JPH0752157B2 - Method and apparatus for detecting defective portion of test body - Google Patents
Method and apparatus for detecting defective portion of test bodyInfo
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- JPH0752157B2 JPH0752157B2 JP60200687A JP20068785A JPH0752157B2 JP H0752157 B2 JPH0752157 B2 JP H0752157B2 JP 60200687 A JP60200687 A JP 60200687A JP 20068785 A JP20068785 A JP 20068785A JP H0752157 B2 JPH0752157 B2 JP H0752157B2
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は集積回路の製造中に起生する欠陥部の検査、特
に試験体における欠陥部の存在を試験体に対応する光パ
ターンにて検出する方法及び装置に関するものである。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method and apparatus for inspecting a defective portion generated during manufacturing of an integrated circuit, and more particularly to a method and an apparatus for detecting the presence of the defective portion in a specimen by an optical pattern corresponding to the specimen. is there.
従来、超小形集積回路の製造に用いられるホトマスクに
おける欠陥部の存在を決定するのに、空間フィルタに関
連する光像を用いることが提案されている。斯様な作業
をする趣旨の装置は米国特許第4,000,949号に開示され
ている。It has previously been proposed to use an optical image associated with a spatial filter to determine the presence of defects in photomasks used in the fabrication of microminiaturized integrated circuits. A device intended to do such a work is disclosed in U.S. Pat. No. 4,000,949.
光学処理装置に組込んだホログラムで構成される光像
は、ホログラムの再生中に逆戻し光トレース技法を用い
ることができると云う点で特に有利である。逆戻し光ト
レースは、装置における光学部品によって導入され、し
かもホログラムを形成するために露光したホトマスクパ
ターンにおける欠陥部を表わす光線を広げることになる
収差をなくすのに有利である。このように光線を広げる
ことは、欠陥部の検出能力を損なう。逆戻し光トレース
技法を用いる装置は米国特許第4,516,833号に開示され
ている。Optical images composed of holograms incorporated into an optical processor are particularly advantageous in that the reverse optical tracing technique can be used during reproduction of the hologram. The backtracking light traces are advantageous in eliminating aberrations introduced by the optical components in the device and that would spread the rays that represent defects in the exposed photomask pattern to form the hologram. Spreading the light beam in this way impairs the ability to detect a defective portion. An apparatus using the reverse optical tracing technique is disclosed in US Pat. No. 4,516,833.
光パターンにおける欠陥像情報はつぎのような処置に基
いて検出することができる。規定の結像フィールドを有
している光感応デバイスを位置決めして、該デバイスを
露光させ、前記結像フィールドの大きさ及び形状の欠陥
像領域における光強度を測定し、ついで上記デバイスを
隣りの領域に動かして測定処理を繰返す。斯種の検出処
置における問題は、光感応デバイスを或る測定位置から
つぎの隣接位置へと移動させた後にそのデバイスを安定
させるのひ比較的長時間を要すると云うことにある。そ
の理由は、サブミクロンの寸法の像欠陥を検出し得るよ
うにするためには、欠陥像領域に対する光感応デバイス
の整列位置を安定させる必要があるからである。これが
ため、斯種の検出方式は全体にわたり比較的高能率の欠
陥検出速度(即ち、通常同一の素子を有しているアレイ
タイプのホトマスクを完全に検査するこのとのできる速
度)を必要とする用途には適用することができない。The defect image information in the light pattern can be detected based on the following treatment. A light sensitive device having a defined imaging field is positioned, the device is exposed, the light intensity in the defect image area of the size and shape of the imaging field is measured, and then the device is placed next to the device. Move to the area and repeat the measurement process. A problem with such detection procedures is that it takes a relatively long time to stabilize the photosensitive device after moving it from one measuring position to the next adjacent position. This is because it is necessary to stabilize the alignment position of the photosensitive device with respect to the defect image area in order to be able to detect image defects of submicron dimensions. For this reason, such detection schemes require relatively high overall defect detection speeds (ie, speeds that are capable of completely inspecting array-type photomasks, which usually have identical elements). It cannot be applied to the intended use.
本発明の目的は試験体における欠陥部の存在を、該試験
体に対応させる光パターンにて検出する方法及び装置を
提供することにある。An object of the present invention is to provide a method and an apparatus for detecting the presence of a defective portion in a test body by an optical pattern corresponding to the test body.
本発明の他の目的は、光像パターンを連続的に走査し
て、試験体におけるサブミクロンの寸法の欠陥部を高効
率の速度で検出するような装置を提供することにある。It is another object of the present invention to provide an apparatus for continuously scanning a light image pattern to detect defects of sub-micron size in a specimen at high efficiency.
さらに本発明の目的は、走査及び露光走査を調整して、
試験体における欠陥部に対する光パターンを検査するの
に必要な時間を短縮する機能を設けた上述した種類の装
置を提供することにある。A further object of the present invention is to adjust the scanning and exposure scanning,
An object of the present invention is to provide an apparatus of the type described above, which is provided with a function of shortening the time required to inspect a light pattern for a defective portion in a test body.
本発明のさらに他の目的は、光像の連続走査中に比較的
低い光強度の欠陥情報の検出を促進するような方法を提
供することにある。Yet another object of the present invention is to provide such a method that facilitates detection of relatively low light intensity defect information during successive scans of the light image.
本発明による方法及び装置を、ホトマスクを検出してこ
れらのホトマスクにおける欠陥部を検出するのに有効な
ホログラフィック結像装置による例につき説明する。結
像装置は検査下にあるホトマスクの物理的輪郭に寸法及
び外形が対応している欠陥像フィールドを出現させる。
像フィールドの検査領域を各々幅が約0.65ミリメートル
の縞領域に分割する。1つの縞領域の幅は、各縞領域を
走査するのに用いる光検出手段、即ちカメラの像、即ち
光学窓の最大の大きさに対応させる。カメラは、ラスタ
走査形式で縞領域に沿ってこのカメラを移動させるXY方
向位置決めテーブルに取付けられる電荷結合デバイスと
する。XY方向位置決めテーブル用の制御回路は、カメラ
が各縞領域を横切る際に、このカメラを公称定速度で動
かすようにする。The method and apparatus according to the invention will be described by way of example with a holographic imaging device which is effective for detecting photomasks and for detecting defects in these photomasks. The imager reveals a defect image field whose size and contour correspond to the physical contours of the photomask under examination.
The inspection area of the image field is divided into striped areas each having a width of about 0.65 mm. The width of one stripe area corresponds to the maximum size of the image of the photo-detecting means, ie the camera, ie the optical window used to scan each stripe area. The camera is a charge-coupled device attached to an XY positioning table that moves the camera along the striped area in raster scan format. The control circuitry for the XY positioning table causes the camera to move at a nominal constant velocity as it traverses each stripe area.
ホトマスクにおける欠陥部の存在は、第2画素アレイに
分割される各縞領域の光存在個所を検出することにより
決定する。電荷結合デバイス(カメラ)は、256行403列
の第1アレイに配列した多数の光検出素子で構成する。
本発明の好適例では、各光検出素子が16ミクロン×20ミ
クロンの長方形のアパーチャを有するようにする。第1
アレイの大きさは第2画素アレイの大きさに規定し、各
画素は光検出素子の寸法に比例する大きさとする。光検
出素子の列の数は画素の列の数に等しくし、かつ光検出
素子の列の数は縞領域の幅に規定する。欠陥像フィール
ドの像を10倍に拡大するレンズによって画素及び光検出
素子の寸法を等しくする。The presence of the defective portion in the photomask is determined by detecting the light existing portion of each stripe area divided into the second pixel array. The charge-coupled device (camera) is composed of a large number of photodetector elements arranged in a first array of 256 rows and 403 columns.
In the preferred embodiment of the invention, each photodetector element has a rectangular aperture of 16 microns by 20 microns. First
The size of the array is defined as the size of the second pixel array, and each pixel has a size proportional to the size of the photodetecting element. The number of rows of photodetectors is equal to the number of rows of pixels, and the number of rows of photodetectors is defined by the width of the stripe area. The size of the pixel and photodetector is made equal by a lens that magnifies the image in the defect image field by a factor of 10.
走査期間中に電荷結合デバイスは縞領域の長さに沿う方
向に第1アレイの列を連続的に横切り、しかも光検出素
子が整列する画素における光強度に対応する測定エネル
ギー値を行毎に獲得する。好適例では、電荷結合デバイ
スの光検出素子に発生する電荷量が測定エネルギー値を
表わすようにする。このエネルギー値は光強度により発
生した電荷量と光検出素子の露光時間との積に比例す
る。During the scanning period, the charge-coupled device continuously traverses the columns of the first array in a direction along the length of the fringe area, and obtains a row-by-row measured energy value corresponding to the light intensity at the pixels with which the photodetector elements are aligned. To do. In the preferred embodiment, the amount of charge generated in the photodetection element of the charge coupled device is representative of the measured energy value. This energy value is proportional to the product of the amount of charge generated by the light intensity and the exposure time of the photodetector.
