JPH075508B2 - ブタジエンの3‐ペンテン酸へのヒドロカルボキシル化方法 - Google Patents
ブタジエンの3‐ペンテン酸へのヒドロカルボキシル化方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は,ロジウム含有触媒,よう化物促進剤及び塩
化メチレンのような特定の不活性ハロ炭素溶媒の存在下
で,ブタジエンを一酸化炭素及び水によってヒドロカル
ボキシル化する3−ペンテン酸の製造方法に関する. [従来の技術] 米国特許第3,876,695号(1975年4月8日付,Nicolaus V
on Kutepow)は,触媒系としてハロゲンを含まず又は結
合ハロゲンと共に特定のロジウムカルボニル錯体を用い
ブタジエン,一酸化炭素及び水の反応によりアジピン酸
を製造する方法を開示している.特許権者は,この系で
アジピン酸に対して非溶媒である溶媒の使用の有利性を
開示し,実施可能なものとしてキシレン等の芳香族炭化
水素,シクロヘキサン等の飽和脂環族炭化水素,飽和脂
肪族炭化水素,特に炭素原子数8−12のものを挙げてい
る.特許権者はこの方法を連続的に実施する場合水溶液
中の触媒の導入を示唆している.第1欄10−50行では特
許権者はカルボニル化を経由する酸及びエステルの製造
について代表的な技術を論じている. 米国特許第4,172,087号(1979年10月23日付,J.F.Knifto
n)は,ヒドロキシル化共反応体,二重作用パラジウム
触媒及び第3窒素含有塩基の存在下1,3−ブタジエン等
のオレフィンのカルボニル化及び同時に起こる二量体化
により不飽和カルボン酸のエステル誘導体及び酸を製造
する方法を開示している.ブタジエンの反応は3−ペン
テン酸及び3,8−ノナジエン酸及びそれらの対応するエ
ステル誘導体を製造することを教示している.特許権者
はこの反応を溶媒の存在下で行なうことの望ましさ及び
/又は効果については論じていない.触媒系はパラジウ
ム塩を安定化するため第VB族の配位子の存在を必要とす
る.これらの配位子に含まれるものにはビス(1,2−ジ
フェニルフォスフィノ)エタン等の多くの燐含有化合物
がある. 欧州特許第0075524号(1983年3月30日発行,Rhone-Poul
enc Chimie De Base)は,パラジウム触媒とハライド促
進剤を用いて共役ジエンのカルボニル化して対応するエ
ステルを製造することによるベータ,ガンマ不飽和カル
ボン酸の製造方法を開示している. 3−ペンテン酸の製造はイミアニトフ等の論文(I myan
itov et al,Karbonilirovonie Nenasyshchennykh Uglev
odorodov(1968) 225-32,CA 71 216484)で論じられ,
その一部は英国特許第1,092,694号(1965年2月4日発
行)に示されている.反応はピリジン溶媒中で120−500
気圧の圧力下コバルトカルボニル触媒について研究され
ている.著者は水に関するオーダーが反応混合物が等モ
ル量の水を含むときの0から13倍過剰の水における−1
まで変化することを指摘している.コバルト触媒を用い
る3−ペンテン酸のエステルの製造はドイツ特許DE3040
432号(1981年6月19日発行)に開示されている.ロジ
ウム触媒を用いるヒドロカルボキシル化は論文(Mecani
stic Pathways in the Catalysis of Olefin Hydrocarb
oxylation by Rhodium,Iridium,and Cobalt Complexes,
D.Forster et al,Catal.Rev.-Sci.Eng.23(12)p 89-10
5(1981))で論じられている. 米国特許第3,579,552号は,ロジウム触媒とよう化物促
進剤とを使用してオレフィン及び他のエチレン性不飽和
化合物からカルボン酸を製造することを開示している.
