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JPH0758824B2 - Wiring board - Google Patents
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JPH0758824B2 - Wiring board - Google Patents

Wiring board

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Publication number
JPH0758824B2
JPH0758824B2 JP61255725A JP25572586A JPH0758824B2 JP H0758824 B2 JPH0758824 B2 JP H0758824B2 JP 61255725 A JP61255725 A JP 61255725A JP 25572586 A JP25572586 A JP 25572586A JP H0758824 B2 JPH0758824 B2 JP H0758824B2
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film
dianhydride
metal plate
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邦夫 西原
守次 森田
宏 小沢
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三井東圧化学株式会社
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/44Manufacturing insulated metal core circuits or other insulated electrically conductive core circuits

Landscapes

  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はプリント配線板、ハイブリッドIC等に有用な配
線基板に関するものであり、より詳しくは高密度実装や
熱発生デバイスの実装に伴なう放熱対策及び高周波回路
の形成にとくに有用な配線基板に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wiring board useful for a printed wiring board, a hybrid IC, and the like, and more specifically, a heat dissipation measure associated with high-density mounting and mounting of a heat generating device. And a wiring board particularly useful for forming a high frequency circuit.

従来の技術とその問題点 プリント配線板、ハイブリッドIC等の配線板において
は、電子回路の高密度実装、熱発生デバイスの実装によ
って、その放熱が大きな問題となっている。この対策の
一つとして金属を芯材とし、樹脂或いはホーローを被覆
し、金属の良好な熱伝導性を利用した基板(メタルコア
ー基板と通称される)の実用化が進められている。これ
等の従来のメタルコアー基板の内、樹脂被覆型のもので
は耐熱性に乏しく、外形加工時端面の腐食防止が困難で
あり、両面の導通をとることが困難である等の欠点があ
り、あらかじめ外形加工や導通穴をあけておいてから樹
脂を一般的な方法で塗布した場合には、導通穴壁の信頼
ある絶縁がとれない等の問題点がある。又、ホーロー被
覆型のメタルコアー基板の場合は、生産性が低く、誘電
率が高い為に高周波回路には適さず、導通穴の小径化へ
の対応が困難であるといった欠点がある。
Conventional technology and its problems In printed wiring boards and wiring boards such as hybrid ICs, heat dissipation is a major problem due to high-density mounting of electronic circuits and mounting of heat-generating devices. As one of the countermeasures, a substrate (commonly referred to as a metal core substrate) in which a metal is used as a core material and which is coated with resin or enamel and which utilizes good thermal conductivity of metal is being put into practical use. Among these conventional metal core substrates, the resin coated type has poor heat resistance, and it is difficult to prevent corrosion of the end faces during external processing, and it is difficult to establish continuity on both sides. When the resin is applied by a general method after the outer shape processing or the through hole is formed, there is a problem that the wall of the through hole cannot be reliably insulated. Further, the enamel-covered metal core substrate has a drawback that it is not suitable for a high frequency circuit because of its low productivity and high permittivity, and it is difficult to cope with the reduction of the diameter of the conduction hole.

又、ハイブリッドIC分野においては主としてアルミナ基
板が用いられているが、より高い放熱性が望まれている
こと、両面板とする場合にはアルミナ基板焼成前のグリ
ーンシート段階で穴明けを行うので、焼成時の収縮のた
め導通穴の位置精度に問題があること、高周波特性にお
いても改善が望まれていること等種々の解決すべき問題
点が残っている。
Also, in the hybrid IC field, alumina substrates are mainly used, but higher heat dissipation is desired, and when double-sided boards are used, holes are made at the green sheet stage before firing the alumina substrates. There remain various problems to be solved, such as a problem in the positional accuracy of the conductive holes due to shrinkage during firing, and improvement in high frequency characteristics.

なお、特公昭55−24716号においては、電気泳動を有機
溶媒中にて行う方法が開示されているが、使用するポリ
アミド酸の構造は何ら限定されていない。従って、有機
溶媒を採用しているため、火災及び環境面より工業化に
おいて好ましくないことは勿論であるが、本発明者らが
検討したところでは、単なるポリアミド酸を使用したの
では、到底満足すべき接着性が得られず実用上問題であ
ることがわかった。
Incidentally, Japanese Patent Publication No. 55-24716 discloses a method of performing electrophoresis in an organic solvent, but the structure of the polyamic acid used is not limited at all. Therefore, of course, since it uses an organic solvent, it is not preferable in industrialization from the viewpoint of fire and the environment, but the inventors of the present invention have examined it, and it is completely satisfactory if a mere polyamic acid is used. It was found that the adhesiveness was not obtained, which was a practical problem.

発明の目的 本発明の目的は、上記した従来技術の欠点を克服し、耐
熱性、誘電率に優れ、さらに高い信頼性を有する小径の
導通壁の絶縁及び基板端面の腐食防止を実現しうる金属
を芯材とした新規な放熱性の配線基板を提供することで
あり、プリント配線基板、ハイブリッドICの基板として
優れた性能を有するものを提供することである。
Object of the Invention An object of the present invention is to overcome the drawbacks of the prior art described above, and to realize insulation of a small-diameter conductive wall having excellent heat resistance and dielectric constant, and high reliability, and preventing corrosion of the end surface of the substrate. The present invention is to provide a novel heat-dissipating wiring board using as a core material, and to provide a printed wiring board and a hybrid IC board having excellent performance.

