JPH0752632B2 - 反射防止膜付基板 - Google Patents
反射防止膜付基板Info
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- JPH0752632B2 JPH0752632B2 JP62046245A JP4624587A JPH0752632B2 JP H0752632 B2 JPH0752632 B2 JP H0752632B2 JP 62046245 A JP62046245 A JP 62046245A JP 4624587 A JP4624587 A JP 4624587A JP H0752632 B2 JPH0752632 B2 JP H0752632B2
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- thin film
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- antireflection film
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、薄膜EL素子や蛍光表示管及びフィルター等に
利用することができる反射防止膜付基板に関するもので
ある。以下本発明を蛍光表示管について説明する。
利用することができる反射防止膜付基板に関するもので
ある。以下本発明を蛍光表示管について説明する。
従来の蛍光表示管の反射防止膜としては、特開昭60−11
5137号において、透光性絶縁基板上に被着した有色薄膜
による反射防止膜と、この反射防止膜上に配設された金
属薄膜による配線導体及び陽極導体とからなる構造の発
明が公知である。
5137号において、透光性絶縁基板上に被着した有色薄膜
による反射防止膜と、この反射防止膜上に配設された金
属薄膜による配線導体及び陽極導体とからなる構造の発
明が公知である。
しかし、前記従来例は、蛍光体層の発光を透光性絶縁基
板を通して該基板の他方側から観察する前面発光形タイ
プの蛍光表示管に適用した例である。したがって陽極導
体以外の部分に有色薄膜があると蛍光体層の発光の透過
を阻害してしまう為にフォトリソグラフィーの手段で有
色薄膜をパタンニングしなければならなかった。一般に
有色薄膜は金属酸化物が多く、エッチングが容易でな
く、また、陽極導体はアルミニウムなのでエッチングが
容易であり酸でもアルカリにでもエッチングされてしま
う物質である。一度のエッチングで行うと精度を高くす
ることが容易ではなかった。また二度エッチングで行う
と工程が多くなり、コストアップの原因となった。
板を通して該基板の他方側から観察する前面発光形タイ
プの蛍光表示管に適用した例である。したがって陽極導
体以外の部分に有色薄膜があると蛍光体層の発光の透過
を阻害してしまう為にフォトリソグラフィーの手段で有
色薄膜をパタンニングしなければならなかった。一般に
有色薄膜は金属酸化物が多く、エッチングが容易でな
く、また、陽極導体はアルミニウムなのでエッチングが
容易であり酸でもアルカリにでもエッチングされてしま
う物質である。一度のエッチングで行うと精度を高くす
ることが容易ではなかった。また二度エッチングで行う
と工程が多くなり、コストアップの原因となった。
また、第３図に示す蛍光表示管は特開昭60−81799号に
記載されているもので、基板11上にITO、In2O3などの透
明導電性酸化物膜12とAl膜13を積層して複合電極を形成
し、この複合電極層を空気中あるいは窒素雰囲気で熱処
理することにより、前記複合電極の界面を黒色化せしめ
ることを特徴とする構造である。この従来例では、黒色
化した導電性酸化物膜12が反射防止の作用をする。
記載されているもので、基板11上にITO、In2O3などの透
明導電性酸化物膜12とAl膜13を積層して複合電極を形成
し、この複合電極層を空気中あるいは窒素雰囲気で熱処
理することにより、前記複合電極の界面を黒色化せしめ
ることを特徴とする構造である。この従来例では、黒色
化した導電性酸化物膜12が反射防止の作用をする。
