JPH0758679B2 - Ｘ線露光用マスクの製造方法 - Google Patents
Ｘ線露光用マスクの製造方法Info
- Publication number
- JPH0758679B2 JPH0758679B2 JP29886385A JP29886385A JPH0758679B2 JP H0758679 B2 JPH0758679 B2 JP H0758679B2 JP 29886385 A JP29886385 A JP 29886385A JP 29886385 A JP29886385 A JP 29886385A JP H0758679 B2 JPH0758679 B2 JP H0758679B2
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- Japan
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- ray
- pattern
- shielding frame
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- absorptive
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、微細パターンを高精度に転写するＸ線露光装
置用のＸ線露光用マスクの製造方法に係り、更に詳しく
はＸ線露光域を高精度に規定するＸ線露光用マスクの製
造方法に関する。
置用のＸ線露光用マスクの製造方法に係り、更に詳しく
はＸ線露光域を高精度に規定するＸ線露光用マスクの製
造方法に関する。
回折による微細化の限界を克服するため、より短波長の
電磁波を応用した露光方法としてＸ線露光がある。
電磁波を応用した露光方法としてＸ線露光がある。
Ｘ線露光にはＸ線透過率のコントラストが十分大きい露
光用マスクが必要であり、その基板にはＸ線透過性の優
れた材料が選択使用され、基板上にはＸ線吸収材料薄膜
よりなるＸ線吸収性パターンが設けられ、又、一般に波
長４〜数10Åの軟Ｘ線が使用される。
光用マスクが必要であり、その基板にはＸ線透過性の優
れた材料が選択使用され、基板上にはＸ線吸収材料薄膜
よりなるＸ線吸収性パターンが設けられ、又、一般に波
長４〜数10Åの軟Ｘ線が使用される。
このＸ線露光方法には大別して一括転写方式とステップ
アンドリピート方式の２方式がある。前者は大面積を一
括して転写するため、１μｍ以下のパターン転写では転
写精度が低下する。それ故１μｍ以下ではステップアン
ドリピート方式が主に採用されている。
アンドリピート方式の２方式がある。前者は大面積を一
括して転写するため、１μｍ以下のパターン転写では転
写精度が低下する。それ故１μｍ以下ではステップアン
ドリピート方式が主に採用されている。
而して１μｍ以下のパターン転写をステップアンドリピ
ート方式によって行なう場合、なるべく転写間隔をせば
めて次々と隣の位置にパターンを転写することが要求さ
れる。その際二重露光により、被転写基板上のレジスト
にかぶりを生ぜしめてしまうことを防止するため、Ｘ線
露光用マスクにはＸ線吸収性パターンを包囲して、マス
ク周辺部にＸ線露光域を規定するＸ線遮光枠パターンが
設けられている。
ート方式によって行なう場合、なるべく転写間隔をせば
めて次々と隣の位置にパターンを転写することが要求さ
れる。その際二重露光により、被転写基板上のレジスト
にかぶりを生ぜしめてしまうことを防止するため、Ｘ線
露光用マスクにはＸ線吸収性パターンを包囲して、マス
ク周辺部にＸ線露光域を規定するＸ線遮光枠パターンが
設けられている。
しかしながら、従来のＸ線露光枠パターンを有する、Ｘ
線露光用マスクは、基板として0.3〜3mm厚のSiウエハ基
板を用い、Siウエハ基板上の上面に0.2〜４μｍのSi
3N4、SiO2、SiC、SiN、BN等の無機材料によりＸ線透過
性薄膜を形成し、一方Siウエハ基板の下面には同じくSi