発明の具体的内容 本発明は、一般式 (ここでR1は、炭素数2以上の脂肪族基、環式脂肪族
基、単環式芳香族基、縮合多環式芳香族基、芳香族基が
直接又は架橋員により相互に連結された非縮合多環式芳
香族基からなる群より選ばれた4価の基を表わし、R
2は、下記の群より選ばれたメタ位に結合手を有する2
価の芳香族の基を表わす。) で表わされる繰り返し単位よりなるポリアミド酸のカル
ボキシル基を塩基で中和・水稀釈して被膜形成用電気泳
動浴とし、該浴中に被膜を形成すべき金属板を浸漬し、
該金属板を陽極として電気泳動を行って該金属板表面に
上記ポリアミド酸を析出せしめて被膜を形成し、しかる
後に加熱処理して該被膜をイミド化せしめてポリイミド
の絶縁層を形成してなることを特徴とする配線用基板に
存する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention has the general formula (Here, R 1 is an aliphatic group having 2 or more carbon atoms, a cycloaliphatic group, a monocyclic aromatic group, a condensed polycyclic aromatic group, or an aromatic group which is directly or crosslinked with each other. Represents a tetravalent group selected from the group consisting of non-fused polycyclic aromatic groups, R
2 has a bond at the meta position selected from the group below
Represents a valent aromatic group. ) The carboxyl group of the polyamic acid consisting of the repeating unit represented by is neutralized with a base and diluted with water to form an electrophoretic bath for forming a film, and a metal plate on which a film is to be formed is immersed in the bath.
Electrophoresis is performed using the metal plate as an anode to deposit the polyamic acid on the surface of the metal plate to form a film, and then heat treatment is performed to imidize the film to form a polyimide insulating layer. The present invention resides in a wiring substrate.

以下、本発明を詳細に説明する。Hereinafter, the present invention will be described in detail.

本発明で使用するのは、上記した一般式 で表わされる繰り返し単位を有する特定のポリアミド酸
である。その製法はとくに限定されないが、通常は対応
する各種ジアミンをテトラカルボン酸二無水物と有機溶
媒中で重合させて製造することができる。
The general formula described above is used in the present invention. It is a specific polyamic acid having a repeating unit represented by: The production method is not particularly limited, but usually, it can be produced by polymerizing various corresponding diamines with tetracarboxylic dianhydride in an organic solvent.

本発明で使用されるジアミンとしては、3,3′−ジアミ
ノベンゾフェノン、1,3−ビス(3−アミノフェノキ
シ)ベンゼン、4,4′−ビス(3−アミノフェノキシ)
ビフェニル、2,2−ビス[4−(3−アミノフェノキ
シ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[4−(3−アミ
ノフェノキシ)フェニル]−1,1,1,3,3,3−ヘキサフル
オロプロパン、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フ
ェニル]スルフィド、ビス[4−(3−アミノフェノキ
シ)フェニル]ケトン、ビス[4−(3−アミノフェノ
キシ)フェニル]スルホン等の、メタ位のジアミンが挙
げられ、これらは単独で、或いは2種以上混合して用い
られる。
Examples of the diamine used in the present invention include 3,3'-diaminobenzophenone, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene and 4,4'-bis (3-aminophenoxy).
Biphenyl, 2,2-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] -1,1,1,3,3,3-hexa Fluoropropane, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfide, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] ketone, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone and the like in the meta position. Diamines may be used, and these may be used alone or in admixture of two or more.

本発明でジアミンと反応させるテトラカルボン酸二無水
物としては、下記式 (式中R1は、炭素数2以上の脂肪族基、環式脂肪族基、
単環式芳香族基、縮合多環式芳香族基、芳香族基が直接
又は架橋員により相互に連結された非縮合多環式芳香族
基からなる群より選ばれた4価の基を表わす)で表わさ
れ、例えば、エチレンテトラカルボン酸二無水物、シク
ロペンタンテトラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸
二無水物、3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物、2,2′,3,3′−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二無水物、3,3′,4,4′−ビフェニルテトラカ
ルボン酸二無水物、2,2′,3,3′−ビフェニルエトラカ
ルボン酸二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェ
ニル)プロパン二無水物、2,2−ビス(2,3−ジカルボキ
シフェニル)プロパン二無水物、ビス(3,4−ジカルボ
キシフェニル)エーテル二無水物、ビス(3,4−ジカル
ボキシフェニル)スルホン二無水物、1,1−ビス(2,3−
ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、ビス(2,3−
ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(3,4−
ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、2,3,6,7−ナ
フタレンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8−ナフタ
レンテトラカルボン酸二無水物、1,2,5,6−ナフタレン
テトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−ベンゼンテトラ
カルボン酸二無水物、3,4,9,10−ペリレンテトラカルン
ボン酸二無水物、2,3,6,7−アントラセンテトラカルボ
ン酸二無水物、1,2,7,8−フェナントレンテトラカルボ
ン酸二無水物等が好ましいものとして挙げられる。これ
らのうちで特に好ましいテトラカルボン酸二無水物は、
ピロメリット酸二無水物、3,3′,4,4′−ベンゾフェノ
ンテトラカルボン酸二無水物、3,3′,4,4′−ビフェニ
ルテトラカルボン酸二無水物、およびビス(3,4−ジカ
ルボキシフェニル)エーテル二無水物である。
The tetracarboxylic dianhydride to be reacted with the diamine in the present invention has the following formula (In the formula, R 1 is an aliphatic group having 2 or more carbon atoms, a cycloaliphatic group,
Represents a tetravalent group selected from the group consisting of a monocyclic aromatic group, a condensed polycyclic aromatic group, and a non-condensed polycyclic aromatic group in which aromatic groups are connected to each other directly or by a bridging member. ), For example, ethylene tetracarboxylic dianhydride, cyclopentane tetracarboxylic dianhydride, pyromellitic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 2,2 ', 3,3'-benzophenone tetracarboxylic acid dianhydride, 3,3', 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid dianhydride, 2,2 ', 3,3'-biphenyletracarboxylic acid Dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, 2,2-bis (2,3-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, bis (3,4-dicarboxy) Phenyl) ether dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) sulfone dianhydride, 1,1- Screw (2,3-
Dicarboxyphenyl) ethane dianhydride, bis (2,3-
Dicarboxyphenyl) methane dianhydride, bis (3,4-
Dicarboxyphenyl) methane dianhydride, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,2,5,6-naphthalene Tetracarboxylic acid dianhydride, 1,2,3,4-benzenetetracarboxylic acid dianhydride, 3,4,9,10-perylenetetracarumbonic acid dianhydride, 2,3,6,7-anthracene tetra Carboxylic dianhydride, 1,2,7,8-phenanthrenetetracarboxylic dianhydride and the like are preferable. Of these, particularly preferred tetracarboxylic dianhydride,
Pyromellitic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, and bis (3,4- Dicarboxyphenyl) ether dianhydride.

