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JPH0758729B2 - Semiconductor test system - Google Patents
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JPH0758729B2 - Semiconductor test system - Google Patents

Semiconductor test system

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JPH0758729B2
JPH0758729B2 JP2234686A JP23468690A JPH0758729B2 JP H0758729 B2 JPH0758729 B2 JP H0758729B2 JP 2234686 A JP2234686 A JP 2234686A JP 23468690 A JP23468690 A JP 23468690A JP H0758729 B2 JPH0758729 B2 JP H0758729B2
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test
semiconductor
open
transmission line
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Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 この発明は、多数の伝送線路をもちかつ個々の伝送線路
において複数の接点箇所を有する接続装置の前記各伝送
線路を介して、半導体試験装置における多数の試験ピン
の各々と半導体装置における多数のピン端子の各々とを
個別的に接続して半導体装置の機能試験と電気的特性試
験とを行う半導体試験システムに係り、特には、機能試
験と電気的特性試験の実施に先立って、各伝送線路にお
いて接触不良または断線によるオープン箇所を見つけ出
す技術に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION <Industrial field of application> The present invention relates to a semiconductor test device through each transmission line of a connecting device having a large number of transmission lines and having a plurality of contact points in each transmission line. The present invention relates to a semiconductor test system for individually performing a functional test and an electrical characteristic test of a semiconductor device by individually connecting a large number of test pins and a large number of pin terminals of a semiconductor device, respectively. The present invention relates to a technique for finding an open portion due to poor contact or disconnection in each transmission line prior to conducting an electrical characteristic test.

〈従来の技術〉 第5図は、物理的かつ電気的な接続装置を介して半導体
試験装置と試験対象である半導体装置とを接続してなる
従来の半導体試験システムを概略的に示したものであ
る。
<Prior Art> FIG. 5 schematically shows a conventional semiconductor test system in which a semiconductor test device and a semiconductor device to be tested are connected via a physical and electrical connection device. is there.

半導体試験装置A0は、制御装置2と、波形発生器4と、
波形検出器6と、直流測定器8と、信号発生回路10とを
備えている。波形発生器4、波形検出器6および直流測
定器8はそれぞれ複数個装備されており、信号発生回路
10は数百個装備されている。
The semiconductor test apparatus A 0 includes a controller 2, a waveform generator 4,
A waveform detector 6, a DC measuring device 8 and a signal generating circuit 10 are provided. A plurality of waveform generators 4, waveform detectors 6 and direct current measuring devices 8 are provided respectively, and a signal generating circuit is provided.
Tens are equipped with hundreds.

波形発生器4、波形検出器6および信号発生回路10は、
半導体装置Cの機能試験を行うためのものであり、波形
発生器4から各種の電圧・電流波形を試験データとして
発生して信号発生回路10および物理的かつ電気的な接続
装置B(これについては後述する)を介して半導体装置
Cにおける対応するそれぞれのピン端子38aに出力し、
上記電圧・電流波形に対応して半導体装置Cのそれぞれ
のピン端子38aから出力され接続装置Bおよび信号発生
回路10を介して入力されてくる出力データを波形検出器
6によって検出するようになっている。
The waveform generator 4, the waveform detector 6 and the signal generating circuit 10 are
This is for performing a functional test of the semiconductor device C. The waveform generator 4 generates various voltage and current waveforms as test data to generate a signal generation circuit 10 and a physical and electrical connection device B (for this, Output to each corresponding pin terminal 38a in the semiconductor device C via
Output data output from the respective pin terminals 38a of the semiconductor device C corresponding to the voltage / current waveforms and input via the connection device B and the signal generation circuit 10 are detected by the waveform detector 6. There is.

この場合、制御装置2は、内蔵しているマイクロコンピ
ュータの試験プログラムに従って各波形発生器4に対し
てそれぞれが発生すべき試験データを指定するととも
に、各波形検出器6から入力した半導体装置Cの出力デ
ータを解析することにより半導体装置Cの機能試験を行
う。
In this case, the control device 2 specifies the test data to be generated for each waveform generator 4 according to the test program of the built-in microcomputer, and the semiconductor device C of the semiconductor device C input from each waveform detector 6 is specified. A functional test of the semiconductor device C is performed by analyzing the output data.

信号発生回路10は、各波形発生器4からの試験データを
半導体装置Cにおける多数のピン端子38aに分配して供
給し、また、多数のピン端子38aからの出力データを各
波形検出器6に分配する。
The signal generating circuit 10 distributes and supplies the test data from each waveform generator 4 to a large number of pin terminals 38a in the semiconductor device C, and outputs the output data from the large number of pin terminals 38a to each waveform detector 6. Distribute.

