JPH07516B2

JPH07516B2 - 液相エピタキシヤル成長方法およびそのための装置

Info

Publication number: JPH07516B2
Application number: JP60104774A
Authority: JP
Inventors: 和央池田; 昌也小西
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 1985-05-16
Filing date: 1985-05-16
Publication date: 1995-01-11
Anticipated expiration: 2010-01-11
Also published as: JPS61261291A

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は液相エピタキシャル成長方法に関する。更に詳
しくいえば、二層以上のエピタキシャル層を連続的にか
つ量産性良く成長させることのできる液相エピタキシャ
ル成長方法並びに該方法を実施するための装置に関す
る。

従来の技術一般に半導体素子、デバイスを作製する際には半導体の
単結晶が使用される。この半導体単結晶の製造方法は大
別して気相成長法と液相成長法に分類され、夫々特有の
利点を有しており、目的に応じて使い分けられている。
近年、半導体単結晶を作製するための基本的な技術の１
つとしてエピタキシャル成長法が注目され、広範に利用
されている。

このエピタキシャル成長技術の最も重要な利点の１つ
は、不純物の制御が極めて容易であり、基板中の不純物
とは無関係に、エピタキシャル成長中に不純物を導入
し、エピタキシャル層と基板との間に種々の接合を形成
することができることである。また、この成長法によれ
ば、単結晶基板上にこれと同一の面方位を有する単結晶
層を形成することができ、更に例えば種結晶と接触させ
た成長用融液部分を徐々に結晶化させるスライド法など
の成長法に従えば、絶縁基板、非晶質基板等の上に単結
晶層を形成することも十分可能である。

半導体素子、デバイス作製プロセスにおいてはしばしば
多層薄膜を形成する必要が生じる。この多層成長につい
てはCVD、PVD等の気相エピタキシャル成長法は装置が複
数になることから余り利用されず、主として液相エピタ
キシャル成長法が利用され、特に高温で分離し易い化合
物半導体の低欠陥単結晶層を形成する際に有利であり、
発光ダイオード、半導体レーザなどの多層薄膜構造を有
するデバイス、素子の作製のために汎用されている。

従来の液相エピタキシャル成長技術としては、例えば堅
型ディップ法が知られている。この方法は、るつぼ内に
溶媒、溶質、ドーパントを投入し、反応管中で高温にし
た後、この中に基板を入れて冷却することにより単結晶
薄膜を成長させるものである。従って、この方法では、
成長層の組成やドーパントの種類、濃度の異る二層ある
いはそれ以上の層を成長させる為には、るつぼ等を一旦
反応管より取出して原料を再投入する必要があった。そ
のため、基板は成長の途中で空気に晒されることになり
表面酸化等の悪影響を受けることになる。

この問題を解決する有用な技術の１つとして、横型スラ
イド法が知られており、この方法は予め二種類以上の溶
液をいくつかの溶液槽に入れて反応管内に置き、この状
態で基板ホルダーを移動させることにより基板を次々に
異る溶液と接触させ、結晶成長させることからなってい
る。しかしながら、この方法では基板を平面上に並べる
必要があり、従って場所をとり、また大量生産に適さな
いものである。

発明が解決しようとする問題点以上述べたように、液相エピタキシャル成長法は不純物
の制御が極めて容易であり、また多層成長においても有
利である等の各種利点を有し、広く利用されているが、
特に多層成長させる場合には改善すべきいくつかの問題
を残している。例えば、量産性に優れている堅型ディッ
プ法で二層以上のエピタキシャル層を成長させる場合、
一層目の成長後基板を一旦取出さねばならず、そのため
一層目の表面に酸化膜が形成されるなどの欠点があっ
た。一方、スライドボート法によれば該堅型ディップ法
の欠点は解消し得るものの、一度に成長できる数が制限
されてしまうために量産性が劣り好ましくない。

そこで、量産性に適した堅型ディップ法にみられるよう
な欠点を示さない新たな液相エピタキシャル成長方法を
開発することは、高品位の多層薄膜素子、デバイスを
得、その作製コストを節減し、液相エピタキシャル成長
法の利用分野の拡大を図る上で極めて大きな意義を有す
る。本発明の目的はこの点にあり、二層以上のエピタキ
シャル層を連続的に量産性良く形成し得る液相エピタキ
シャル成長方法を提供することにある。また、このよう
な方法を実施するために有用な液相エピタキシャル装置
を提供することも本発明の目的の１つである。