上記したジアミンとテトラカルボン酸二無水物からポリ
アミド酸の生成反応は通常、有機溶媒中で実施する。有
機溶媒としては、例えば、N−メチル−2−ピロリド
ン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルム
アミド、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、N,N−
ジエチルアセトアミド、N,N−ジメチルメトキシアセト
アミド、ジメチルスルホキシド、ピリジン、ジメチルス
ルホン、ヘキサメチルホスホルアミド、テトラメチル尿
素、N−メチルカプロラクタム、テトラヒドロフラン、
m−ジオキサン、p−ジオキサン、1,2−ジメトキシエ
タン、ビス(2−メトキシエチル)エーテル、1,2−ビ
ス(2−メトキシエトキシ)エタン、ビス[2−(2−
メトキシエトキシ)エチル]エーテル等があげられる。
これらの有機溶媒は単独でも或いは2種以上混合して用
いても構わない。反応温度は通常200℃以下−20℃以
上、好ましくは50℃以下−10℃以上、さらに好ましくは
0℃以上である室温程度である。反応圧力は特に限定さ
れず、常圧で十分実施できる。反応時間は溶剤の種類、
反応温度および用いられるジアミンや酸二無水物により
異なりうるが、ポリアミド酸の生成が完了するに十分な
時間反応させるには通常2〜40時間、好ましくは4〜24
時間程度で十分である。
The reaction for producing a polyamic acid from the above-mentioned diamine and tetracarboxylic dianhydride is usually carried out in an organic solvent. Examples of the organic solvent include N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, N, N-
Diethylacetamide, N, N-dimethylmethoxyacetamide, dimethyl sulfoxide, pyridine, dimethyl sulfone, hexamethylphosphoramide, tetramethylurea, N-methylcaprolactam, tetrahydrofuran,
m-dioxane, p-dioxane, 1,2-dimethoxyethane, bis (2-methoxyethyl) ether, 1,2-bis (2-methoxyethoxy) ethane, bis [2- (2-
Methoxyethoxy) ethyl] ether and the like.
These organic solvents may be used alone or in combination of two or more. The reaction temperature is usually about 200 ° C. or lower and −20 ° C. or higher, preferably 50 ° C. or lower and −10 ° C. or higher, and more preferably about 0 ° C. or higher and about room temperature. The reaction pressure is not particularly limited and can be carried out at normal pressure. The reaction time depends on the type of solvent,
Although it may vary depending on the reaction temperature and the diamine or dianhydride used, it is usually 2 to 40 hours, preferably 4 to 24 hours for the reaction to be carried out for a sufficient time to complete the production of polyamic acid.
Time is enough.

斯くして得られる本発明のポリアミド酸溶液はポリアミ
ド酸を5〜40重量%、特に好ましくは10〜30重量%含有
する溶液であり、対数粘度が0.5〜4dl/g(35℃、濃度0.
5g/ml N,N−ジメチルアセトアミドで測定した値)特に
好ましくは0.6〜2.5dl/gであるものが後述する水溶化
性、及び加熱処理後のポリイミドの被膜物性に優れるの
で望ましい。
The polyamic acid solution of the present invention thus obtained is a solution containing a polyamic acid in an amount of 5 to 40% by weight, particularly preferably 10 to 30% by weight, and a logarithmic viscosity of 0.5 to 4 dl / g (35 ° C, a concentration of 0.
(Value measured with 5 g / ml N, N-dimethylacetamide) Particularly preferably, 0.6 to 2.5 dl / g is preferable since it has excellent water-solubility described later and physical properties of the polyimide film after heat treatment.

本発明においては、上記したポリアミド酸は、その溶液
のまま、或いは溶液から沈殿析出せしめて得た固形樹脂
に、塩基を加えてそのカルボキシル基を中和し水稀釈可
能とする。
In the present invention, the above-mentioned polyamic acid can be diluted with water by adding a base to the solid resin obtained by precipitating and precipitating it from the solution to neutralize its carboxyl group.

中和に使用される塩基としてはアンモニア;例えばジア
ルキルアミン、ジエタノールアミン、モルホリン等の二
級アミン類;例えばトリエチルアミン、トリブチルアミ
ン、トリエタノールアミン、トリイソプロパノールアミ
ン、ジメチルエタノールアミン、ジメチルイソプロパノ
ールアミン、ジエチルエタノールアミン、ジメチルベン
ジルアミン等の三級アミン類;苛性ソーダ、苛性カリ等
の無機塩基類が用いられるが、水希釈後の安定性や得ら
れる被膜の性質から三級アミン類が特に好ましい。
The base used for the neutralization is ammonia; secondary amines such as dialkylamine, diethanolamine, morpholine; triethylamine, tributylamine, triethanolamine, triisopropanolamine, dimethylethanolamine, dimethylisopropanolamine, diethylethanolamine. , Tertiary amines such as dimethylbenzylamine; inorganic bases such as caustic soda and caustic potash are used, and the tertiary amines are particularly preferable from the viewpoint of stability after dilution with water and properties of the coating film obtained.