直流測定器8は、半導体装置Cの電気的特性試験を行う
ためのものであり、制御装置2によって指定された直流
信号を試験データとして信号発生回路10におけるリレー
および接続装置Bを介して半導体装置Cにおける対応す
るピン端子38aに出力し、かつ、上記直流信号に対応し
て半導体装置Cのピン端子38aから出力され接続装置B
および信号発生回路10におけるリレーを介して入力され
てくる出力データを入力し、制御装置2に送出するよう
になっている。制御装置2は、その出力データを解析す
ることにより半導体装置Cの電気的特性試験を行う。
The direct current measuring device 8 is for performing an electrical characteristic test of the semiconductor device C, and uses the direct current signal designated by the control device 2 as test data through the relay in the signal generating circuit 10 and the connection device B. The connection device B outputs to the corresponding pin terminal 38a in C and is output from the pin terminal 38a of the semiconductor device C in response to the DC signal.
The output data input via the relay of the signal generation circuit 10 is input and sent to the control device 2. The control device 2 analyzes the output data to perform an electrical characteristic test of the semiconductor device C.

機能試験および電気的特性試験が実行される場合、半導
体装置Cはプローバやハンドラなどの外部機器40上にセ
ットされる。半導体装置Cがウエハ上に形成されている
場合にはプローバが使用され、半導体装置Cがパッケー
ジ化されている場合にはハンドラが使用される。
When the functional test and the electrical characteristic test are executed, the semiconductor device C is set on the external device 40 such as a prober or a handler. A prober is used when the semiconductor device C is formed on a wafer, and a handler is used when the semiconductor device C is packaged.

半導体試験装置A0と半導体装置Cとを物理的かつ電気的
に接続する接続装置Bは、次のように構成されている
(プローバ使用時)。
The connection device B that physically and electrically connects the semiconductor test device A 0 and the semiconductor device C is configured as follows (when using a prober).

接続装置Bは、第1ないし第3の接続ボード30,32,34
と、プローブカード36とを備えている。
The connection device B includes the first to third connection boards 30, 32, 34.
And a probe card 36.

第1の接続ボード30の上下両面には、パターン配線によ
って多数のランド30a,30bが形成されている。第2の接
続ボード32の上下両面には、出退自在で突出付勢された
多数のポゴピン32a,32bが設けられている。第3の接続
ボード34の上面には多数のランド34aが、下面には多数
のポゴピン34bがそれぞれ設けられている。プローブカ
ード36の上面には多数のランド36aが、下面には多数の
プローブ36bがそれぞれ設けられている。
A large number of lands 30a, 30b are formed on the upper and lower surfaces of the first connection board 30 by pattern wiring. On the upper and lower surfaces of the second connection board 32, a large number of pogo pins 32a, 32b are provided that can freely move in and out and are biased to project. A large number of lands 34a are provided on the upper surface of the third connection board 34, and a large number of pogo pins 34b are provided on the lower surface thereof. A large number of lands 36a are provided on the upper surface of the probe card 36, and a large number of probes 36b are provided on the lower surface thereof.

半導体試験装置A0における多数の信号発生回路10のそれ
ぞれにおける出力ラインに、各々多数のポゴピンからな
る試験ピン10aが接続され、これらの試験ピン10aが半導
体試験装置A0に設けられている。この試験ピン10aと第
1の接続ボード30のランド30aとが第1の接点P1をな
し、第1の接続ボード30のランド30bと第2の接続ボー
ド32のポゴピン32aとが第2の接点P2をなし、第2の接
続ボード32のポゴピン32bと第3の接続ボード34のラン
ド34aとが第3の接点P3をなし、第3の接続ボード34の
ポゴピン34bとプローブカード36のランド36aとが第4の
接点P4をなし、プローブカード36のプローブ36bの針先
と半導体装置Cのピン端子38aとが第5の接点P5をなし
ている。
A plurality of test pins 10a, each made up of a plurality of pogo pins, are connected to the output lines of each of a large number of signal generation circuits 10 in the semiconductor test device A 0 , and these test pins 10a are provided in the semiconductor test device A 0 . The test pin 10a and the land 30a of the first connection board 30 form a first contact P1, and the land 30b of the first connection board 30 and the pogo pin 32a of the second connection board 32 form a second contact P2. And the pogo pin 32b of the second connection board 32 and the land 34a of the third connection board 34 form a third contact P3, and the pogo pin 34b of the third connection board 34 and the land 36a of the probe card 36 The fourth contact point P4 is formed, and the needle tip of the probe 36b of the probe card 36 and the pin terminal 38a of the semiconductor device C form the fifth contact point P5.

このような第1ないし第5の接点P1〜P5を1つずつ有す
る伝送線路が半導体装置Cにおける多数のピン端子38a
の数だけ存在している。
A transmission line having such first to fifth contacts P1 to P5 one by one has a large number of pin terminals 38a in the semiconductor device C.
There are as many as.

これら多数の伝送線路の接点群において1つでも接触不
良があったり、各接続ボード30,32,34およびプローブカ
ード36において1つでも断線箇所があったりすると、半
導体試験装置A0による半導体装置Cの機能試験および電
気的特性試験に支障を来すことになる。
If at least one of the contact groups of these many transmission lines has a poor contact, or at least one of the connection boards 30, 32, 34 and the probe card 36 has a disconnection point, the semiconductor device C by the semiconductor test apparatus A 0 It will interfere with the functional test and the electrical characteristic test of.

そこで、試験を行う前に、半導体試験装置A0の試験ピン
10aから半導体装置Cのピン端子38aに至るまでの伝送線
路の接続確認検査を実施する。
Therefore, before performing the test, test pins of the semiconductor test equipment A 0
The connection confirmation inspection of the transmission line from 10a to the pin terminal 38a of the semiconductor device C is performed.