3N4、SiO2、SiC、SiN、BN等の無機材料よりなる、保護
膜を形成し、次いでＸ線透過性薄膜上にＸ線吸収性材料
層をAuなどの重金属を蒸着するか、またはスパッタリン
グすることにより形成し、次いでドライエッチングする
か、あるいはまずメッキ下地層を設け、次いでメッキ下
地層をＸ線吸収性パターンに対応する部分が開口したレ
ジストパターンで被覆してからAuメッキし、しかるのち
前記レジストパターンを除去することにより製造される
ものであるが、Ｘ線遮光枠パターンによるＸ線遮へいが
十分になされず、ステップアンドリピートで重なって配
置されるＸ線遮光枠パターン部分において多重露光さ
れ、結果レジストのかぶりが生じてしまう。
線露光用マスクは、基板として0.3〜3mm厚のSiウエハ基
板を用い、Siウエハ基板上の上面に0.2〜４μｍのSi
3N4、SiO2、SiC、SiN、BN等の無機材料によりＸ線透過
性薄膜を形成し、一方Siウエハ基板の下面には同じくSi
3N4、SiO2、SiC、SiN、BN等の無機材料よりなる、保護
膜を形成し、次いでＸ線透過性薄膜上にＸ線吸収性材料
層をAuなどの重金属を蒸着するか、またはスパッタリン
グすることにより形成し、次いでドライエッチングする
か、あるいはまずメッキ下地層を設け、次いでメッキ下
地層をＸ線吸収性パターンに対応する部分が開口したレ
ジストパターンで被覆してからAuメッキし、しかるのち
前記レジストパターンを除去することにより製造される
ものであるが、Ｘ線遮光枠パターンによるＸ線遮へいが
十分になされず、ステップアンドリピートで重なって配
置されるＸ線遮光枠パターン部分において多重露光さ
れ、結果レジストのかぶりが生じてしまう。
そこで本発明が解決しようとする問題点はＸ線遮光枠パ
ターン部分を通しての多重露光によるレジストのかぶり
を解消したＸ線露光用マスクの製造方法を提供すること
にある。
ターン部分を通しての多重露光によるレジストのかぶり
を解消したＸ線露光用マスクの製造方法を提供すること
にある。
本発明者は上記問題点を解決すべく研究の結果、Ｘ線遮
光枠パターンをさらに厚膜化すれば多重露光によるレジ
ストのかぶりを解消し得ること、Ｘ線吸収性パターンは
厚膜化せず、Ｘ線遮光枠パターンのみを厚膜に形成する
ことによりＸ線吸収性パターンのパターン精度は保持さ
れること、Ｘ線遮光枠パターンのみの厚膜化はＸ線吸収
性材料を用いてＸ線吸収性パターンを形成すると共にＸ
線遮光枠パターンの主要部を構成するＸ線遮光枠主体層
をＸ線露光用マスクの外周部に沿って形成し、次いで、
Ｘ線遮光枠主体層とＸ線吸収性パターン間を電気的に絶
縁した状態でＸ線遮光枠主体層をめっき電極に接続し、
Ｘ線遮光枠主体層上に電気めっきしてＸ線遮光枠補足層
を形成することにより繁雑なレジスト製版工程を経るこ
となく、めっき工程のみで簡単に行なうことができるこ
とを見いだし、かかる知見にもとづいて本発明を完成し
たものである。
光枠パターンをさらに厚膜化すれば多重露光によるレジ
ストのかぶりを解消し得ること、Ｘ線吸収性パターンは
厚膜化せず、Ｘ線遮光枠パターンのみを厚膜に形成する
ことによりＸ線吸収性パターンのパターン精度は保持さ
れること、Ｘ線遮光枠パターンのみの厚膜化はＸ線吸収
性材料を用いてＸ線吸収性パターンを形成すると共にＸ
線遮光枠パターンの主要部を構成するＸ線遮光枠主体層
をＸ線露光用マスクの外周部に沿って形成し、次いで、
Ｘ線遮光枠主体層とＸ線吸収性パターン間を電気的に絶
縁した状態でＸ線遮光枠主体層をめっき電極に接続し、
Ｘ線遮光枠主体層上に電気めっきしてＸ線遮光枠補足層
を形成することにより繁雑なレジスト製版工程を経るこ
となく、めっき工程のみで簡単に行なうことができるこ
とを見いだし、かかる知見にもとづいて本発明を完成し
たものである。
本発明のＸ線露光用マスクの製造方法はSiウエハ基板の
一面側にＸ線透過性薄膜を積層する工程と、Siウエハ基
板の他面側の支持枠下面に相当するSiウエハ基板面領域