しかし、この反射防止膜12は、導電性を有する膜である
ので、蛍光表示管に利用するにはパターン化しなければ
ならなく、フォトソグラフィの手段で行おうとする前述
の従来例と同様の問題点があった。
ので、蛍光表示管に利用するにはパターン化しなければ
ならなく、フォトソグラフィの手段で行おうとする前述
の従来例と同様の問題点があった。
尚第３図において、14は絶縁層、15は蛍光体層、16はグ
リット、17はフィラメント状陰極、18は外囲器である。
リット、17はフィラメント状陰極、18は外囲器である。
本発明は、透明な絶縁性を有する金属酸化物の薄膜を形
成し、この薄膜上に導電金属の配線導体及び陽極導体を
形成させて、熱処理することにより、導電金属と重なる
部分のみを前記透明な絶縁性薄膜を有色化させて、反射
防止作用を持たせる反射防止膜付基板を提供することを
目的としている。
成し、この薄膜上に導電金属の配線導体及び陽極導体を
形成させて、熱処理することにより、導電金属と重なる
部分のみを前記透明な絶縁性薄膜を有色化させて、反射
防止作用を持たせる反射防止膜付基板を提供することを
目的としている。
本発明は、前述の目的を達成させるために、透光性基板
と、この基板上に配設した絶縁性金属酸化物からなる透
光性薄膜層と、この透光性薄膜層上に配設したAlの導体
パターン層と、この導体パターン層と相対している前記
透光性薄膜層を熱処理により有色化させてなる反射防止
膜とを有することを特徴とするものである。
と、この基板上に配設した絶縁性金属酸化物からなる透
光性薄膜層と、この透光性薄膜層上に配設したAlの導体
パターン層と、この導体パターン層と相対している前記
透光性薄膜層を熱処理により有色化させてなる反射防止
膜とを有することを特徴とするものである。
透光性基板に入射した外光は、有色の反射防止層に入
り、反射防止層で吸収されて減衰するが、一部はアルミ
ニウムとの界面で反射されて基板外に進む。このとき基
板と反射防止層の界面で一部は反射されて反射防止層に
吸収される。
り、反射防止層で吸収されて減衰するが、一部はアルミ
ニウムとの界面で反射されて基板外に進む。このとき基
板と反射防止層の界面で一部は反射されて反射防止層に
吸収される。
また、反射防止膜の膜厚をある適切な値に定めておけば
アルミニウム界面での反射光は、基板と反射防止層との
界面で反射した光と干渉して互いに弱め合うので反射外
光の強さはさらに低減されることになる。
アルミニウム界面での反射光は、基板と反射防止層との
界面で反射した光と干渉して互いに弱め合うので反射外
光の強さはさらに低減されることになる。
さらにまた、反射光が基板から外へ出るときに基板の表
面で反射され、基板中に吸収されてしまう光もある。
面で反射され、基板中に吸収されてしまう光もある。
以下図面に示す実施例について本発明を説明する。
第１図は、本発明の反射防止膜付基板を前面発光形の蛍
光表示管に適用した実施例である。
光表示管に適用した実施例である。
前面発光形の蛍光表示管の構成は、透光性を有し、外囲
器内での発光が、基板を通して観察できるように透光性
基板１を外囲基の一部とする。透光性基板１の例として
はガラス基板がある。この基板１の内面に金属酸化物の
透光性薄膜層２を配設する。この金属酸化物は、薄膜の
状態では透明であるが多少の色に付いた透光性を有する
薄膜層２でもよい。この透光性薄膜層２は、後述するア
ルミニウムの導体パターン層３と一緒に熱処理されたと
きに酸素欠乏形の金属酸化物となり透光性薄膜層が有色
化して有色薄膜層へと変化するものである。このような
作用をする金属酸化物の例としては、酸化チタン、酸化
タングステン、酸化モリブテン、酸化バナジウム、酸化
ニオブ等がある。本実施例で酸化チタンを使用した場合
である。基板１の内面の全面に形成された酸化チタンの
透光性薄膜層２は、薄厚が500〜600Åと薄いのでほとん
ど無色透明である。前記透光性薄膜層２の表面にアルミ
ニウムによりメッシュ状又は、ストライプ状の陽極導体
3a及びこの陽極導体3aから外部リード端子に接続される
配線導体3bをパタンニングして形成し、これをまとめて