問題点を解決するための手段本発明者等は二層以上の多層エピタキシャル成長におけ
る従来の液相エピタキシャル成長法の上記の如き現状に
鑑みて、量産性に優れかつ成長中の表面酸化等の問題を
生ずることのない新しい液相エピタキシャル成長法を開
発すべく種々検討した結果、同一のカセット内に多数の
基板を配列し、第１層目の成長を第１層目成長用溶液内
に浸漬することにより行い、第２層目以後の成長を少な
くとも１つの液溜め内の溶液を該基板を含むカセットま
たはるつぼ内に導入し、カセットを成長用るつぼ内から
取り出すことなしに、繰り返しエピタキシャル成長させ
ることにより実施することが上記目的達成のために極め
て有利であることを見出し本発明に至った。

即ち、本発明により提供される液晶エピタキシャル成長
法は、炉内に支持されたるつぼと、該るつぼ内に収容さ
れた成長用溶液に浸漬する基板を支持する支持部材とを
備えた装置を用い、所定の温度履歴の下で、複数のエピ
タキシャル層を該基板上に形成させる液相エピタキシャ
ル成長方法であって、円筒状側壁を有し且つ上方が開口
したるつぼと、該るつぼの側壁内面と相補的な側壁外面
の形状を有し且つ内部に成長室を備え該るつぼ内で上下
に移動可能であると同時に水平に回転可能なカセット
と、該カセット内に収容された基板支持部材と、該カセ
ットの上端に装着され該るつぼの内部に在る該カセット
を該るつぼの外部から移動または回転させる際に操作す
るロッドとを備え、更に、該カセットの側壁に形成され
た該成長室を該カセットの側面へ連通させる貫通孔と、
該カセットの側壁外面または該るつぼの側壁内面に形成
された溝とを備えた装置を用い、該ロッドを操作して該
カセットを上下移動または水平回転させることにより連
通した該貫通孔および該溝を介して該成長室内に成長用
溶液を導入または排出して、該基板を該成長室から取り
出すことなく、多層膜を連続的に液相エピタキシャル成
長させる操作を含むことを特徴とする。

本発明の方法により、各種半導体材料、特に高温で分解
し易いIII−Ｖ族あるいはII−VI族化合物半導体の二元
系、あるいはそれ以上の多元系エピタキシャル層を得る
ことができる。

本発明の方法によれば、多層エピタキシャル層のうち、
第１層目は従来公知のディッピング法により実施され
る。この原理は簡単にいえば、溶融金属、例えば溶融Ga
などの媒質中にエピタキシャル成長させるべき原料を溶
解した溶液中にウエハ等を浸漬した状態で溶液を冷却す
ることにより該原料をウエハ等の基板表面上に析出させ
ることにある。

また、第２層目以後の成長も原理的にはディッピング法
と同じであるが、ウエハ等の支持体としての、例えばカ
セットを取出し、溶液の交換、あるいはるつぼの交換を
行うことなしに第２層目以後の成長を行いうる成長用溶
液の導入手段を工夫し、これを順次実施することにより
行われる。

このような本発明の液相エピタキシャル成長方法は、る
つぼと、該るつぼ内径よりもわずかに小さな外径を有
し、多数の基板を収納する支持体を含むカセットと、該
カセットを上下に移動させ、かつ回転させることのでき
るシャフトと、溶液貯蔵用の少なくとも１つの溶液溜め
とを具備する液相エピタキシャル成長装置を用いること
により実施できる。

本発明の上記装置において、カセットはネジ込み式、ス
ロット式嵌合などの公知の適当な手段により少なくとも
２つの部分に分離でき、その内部に支持体およびウエハ
等の基板を収納することができるようになっている。

また、カセットおよびるつぼの少なくとも一方にはるつ
ぼ底部とカセットとを連通する連通手段および上記溶液
溜めからの溶液をこれらの少なくとも一方に導入する溶
液導入手段が設けられており、シャフトによりカセット
を上下動あるいは回転させることにより、るつぼ下方に
ある溶液をカセット内に導入し、また排出でき、更に液
溜めの溶液をカセット、るつぼ内に導入できるようにな
っている。

また、第２層以後の成長用の溶液を貯蔵する液溜めは、
カセット上方に設けられた夫々隔壁で分離された液溜め
（チャンバー）として形成するか、あるいはるつぼ側壁
部に設けられた開口部と連通する管手段によりるつぼと
接続された液溜めを使用することも可能である。これら
液溜めとるつぼ内部またはカセット内部との隔離、連通
は以下のようにすることにより容易に行える。

