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JPH0760168B2 - Semiconductor chip characteristic measuring device - Google Patents
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JPH0760168B2 - Semiconductor chip characteristic measuring device - Google Patents

Semiconductor chip characteristic measuring device

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JPH0760168B2
JPH0760168B2 JP1063056A JP6305689A JPH0760168B2 JP H0760168 B2 JPH0760168 B2 JP H0760168B2 JP 1063056 A JP1063056 A JP 1063056A JP 6305689 A JP6305689 A JP 6305689A JP H0760168 B2 JPH0760168 B2 JP H0760168B2
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JP
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probing
needle
chip
probing needle
short circuit
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義博 松井
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Mitsubishi Electric Corp
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、例えば半導体チップなどの検査、測定を行
なうプロービング装置による半導体チップの特性測定位
置に関するものである。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a characteristic measuring position of a semiconductor chip by a probing device for inspecting and measuring a semiconductor chip, for example.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

集積回路等は半導体チップの段階でプロービング装置に
より、その特性が測定検査される。すなわち半導体ウエ
ハ上の各半導体チップに形成されたボンディングパッド
に対し、プロービング装置のプロービングニードルを当
接させることにより、必要な測定等が行なわれる。
The characteristics of integrated circuits and the like are measured and inspected by a probing device at the stage of semiconductor chips. That is, a necessary measurement or the like is performed by bringing a probing needle of a probing device into contact with a bonding pad formed on each semiconductor chip on a semiconductor wafer.

かかる半導体チップの検査工程においては、プロービン
グの都度ボンディングパッドにプロービングニードルが
当接するため、ボンディングパッド上のAl部に針跡が残
りまたこれは一種のダメージとなる。このためプロービ
ン回数は極力少なくし1回限りが好ましい。
In the semiconductor chip inspection process, the probing needle comes into contact with the bonding pad every time probing is performed, so that a needle mark remains on the Al portion on the bonding pad and this is a kind of damage. Therefore, the number of times of probing is as small as possible, and it is preferable that the number of times is once.

一方隣接するプロービングニードルの間隔は0.1〜0.15m
mと、その間隔は非常に狭く半導体チップ上のAuバン
プ、ハンダパンプ等のはく離付着または、半導体チップ
の破片等の付着によるプロービングニードル間のリー
ク,短絡の事故が発生する事が多々あり、その場合異常
を除去し測定・検査をやり直すこととなり同一チップが
2度プロービングされることになりボンディング性の悪
化,信頼性の悪化歩留の悪化を生じることになる。これ
らのプロービングニードル間の先に述べた半導体,導体
付着によるリーク,短絡の事故を検出するために、従来
より検出装置またはプロービング装置またはその相方に
不良集計カウント回路を設け、設定した不良数以上にな
るとプロービング装置を一時停止させ、異常を除去し再
度動作させるか、または最初から測定検査をやり直すな
どの処置を行なっている。
On the other hand, the spacing between adjacent probing needles is 0.1 to 0.15 m.
m and the space between them are very narrow, and there are many cases in which Au bumps or solder bumps on the semiconductor chip are peeled off or adhered, or semiconductor chips are attached to the probing needle. Since the abnormality is removed and the measurement and inspection are repeated, the same chip is probed twice, which deteriorates the bonding property and the reliability, and the yield. In order to detect the above-mentioned semiconductor between the probing needles, leaks due to conductor adhesion, and short-circuit accidents, a detector or probing device or a companion device has been provided with a defect counting circuit to detect the number of defects exceeding the set number. In that case, the probing device is temporarily stopped, the abnormality is removed and the device is operated again, or the measurement inspection is performed again from the beginning.

この不良集計カウントによる異常検出方法においては、
プロービングニードルのリーク,短絡以外の原因例えば
半導体チップ自身の特性不良においても不良が発生する
ため異常検出するための設定不良数は通常10〜30個に設
定しておき、異常を検出して、一時停止したときプロー
ビングニードルのリーク,短絡による不良が原因か、ま
たはそれ以外の原因かを判定しなければならないため設
定不良数になるまで不良を作り歩留を下げることがあ
り、また原因究明のために高度な技術を必要とするなど
の問題点があった。
In the abnormality detection method based on this defect count,
Causes other than probing needle leakage and short circuits, such as defective semiconductor chips themselves, are set to detect abnormalities.Normally, set the number of defectives to 10 to 30 to detect abnormalities and temporarily When it is stopped, it is necessary to determine whether it is due to a leak due to a probing needle, a short circuit, or any other cause. There were problems such as requiring advanced technology.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be Solved by the Invention]