導体パターン層３とする。この導体パターン層３と相対
する前記透光性薄膜層２は熱処理により有色化した透光
性薄膜層に変化し、反射防止膜2aを形成する。
器内での発光が、基板を通して観察できるように透光性
基板１を外囲基の一部とする。透光性基板１の例として
はガラス基板がある。この基板１の内面に金属酸化物の
透光性薄膜層２を配設する。この金属酸化物は、薄膜の
状態では透明であるが多少の色に付いた透光性を有する
薄膜層２でもよい。この透光性薄膜層２は、後述するア
ルミニウムの導体パターン層３と一緒に熱処理されたと
きに酸素欠乏形の金属酸化物となり透光性薄膜層が有色
化して有色薄膜層へと変化するものである。このような
作用をする金属酸化物の例としては、酸化チタン、酸化
タングステン、酸化モリブテン、酸化バナジウム、酸化
ニオブ等がある。本実施例で酸化チタンを使用した場合
である。基板１の内面の全面に形成された酸化チタンの
透光性薄膜層２は、薄厚が500〜600Åと薄いのでほとん
ど無色透明である。前記透光性薄膜層２の表面にアルミ
ニウムによりメッシュ状又は、ストライプ状の陽極導体
3a及びこの陽極導体3aから外部リード端子に接続される
配線導体3bをパタンニングして形成し、これをまとめて
導体パターン層３とする。この導体パターン層３と相対
する前記透光性薄膜層２は熱処理により有色化した透光
性薄膜層に変化し、反射防止膜2aを形成する。
次に前記陽極導体3aを含む陽極パターン部を除いて基板
上に黒色絶縁層４が配設されている。そして陽極パター
ン部には蛍光体５が被着されて本発明の反射防止膜付基
板が構成されている。
上に黒色絶縁層４が配設されている。そして陽極パター
ン部には蛍光体５が被着されて本発明の反射防止膜付基
板が構成されている。
この反射防止膜付基板を使って蛍光表示管にするには前
述の反射防止膜付基板の蛍光体層５から一定間隔をあけ
てグリッド６を配設し、さらにグリッド６から一定間隔
をあけてフィラメント状陰極７を張架配設し、図示しな
い容器部により前記電極等を覆い、前記基板に封着し、
容器内の気体を排気した後高真空状態で封止して蛍光表
示管が完成する。
述の反射防止膜付基板の蛍光体層５から一定間隔をあけ
てグリッド６を配設し、さらにグリッド６から一定間隔
をあけてフィラメント状陰極７を張架配設し、図示しな
い容器部により前記電極等を覆い、前記基板に封着し、
容器内の気体を排気した後高真空状態で封止して蛍光表
示管が完成する。
次に本発明の反射防止付基板の製造方法について説明す
る。
る。
透光性基板１、例えば透明なガラス基板の一方の面に有
機金属を数％含有し、ビークルや溶剤等からなる薄膜形
成液を均一に被着させる。有機金属の一例として、有機
チタン化合物がある。有機チタン化合物の具体例として
は、テトラアルコキシチタンの化合物群としてテトライ
ソプロキシチタン（TPT）、テトラ−ｎ−ブトキシチタ
ン（TBT）等がある。
機金属を数％含有し、ビークルや溶剤等からなる薄膜形
成液を均一に被着させる。有機金属の一例として、有機
チタン化合物がある。有機チタン化合物の具体例として
は、テトラアルコキシチタンの化合物群としてテトライ
ソプロキシチタン（TPT）、テトラ−ｎ−ブトキシチタ
ン（TBT）等がある。
また、テトラアルコキシチタンポリマーの化合物群とし
ては、テトライソプロポキシチタンの10量体、テトラ−
ｎ−ブトキシチタンの、２量体、４量体、７量体、10量
体がある。
ては、テトライソプロポキシチタンの10量体、テトラ−
ｎ−ブトキシチタンの、２量体、４量体、７量体、10量
体がある。
また、チタンアシレート化合物群としては、トリ−ｎ−
ブトキシチタンモノステアレートの４量体、ポリヒドロ
キシチタンステアレートがある。
ブトキシチタンモノステアレートの４量体、ポリヒドロ
キシチタンステアレートがある。
さらにまた、チタンキレート化合物群としては、ジィソ
プロキシ・ビスアセチルアセトナトチタン（TAA）、ジ
−ｎ−ブトキシ・ビス（トリエタノールアミナト）チタ
ン（TAT）、テトラキス（２−エチルヘキサンジオラ