まず、前記シャフトによりカセットを回転および／また
は上下動させ、カセット側壁またはるつぼ内壁に設けら
れた溶液導入手段、例えば溝または開口と前記チャンバ
ー側壁下方またはるつぼ壁の液溜めと連通する開口とを
一致させることにより連通し、溶液をカセット内または
るつぼ内に導入できる。また、これらを一致させない位
置に、シャフトの回転等によりカセットを移動させるこ
とにより、カセット壁またはるつぼ壁が栓の役割を果た
し、液溜めとカセットまたはるつぼとの隔離が保証され
る。また、これらの操作は特に液溜めをるつぼ外に設け
る場合には電磁弁などで操作することも勿論可能であ
る。

更に、カセット下方側部もしくは底部に開口またはスリ
ットを設け、一方必要ならばるつぼ内壁下方に溝を設
け、これらを連通させることにより第１層成長の際には
カセットを下降させることにより溶液をカセット内に導
入でき、また前の層の成長溶液をカセット内から排除
し、次いで、上記のような態様の１種に従って次の層の
成長用溶液をカセット内に導入し、成長用溶液の置換を
行うことができる。また、るつぼ底部に溶液の排出口を
設け、これを排出液溜めと接続し、該接続部に電磁弁な
どを置いて開閉することにより、溶液の置換はほぼ完全
に行うことができる。

一方、ガス抜け口あるいはガス流入口は特に設ける必要
はなく、るつぼとカセットとが完全に密着された状態に
はないので、これらの間のわずかな間隙から雰囲気ガス
の出入りが生ずる。従って、るつぼおよびカセット材料
としてはカーボン、石英、カーボンで被覆した石英また
はセラミック物質などを使用し、成長用溶液に対して濡
れ性の小さなもの、即ち接触角の大きな材料を選択する
ことにより溶液の排出、導入口部分での漏れを防止する
ことが容易となるので、好ましい。

本発明の方法並びに装置において、溶液の量は、カセッ
ト内に収納されたすべての基板を該溶液内に浸漬する必
要があることから、カセット内のデッドスペースとほぼ
等しいか、それよりも多量とすることが望ましい。

以下、本発明の装置を添付第１図を参照して更に詳しく
説明する。第１図は本発明の液相エピタキシャル装置の
好ましい１態様を模式的な断面図で示したものであり、
特に２層のエピタキシャル層を成長させるのに有用であ
り、また第１層目の成長用溶液と第２層目成長用溶液と
を混合して第２層成長を行う態様に対して有利な装置で
ある。

第１図の装置は、るつぼ１と、カセット２と、該カセッ
トを上下動並びに回転させるロッド（シャフト）３と、
カセット２の上部に設けられた第２層成長用溶液の液溜
め４とから主として構成されている。カセット２内には
基板収納用の皿５が多数配置されている。この皿５は溶
液のカセット内への侵入、排出を容易にするために、好
ましくは網目状等の多数の孔を、特にその底部に有する
ものであり、例えば石英、カーボンもしくはカーボン被
覆石英またはセラミック製である。また基板との接触を
点接触とするために（皿との接触を出来るだけ減じ、基
板、エピタキシャル層の汚染を防止する）、先端の曲率
が比較的大きな多数の突起を有していてもよい。

皿５、即ち基板の支持体はカセット成長室とるつぼとの
間の前記連通手段の態様によって変えることができ、例
えばカセット側部に縦方向のスリットが該手段として設
けられている場合には必ずしも多数の貫通孔を有するも
のでなくてもよい。一方、カセット下方側部あるいは底
部に設けられた開口が該手段である場合には、支持体は
多数の貫通孔を有することが必須である。

更にカセット２の上方に設けられた溶液溜め４の下方側
部には、そこに収納されている第２層成長用の溶液６を
カセット内に導入するため流出口７が設けられ、これは
第１層の成長中はるつぼ１の壁との接触により密閉され
ている。

更に、るつぼ１の内壁には液溜め４からの溶液をカセッ
トまたはるつぼ内に導入するための溝８が縦方向に一ヶ
所設けられている。また、カセット側部にスリットを設
けておき、溶液が直接カセット内に流入するようにする
こともできる。