以下、この接続確認検査の方法を第6図によって説明す
る。
The method of this connection confirmation inspection will be described below with reference to FIG.

第6図は、1つのピン端子38aに対する接続装置Bにお
ける1ライン分の伝送線路Dの等価回路を示している。
FIG. 6 shows an equivalent circuit of the transmission line D for one line in the connection device B for one pin terminal 38a.

第1ないし第3の接続ボード30,32,34およびプローブカ
ード36は、それぞれ等価な第1ないし第4の線路部分30
l,32l,34l,36lとして表されている。直流測定器8は、
定電流源8aと電圧計8bとして表されている。
The first to third connection boards 30, 32 and 34 and the probe card 36 are equivalent to the first to fourth line portions 30 respectively.
It is represented as l, 32l, 34l, 36l. DC measuring device 8
It is represented as a constant current source 8a and a voltmeter 8b.

この直流測定器8は、第1の接点P1に対して信号発生回
路10におけるリレーを介して接続されるが、ここでは信
号発生回路10を省略してある。
The DC measuring device 8 is connected to the first contact P1 via a relay in the signal generating circuit 10, but the signal generating circuit 10 is omitted here.

接続確認検査であるため、半導体装置Cの代わりにアル
ミベタウエハC0を用い、これにプローブ36bを接触させ
ている。電圧計8bおよびアルミベタウエハC0をそれぞれ
接地することにより、閉ループを構成している。
Since this is a connection confirmation test, an aluminum solid wafer C 0 is used instead of the semiconductor device C, and the probe 36b is brought into contact with it. A closed loop is formed by grounding the voltmeter 8b and the aluminum solid wafer C 0 , respectively.

このような直流測定器8、伝送線路Dおよびアルミベタ
ウエハC0からなる閉ループの検査系Eがピン端子38aの
数だけ構成される。
The closed loop inspection system E including the DC measuring device 8, the transmission line D and the aluminum solid wafer C 0 is formed by the number of the pin terminals 38a.

接続確認検査は、制御装置2における検査用のプログラ
ムに従って、順次、検査系Eの1つずつに対した実行さ
れる。
The connection confirmation inspection is sequentially executed for each of the inspection systems E according to the inspection program in the control device 2.

すなわち、まず、直流測定器8における定電流源8aより
ある検査系Eに電流を流し、電圧計8bで得られた検出電
圧を制御装置2に送出する。制御装置2は、その検出電
圧がゼロであれば、検査系Eにオープン状態(接触不良
または断線)がないと判定し、次の検査系Eの検査へと
移る。
That is, first, the constant current source 8a in the direct current measuring device 8 supplies a current to the inspection system E, and the detected voltage obtained by the voltmeter 8b is sent to the control device 2. If the detected voltage is zero, the control device 2 determines that the inspection system E does not have an open state (contact failure or disconnection), and proceeds to the inspection of the next inspection system E.

検出電圧が一定値以上または無限大であれば、その検査
系Eにおいてオープン状態が生じていると判定する。こ
の場合は、オープン状態となっている箇所を見つけて修
理し、修理が終わると、次の検査系Eに対する検査に移
る。
If the detected voltage is equal to or higher than a certain value or is infinite, it is determined that the inspection system E has an open state. In this case, a part in the open state is found and repaired, and when the repair is completed, the next inspection system E is inspected.

すべての検査系Eについて、オープン状態がないことが
確認された後、機能試験と電気的特性試験とを実行す
る。
For all the inspection systems E, after it is confirmed that there is no open state, the functional test and the electrical characteristic test are executed.

〈発明が解決しようとする課題〉 従来の半導体試験システムにおいては、その伝送線路D
の接続確認検査を上記のように行うように構成されてい
たので、検査系Eのオープン状態(接触不良または断
線)を検出したときに、その接触不良が第1ないし第5
の接点P1〜P5のいずれで生じているのか、また、断線が
第1ないし第4の線路部分30l,32l,34l,36lのいずれに
おいて生じているのかが直接には判らないため、いちい
ち接触不良または断線のオープン箇所を見つけ出さなけ
ればならないわずらわしさがあった。
<Problems to be Solved by the Invention> In the conventional semiconductor test system, the transmission line D
Since the connection confirmation inspection is performed as described above, when the open state (contact failure or disconnection) of the inspection system E is detected, the contact failure causes the first to fifth contact failures.
It is not possible to directly determine which of the contact points P1 to P5 of No. 1 and the disconnection of any one of the first to fourth line portions 30l, 32l, 34l, and 36l, so contact failure is not always made. Or there was the trouble of having to find the open part of the disconnection.

近年では半導体装置Cのピン端子38aの数が増加する傾
向にあり、500ピン以上の半導体装置もある。このよう
な半導体装置の試験前の接続確認検査においては、500
以上もの伝送線路Dが存在しており、接触不良または断
線を生じる伝送線路Dの数も増えるため、オープン箇所
の発見に多大な労力と時間とを費やさなければならない
という問題がある。
In recent years, the number of pin terminals 38a of the semiconductor device C has tended to increase, and some semiconductor devices have more than 500 pins. In such a connection confirmation inspection before the test of the semiconductor device, 500
Since the above transmission lines D exist and the number of the transmission lines D that cause poor contact or disconnection increases, there is a problem that a great deal of labor and time must be spent to find an open portion.