水稀釈性を付与する為に必要な塩基量は中和すべきポリ
アミド酸のカルボキシル当量に対して30〜110モル%が
一般的であり特に40〜100モル%であることが好まし
い。斯くして中和を行うことによって、ポリアミド酸は
完全に水溶性となるか或いは部分的に水溶化して懸濁状
態となり水稀釈性を有するようになる。いづれの場合に
おいても、ボリアミド酸を中和し、これを下記の程度の
樹脂濃度となるように水希釈することにより、電気泳動
処理が可能なポリアミド酸水溶液からなる、被膜形成用
電気泳動浴とすることが出来るのである。
The amount of base required for imparting water-dilutability is generally 30 to 110 mol% and particularly preferably 40 to 100 mol% based on the carboxyl equivalent of the polyamic acid to be neutralized. By carrying out the neutralization in this way, the polyamic acid becomes completely water-soluble or partially becomes water-soluble to be in a suspended state and becomes water-dilutable. In either case, the polyamic acid is neutralized, and by diluting it with water to a resin concentration of the following degree, a polyamic acid aqueous solution that can be electrophoresed to form an electrophoretic bath for forming a film. You can do it.

こうして得られたポリアミド酸水溶液からなる電気泳動
浴(以下単に浴と云う)に被膜を形成すべき金属板を浸
漬し、該金属板を陽極として電気泳動処理を行う。
A metal plate on which a film is to be formed is immersed in an electrophoretic bath (hereinafter, simply referred to as a bath) composed of the thus obtained polyamic acid aqueous solution, and an electrophoretic treatment is performed using the metal plate as an anode.

この際、浴中に例えばアルミナ、窒化硼素、窒化ケイ
素、窒化アルミニウム等の充填剤を加えても構わない。
浴の樹脂濃度は、通常2〜30重量%、より好ましくは3
〜20重量%である。上記の如く電気泳動処理は、本発明
之基板の芯材となる金属板を浴中に浸漬し、該金属板を
陽極とし浴槽壁又は不活性金属の対向電極を陰極として
通常10〜300ボルトの電圧を印加して行う。水中に分散
している中和されたポリアミド酸塩の被膜形成成分は通
常負に帯電しており、陽極である金属板へ移動し、該金
属板表面で電荷を消失し、析出して金属板表面にポリア
ミド酸樹脂被膜を形成するのである。
At this time, a filler such as alumina, boron nitride, silicon nitride, or aluminum nitride may be added to the bath.
The resin concentration of the bath is usually 2 to 30% by weight, more preferably 3
~ 20% by weight. The electrophoretic treatment as described above is performed by immersing a metal plate serving as a core material of the present invention in a bath, using the metal plate as an anode, and a bath wall or an opposing electrode of an inert metal as a cathode, usually at 10 to 300 V. It is performed by applying a voltage. The film-forming component of the neutralized polyamic acid salt dispersed in water is usually negatively charged, moves to the metal plate that is the anode, loses the charge on the surface of the metal plate, and precipitates to form the metal plate. The polyamic acid resin film is formed on the surface.

本発明において、基板の芯材となる金属板の材質は、例
えばアルミニウム、鉄、銅、珪素鋼板、クロメート鋼
板、亜鉛メッキ鋼板等各種の金属が用いられ、又、これ
等の材質は、勿論平板であってもよいが導通や部品実装
用の穴があらかじめあけられていてもよく、この場合に
特に上記に述べた電気泳動での被覆の利点が大きい。
又、上記金属板は、所望の形状に外形加工されていても
よく、この場合端面の防錆が確実になされるので特に好
ましい。
In the present invention, as the material of the metal plate serving as the core material of the substrate, various metals such as aluminum, iron, copper, silicon steel plate, chromate steel plate, galvanized steel plate are used, and these materials are, of course, flat plates. However, the holes for electrical conduction and component mounting may be pre-drilled, and in this case, the advantage of the coating by electrophoresis described above is particularly great.
Further, the metal plate may be externally processed into a desired shape, and in this case, the rust prevention of the end face is surely performed, which is particularly preferable.

本発明において、浴槽から引き上げた被膜が形成された
被覆金属板は、通常水洗を施した後(既に樹脂被膜は水
不溶化しているので水洗によってポリアミド酸は金属板
から脱離しない)、通常100〜380℃程度、好ましくは18
0〜350℃程度の温度で、所要時間、通常10分〜15時間、
好ましくは15分〜10時間、さらに好ましくは30分〜8時
間程度加熱処理を行うことによって被膜を形成している
ポリアミド酸をイミド化せしめることにより、極めて強
靭なポリイミド樹脂被膜の絶縁層を金属表面に形成する
のである。なお、加熱処理に際しては、急激に昇温する
のは発砲等を伴うことになるため好ましくなく、徐々
に、若しくはステップワイズに昇温するのが好ましい。
なお、加熱処理を行うための装置としては通常の乾燥器
が使用可能であり、例えば熱風乾燥器、遠赤外乾燥器等
を常圧若しくは減圧で好適に採用することが出来る。
In the present invention, the coated metal plate on which the coating film pulled up from the bath is formed, is usually subjected to water washing (since the resin film has already been insolubilized in water, the polyamic acid is not detached from the metal plate), usually 100 ~ 380 ° C, preferably 18
At a temperature of 0 to 350 ° C, the required time, usually 10 minutes to 15 hours,
The polyamic acid forming the coating is imidized by heat treatment for preferably 15 minutes to 10 hours, more preferably 30 minutes to 8 hours, whereby the extremely strong insulating layer of the polyimide resin coating is applied to the metal surface. To form. In the heat treatment, it is not preferable to rapidly raise the temperature because firing or the like is involved, and it is preferable to raise the temperature gradually or stepwise.
An ordinary dryer can be used as an apparatus for performing the heat treatment, and for example, a hot air dryer, a far infrared dryer, or the like can be preferably used at normal pressure or reduced pressure.

