JPH0760164B2 - 光電圧電界センサ - Google Patents
光電圧電界センサInfo
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- JPH0760164B2 JPH0760164B2 JP62014347A JP1434787A JPH0760164B2 JP H0760164 B2 JPH0760164 B2 JP H0760164B2 JP 62014347 A JP62014347 A JP 62014347A JP 1434787 A JP1434787 A JP 1434787A JP H0760164 B2 JPH0760164 B2 JP H0760164B2
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- wave plate
- comp
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、Bi12GeO20単結晶の電気光学効果（Pockels
効果）を応用した光電圧電界センサに関し、特にその温
度特性の改善に関するものである。
効果）を応用した光電圧電界センサに関し、特にその温
度特性の改善に関するものである。
従来、この種の装置として第１図に示すものがあった。
図において、（１）は偏光子、（２）は電場を検知する
電気光学材料、（３）は波長板すなわちこの例では四分
の一波長板、（４）は検光子、（５）は電気光学材料
（２）に印加される交流電圧Ｖ、（６）は電気光学材料
（２）の両面に設けた透明電極、（７）は光、（８）は
偏光子（１）を通過した光（７）の偏光方向を示す矢
印、（９）は検光子（４）を通過した光（７）の偏光方
向を示す矢印、（10）は光検出器、（11）は波長板の軸
方向を示す矢印、（12）は電気光学効果による複屈折軸
方向を示す矢印である。
図において、（１）は偏光子、（２）は電場を検知する
電気光学材料、（３）は波長板すなわちこの例では四分
の一波長板、（４）は検光子、（５）は電気光学材料
（２）に印加される交流電圧Ｖ、（６）は電気光学材料
（２）の両面に設けた透明電極、（７）は光、（８）は
偏光子（１）を通過した光（７）の偏光方向を示す矢
印、（９）は検光子（４）を通過した光（７）の偏光方
向を示す矢印、（10）は光検出器、（11）は波長板の軸
方向を示す矢印、（12）は電気光学効果による複屈折軸
方向を示す矢印である。
次に動作について説明する。偏光子（１）を通過した光
（７）は矢印（８）で示す偏光面を有するが、この光
（７）が電気光学材料（２）および四分の一波長板
（３）を通過した時に検光子（４）の方向（９）と垂直
になるように調整すると、検出器（10）に入る光（７）
は最少になる。次に、電気光学材料（２）に交流電圧
（５）を印加すると、四分の−波長板（３）を通過した
光（７）の偏光状態が変化して検光子（４）を通過する
光の量が増加し、その増加量を光検出器（10）で検知す
ることができる。この時、電気光学材料（２）上の電極
（６）に印加する電圧（５）が変化すると、検光子
（４）を通過する光の量が変化し、その変化は、電気光
学材料（２）としてBi12GeO20単結晶（以下BGOと略す）
を用いた場合、光量Ｉは次式で与えられる。
（７）は矢印（８）で示す偏光面を有するが、この光
（７）が電気光学材料（２）および四分の一波長板
（３）を通過した時に検光子（４）の方向（９）と垂直
になるように調整すると、検出器（10）に入る光（７）
は最少になる。次に、電気光学材料（２）に交流電圧
（５）を印加すると、四分の−波長板（３）を通過した
光（７）の偏光状態が変化して検光子（４）を通過する
光の量が増加し、その増加量を光検出器（10）で検知す
ることができる。この時、電気光学材料（２）上の電極
（６）に印加する電圧（５）が変化すると、検光子
（４）を通過する光の量が変化し、その変化は、電気光
学材料（２）としてBi12GeO20単結晶（以下BGOと略す）
を用いた場合、光量Ｉは次式で与えられる。
Ｉ＝（1/2）Io｛１＋Γ／φ）sinφ｝ ただし、 φ＝Γ２＋（２θ１）２｝1/2 であり、Io:偏光子出射光量 Γ:BGOの電気光学効果による直線複屈折 φ:BGO旋光能 1:BGO光路長 λ：使用波長 no:BGO屈折率 r41:BGO電気光学係数 V:印加電圧 である。