或る行の各画素にて測定された電荷量は、縞領域に沿う
カメラデバイスの移動と同期されるも、逆方向に対応す
る列に沿って逐次シフトさせる。第1アレイの最終行に
おけ各光検出素子の総電荷量は、通常その光検出素子が
整列する画素の電荷量の256倍に相当する。光検出素子
は整合した電気的特性を有さないため、所定の画素に存
在する光に応答して発生する電荷量は他の別の光検出素
子に対して相違する。これがため、第1アレイの最終行
における各光検出素子の総電荷量は、それに対応する画
素に対する平均総電荷量を表わす。The amount of charge measured at each pixel in a row is synchronized with the movement of the camera device along the striped area, but is sequentially shifted along the corresponding column in the opposite direction. In the last row of the first array, the total amount of electric charge of each photodetecting element normally corresponds to 256 times the amount of electric charge of the pixel in which the photodetecting element is aligned. Since the photo-detecting element does not have matching electrical characteristics, the amount of charge generated in response to light existing in a given pixel is different from that of another photo-detecting element. Therefore, the total charge amount of each photodetecting element in the last row of the first array represents the average total charge amount for the corresponding pixel.
光検出素子の最終行における各画素に対し累積された25
6の総エネルギー値をビデオ増幅器及びアナログ−ディ
ジタル変換器によってディジタル形態に変換し、これを
スレッショールド検出器に転送して、この検出器により
光量がホトマスクにおける欠陥の存在を示しているか否
かを決定する。電荷結合デバイスが縞領域に沿って1つ
の行幅の距離走行すると、403個のすべての電荷量がス
レッショールド検出器によって処理される。スレッショ
ールド検出器が欠陥の存在を検出すると、X−Y方向の
位置決めテーブルの位置座標が、画素の列を識別する情
報及びディジタル形態の総電荷量と相俟って大きなディ
ジタルメモリユニットに記憶される。25 accumulated for each pixel in the last row of photo detectors
The total energy value of 6 is converted into digital form by a video amplifier and an analog-to-digital converter and transferred to a threshold detector, which indicates whether the light quantity indicates the presence of defects in the photomask. To decide. When the charge-coupled device travels one row width along the striped area, all 403 charge quantities are processed by the threshold detector. When the threshold detector detects the presence of a defect, the position coordinates of the positioning table in the XY directions are stored in a large digital memory unit in combination with the information identifying the column of pixels and the total amount of charge in digital form. To be done.
電荷結合デバイスが1つの縞領域の走査を完了すると、
位置決めテーブルの段が別の出発位置に逆戻りして、つ
ぎの隣接縞領域の走査を開始する。各縞領域に対する出
発及び停止位置の双方における過走査境界部によってX
−Y方向の位置決めテーブルの加速及び減速用領域を規
定し、これにより縞領域全体にわたり公称定速度で連続
走査することができる。この処理は欠陥光像フィールド
の全検査領域が走査されるまで繰返す。Once the charge coupled device has completed scanning one stripe area,
The step of the positioning table moves back to another starting position, and scanning of the next adjacent fringe area is started. X due to overscan boundaries at both start and stop positions for each stripe area
The acceleration and deceleration areas of the positioning table in the -Y direction are defined, which allows continuous scanning at a nominal constant speed over the entire stripe area. This process is repeated until the entire inspection area of the defective optical image field has been scanned.
エネルギー値の獲得中に電荷結合デバイスによって欠陥
像フィールドを連続的に走査することによって、速い処
理速度にてホトマスクを検査することができる。欠陥像
フィールドにおける上記スレッショールド情報に連続走
査能力を組合わせるだけで、比較的低強度の光領域によ
って表わされるサブミクロンの寸法の欠陥部を迅速に検
出することができる。By continuously scanning the defect image field with the charge coupled device during the acquisition of energy values, the photomask can be inspected at high processing speeds. Only by combining the threshold information in the defect image field with continuous scanning capability, sub-micron sized defects represented by relatively low intensity light regions can be quickly detected.
以下図面につき本発明を説明する。The present invention will be described below with reference to the drawings.
第1図はクロムを被着したガラス板の如き透過性のホト
マスク10を線図的に示したものであり、これは距離14だ
け相対的に離間させた通常同一の写真像素子12から成る
プレーナーアレイを含んでいる。各像素子12は一部ホト
マスクを用いて造られる集積回路デバイスの或る層に対
応する回路パターンを規定する。ホトマスク10は辺が16
a,16b,16c及び16dの長方形である。像素子12の数は代表
的には20〜500個とするが、特定の場合にはそれよりも
少なくしたり、又は多くしたりすることもある。十字架
(レティクル)と称される注目すべきタイプのホトマス
クは1個の像素子を有しているだけである。FIG. 1 shows diagrammatically a transparent photomask 10, such as a glass plate coated with chrome, which is a planer consisting of generally identical photographic image elements 12 separated by a distance 14. Contains an array. Each image element 12 defines a circuit pattern that corresponds to a layer of an integrated circuit device that is partially fabricated using a photomask. Photomask 10 has 16 sides
It is a rectangle of a, 16b, 16c and 16d. The number of image elements 12 is typically 20 to 500, but may be smaller or larger than that in specific cases. A remarkable type of photomask, called a reticle, has only one image element.
第2A及び2B図は、それぞれホトマスク10のホログラムを
作製したり、そのホログラムからホトマスクに対応する
欠陥像を出現させたりするための光学的処理装置を示
す。斯種装置を用いてホトマスクの欠陥部を調べる光学
的処理については前記米国特許第4,516,833号に詳述さ
れている。2A and 2B respectively show an optical processing device for producing a hologram of the photomask 10 and for causing a defect image corresponding to the photomask to appear from the hologram. The optical process of examining such photomasks for defects using such an apparatus is described in detail in U.S. Pat. No. 4,516,833.
第2A図を参照するに、主ビーム18はホトマスク10を照射
し、このホトマスクはこれに入射する光線を回折する。
ホトマスクにて回折された光線20は結像レンズ22を通過
し、かつその結像レンズの後方焦平面内におけるフーリ
エ変換面26を越した位置にて参照ビーム24と干渉する。
光線20と参照ビーム24は写真記録媒体にて干渉してホロ
グラム28を形成する。このホログラム28はホトマスク10
のパターン及びこのホトマスクに存在する欠陥部に関す
る光情報を記録する。Referring to FIG. 2A, the main beam 18 illuminates a photomask 10, which diffracts the light rays incident on it.
The light beam 20 diffracted by the photomask passes through the imaging lens 22 and interferes with the reference beam 24 at a position beyond the Fourier transform plane 26 in the back focal plane of the imaging lens.
Ray 20 and reference beam 24 interfere at the photographic recording medium to form hologram 28. This hologram 28 is a photomask 10
Pattern and the optical information relating to the defective portion existing in this photomask are recorded.
第2B図を参照するに、ホトマスク10の三次元像10′は同
じ光学処理系にてホログラム28から再生され、斯かる光
学処理系は空間フィルタ30も含んでおり、このフィルタ
は誤差のないホトマスク基準パターンをフーリエ変換す
る。空間フィルタ30はフーリエ変換面26に位置させる。
ホログラム28を光ビーム24′によって照射するが、この
光ビームはコヒーレントな光とするも、参照ビーム24の
共役方向に伝搬するものとする。空間フィルタ30は再生
ホログラフィック光パターンからホトマスクパターンに
対応する光情報を除去する。空間フィルタ30によって阻
止されなかった光情報又は光線20′は結像レンズ22によ
り再結像され、これはホトマスクパターンに存在する欠
陥部を表わす。ホログラフィック像10′は強度が比較的
低い光領域となる。このホログラフィック像10′によっ
て約0.5ミクロンのようなサブミクロンの寸法のホトマ
スク欠陥部を評することができる。ホログラフィック欠
陥像10′における光領域は、それに対応する欠陥部がホ
トマスク10に現われるのと相対的に同じ位置に現われ
る。Referring to FIG. 2B, the three-dimensional image 10 'of the photomask 10 is reconstructed from the hologram 28 in the same optical processing system, which also includes a spatial filter 30 which is an error free photomask. Fourier transform the reference pattern. The spatial filter 30 is located on the Fourier transform plane 26.
The hologram 28 is illuminated with a light beam 24 ', which is assumed to be coherent light but propagate in the conjugate direction of the reference beam 24. The spatial filter 30 removes the optical information corresponding to the photomask pattern from the reproduced holographic light pattern. The optical information or light rays 20 'that were not blocked by the spatial filter 30 are re-imaged by the imaging lens 22 which represents the defects present in the photomask pattern. The holographic image 10 'becomes a light region having a relatively low intensity. This holographic image 10 'allows photomask defect features of sub-micron dimensions such as about 0.5 microns to be characterized. The light areas in the holographic defect image 10 'appear at the same relative positions where the corresponding defect appears in the photomask 10.
第3図はホトマスク10における欠陥部の存在を、これら
の欠陥部に対応するホログラフィック欠陥像10′にて検
出するための走査機構を線図的に示したものである。欠
陥像フィールド32は、光学処理系における光強度が比較
的低い静止空間光像10′が現われる領域を表わす。この
欠陥像フィールド32はホトマスク10の各辺10a,16b,16c
及び16dに対応する辺34a,34b,34c及び34dによって規定
されるが、必ずしもホトマスク10と全く同じ寸法とする
必要はない。好適例では、仮想線にて示してあるレンズ
35によって後に詳述する理由のために、欠陥像フィール
ド32に存在する欠陥像10′の大きさをホトマスク10にお
ける欠陥部の大きさに対して10倍とする。FIG. 3 diagrammatically shows a scanning mechanism for detecting the presence of defective portions in the photomask 10 in the holographic defect image 10 'corresponding to these defective portions. The defect image field 32 represents a region where the static spatial light image 10 'in which the light intensity in the optical processing system is relatively low appears. The defect image field 32 is formed on each side 10a, 16b, 16c of the photomask 10.