金属板表面に形成されたイミド被膜の厚さは通常2〜60
μ程度であり、飲ましくは5〜40μ程度である。
The thickness of the imide film formed on the surface of the metal plate is usually 2 to 60
It is about μ, and preferably about 5 to 40 μ.

かくして得られた本発明の配線用基板は、基板上に導体
回路或いは必要に応じ抵抗印刷回路を形成して配線板と
して実用されが、これら回路の形成にはそれ自体従来公
知の種々の方法が適用される。例えば上記の配線基板を
必要に応じてメッキ受理性を付与する前処理を行い、非
回路部分をレジスト材料で被覆した後、無電解メッキ、
更に必要に応じ電解メッキをかけて回路形成を行う方
法、或いは、導電性ペースト及び抵抗ペーストをスクリ
ーン印刷法で印刷し加熱乾燥して回路形成を行う等の方
法が一般的であり、導通用の穴はメッキ法においては穴
壁にも同時にメッキがなされるので両面回路の電気適接
続が可能であり、又、スクリーン印刷法においては導電
性ペーストを穴中に埋め込み、両面の回路の電気的接続
を行うことが可能である。
The thus obtained wiring board of the present invention is used as a wiring board by forming a conductor circuit or a resistance printed circuit as necessary on the board, and various known methods per se are used for forming these circuits. Applied. For example, the above wiring board is subjected to a pretreatment for imparting plating acceptability as necessary, and after coating the non-circuit portion with a resist material, electroless plating,
Further, a method of forming a circuit by electrolytic plating if necessary, or a method of printing a conductive paste and a resistance paste by a screen printing method and heating and drying to form a circuit is generally used. In the plating method, the holes are also plated on the wall of the hole at the same time, so it is possible to electrically connect double-sided circuits. Also, in the screen printing method, a conductive paste is embedded in the holes to electrically connect the circuits on both sides. It is possible to

上記の如くして得られた本発明の配線用基板は、耐熱
性、誘電特性に優れ更に信頼のある両面の回路の接続が
行えると共に、又、基板の端面処理がなくても腐食が起
こらないという極めて有用な放熱性配線基板であり、そ
の産業上の利用可能性は極めて大きい。
The wiring board of the present invention obtained as described above is excellent in heat resistance and dielectric characteristics, and more reliable circuit connection on both sides is possible, and corrosion does not occur even if the end surface treatment of the board is not performed. It is a very useful heat dissipation wiring board, and its industrial applicability is extremely large.

実施例及 以下に実施例により、本発明の実施の態様を説明する。Examples and Embodiments Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to Examples.

尚、実施例中の対数粘度は35℃、0.5g/100mlN,N−ジメ
チルアセトアミドで測定した値である。実施例及び比較
例中で示す特性評価は下記のごとき方法に従って行っ
た。
The logarithmic viscosity in the examples is a value measured at 35 ° C. with 0.5 g / 100 ml N, N-dimethylacetamide. The characteristic evaluations shown in Examples and Comparative Examples were performed according to the following methods.

(a)接着性 メッキにて回路を形成した場合にはJIS−C−6481 5.7
に準じた引剥し強度であり、導電ペーストにて回路を形
成した場合はJIS−Z−5400 6.1に準じたゴバン目テー
プテストの結果である。
(A) Adhesiveness When the circuit is formed by plating, JIS-C-6481 5.7
The peeling strength is in accordance with the above, and when the circuit is formed by the conductive paste, it is the result of the gooseneck tape test in accordance with JIS-Z-5400 6.1.

(b)耐電圧 JIS−C−2110に準じ、交流1KVにて可否の判定を行っ
た。
(B) Withstand voltage In accordance with JIS-C-2110, it was judged whether or not the AC voltage was 1 KV.

(c)誘電率 JIS−C−6481 5.12に準じ、絶縁層上に形成した導電パ
ターンと芯材である金属との間にて電着により形成され
た絶縁層の1KHzでの誘電率を測定した。
(C) Dielectric constant According to JIS-C-6481 5.12, the dielectric constant at 1 KHz of the insulating layer formed by electrodeposition between the conductive pattern formed on the insulating layer and the metal as the core material was measured. .

(d)ハンダ耐熱性 260℃のハンダに180秒間フロートし、フクレ、ハガレを
目視にて判定した。
(D) Solder heat resistance It was floated on solder at 260 ° C for 180 seconds and visually checked for blisters and peeling.