従来の光電圧電界センサは以上のように構成されてお
り、偏光子出射光量Ioの変化による誤差および光量Ｉの
光検出器（10）までの伝送損失による誤差を取り除くた
め、光量の直流成分IDcと交流成分IAcを検出して割算を
行なって印加交流電圧を検出していた。しかしながら、
BGOの電気光学効果を表わすno 3γ41および旋光能θは温
度変化し、これらの温度変化は光電圧電界センサの検出
誤差となるという問題点があった。
り、偏光子出射光量Ioの変化による誤差および光量Ｉの
光検出器（10）までの伝送損失による誤差を取り除くた
め、光量の直流成分IDcと交流成分IAcを検出して割算を
行なって印加交流電圧を検出していた。しかしながら、
BGOの電気光学効果を表わすno 3γ41および旋光能θは温
度変化し、これらの温度変化は光電圧電界センサの検出
誤差となるという問題点があった。
また、四分の一波長板（３）は位相差90゜の波長板であ
るが、これも温度変化をする。さらに、波長板（３）の
位相差が90゜でない場合にも、この位相差をΔとする
と、光量Ｉは、 Ｉ＝（1/2）Io｛１−cosΔcosφ ＋（Γ／φ）sinΔsinφ｝ で示され、したがって、波長板（３）の温度変化によっ
ても誤差を生じるという問題点があった。
るが、これも温度変化をする。さらに、波長板（３）の
位相差が90゜でない場合にも、この位相差をΔとする
と、光量Ｉは、 Ｉ＝（1/2）Io｛１−cosΔcosφ ＋（Γ／φ）sinΔsinφ｝ で示され、したがって、波長板（３）の温度変化によっ
ても誤差を生じるという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、BGOの光路長による旋光角、または波長板の
位相差を調整する事により、光電圧電界センサの感度I
AC/IDCの温度係数を小さくして高精度の光電圧電界セン
サを得る事を目的とする。
たもので、BGOの光路長による旋光角、または波長板の
位相差を調整する事により、光電圧電界センサの感度I
AC/IDCの温度係数を小さくして高精度の光電圧電界セン
サを得る事を目的とする。
この発明に係る光電圧電界センサは、Bi12GeO20単結晶
を電気光学材料として用い、偏光子と、上記電気光学材
料と、波長板と、検光子とにより構成した光電圧電界セ
ンサにおいて、上記波長板の位相差Δを、上記Bi12GeO
20単結晶の光路による旋光角φに対して次の条件 cosΔ＝cosφ − または （但しαは波長板の複屈折の温度係数 βはBi12GeO20単結晶の旋光能の温度係数） を満たすΔの値をΔcompとした時、 Δcomp−0.35ラジアン〜Δcomp＋0.35ラジアン の範囲に設定するか、または、上記旋光角φを上記位相
差Δに対して上記式または式を満たすφの値をφ
compとした時、 φcomp−0.35ラジアン〜φcomp＋0.35ラジアン の範囲に設定するものである。
を電気光学材料として用い、偏光子と、上記電気光学材
料と、波長板と、検光子とにより構成した光電圧電界セ
ンサにおいて、上記波長板の位相差Δを、上記Bi12GeO
20単結晶の光路による旋光角φに対して次の条件 cosΔ＝cosφ − または （但しαは波長板の複屈折の温度係数 βはBi12GeO20単結晶の旋光能の温度係数） を満たすΔの値をΔcompとした時、 Δcomp−0.35ラジアン〜Δcomp＋0.35ラジアン の範囲に設定するか、または、上記旋光角φを上記位相
差Δに対して上記式または式を満たすφの値をφ
compとした時、 φcomp−0.35ラジアン〜φcomp＋0.35ラジアン の範囲に設定するものである。
この発明においてはBGOの光路による旋光角φに対して
条件式または cosΔ＝cosφ − を満たす波長板の位相差Δの値をΔcompとした時、位相
差Δが Δcomp−0.35ラジアン〜Δcomp＋0.35ラジアン の範囲にある波長板を用いる事により、光電圧電界セン
サの感度の温度係数を小さくする事ができる。
条件式または cosΔ＝cosφ − を満たす波長板の位相差Δの値をΔcompとした時、位相
差Δが Δcomp−0.35ラジアン〜Δcomp＋0.35ラジアン の範囲にある波長板を用いる事により、光電圧電界セン
サの感度の温度係数を小さくする事ができる。
又、波長板の位相差Δに対して、上記条件式または