また、ロッド３はカセット２と共に液溜め４、皿５、お
よび溶液６を同時に上下動および回転させる。更にカセ
ット側壁部には縦方向にスリット等が設けられている。
従って、ロッド３によりカセット２を下降させると、る
つぼ底部に収容された第１層成長用溶液９がカセット側
壁のスリットを介してその内部に侵入し、成長室10内に
配置された各皿５内の基板11が完全に成長用溶液で浸漬
される。この状態で系を冷却（例えば第３図に示したよ
うな温度プログラムに従って）することにより第１層目
のエピタキシャル成長が可能となる。また、第２層目成
長用溶液の導入は、同様にロッド３を操作し、流出口７
と溝８とを一致させ、ロッドを上昇させることにより容
易に行われる。

この第１図の態様でも、勿論第３層、第４層等の成長を
実施することができ、その場合第２層目成長用液溜め４
の上方に第３、第４層目等の成長用液溜めを設け、また
溝８の高さを更に大きくすることにより可能となる。

更に、第１層目の成長溶液は必ずしも予めるつぼ１内に
収容しておく必要がなく、同様に液溜を設けその中に収
納しておいてもよい。

るつぼ１の底部またはその近傍の側壁に開口を設け、こ
れを導管を介して排出液用液溜めと連絡させ、第１図の
態様を溶液混合による成長ではなく置換型の成長とする
こともできる。

第１図の装置は通常のディップ型液相エピタキシャル装
置と同様に炉あるいは反応管内に収納され、炉の動作に
より温度制御される。

また、第２図（ａ）、（ｂ）には第１図とは別の本発明
の好ましい態様を模式的な平面図（ａ）および縦断面図
（ｂ）で示したものである。この態様によれば、各層の
成長毎に成長用溶液のほぼ完全な置換を行うことがで
き、また第１図と同様の混合による成長操作も勿論実施
できる。

第２図の装置は、第２図（ａ）にみられるように、るつ
ぼ１と、カセット２と、ロッド３と、るつぼ１の外側部
に設けられた開口12₁〜12₃を介してその内部と連通して
いる複数の成長用溶液の液溜め4₁〜4₃とから主として構
成されている。

カセット２の成長室は第１図と同様であり、従って同一
番号を付して説明を省略する。この態様においてカセッ
ト２の上方部分には少なくとも１箇所に開口またはスリ
ット13が設けられており、これをロッド３の動作により
るつぼ側壁の液溜め4₁〜4₃等連通している開口12₁〜12₃
と一致させることにより順次第２層、第３層等の成長用
溶液がカセット成長室内10に導入し得るようになってい
る。

一方、カセット２の底部近傍の側壁には開口14が、また
るつぼ１の底部近傍の内壁部には溝15が設けられてい
て、カセット内の溶液の出入りができるようになってい
る。また、るつぼ１の底部には開口16があり、弁手段を
備えた管により接続された排出液溜め（図示せず）を設
けることもでき、各層の成長後完全に溶液を置換したい
場合に有用である。

更に別の態様によれば、カセット２の外側面に少なくと
も１つの縦方向に伸びた溝と、少なくとも１つの同様な
長さの縦方向のスリットまたは底部に設けられた開口も
しくくはスリットとを利用することにより同様な多層膜
成長操作を実施することができる。

更に、第１図および第２図に示した液溜めの設置方法を
組合せて利用すれば、極めて多数の層から構成される多
層膜をコンパクトな装置によって形成することが可能と
なる。このような態様も当然本発明の範囲内にはいるも
のと理解すべきである。

作用以上記載したように、本発明の方法並びに装置によれば
多層構造のエピタキシャル膜を量産性良く、しかも高品
位で得ることができる。

まず、本発明では第１層目あるいは成長中の任意の層の
形成後、基板を取り出すことなしに第２層目あるいは次
の層の成長を連続して実施できる。これは液相エピタキ
シャル成長装置を第１図または第２図に示したような構
成の１つとすることにより可能となった。

更に、本発明によれば一度の操作で多数の基板を同時に
処理することができ、同一ロッドで得られる製品の数が
多いので、同一の品位のもを大量に得ることができる。
これも、上記のような構成の装置を利用することによっ
て可能となった。