第8欄31−42行に,特許権者は,過剰の水は,特許の教
示によれば,オレフィン自体又はカルボン酸を溶媒とし
て用いて行なう反応にとって有利であることを開示して
いる.例9はブタジエンの反応に対して溶媒として酢酸
の使用を示している.全ての場合において生成物の重要
なパーセントはわかれている. [発明の概要] この発明は,ロジウム含有触媒,よう化物促進剤及び塩
化メチレン等の炭素原子数1−2の特定のハロ炭素溶媒
の存在下,100−220℃の範囲の温度及び20−200atmの範
囲の圧力で,ブタジエン,一酸化炭素及び水の反応によ
り3−ペンテン酸を製造する方法である.反応媒体にお
ける水の量は,触媒活性を維持し高収率を確保するため
に反応媒体の重量を基準にして約4.5%以下好ましくは
3.5%より少なく維持する. [発明の構成] オレフィンのヒドロカルボキシル化においては,ブタジ
エンから直接にアジピン酸及びアジピン酸エステルの製
造が強調されてきた.これらの化合物がナイロン重合体
の中間体であるからである. アジピン酸等の所望の線状最終製品の収量は反応を2工
程で行なうと改善されることが発見された.第一工程で
3−ペンテン酸が製造され,次いで第二工程でアジピン
酸にヒドロカルボキシル化する.この出願は第一工程即
ち比較的温和な条件で非常に高い収率での3−ペンテン
酸の製造に関する.更に,線状3−ペンテン酸の選択性
はこの反応においては極めて高く,主要なカルボニル化
副産物として2−メチル−3ブテン酸を伴いほとんどの
場合95−97%を超える. この方法の反応体源は特に臨界的ではない.市場で入手
できるグレードの一酸化炭素及びブタジエンで全く充分
である. 反応はかなり広い温度範囲に亙って行なえるが,比較的
温和な条件が好ましい.満足な収率は100−220℃好まし
くは100−160℃の範囲の温度で得られる.この範囲の上
端以上の温度はブタジエンの3−ペンテン酸への変換の
重要な減少をもたらし,この範囲の下端以下の温度では
反応はおそすぎて経済的でない. 比較的温和な圧力,即ち20−200好ましくは25−75atmの
範囲が申し分ない.一酸化炭素の分圧は通常は10−200a
tm好ましくは13−70atmの範囲に維持する. 使用する触媒先駆体は妨害配位子特にビデンテート フ
ォスフィン及び窒素配位子を含まない任意のロジウム錯
体を用いることができる.ロジウム錯体は例えば次のも
のがある.塩化ロジウム(III)−RhCl3・3H2O,よう化
ロジウム(III)−RhI3,ロジウム カルボニルアイオ
ダイド−Rh(CO)nI3(N=2−3),硝酸ロジウム(II
I)−Rh(NO3)3・2H2O,ドデカカルボニルテトラロジウ
ム(O)-Rh4(CO)12,アセチルアセトナートジカルボニル
ロジウム(I)−Rh(CO)2(C5H7O2),クロロビス(エチ
レン)ロジウム(I)ダイマ−[Rh(C2H4)2Cl]2,アセチ
ルアセトナート(1,5−シクロオクタジエン)ロジウム
(I)−Rh(C8H12)(C5H7O2),クロロカルボニルビス
(トリフェニルフォスフィン)ロジウム(I)−RhCl(C
O)(PPh3)2,ヘキサデカカルボニルヘキサロジウム
(O)−Rh6(CO)16,トリス(アセチルアセトナート)
ロジウム(III)−Rh(C5H7O2)3,ロジウム(II)オクト
ナート ダイマ−Rh2[CO2(CH2)6CH3]4,クロロジカルボ
ニルロジウム(I) ダイマ−[Rh(CO)2Cl]2,クロロ(1,5−クロロオクタジ
エン)ロジウム(I) ダイマ−[Rh(C8H12)Cl]2,アセチルアセトナートビス
(エチレン)ロジウム(I)−Rh(C2H4)2(C5H7O2)及び
ロジウム(II)アセテート ダイマ−Rh2(CO2(CH3)4. 触媒先駆体の濃度は臨界的ではないが,反応媒体の重量
を基準にしてロジウム金属0.04−0.16%の範囲に維持す
るのが通常である.触媒は,予め形成しておくこともで
きるし,その場で形成することもできるが,満足できる