式を満たすBGOの旋光角φの値をφcompとした時、BGOの
光路長を使用光源の波長を考慮しつつ調整する事によ
り、旋光角φを調整し、φの値を φcomp−0.35ラジアン〜φcomp＋0.35ラジアン の範囲に設定する事により、上記センサ感度の温度係数
を小さくする事ができる。
式を満たすBGOの旋光角φの値をφcompとした時、BGOの
光路長を使用光源の波長を考慮しつつ調整する事によ
り、旋光角φを調整し、φの値を φcomp−0.35ラジアン〜φcomp＋0.35ラジアン の範囲に設定する事により、上記センサ感度の温度係数
を小さくする事ができる。
以下、この発明の一実施例を図をもとに説明する。構成
は次の点を除き第１図に示す従来のものと同一である。
すなわち、従来の四分の一波長板（３）のかわりに位相
差Δの調節可能な波長板（３）を組み合わせて光電圧電
界センサを構成している。この時、透過光量Ｉは、 Ｉ＝（1/2）Io｛１−cosΔcosφ ＋（Γ／φ）sinΔsinφ｝ ただし、 φ＝Γ２＋（２θ１）２｝1/2 であり、Io:偏光子出射光量 Γ:BGOの電気光学効果による直線複屈折 φ:BGO旋光能 1:BGO光路長 λ：使用波長 no:BGO屈折率 r41:BGO電気光学係数 V:印加電圧 である。
は次の点を除き第１図に示す従来のものと同一である。
すなわち、従来の四分の一波長板（３）のかわりに位相
差Δの調節可能な波長板（３）を組み合わせて光電圧電
界センサを構成している。この時、透過光量Ｉは、 Ｉ＝（1/2）Io｛１−cosΔcosφ ＋（Γ／φ）sinΔsinφ｝ ただし、 φ＝Γ２＋（２θ１）２｝1/2 であり、Io:偏光子出射光量 Γ:BGOの電気光学効果による直線複屈折 φ:BGO旋光能 1:BGO光路長 λ：使用波長 no:BGO屈折率 r41:BGO電気光学係数 V:印加電圧 である。
今、印加電圧Ｖが一定の時、Γ、Δ、θの温度変化をそ
れぞれ、 Δ＝Δｏ（１＋αＴ） θ＝θｏ（１＋βＴ） Γ＝Γｏ（１＋γＴ） とする。ただし、Δｏ、θｏ、Γｏはそれぞれ使用中心
温度における波長板位相差、旋光能、および一定電圧値
におけるBGOの直線位相差である。また、Ｔ＝ｔ−toで
あり、ｔは使用温度、toは使用中心温度を示す。さらに
α、β、γはそれぞれにおける温度係数であり、β＝−
250ppm/℃、γ＝−250ppm/℃、αは水晶製の波長板
（３）の場合−116ppm/℃である。
れぞれ、 Δ＝Δｏ（１＋αＴ） θ＝θｏ（１＋βＴ） Γ＝Γｏ（１＋γＴ） とする。ただし、Δｏ、θｏ、Γｏはそれぞれ使用中心
温度における波長板位相差、旋光能、および一定電圧値
におけるBGOの直線位相差である。また、Ｔ＝ｔ−toで
あり、ｔは使用温度、toは使用中心温度を示す。さらに
α、β、γはそれぞれにおける温度係数であり、β＝−
250ppm/℃、γ＝−250ppm/℃、αは水晶製の波長板
（３）の場合−116ppm/℃である。
光電圧電界センサでは、これらの光学系検出部へ光ファ
イバ等により光を伝送して入射し、また、出射光を光フ
ァイバで返送して計測を行なうのが一般的である。した
がって、それらの光伝送損失による誤差が生じるため、
光量の交流変化分IACと直流変化分IDCとを分離し、割算
を行なうことによりこれらの誤差を除いている。微小交
流電圧分においては、 IDC＝（1/2）Io（１−cosΔcosφ） IAC＝（1/2）Io（Γ／φ）sinΔsinφ となり、割算後の感度ηは、 となる。ここで、温度係数を代入すると、 η＝ηｏ（１＋δＴ） ただし、 φｏ＝２θo1, である。例えば式にθｏ＝0.183ラジアン/mm＝10.5゜
/mm、１＝1mm、およびα、β、γを代入し、Δｏによる
δの変化を求めて結果を第２図に示す。この図より、従
来例のように波長板の位相差Δｏを90゜とした場合すな
わち四分の一波長板を用いた場合、δは−80ppm/℃とな
るが、Δｏを115゜とすると温度係数δが零となること
がわかる。
イバ等により光を伝送して入射し、また、出射光を光フ
ァイバで返送して計測を行なうのが一般的である。した
がって、それらの光伝送損失による誤差が生じるため、
光量の交流変化分IACと直流変化分IDCとを分離し、割算
を行なうことによりこれらの誤差を除いている。微小交