この発明は、上記のような問題点を解消するために創案
されたものであって、接続確認検査において、短時間で
容易かつ正確にオープン箇所を発見できる半導体試験シ
ステムを得ることを目的とする。
The present invention was devised to solve the above problems, and an object thereof is to obtain a semiconductor test system that can easily and accurately find an open portion in a short time in a connection confirmation inspection. .

〈課題を解決するための手段〉 この発明に係る半導体試験システムは、多数の伝送線路
をもちかつ個々の伝送線路において複数の接点箇所を有
する接続装置の前記各伝送線路を介して、半導体試験装
置における多数の試験ピンの各々と半導体装置における
多数のピン端子の各々とを個別的に接続して半導体装置
の機能試験と電気的特性試験とを行う半導体試験システ
ムにおいて、各伝送線路に入力した信号がオープン箇所
で反射されて同じ伝送線路を戻ってくる各反射信号の波
形状態に基づいて各伝送線路のオープン箇所を特定する
オープン箇所検出装置を設けたことを特徴とするもので
ある。
<Means for Solving the Problem> A semiconductor test system according to the present invention is a semiconductor test apparatus, which includes a plurality of transmission lines and each of the transmission lines of a connection device having a plurality of contact points in each transmission line. A signal input to each transmission line in a semiconductor test system in which each of a large number of test pins in the semiconductor device and a plurality of pin terminals in a semiconductor device are individually connected to perform a functional test and an electrical characteristic test of the semiconductor device. Is provided with an open position detection device for identifying the open position of each transmission line based on the waveform state of each reflected signal reflected at the open position and returning through the same transmission line.

〈作用〉 この発明に係る半導体試験システムは、反射信号の波形
の歪みの程度が検査用入力信号の入射端からオープン箇
所までの距離に応じて変化することを利用したもので、
オープン箇所検出装置は、この反射信号の歪みの程度に
基づいてオープン箇所を自動的に特定する。
<Operation> The semiconductor test system according to the present invention utilizes that the degree of distortion of the waveform of the reflected signal changes in accordance with the distance from the incident end of the inspection input signal to the open portion,
The open location detecting device automatically identifies the open location based on the degree of distortion of the reflected signal.

〈実施例〉 以下、この発明の一実施例を図面に基づいて詳細に説明
する。
<Embodiment> An embodiment of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

第1図は、物理的かつ電気的な接続装置を介して半導体
試験装置と試験対象である半導体装置とを接続してなる
この発明の実施例に係る半導体試験システムを概略的に
示したものである。
FIG. 1 schematically shows a semiconductor test system according to an embodiment of the present invention in which a semiconductor test device and a semiconductor device to be tested are connected via a physical and electrical connection device. is there.

この実施例の半導体試験装置A1は、従来例の半導体試験
装置A0と同様に、装置A1の全体を制御する制御装置2
と、半導体装置Cの機能試験を司るためのそれぞれ複数
個の波形発生器4、波形検出器6および多数の信号発生
回路10と、半導体装置Cの電気的特性試験および接続確
認検査を司るための複数の直流測定器8とを備えている
とともに、新たな構成要素として、接続確認検査におい
て対象となる伝送線路Dにオープン状態(接触不良また
は断線)が生じたときに、そのオープン箇所を検出する
オープン箇所検出装置12を備えている。
The semiconductor test apparatus A 1 of this embodiment, like the semiconductor test apparatus A 0 of the conventional example, has a control device 2 for controlling the entire apparatus A 1.
A plurality of waveform generators 4, a waveform detector 6 and a large number of signal generating circuits 10 for controlling a function test of the semiconductor device C, and an electrical characteristic test and a connection confirmation test for the semiconductor device C. A plurality of direct current measuring devices 8 are provided, and as a new component, when an open state (contact failure or disconnection) occurs in the target transmission line D in the connection confirmation inspection, the open position is detected. An open position detection device 12 is provided.

波形発生器4、波形検出器6および直流測定器8と制御
装置2および信号発生回路10との関係、ならびに、信号
発生回路10と接続装置Bとの関係については、従来例と
同様であるので説明を省略する。接続装置Bの具体的構
造も従来例と同様であるので、単にブロックのみで示
す。
The relationship between the waveform generator 4, the waveform detector 6, the DC measuring device 8, the control device 2 and the signal generating circuit 10 and the relationship between the signal generating circuit 10 and the connection device B are the same as those in the conventional example. The description is omitted. Since the specific structure of the connection device B is also similar to that of the conventional example, only the block is shown.

オープン箇所検出装置12は、制御装置2に対しては双方
向的に接続され、接続装置Bに対しては信号発生回路10
におけるリレーを介して双方向的に接続されている。
The open position detecting device 12 is bidirectionally connected to the control device 2, and the signal generating circuit 10 is connected to the connecting device B.
Is bidirectionally connected via a relay in.

