号処理回路の精度に大きく依存し、
アナログ的な信号処理回路やアナログ・デジタル変換器
の分解能等によって制限され、1/1,000程度までならば
困難ではないが、それ以上に向上させることは高価とな
り、例えば、1/10,000以上は実現が困難となる。アナロ
グ信号処理回路やA/D変換器の分解能はそのままで、相
対像位置検出分解能を従来の数十倍に向上できる多数の
出力電極を有する理研式ハイブリッド型半導体像位置検
出素子（以下、Ｒ−HPSDと言う）が考案されている（特
開昭64−10108号参照）。
し、上式の演算値Ｘは、光入射位置の中心位置からの偏
位係数を示し、これに抵抗層Ｒの長さを乗じて光入射位
置を求めることができる。この演算は、通常、第3D図に
示される回路から選択スイッチ回路Swを除去したアナロ
グ演算回路、即ち、出力電流Ia及びIbをバッファアンプ
Ｂを介した後、二つの演算増幅器Σ、割り算器Ｄを通す
ことにより実行される。得られたアナログ値はアナログ
・デジタル変換器A/Dによりデジタル値Xdに変換され
る。この方式の像位置検出器の相対像位置検出分解能
（すなわち像位置検出区間に対する相対的な分解能）
は、このアナログ信号処理回路の精度に大きく依存し、
アナログ的な信号処理回路やアナログ・デジタル変換器
の分解能等によって制限され、1/1,000程度までならば
困難ではないが、それ以上に向上させることは高価とな
り、例えば、1/10,000以上は実現が困難となる。アナロ
グ信号処理回路やA/D変換器の分解能はそのままで、相
対像位置検出分解能を従来の数十倍に向上できる多数の
出力電極を有する理研式ハイブリッド型半導体像位置検
出素子（以下、Ｒ−HPSDと言う）が考案されている（特
開昭64−10108号参照）。
アナログ信号処理系の精度を低下させることなく、相対
像位置検出分解能を一桁以上向上させた前記Ｒ−HPSDの
概念を第3A図〜第3D図に示す。第3B図においては、両端
の出力電極（T1とT6）を選択し、光がどの区間に入射し
ているかを検知する。次に、光が入射してくる区間の両
側の出力電極（T2とT3）を選択し、選択された区間内で
の像位置を検出する。全検出範囲内での像位置は、選択
された区間内での検出位置と、選択された出力電極の位
置との和として定められる。出力電極の位置は集積回路
技術を用いて極めて正確に製作でき、また、選択された
区間内での像位置は、アナログ信号処理系の精度の範囲
での分解能で検出できる。従って、検出範囲全体につい
ての相対分解能は、アナログ信号処理系による分解能を
区間数倍に高めることができる。第3C図に全区間
（S16）及び各区間（S12、…、S56）を選択した時に得
られる像位置出力信号の概念図を示した。第3D図は出力
電極選択回路及びアナログ信号処理回路の概念図であ
り、前記出力電極の選択は選択スイッチ回路Swによって
達成される。
像位置検出分解能を一桁以上向上させた前記Ｒ−HPSDの
概念を第3A図〜第3D図に示す。第3B図においては、両端
の出力電極（T1とT6）を選択し、光がどの区間に入射し
ているかを検知する。次に、光が入射してくる区間の両
側の出力電極（T2とT3）を選択し、選択された区間内で
の像位置を検出する。全検出範囲内での像位置は、選択
された区間内での検出位置と、選択された出力電極の位
置との和として定められる。出力電極の位置は集積回路
技術を用いて極めて正確に製作でき、また、選択された
区間内での像位置は、アナログ信号処理系の精度の範囲
での分解能で検出できる。従って、検出範囲全体につい
ての相対分解能は、アナログ信号処理系による分解能を
区間数倍に高めることができる。第3C図に全区間
（S16）及び各区間（S12、…、S56）を選択した時に得
られる像位置出力信号の概念図を示した。第3D図は出力
電極選択回路及びアナログ信号処理回路の概念図であ
り、前記出力電極の選択は選択スイッチ回路Swによって
達成される。
さて、このＲ−HPSDにおいては、出力電極数、すなわち
区間数を多くする方が相対分解能を向上する上で有利と
なる。しかし、出力電極数が増加すると、出力電極選択
回路に要するスイッチ素子の数が増大し、これらを像位
置検出素子の外部に設ける場合、外部に取り出す出力端
子数が著しく多くなってしまう。また、これらの出力電