反応速度を得るには好ましくはよう化物によって促進し
なければならない.よう化水素は好ましいよう化物源で
あるが,よう化メチルのような炭素原子数1−10のよう
化アルキルは,特に高い反応温度において適した促進剤
である.他の適当な促進剤には,イオドエタン,1−イオ
ドブタン,2−イオドプロパン,1−イオドプロパン及びイ
オドヘプタンが含まれる.上記のことから明らかである
と信じられるが,促進剤及びロジウムはよう化ロジウム
のように同一化合物に存在することもできる.一般に
は,促進剤の濃度は反応媒体の重量を基準にしてよう化
物0.1−1.0重量%の間であり,少なくとも3.0/1のロジ
ウムに対するモル比である. 反応は,溶媒の存在下で行われる.溶媒の選択はこの発
明にとって臨界的である.ピリジン,ジメチルフォルム
アミド及びジメチルスルフォキシド等の配位性溶媒及び
N−メチルピロリドンはロジウムの活性点を封鎖するの
で避けるべきである.水溶液中の酢酸のような溶媒も好
ましくない.シクロヘキセン及びトルエン等の非極性溶
媒は好ましくない.ブタジエンのブテンへの還元を生じ
るシフト反応を促進するからである.一般に,溶媒は反
応体に本質的に不活性で加水分解抵抗性でなければなら
ない.好ましい溶媒には,塩化メチレン,1,1,2,2−テト
ラクロロタン,1,1,2−トリクロロエタン,1,1−ジクロロ
エタン,クロロフォルム及び四塩化炭素等の炭素原子数
1−2の飽和ハロ炭素溶媒が含まれる.塩化メチレンが
好ましい.テトラクロロエチレンのような不飽和ハロ炭
素溶媒はブタジエンの消費は極めて高いが非常に低い収
率で3−ペンテン酸を生成する.使用する溶媒の量は,
反応混合物の重量を基準にして50−99重量%のように広
い範囲に亙って変わり得るが通常は80−99%好ましくは
85−95%である. 反応媒体における水の量はこの発明にとって臨界的であ
り,溶媒の重量を基準にして4,5重量%を超えてはなら
ない.好ましくは水の水準は同一基準で3.5%より少な
く維持する.反応はバッチ式でも連続式でも行なうこと
ができる. [実施例] 次にあげる例はこの発明を説明するためのものであり,
限定するためのものではない.部及びパーセントは特に
指摘しない限り重量基準のものである. 例1 ハステロイーC製の300トン機械攪拌反応器を窒素で次い
で高純度の一酸化炭素でフラッシュし,次いでクロロ
(1,5−シクロオクトジエン)ロジウム(I)ダイマ0.3
7gを含む塩化メチレン130mlを仕込んだ.反応器を閉
じ,ドデカン(内部標準として)10g及び2,6−ジ−t−
ブチル−4−メチルフェノル(重合禁止剤)10mgを含む
ブタジエン14.2g及び塩化メチレン10mlの溶液を5.4atm
の圧力で反応器に注入した.ブタジエンの導入後,反応
器中の圧力を一酸化炭素で400psiに上げ,内容の温度が
140℃に上がるまで加熱し,反応器に水5.43g中よう化水
素0.57gの溶液を注入した.この注入が完了した後,反
応器の圧力は一酸化炭素で47.6atmに上げヒドロカルボ
キシル化中この圧力と140℃の温度に維持した.約8分
後一酸化炭素の消費が始まり貯蔵シリンダ内の圧力低下
を測定して監視した.5時間後反応が終了し一酸化炭素の
吸収が停止した.一酸化炭素の理論量の84.7%に当た
る.反応器を約20℃に冷却し反応器を徐々に大気圧に排
気して反応器の内容を回収した.反応器の内容を取出
し,反応器を110℃に加熱したテトラヒドロフラン200ml
で先ず洗浄し,次いで室温においてテトラヒドロフラン
150mlで洗浄した.仕込みブタジエンを基準にして3−
ペンテン酸への変換79.0%及び2−メチル−3−ブテン
酸0.5%未満が得られた.一酸化炭素消費から計算した
変換(84.7%)を基準にすると,3−ペンテン酸の収率は
93.3%であった.分析によると,少量のアジピン酸(1.
49%変換)及びアルファーメチルグルタル酸(1.30%変
換)をも示した.反応器の蒸気空間の分析は,ブタジエ
ンの当初濃度7.43容量%を示し,0.11% 1−ブテン,0.