すべての伝送線路Dに対する接続確認検査において、オ
ープン箇所検出装置12からの検出結果に基づいて制御装
置2がある伝送線路Dにオープン状態(接触不良または
断線)が生じていると判定したとき、制御装置2は、オ
ープン箇所検出装置12を信号発生回路10におけるリレー
を介してそのオープン状態の伝送線路Dに接続するよう
になっている。
In the connection confirmation inspection for all transmission lines D, when it is determined that the control device 2 has an open state (contact failure or disconnection) on the transmission line D based on the detection result from the open position detection device 12, control is performed. The device 2 connects the open position detecting device 12 to the open transmission line D via a relay in the signal generating circuit 10.

第2図は、オープン箇所検出装置12のブロック構成と、
このオープン箇所検出装置12と接続確認検査における伝
送線路Dとの接続状態とを示す。
FIG. 2 is a block diagram of the open position detection device 12,
The connection state between the open position detecting device 12 and the transmission line D in the connection confirmation inspection is shown.

伝送線路Dは、第6図で説明したのと同様、接続装置B
における第1ないし第3の接続ボード30,32,34およびプ
ローブカード36に等価な第1ないし第4の線路部分30l,
32l,34l,36lからなっている。
The transmission line D is connected to the connection device B in the same manner as described in FIG.
In the first to third connection boards 30, 32, 34 and the first to fourth line portions 30l equivalent to the probe card 36,
It consists of 32l, 34l and 36l.

P1〜P5について、第5図を参照しながら再説明すると、
P1は、半導体試験装置A1の試験ピン10aと第1の接続ボ
ード30のランド30aとがなす第1の接点、P2は、第1お
よび第2の接続ボード30,32のランド30bとポゴピン32a
とがなす第2の接点(第1および第2の線路部分30l,32
l間)、P3は、第2および第3の接続ボード32,34のポゴ
ピン32bとランド34aとがなす第3の接点(第2および第
3の線路部分32l,34l間)、P4は、第3の接続ボード34
とプローブカード36のポゴピン34bとランド36aとがなす
第4の接点(第3および第4の線路部分34l,36l間)、P
5は、プローブ36bの針先とアルミベタウエハC0とがなす
第5の接点をそれぞれ表している。
Re-explaining P1 to P5 with reference to FIG. 5,
P1 is the first contact the test pin 10a of the semiconductor testing device A 1 and the land 30a of the first connecting board 30 is formed, P2 is the first and second connecting board 30, 32 lands 30b and pogo pin 32a
The second contact point between (the first and second line portions 30l, 32
L3), P3 is a third contact point (between the second and third line portions 32l and 34l) formed by the pogo pin 32b and the land 34a of the second and third connection boards 32 and 34, and P4 is the third contact point. 3 connection boards 34
And a fourth contact point between the pogo pin 34b of the probe card 36 and the land 36a (between the third and fourth line portions 34l and 36l), P
Reference numeral 5 represents a fifth contact point formed by the needle tip of the probe 36b and the solid aluminum wafer C 0 .

オープン箇所検出装置12は、波形発生レジスタ14と、波
形発生用可変電圧発生回路(ドライブ回路)16と、波形
検出レジスタ18と、波形検出用波形電圧比較回路(コン
パレータ回路)20とを備えている。
The open position detection device 12 includes a waveform generation register 14, a waveform generation variable voltage generation circuit (drive circuit) 16, a waveform detection register 18, and a waveform detection waveform voltage comparison circuit (comparator circuit) 20. .

波形発生レジスタ14は、制御装置2から送出されてきた
第3図(a)に示すようなステップ状の入力波形信号S
INを生成するための入力波形データをストアするもので
ある。波形発生用可変電圧発生回路16は、波形発生レジ
スタ14からの入力波形データに基づいて対応する入力波
形信号SINを生成し伝送線路Dに対して出力するもので
ある。
The waveform generating register 14 receives the step-like input waveform signal S sent from the control device 2 as shown in FIG.
The input waveform data for generating IN is stored. The variable voltage generation circuit 16 for waveform generation generates a corresponding input waveform signal S IN based on the input waveform data from the waveform generation register 14 and outputs it to the transmission line D.

波形発生用可変電圧発生回路16から出力された入力波形
信号SINは、伝送線路Dを伝搬し、アルミベタウエハC0
(接地はなし)もしくは接触不良または断線のオープン
箇所で反射して戻ってくる。
The input waveform signal S IN output from the variable voltage generating circuit 16 for waveform generation propagates through the transmission line D, and the aluminum solid wafer C 0
(There is no grounding) Or it returns with reflection from an open area where there is poor contact or a broken wire.

波形発生用可変電圧発生回路16のインピーダンスと伝送
線路Dのインピーダンスとを等しく設定した場合、反射
信号の波形は、第3図(b)以下に示すように、波高値
の1/2のレベルで平坦部分をもつ階段波形となる。
When the impedance of the variable voltage generating circuit 16 for waveform generation and the impedance of the transmission line D are set equal, the waveform of the reflected signal is at a level of 1/2 of the peak value as shown in FIG. It becomes a staircase waveform with a flat part.