第１図の装置を用いて、２層からなるエピタキシャル成
長膜を形成する操作を簡単に説明すると、まず炉内で支
持されたるつぼ１内に第１層目成長用溶液９をカセット
２の成長室10のデッドスペースに相当する量で入れ、皿
５に収容された基板11を多数カセット２の成長室内に収
容し、ロッド３を下降させてカセット下部をるつぼ内に
装入し、適当な位置までカセットを下降させた後、液溜
め４内に第２層成長用溶液６を導入し、更にカセット２
を下降させて第１図に示すような配置とする。るつぼ内
側が所定の温度に安定したら、ロッド３を操作してカセ
ット２を下降させ、カセット２に設けられたスリット
（図示せず）を通してるつぼ下部の第１層成長用溶液９
をカセット２の成長室10に導入してカセット内の基板11
のすべてを溶液９で完全に浸漬させ、この位置でロッド
３を維持し、例えば第３図に示すような温度プログラム
に従って冷却し、第１層目の成長を行う。次いで、ロッ
ド３を回転させることにより第２層目成長用溶液６の流
出口７と、るつぼ１の内壁に設けられた溝８とを一致さ
せ、この位置でロッドの所定距離だけ上昇させることに
より成長溶液６をカセットでの成長室にあるいはるつぼ
底部に導入し、溶液を混合する。溶液６と９との混合は
ロッド３の上下動、回転等により実施でき、均一なもの
とすることができる。均一な混合および温度の安定化が
確保されたら、同様な温度プログラムに従って第２層目
のエピタキシャル成長を行う。かくして、連続的に成長
途中で基板を取出すことなしに、従って既に成長を終え
た膜の酸化などの問題なしに多量の基板を１サイクルの
操作で得ることができる。

実施例以下、実施例により本発明を更に具体的に説明すると共
に、その奏する効果を実証する。しかしながら、本発明
の範囲は以下の実施例により何等制限されるものではな
い。

実施例１本例では、液相エピタキシャル成長法により、LED用のG
aAlAsPN接合の成長を行った。まず、基板としてはZnド
ープのＰ型GaAsウエハを使用し、Ｐ型層（第１層）のド
ーパントとしてはZnを、またＮ型層（第２層）のドーパ
ントとしてはTeを夫々用いた。成長用溶液はGa融液を溶
媒とし、これに上記ドーパント、AlおよびAs源としての
ノンドープGaAsを夫々溶解させた。各成分の投入量は例
えば以下の第１表に示した通りである。このような条件
の下で、第１図に示した装置を用い、２種のサンプル
Ａ、Ｂを得た。また、各サンプルＡ、Ｂに対し、結晶成
長の温度プログラムは夫々第３図（ａ）および（ｂ）に
示す通りであった。

この方法で得られたエピタキシャル層を、従来の堅型デ
ィップ法と同様に一層目成長後、空気中に晒したものと
比較すると、一層目表面の酸化膜の影響によるPN界面の
凹凸が見られず、平坦な界面を有していることがわかっ
た。

発明の効果本発明の方法並びに装置によれば、二層以上のエピタキ
シャル層を形成する場合において、その成長過程におい
て成長表面が空気あるいは酸化性もしくはその他の悪影
響を与える雰囲気ガスに晒されることがないために酸化
等の恐れがまったくない。また、一度の成長操作で大量
のウエハ上に均一なエピタキシャル成長層を形成できる
ので、量産性に優れている。

更に、装置自体はコンパクトであり、場所をとらず、設
備は簡単である。

尚、カセット上部の溶液溜めの数を増すことにより、三
層あるいはそれ以上の多層構造のエピタキシャル成長を
一度の操作で行うこともできる。

本発明は二層以上の積層エピタキシャル薄膜を必要とす
る分野すべてに対して応用でき、例えばLED、半導体レ
ーザ等各種の半導体素子、デバイス等の作成のために利
用することができ、また高性能の製品を得るとができる
ものと期待される。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の装置の好ましい１態様を模式的な断面
図で示したものであり、第２図（ａ）および（ｂ）は同様に本発明の装置を第１
図とは別の好ましい１態様を説明するための模式的な平
面図（ａ）および断面図（ｂ）であり、第３図（ａ）および（ｂ）は夫々本発明の実施例におい
て利用したエピタキシャル成長の温度プログラムを示す
図である。（主な参照番号）１……るつぼ、２……カセット、３……ロッド、４、4₁
〜4₃……溶液溜め、５……皿、６……第２層成長用溶
液、７……溶液流出口、８……溝、９……第１層成長用
溶液、10……成長室、11……基板、12（12₁〜12₃）、1
4、16……開口、13……スリット、15……溝、17……管