に保護膜を設ける工程と、Ｘ線吸収性材料を用いてＸ線
吸収性パターンを形成すると共にＸ線遮光枠パターンの
主要部を構成するＸ線遮光枠主体層をＸ線露光用マスク
の外周部に沿って形成する工程と、Ｘ線遮光枠主体層と
Ｘ線吸収性パターン間を電気的に絶縁した状態でＸ線遮
光枠主体層をめっき電極に接続し、Ｘ線遮光枠主体層上
に電気めっきしてＸ線遮光枠補足層を形成する工程とSi
ウエハ基板の一部を保護膜が設けられた面側から一回の
みのエッチングを行って除去し、窓を形成する工程とか
らなる。
一面側にＸ線透過性薄膜を積層する工程と、Siウエハ基
板の他面側の支持枠下面に相当するSiウエハ基板面領域
に保護膜を設ける工程と、Ｘ線吸収性材料を用いてＸ線
吸収性パターンを形成すると共にＸ線遮光枠パターンの
主要部を構成するＸ線遮光枠主体層をＸ線露光用マスク
の外周部に沿って形成する工程と、Ｘ線遮光枠主体層と
Ｘ線吸収性パターン間を電気的に絶縁した状態でＸ線遮
光枠主体層をめっき電極に接続し、Ｘ線遮光枠主体層上
に電気めっきしてＸ線遮光枠補足層を形成する工程とSi
ウエハ基板の一部を保護膜が設けられた面側から一回の
みのエッチングを行って除去し、窓を形成する工程とか
らなる。
以下、本発明の製造方法について図面を用いて詳細に説
明する。
明する。
第１図ａ図示のような0.3〜3mm厚のSiウエハ１を基板と
し、第１図ｂ図示の如くSiウエハ１の両面に0.2〜４μ
ｍ厚のSiN4、SiO2、SiC、SiN、BNなどの無機材料をスパ
ッタリングまたはCVD（chemical vapor deposition）法
によりＸ線透過性薄膜２、２′を形成し、次いで第１図
ｃ図示の如く、プラズマエッチングまたはRIE（reactiv
e ion etching）などの方法により下側のＸ線透過性材
料層２′のＸ線透過窓に相当する部分を除去して枠状の
保護膜３を形成する。次いで第１図ｄに示す如く、上側
のＸ線透過性薄膜２の上に厚さ0.2〜1.2μｍのAu、Ta、
Ｗなどの重金属を蒸着またはスパッタリングした後ドラ
イエッチングしてパターニングするか、或いはＸ線透過
性薄膜面上に例えば50〜200ÅのCrと200〜600ÅのAuを
連続して蒸着もしくはスパッタリングしてメッキ下地層
を形成した後、メッキ下地層面をＸ線吸収性パターンに
対応する部分が開口したレジストパターンで被覆してか
ら金メッキし、しかるのち前記レジストパターンを除去
する方法によりＸ線吸収性パターン６及びＸ線遮光枠主
体層５を形成する。
し、第１図ｂ図示の如くSiウエハ１の両面に0.2〜４μ
ｍ厚のSiN4、SiO2、SiC、SiN、BNなどの無機材料をスパ
ッタリングまたはCVD（chemical vapor deposition）法
によりＸ線透過性薄膜２、２′を形成し、次いで第１図
ｃ図示の如く、プラズマエッチングまたはRIE（reactiv
e ion etching）などの方法により下側のＸ線透過性材
料層２′のＸ線透過窓に相当する部分を除去して枠状の
保護膜３を形成する。次いで第１図ｄに示す如く、上側
のＸ線透過性薄膜２の上に厚さ0.2〜1.2μｍのAu、Ta、
Ｗなどの重金属を蒸着またはスパッタリングした後ドラ
イエッチングしてパターニングするか、或いはＸ線透過
性薄膜面上に例えば50〜200ÅのCrと200〜600ÅのAuを
連続して蒸着もしくはスパッタリングしてメッキ下地層
を形成した後、メッキ下地層面をＸ線吸収性パターンに
対応する部分が開口したレジストパターンで被覆してか
ら金メッキし、しかるのち前記レジストパターンを除去
する方法によりＸ線吸収性パターン６及びＸ線遮光枠主
体層５を形成する。
次いでめっき法によりＸ線吸収性パターンのパターン形
成を行なった場合はＸ線吸収性パターン６とＸ線遮光枠
主体層５間を接続するメッキ下地層を除去し、蒸着法ま
たはスパッタリング法による場合はパターン形成後、Ｘ
線吸収材料とＸ線透過性薄膜との接着層を除去し、Ｘ線