, And 16d corresponding to sides 34a, 34b, 34c and 34d, but not necessarily exactly the same size as photomask 10. In the preferred example, the lens is shown in phantom
The size of the defect image 10 'present in the defect image field 32 is 10 times the size of the defect in the photomask 10 for reasons to be described in more detail below with reference to 35.
ホトマスク10の存在する欠陥部は、光強度が所定の限界
値以上となる領域を欠陥像フィールド32の検査領域36内
にて検出することにより決定する。検査領域36は第1図
のホトマスク10の各辺に隣接する像素子12の辺によって
規定される破砕外形線38内に包含されるスペースを含ん
でいる。The defective portion where the photomask 10 exists is determined by detecting a region where the light intensity is equal to or higher than a predetermined limit value in the inspection region 36 of the defect image field 32. The inspection area 36 includes the space contained within the fracture outline 38 defined by the sides of the image element 12 adjacent each side of the photomask 10 of FIG.
像フィールド32内に現われる欠陥像10′は水平面40に収
劔する光線20′によて形成される。レンズ35は水平面40
の下側に、この面に現われる欠陥像の10倍の大きさの欠
陥像を形成する。欠陥部の検出は、光検出手段、即ちカ
メラ42でラスタタイプの形態で検査領域36を走査して、
光の存在を感知することにより行なう。この場合の走査
処置は水平面40及びレンズ35に平行で、しかもこれらの
下側に位置する平面44内にて行なう。好適例では、カメ
ラ42を電荷結合デバイスから成る固体撮像装置とする。
斯種の装置には、例えば米国のRCA社により製造されて
いるモデルSID504電荷結合デバイスがある。The defect image 10 'appearing in the image field 32 is formed by the rays 20' which converge in the horizontal plane 40. Lens 35 is horizontal 40
A defect image 10 times larger than the defect image appearing on this surface is formed on the lower side. The detection of the defective portion is carried out by scanning the inspection area 36 in the form of a raster type with the light detecting means, that is, the camera 42,
It does this by sensing the presence of light. The scanning procedure in this case is carried out in a plane 44 parallel to the horizontal plane 40 and the lens 35, and below them. In the preferred example, the camera 42 is a solid-state imager comprising a charge coupled device.
Such a device is, for example, the model SID 504 charge coupled device manufactured by RCA Corporation of the United States.
カメラ42及びレンズ35はプレート46の上に支持し、この
プレート46はX−Y方向の位置決めをするテーブル48の
一部を構成し、斯かるテーブルにより平面44内のカメラ
42を、欠陥像フィールド32における任意の位置と整列さ
せるように位置付けすることができる。位置決めテーブ
ル48の頂部、即ちY−段50はプレート46を支持し、かつ
カメラ42を平面44内にてY−方向に沿って動かす。位置
決めテーブ48の底部、即ちX−段52はカメラ42を平面44
内でX−方向に沿って動かす。斯種のX−Y方向の位置
決めテーブルとして好適なものには例えば米国カリフォ
ルニア州所在のリッチモンド(Richmond)社にて市販さ
れているモデル8500がある。The camera 42 and the lens 35 are supported on a plate 46, which plate 46 forms part of a table 48 for positioning in the XY direction, by means of which the camera in the plane 44 lies.
42 can be positioned to align with any position in defect image field 32. The top of the positioning table 48, the Y-step 50, supports the plate 46 and moves the camera 42 in the plane 44 along the Y-direction. The bottom of the positioning table 48, the X-step 52, directs the camera 42 to the plane 44.
Move along the X-direction inside. A suitable such XY positioning table is, for example, the Model 8500 available from Richmond of California, USA.
第4A及び4B図は、それぞれ第3図の検査領域36の左下隅
部の外形線と、そこを走査するカメラ42のラスタ走査路
を拡大して示す線図である。第5図は第4B図の縞領域の
部分を拡大したものであり、これは第1アレイの光検出
素子の寸法とレンズ35で10倍に拡大して得られる第2ア
レイの画素の寸法とを1対1に対応させて示したもので
ある。4A and 4B are enlarged diagrams showing the outline of the lower left corner of the inspection area 36 of FIG. 3 and the raster scanning path of the camera 42 that scans the outline. FIG. 5 is an enlarged view of the striped area in FIG. 4B, which shows the dimensions of the photodetector elements of the first array and the dimensions of the pixels of the second array obtained by enlarging the lens 35 by 10 times. In a one-to-one correspondence.
第3,4A,4B及び5図を参照するに、カメラ42は検出すべ
き光を通す光学窓54を有している。この光学窓54は、そ
の長さを規定する辺56及び58と、その光学窓の幅を規定
する辺60及び62とを有している長方形とする。Referring to Figures 3, 4A, 4B and 5, the camera 42 has an optical window 54 through which the light to be detected is passed. The optical window 54 is rectangular with sides 56 and 58 defining its length and sides 60 and 62 defining the width of the optical window.
通常の走査動作では、位置決めテーブル48によってカメ
ラ42を出発位置66からX−方向に走査路セグメント64a
に沿って動かして、光学窓54の辺62を検査領域36のセグ
メント68と整列させる。光学窓54の辺56及び58はY−方
向に平行であり、これらの辺は縞領域72(第3図では3
つの縞領域を示してある)の幅70を規定し、これらの各
縞領域はカメラ42がX−方向に動く際に、カメラが検査
領域36を横切る部分を表わす。光学窓54の辺56が検査領
域36のセグメント74を通過して動いた後には、位置決め
テーブル48によってカメラ42を第2の出発位置78まで戻
り通路をセグメント76aに沿って動かして、第2の隣接
する縞領域72を走査する。斯かるカメラの逆戻し操作
(以後「リトレース操作」とも称する)期間中にはY−
段50によってカメラ42を縞領域72の幅に等しい距離だけ
Y−方向に動かすと共に、X−段52によってカメラ42を
走査路セグメント64aの長さに等しい距離だけX−方向
に逆方向に動かす。リトレース操作の後には位置決めテ
ーブル48によってカメラ42を走査路セグメント64bに沿
って出発位置78からX−方向に動かして、幅が70の第2
縞領域72にカメラを横切らせる。In normal scanning operation, the positioning table 48 causes the camera 42 to move from the starting position 66 in the X-direction to the scan path segment 64a.
Move along to align the side 62 of the optical window 54 with the segment 68 of the examination region 36. The sides 56 and 58 of the optical window 54 are parallel to the Y-direction, and these sides are the striped areas 72 (3 in FIG. 3).
The width 70 of the two striped regions is shown), each striped region representing the portion of the camera that traverses the inspection region 36 as the camera 42 moves in the X-direction. After the side 56 of the optical window 54 has moved past the segment 74 of the examination area 36, the positioning table 48 causes the camera 42 to move the return path along the segment 76a to the second starting position 78 to move the second path. Scan adjacent stripe regions 72. During such a reverse operation (hereinafter also referred to as "retrace operation") of the camera, Y-
Step 50 moves camera 42 in the Y-direction by a distance equal to the width of stripe region 72, while X-step 52 moves camera 42 in the X-direction in the opposite direction by a distance equal to the length of scan path segment 64a. After the retrace operation, the positioning table 48 moves the camera 42 along the scan path segment 64b from the starting position 78 in the X-direction to a second width 70.
Cross the camera in the striped area 72.
上述した走査及びリトレース処理は、カメラ42が全検査
領域36を横切るまで繰返す。しかし、走査路及びリトレ
ース通路セグメントの長さには、検査領域36のX−方向
における寸法の相違に相当する相違がある。The above-described scanning and retrace processing is repeated until the camera 42 crosses the entire inspection area 36. However, there are differences in the lengths of the scan path and retrace path segments that correspond to the size differences of the inspection region 36 in the X-direction.
特に、第5図を参照するに、カメラ42は光検出素子84を
行86と、列88に配列したアレイ82を含むRCAモデルSID50
4電荷結合デバイスとするのが好適である。アレイ82は
光検出素子84を256行403列有している。行86とは走査方
向に対して垂直のライン(即ちY−方向)に配置される
1群の光検出素子84のことであり、列88とは走査方向に
平行なライン(X−方向)に配置される1群の光検出素
子84のことである。各行86及び各列88の長さはそれぞれ
6.5ミリメートル及び4.9ミリメートルとする。各検出素
子84の長さは20ミクロンとし、幅は16ミクロとする。こ
れがため、各縞領域72の幅は403個の光検出素子が誇る
全長に等しくなる。各光検出素子84は、その素子に整列
する検査領域36の部分から出る光線を光学窓54を経て受
光して、この素子に入射する光線の強度に相当する量の
電荷、即ち測定エネルギー値をその素子のポテンシャル
井戸に蓄積する。In particular, referring to FIG. 5, the camera 42 includes an RCA model SID50 that includes an array 82 of photo detectors 84 arranged in rows 86 and columns 88.