そして、その平坦部分の時間幅は、信号の往復行程、つ
まり、波形発生用可変電圧発生回路16の出力端子から反
射点までの距離の2倍に比例する。
The time width of the flat portion is proportional to the round trip of the signal, that is, twice the distance from the output terminal of the variable voltage generating circuit 16 for waveform generation to the reflection point.

そこで、予めの実験により、オープン状態の生じていな
い正常状態のときの反射波形のデータと、第1ないし第
5の接点P1〜P5を個別的にオープン状態にしたときの各
反射波形のデータを測定しておき、これらの波形データ
を前もって制御装置2を通じて波形検出レジスタ18にス
トアしておく。
Therefore, the data of the reflected waveforms in the normal state where the open state does not occur and the data of the reflected waveforms when the first to fifth contacts P1 to P5 are individually opened are made by an experiment in advance. These waveform data are measured and stored in advance in the waveform detection register 18 through the control device 2.

なお、第3図(b)は正常波形信号SNOMを示し、第3図
(c)〜(g)はそれぞれ、第1ないし第5の接点P1〜
P5がオープン状態のときのオープン波形信号SABN1〜S
ABN5を示している。これら正常波形信号SNOMのデータと
各オープン波形信号SABN1〜SABN5のデータとを参照デー
タとして波形検出レジスタ18に予めストアしておくので
ある。
3 (b) shows a normal waveform signal S NOM, and FIGS. 3 (c) to (g) respectively show the first to fifth contacts P1 to P5.
Open waveform signal S ABN1 to S when P5 is open
ABN5 is shown. The data of the normal waveform signal S NOM and the data of the open waveform signals S ABN1 to S ABN5 are stored in the waveform detection register 18 in advance as reference data.

波形検出用波形電圧比較回路20は、実際の接続確認検査
において戻ってきた反射信号の波形と、波形検出レジス
タ18にストアされている参照データの波形とを比較し、
正常波形信号SNOMと一致している場合には正常信号を制
御装置2に送出し、オープン波形信号SABN1〜SABN5のい
ずれかと一致している場合には、そのいずれと一致して
いるかを示すオープン箇所指示信号を制御装置2に送出
し、以上のいずれとも異なるときは異常信号とともにそ
の反射信号の波形データを制御装置2に送出するように
構成されている。
The waveform detection waveform voltage comparison circuit 20 compares the waveform of the reflected signal returned in the actual connection confirmation inspection with the waveform of the reference data stored in the waveform detection register 18,
If it matches the normal waveform signal S NOM , a normal signal is sent to the control device 2, and if it matches any of the open waveform signals S ABN1 to S ABN5 , which one matches? The open position instruction signal shown is sent to the control device 2, and when it is different from any of the above, the abnormal signal and the waveform data of the reflected signal are sent to the control device 2.

動作 次に、この実施例に係る半導体試験システムによる接続
確認検査の動作を第4図のフローチャートに従って説明
する。
Operation Next, the operation of the connection confirmation inspection by the semiconductor test system according to this embodiment will be described with reference to the flowchart of FIG.

ステップS2で、直流測定器8を制御して伝送線路Dのす
べてに対してオープン状態かショート状態かの検査を行
う。ステップS4で、オープン状態となっている伝送線路
Dが存在したかどうかを判断し、すべての伝送線路Dが
正常状態であれば、接続確認検査の動作を終了し、半導
体装置Cの機能試験と電気的特性試験とに進む。
In step S2, the DC measuring device 8 is controlled to inspect all the transmission lines D for the open state or the short state. In step S4, it is determined whether or not there is an open transmission line D, and if all the transmission lines D are in a normal state, the operation of the connection confirmation inspection is ended, and a functional test of the semiconductor device C is performed. Proceed to electrical characteristic test.

ステップS4においてオープン状態となっている伝送線路
Dが存在していると判断したときは、ステップS6に進
み、そのオープン状態の伝送線路Dを抽出し、ステップ
S8で、そのオープン状態の伝送線路Dに対してオープン
箇所検出装置12を信号発生回路10におけるリレーを介し
て接続する。
When it is determined in step S4 that the transmission line D in the open state exists, the process proceeds to step S6, the transmission line D in the open state is extracted, and the step
At S8, the open position detecting device 12 is connected to the open transmission line D via the relay in the signal generating circuit 10.

次いで、ステップS10で、オープン箇所検出装置12を駆
動し、オープン箇所の検出を行う。すなわち、波形発生
レジスタ14からの波形信号データに基づいて波形発生用
可変電圧発生回路16で第3図(a)に示す入力波形信号
SINを生成し、これをオープン状態の伝送線路Dに対し
て出力し、そのオープン箇所からの反射信号を波形検出
用波形電圧比較回路20で検出する。
Next, in step S10, the open portion detection device 12 is driven to detect the open portion. That is, based on the waveform signal data from the waveform generating register 14, the variable waveform generating circuit 16 for waveform generation inputs the input waveform signal shown in FIG.
S IN is generated, this is output to the transmission line D in the open state, and the reflected signal from the open portion is detected by the waveform detection waveform voltage comparison circuit 20.