流電圧分においては、 IDC＝（1/2）Io（１−cosΔcosφ） IAC＝（1/2）Io（Γ／φ）sinΔsinφ となり、割算後の感度ηは、 となる。ここで、温度係数を代入すると、 η＝ηｏ（１＋δＴ） ただし、 φｏ＝２θo1, である。例えば式にθｏ＝0.183ラジアン/mm＝10.5゜
/mm、１＝1mm、およびα、β、γを代入し、Δｏによる
δの変化を求めて結果を第２図に示す。この図より、従
来例のように波長板の位相差Δｏを90゜とした場合すな
わち四分の一波長板を用いた場合、δは−80ppm/℃とな
るが、Δｏを115゜とすると温度係数δが零となること
がわかる。
なお、上記実施例では位相差Δｏを115゜にとったが、9
0゜を超え130゜までの範囲であれば温度係数が改善され
ることが第２図より分かる。
0゜を超え130゜までの範囲であれば温度係数が改善され
ることが第２図より分かる。
また、波長板（３）は単板タイプのものでも貼り合せタ
イプのものでもよく、位相差Δｏが上記範囲内であれば
温度変化は同様であり、特性が改善される。
イプのものでもよく、位相差Δｏが上記範囲内であれば
温度変化は同様であり、特性が改善される。
また、式によると、φｏ＝２θo1を決めると、温度係
数が零となるΔｏの値が２個ある事がわかる。ここで、
φｏ＝２θo1は電気光学材料（２）の光路長１および旋
光能θｏに依存し、旋光能は使用光の波長により変化す
る。今、横軸に旋光角２θo1をとり、縦軸に波長板位相
差Δｏをとって温度係数の等高線を表したものを第３図
に示す。式において、たまたま、γ−β＝０であるた
め、温度係数零の条件は、 cosΔｏ＝cos（２θo1） − または である。
数が零となるΔｏの値が２個ある事がわかる。ここで、
φｏ＝２θo1は電気光学材料（２）の光路長１および旋
光能θｏに依存し、旋光能は使用光の波長により変化す
る。今、横軸に旋光角２θo1をとり、縦軸に波長板位相
差Δｏをとって温度係数の等高線を表したものを第３図
に示す。式において、たまたま、γ−β＝０であるた
め、温度係数零の条件は、 cosΔｏ＝cos（２θo1） − または である。
ここで、温度係数零の条件式は波長板（３）の材質に
関与せず成立する。また、温度係数零の条件式は、 ただしφｏ＝２θo1 となり、波長板（３）の複屈折の温度係数αと、Bi12Ge
O20単結晶の旋光能θｏの温度係数βに依存する。この
場合βは−250ppm/degである。波長板（３）として水晶
を用いる場合、αは−116ppm/degであるので、β／αは
2.198となる。また、波長板（３）としてAl2O3単結晶を
用いる場合およびMgF2単結晶を用いる場合、αはそれぞ
れ−137ppm/degおよび−49ppm/degでありβ／αはそれ
ぞれ1.825および5.102となる。
関与せず成立する。また、温度係数零の条件式は、 ただしφｏ＝２θo1 となり、波長板（３）の複屈折の温度係数αと、Bi12Ge
O20単結晶の旋光能θｏの温度係数βに依存する。この
場合βは−250ppm/degである。波長板（３）として水晶
を用いる場合、αは−116ppm/degであるので、β／αは
2.198となる。また、波長板（３）としてAl2O3単結晶を
用いる場合およびMgF2単結晶を用いる場合、αはそれぞ
れ−137ppm/degおよび−49ppm/degでありβ／αはそれ
ぞれ1.825および5.102となる。
なお、第３図より波長板の位相差Δｏは、上記温度係数
零の条件より±0.35ラジアン≒20゜程度の範囲内で変化
させても、温度係数が±80ppm/deg以下になり、実用的
にさしつかえない事がわかる。なお、第３図は波長板
（３）が水晶である場合について示しているが、Al2O3
単結晶やMgF2単結晶の場合でも同様である。また、第３
図より、旋光角φの値を上記温度係数０の条件より±0.
35ラジアン≒20゜程度の範囲内で変化させても温度係数
±80ppm/deg以下になり、実用的にさしつかえないこと
がわかる。なお旋光角φの調整は、BGOの光路長を使用
光源の波長を考慮しつつ調整することによりなされる。
零の条件より±0.35ラジアン≒20゜程度の範囲内で変化
させても、温度係数が±80ppm/deg以下になり、実用的
にさしつかえない事がわかる。なお、第３図は波長板
（３）が水晶である場合について示しているが、Al2O3
単結晶やMgF2単結晶の場合でも同様である。また、第３
図より、旋光角φの値を上記温度係数０の条件より±0.