Preferably it is a four-charge coupled device. The array 82 has photo detectors 84 in 256 rows and 403 columns. The row 86 is a group of photodetector elements 84 arranged in a line perpendicular to the scanning direction (that is, the Y-direction), and the column 88 is a line parallel to the scanning direction (the X-direction). It is a group of photodetector elements 84 arranged. The length of each row 86 and each column 88 is respectively
6.5 mm and 4.9 mm. Each sensing element 84 has a length of 20 microns and a width of 16 microns. Therefore, the width of each stripe area 72 is equal to the total length of the 403 photodetection elements. Each photo-detecting element 84 receives a light beam emitted from a portion of the inspection region 36 aligned with that element through the optical window 54 and outputs an amount of electric charge corresponding to the intensity of the light beam incident on this element, that is, a measured energy value. It accumulates in the potential well of the device.
検査領域36の各縞領域72を画素92から成るアレイ90に分
割し、これらの各画素の寸法はレンズ35の作用によりア
レイ82の光検出素子84と同一寸法とする。アレイ90の画
素92は行94と列96に配置し、各行の画素数は403個と
し、各列の画素数は縞領域72の長さによって決められる
個数とする。縞領域内の光の存在は、カメラ42の光学窓
54を各縞領域72に沿って動かして、その光強度に対応す
るエネルギー値をつぎの処理に従って各画素92にて得る
ことにより検出する。Each stripe area 72 of the inspection area 36 is divided into an array 90 composed of pixels 92, and the size of each of these pixels is made the same as that of the photo-detecting element 84 of the array 82 by the action of the lens 35. The pixels 92 of the array 90 are arranged in rows 94 and columns 96, the number of pixels in each row is 403, and the number of pixels in each column is determined by the length of the stripe area 72. The presence of light in the striped area is determined by the optical window of camera 42.
The pixel 54 is moved along each stripe region 72, and the energy value corresponding to the light intensity is obtained at each pixel 92 according to the following processing to detect.
X−段52は光学窓54の辺58が検査領域36のセグメント98
と同一直線上に並ぶまで光学窓54を出発位置66からX−
方向の右へ向けて加速することにより走査処理を開始す
る。ついでX−段52は光学窓54を縞領域72に沿って公称
速度にて移動させる。In the X-stage 52, the side 58 of the optical window 54 is a segment 98 of the examination area 36.
Optical window 54 from the starting position 66 until X-
The scanning process is started by accelerating to the right of the direction. The X-stage 52 then moves the optical window 54 along the fringe area 72 at nominal speed.
第1アレイ82の第1行86aにおける光検出素子84が第2
アレイ90の第1行94aにおける画素92と整列する際に
は、つぎのような事象が起る。行86aの各光検出素子84
のポテンシャル井戸に電荷が発生する。この電荷量は画
素に存在する光の強度に対応する。(光検出素子84のポ
テンシャル井戸は、縞領域72の走査以前はそれらに蓄積
される電荷を全く有していない。)アレイ82の各行86に
供給される行転送クロック信号は、行86aにおける各光
検出素子84からの電荷を同じ列88ではあるが、横隣り,
即ち第2行86bにおける光検出素子に転送する。この転
送は光検出素子と画素とが互いに整列する頃に起る。
(X−段52は光学窓54を縞領域72に沿って連続的に動か
すため、画素の隣接する行間のエイリアシングによる象
の劣化は無視し得る程度となる。)行86aから行86bへの
電荷の転送後には、行86aにおける光検出素子84のポテ
ンシャル井戸に蓄積電荷は存在しなくなる。The photodetector elements 84 in the first row 86a of the first array 82 are second
In aligning with pixel 92 in the first row 94a of array 90, the following events occur. Each photodetector 84 in row 86a
A charge is generated in the potential well of. This charge amount corresponds to the intensity of light existing in the pixel. (The potential wells of photodetector element 84 do not have any charge stored on them prior to scanning stripe region 72.) The row transfer clock signal provided to each row 86 of array 82 is Although the charges from the photodetector 84 are in the same row 88, they are next to each other,
That is, the light is transferred to the photodetector in the second row 86b. This transfer occurs when the photodetector and the pixel are aligned with each other.
(Since the X-stage 52 continuously moves the optical window 54 along the striped region 72, elephant degradation due to aliasing between adjacent rows of pixels is negligible.) Charge from row 86a to row 86b After the transfer, the accumulated charge does not exist in the potential well of the photodetector element 84 in the row 86a.
第2行86bにおける光検出素子84がアレイ90の第2行94b
における画素92と整列する際にはつぎのような事象が起
る。行86a及び86bの各光検出素子84のポテンシャル井戸
に電荷が発生する。行86bにおける各光検出素子84に発
生する電荷量は、その素子に以前転送された電荷に加え
られる。これがため、行86bにおける光検出素子84の電
荷量は、マレイ90の行94aの各列における画素92に存在
する光強度に対応する2つのエネルギー値を表わす。行
転送クロック信号は、行86b及び行86aにおける各光検出
素子84からの電荷をそれぞれ同じ列88ではあるが、横隣
りの第3行86c及び第2行86bの光検出素子に転送する。The photo detectors 84 in the second row 86b are the second row 94b of the array 90.
When aligned with pixel 92 at, the following events occur. Electric charges are generated in the potential wells of the photo-detecting elements 84 of the rows 86a and 86b. The amount of charge generated in each photodetector element 84 in row 86b is added to the charge previously transferred to that element. Therefore, the charge amount of the photodetector element 84 in row 86b represents two energy values corresponding to the light intensity present in the pixel 92 in each column of the row 94a of the Murray 90. The row transfer clock signal transfers the charges from the photodetecting elements 84 in the rows 86b and 86a to the photodetecting elements in the third row 86c and the second row 86b that are laterally adjacent to each other, though in the same column 88.
行86における光検出素子84にてこの検出素子と整列する
画素92の光強度に対応するエネルギー値を獲得し
(1)、かつそのエネルギー値を同じ列88ではあるが、
画素92と以前整列したことのない隣りの行86の光検出素
子84に転送する(2)上述した処置を行転送クロック信
号の255サイクルにわたり繰返す。The photodetector element 84 in row 86 obtains the energy value corresponding to the light intensity of the pixel 92 aligned with this detector element (1), and that energy value is in the same column 88,
The pixel 92 is transferred to the photodetector element 84 of an adjacent row 86 that has not been previously aligned (2) The above procedure is repeated for 255 cycles of the row transfer clock signal.
255回にわたる斯様な行から行への転送が完了すると、
アレイ82の256番目、即ち最終行86dの光検出素子がアレ
イ90の第1行94aにおける画素92と整列する。第1行94a
の各画素92に対する先に累積された255のエネルギー値
は、最終行86dの各光検出素子84によって獲得された256
番目のエネルギー値に加算される。256番目の行転送ク
ロック信号の発生以前に、行94aの画素92に対応する403
個の光検出素子84に累積されたエネルギー値が高速デー
タ転送クロック信号によって直列的に読出される。画素
92に対する累積エネルギー値をディジタル形態に変換
し、かつスレッショールド(限界値)検出器によって処
理して、各画素92に存在する光量がホトマスク10の対応
する位置における欠陥の存在を示すか否かを決定する。After 255 such row-to-row transfers are completed,
The 256th or final row 86d of the array 82, or photodetector element in the last row, is aligned with the pixel 92 in the first row 94a of the array 90. First line 94a
The previously accumulated energy value of 255 for each pixel 92 in the 256 rows of 256 pixels acquired by each photodetector element 84 in the last row 86d.
Is added to the th energy value. Prior to the generation of the 256th row transfer clock signal, 403 corresponding to the pixel 92 of row 94a.
The energy value accumulated in each photodetector element 84 is serially read by the high speed data transfer clock signal. Pixel
Whether the accumulated energy value for 92 is converted to digital form and processed by a threshold detector to determine whether the amount of light present at each pixel 92 indicates the presence of a defect at the corresponding location on the photomask 10. To decide.
行転送クロック信号の256番目のサイクルが発生する
と、第2行94bの各画素92に対して以前累積されたエネ
ルギー値が最終行86dの各光検出素子84によって獲得さ
れた256番目のエネルギー値に加算される。行転送クロ
ック信号の257番目のサイクルが発生する前に、行94bの
各画素92に対応する403個の光検出素子の内容が上述し
たように読出されて、処理される。When the 256th cycle of the row transfer clock signal occurs, the energy value previously accumulated for each pixel 92 in the second row 94b becomes the 256th energy value acquired by each photodetector element 84 in the last row 86d. Is added. Before the 257th cycle of the row transfer clock signal occurs, the contents of the 403 photodetector elements corresponding to each pixel 92 in row 94b are read and processed as described above.
行転送クロック信号の各連続サイクルの間に、アレイ90
の行94及び列96における各画素92に対する256のエネル
ギー値がアレイ82の対応する列88及び86の光検出素子84
に累積される。During each successive cycle of the row transfer clock signal, array 90
Of 256 energy values for each pixel 92 in row 94 and column 96 of the array of photodetectors 84 in corresponding columns 88 and 86 of array 82.
Accumulated in.