極選択回路を像位置検出素子と一体に集積化してしまう
ことも考えられ、それが理想的であるが、アナログ・ス
イッチの集積回路を製作するには多大の開発コストを必
要とし、著しく高価となる。
区間数を多くする方が相対分解能を向上する上で有利と
なる。しかし、出力電極数が増加すると、出力電極選択
回路に要するスイッチ素子の数が増大し、これらを像位
置検出素子の外部に設ける場合、外部に取り出す出力端
子数が著しく多くなってしまう。また、これらの出力電
極選択回路を像位置検出素子と一体に集積化してしまう
ことも考えられ、それが理想的であるが、アナログ・ス
イッチの集積回路を製作するには多大の開発コストを必
要とし、著しく高価となる。
（発明が解決しようとする課題） この様に、Ｒ−HPSDにおいては出力電極数を増加させる
ことによって相対検出分解能を向上できるが、一方、出
力電極の選択回路の構成に問題が生ずる。すなわち、出
力電極選択用スイッチ素子の装備が必要となり、出力電
極選択回路の構成、制御が複雑化し、PSD本来の簡便さ
が損なわれてしまう欠点が新たに生じた。
ことによって相対検出分解能を向上できるが、一方、出
力電極の選択回路の構成に問題が生ずる。すなわち、出
力電極選択用スイッチ素子の装備が必要となり、出力電
極選択回路の構成、制御が複雑化し、PSD本来の簡便さ
が損なわれてしまう欠点が新たに生じた。
（課題を解決するための手段） 本発明は、上記の問題点を解決するため、抵抗層を多数
の区間に区分するように設けられた出力電極群を各々の
区分区間につき区分区間の両側の出力電極が互いに異な
る組に属するように複数の組に分け、それぞれの組ごと
にまとめて出力電流を検出できるように各組毎に共通の
出力端子を設けたことを特徴とする。
の区間に区分するように設けられた出力電極群を各々の
区分区間につき区分区間の両側の出力電極が互いに異な
る組に属するように複数の組に分け、それぞれの組ごと
にまとめて出力電流を検出できるように各組毎に共通の
出力端子を設けたことを特徴とする。
（作 用） 抵抗層を多数の区間に区分するように設けられた電極の
数に比べて著しく少ない数の出力端子から出力端子対を
選択することによって、区間内の位置を決定するための
出力電流が検出できる。
数に比べて著しく少ない数の出力端子から出力端子対を
選択することによって、区間内の位置を決定するための
出力電流が検出できる。
（発明の効果） 本発明によれば、多数の検出区間を有するけれども、出
力端子数を著しく減少でき、従って、出力区間選択回路
の構成が著しく簡単化される。
力端子数を著しく減少でき、従って、出力区間選択回路
の構成が著しく簡単化される。
（実施例） 以下、第1A図〜第1E図に示す本発明の単純な実施例に基
づいて、本発明とその効用について説明する。
づいて、本発明とその効用について説明する。
第1A図は、抵抗層を多数の区間に区分するように設けら
れた出力電極群T1、T2、T3、T4、T5、T6を、各々の区分
区間につき区分区間の両側の出力電極が互いに異なる組
に属するように、２組、｛T1、T3、T5｝と｛T2、T4、
T6｝とに分け、それぞれをまとめて共通出力端子Ta、Tb
から取り出した場合の例である。この場合の像位置検出
特性は、第1B図のようになる。すなわち、区分区間ごと
に折り返された三角波状の特性となり、出力特性の感度
が著しく高められる。ところで、いま出力値e0が得られ
たとすると、この出力値に対応する像位置は、X1、X2、
X3、X4、X5のいずれであるか区分できない。すなわち、
第1A図の構成では、光がどの区間に入射しているかを検
知できない。そこで、先の第3A図のバイアス層Ｃも抵抗
体となるようにして、その両端から出力端子Tc1及びTc2
を取り出すように構成する。この場合の等価回路は、第
1C図のようになり、出力端子Ta、Tbからの検出電流を演
算すると同時に出力端子Tc1、Tc2からの検出電流を演算
することにより、第1D図に示すような出力特性が得られ
る。いま、Tc1、Tc2の端子を演算して得られた出力がec
であったとすると光の入射位置はXcであることが、そし
て、第1A図の出力端子T4とT5との間の区間になっている
ことが分かる。出力端子Ta、Tbからの出力電流を演算し