遮光枠主体層５とＸ線吸収性パターン６間を電気的に絶
縁した状態でＸ線遮光枠主体層５をめっき電極に接続
し、電気めっきして、第１図ｅ図示の如くＸ線遮光枠主
体層５上に0.5〜３μｍの膜厚にAu、Pt、Pb等の金属ま
たはＷ合金をめっきしてＸ線遮光枠補足層７を形成し、
Ｘ線遮光枠主体層５とＸ線遮光枠補足層７の積層物より
なる、Ｘ線吸収性パターン６よりも厚膜のＸ線遮光枠パ
ターン８を形成する。
成を行なった場合はＸ線吸収性パターン６とＸ線遮光枠
主体層５間を接続するメッキ下地層を除去し、蒸着法ま
たはスパッタリング法による場合はパターン形成後、Ｘ
線吸収材料とＸ線透過性薄膜との接着層を除去し、Ｘ線
遮光枠主体層５とＸ線吸収性パターン６間を電気的に絶
縁した状態でＸ線遮光枠主体層５をめっき電極に接続
し、電気めっきして、第１図ｅ図示の如くＸ線遮光枠主
体層５上に0.5〜３μｍの膜厚にAu、Pt、Pb等の金属ま
たはＷ合金をめっきしてＸ線遮光枠補足層７を形成し、
Ｘ線遮光枠主体層５とＸ線遮光枠補足層７の積層物より
なる、Ｘ線吸収性パターン６よりも厚膜のＸ線遮光枠パ
ターン８を形成する。
最後に第１図ｆ図示の如く、保護膜５で保護されていな
いウエハ基板の１部分を裏面からエッチング除去して窓
９を形成することによりＸ線露光用マスクを作製するこ
とができる。
いウエハ基板の１部分を裏面からエッチング除去して窓
９を形成することによりＸ線露光用マスクを作製するこ
とができる。
Siウエハのエッチングの際、Ｘ線透過性薄膜、Ｘ線吸収
性パターン、及びＸ線遮光枠パターンを保護するため
に、テフロン、Ｏリングなどよりなる治具を使用し、
又、エッチング液としては例えば20〜30％のKOH水溶液
やHF:HNO3：CH3COOH＝1:3:1のHF系、混合液を使用する
ことにより良好にSiウエハの一部をエッチング除去でき
る。
性パターン、及びＸ線遮光枠パターンを保護するため
に、テフロン、Ｏリングなどよりなる治具を使用し、
又、エッチング液としては例えば20〜30％のKOH水溶液
やHF:HNO3：CH3COOH＝1:3:1のHF系、混合液を使用する
ことにより良好にSiウエハの一部をエッチング除去でき
る。
次にネガ型のＸ線レジストに転写するＸ線露光用マスク
の場合Ｘ線遮光枠としての部分とＸ線吸収性パターンが
連続しており、Ｘ線吸収性パターン上にもめっきが成長
してしまうので第２図ａに示すようにＸ線吸収性パター
ン形成の際に、Ｘ線露光域を規定する10〜50μｍの幅程
度の溝10を設け、その後、前述した方法で電気めっきを
行ない、第２図ｂの如くＸ線マスクを作製する。
の場合Ｘ線遮光枠としての部分とＸ線吸収性パターンが
連続しており、Ｘ線吸収性パターン上にもめっきが成長
してしまうので第２図ａに示すようにＸ線吸収性パター
ン形成の際に、Ｘ線露光域を規定する10〜50μｍの幅程
度の溝10を設け、その後、前述した方法で電気めっきを
行ない、第２図ｂの如くＸ線マスクを作製する。
実施例１ ２″φSiウエハを基板としたＸ線露光用マスクの作製を
以下の手順で行なった。Siウエハ上に成膜した１μｍ厚
のSiN膜の上のめっき下地である金膜上にパターン形成
した厚さ1.5μｍのフォトレジストAZ−1350（ヘキスト
製）をめっきスペーサとして金を0.8μｍ成長させた。
その後、アセトンによりAZ−1350を溶解除去し、金のめ
っき下地をアルゴンガスプラズマにより、スパッタエッ
チング除去後、Ｘ線露光域の外周部にめっき電極を接続
し、金めっきを1.2μｍ成長させ、２μｍ厚の金のＸ線
遮光枠パターンを形成した。
以下の手順で行なった。Siウエハ上に成膜した１μｍ厚
のSiN膜の上のめっき下地である金膜上にパターン形成
した厚さ1.5μｍのフォトレジストAZ−1350（ヘキスト
製）をめっきスペーサとして金を0.8μｍ成長させた。
その後、アセトンによりAZ−1350を溶解除去し、金のめ
っき下地をアルゴンガスプラズマにより、スパッタエッ
チング除去後、Ｘ線露光域の外周部にめっき電極を接続