本発明の走査方法を特徴付けるエネルギー値の累積につ
いてはは幾つかの一般的な局面がある。先ず、行86aの
各光検出素子84は、この素子と整列する画素92の内のい
れも画素に対するエネルギー値以上のエネルギーを決し
て蓄積しない。第2として、或る特定94における画素92
と目下整列しているアレイ82の或る行86における光検出
素子84は常に、それらの素子に以前累積されたエネルギ
ー値よりも高くなり、画素92の上記特定行94を以前整列
した隣りの行86の光検出素子84におけるエネルギー値よ
りも高くなる。第3として、行86dにおける各光検出素
子84は、その素子が整列している画素92に存在する光に
対応する256のエネルギー値を累積する。There are several general aspects to the accumulation of energy values that characterize the scanning method of the present invention. First, each photodetector element 84 in row 86a never stores more than the energy value for that pixel in any of the pixels 92 aligned with that element. Second, the pixel 92 in a particular 94
The photodetector elements 84 in one row 86 of the array 82 that are currently aligned with are always higher than the energy values previously accumulated in those elements, and the adjacent row previously aligned with that particular row 94 of pixels 92. It becomes higher than the energy value in the photodetector element 84 of 86. Third, each photodetector element 84 in row 86d accumulates 256 energy values corresponding to the light present in the pixel 92 with which it is aligned.
光学窓54の辺56が検査領域36のセグメント74を通過した
後には、縞領域72の走査が完了し、アレイ90の最終行94
dにおける画素92に対する累積エネルギー値が、アレイ8
2の最終行86dの光検出素子84から読出されたことにな
る。X−段52は光学窓54を減速させて、停止位置100に
て止める。第5図では、この停止位置に光学窓54を破線
にて示してある。X−段52及びY−段50はカメラ42を通
路セグメント76aに沿って逆戻りさせて、つぎの出発位
置78に光学窓54を位置付ける。つぎの横隣りの縞領域72
を走査する準備における斯かる時間中に、光検出素子84
のポテンシャル井戸をクリヤさせる。第2及びそれに続
く縞領域72の走査及びリトレース走査は前述した所と様
にして行なう。After the side 56 of the optical window 54 has passed the segment 74 of the examination area 36, the scanning of the stripe area 72 is complete and the last row 94 of the array 90 is reached.
The cumulative energy value for pixel 92 at d is array 8
This means that the data is read from the photodetector element 84 in the second last row 86d. The X-stage 52 slows down the optical window 54 and stops at the stop position 100. In FIG. 5, the optical window 54 is indicated by a broken line at this stop position. The X-stage 52 and the Y-stage 50 reverse the camera 42 back along the passage segment 76a to position the optical window 54 at the next starting position 78. Next horizontal stripe 72
During such time in preparation for scanning the
Clear the potential well of. The second and subsequent stripe region 72 scans and retrace scans are performed as previously described.
第6図は欠陥部に対するホログラフィック欠陥像を走査
するための本発明による装置のブロック線図である。第
7図は第6図の装置に含まれる汎用コンピュータによっ
て実行させる種々の機能の相間関係を示す流れ図であ
る。第6図の走査装置の動作についての下記の説明は、
第7図の流れ図における適当な処理又は判定ブロックに
おける挿入句を参照して行なう。FIG. 6 is a block diagram of an apparatus according to the present invention for scanning a holographic defect image for defects. FIG. 7 is a flow chart showing the interphase relationship of various functions executed by the general purpose computer included in the apparatus of FIG. The following description of the operation of the scanning device of FIG.
This is performed by referring to the appropriate processing in the flowchart of FIG. 7 or the inset phrase in the decision block.
第6及び7図を参照するに、走査装置200には汎用コン
ピュータ202を用いて、X−Y方向の位置決めテーブル4
8の動作を制御すると共に、アレイ90の画素92に存在す
る光の強度に対応する測定エネルギー値をアレイ90の行
94及び列96によって獲得し、かつ識別する。走査処理を
開始する前にコンピュータ202のメモリに所定の初期情
報を入れる(第7図の処理ブロック300)。初期情報
は、或る特定ホトマスク10に対応する検査領域36の輪郭
及び寸法とX−段52の走査速度及び加速並びに減速速度
と、縞領域72の幅70の寸法を含んでいる。X−Y位置決
めテーブル48は各X及びY−段に対して精密な光エンコ
ーダを有している。各光エンコーダは各段の4ミクロン
の変位に対して1個のパルスを発生する。カメラ42の正
確な瞬時位置は、先ずその光学窓の辺58を検査領域36の
セグメント98と視覚的に整列させ、ついでX−段52及び
Y−段50の位置座標を記録することによって設定する
(第7図、処理ブロック302)。この基準位置をコンピ
ュータ202のメモリに入力させると共に、この基準位置
に対するカメラ42の瞬時位置をモニタする。Referring to FIGS. 6 and 7, a general-purpose computer 202 is used as the scanning device 200, and a positioning table 4 in the XY directions is used.
In addition to controlling the operation of the array 90, the measured energy value corresponding to the intensity of the light present in the pixel 92 of the array 90 is displayed in the array 90 row.
Acquire and identify by 94 and column 96. Prior to starting the scanning process, certain initial information is placed in the memory of computer 202 (processing block 300 of FIG. 7). The initial information includes the contour and size of the inspection area 36 corresponding to a particular photomask 10, the scan and acceleration and deceleration rates of the X-stage 52, and the width 70 of the stripe area 72. The XY positioning table 48 has precision optical encoders for each X and Y stage. Each optical encoder produces one pulse for each stage of 4 micron displacement. The exact instantaneous position of the camera 42 is set by first visually aligning its optical window side 58 with the segment 98 of the examination area 36 and then recording the X-stage 52 and Y-stage 50 position coordinates. (FIG. 7, processing block 302). This reference position is input to the memory of the computer 202, and the instantaneous position of the camera 42 with respect to this reference position is monitored.
コンピュータ202は、第1縞領域72の走査準備のために
カメラ42に対する出発位置66及び停止位置100をコンピ
ュータのメモリに記憶させたホトマスクの輪郭及び基準
位置情報から計算する(第7図、処理ブロック304)。
コンピュータ202はアレイ90に対するカメラ42の位置も
計算し、この間に読取り可能信号を発生する。読取り可
能信号によって、上記スレッショールド累積エネルギー
を、口述するようにそれらのエネルギー値を取得した縞
領域の行列及び列の位置と一緒にメモリに蓄積すること
ができる(第7図、処理ブロック304)。The computer 202 calculates the starting position 66 and the stopping position 100 for the camera 42 in preparation for scanning the first striped area 72 from the contour and reference position information of the photomask stored in the memory of the computer (FIG. 7, processing block). 304).
Computer 202 also calculates the position of camera 42 with respect to array 90 and generates a readable signal during this time. The readable signal allows the accumulated threshold energies to be stored in memory along with the matrix and column locations of the fringe areas from which their energy values were dictated (FIG. 7, processing block 304). ).
コンピュータ202が発生する指令はX−段52及びY−段5
0に対する駆動モータ用のサーボ機構の一部を成す光エ
ンコーダパルスカウンタ204に供給する。上記駆動モー
タは位置決めテーブル48と一体とする。上記指令はカメ
ラ42をその出発位置に動かすためにX及びYの双方向に
0.4ミクロンのインクリメント数を含んでいる。光エン
コーダパルスカウンタ204はX−段及びY−段モータ駆
動回路206に制御信号を供給し、これにより駆動回路206
はX−段52及びY−段50に駆動信号を与えて、これらの
段を出発位置56に動かす(第7図、処理ブロック30
6)。光エンコーダパルスカウンタ204は位置決めテーブ
ル48に含まれるX及びY方向光エンコーダ出発端子に発
生するパルスを計数し、かつその計数パルスの数がコン
ピュータ202から供給される0.4ミクロンづつのインクリ
メント数に対応するまで駆動信号を供給し続ける。光エ
ンコーダパルスカウンタ204は、カメラ42が出発位置66
に達すると直ちにモータ駆動回路206へ駆動信号の供給
を停止する。The commands generated by computer 202 are X-stage 52 and Y-stage 5
It is supplied to the optical encoder pulse counter 204 which forms part of the servo mechanism for the drive motor for 0. The drive motor is integrated with the positioning table 48. The above command is bidirectional in X and Y to move the camera 42 to its starting position.
Includes 0.4 micron increments. The optical encoder pulse counter 204 supplies a control signal to the X-stage and Y-stage motor drive circuit 206, which in turn drives the drive circuit 206.
Applies drive signals to X-stage 52 and Y-stage 50 to move these stages to a starting position 56 (FIG. 7, processing block 30).
6). The optical encoder pulse counter 204 counts the pulses generated at the X and Y direction optical encoder starting terminals included in the positioning table 48, and the number of counted pulses corresponds to the increment number of 0.4 micron increments supplied from the computer 202. Continue to supply drive signal. The optical encoder pulse counter 204 has the camera 42 at the starting position 66.
The supply of the drive signal to the motor drive circuit 206 is stopped immediately after reaching.
