JPH0750568B2 - 透明導電膜および該透明導電膜製造用材料 - Google Patents
透明導電膜および該透明導電膜製造用材料Info
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- JPH0750568B2 JPH0750568B2 JP62008913A JP891387A JPH0750568B2 JP H0750568 B2 JPH0750568 B2 JP H0750568B2 JP 62008913 A JP62008913 A JP 62008913A JP 891387 A JP891387 A JP 891387A JP H0750568 B2 JPH0750568 B2 JP H0750568B2
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- Japan
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- transparent conductive
- conductive film
- tellurium
- oxide
- producing
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は透明導電膜およびその製造用材料に関し、詳し
くは、インジウム、スズ、テルルおよび酸素からなり、
透明性を維持しつつ電気比抵抗を低下させた透明導電膜
およびその製造用材料に関する。
くは、インジウム、スズ、テルルおよび酸素からなり、
透明性を維持しつつ電気比抵抗を低下させた透明導電膜
およびその製造用材料に関する。
［従来技術およびその問題点］ 従来より透明導電膜は、太陽電池、液晶ディスプレイ等
の表示素子、赤外線反射膜、透明スイッチ、電磁シール
ド材等に利用されている。
の表示素子、赤外線反射膜、透明スイッチ、電磁シール
ド材等に利用されている。
その中でも酸化インジウムおよび酸化スズからなるIn2O
3・SnO2（ITO）膜は酸化物系透明導電膜として幅広く使
用されている。
3・SnO2（ITO）膜は酸化物系透明導電膜として幅広く使
用されている。
しかしながら、近年、電極の微細化および素子の大型化
によって、より抵抗が低く、しかも高透過率の透明導電
膜が求められている。すなわち、従来、一般的に使用さ
れている酸化スズを、９モル％含有するITO膜の比抵抗
は2.0〜2.3×10-4Ωcm程度、酸化スズを18モル％含有す
るITO膜の比抵抗は、1.7〜2.0×10-4Ωcm程度であり、
前者のほうが高い透明性を示すが、平均すると透過率90
％であり、両者のITO膜を所望によって選択して用いて
いる。
によって、より抵抗が低く、しかも高透過率の透明導電
膜が求められている。すなわち、従来、一般的に使用さ
れている酸化スズを、９モル％含有するITO膜の比抵抗
は2.0〜2.3×10-4Ωcm程度、酸化スズを18モル％含有す
るITO膜の比抵抗は、1.7〜2.0×10-4Ωcm程度であり、
前者のほうが高い透明性を示すが、平均すると透過率90
％であり、両者のITO膜を所望によって選択して用いて
いる。
しかるに、より微細で大面積の配線を行なうためには、
透過率を損わずに低抵抗化を実現しなければならない。
透過率を損わずに低抵抗化を実現しなければならない。
［発明の目的］ 本発明の目的は、透明性を損うことなく、電気比抵抗を
低下させた透明導電膜およびその製造用材料を提供する
ことにある。
低下させた透明導電膜およびその製造用材料を提供する
ことにある。
［問題点を解決するための手段および作用］ 本発明の上記目的は、透明導電膜にテルルを含有させる
ことによって達成される。
ことによって達成される。
すなわち本発明の透明導電膜は、インジウム、スズ、テ
ルルおよび酸素からなることを特徴とするものである。
ルルおよび酸素からなることを特徴とするものである。
本発明の透明導電膜を製造するための製造用材料として
は、特に限定されないが、例えば酸化インジウム（In2O
3）、酸化スズ（SnO2）、酸化テルル（TeO2）からなる
焼結体またはこれらの混合物が好ましく用いられる。ま
た、インジウム、スズ、テルルのうちの１〜２種は酸化
物を用い、他を金属単体として用いてもよく、すべてを
金属単体としてもよいが、この場合には導電膜の製造時
に、酸素ガス雰囲気下で行なうか、または酸素ガスを吹
き込むことが必要となる。さらにはインジウムまたはそ
の酸化物とスズまたはその酸化物を用い、これに有機テ
ルルガスを吹き込んでもよく、この場合にも必要に応じ
て酸素ガス雰囲気下で行なうか、または酸素ガスを吹き
込んでもよい。この中で酸化インジウム、酸化スズおよ
び酸化テルルからなる焼結体が透明導電膜を安価に安定
して供給できるという観点から好ましい。また、これら
透明導電膜製造用材料のテルルの配合割合は、酸化物換
算で0.001〜５モル％の範囲で用いることが望ましい。
は、特に限定されないが、例えば酸化インジウム（In2O
3）、酸化スズ（SnO2）、酸化テルル（TeO2）からなる
焼結体またはこれらの混合物が好ましく用いられる。ま
た、インジウム、スズ、テルルのうちの１〜２種は酸化
物を用い、他を金属単体として用いてもよく、すべてを
金属単体としてもよいが、この場合には導電膜の製造時
に、酸素ガス雰囲気下で行なうか、または酸素ガスを吹
き込むことが必要となる。さらにはインジウムまたはそ
の酸化物とスズまたはその酸化物を用い、これに有機テ
ルルガスを吹き込んでもよく、この場合にも必要に応じ
て酸素ガス雰囲気下で行なうか、または酸素ガスを吹き