実施例−1 攪拌機、還流冷却機及び窒素導入管を備えた容器で、3,
3′−ジアミノベンゾフェノン53.0g(0.25モル)をN,N
−0ジメチルアセトアミド240mlに溶解した。この溶液
に3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無
水物78.6g(0.244モル)の粉末を添加し、10℃で24時間
攪拌してポリアミド酸溶液を得た。得られたポリアミド
酸の対数粘度は0.6dl/gであった。このポリアミド酸溶
液中にジメチルエタノールアミン39.1g(対カルボキシ
ル当量90モル%)を徐々に加え20分間室温にて攪拌後、
水905.3gを攪拌しつつ徐々に室温にて加え水希釈してポ
リアミド酸溶液を調製した(樹脂濃度10重量%)。本水
溶液をプラスチックの槽へ入れ被膜形成用電気泳動浴と
し、被覆対象となるアルミニウムの板を陽極として浸漬
し、陰極として鉛板を浸漬して、100Vの電圧を10分間印
加して電気泳動を行った。その後アルミニウム板を取り
出し、水洗後150℃で2時間、280℃で2時間の加熱処理
により乾燥イミド化を行った。加熱処理後のポリイミド
酸樹脂被膜の厚さは24μであった。これをテストピース
とし、該テストピースに無電解銅メッキ及び電解銅メッ
キを行った。銅メッキの厚さは30μmであった。接着性
のテストの結果は1.8Kg/cm、耐電圧、ハンダ耐熱性もパ
スであり誘電率は3.3であった。更に本テスト板を300℃
240時間の高温暴露を行い、同一のテストを行ったとこ
ろ同一の結果が得られることを確認した。
Example-1 A container equipped with a stirrer, a reflux condenser and a nitrogen inlet tube,
53.0 g (0.25 mol) of 3'-diaminobenzophenone was added to N, N
It was dissolved in 240 ml of -0 dimethylacetamide. Powder of 78.6 g (0.244 mol) of 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride was added to this solution, and the mixture was stirred at 10 ° C. for 24 hours to obtain a polyamic acid solution. The polyamic acid thus obtained had an inherent viscosity of 0.6 dl / g. To this polyamic acid solution was gradually added 39.1 g of dimethylethanolamine (90 mol% relative to carboxyl equivalent) and stirred for 20 minutes at room temperature,
905.3 g of water was gradually added with stirring at room temperature and diluted with water to prepare a polyamic acid solution (resin concentration 10% by weight). This aqueous solution is placed in a plastic bath to form an electrophoretic bath for film formation, the aluminum plate to be coated is immersed as the anode, the lead plate is immersed as the cathode, and a voltage of 100 V is applied for 10 minutes for electrophoresis. went. After that, the aluminum plate was taken out, washed with water, and dried and imidized by heating at 150 ° C. for 2 hours and 280 ° C. for 2 hours. The thickness of the polyimide acid resin coating after the heat treatment was 24μ. This was used as a test piece, and the test piece was subjected to electroless copper plating and electrolytic copper plating. The thickness of the copper plating was 30 μm. The result of the adhesion test was 1.8 Kg / cm, the withstand voltage and the solder heat resistance were also pass, and the dielectric constant was 3.3. Furthermore, this test plate is 300 ℃
It was confirmed that the same result was obtained when the same test was performed after high temperature exposure for 240 hours.

実施例 2 攪拌機、還流冷却器及び窒素導入管を備えた容器に2,2
−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]プロ
パン41.0g(0.1モル)と、N,N−ジメチルアセトアミド2
00mlを装填し、0℃付近まで冷却し、窒素雰囲気下に於
いてピロメリット酸二無水物21.8g(0.1モル)の粉末を
加え、0℃付近で2時間攪拌した。次に上記溶液を室温
に戻し、窒素雰囲気下で約20時間の攪拌を行った。こう
して得られたポリアミド酸溶液の対数粘度は1.5dl/gで
あった。このポリアミド酸溶液中にトリエチルアミン2
0.2g(対カルボキシル当量100モル%)を徐々に加え1
時間室温にて攪拌後、水973gを攪拌しつつ徐々に加えて
希釈しポリアミド酸水溶液を調整した(樹脂濃度5重量
%)。本水溶液をステンレス製の槽へ入れ被膜形成用電
気泳動浴とし、被覆対象となる亜鉛メッキ鋼板を陽極と
して浸漬し、浴槽を陰極として150Vの電圧を5分間印可
して電気泳動を行った。その後亜鉛メッキ鋼板を取り出
し、水洗後120℃1時間、180℃2時間、280℃2時間の
加熱処理によりイミド化を行った。加熱処理後のポリイ
ミド酸樹脂被膜の厚さは20μであった。これをテストピ
ースとして該テストピースに導電ペーストとしてMSP−1
00及びMCP−1606(いづれも三井東圧化学社製)を用い
スクリーン印刷法にて回路形成を行い150℃にてペース
トの硬化を行った。いづれのペーストにても接着性テス
トの結果は100/100であり耐電圧、ハンダ耐熱性もパス
であった。又、誘電率は3.1であった。更に本テスト板
を300℃240時間の高温暴露を行い、同一のテストを行っ
たところ同一の結果が得られることを確認した。
Example 2 A container equipped with a stirrer, a reflux condenser and a nitrogen inlet tube was used for 2,2
-Bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] propane 41.0 g (0.1 mol) and N, N-dimethylacetamide 2
00 ml was charged, the mixture was cooled to around 0 ° C., 21.8 g (0.1 mol) of pyromellitic dianhydride powder was added under a nitrogen atmosphere, and the mixture was stirred at around 0 ° C. for 2 hours. Next, the solution was returned to room temperature and stirred under a nitrogen atmosphere for about 20 hours. The polyamic acid solution thus obtained had an inherent viscosity of 1.5 dl / g. Triethylamine 2 in this polyamic acid solution
Slowly add 0.2g (100mol% of carboxyl equivalent) to 1
After stirring at room temperature for an hour, 973 g of water was gradually added with stirring to dilute the polyamic acid aqueous solution (resin concentration 5% by weight). This aqueous solution was placed in a stainless steel bath to form an electrophoretic bath for film formation, the galvanized steel sheet to be coated was immersed as an anode, and the bath was used as a cathode to apply a voltage of 150 V for 5 minutes for electrophoresis. Then, the galvanized steel sheet was taken out, washed with water, and then imidized by heating at 120 ° C. for 1 hour, 180 ° C. for 2 hours, and 280 ° C. for 2 hours. The thickness of the polyimide acid resin film after the heat treatment was 20μ. Using this as a test piece, MSP-1 as a conductive paste on the test piece
Circuits were formed by screen printing using 00 and MCP-1606 (both manufactured by Mitsui Toatsu Chemicals, Inc.) and the paste was cured at 150 ° C. The results of the adhesion test were 100/100 for both pastes, and the withstand voltage and solder heat resistance were also good. The dielectric constant was 3.1. Further, it was confirmed that the same result was obtained by subjecting the test plate to high temperature exposure at 300 ° C. for 240 hours and performing the same test.