次のステップS12〜S20では、波形検出用波形電圧比較回
路20において波形検出レジスタ18にストアされているオ
ープン波形信号SABN1〜SABN5の波形データと検出波形信
号の波形データとを順次比較する。
In the next steps S12 to S20, the waveform data of the open waveform signals S ABN1 to S ABN5 stored in the waveform detection register 18 in the waveform detection waveform voltage comparison circuit 20 are sequentially compared with the waveform data of the detected waveform signal.

ステップS12では、検出波形データと第1の接点P1での
オープン波形データ(SABN1)とを比較し、一致してお
れば、ステップS22に進んでオープン箇所が第1の接点P
1である旨のメッセージ出力を行い、不一致であれば、
ステップS14に進む。
In step S12, the detected waveform data and the open waveform data (S ABN1 ) at the first contact P1 are compared. If they match, the process proceeds to step S22 and the open point is the first contact P.
A message saying 1 is output, and if they do not match,
Go to step S14.

ステップS14では、検出波形データと第2の接点P2での
オープン波形データ(SABN2)とを比較し、一致してお
れば、ステップS24に進んでオープン箇所が第2の接点P
2である旨のメッセージ出力を行い、不一致であれば、
ステップS16に進む。
In step S14, the detected waveform data is compared with the open waveform data (S ABN2 ) at the second contact P2, and if they match, the process proceeds to step S24 and the open point is the second contact P.
A message saying 2 is output, and if they do not match,
Go to step S16.

ステップS16では、検出波形データと第3の接点P3での
オープン波形データ(SABN3)とを比較し、一致してお
れば、ステップS26に進んでオープン箇所が第3の接点P
3である旨のメッセージ出力を行い、不一致であれば、
ステップS18に進む。
In step S16, the detected waveform data is compared with the open waveform data (S ABN3 ) at the third contact P3. If they match, the process proceeds to step S26 and the open point is the third contact P.
A message saying that it is 3 is output, and if they do not match,
Go to step S18.

ステップS18では、検出波形データと第4の接点P4での
オープン波形データ(SABN4)とを比較し、一致してお
れば、ステップS28に進んでオープン箇所が第4の接点P
4である旨のメッセージ出力を行い、不一致であれば、
ステップS20に進む。
In step S18, the detected waveform data is compared with the open waveform data (S ABN4 ) at the fourth contact P4, and if they match, the process proceeds to step S28 and the open point is the fourth contact P.
A message saying that it is 4 is output, and if they do not match,
Go to step S20.

ステップS20では、検出波形データと第5の接点P5での
オープン波形データ(SABN5)とを比較し、一致してお
れば、ステップS30に進んでオープン箇所が第5の接点P
5である旨のメッセージ出力を行い、不一致であれば、
ステップS32に進む。
In step S20, the detected waveform data is compared with the open waveform data (S ABN5 ) at the fifth contact P5, and if they match, the process proceeds to step S30 and the open point is the fifth contact P.
A message saying that it is 5 is output, and if they do not match,
It proceeds to step S32.

検出波形データがオープン波形データ(SABN1〜SABN5
のいずれとも一致しないときは、接点P1〜P5でのオープ
ン状態(接触不良)ではなく、線路部分30l,32l,34l,36
lにおけるオープン状態(断線)ということになるが、
この場合は、ステップS32において、正常波形信号SNOM
の波形データと検出波形データとの平坦部分の差分から
オープン箇所までの距離を算出し、ステップS34でオー
プン箇所までの長さをメッセージ出力する。
Detected waveform data is open waveform data (S ABN1 to S ABN5 )
If it does not match any of the above, it is not the open state (contact failure) at the contacts P1 to P5, but the line parts 30l, 32l, 34l, 36
It means that it is an open state (disconnection) in l,
In this case, in step S32, the normal waveform signal S NOM
The distance to the open portion is calculated from the difference between the flat portions of the waveform data and the detected waveform data, and the length to the open portion is output as a message in step S34.

そして、ステップS22〜S30またはステップS34の次にス
テップS36に進みアイドリング状態に入る。この状態
で、作業者はメッセージ出力に基づいてオープン箇所を
修理し、修理が終わると、再起動を行う。
Then, after steps S22 to S30 or step S34, the process proceeds to step S36 to enter the idling state. In this state, the worker repairs the open part based on the message output, and when the repair is completed, restarts.

ステップS38で再起動が指令されたと判断すると、ステ
ップS2にリターンして、オープン箇所が正しく修理され
たかどうかを判断し、修理が正しければ、次のオープン
状態となっている伝送線路Dについて、上記と同様のオ
ープン箇所の特定を行った後、修理を行い、その修理が
正しく行われたたとを確かめてさらに次のオープン状態
となっている伝送線路Dについて同様の処理を繰り返
す。
If it is determined in step S38 that the restart has been instructed, the process returns to step S2 to determine whether or not the open portion has been repaired correctly. If the repair is correct, the transmission line D in the next open state is described above. After the same open location is specified, repair is performed, it is confirmed that the repair is correctly performed, and the same processing is repeated for the next transmission line D in the open state.

そして、すべての伝送線路Dにおいてオープン状態がな
くなると、全動作を終了し、次工程の機能試験および電
気的特性試験へと移る。
When all the transmission lines D are no longer in the open state, all the operations are completed, and the functional test and electrical characteristic test of the next process are performed.