27% 2−ブテン及び2.1% 二酸化炭素の生成と共に1.45%の最終濃度を示した.こ
の結果は約5.6%のブタジエンからブテンへの還元に対
応する.気相及び液相分析によって他の生成物は検出し
なかった.一般的な結果は表に示してある. 例2−7 表に示すようにブタジエンの量を減らし温度及び圧力を
変えた他は,例1を繰返した. 例8−11 表に示すようによう化水素促進剤と共に導入する水の量
を変えた他は,例1を繰返した. 例12 塩化メチレンを1,1,2,2−テトラクロロエタンで置換え
た他は,例1を繰返した.結果は表に示してある. 例13−15 触媒先駆体,クロロ(1,5−シクロオクトジエン)ロジ
ウム(I)ダイマの代わりに表示した触媒先駆体を用い
た他は,例1を繰返した.結果は表に示してある. 例16 例1の方法を次のように変更してよう化メチル促進剤を
用いた.反応器によう化メチル4.26g,ドデカン(内部GC
標準)10g,ブタジエン8.3g,水6.0g及び塩化メチレン溶
媒140mlを仕込んだ.反応器を一酸化炭素で48atmに加圧
し前述したように140℃に加熱した.塩化メチレン10ml
中0.37gのクロロ(1,5−シクロオクタジエン)ロジウム
(I)ダイマの溶液を添加して反応が開始した.約2時
間後,一酸化炭素の消費が始まった.反応は5時間後に
終了した.生成物は例1のように回収した.結果は表に
まとめてある. 例17 反応を水6.0ml中0.4gのRHCl3・3H2Oの溶液を添加して開
始した他は,例16を繰返した.一酸化炭素の吸収が理論
値の50%に達するまでに約3.5時間を要した.一酸化炭
素の吸収が停止した後に反応が終了した.生成物は例1
に示したように回収した.結果は表にまとめてある.
化メチレンのような特定の不活性ハロ炭素溶媒の存在下
で,ブタジエンを一酸化炭素及び水によってヒドロカル
ボキシル化する3−ペンテン酸の製造方法に関する. [従来の技術] 米国特許第3,876,695号(1975年4月8日付,Nicolaus V
on Kutepow)は,触媒系としてハロゲンを含まず又は結
合ハロゲンと共に特定のロジウムカルボニル錯体を用い
ブタジエン,一酸化炭素及び水の反応によりアジピン酸
を製造する方法を開示している.特許権者は,この系で
アジピン酸に対して非溶媒である溶媒の使用の有利性を
開示し,実施可能なものとしてキシレン等の芳香族炭化
水素,シクロヘキサン等の飽和脂環族炭化水素,飽和脂
肪族炭化水素,特に炭素原子数8−12のものを挙げてい
る.特許権者はこの方法を連続的に実施する場合水溶液
中の触媒の導入を示唆している.第1欄10−50行では特
許権者はカルボニル化を経由する酸及びエステルの製造
について代表的な技術を論じている. 米国特許第4,172,087号(1979年10月23日付,J.F.Knifto
n)は,ヒドロキシル化共反応体,二重作用パラジウム
触媒及び第3窒素含有塩基の存在下1,3−ブタジエン等
のオレフィンのカルボニル化及び同時に起こる二量体化
により不飽和カルボン酸のエステル誘導体及び酸を製造
する方法を開示している.ブタジエンの反応は3−ペン
テン酸及び3,8−ノナジエン酸及びそれらの対応するエ
ステル誘導体を製造することを教示している.特許権者
はこの反応を溶媒の存在下で行なうことの望ましさ及び
/又は効果については論じていない.触媒系はパラジウ
ム塩を安定化するため第VB族の配位子の存在を必要とす
る.これらの配位子に含まれるものにはビス(1,2−ジ
フェニルフォスフィノ)エタン等の多くの燐含有化合物
がある. 欧州特許第0075524号(1983年3月30日発行,Rhone-Poul
enc Chimie De Base)は,パラジウム触媒とハライド促
進剤を用いて共役ジエンのカルボニル化して対応するエ
ステルを製造することによるベータ,ガンマ不飽和カル
ボン酸の製造方法を開示している. 3−ペンテン酸の製造はイミアニトフ等の論文(I myan
itov et al,Karbonilirovonie Nenasyshchennykh Uglev
odorodov(1968) 225-32,CA 71 216484)で論じられ,
その一部は英国特許第1,092,694号(1965年2月4日発
行)に示されている.反応はピリジン溶媒中で120−500
気圧の圧力下コバルトカルボニル触媒について研究され
ている.著者は水に関するオーダーが反応混合物が等モ
ル量の水を含むときの0から13倍過剰の水における−1
まで変化することを指摘している.コバルト触媒を用い
る3−ペンテン酸のエステルの製造はドイツ特許DE3040
432号(1981年6月19日発行)に開示されている.ロジ
ウム触媒を用いるヒドロカルボキシル化は論文(Mecani
stic Pathways in the Catalysis of Olefin Hydrocarb
oxylation by Rhodium,Iridium,and Cobalt Complexes,
D.Forster et al,Catal.Rev.-Sci.Eng.23(12)p 89-10
5(1981))で論じられている. 米国特許第3,579,552号は,ロジウム触媒とよう化物促
進剤とを使用してオレフィン及び他のエチレン性不飽和
化合物からカルボン酸を製造することを開示している.