第1縞領域72の走査を開始するために、コンピュータ20
2は光エンコーダパルスカウンタ204に指令を供給してX
−段52の移動を加速し、カメラ42における光学窓の辺58
が検査領域36のセグメント98と一直線に並んだら、速度
を公称定速度にする。X−段52がカメラ42を出発位置66
から動かすと、光エンコーダパルスカウンタ204はX及
びY(方向用の)光エンコーダによって発生されるパル
スを計数し、かつX光エンコーダパルスを1/Nカウンタ2
08に供給する。このカウンタはX光エンコーダの出発端
子に5個のパルスが現われる度毎に(即ちN=5)1個
のパルスをそのカウンタの出発端子に発生する。カメラ
制御装置212の一部を成す行カウンタ210は1/Nカウンタ2
08の出発端子に現れるパルスを受信して計数する。汎用
コンピュータ202は縞領域72における光学窓54の始め
と、終りの部分に対応する計数情報を行カウンタ210に
与え、このカウンタは縞領域にて獲得したエネルギー値
をメモリに送ることができる。カンウンタが最初の計数
値に達すると直ちに、行カウンタ210は読取り可能指令
を発生し、これにより累積エネルギー値をメモリに記憶
させることができる。To start scanning the first striped area 72, the computer 20
2 supplies a command to the optical encoder pulse counter 204 and X
-Accelerate the movement of the step 52 to the side 58 of the optical window in the camera 42
When is aligned with the segment 98 of the inspection area 36, the speed is brought to the nominal constant speed. X-stage 52 leaves camera 42 at position 66
When moved from, the optical encoder pulse counter 204 counts the pulses generated by the X and Y (for direction) optical encoders and outputs the X optical encoder pulses to the 1 / N counter 2.
Supply to 08. This counter produces one pulse at the starting terminal of the counter every time five pulses appear at the starting terminal of the X optical encoder (ie N = 5). The row counter 210, which is part of the camera controller 212, is a 1 / N counter 2
Receive and count the pulses that appear at the 08 departure terminal. The general purpose computer 202 provides count information corresponding to the beginning and end of the optical window 54 in the striped area 72 to the row counter 210, which can send the energy values obtained in the striped area to memory. As soon as the counter reaches the first count value, the row counter 210 issues a readable command, which allows the cumulative energy value to be stored in memory.
1/Nカウンタ208の出発端子に現われる各パルスは、縞領
域72の走査中光学窓54の2ミクロンのインクリメントに
対応させる。平面40内で、レンズ35の下側に現われる像
はホトマスク10のホトグラフィック像の10倍の大きさを
表わすため、X−方向への光学窓54の2ミクロンの移動
は平面40内でのX−方向への20ミクロンのインクリメン
トに対応する。この20ミクロンの距離は画素92の20ミク
ロンの長さ、即ち行の幅に対応する。これがため1/Nカ
ウンタ208の出発端子に現われるパルスは、1画素92の
長さ、即ちX−方向に1行分の幅だけ光学窓54を変位さ
せることを表わす。Each pulse appearing at the starting terminal of the 1 / N counter 208 corresponds to a 2 micron increment of the optical window 54 during scanning of the fringe area 72. In plane 40, the image that appears below lens 35 represents ten times the size of the photographic image of photomask 10, so that a 2 micron displacement of optical window 54 in the X-direction will cause X in plane 40. -Corresponds to 20 micron increments in the direction. This 20 micron distance corresponds to the 20 micron length, or row width, of pixel 92. Therefore, the pulse appearing at the starting terminal of the 1 / N counter 208 indicates that the optical window 54 is displaced by the length of one pixel 92, that is, the width of one row in the X-direction.
これがため、行カウンタ210はカメラ42が横切ったアレ
イ90の行94の数を計数する。カメラ制御装置212は行転
送クロック発生器214及びデータ転送クロック発生器兼
画素カウンタ216も具えている。カメラ52の光学窓54が
平面44内にて29mm/秒の速度で欠陥像フィールド32を横
切ると、行カウンタ210は1/Nカウンタ20の出発端子に現
われる各パルスに応答して行転送クロック発生器214に
信号を供給し、このクロック発生器214は1MHzの行転送
クロック信号を発生し、この信号は光検出素子84の各行
86の1つの三相クロックサイクルを与える。各行転送ク
ロックサイクルの完了後にデータ転送クロック発生器兼
画素カウンタ216は8MHzのデータ転送クロック信号を発
生して、この信号は光検出素子84の行86dに403個の三相
クロックサイクルを与える。Therefore, the row counter 210 counts the number of rows 94 of the array 90 that the camera 42 has traversed. The camera controller 212 also includes a row transfer clock generator 214 and a data transfer clock generator and pixel counter 216. As the optical window 54 of the camera 52 traverses the defect image field 32 in the plane 44 at a rate of 29 mm / sec, the row counter 210 generates a row transfer clock in response to each pulse appearing at the starting terminal of the 1 / N counter 20. To each row of the photodetector element 84, which clocks a row transfer clock signal of 1 MHz.
Provides one three-phase clock cycle of 86. After the completion of each row transfer clock cycle, the data transfer clock generator and pixel counter 216 generates an 8 MHz data transfer clock signal, which provides row 86d of photodetector element 84 with 403 three-phase clock cycles.
行転送及びデータ転送クロック信号の発生は、縞領域72
の走査期間中X−段52の変位量に同期させることは明ら
かである。これがため、行転送及びデータ転送クロック
信号は、X−段52が平面44に沿って2ミクロンの距離走
行(この走行に必要な時間には無関係)した後にだけ発
生させる。このような同期をとることにより、例えば外
的に発生した振動のようなものでX−段52の走査速度が
その公称値から変化する場合でも光検出素子84とそれに
対応する画素92との整列が常に保たれるようになる。こ
のような特徴は、光パターンにおけるサブミクロンの大
きさの欠陥情報の正確な位置を決めるのに重要である。The row transfer and data transfer clock signals are generated by the stripe area 72.
It is clear that the scanning is synchronized with the displacement amount of the X-stage 52 during the scanning period. For this reason, the row transfer and data transfer clock signals are only generated after the X-stage 52 has traveled a distance of 2 microns along the plane 44 (regardless of the time required for this travel). By such synchronization, even when the scanning speed of the X-stage 52 changes from its nominal value due to, for example, an externally generated vibration, the photo-detecting element 84 and the corresponding pixel 92 are aligned. Will always be maintained. Such features are important in determining the exact location of sub-micron sized defect information in the light pattern.
行転送クロック信号の最初の255サイクルの期間中に
は、アレイ90の403個の各列96における255個の画素92を
走査する。このアレイ90の各列96における255個の走査
画素92のエネルギー値は、上述したようにアレイ82の光
検出素子84に累積する。行転送クロック信号の255番目
のサイクルの終了後には画素92の第1行94aに対して累
積された256のエネルギー値がアレイ82の行86dに現われ
る。ついで行カウンタ210は読取り可能信号を発生し、
これによりメモリユニット218は画素92の行94aに対する
光検出素子84の列88に蓄積された累積エネルギー値をデ
ィジタル形態にて受信することができる。(第7図、判
定ブロック310)。上述したように、行カウンタ210はコ
ンピュータ202から始めと、終りの行パルス計数値を受
信し、読取り可能信号は上記始めと、終りの行パルス計
数時間にて発生させる。メモリユニット218の記憶容量
は512キロバイトとする。During the first 255 cycles of the row transfer clock signal, 255 pixels 92 in each of the 403 columns 96 of array 90 are scanned. The energy values of the 255 scan pixels 92 in each column 96 of the array 90 accumulate in the photo-detecting elements 84 of the array 82 as described above. After the 255th cycle of the row transfer clock signal, the accumulated 256 energy values for the first row 94a of pixel 92 appear in row 86d of array 82. The row counter 210 then produces a readable signal,
This allows the memory unit 218 to receive, in digital form, the accumulated energy value stored in column 88 of photodetector element 84 for row 94a of pixel 92. (FIG. 7, decision block 310). As mentioned above, the row counter 210 receives the beginning and ending row pulse counts from the computer 202 and the readable signal is generated at the beginning and ending row pulse count times. The storage capacity of the memory unit 218 is 512 kilobytes.
光検出素子84の行86dから読出されるエネルギー値は前
置増幅器220によって適当に調整して増幅すると共に、
アナログ・ディジタル変換器222によってディジタル形
態に変換する。各ディジタルワードによって表わされる
エネルギー値はスレッショールド検出器224に供給し
て、これにより識別する。累積エネルギー値がスレッシ
ョールド検出器224の予定スレッショールドレベル以上
となる画素92のディジタルワールドだけをメモリユニッ
ト218に記憶させ、残りのディジタルワードは放棄す
る。画素92はアレイ90の行94及び列96におけるその位置
によってメモリユニット218にて識別され、行は行カウ
ンタ210の出力によって識別され、列は連続エネルギー
値がアレイ82の行86dから読出される際にデータ転送ク
ロック発生器兼画素カウンタ216に記録された画素番号
によって識別される。コンピュータ202はその内部メモ
リに縞領域を識別するデータワードを入力し、そのデー
タから記憶させた画素を取出す。The energy value read from row 86d of photodetector elements 84 is appropriately adjusted and amplified by preamplifier 220, and
Converted to digital form by analog-to-digital converter 222. The energy value represented by each digital word is provided to the threshold detector 224 for identification. Only the digital world of pixels 92 whose accumulated energy value is above the expected threshold level of threshold detector 224 are stored in memory unit 218 and the remaining digital words are discarded. Pixel 92 is identified in memory unit 218 by its position in row 94 and column 96 of array 90, the row is identified by the output of row counter 210, and the column is when continuous energy values are read from row 86d of array 82. It is identified by the pixel number recorded in the data transfer clock generator / pixel counter 216. The computer 202 inputs into its internal memory a data word identifying the striped area and retrieves the stored pixels from the data.