この様に従来の半導体測定方法ではプロープニードルを
含むプローブカードのリーク,短絡と被測定チップ特性
を区別できずその両方を満足させる異常検出カウント数
にしなければならず不良を作ることとなりまた異常を検
出した時原因究明のために高度な技術を必要とするなど
の問題点があった。
As described above, in the conventional semiconductor measuring method, it is not possible to distinguish between the leak and short circuit of the probe card including the probe needle and the characteristics of the chip under test, and it is necessary to make an abnormality detection count that satisfies both of them. When it was detected, there was a problem that it required advanced technology to investigate the cause.

この発明は上記の様な問題点を解消するためになされた
ものでスループットをおとすことなくプロービングニー
ドルを含むプローブカードのリーク,短絡を検査しその
異常を早期に発見できるとともに、この原因が明確に判
定でき唯でも原因が判ることができる半導体チップの特
性測定装置を得ることを目的とする。
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is possible to inspect the leak and short circuit of a probe card including a probing needle and detect the abnormality at an early stage without reducing the throughput, and the cause is clarified. It is an object of the present invention to obtain a semiconductor chip characteristic measuring device that can make a judgment and can easily find the cause.

〔課題を解決するための手段〕[Means for Solving the Problems]

この発明に係る半導体チップの特性測定装置は、ボンデ
ィングパッドにプロープニードルが当接していない時に
プローブニードルを含むプローブカードを検査し、プロ
ーブカードにリーク,短絡がないか判定し早期にプロー
ブカードの異常を発見でき異常の特定ができるようにし
たものである。
A semiconductor chip characteristic measuring device according to the present invention inspects a probe card including a probe needle when the probe needle is not in contact with the bonding pad, determines whether the probe card is leaked or short-circuited, and promptly detects an abnormality of the probe card. It is possible to detect the abnormalities and identify the abnormalities.

〔作用〕[Action]

この発明における半導体チップの特性測定装置は半導体
ウエハ上のチップの測定検査を行なう前にプローブニー
ドルを含むプローブカードのリーク,短絡の有無を検査
し異常がないことを確認した後にチップの測定検査が行
なわれる。
The semiconductor chip property measuring apparatus according to the present invention is capable of performing a chip measurement inspection after inspecting a probe card including a probe needle for leakage or short circuit before measuring and inspecting a chip on a semiconductor wafer and confirming that there is no abnormality. Done.

〔実施例〕〔Example〕

以下、この発明の実施例を添付図面を参照しながら説明
する。第1図にはこの発明にかかるプロービング装置及
び測定装置の一実施例のうちその主要部分を示すブロッ
ク図である。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a block diagram showing a main part of an embodiment of a probing device and a measuring device according to the present invention.

この第1図において、(1)はプローブカード、(2)
はプロービングピンでこれらは(12)測定装置(検査手
段)と(13)測定ケーブルを通して電気的に接続されて
いる。また(3)半導体ウエハに形成されたチップは
(4)ウエハステージ上に搭載され(5)ウエハステー
ジZupコントロール信号及び(6)ウエハステージX移
動コントロール信号(7)ウエハステージY移動コント
ロール信号によりプローブカード上のプロービングピン
と半導体ウエハ上のチップの相対関係は(8)プロービ
ング装置コントローラ(制御手段)により正確に位置合
わせされる。このプロービング装置コントロール(8)
は(9)プローブニードルオープン信号、(10)プロー
ブニードルコンタクト信号、(11)テストエンド信号及
びテスト結果信号により、(12)測定装置と電気的に接
続されている。測定装置(12)の内部には(14)プロー
ブカードのリーク,短絡検出プログラム(15)チップ特
性測定プログラムが準備されている。
In FIG. 1, (1) is a probe card, and (2)
Are probing pins, which are electrically connected to (12) measuring device (inspection means) and (13) measuring cable. Further, (3) the chip formed on the semiconductor wafer is mounted on the (4) wafer stage, (5) the wafer stage Zup control signal, (6) the wafer stage X movement control signal, and (7) the wafer stage Y movement control signal. The relative relationship between the probing pins on the card and the chips on the semiconductor wafer is accurately aligned by (8) the probing device controller (control means). This probing device control (8)
Is electrically connected to the measuring device (12) by (9) probe needle open signal, (10) probe needle contact signal, (11) test end signal and test result signal. Inside the measuring device (12), there are prepared (14) probe card leak / short circuit detection program (15) chip characteristic measurement program.