35ラジアン≒20゜程度の範囲内で変化させても温度係数
±80ppm/deg以下になり、実用的にさしつかえないこと
がわかる。なお旋光角φの調整は、BGOの光路長を使用
光源の波長を考慮しつつ調整することによりなされる。
また、Bi12GeO20単結晶（２）を分割して配置した場
合、もしくは反射層あるいはプリズム等を設けて１回以
上反射させる方式の光学系とした場合においても、Bi12
GeO20単結晶の全光路長の合成旋光角を２θo1としてΔ
ｏを求めれば同様の効果が得られる。
合、もしくは反射層あるいはプリズム等を設けて１回以
上反射させる方式の光学系とした場合においても、Bi12
GeO20単結晶の全光路長の合成旋光角を２θo1としてΔ
ｏを求めれば同様の効果が得られる。
さらに位相差Δｏがπ/2の場合すなわち四分の一波長板
を使用する場合は条件式より、φ＝π/2において上記
温度係数が０であり、旋光角φをπ/2−0.35ラジアン〜
π/2＋0.35ラジアンの範囲に設定する事により上記温度
係数を小さくする事ができる。なお波長板として位相差
90゜の四分の一波長板では位相差ΔｏがΔｏ＝Ｎ×360
゜±90゜（N:整数）のものについては、Ｎの値が異なっ
ても波長板として同等の機能をもつが、温度特性は異な
る。温度補償の条件式、では、実際の位相差を代入
する事となる。
を使用する場合は条件式より、φ＝π/2において上記
温度係数が０であり、旋光角φをπ/2−0.35ラジアン〜
π/2＋0.35ラジアンの範囲に設定する事により上記温度
係数を小さくする事ができる。なお波長板として位相差
90゜の四分の一波長板では位相差ΔｏがΔｏ＝Ｎ×360
゜±90゜（N:整数）のものについては、Ｎの値が異なっ
ても波長板として同等の機能をもつが、温度特性は異な
る。温度補償の条件式、では、実際の位相差を代入
する事となる。
以上のように、この発明によれば、Bi12GeO20単結晶を
電気光学材料として用い、偏光子と、上記電気光学材料
と、波長板と、検光子とにより構成した光電圧電界セン
サにおいて、上記波長板の位相差Δを、上記Bi12GeO20
単結晶の光路による旋光角φに対して次の条件 cosΔ＝cosφ − または （但しαは波長板の複屈折の温度係数 βはBi12GeO20単結晶の旋光能の温度係数） を満たすΔの値をΔcompとした時、 Δcomp−0.35ラジアン〜Δcomp＋0.35ラジアン の範囲に設定するか、または、上記旋光角φは上記位相
差Δに対して上記式または式を満たすφの値をφ
compとした時、 φcomp−0.35ラジアン〜φcomp＋0.35ラジアン の範囲に設定するので、センサ感度の温度係数を実質的
に零とすることができ、高精度の光電圧電界センサが得
られる効果がある。
電気光学材料として用い、偏光子と、上記電気光学材料
と、波長板と、検光子とにより構成した光電圧電界セン
サにおいて、上記波長板の位相差Δを、上記Bi12GeO20
単結晶の光路による旋光角φに対して次の条件 cosΔ＝cosφ − または （但しαは波長板の複屈折の温度係数 βはBi12GeO20単結晶の旋光能の温度係数） を満たすΔの値をΔcompとした時、 Δcomp−0.35ラジアン〜Δcomp＋0.35ラジアン の範囲に設定するか、または、上記旋光角φは上記位相
差Δに対して上記式または式を満たすφの値をφ
compとした時、 φcomp−0.35ラジアン〜φcomp＋0.35ラジアン の範囲に設定するので、センサ感度の温度係数を実質的
に零とすることができ、高精度の光電圧電界センサが得
られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例および従来例による一般的
な光電圧電界センサを示す構成図、第２図は水晶の波長
板の位相差Δｏとセンサ感度の温度係数との関係を示す
特性図、第３図はBi12GeO20単結晶の旋光角２θo1およ
び波長板の位相差Δｏに対する温度係数の等高線を示す
特性図である。 図において、（１）は偏光子、（２）はBi12GeO20単結
晶、（３）は波長板、（４）は検光子、（５）は印加交
流電圧、（６）は電極、（７）は光路、（８）は偏光子
の偏光方向、（９）は検光子の偏光方向、（10）は光検
出器、（11）は波長板の軸方向、（12）は電気光学効果
による複屈折軸方向である。
な光電圧電界センサを示す構成図、第２図は水晶の波長
板の位相差Δｏとセンサ感度の温度係数との関係を示す
特性図、第３図はBi12GeO20単結晶の旋光角２θo1およ
び波長板の位相差Δｏに対する温度係数の等高線を示す
特性図である。 図において、（１）は偏光子、（２）はBi12GeO20単結
晶、（３）は波長板、（４）は検光子、（５）は印加交
流電圧、（６）は電極、（７）は光路、（８）は偏光子
の偏光方向、（９）は検光子の偏光方向、（10）は光検