データ転送クロック発生器兼画素カウンタ216は、縞領
域72におけるすべての画素92に対する累積エネルギー値
がアレイ82の行86dから読出されるまで、255以上の行転
送クロック信号の各サイクルに対して403サイクルのデ
ータ転送クロック信号を提供し続ける。光学窓54の辺56
が検査領域36のセグメント74を通過した後に、行カウン
タ210は読取り可能信号の発生を中止し、このことはア
レイ90の行94dにおける画素92のエネルギー値がアレイ8
2の行86dにおける光検出素子84から読出されたことを示
す(第7図、判定ブロック312)。読取り可能信号の終
了時には、光学エンコーダパルスカウンタ204がカメラ4
2の移動を減速し、そのカメラを停止位置100に停止させ
る(第7図、判定ブロック314)。第1縞領域72に対し
てメモリユニット218にて捕捉されたデータは汎用コン
ピュータ202に読込まれて、処理される(第7図、処理
ブロック316)。The data transfer clock generator and pixel counter 216 provides 403 cycles for each cycle of the row transfer clock signal of 255 or more until the cumulative energy value for all pixels 92 in the striped area 72 is read from row 86d of array 82. Continue to provide the data transfer clock signal. Side 56 of optical window 54
After passing through the segment 74 of the examination area 36, the row counter 210 ceases to generate a readable signal, which means that the energy value of the pixel 92 in the row 94d of the array 90 is in the array 8.
It is indicated that the data is read from the photodetector element 84 in the second row 86d (FIG. 7, decision block 312). At the end of the readable signal, the optical encoder pulse counter 204 causes the camera 4
The movement of 2 is decelerated and the camera is stopped at the stop position 100 (FIG. 7, decision block 314). The data captured by the memory unit 218 for the first striped area 72 is read and processed by the general purpose computer 202 (FIG. 7, processing block 316).
カメラ42が停止位置100に達した後には、コンピュータ2
02はつぎの横隣りの、即ち第2縞領域72の出発位置78及
び停止位置102を計算する(第7図、処理ブロック30
4)。コンピュータ202は戻り通路セグメント76aに沿っ
てカメラ42を第2出発位置78に逆戻しし、ついで上述し
た所と同様な方法で隣りの縞領域72の走査を開始する
(第7図、処理ブロック306及び308)。検査領域36の走
査は、各縞領域72の画素すべてに対してエネルギー値が
捕捉されるまで継続させる。After the camera 42 reaches the stop position 100, the computer 2
02 calculates the start position 78 and the stop position 102 of the next adjacent side, that is, the second striped area 72 (FIG. 7, processing block 30).
Four). The computer 202 returns the camera 42 back to the second starting position 78 along the return path segment 76a and then begins scanning the adjacent striped area 72 in a manner similar to that described above (FIG. 7, processing block 306). And 308). The scanning of the inspection area 36 is continued until the energy values have been captured for all pixels in each stripe area 72.
本発明は上述した例のみに限定されるものでなく、幾多
の変更を加え得ること勿論である。The present invention is not limited to the examples described above, and it goes without saying that many modifications can be made.
第1図は本発明に適用するアレイタイプのホトマスクを
示す線図; 第2A及び2B図はそれぞれ、ホトマスクパターンのホログ
ラムを作製したり、該ホログラムからホトマスクに対応
する欠陥光像を再生したりする光学処理装置を示す線
図; 第3図は第1図のホトマスクにおける欠陥部の存在をホ
ログラフィク光像フィールドにて検出するための走査機
構を示す斜視図; 第4A図は第3図の光像フィールドの左下隅部における3
つの縞領域を拡大して示す線図; 第4B図は第3及び4A図の縞領域を拡大し、本発明により
光像フィールドにおける欠陥像を検出するために光検出
段を追従させるラスタ走査路を示している説明図; 第5図は光像フィールドにおける画素の第2アレイと、
本発明に用いる電荷結合デバイスの光検出素子から成る
第1アレイを示す線図; 第6図は第1図のホトマスクにおける欠陥部用の光像フ
ィールドを本発明により走査する装置の一例を示すブロ
ック線図; 第7図は第6図の装置に組込まれる汎用コンピュータに
よって実行する欠陥像処理の機能を示す流れ図である。 10……ホトマスク、10′……欠陥像 12……写真像素子、22……結像レンズ 28……ホログラム、30……空間フィルタ 32……欠陥像フィールド、35……レンズ 36……検出領域 42……光検出手段(カメラ、電荷結合デバイス) 48……位置決めテーブル、54……光学窓 72……縞領域、82……光検出素子アレイ 84……光検出素子、90……画素アレイ 92……画素、200……走査装置 202……汎用コンピュータ 204……光エンコーダパルスカウンタ 206……モータ駆動回路、208……1/Nカウンタ 210……行カウンタ、212……カメラ制御装置 214……行転送クロック発生器 216……データ転送クロック発生器兼画素カウンタ 218……メモリユニット、220……前置増幅器 222……アナログ−ディジタル変換器 224……スレッショルド検出器FIG. 1 is a diagram showing an array-type photomask applied to the present invention; FIGS. 2A and 2B are respectively for producing a hologram of a photomask pattern and reproducing a defective optical image corresponding to the photomask from the hologram. 3 is a diagram showing an optical processing device; FIG. 3 is a perspective view showing a scanning mechanism for detecting the presence of a defective portion in the photomask of FIG. 1 in the holographic optical image field; FIG. 4A is the light of FIG. 3 in the lower left corner of the statue field
FIG. 4B is an enlarged diagram of two stripe areas; FIG. 4B is an enlarged raster area of the stripe areas of FIGS. 3 and 4A, and a raster scan path is followed by the photodetection stage to detect a defective image in the optical image field according to the present invention. FIG. 5 shows a second array of pixels in the optical image field,
FIG. 6 is a diagram showing a first array of photodetection elements of a charge-coupled device used in the present invention; FIG. 6 is a block diagram showing an example of an apparatus for scanning an optical image field for a defective portion in the photomask of FIG. 1 according to the present invention. Diagram; FIG. 7 is a flow chart showing the function of defect image processing executed by a general-purpose computer incorporated in the apparatus of FIG. 10 ... Photomask, 10 '... Defect image 12 ... Photo image element, 22 ... Imaging lens 28 ... Hologram, 30 ... Spatial filter 32 ... Defect image field, 35 ... Lens 36 ... Detection area 42 ... Photodetector (camera, charge-coupled device) 48 ... Positioning table, 54 ... Optical window 72 ... Stripe area, 82 ... Photodetector array 84 ... Photodetector, 90 ... Pixel array 92 ...... Pixel, 200 ...... Scanning device 202 …… General-purpose computer 204 …… Optical encoder pulse counter 206 …… Motor drive circuit, 208 …… 1 / N counter 210 …… Line counter, 212 …… Camera controller 214 …… Row transfer clock generator 216 …… Data transfer clock generator and pixel counter 218 …… Memory unit, 220 …… Preamplifier 222 …… Analog-digital converter 224 …… Threshold detector
Claims (6)
に対応する第1幅の光パターンにて検出する方法であっ
て、前記光パターンが所定の光強度の欠陥領域を異なる
光強度の背景内に有する試験体の欠陥部検出方法が: 前記光パターンの窓領域からの光を検出するために電荷
結合デバイスの光検出器を準備し、前記窓領域が前記第
1幅に対して平行に第1幅よりも狭い第2幅を有し、前
記光検出器が行と列の第1アレイに配列された複数の光
検出素子を具え、各光検出素子が、これらの各光検出素
子により受光される光の強度に対応する測定電荷値を供
給すべく作動し得るように成す光検出器準備工程と; 前記光パターンに第2幅の複数の隣接縞状領域を規定す
べく前記第1及び第2幅に対して直角の走査方向に前記
光検出器を光パターンに対して繰返し走査させ、各縞状
領域が行と列の第2アレイに配列される複数の画素を含
み、前記第1及び第2アレイの行が前記走査方向に対し
直角の方向に延在すると共に列が走査方向に沿って延在
し、かつ前記画素が第1アレイの各列における各光検出
素子に順次結像される光パターン内のそれぞれの位置と
して規定され、第1アレイの列における各光検出素子が
画素に対応する電荷値を順次取得するようにする走査工
程と; 画素が向けられた光検出素子により測定された電荷値
を、光パターンに対する光検出器の走査と同期をとって
第1アレイの列における横隣りの光検出素子に、行転移
クロック信号に従って第1アレイの列に沿って走査方向
とは反対の方向にシフトさせて、第1アレイの列におけ
る光検出素子の数に等しい数の多数の電荷値の和を表わ
す総電荷値を光検出素子の最終行に与えるようにする電
荷シフト工程と; データ転送信号に従って光検出器からの総電荷値を転送
し、この総電荷値を予め選択したしきい値の電荷値と比
較して、画素から受光した光強度が試験体における欠陥
部を表わすかどうかを決定する比較工程と; 試験体における欠陥部を表わす画素の総電荷値を光検出
器の位置及び画素の列を識別する情報と一緒にメモリに
記憶する工程と; を具えていることを特徴とする試験体の欠陥部検出方
法。1. A method for detecting the presence of a defective portion in a test body by a light pattern having a first width corresponding to the test body, wherein the light pattern has a different light intensity in a defective region having a predetermined light intensity. A method for detecting a defect in a test object having in the background is: preparing a photodetector of a charge coupled device for detecting light from a window region of the light pattern, the window region being parallel to the first width. Has a second width narrower than the first width, the photodetectors comprising a plurality of photodetector elements arranged in a first array of rows and columns, each photodetector element having a respective second photodetector element. A photodetector preparation step operative to provide a measured charge value corresponding to the intensity of light received by the photodetector; and the photopattern defining a plurality of adjacent striped regions of a second width. Optical pattern the photodetector in the scanning direction at right angles to the first and second widths. Repeatedly scanned with respect to each other, each striped region including a plurality of pixels arranged in a second array of rows and columns, the rows of the first and second arrays extending in a direction perpendicular to the scanning direction. And the columns extend along the scanning direction, and the pixels are defined as respective positions in the light pattern which are sequentially imaged on the respective photodetecting elements in each column of the first array, the columns of the first array A scanning step in which each photodetector element in step S1 sequentially acquires a charge value corresponding to a pixel; and the charge value measured by the photodetector element to which the pixel is directed is synchronized with the scanning of the photodetector for the light pattern. Therefore, the adjacent photodetecting elements in the columns of the first array are shifted in the direction opposite to the scanning direction along the columns of the first array according to the row transition clock signal, and the photodetecting elements in the columns of the first array are shifted. Many equal to the number of A charge shift step of giving a total charge value representing the sum of the charge values of the photodetector to the last row of the photodetector elements; A comparison step of determining whether or not the light intensity received from the pixel represents a defective portion in the test object by comparing the charge value of the threshold value; Storing in a memory together with information for identifying the position of the container and the column of pixels, and a method of detecting a defective portion of a test object.