第8欄31−42行に,特許権者は,過剰の水は,特許の教
示によれば,オレフィン自体又はカルボン酸を溶媒とし
て用いて行なう反応にとって有利であることを開示して
いる.例9はブタジエンの反応に対して溶媒として酢酸
の使用を示している.全ての場合において生成物の重要
なパーセントはわかれている. [発明の概要] この発明は,ロジウム含有触媒,よう化物促進剤及び塩
化メチレン等の炭素原子数1−2の特定のハロ炭素溶媒
の存在下,100−220℃の範囲の温度及び20−200atmの範
囲の圧力で,ブタジエン,一酸化炭素及び水の反応によ
り3−ペンテン酸を製造する方法である.反応媒体にお
ける水の量は,触媒活性を維持し高収率を確保するため
に反応媒体の重量を基準にして約4.5%以下好ましくは
3.5%より少なく維持する. [発明の構成] オレフィンのヒドロカルボキシル化においては,ブタジ
エンから直接にアジピン酸及びアジピン酸エステルの製
造が強調されてきた.これらの化合物がナイロン重合体
の中間体であるからである. アジピン酸等の所望の線状最終製品の収量は反応を2工
程で行なうと改善されることが発見された.第一工程で
3−ペンテン酸が製造され,次いで第二工程でアジピン
酸にヒドロカルボキシル化する.この出願は第一工程即
ち比較的温和な条件で非常に高い収率での3−ペンテン
酸の製造に関する.更に,線状3−ペンテン酸の選択性
はこの反応においては極めて高く,主要なカルボニル化
副産物として2−メチル−3ブテン酸を伴いほとんどの
場合95−97%を超える. この方法の反応体源は特に臨界的ではない.市場で入手
できるグレードの一酸化炭素及びブタジエンで全く充分
である. 反応はかなり広い温度範囲に亙って行なえるが,比較的
温和な条件が好ましい.満足な収率は100−220℃好まし
くは100−160℃の範囲の温度で得られる.この範囲の上
端以上の温度はブタジエンの3−ペンテン酸への変換の
重要な減少をもたらし,この範囲の下端以下の温度では
反応はおそすぎて経済的でない. 比較的温和な圧力,即ち20−200好ましくは25−75atmの
範囲が申し分ない.一酸化炭素の分圧は通常は10−200a
tm好ましくは13−70atmの範囲に維持する. 使用する触媒先駆体は妨害配位子特にビデンテート フ
ォスフィン及び窒素配位子を含まない任意のロジウム錯
体を用いることができる.ロジウム錯体は例えば次のも
のがある.塩化ロジウム(III)−RhCl3・3H2O,よう化
ロジウム(III)−RhI3,ロジウム カルボニルアイオ
ダイド−Rh(CO)nI3(N=2−3),硝酸ロジウム(II
I)−Rh(NO3)3・2H2O,ドデカカルボニルテトラロジウ
ム(O)-Rh4(CO)12,アセチルアセトナートジカルボニル
ロジウム(I)−Rh(CO)2(C5H7O2),クロロビス(エチ
レン)ロジウム(I)ダイマ−[Rh(C2H4)2Cl]2,アセチ
ルアセトナート(1,5−シクロオクタジエン)ロジウム
(I)−Rh(C8H12)(C5H7O2),クロロカルボニルビス
(トリフェニルフォスフィン)ロジウム(I)−RhCl(C
O)(PPh3)2,ヘキサデカカルボニルヘキサロジウム
(O)−Rh6(CO)16,トリス(アセチルアセトナート)
ロジウム(III)−Rh(C5H7O2)3,ロジウム(II)オクト
ナート ダイマ−Rh2[CO2(CH2)6CH3]4,クロロジカルボ
ニルロジウム(I) ダイマ−[Rh(CO)2Cl]2,クロロ(1,5−クロロオクタジ
エン)ロジウム(I) ダイマ−[Rh(C8H12)Cl]2,アセチルアセトナートビス
(エチレン)ロジウム(I)−Rh(C2H4)2(C5H7O2)及び
ロジウム(II)アセテート ダイマ−Rh2(CO2(CH3)4. 触媒先駆体の濃度は臨界的ではないが,反応媒体の重量
を基準にしてロジウム金属0.04−0.16%の範囲に維持す
るのが通常である.触媒は,予め形成しておくこともで