ト）チタン（TOG）、ジヒドロキシ・ビス（ラクタト）
チタン（TLA）等がある。
プロキシ・ビスアセチルアセトナトチタン（TAA）、ジ
−ｎ−ブトキシ・ビス（トリエタノールアミナト）チタ
ン（TAT）、テトラキス（２−エチルヘキサンジオラ
ト）チタン（TOG）、ジヒドロキシ・ビス（ラクタト）
チタン（TLA）等がある。
このような有機チタン化合物は、一般にそれ自体が液体
か、あるいは、有機溶媒に可溶であるので液体の薄膜形
成液を形成することができる。この薄膜形成液を第４図
に示すようなロールコータ20でガラス基板21の裏面に均
一に被着させることができる。
か、あるいは、有機溶媒に可溶であるので液体の薄膜形
成液を形成することができる。この薄膜形成液を第４図
に示すようなロールコータ20でガラス基板21の裏面に均
一に被着させることができる。
ガラス基板21は、第４図の一点鎖線で示すように水平に
移送されてくるが、移送ガイドローラ22の上端が塗布ロ
ーラ23の上端より低く調整してあるので、ガラス基板21
先端が塗布ローラ23の最上部に来ると移送ローラ22が停
止し、ガラス基板21は、第４図の実線で示す様に多少斜
めになって停止する。すると浮き上がり防止リング24が
下降してガラス基板21と接触して、ガラス基板21を塗布
ローラ23に押し付ける。塗布ローラ23は、薄膜形成液25
の入った受け皿26中で時計方向に回転しているので、薄
膜形成液は塗布ローラ23に付着してくみだされる。くみ
だされた薄膜形成液はガラス基板21がストッパーとして
作用しているので、ガラス基板21と塗布ローラ23とのく
さび状空間に溜めることになる。ガラス基板21が停止し
てから一定時間後、すなわち所定量の薄膜形成液25が溜
まったら、ガラス基板21は移送ローラ22および塗布ロー
ラ23により移送される。
移送されてくるが、移送ガイドローラ22の上端が塗布ロ
ーラ23の上端より低く調整してあるので、ガラス基板21
先端が塗布ローラ23の最上部に来ると移送ローラ22が停
止し、ガラス基板21は、第４図の実線で示す様に多少斜
めになって停止する。すると浮き上がり防止リング24が
下降してガラス基板21と接触して、ガラス基板21を塗布
ローラ23に押し付ける。塗布ローラ23は、薄膜形成液25
の入った受け皿26中で時計方向に回転しているので、薄
膜形成液は塗布ローラ23に付着してくみだされる。くみ
だされた薄膜形成液はガラス基板21がストッパーとして
作用しているので、ガラス基板21と塗布ローラ23とのく
さび状空間に溜めることになる。ガラス基板21が停止し
てから一定時間後、すなわち所定量の薄膜形成液25が溜
まったら、ガラス基板21は移送ローラ22および塗布ロー
ラ23により移送される。
以上なような方法にのよってガラス基板21の裏面に薄膜
形成液25が付着される。
形成液25が付着される。
TiO2に変化したときに２％量になるように有機チタンを
含有し、さらにビークルや溶剤からなる薄膜形成液25を
均一に付着させたガラス基板21は乾燥工程で有機溶剤や
水分等を徐々に蒸発させた後、焼成工程で500〜600℃で
10分間保持すると、酸化チタン（TiO2）の薄膜となる。
この酸化チタンの薄膜の膜厚は500〜600Åであり、屈折
率は、2.1以上であることが必要である。
含有し、さらにビークルや溶剤からなる薄膜形成液25を
均一に付着させたガラス基板21は乾燥工程で有機溶剤や
水分等を徐々に蒸発させた後、焼成工程で500〜600℃で
10分間保持すると、酸化チタン（TiO2）の薄膜となる。
この酸化チタンの薄膜の膜厚は500〜600Åであり、屈折
率は、2.1以上であることが必要である。
次に前記酸化チタン薄膜の上に導電金属であるアルミニ
ウムをスパッタリング法や蒸着法等の周知の被着手段で
被着する。被着したアルミニウム薄膜の厚さは約1.1μ
ｍ位である。このアルミニウム薄膜３の表面にレジスト
を塗布し、このレジスト層に露光して導体パターンをパ
タンニングした後エッチング処理により不用部分のアル
ミニウムを溶解して導体パターンを形成する。すなわち
フォトリソグラフィの手段により酸化チタン薄膜２上に