し、金めっきを1.2μｍ成長させ、２μｍ厚の金のＸ線
遮光枠パターンを形成した。
尚金めっきの作業条件は下記の通りであった。
即ち、メッキ液としてpH7のオウロール292M（ジャパン
ロナール社製）を用いて設定電流密度1mA/cm2、液温50
℃、メッキ時間13分間により1.2μｍの厚さを有するAu
膜を形成した。
ロナール社製）を用いて設定電流密度1mA/cm2、液温50
℃、メッキ時間13分間により1.2μｍの厚さを有するAu
膜を形成した。
最後に20％KOH水溶液でSi裏面エッチングを行ないＸ線
露光用マスクを作製した。
露光用マスクを作製した。
実施例２ ２″φSiウエハを基板としたＸ線露光用マスクの作製を
以下の手順で行なった。Siウエハに成膜した２μｍ厚の
BN膜の上にスパッタリング法により0.6μｍ厚のタング
ステン膜を成膜後、電子ビームでパターン形成したレジ
ストCMS−EX（東洋曹達社製）をマスクとして、CCI4ガ
スによるRIE法を用いてタングステンのＸ線吸収体パタ
ーンを形成した。次いでＸ線露光域の外周部にめっき電
極を接続し、タングステン膜の上に金めっきを２μｍ成
長させ、Ｗ厚0.6μｍ、とAu膜２μｍの積層物よりなる
Ｘ線遮光枠パターンを形成した。
以下の手順で行なった。Siウエハに成膜した２μｍ厚の
BN膜の上にスパッタリング法により0.6μｍ厚のタング
ステン膜を成膜後、電子ビームでパターン形成したレジ
ストCMS−EX（東洋曹達社製）をマスクとして、CCI4ガ
スによるRIE法を用いてタングステンのＸ線吸収体パタ
ーンを形成した。次いでＸ線露光域の外周部にめっき電
極を接続し、タングステン膜の上に金めっきを２μｍ成
長させ、Ｗ厚0.6μｍ、とAu膜２μｍの積層物よりなる
Ｘ線遮光枠パターンを形成した。
尚、金めっきの条件は下記の通りであった。
即ち、メッキ液としてpH7のオウロール292M（ジャパン
ロナール社製）を用いて設定電流密度2mA/cm2、液温50
℃、メッキ時間10分間により２μｍの厚さを有する金膜
を形成した。
ロナール社製）を用いて設定電流密度2mA/cm2、液温50
℃、メッキ時間10分間により２μｍの厚さを有する金膜
を形成した。
最後に30％KOH水溶液でSi裏面エッチングを行ないＸ線
露光用マスクを製作した。
露光用マスクを製作した。
本発明の製造方法によれば繁雑なレジスト製版工程を経
ることなく、めっき工程のみで簡単にＸ線遮光枠パター
ン部分を厚膜化して、Ｘ線遮光枠パターン部分を通して
の多重露光によるレジストのかぶりを解消したＸ線露光
マスクを生産性良く製造することができる。
ることなく、めっき工程のみで簡単にＸ線遮光枠パター
ン部分を厚膜化して、Ｘ線遮光枠パターン部分を通して
の多重露光によるレジストのかぶりを解消したＸ線露光
マスクを生産性良く製造することができる。
又、Ｘ線遮光枠パターン部分のみを厚膜化し、Ｘ線吸収
性パターンは厚膜化しないのでＸ線吸収性パターンの加
工精度を従来のＸ線露光用マスクのＸ線吸収性パターン
の加工精度と同程度に維持したまま製造することができ
る。
性パターンは厚膜化しないのでＸ線吸収性パターンの加
工精度を従来のＸ線露光用マスクのＸ線吸収性パターン
の加工精度と同程度に維持したまま製造することができ
る。
第１図ａないしｆは本発明の製造方法の製造過程を示す
断面図、第２図ａ、及びｂはネガ型のＸ線レジストに転
写するＸ線露光用マスクを示し、ａは平面図、ｂは断面
図である。 １……Siウエハ ２、２′……Ｘ線透過性薄膜 ５……Ｘ線遮光枠主体層 ６……Ｘ線吸収性パターン ７……Ｘ線遮光枠補足層 ８……Ｘ線遮光枠 10……溝
断面図、第２図ａ、及びｂはネガ型のＸ線レジストに転
写するＸ線露光用マスクを示し、ａは平面図、ｂは断面
図である。 １……Siウエハ ２、２′……Ｘ線透過性薄膜 ５……Ｘ線遮光枠主体層 ６……Ｘ線吸収性パターン ７……Ｘ線遮光枠補足層 ８……Ｘ線遮光枠 10……溝