きるし,その場で形成することもできるが,満足できる
反応速度を得るには好ましくはよう化物によって促進し
なければならない.よう化水素は好ましいよう化物源で
あるが,よう化メチルのような炭素原子数1−10のよう
化アルキルは,特に高い反応温度において適した促進剤
である.他の適当な促進剤には,イオドエタン,1−イオ
ドブタン,2−イオドプロパン,1−イオドプロパン及びイ
オドヘプタンが含まれる.上記のことから明らかである
と信じられるが,促進剤及びロジウムはよう化ロジウム
のように同一化合物に存在することもできる.一般に
は,促進剤の濃度は反応媒体の重量を基準にしてよう化
物0.1−1.0重量%の間であり,少なくとも3.0/1のロジ
ウムに対するモル比である. 反応は,溶媒の存在下で行われる.溶媒の選択はこの発
明にとって臨界的である.ピリジン,ジメチルフォルム
アミド及びジメチルスルフォキシド等の配位性溶媒及び
N−メチルピロリドンはロジウムの活性点を封鎖するの
で避けるべきである.水溶液中の酢酸のような溶媒も好
ましくない.シクロヘキセン及びトルエン等の非極性溶
媒は好ましくない.ブタジエンのブテンへの還元を生じ
るシフト反応を促進するからである.一般に,溶媒は反
応体に本質的に不活性で加水分解抵抗性でなければなら
ない.好ましい溶媒には,塩化メチレン,1,1,2,2−テト
ラクロロタン,1,1,2−トリクロロエタン,1,1−ジクロロ
エタン,クロロフォルム及び四塩化炭素等の炭素原子数
1−2の飽和ハロ炭素溶媒が含まれる.塩化メチレンが
好ましい.テトラクロロエチレンのような不飽和ハロ炭
素溶媒はブタジエンの消費は極めて高いが非常に低い収
率で3−ペンテン酸を生成する.使用する溶媒の量は,
反応混合物の重量を基準にして50−99重量%のように広
い範囲に亙って変わり得るが通常は80−99%好ましくは
85−95%である. 反応媒体における水の量はこの発明にとって臨界的であ
り,溶媒の重量を基準にして4,5重量%を超えてはなら
ない.好ましくは水の水準は同一基準で3.5%より少な
く維持する.反応はバッチ式でも連続式でも行なうこと
ができる. [実施例] 次にあげる例はこの発明を説明するためのものであり,
限定するためのものではない.部及びパーセントは特に
指摘しない限り重量基準のものである. 例1 ハステロイーC製の300トン機械攪拌反応器を窒素で次い
で高純度の一酸化炭素でフラッシュし,次いでクロロ
(1,5−シクロオクトジエン)ロジウム(I)ダイマ0.3
7gを含む塩化メチレン130mlを仕込んだ.反応器を閉
じ,ドデカン(内部標準として)10g及び2,6−ジ−t−
ブチル−4−メチルフェノル(重合禁止剤)10mgを含む
ブタジエン14.2g及び塩化メチレン10mlの溶液を5.4atm
の圧力で反応器に注入した.ブタジエンの導入後,反応
器中の圧力を一酸化炭素で400psiに上げ,内容の温度が
140℃に上がるまで加熱し,反応器に水5.43g中よう化水
素0.57gの溶液を注入した.この注入が完了した後,反
応器の圧力は一酸化炭素で47.6atmに上げヒドロカルボ
キシル化中この圧力と140℃の温度に維持した.約8分
後一酸化炭素の消費が始まり貯蔵シリンダ内の圧力低下
を測定して監視した.5時間後反応が終了し一酸化炭素の
吸収が停止した.一酸化炭素の理論量の84.7%に当た
る.反応器を約20℃に冷却し反応器を徐々に大気圧に排
気して反応器の内容を回収した.反応器の内容を取出
し,反応器を110℃に加熱したテトラヒドロフラン200ml
で先ず洗浄し,次いで室温においてテトラヒドロフラン
150mlで洗浄した.仕込みブタジエンを基準にして3−
ペンテン酸への変換79.0%及び2−メチル−3−ブテン
酸0.5%未満が得られた.一酸化炭素消費から計算した
変換(84.7%)を基準にすると,3−ペンテン酸の収率は
93.3%であった.分析によると,少量のアジピン酸(1.