アルミニウムにより導体パターンを形成するのである。
ウムをスパッタリング法や蒸着法等の周知の被着手段で
被着する。被着したアルミニウム薄膜の厚さは約1.1μ
ｍ位である。このアルミニウム薄膜３の表面にレジスト
を塗布し、このレジスト層に露光して導体パターンをパ
タンニングした後エッチング処理により不用部分のアル
ミニウムを溶解して導体パターンを形成する。すなわち
フォトリソグラフィの手段により酸化チタン薄膜２上に
アルミニウムにより導体パターンを形成するのである。
次に、低融点フリットガラスを主成分とする黒色絶縁層
４によって陽極セグメントのパタンニングを行う。
４によって陽極セグメントのパタンニングを行う。
すなわち蛍光体層５を形成する陽極セグメント部分を除
いて全面に黒色絶縁層４をスクリーン印刷法で形成す
る。
いて全面に黒色絶縁層４をスクリーン印刷法で形成す
る。
次に、焼成工程により前記黒色絶縁層４を固着させると
ともに、前記アルミニウム導体パターン３に接触してい
る酸化チタン層を着色させる。着色する色はブルーであ
る。この焼成工程での焼成温度は520℃〜600℃であり、
焼成時間は約10〜20分間保持する。
ともに、前記アルミニウム導体パターン３に接触してい
る酸化チタン層を着色させる。着色する色はブルーであ
る。この焼成工程での焼成温度は520℃〜600℃であり、
焼成時間は約10〜20分間保持する。
このような熱処理でブルーに発色するのは次のような理
由だと考えられる。
由だと考えられる。
まず金属酸化物の透光性薄膜層すなわち本実施例では酸
化チタン層が有機金属である有機チタンを数％のオーダ
ーで含有し、ビークルや溶剤からなる薄膜形成液を焼成
後500〜600Åになるように薄く被着した後空気中で、50
0〜600℃で焼成すると酸化チタンのみが基板上に形成さ
れる。前記酸化チタン層の上にアルミニウムが被着され
520〜600℃で熱処理されることにより酸化チタンと接触
しているアルミニウムは酸化チタンの酸素をとって酸化
し酸化アルミニウムになる。アルミニウムに酸素をとら
れた酸化チタンは、還元され酸素欠乏形の酸化チタンと
なる。
化チタン層が有機金属である有機チタンを数％のオーダ
ーで含有し、ビークルや溶剤からなる薄膜形成液を焼成
後500〜600Åになるように薄く被着した後空気中で、50
0〜600℃で焼成すると酸化チタンのみが基板上に形成さ
れる。前記酸化チタン層の上にアルミニウムが被着され
520〜600℃で熱処理されることにより酸化チタンと接触
しているアルミニウムは酸化チタンの酸素をとって酸化
し酸化アルミニウムになる。アルミニウムに酸素をとら
れた酸化チタンは、還元され酸素欠乏形の酸化チタンと
なる。
このように酸素欠乏形の酸化チタンが形成することが透
明な酸化チタン層を有色させる原因と推察される。
明な酸化チタン層を有色させる原因と推察される。
酸化チタン薄膜の膜厚は500〜600Åの範囲が反射率が小
さく適しているが、膜厚が500Å以下であると着色層が
薄すぎて、光の吸収が少なく反射率が大となる。また膜
厚が600Å以上になると、アルミニウム界面での反射光
と基板と反射防止層との界面での反射光とが干渉しにく
くなり互いに弱め合う作用が小さくなりやはり反射率が
大となる。
さく適しているが、膜厚が500Å以下であると着色層が
薄すぎて、光の吸収が少なく反射率が大となる。また膜
厚が600Å以上になると、アルミニウム界面での反射光
と基板と反射防止層との界面での反射光とが干渉しにく
くなり互いに弱め合う作用が小さくなりやはり反射率が
大となる。
また酸化チタン薄膜の屈折率が2.1以上であることが必
要であったが、この屈折率が2.1以下であると変色はす
るが反射率は大であり、反射防止の作用は小さいことが
実験上わかった。
要であったが、この屈折率が2.1以下であると変色はす
るが反射率は大であり、反射防止の作用は小さいことが
実験上わかった。
アルミニウム層を配設した酸化チタン層を焼成して変色
させる温度は、520℃〜600℃であるが、520℃以下であ
ると酸化チタンの還元作用が充分おこなわれず、ブルー