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】炉内に支持されたるつぼと、該るつぼ内に
収容された成長用溶液に浸漬する基板を支持する支持部
材とを備えた装置を用い、所定の温度履歴の下で、複数
のエピタキシャル層を該基板上に形成させる液相エピタ
キシャル成長方法であって、円筒状側壁を有し且つ上方が開口したるつぼと、該るつ
ぼの側壁内面と相補的な側壁外面の形状を有し且つ内部
に成長室を備え該るつぼ内で上下に移動可能であると同
時に水平に回転可能なカセットと、該カセット内に収容
された基板支持部材と、該カセットの上端に装置され該
るつぼの内部に在る該カセットを該るつぼの外部から移
動または回転させる際に操作するロッドとを備え、更
に、該カセットの側壁に形成された該成長室を該カセッ
トの側面へ連通させる貫通孔と、該カセットの側壁外面
または該るつぼの側壁内面に形成された溝とを備えた装
置を用い、該ロッドを操作して該カセットを上下移動または水平回
転させることにより連通した該貫通孔および該溝を介し
て該成長室内に成長用溶液を導入または排出して、該基
板を該成長室から取り出すことなく、多層膜を連続的に
液相エピタキシャル成長させる操作を含むことを特徴と
する液相エピタキシャル成長方法。
【請求項２】前記多層膜が化合物半導体薄膜層であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の方法。
【請求項３】前記結晶成長用液がドーパントをも含むこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載
の方法。
【請求項４】炉内に支持されたるつぼと、該るつぼ内に
収容された成長用溶液に浸漬する基板を支持する支持部
材とを備え、所定の温度履歴の下で、該るつぼ内で該基
板上に複数のエピタキシャル層を形成させる液相エピタ
キシャル成長装置であって、円筒状側壁を有し且つ上方が開口したるつぼと、該るつ
ぼの側壁内面と相補的な側壁外面の形状を有し且つ内部
に成長室を備え該るつぼ内で上下に移動可能であると同
時に水平に回転可能なカセットと、該カセット内に収容
された基板支持部材と、該カセットの上端に装着され該
るつぼの内部に在る該カセットを該るつぼの外部から移
動または回転させる際に操作するロッドとを備え、更に、該カセットの側壁に形成された該成長室を該カセ
ットの側面へ連通させる貫通孔と、該カセットの側壁外
面または該るつぼの側壁内面に形成された溝とを備え、該カセットが所定の位置にあるときに該貫通孔と該溝と
が連通するように構成されていることを特徴とする液相
エピタキシャル成長装置。
【請求項５】少なくとも前記カセットが最下位置にある
ときに前記成長室よりも高い位置に配置され、該るつぼ
の側壁内面に連通した流出口を備えた、成長用溶液を収
容する溶液溜めを少なくとも１つ備えることを特徴とす
る特許請求の範囲第４項に記載された装置。
【請求項６】前記溶液溜めが前記カセットの上部に該カ
セットと一体に設けられ、且つ、該カセットが所定の位
置にあるときに前記流出口と連通するように前記るつぼ
の底部から連続して該るつぼの側壁内面に形成された溝
を備えることを特徴とする特許請求の範囲第５項に記載
された装置。
【請求項７】前記るつぼの底部に前記成長用溶液が収容
され、前記カセットが最下位置にあるときに前記貫通孔
を介して該成長用溶液が前記成長室内に流入するように
構成されていることを特徴とする特許請求の範囲第６項
に記載された装置。
【請求項８】前記カセットを移動または回転させること
により前記成長用溶液を撹拌することができるように構
成されていることを特徴とする特許請求の範囲第７項に
記載の装置。
【請求項９】前記るつぼの外部に複数の前記溶液溜めを
備え、該溶液溜めの各々が該るつぼの側壁内面に連通す
る流出口を備え、前記カセットが所定の位置にあるとき
に、該カセットの前記貫通孔が該流出口のいずれかと選
択的に連通するように構成されていることを特徴とする
特許請求の範囲第５項に記載の装置。
【請求項１０】前記カセットの底部側に外部へ連通する
流出口が設けられ、且つ、前記るつぼの底部に外部へ連
通する流出口が設けられ、更に、該るつぼの内壁内面に
該るつぼの底部から上方に延在して形成され所定の位置
で該カセットの該流出口と連通する溝を備え、該カセッ
トが該所定の位置にあるときに前記成長室内の成長用溶
液が該流出口および該溝を介して該るつぼの外部に排出
されるように構成されていることを特徴とする特許請求
の範囲第９項に記載の装置。
【請求項１１】前記支持部材が、複数の孔を有する皿状
の部材であることを特徴とする特許請求の範囲第４項か
ら第10項までの何れか１項に記載の装置。