て得られる出力値e0より、T4、T5の間での像位置X4を高
い分解能で定められる。第1E図は、各分割出力電極から
の電流が一方向に流れるようにダイオード素子を挿入し
た本発明における特許請求の範囲の第（３）項に記載し
た発明の実施例である。両端（Ta2、Tb2）以外の端子に
はダイオード素子が挿入され、外部へ信号を取り出すた
め４個の出力電極が設けられている。この構成で、出力
端子Ta2、Tb2を選択し、出力電流を演算することによ
り、第1D図に示されているものと同一の特性、すなわ
ち、全区間における像位置を検出する場合の特性を実現
できる。Ta1とTa2をTb1とTb2とを結合した出力電流を演
算することにより、第1B図と同様の特性で検出できる。
すなわち、ダイオード素子を有していることにより分割
抵抗層が一層のみであっても、各出力端子間の干渉を防
止し、光の入射区間の検知が可能となるなどの効果があ
る。
れた出力電極群T1、T2、T3、T4、T5、T6を、各々の区分
区間につき区分区間の両側の出力電極が互いに異なる組
に属するように、２組、｛T1、T3、T5｝と｛T2、T4、
T6｝とに分け、それぞれをまとめて共通出力端子Ta、Tb
から取り出した場合の例である。この場合の像位置検出
特性は、第1B図のようになる。すなわち、区分区間ごと
に折り返された三角波状の特性となり、出力特性の感度
が著しく高められる。ところで、いま出力値e0が得られ
たとすると、この出力値に対応する像位置は、X1、X2、
X3、X4、X5のいずれであるか区分できない。すなわち、
第1A図の構成では、光がどの区間に入射しているかを検
知できない。そこで、先の第3A図のバイアス層Ｃも抵抗
体となるようにして、その両端から出力端子Tc1及びTc2
を取り出すように構成する。この場合の等価回路は、第
1C図のようになり、出力端子Ta、Tbからの検出電流を演
算すると同時に出力端子Tc1、Tc2からの検出電流を演算
することにより、第1D図に示すような出力特性が得られ
る。いま、Tc1、Tc2の端子を演算して得られた出力がec
であったとすると光の入射位置はXcであることが、そし
て、第1A図の出力端子T4とT5との間の区間になっている
ことが分かる。出力端子Ta、Tbからの出力電流を演算し
て得られる出力値e0より、T4、T5の間での像位置X4を高
い分解能で定められる。第1E図は、各分割出力電極から
の電流が一方向に流れるようにダイオード素子を挿入し
た本発明における特許請求の範囲の第（３）項に記載し
た発明の実施例である。両端（Ta2、Tb2）以外の端子に
はダイオード素子が挿入され、外部へ信号を取り出すた
め４個の出力電極が設けられている。この構成で、出力
端子Ta2、Tb2を選択し、出力電流を演算することによ
り、第1D図に示されているものと同一の特性、すなわ
ち、全区間における像位置を検出する場合の特性を実現
できる。Ta1とTa2をTb1とTb2とを結合した出力電流を演
算することにより、第1B図と同様の特性で検出できる。
すなわち、ダイオード素子を有していることにより分割
抵抗層が一層のみであっても、各出力端子間の干渉を防
止し、光の入射区間の検知が可能となるなどの効果があ
る。
以上、第1A図の単純な実施例では、出力端子群を２組に
分けた場合について、本発明の原理及び動作、効用につ
いて述べた。この場合、第1B図に示すように出力値は、
各区間ごとに折り返された状態となり、区間が移るごと
に区間内での検出値の符号を反転することが必要とされ
る。選択された区間内での検出値の変化の方向が像位置
の変化方向と常に合致するようにするには、出力端子群
を３組以上に分けて、それぞれまとめて出力し、それら
複数の組の中から２組を選択するように構成すればよ
い。
分けた場合について、本発明の原理及び動作、効用につ
いて述べた。この場合、第1B図に示すように出力値は、
各区間ごとに折り返された状態となり、区間が移るごと
に区間内での検出値の符号を反転することが必要とされ
る。選択された区間内での検出値の変化の方向が像位置
の変化方向と常に合致するようにするには、出力端子群
を３組以上に分けて、それぞれまとめて出力し、それら
複数の組の中から２組を選択するように構成すればよ
い。
第2A図〜第2F図に、抵抗層を多数の区間に区分するよう