の色のうすく、反射防止作用も小さい。焼成温度は、60
0℃以上ではガラス基板が軟化してしまい基板としての
精度が悪くなり使用できなくなる。基板が600℃以上で
も軟化しないものであれば、焼成温度は、600℃以上で
もよいが650℃以上になるとアルミニウムが溶けだして
変形をおこすのでそれ以下のアルミニウムの変形しない
温度で焼成することが必要となる。
させる温度は、520℃〜600℃であるが、520℃以下であ
ると酸化チタンの還元作用が充分おこなわれず、ブルー
の色のうすく、反射防止作用も小さい。焼成温度は、60
0℃以上ではガラス基板が軟化してしまい基板としての
精度が悪くなり使用できなくなる。基板が600℃以上で
も軟化しないものであれば、焼成温度は、600℃以上で
もよいが650℃以上になるとアルミニウムが溶けだして
変形をおこすのでそれ以下のアルミニウムの変形しない
温度で焼成することが必要となる。
以上のような方法により形成された反防止膜付基板の反
射防止作用を第２図によって説明する。
射防止作用を第２図によって説明する。
基板１の入射光A1は、基板１の内部へ入る光A2と一部
は、基板１表面で反射光A3となり外部へ出ていく。基板
１内へ入射された光A2は、基板１と反射防止膜2aの界面
で、反射防止膜2aへ入射する光A4と基板１内へ反射する
光A5に分かれる。前記反射防止膜へ入射した光A4は、ア
ルミニウム導体パターンの界面で反射し、反射光A6とな
って基板１の外側方向へ向うが反射防止膜2aと基板１の
界面でさらに反射防止膜側へ反射し、反射防止膜2aへ吸
収されるが一部は、基板１から外側へ出るものもある。
しかしアルミニウム面で反射される反射光A6は、反射防
止膜2a、およびガラス基板１へ吸収されるが一部は基板
１の外側へ出る。そして、別の入射光Ｂが基板１と反射
防止膜の界面で反射される光と前記反射光A6とが干渉
し、互いに弱め合うこととなる。従って入射光を100％
とすると反射光は、40％以下となる。
は、基板１表面で反射光A3となり外部へ出ていく。基板
１内へ入射された光A2は、基板１と反射防止膜2aの界面
で、反射防止膜2aへ入射する光A4と基板１内へ反射する
光A5に分かれる。前記反射防止膜へ入射した光A4は、ア
ルミニウム導体パターンの界面で反射し、反射光A6とな
って基板１の外側方向へ向うが反射防止膜2aと基板１の
界面でさらに反射防止膜側へ反射し、反射防止膜2aへ吸
収されるが一部は、基板１から外側へ出るものもある。
しかしアルミニウム面で反射される反射光A6は、反射防
止膜2a、およびガラス基板１へ吸収されるが一部は基板
１の外側へ出る。そして、別の入射光Ｂが基板１と反射
防止膜の界面で反射される光と前記反射光A6とが干渉
し、互いに弱め合うこととなる。従って入射光を100％
とすると反射光は、40％以下となる。
第５図は、光の波長と反射率の関係を示すグラフであ
る。比較の為に反射防止膜のない基板にアルミニウムを
被着した基板の反射率を実線で示すが97〜98％の反射率
である。本発明の反射防止膜付の基板は、400nm付近が4
0％であり650nm付近まででは反射率が次第に小さくな
り、最小値は22％であり、それから徐々に上り、800nm
で23％位であった。
る。比較の為に反射防止膜のない基板にアルミニウムを
被着した基板の反射率を実線で示すが97〜98％の反射率
である。本発明の反射防止膜付の基板は、400nm付近が4
0％であり650nm付近まででは反射率が次第に小さくな
り、最小値は22％であり、それから徐々に上り、800nm
で23％位であった。
以上説明したように、本発明の反射防止膜付基板は、透
光性基板と、導電性金属からなる導体パターンとの間
に、金属酸化物薄膜層を有色化させた反射防止膜を設け
たので干渉効果及び吸収効果により反射率を低くするこ
とが可能であり、蛍光表示管に使用すれば、表示部の視
認性が高照度下にあっても良好である効果を有する。
光性基板と、導電性金属からなる導体パターンとの間
に、金属酸化物薄膜層を有色化させた反射防止膜を設け
たので干渉効果及び吸収効果により反射率を低くするこ