次に、作用を説明する。Next, the operation will be described.

半導体ウエハに形成されたチップ(3)の特性を測定検
査するためには、プローブカード(1)に付属したプロ
ービングニードル(2)とチップ配列のX,Y方向の相対
位置が正確にアライメントされる。次にウエハステージ
(3)は下がった状態でプロービング装置コントローラ
(8)の指示によりウエハステージX移動コントロール
信号(6)、同移動コントロール信号(7)により最初
のチップ位置に移動する。この移動の開始時またはその
移動中にプロービング装置コントローラ(8)は、測定
装置(12)に対しプローブオープン信号(9)を出力す
る。測定装置(12)はその信号により内蔵したプローブ
カードのリーク,短絡検出プログラム(14)を実行す
る。尚この検出プログラム(14)はプロービングニード
ル(2)を含むプローブカード(1)の隣接する信号間
のリーク,短絡を検出するものである。そしてプログラ
ム(14)が実行されることによりプロービングニードル
(2)を含むプローブカード(1)のリーク,短絡の有
無の結果をテストエンド信号及びテスト結果信号(11)
を通じ測定装置(12)からプロービング装置コントロー
ラ(8)に送る。この時テスト結果信号(11)がプロー
ビングニードル(2)及びプローブカード(1)のリー
ク,短絡が有る結果信号の場合はプロービングニードル
異常信号表示灯(16)を点灯させ異常を示すとともに動
作を一時停止する。オペレータは、一時停止した場合プ
ロービングニードル異常信号表示灯(16)を確認にプロ
ービングニードル(2)を含むプローブカード(1)の
リーク,短絡の原因を除去し再スタートを実施する。こ
の時、再度上記の同様にプローブオープン信号(9)に
よりプロービングニードル(2)プローブカード(1)
を検査する。再度異常が検査されれば異常原因の除去を
繰り返す。
In order to measure and inspect the characteristics of the chip (3) formed on the semiconductor wafer, the probing needle (2) attached to the probe card (1) and the relative position of the chip array in the X and Y directions are accurately aligned. . Next, the wafer stage (3) is lowered, and is moved to the first chip position by the wafer stage X movement control signal (6) and the movement control signal (7) according to an instruction from the probing device controller (8). At the start of this movement or during the movement, the probing device controller (8) outputs a probe open signal (9) to the measuring device (12). The measuring device (12) executes the leak and short circuit detection program (14) of the built-in probe card according to the signal. The detection program (14) detects a leak or short circuit between adjacent signals of the probe card (1) including the probing needle (2). Then, by executing the program (14), the test end signal and the test result signal (11) indicating the result of the presence or absence of leakage or short circuit of the probe card (1) including the probing needle (2).
Through the measuring device (12) to the probing device controller (8). At this time, if the test result signal (11) is a result signal indicating leakage or short circuit of the probing needle (2) and the probe card (1), the probing needle abnormality signal indicator lamp (16) is turned on to indicate an abnormality and the operation is temporarily performed. Stop. When the operator temporarily stops, the operator removes the cause of the leak or short circuit of the probe card (1) including the probing needle (2) to confirm the probing needle abnormality signal indicator light (16) and restarts. At this time, the probing needle (2) and the probe card (1) are again triggered by the probe open signal (9) in the same manner as above.
To inspect. If the abnormality is inspected again, the cause of the abnormality is removed repeatedly.