込んでもよい。この中で酸化インジウム、酸化スズおよ
び酸化テルルからなる焼結体が透明導電膜を安価に安定
して供給できるという観点から好ましい。また、これら
透明導電膜製造用材料のテルルの配合割合は、酸化物換
算で0.001〜５モル％の範囲で用いることが望ましい。
本発明においては、これら透明導電膜製造用材料をター
ゲットとして用い透明導電膜を製造するが、これら透明
導電膜を製造する方法としては、例えば、スパッタリン
グ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、CVD法等
が用いられ、これら製造方法の相違に準じて製造用材料
が上記した中から任意に選択される。
ゲットとして用い透明導電膜を製造するが、これら透明
導電膜を製造する方法としては、例えば、スパッタリン
グ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、CVD法等
が用いられ、これら製造方法の相違に準じて製造用材料
が上記した中から任意に選択される。
このようにして得られた透明導電膜は、透明性を低下さ
せることなく、比抵抗を低下させることができる。この
透明導電膜には、テルルを酸化物換算で0.0001〜1.20モ
ル％含有することが特性の点から望ましい。
せることなく、比抵抗を低下させることができる。この
透明導電膜には、テルルを酸化物換算で0.0001〜1.20モ
ル％含有することが特性の点から望ましい。
［実施例および比較例］ 以下、実施例および比較例に基づき本発明を詳細に説明
する。
する。
実施例１〜10および比較例１〜２ 第１表に示される組成の透明導電膜製造用材料（ターゲ
ット）を用いて、透明導電膜を製造した。なお、これら
透明導電膜製造用材料は、酸化インジウム、酸化スズ、
酸化テルルからなる焼結体を用いた。
ット）を用いて、透明導電膜を製造した。なお、これら
透明導電膜製造用材料は、酸化インジウム、酸化スズ、
酸化テルルからなる焼結体を用いた。
透明導電膜の製造はスパッタリングにより行ない、第１
図に示されるスパッタリング装置を用いた。第１図中、
１はチャンバーであり、このチャンバー１内には電極
（カソード）２および電極（アノード）３が配置されて
いる。電極２には、透明導電膜製造用材料（ターゲッ
ト）４が配設され、高周波電源または直流電源のマイナ
スに接続される。また、電極３には基板５が配設されチ
ャンバー１とともにグランドに接続されている。また、
６はガス導入管、７は排気管をそれぞれ示す。
図に示されるスパッタリング装置を用いた。第１図中、
１はチャンバーであり、このチャンバー１内には電極
（カソード）２および電極（アノード）３が配置されて
いる。電極２には、透明導電膜製造用材料（ターゲッ
ト）４が配設され、高周波電源または直流電源のマイナ
スに接続される。また、電極３には基板５が配設されチ
ャンバー１とともにグランドに接続されている。また、
６はガス導入管、７は排気管をそれぞれ示す。
このスパッタリング装置を用いて、アルゴンと酸素の混
合ガスをチャンバー内に導入し、スパッタリングを行な
いガラス基板上に膜厚1500〜2500Åの透明導電膜を形成
した。この際のスパッタリングの条件（到達真空度、酸
素分圧、スパッタ圧、基板温度、基板材質、投入電力）
を第２表に示す。
合ガスをチャンバー内に導入し、スパッタリングを行な
いガラス基板上に膜厚1500〜2500Åの透明導電膜を形成
した。この際のスパッタリングの条件（到達真空度、酸
素分圧、スパッタ圧、基板温度、基板材質、投入電力）
を第２表に示す。
このようにして得られた透明導電膜の電気比抵抗を第１
表に示すと共に、電気比抵抗と透明導電膜中のテルルの
含有量（酸化物換算）の関係を第２図に示す。第２図に
おいて、縦軸は電気比抵抗（10gρ）、横軸は透明導電
膜中の酸化テルルの含量（モル％）をそれぞれ示す。ま
た、電気比抵抗の値は、第２表に示す基板温度等の諸条
件を変えて得られたそれぞれの値の平均値を示す。
表に示すと共に、電気比抵抗と透明導電膜中のテルルの
含有量（酸化物換算）の関係を第２図に示す。第２図に
おいて、縦軸は電気比抵抗（10gρ）、横軸は透明導電
膜中の酸化テルルの含量（モル％）をそれぞれ示す。ま
た、電気比抵抗の値は、第２表に示す基板温度等の諸条
件を変えて得られたそれぞれの値の平均値を示す。
また、比較例１および実施例２に関しては、透明性の評
価を、各波長の透過率で行ない、その結果を第３図に示
した。第３図において、縦軸は透過率、横軸は波長をそ
れぞれ示す。
価を、各波長の透過率で行ない、その結果を第３図に示
した。第３図において、縦軸は透過率、横軸は波長をそ
れぞれ示す。
第１表に示されるように、酸化テルルを配合した実施例
１〜５は比較例１に比して電気比抵抗が低下している。
また、酸化テルルを配合した実施例６〜10においても比
較例２に比して電気比抵抗が低下している。
１〜５は比較例１に比して電気比抵抗が低下している。
また、酸化テルルを配合した実施例６〜10においても比
較例２に比して電気比抵抗が低下している。
第２図は比較例２および実施例６〜10により得られた透
明導電膜中のテルル含量（酸化物換算）であるが、製造
用材料に比較してテルル含量が減少していることが判
る。また、テルル含量が0.5モル％近傍で最も低い電気
比抵抗を示す。
明導電膜中のテルル含量（酸化物換算）であるが、製造
用材料に比較してテルル含量が減少していることが判
る。また、テルル含量が0.5モル％近傍で最も低い電気
比抵抗を示す。
また、第３図は実施例２と比較例１の透過率の比較であ
るが、両者の透過率はほぼ同等であるが、低波長領域で
は実施例２のほうが高い透過率を示す。