49%変換)及びアルファーメチルグルタル酸(1.30%変
換)をも示した.反応器の蒸気空間の分析は,ブタジエ
ンの当初濃度7.43容量%を示し,0.11% 1−ブテン,0.
27% 2−ブテン及び2.1% 二酸化炭素の生成と共に1.45%の最終濃度を示した.こ
の結果は約5.6%のブタジエンからブテンへの還元に対
応する.気相及び液相分析によって他の生成物は検出し
なかった.一般的な結果は表に示してある. 例2−7 表に示すようにブタジエンの量を減らし温度及び圧力を
変えた他は,例1を繰返した. 例8−11 表に示すようによう化水素促進剤と共に導入する水の量
を変えた他は,例1を繰返した. 例12 塩化メチレンを1,1,2,2−テトラクロロエタンで置換え
た他は,例1を繰返した.結果は表に示してある. 例13−15 触媒先駆体,クロロ(1,5−シクロオクトジエン)ロジ
ウム(I)ダイマの代わりに表示した触媒先駆体を用い
た他は,例1を繰返した.結果は表に示してある. 例16 例1の方法を次のように変更してよう化メチル促進剤を
用いた.反応器によう化メチル4.26g,ドデカン(内部GC
標準)10g,ブタジエン8.3g,水6.0g及び塩化メチレン溶
媒140mlを仕込んだ.反応器を一酸化炭素で48atmに加圧
し前述したように140℃に加熱した.塩化メチレン10ml
中0.37gのクロロ(1,5−シクロオクタジエン)ロジウム
(I)ダイマの溶液を添加して反応が開始した.約2時
間後,一酸化炭素の消費が始まった.反応は5時間後に
終了した.生成物は例1のように回収した.結果は表に
まとめてある. 例17 反応を水6.0ml中0.4gのRHCl3・3H2Oの溶液を添加して開
始した他は,例16を繰返した.一酸化炭素の吸収が理論
値の50%に達するまでに約3.5時間を要した.一酸化炭
素の吸収が停止した後に反応が終了した.生成物は例1
に示したように回収した.結果は表にまとめてある.
Claims (8)
- 【請求項1】炭素原子数1〜2の不活性飽和ハロ炭素溶
媒中で、ブタジエンと一酸化炭素及び水とを、ロジウム
含有触媒及びよう化物促進剤の存在下で100〜220℃の範
囲の温度で20〜200気圧の範囲の圧力下において、水の
量を溶媒の重量を基準にして約4.5重量%より少なく維
持しながら接触させることを包含する3−ペンテン酸の
製造方法。 - 【請求項2】水を約3.5%より少なく維持する特許請求
の範囲第1項に記載の方法。 - 【請求項3】よう化物化合物がよう化水素である特許請
求の範囲第1項に記載の方法。 - 【請求項4】溶媒が塩化メチレンである特許請求の範囲
第1項に記載の方法。 - 【請求項5】溶媒が塩化メチレンである特許請求の範囲
第2項に記載の方法。 - 【請求項6】溶媒が塩化メチレンである特許請求の範囲
第3項に記載の方法。 - 【請求項7】温度を100〜160℃の範囲に維持し、かつ、
圧力を25〜70気圧に維持する特許請求の範囲第5項に記
載の方法。 - 【請求項8】温度を100〜160℃の範囲に維持し、かつ、
圧力を13〜70気圧に維持する特許請求の範囲第6項に記
載の方法。
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