出器、（11）は波長板の軸方向、（12）は電気光学効果
による複屈折軸方向である。
Claims (8)
- 【請求項１】Bi12GeO20単結晶を電気光学材料として用
い、偏光子と、上記電気光学材料と、波長板と、検光子
とにより構成した光電圧電界センサにおいて、 上記波長板の位相差Δを、上記Bi12GeO20単結晶の光路
による旋光角φに対して cosΔ＝cosφ − を満たすΔの値Δcompを用いて、 Δcomp−0.35ラジアン〜Δcomp＋0.35ラジアン の範囲に設定することを特徴とする光電圧電界センサ。 - 【請求項２】Bi12GeO20単結晶を電気光学材料として用
い、偏光子と、上記電気光学材料と、波長板と、検光子
とにより構成した光電圧電界センサにおいて、 上記波長板の位相差Δを、上記Bi12GeO20単結晶の光路
による旋光角φに対して （但しαは波長板の複屈折の温度係数 βはBi12GeO20単結晶の旋光能の温度係数） を満たすΔの値Δcompを用いて、 Δcomp−0.35ラジアン〜Δcomp＋0.35ラジアン の範囲に設定することを特徴とする光電圧電界センサ。 - 【請求項３】Bi12GeO20単結晶を電気光学材料として用
い、偏光子と、上記電気光学材料と、波長板と、検光子
とにより構成した光電圧電界センサにおいて、上記Bi12
GeO20単結晶の光路による旋光角φを、上記波長板の位
相差Δに対して cosΔ＝cosφ − を満たすφの値φcompを用いて、 φcomp−0.35ラジアン〜φcomp＋0.35ラジアン の範囲に設定することを特徴とする光電圧電界センサ。 - 【請求項４】Bi12GeO20単結晶を電気光学材料として用
い、偏光子と、上記電気光学材料と、波長板と、検光子
とにより構成した光電圧電界センサにおいて、上記Bi12
GeO20単結晶の光路による旋光角φを、上記波長板の位
相差Δに対して （但しαは波長板の複屈折の温度係数 βはBi12GeO20単結晶の旋光能の温度係数） を満たすφの値φcompを用いて、 φcomp−0.35ラジアン〜φcomp＋0.35ラジアン の範囲に設定することを特徴とする光電圧電界センサ。 - 【請求項５】波長板が水晶である場合、β／αは2.198
である特許請求の範囲第２項または第４項記載の光電圧
電界センサ。 - 【請求項６】波長板がAl2O3単結晶である場合、β／α
は1.825である特許請求の範囲第２項または第４項記載
の光電圧電界センサ。 - 【請求項７】波長板がMgF2単結晶である場合、β／αは
5.102である特許請求の範囲第２項または第４項記載の
光電圧電界センサ。 - 【請求項８】波長板の位相差Δがπ/2である時、旋光角
φを の範囲に設定したことを特徴とする特許請求の範囲第３
項記載の光電圧電界センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62014347A JPH0760164B2 (ja) | 1987-01-23 | 1987-01-23 | 光電圧電界センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62014347A JPH0760164B2 (ja) | 1987-01-23 | 1987-01-23 | 光電圧電界センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63182574A JPS63182574A (ja) | 1988-07-27 |
| JPH0760164B2 true JPH0760164B2 (ja) | 1995-06-28 |
Family
ID=11858537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62014347A Expired - Lifetime JPH0760164B2 (ja) | 1987-01-23 | 1987-01-23 | 光電圧電界センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0760164B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4569017B2 (ja) * | 2001-03-08 | 2010-10-27 | 住友電気工業株式会社 | 光デバイス |
-
1987
- 1987-01-23 JP JP62014347A patent/JPH0760164B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63182574A (ja) | 1988-07-27 |
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