るが、両者の透過率はほぼ同等であるが、低波長領域で
は実施例２のほうが高い透過率を示す。
実施例11〜14および比較例３〜６ 酸化スズを９モル％含有するものについて、スパッタリ
ングの諸条件を変えて電気比抵抗を評価し、この際の酸
素流量、テルル添加量および基板温度と共に第３表に示
した。
ングの諸条件を変えて電気比抵抗を評価し、この際の酸
素流量、テルル添加量および基板温度と共に第３表に示
した。
第３表に示されるように、スパッタリングの条件に拘わ
らず、テルルを含有する実施例11〜14は、テルルを含有
しない比較例３〜６に比べて電気比抵抗が低下する。ま
た、基板温度が高いほど電気比抵抗は低下する傾向にあ
る。
らず、テルルを含有する実施例11〜14は、テルルを含有
しない比較例３〜６に比べて電気比抵抗が低下する。ま
た、基板温度が高いほど電気比抵抗は低下する傾向にあ
る。
［発明の効果］ 以上説明したように、インジウム、スズ、テルルおよび
酸素からなる本発明の透明導電膜は、透明性を維持しつ
つ、電気比抵抗を低下することができる。また、透明導
電膜の製造用材料として、インジウム酸化物、スズ酸化
物およびテルル酸化物の焼結体を用いることによって、
透明導電膜が安価に安定して供給される。
酸素からなる本発明の透明導電膜は、透明性を維持しつ
つ、電気比抵抗を低下することができる。また、透明導
電膜の製造用材料として、インジウム酸化物、スズ酸化
物およびテルル酸化物の焼結体を用いることによって、
透明導電膜が安価に安定して供給される。
第１図は、スパッタリング装置の概略図、 第２図は、透明導電膜中のテルル含量と電気比抵抗との
関係を示すグラフ、 第３図は、比較例１および実施例３によって得られる透
明導電膜の透過率と波長の関係を示すグラフである。
関係を示すグラフ、 第３図は、比較例１および実施例３によって得られる透
明導電膜の透過率と波長の関係を示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 31/04
Claims (2)
- 【請求項１】インジウム、スズ、テルルおよび酸素から
なることを特徴とする透明導電膜。 - 【請求項２】インジウム酸化物、スズ酸化物およびテル
ル酸化物の焼結体からなる透明導電膜製造用材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62008913A JPH0750568B2 (ja) | 1987-01-20 | 1987-01-20 | 透明導電膜および該透明導電膜製造用材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62008913A JPH0750568B2 (ja) | 1987-01-20 | 1987-01-20 | 透明導電膜および該透明導電膜製造用材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63178414A JPS63178414A (ja) | 1988-07-22 |
| JPH0750568B2 true JPH0750568B2 (ja) | 1995-05-31 |
Family
ID=11705898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62008913A Expired - Lifetime JPH0750568B2 (ja) | 1987-01-20 | 1987-01-20 | 透明導電膜および該透明導電膜製造用材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0750568B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3925977B2 (ja) * | 1997-02-21 | 2007-06-06 | 旭硝子セラミックス株式会社 | 透明導電膜とその製造方法およびスパッタリングターゲット |
| US6042752A (en) * | 1997-02-21 | 2000-03-28 | Asahi Glass Company Ltd. | Transparent conductive film, sputtering target and transparent conductive film-bonded substrate |
| JP2011257617A (ja) * | 2010-06-10 | 2011-12-22 | Canon Inc | 回折光学素子、及びそれを有する光学系 |
| GB2482544A (en) * | 2010-08-06 | 2012-02-08 | Advanced Tech Materials | Making high density indium tin oxide sputtering targets |
| CN119314720B (zh) * | 2024-10-15 | 2026-03-17 | 天合光能股份有限公司 | 透明导电氧化物薄膜和钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
-
1987
- 1987-01-20 JP JP62008913A patent/JPH0750568B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63178414A (ja) | 1988-07-22 |
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