に設けられた出力電極群を、３つ置きに同一の組とし
て、４組に分け、各々の区分区間につき区分区間の両側
の出力電極が互いに異なる組に属するようにした像位置
検出器であって、同一の組の出力電極をそれぞれまとめ
て４本のTa、Tb、Tc、Tdの出力端子として取り出し、ま
た更に、両端の出力端子（T1、T2）を取り出すように構
成した本発明に基づいて構成した、多重出力電極型像位
置検出器の構成を示した。Ta〜TdとT1、T2の６個の出力
端子のうちから、T1、T2を選択することにより、検出特
性は第2B図のようになり、全区間内のどの区間内に光が
入射しているかを検知できる。Ta、Tbを選択し、Tdを接
地することにより、第2C図のような検出特性が得られ
る。Tb、Taを選択し、Tcを接地することにより、第2D図
のような検出特性が得られる。Tc、Tdを選択し、Taを接
地することにより、第2E図のような検出特性が得られ
る。更に、Td、Tcを選択し、Tbを接地することにより、
第2F図のような検出特性が得られる。通常、半導体像位
置検出器のアナログ信号処理系において、出力値が０と
なる近傍で暗電流の影響等の誤差の要因が小さくなり、
比較的高精度の演算が可能となる。第2A図の実施例にお
いては、上記の件を考慮し、計測に用いる検出範囲（傾
斜部分）が選択区間が互いに重なる様にされ、選択区間
の端部を用いなくてもよい様に電極の選択が行われる。
また、これにより、端子出力の境界部で、輝点が出力端
子を挟んだ両側にまたがってしまう場合に生じる誤差の
問題も回避できる。更に、前述したように、出力端子群
の組を３組以上としたことによって、いずれの区間が選
択されるようにしても、検出特性の傾斜が常に一定方向
となり、符号の反転等の操作が不要となる。以上の実施
例では、その動作原理が理解しやすくなるように、数個
あるいは十数個の分割出力電極を備えた多重電極型位置
検出器で説明したが、本発明が特に効果を発揮できるの
は、分割出力電極の数が更に多数となった場合である。
例えば、百個以上の出力電極を備えた多重出力電極型像
位置検出器に適用した場合にその効果が著しくなる。す
なわち、百本以上の出力電極を外部に引き出すことは実
際的でないし、また、これらを切り換えるアナログ・ス
イッチを集積化することは著しく高価となる。本発明を
適用することにより、アナログ・スイッチ素子よりも極
めて単純で製作が容易なダイオード素子を集積化し、あ
るいは、単に出力電極群を何組かに分け、組ごとに合わ
せて引き出すことにより、外部に引き出す出力電極を著
しく減少でき、実際的な多重出力電極型位置検出器を実
現できる。
に設けられた出力電極群を、３つ置きに同一の組とし
て、４組に分け、各々の区分区間につき区分区間の両側
の出力電極が互いに異なる組に属するようにした像位置
検出器であって、同一の組の出力電極をそれぞれまとめ
て４本のTa、Tb、Tc、Tdの出力端子として取り出し、ま
た更に、両端の出力端子（T1、T2）を取り出すように構
成した本発明に基づいて構成した、多重出力電極型像位
置検出器の構成を示した。Ta〜TdとT1、T2の６個の出力
端子のうちから、T1、T2を選択することにより、検出特
性は第2B図のようになり、全区間内のどの区間内に光が
入射しているかを検知できる。Ta、Tbを選択し、Tdを接
地することにより、第2C図のような検出特性が得られ
る。Tb、Taを選択し、Tcを接地することにより、第2D図
のような検出特性が得られる。Tc、Tdを選択し、Taを接
地することにより、第2E図のような検出特性が得られ
る。更に、Td、Tcを選択し、Tbを接地することにより、
第2F図のような検出特性が得られる。通常、半導体像位
置検出器のアナログ信号処理系において、出力値が０と
なる近傍で暗電流の影響等の誤差の要因が小さくなり、
比較的高精度の演算が可能となる。第2A図の実施例にお
いては、上記の件を考慮し、計測に用いる検出範囲（傾
斜部分）が選択区間が互いに重なる様にされ、選択区間
の端部を用いなくてもよい様に電極の選択が行われる。
また、これにより、端子出力の境界部で、輝点が出力端
子を挟んだ両側にまたがってしまう場合に生じる誤差の
問題も回避できる。更に、前述したように、出力端子群