以上のように、伝送線路Dの数が非常に多く、かつ、個
々の伝送線路Dにおいてオープン状態となる場所が複数
もしくは不特定数あるにもかかわらず、短時間で容易に
オープン箇所を性格に知らせることができるのである。
As described above, even if the number of transmission lines D is very large and there are a plurality of or unspecified numbers of places in each transmission line D, the open places can be easily identified in a short time. I can inform you.

〈発明の効果〉 以上のようにこの発明によれば、オープン箇所からの反
射信号の波形の歪みの程度が検査用入力信号の入射端か
らオープン箇所までの距離に応じて変化することを利用
し、その反射信号の歪みの程度に基づいてオープン箇所
を自動的に特定するオープン箇所検出装置を設けたの
で、半導体試験装置における多数の試験ピンの各々と半
導体装置における多数のピン端子の各々とを個別的に接
続する伝送線路が非常に多く存在しても、それらの接続
確認検査において、短時間のうちに容易かつ正確にオー
プン箇所を特定することができるという効果を奏する。
<Effects of the Invention> As described above, according to the present invention, it is utilized that the degree of distortion of the waveform of the reflected signal from the open portion changes according to the distance from the incident end of the inspection input signal to the open portion. Since an open position detection device that automatically specifies an open position based on the degree of distortion of the reflected signal is provided, each of the many test pins in the semiconductor test device and each of the many pin terminals in the semiconductor device are Even if there are a large number of individually connected transmission lines, it is possible to easily and accurately identify an open portion in a short time in the connection confirmation inspection of them.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図ないし第4図はこの発明の一実施例に係り、第1
図は接続装置を介して半導体試験装置と半導体装置とを
接続した状態の半導体試験システムの概略構成図、第2
図はオープン箇所検出装置と伝送線路とを示す回路図、
第3図は動作説明に供する波形図、第4図は動作説明に
供するフローチャートである。第5図は従来例に係る半
導体試験システムの概略構成図、第6図は従来例におけ
る接続確認検査の説明図である。 A1は半導体試験装置、Bは接続装置、Cは半導体装置、
Dは伝送線路、2は制御装置、4は波形発生器、6は波
形検出器、8は直流測定器、10は信号発生回路、10aは
半導体試験装置における試験ピン、12はオープン箇所検
出装置、14は波形発生レジスタ、16は波形発生用可変電
圧発生回路、18は波形検出レジスタ、20は波形検出用波
形電圧比較回路、30l〜36lは線路部分、P1〜P5は接点、
36bはプローブ、38aは半導体装置におけるピン端子であ
る。 なお、図中、同一符号は同一部分または相当部分を示
す。
1 to 4 relate to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a semiconductor test system in which a semiconductor test device and a semiconductor device are connected via a connection device,
The figure is a circuit diagram showing the open position detection device and the transmission line,
FIG. 3 is a waveform diagram for explaining the operation, and FIG. 4 is a flowchart for explaining the operation. FIG. 5 is a schematic configuration diagram of a semiconductor test system according to a conventional example, and FIG. 6 is an explanatory diagram of a connection confirmation inspection in the conventional example. A 1 is a semiconductor test device, B is a connection device, C is a semiconductor device,
D is a transmission line, 2 is a control device, 4 is a waveform generator, 6 is a waveform detector, 8 is a direct current measuring device, 10 is a signal generating circuit, 10a is a test pin in a semiconductor testing device, 12 is an open position detecting device, 14 is a waveform generation register, 16 is a variable voltage generation circuit for waveform generation, 18 is a waveform detection register, 20 is a waveform voltage comparison circuit for waveform detection, 30l to 36l are line portions, P1 to P5 are contacts,
36b is a probe and 38a is a pin terminal in a semiconductor device. In the drawings, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts.

フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 27/04 H04L 1/14 9371−5K Continuation of front page (51) Int.Cl. 6 Identification number Office reference number FI technical display location H01L 27/04 H04L 1/14 9371-5K

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】多数の伝送線路をもちかつ個々の伝送線路
において複数の接点箇所を有する接続装置の前記各伝送
線路を介して、半導体試験装置における多数の試験ピン
の各々と半導体装置における多数のピン端子の各々とを
個別的に接続して半導体装置の機能試験と電気的特性試
験とを行う半導体試験システムにおいて、 各伝送線路に入力した信号がオープン箇所で反射されて
同じ伝送線路を戻ってくる各反射信号の波形状態に基づ
いて各伝送線路のオープン箇所を特定するオープン箇所
検出装置を設けたことを特徴とする半導体試験システ
ム。
1. A plurality of test pins in a semiconductor test device and a large number of semiconductor devices in a semiconductor test device are connected through each of the transmission lines of a connecting device having a plurality of transmission lines and having a plurality of contact points in each transmission line. In a semiconductor test system in which each of the pin terminals is individually connected to perform a functional test and electrical characteristic test of a semiconductor device, the signal input to each transmission line is reflected at an open point and returned to the same transmission line. A semiconductor test system comprising an open portion detection device for identifying an open portion of each transmission line based on the waveform state of each reflected signal.
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