最初のリーク,短絡検査でPASSした時及び前記異常原因
除去後の再検査でPASSした時、プロービング装置コント
ローラ(8)はウエハステージZupコントロール信号に
よりウエハステージ(4)を上昇させプロービングニー
ドル(2)と半導体ウエハ上のチップ(3)を当接させ
る。次にプロービング装置コントローラ(8)はプロー
ブニードルコンタクト信号(10)により測定装置(12)
に内蔵したチップ特性測定プログラム(15)を実行す
る。実行結果により半導体ウエハ上の被測定チップ
(3)の良否を測定しテストエンド信号及びテスト結果
信号(11)を通じ測定装置(12)からプロービング装置
コントローラ(8)に送る。ここで不良の場合には該当
チップにインキング(図示せず)する。続いてプロービ
ング装置コントローラ(8)はウエハステージZupコン
トロール信号(5)によりウエハステージ(4)を下降
させプロービングニードル(2)と半導体上のチップ
(3)の当接状態を解除する。そしてプローブニードル
オープン信号(9)を測定装置(12)に送りウエハステ
ージ(4)は次の被測定チップへ移動する。測定装置
(12)はプローブニードルオープン信号を受け取ったら
前記と同様に内蔵したプローブカードのリーク,短絡検
出プログラム(14)を実行する。
The probing device controller (8) raises the wafer stage (4) in response to the wafer stage Zup control signal when passing the first leak and short circuit inspection and when performing the re-inspection after removing the cause of the abnormality, the probing needle (2). And the chip (3) on the semiconductor wafer are brought into contact with each other. Next, the probing device controller (8) uses the probe needle contact signal (10) to measure the device (12).
Execute the built-in chip characteristic measurement program (15). The quality of the chip under test (3) on the semiconductor wafer is measured based on the execution result, and is sent from the measuring device (12) to the probing device controller (8) through the test end signal and the test result signal (11). If the chip is defective, the chip is inked (not shown). Subsequently, the probing device controller (8) lowers the wafer stage (4) by the wafer stage Zup control signal (5) to release the contact state between the probing needle (2) and the chip (3) on the semiconductor. Then, the probe needle open signal (9) is sent to the measuring device (12), and the wafer stage (4) moves to the next chip to be measured. Upon receiving the probe needle open signal, the measuring device (12) executes the leak and short circuit detection program (14) of the built-in probe card as described above.

以後同様にプローブカードのリーク,短絡がない事を検
査した後チップの測定を繰り返す。
After that, in the same manner, inspect the probe card for leaks and short circuits, and repeat the chip measurement.

なお、この発明は何ら上記実施例に限定されるものでは
なく、例えばプローブニードルオープン信号(9)とプ
ローブニードルコンタクト信号(10)をまとめてテスト
スタート信号の一系列にしプローブカードの検査とチッ
プの検査は交互にテストするのでプローブニードルオー
プン時及びプローブニードルコンタクト時の各時点でテ
ストスタート信号を測定装置(12)に送り、測定装置
(12)は交互にプローブカードのリーク短絡検出プログ
ラム(14)とチップ特性測定プログラム(15)を実行す
る様にしても同様な結果が得られる。
It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment at all, and for example, the probe needle open signal (9) and the probe needle contact signal (10) are combined into one series of test start signals and the probe card inspection and chip Since the inspection tests alternately, a test start signal is sent to the measuring device (12) at each time of probe needle opening and probe needle contact, and the measuring device (12) alternately checks the leak short circuit detection program of the probe card (14). Similar results can be obtained by executing the chip characteristic measurement program (15).