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−62855（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】Siウエハ基板の一面側にＸ線透過性薄膜を
積層する工程と、Siウエハ基板の他面側の支持枠下面に
相当するSiウエハ基板面領域に保護膜を設ける工程と、
Ｘ線吸収性材料を用いてＸ線吸収性パターンを形成する
と共にＸ線遮光枠パターンの主要部を構成するＸ線遮光
枠主体層をＸ線露光用マスクの外周部に沿って形成する
工程と、Ｘ線遮光枠主体層とＸ線吸収性パターン間を電
気的に絶縁した状態でＸ線遮光枠主体層をめっき電極に
接続し、Ｘ線遮光枠主体層上に電気めっきして、Ｘ線遮
光枠補足層を形成する工程とSiウエハ基板の一部を保護
膜が設けられた面側から一回のみのエッチングを行って
除去し、窓を形成する工程とからなることを特徴とする
Ｘ線露光用マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29886385A JPH0758679B2 (ja) | 1985-12-28 | 1985-12-28 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29886385A JPH0758679B2 (ja) | 1985-12-28 | 1985-12-28 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62158324A JPS62158324A (ja) | 1987-07-14 |
| JPH0758679B2 true JPH0758679B2 (ja) | 1995-06-21 |
Family
ID=17865165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29886385A Expired - Lifetime JPH0758679B2 (ja) | 1985-12-28 | 1985-12-28 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0758679B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63104327A (ja) * | 1986-10-20 | 1988-05-09 | Mitsubishi Electric Corp | Ｘ線マスク、およびその製造方法 |
| US5124561A (en) * | 1991-04-04 | 1992-06-23 | International Business Machines Corporation | Process for X-ray mask warpage reduction |
| JP5515773B2 (ja) * | 2010-01-21 | 2014-06-11 | 大日本印刷株式会社 | 遮光枠を有する反射型マスクおよびその製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5962855A (ja) * | 1982-10-04 | 1984-04-10 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Ｘ線露光用マスク |
-
1985
- 1985-12-28 JP JP29886385A patent/JPH0758679B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62158324A (ja) | 1987-07-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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