とが可能であり、蛍光表示管に使用すれば、表示部の視
認性が高照度下にあっても良好である効果を有する。
第１図は、本発明の反射防止膜付基板を使用した蛍光表
示管の要部断面図、第２図は、入射光線の反射機構を説
明する断面図、第３図は、従来の反射防止膜付蛍光表示
管の断面図、第４図は、本発明の反射防止膜を塗布する
ロールコータの断面図、第５図は、波長と反射率の関係
を示すグラフである。 １……透光性基板、２……金属酸化物の透光性薄膜層、
2a……反射防止膜、３……導体パターン層
示管の要部断面図、第２図は、入射光線の反射機構を説
明する断面図、第３図は、従来の反射防止膜付蛍光表示
管の断面図、第４図は、本発明の反射防止膜を塗布する
ロールコータの断面図、第５図は、波長と反射率の関係
を示すグラフである。 １……透光性基板、２……金属酸化物の透光性薄膜層、
2a……反射防止膜、３……導体パターン層
Claims (2)
- 【請求項１】透光性基板と、この基板上に被着した絶縁
性金属酸化物からなる透光性薄膜層と、この透光性薄膜
層上に配設したAlの導体パターン層と、この導体パター
ン層と相対している前記透光性薄膜層のみを熱処理によ
り有色化させてなる反射防止膜とを有することを特徴と
する反射防止膜付基板。 - 【請求項２】前記絶縁性金属酸化物が酸化チタン、酸化
タングステン、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化
ニオブから選ばれた１つである特許請求の範囲第１項記
載の反射防止膜付基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62046245A JPH0752632B2 (ja) | 1987-02-28 | 1987-02-28 | 反射防止膜付基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62046245A JPH0752632B2 (ja) | 1987-02-28 | 1987-02-28 | 反射防止膜付基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63213245A JPS63213245A (ja) | 1988-09-06 |
| JPH0752632B2 true JPH0752632B2 (ja) | 1995-06-05 |
Family
ID=12741763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62046245A Expired - Fee Related JPH0752632B2 (ja) | 1987-02-28 | 1987-02-28 | 反射防止膜付基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0752632B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100645707B1 (ko) * | 2006-01-27 | 2006-11-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6081799A (ja) * | 1983-10-13 | 1985-05-09 | 伊勢電子工業株式会社 | 電極の製造方法 |
| JPS60115137A (ja) * | 1983-11-26 | 1985-06-21 | Futaba Corp | 螢光表示管 |
-
1987
- 1987-02-28 JP JP62046245A patent/JPH0752632B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63213245A (ja) | 1988-09-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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