また、上記プロービングニードル(2)の近傍に、加圧
空気,窒素等の加圧気体,液体をソレノイドバルブ等を
経由して、そのプロービングニードル(2)に噴射する
異物除去器(異物除去手段)を設け、リーク短絡検出プ
ログラム(14)によって、プロービングニードル(2)
のリーク,短絡の検査結果が異常と判断された場合にプ
ロービング装置コントローラ(8)の指令に応じて噴射
し、異物が除去されてからチップ特性測定プログラム
(15)を動作させるようにすれば、リーク,短絡が発生
するごとに、一時停止し、プロービングニードル(2)
を移動させ、異物除去操作するような必要がなくなり、
すばやく自動でできる効果がある。
Further, in the vicinity of the probing needle (2), a foreign matter removing device (foreign matter removing means) for injecting pressurized air, pressurized gas such as nitrogen, or liquid to the probing needle (2) through a solenoid valve or the like. And the leak short circuit detection program (14), the probing needle (2)
If the inspection result of the leak and short circuit of No. 2 is judged to be abnormal, the chip characteristic measuring program (15) is operated after the foreign matter is removed by injecting in accordance with the command of the probing device controller (8). Each time a leak or short circuit occurs, the probe is paused and the probing needle (2)
It is no longer necessary to move the
There is an effect that can be done quickly and automatically.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上のように、この発明によれば、半導体ウエハを載置
したウエハステージの水平方向移動中に、検査手段によ
ってプロービングニードルのリーク,短絡を検査し、異
常と判断された場合、そのプロービングニードル近傍に
設けられた異物除去手段によってそのプロービングニー
ドルに加圧気体を噴射させるように構成したので、プロ
ービングニードルのリーク,短絡の有無が次のチップへ
の移動中に検査でき、歩留を悪くすることなく、また、
リーク,短絡の検出のためだけの時間もかかることな
く、測定全体を短時間で行える。さらに、リーク,短絡
異常と判断された場合、異物除去手段によって直ちに噴
射され異物が除去されるので、異常が発生する度にプロ
ービングニードルを移動する必要もなく、測定全体を短
時間で行える効果がある。
As described above, according to the present invention, during the horizontal movement of the wafer stage on which the semiconductor wafer is mounted, the inspection means inspects the probing needle for leaks and short circuits. Since it is configured to inject pressurized gas to the probing needle by means of the foreign matter removing means provided in the, it is possible to inspect the probing needle for leaks and short circuits during the movement to the next chip, and to reduce the yield. Not again
The entire measurement can be performed in a short time without taking time only for detecting leaks and short circuits. Further, when it is determined that there is a leak or short circuit abnormality, the foreign matter removing means immediately ejects the foreign matter, so that it is not necessary to move the probing needle each time an abnormality occurs, and the effect of being able to perform the entire measurement in a short time is obtained. is there.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図はこの発明の一実施例によるものでその主要部分
を示したブロック図である。図において、(1)はプロ
ーブカード、(2)はプローブニードル、(3)は半導
体ウエハ及びチップ、(4)はウエハステージ、(5)
はウエハステージZupコントロール信号、(6)はウエ
ハステージX移動コントロール信号、(7)はウエハス
テージY移動コントロール信号、(8)はプロービング
装置コントロール、(9)はプローブニードルオープン
信号、(10)はプローブニードルコンタクト信号、(1
1)はテスト信号及びテスト結果信号、(12)は測定装
置、(13)は測定ケーブル、(14)はプローブカードの
リーク,短絡検出プログラム、(15)はチップ特性測定
プログラム、(16)はプロービングニードル異常表示灯
を示している。
FIG. 1 is a block diagram showing the main part of an embodiment of the present invention. In the figure, (1) is a probe card, (2) is a probe needle, (3) is a semiconductor wafer and a chip, (4) is a wafer stage, and (5).
Is a wafer stage Zup control signal, (6) is a wafer stage X movement control signal, (7) is a wafer stage Y movement control signal, (8) is a probing device control, (9) is a probe needle open signal, and (10) is Probe needle contact signal, (1
1) is a test signal and test result signal, (12) is a measuring device, (13) is a measurement cable, (14) is a probe card leak / short circuit detection program, (15) is a chip characteristic measurement program, and (16) is The probing needle abnormality indicator light is shown.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】半導体ウエハ上に形成されたチップのボン
ディングパッドに当接するプロービングカードのプロー
ビングニードルと、上記半導体ウエハを載置してその載
置面に対して水平及び垂直方向に移動させるウエハステ
ージと、上記プロービングニードルからの信号に応じて
そのプロービングニードルのリーク,短絡を検査すると
共に、そのプロービングニードルと上記ボンディングパ
ッドの当接時に上記チップの特性を検査する検査手段
と、上記プロービングニードル近傍に設けられ加圧気体
をそのプロービングニードルに噴射する異物除去手段
と、上記ウエハステージの水平方向移動中に上記検査手
段によって上記プロービングニードルのリーク,短絡を
検査させ、異常と判断された場合上記異物除去手段によ
ってそのプロービングニードルに加圧気体を噴射させる
制御手段とを備えた半導体チップの特性測定装置。
1. A probing needle of a probing card that abuts a bonding pad of a chip formed on a semiconductor wafer, and a wafer stage on which the semiconductor wafer is mounted and which is moved horizontally and vertically with respect to the mounting surface. And an inspection means for inspecting the leak and short circuit of the probing needle according to the signal from the probing needle, and inspecting the characteristics of the chip when the probing needle and the bonding pad come into contact with each other, and in the vicinity of the probing needle. Foreign matter removing means provided for injecting pressurized gas to the probing needle, and inspection means for inspecting for leak or short circuit of the probing needle during horizontal movement of the wafer stage. Its probing by means The semiconductor chip of characteristic measurement and control means for ejecting Doru the pressurized gas.
JP1063056A 1989-03-14 1989-03-14 Semiconductor chip characteristic measuring device Expired - Lifetime JPH0760168B2 (en)

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