第1アレイを光パターンの縞状領域に沿って連続的に動
かすことにより第1アレイの列における光検出素子上に
画素を順次結像させることを特徴とする特許請求の範囲
第1項に記載の方法。2. The pixels are sequentially connected onto the photodetector elements in the columns of the first array by stationary the light pattern and continuously moving the first array of photodetector elements along the striped areas of the light pattern. A method according to claim 1, characterized in that it is imaged.
よりも大きい総電荷値によって表されることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項に記載の方法。3. A method according to claim 1, characterized in that the defect in the test specimen is represented by a total charge value which is greater than a threshold charge value.
に対応する第1幅の光パターンにて検出する装置であっ
て、前記光パターンが所定の光強度の欠陥領域を異なる
光強度の背景内に有するように成した試験体の欠陥部検
出装置が: 前記第1幅に対して平行に第1幅よりも狭い第2幅を有
する窓領域からの光パターンの光を検出する光検出器で
あって、行と列の第1アレイに配列した複数の光検出素
子を具えている電荷結合デバイスの光検出器と; 光検出素子上に光パターンを結像させ、各光検出素子
が、これらの各光検出素子により受光される光の強度に
対応する測定電荷値を供給すべく作動し得るように成し
た光学素子と; 光パターンに第2幅の複数の隣接縞状領域を規定すべく
前記第1及び第2幅に対して直角の走査方向に前記光検
出器を光パターンに対して繰返し走査させ、各縞状領域
が行と列の第2アレイに配列される複数の画素を含み、
前記第1及び第2アレイの行が前記走査方向に対し直角
の方向に延在すると共に列が走査方向に沿って延在し、
かつ前記画素が第1アレイの各列における各光検出素子
に順次結像される光パターン内のそれぞれの位置として
規定され、第1アレイの列における各光検出素子が画素
に対応する電荷値を順次取得するように成した走査手段
と; 画素が結合される光検出器により測定された電荷値を、
光パターンに対する光検出器の走査と同期をとって第1
アレイにおける横隣りの光検出素子に、第1アレイの列
に沿って走査方向とは反対の方向にシフトさせて、第1
アレイの列における光検出素子の数に等しい数の多数の
電荷値の和を表わす総電荷値を光検出素子の最終行に与
えるために列転送クロック信号を形成する手段と; 光検出器からの総電荷値を転送するデータ転送信号形成
手段と; 総電荷値を予め選択したしきい値の電荷値と比較して、
画素の光強度が試験体における欠陥部を表わすかどうか
を決定する比較手段と; 試験体における欠陥部を表わす画素の総電荷値を光検出
器の位置及び画素の列を識別する情報と一緒にメモリに
記憶する手段と; を具えていることを特徴とする試験体の欠陥部検出装
置。4. An apparatus for detecting the presence of a defective portion in a test body by a light pattern of a first width corresponding to the test body, wherein the light pattern has a different light intensity in a defect area having a predetermined light intensity. An apparatus for detecting a defective portion of a test body, which is configured to have in a background, is: Photodetection for detecting light of a light pattern from a window region having a second width narrower than the first width in parallel with the first width. A photodetector of a charge-coupled device comprising a plurality of photodetector elements arranged in a first array of rows and columns; an optical pattern being imaged on the photodetector elements, each photodetector element being An optical element operable to supply a measured charge value corresponding to the intensity of the light received by each of these photo-detecting elements; defining a plurality of adjacent striped areas of second width in the light pattern. To scan the light in the scanning direction perpendicular to the first and second widths. Out device is repeatedly scanned to light pattern includes a plurality of pixels each banded region is arranged in a second array of rows and columns,
Rows of the first and second arrays extend in a direction perpendicular to the scanning direction and columns extend along the scanning direction;
Further, the pixels are defined as respective positions in the light pattern sequentially imaged on the respective photodetection elements in each column of the first array, and each photodetection element in the column of the first array provides a charge value corresponding to the pixel. Scanning means adapted to sequentially acquire; a charge value measured by a photodetector to which the pixel is coupled,
First in synchronization with the scanning of the photodetector for the light pattern
The adjacent photodetecting elements in the array are shifted in the direction opposite to the scanning direction along the columns of the first array to generate the first
Means for forming a column transfer clock signal to provide a total charge value to the last row of photodetectors representing a sum of a number of charge values equal to the number of photodetectors in a column of the array; Data transfer signal forming means for transferring the total charge value; comparing the total charge value with a charge value of a preselected threshold value;
Comparing means for determining whether the light intensity of the pixel represents a defect in the specimen; the total charge value of the pixel representing the defect in the specimen together with information identifying the position of the photodetector and the row of pixels. A means for storing in a memory; and a defect detecting device for a test body, comprising:
走査手段に位置決め手段も設けて、光検出手段が縞状領
域の各々を横切って、これらの縞状領域を連続的に走査
するようにしたことを特徴とする特許請求の範囲第4項
に記載の装置。5. The light pattern remains stationary and the scanning means also includes positioning means such that the light detection means traverses each of the striped areas and continuously scans the striped areas. The device according to claim 4, characterized in that
よりも大きい総電荷値により表されるようにしたことを
特徴とする特許請求の範囲第4項に記載の装置。6. The apparatus according to claim 4, wherein the defect in the test piece is represented by a total charge value larger than a threshold charge value.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60200687A JPH0752157B2 (en) | 1985-09-12 | 1985-09-12 | Method and apparatus for detecting defective portion of test body |
| US06/838,319 US4811409A (en) | 1985-09-12 | 1986-03-10 | Method and apparatus for detecting defect information in a holographic image pattern |
| EP86110369A EP0214436B1 (en) | 1985-09-12 | 1986-07-28 | Method and apparatus for detecting defect information in a holographic image pattern |
| DE19863689279 DE3689279T2 (en) | 1985-09-12 | 1986-07-28 | Method and device for detecting error information in a holographic image pattern. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60200687A JPH0752157B2 (en) | 1985-09-12 | 1985-09-12 | Method and apparatus for detecting defective portion of test body |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6262250A JPS6262250A (en) | 1987-03-18 |
| JPH0752157B2 true JPH0752157B2 (en) | 1995-06-05 |
Family
ID=16428578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60200687A Expired - Lifetime JPH0752157B2 (en) | 1985-09-12 | 1985-09-12 | Method and apparatus for detecting defective portion of test body |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0752157B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19710358C2 (en) * | 1997-03-13 | 2000-11-30 | Bosch Gmbh Robert | Microstructured sensor |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4247203A (en) * | 1978-04-03 | 1981-01-27 | Kla Instrument Corporation | Automatic photomask inspection system and apparatus |
| JPS5557103A (en) * | 1978-10-20 | 1980-04-26 | Nec Corp | Picture measuring device for mobile object |
| JPS59153151A (en) * | 1983-02-21 | 1984-09-01 | Dainippon Printing Co Ltd | Apparatus for inspecting defect of regular pattern |
-
1985
- 1985-09-12 JP JP60200687A patent/JPH0752157B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6262250A (en) | 1987-03-18 |
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