実施例 3 攪拌機、還流冷却器及び窒素導入管を備えた容器に、2,
2−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]プ
ロパン41.0g(0.1モル)と、N,N−ジメチルアセトアミ
ド219.6gをくわえ、室温で窒素雰囲気下に、3,3′,4,
4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物31.6g
(0.098モル)を乾燥固体のまま、溶液温度の上昇に注
意しながら、少量づつ加え、室温で23時間反応した。こ
うして得られたポリアミド酸の対数粘度は0.70dl/gであ
った。このポリアミド酸溶液にトリエタノールアミン1
4.6g(対カルボキシル当量50モル%)を徐々に加え、2
時間40℃にて攪拌、水177.2gを攪拌しつつ徐々にくわえ
て希釈しポリアミド酸水溶液を調製した(樹脂濃度15重
量%)。本水溶液を用い、実施例−1と同様に直径0.4
〜3.0mmの穴をあけたアルミニウム板を陽極として200V5
分間電気泳動を行った。水洗後150℃1時間、次いで260
℃2時間の加熱処理により乾燥イミド化を行った。加熱
処理後のポリイミド樹脂被膜の厚さは25μであり、又、
穴の内壁の絶縁層の厚さも断面の測定より同一であっ
た。本テストピースに実施例−1と同様に33μの銅メッ
キを行った。メッキ層の状態での接着テストの結果は2.
0Kg/cmであり、耐電圧、ハンダ耐熱性もパスであった。
更に本テスト板を300℃240時間の高温暴露を行い、同一
のテストを行ったところ同一の結果がえられ、又、メッ
キ後の穴の断面測定よりボイド、クラック等の発生も見
られなかった。
Example 3 In a container equipped with a stirrer, a reflux condenser and a nitrogen introducing tube, 2,
2-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] propane 41.0 g (0.1 mol) and N, N-dimethylacetamide 219.6 g were added, and at room temperature under a nitrogen atmosphere, 3,3 ′, 4,
4'-benzophenone tetracarboxylic acid dianhydride 31.6 g
(0.098 mol) was added as a dry solid little by little while paying attention to the rise in solution temperature, and the mixture was reacted at room temperature for 23 hours. The polyamic acid thus obtained had an inherent viscosity of 0.70 dl / g. Triethanolamine 1 in this polyamic acid solution
Slowly add 4.6 g (50 mol% of carboxyl equivalent) to 2
The mixture was stirred at 40 ° C. for an hour, and 177.2 g of water was gradually added while stirring to prepare a polyamic acid aqueous solution (resin concentration 15% by weight). Using this aqueous solution, a diameter of 0.4
200V5 with aluminum plate with ~ 3.0mm hole as anode
Electrophoresis was performed for a minute. After washing with water, 150 ℃ for 1 hour, then 260
Dry imidation was carried out by heat treatment at 2 ° C. for 2 hours. The thickness of the polyimide resin coating after heat treatment is 25μ, and
The thickness of the insulating layer on the inner wall of the hole was also the same from the measurement of the cross section. This test piece was plated with 33 μm of copper in the same manner as in Example-1. The result of the adhesion test in the state of the plating layer is 2.
It was 0 kg / cm, and the withstand voltage and solder heat resistance were also good.
Furthermore, this test plate was exposed to a high temperature of 300 ° C. for 240 hours and subjected to the same test, and the same result was obtained, and no voids or cracks were found by the cross-section measurement of the hole after plating. .

比較例−1 実施例−3における2,2−ビス[4−(3−アミノフェ
ノキシ)フェニル]プロパンを2,2−ビス[4−(4−
アミノフェノキシ)フェニル]プロパンに代えた他は総
て実施例−3と同様の操作により、1.16dl/gのポリアミ
ド酸を得た。実施例−3と同様にして中和、水溶化、電
着、水洗、乾燥イミド化を行い、ポリイミド被覆アルミ
ニウム板を得た。ポリイミド樹脂被膜の厚さは23μであ
った。実施例−1と同様にして銅メッキを行った。常態
での耐電圧はパスであったが、接着性テストの結果は0.
4Kg/cmと著しく低いものであり、ハンダ耐熱テストにて
フクレを発生した。更に本テスト板を300℃240時間の高
温暴露を行い、同一のテストを行ったところ耐電圧はパ
ス、接着性テストは0.2Kg/cm、ハンダ耐熱テストでフク
レを発生した。
Comparative Example-1 The 2,2-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] propane obtained in Example-3 was replaced with 2,2-bis [4- (4-
By the same procedure as in Example 3 except that aminophenoxy) phenyl] propane was used, 1.16 dl / g of polyamic acid was obtained. Neutralization, water solubilization, electrodeposition, washing with water and dry imidization were carried out in the same manner as in Example-3 to obtain a polyimide-coated aluminum plate. The thickness of the polyimide resin coating was 23μ. Copper plating was performed in the same manner as in Example-1. The withstand voltage in the normal state was pass, but the result of the adhesion test was 0.
It was a remarkably low value of 4 kg / cm, and blistering occurred in the solder heat resistance test. Furthermore, this test plate was exposed to a high temperature of 300 ° C. for 240 hours, and the same test was performed. As a result, the withstand voltage passed, the adhesion test was 0.2 kg / cm, and blisters were generated in the solder heat resistance test.