の組を３組以上としたことによって、いずれの区間が選
択されるようにしても、検出特性の傾斜が常に一定方向
となり、符号の反転等の操作が不要となる。以上の実施
例では、その動作原理が理解しやすくなるように、数個
あるいは十数個の分割出力電極を備えた多重電極型位置
検出器で説明したが、本発明が特に効果を発揮できるの
は、分割出力電極の数が更に多数となった場合である。
例えば、百個以上の出力電極を備えた多重出力電極型像
位置検出器に適用した場合にその効果が著しくなる。す
なわち、百本以上の出力電極を外部に引き出すことは実
際的でないし、また、これらを切り換えるアナログ・ス
イッチを集積化することは著しく高価となる。本発明を
適用することにより、アナログ・スイッチ素子よりも極
めて単純で製作が容易なダイオード素子を集積化し、あ
るいは、単に出力電極群を何組かに分け、組ごとに合わ
せて引き出すことにより、外部に引き出す出力電極を著
しく減少でき、実際的な多重出力電極型位置検出器を実
現できる。
第1A図〜第1E図は、本発明の原理を理解するための単純
な実施例、 第2A図〜第2F図は、本発明に基づいた具体的な実施例、 第3A図〜第3D図は、Ｒ−HPSDに基づいた多重出力電極型
半導体像位置検出器の原理を示した概念図、 第4A図及び第4B図は、PSDの原理を示す概念図である。 （符号の説明） Ta〜Td、Ta1、Tb1……共通出力端子、 Ta2、Tb2、Tc1、Tc2……区間決定用出力電極、 T1〜T6……出力電極、 Tcb……バイアス電極、 Tsa、Tsb……選択出力電極、 Ｌ……入射光、 Ｉ……光電流、 Ia、Ib……出力電流、 Ｒ……抵抗層、 Ｐ……光電層、 Ｃ……バイアス層、 S1g（１＝１〜５，ｇ＝２〜６）……出力特性、 Sw……選択スイッチ回路、 Ｂ……バッファアンプ、 Σ……演算増幅器、 Ｄ……割り算器、 A/D……アナログ・デジタル変換器、 Xd……出力信号。
な実施例、 第2A図〜第2F図は、本発明に基づいた具体的な実施例、 第3A図〜第3D図は、Ｒ−HPSDに基づいた多重出力電極型
半導体像位置検出器の原理を示した概念図、 第4A図及び第4B図は、PSDの原理を示す概念図である。 （符号の説明） Ta〜Td、Ta1、Tb1……共通出力端子、 Ta2、Tb2、Tc1、Tc2……区間決定用出力電極、 T1〜T6……出力電極、 Tcb……バイアス電極、 Tsa、Tsb……選択出力電極、 Ｌ……入射光、 Ｉ……光電流、 Ia、Ib……出力電流、 Ｒ……抵抗層、 Ｐ……光電層、 Ｃ……バイアス層、 S1g（１＝１〜５，ｇ＝２〜６）……出力特性、 Sw……選択スイッチ回路、 Ｂ……バッファアンプ、 Σ……演算増幅器、 Ｄ……割り算器、 A/D……アナログ・デジタル変換器、 Xd……出力信号。
Claims (3)
- 【請求項１】光電層、この光電層に積層された抵抗層、
及びこの抵抗層を多数の区間に区分する出力電極群を備
える像位置検出器において、 前記出力電極群が各々の区分区間につき区分区間の両側
の出力電極が互いに異なる組に属するように複数の組に
分かれており、各組の出力電極が組毎の共通出力端子に
接続されていることを特徴とする多重出力電極型位置検
出器。 - 【請求項２】複数の前記出力電極が設けられた光電層と
反対側の面に別に抵抗層を設け、この抵抗層の両端に一
対の出力電極を更に設けたことを特徴とする請求項
（１）記載の多重出力電極型像位置検出器。 - 【請求項３】前記抵抗層を多数の区間に区分するように
設けられた各出力電極と前記共通出力電極との間にダイ
オード素子が挿入されており、各電極からの出力電流が
一方向のみに流れるようにされていることを特徴とする
請求項（１）記載の多重出力電極型像位置検出器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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| JP24972389A JPH0749924B2 (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | 多重出力電極型像位置検出器 |
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