以上のごとく、本発明と異なり、メタ位の結合が無く、
パラ位のジアミンを使用するものは接着性が極めて劣る
ことが示された。
As described above, unlike the present invention, there is no bond at the meta position,
It was shown that the one using the para-position diamine had extremely poor adhesion.

比較例−2 実施例−3における2,2−ビス[4−(3−アミノフェ
ノキシ)フェニル]プロパンを4,4′ジアミノジフェニ
ルエーテル12.8g(0.1モル)に代えた他は総て実施例−
3と同様の操作により、1.25dl/gのポリアミド酸を得
た。実施例−3と同様にして中和、水溶化、電着、水
洗、乾燥イミド化を行い、ポリイミド被覆アルミニウム
板を得た。ポリイミド樹脂被膜の厚さは25μであった。
実施例−1と同様にして銅メッキを行った。常態での耐
電圧はパスであったが、接着性テストの結果は0.2Kg/cm
と著しく低いものであり、ハンダ耐熱テストにてフクレ
を発生した。更に本テスト板を300℃240時間の高温暴露
を行い、同一のテストを行ったところ耐電圧はパス、接
着性テストは0.1Kg/cm、ハンダ耐熱テストでフクレを発
生した。
Comparative Example-2 All the examples except that 12.8 g (0.1 mol) of 4,4'diaminodiphenyl ether was used in place of 2,2-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] propane in Example-3.
By the same operation as in 3, 1.25 dl / g of polyamic acid was obtained. Neutralization, water solubilization, electrodeposition, washing with water and dry imidization were carried out in the same manner as in Example-3 to obtain a polyimide-coated aluminum plate. The thickness of the polyimide resin coating was 25μ.
Copper plating was performed in the same manner as in Example-1. The withstand voltage in the normal state was pass, but the result of the adhesion test was 0.2 Kg / cm.
Markedly low, and blistering occurred in the solder heat resistance test. Furthermore, this test plate was exposed to a high temperature of 300 ° C. for 240 hours, and the same test was conducted. As a result, the withstand voltage passed, the adhesion test was 0.1 Kg / cm, and blistering occurred in the solder heat resistance test.

以上のごとく、本発明と異なり、メタ位の結合が無く、
パラ位のジアミンを使用するものは接着性が極めて劣る
ことが示された。
As described above, unlike the present invention, there is no bond at the meta position,
It was shown that the one using the para-position diamine had extremely poor adhesion.

実施例4〜19 ジアミンの種類と量、N,N−ジメチルアセトアミドの
量、テトラカルボン酸二無水物の種類と量 、中和に使用するジメチルエタノールアミンの量、稀釈
に用いる水の量をかえる他は総て実施例−1と同様の操
作で行い、表−1に記す結果を得た。尚、中和に使用す
るジメチルエタノールアミンの量は対カルボキシル当量
90重量%より算出されたものとし、稀釈に用いる水の量
は樹脂濃度10重量%となるように算出されたものとす
る。又、表中PMDAは無水ピロメリット酸、BTDAは3,3′,
4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ODP
Aはビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エーテル二無水
物、BPDAは3,3′,4,4′−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物を示す。
Examples 4 to 19 Type and amount of diamine, amount of N, N-dimethylacetamide, type and amount of tetracarboxylic dianhydride The same operation as in Example-1 was carried out except that the amount of dimethylethanolamine used for neutralization and the amount of water used for dilution were changed, and the results shown in Table-1 were obtained. The amount of dimethylethanolamine used for neutralization is the equivalent of carboxyl.
The amount of water used for dilution shall be calculated so that the resin concentration will be 10% by weight. In the table, PMDA is pyromellitic dianhydride, BTDA is 3,3 ',
4,4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, ODP
A is bis (3,4-dicarboxyphenyl) ether dianhydride, and BPDA is 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】一般式 (ここでR1は、炭素数2以上の脂肪族基、環式脂肪族
基、単環式芳香族基、縮合多環式芳香族基、芳香族基が
直接又は架橋員により相互に連結された非縮合多環式芳
香族基からなる群より選ばれた4価の基を表わし、R
2は、下記の群より選ばれた2価の芳香族の基を表わ
す。) で表わされる繰り返し単位よりなるポリアミド酸のカル
ボキシル基を塩基で中和・水稀釈して被膜形成用電気泳
動浴とし、該浴中に被膜を形成すべき金属板を浸漬し、
該金属板を陽極として電気泳動を行って該金属板表面に
上記ポリアミド酸を析出せしめて被膜を形成し、しかる
後に加熱処理して該被膜をイミド化せしめてポリイミド
の絶縁層を形成してなることを特徴とする配線用基板。
1. A general formula (Here, R 1 is an aliphatic group having 2 or more carbon atoms, a cycloaliphatic group, a monocyclic aromatic group, a condensed polycyclic aromatic group, or an aromatic group which is directly or crosslinked with each other. Represents a tetravalent group selected from the group consisting of non-fused polycyclic aromatic groups, R
2 represents a divalent aromatic group selected from the following group. ) The carboxyl group of the polyamic acid consisting of the repeating unit represented by is neutralized with a base and diluted with water to form an electrophoretic bath for forming a film, and a metal plate on which a film is to be formed is immersed in the bath.
Electrophoresis is performed using the metal plate as an anode to deposit the polyamic acid on the surface of the metal plate to form a film, and then heat treatment is performed to imidize the film to form a polyimide insulating layer. A wiring board characterized by the above.
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