JPH0760531B2 - Optical recording medium - Google Patents
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 I 発明の背景 技術分野 本発明は、レーザー光等の熱および光を用いて情報の記
録、再生を行う光磁気記録媒体等の光記録媒体に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical recording medium such as a magneto-optical recording medium that records and reproduces information using heat and light such as laser light.
先行技術とその問題点 光記録媒体の一つとして、光磁気メモリ媒体がある。Prior Art and its Problems One of optical recording media is a magneto-optical memory medium.
光磁気メモリの記録媒体としては、 MnBi、MnAlGe、MnSb、MnCuBi、GdFe、TbFe、GdCo、PtC
o、TbCo、TbFeCo、GdFeCo、TbFeO3、GdIG、GdTbFe、GdT
bFeCoBi、CoFe2O4等の材料が知られている。これらは、
真空蒸着法やスパッタリング法等の方法で、プラスチッ
クやガラス等の透明基板上に薄膜として形成される。こ
れらの光磁気記録媒体に共通している特性としては、磁
化容易軸が膜面に垂直方向にあり、さらに、カー効果や
ファラデー効果が大きいという点をあげることができ
る。Recording media for magneto-optical memory include MnBi, MnAlGe, MnSb, MnCuBi, GdFe, TbFe, GdCo and PtC.
o, TbCo, TbFeCo, GdFeCo, TbFeO 3 , GdIG, GdTbFe, GdT
Materials such as bFeCoBi and CoFe 2 O 4 are known. They are,
It is formed as a thin film on a transparent substrate such as plastic or glass by a method such as a vacuum vapor deposition method or a sputtering method. The characteristics common to these magneto-optical recording media are that the easy axis of magnetization is perpendicular to the film surface and that the Kerr effect and the Faraday effect are large.
この性質を利用して、光磁気記録媒体の記録方法として
は、例えば次の方法がある。As a recording method of a magneto-optical recording medium utilizing this property, there is, for example, the following method.
まず、最初に膜全体を“0"すなわち一様に磁化しておく
(これを消法という)。つぎに、“1"を記録したい部分
にレーザービームを照射する。レーザービームが照射さ
れたところは温度が上昇し、キューリー点に近づいた
時、そしてさらにキューリー点をこえた時には、保持力
Hcに近づく。そして、レーザービームを消し室温にもど
せば、反磁場のエネルギーにより磁化は反転し、さにら
は、レーザービームの照射の際、外部磁場を初期と反対
の方向に与えて室温にもどすと、磁化反転し、“1"なる
信号が記録される。First, the entire film is magnetized to "0", that is, uniformly magnetized (this is called erase method). Next, a laser beam is applied to the portion where "1" is to be recorded. When the laser beam is emitted, the temperature rises, and when the Curie point is approached and when the Curie point is exceeded, the holding power is maintained.
Approach Hc. Then, when the laser beam is turned off and returned to room temperature, the magnetization is reversed by the energy of the demagnetizing field, and when the laser beam is irradiated, an external magnetic field is applied in the direction opposite to the initial direction to return to room temperature. It is inverted and the signal "1" is recorded.
また、記録は初期状態が“0"であるから、レーザービー
ムを照射しない部分に“0"のまま残る。In addition, since the initial state of recording is "0", "0" remains as it is in the portion not irradiated with the laser beam.
記録された光磁気メモリの読み取りは、同じようにレー
ザービームを用いて、このレーザービーム照射光の磁化
の方向による反射光の偏光面の回転、すなわち磁気光効
果を利用して行われる。Similarly, the reading of the recorded magneto-optical memory is performed by using a laser beam and rotating the polarization plane of the reflected light depending on the direction of magnetization of the laser beam irradiation light, that is, the magneto-optical effect.
このような媒体に要求されることは、第1に、キューリ
ー点が100〜200℃程度で補償点が室温付近であること。The first requirement for such a medium is that the Curie point is about 100 to 200 ° C and the compensation point is near room temperature.
第2に、ノイズとなる結晶粒界などの欠陥が比較的少な
いこと。Second, there are relatively few defects such as grain boundaries that cause noise.
第3に高温成膜や長時間成膜等の方法をとらずに、比較
的大面積にわたって磁気的、機械的に均一な膜が得られ
ることがあげられる。Thirdly, it is possible to obtain a magnetically and mechanically uniform film over a relatively large area without using a method such as high temperature film formation or long time film formation.
このような要求にこたえ、上記材料のなかで、近年、希
土類−遷移金属の非晶質垂直磁性薄膜が大きな注目を集
めている。In response to such demands, in recent years, rare earth-transition metal amorphous perpendicular magnetic thin films have attracted much attention among the above materials.
しかし、このような希土類−遷移金属非晶質薄膜からな
る光磁気記録媒体は、、大気に接したままで保存する
と、基板をとおして侵入する大気中の酸素や水により希
土類が選択的に腐食あるいは酸化されてしまい、情報の
記録、再生が不可能となる。However, when a magneto-optical recording medium made of such a rare earth-transition metal amorphous thin film is stored while being in contact with the atmosphere, the rare earth is selectively corroded by oxygen and water in the atmosphere penetrating through the substrate. Alternatively, it will be oxidized and it will be impossible to record or reproduce information.
そこで、一般には、前記磁性薄膜層と基板との間に保護
用の中間層を設けた構成を有するものが多く研究されて
いる。Therefore, in general, much research has been conducted on a structure having a protective intermediate layer provided between the magnetic thin film layer and the substrate.
これらの中間層としては、例えばSiO、SiO2等の無機系
の真空蒸着膜あるいは常温硬化性の樹脂の塗膜中間層等
がある。Examples of the intermediate layer include an inorganic vacuum-deposited film such as SiO and SiO 2 or a coating film intermediate layer of a room temperature curable resin.
しかしながらこれらの中間層では、十分な防湿性は得ら
れず、保存劣化等の問題がある。However, in these intermediate layers, sufficient moisture resistance cannot be obtained, and there are problems such as storage deterioration.
このような問題に対処するために特開昭60-177449号で
は、中間層にガラスを用いて耐候性を向上させる旨の提
案が開示されている。In order to deal with such a problem, JP-A-60-177449 discloses a proposal to improve weather resistance by using glass as an intermediate layer.
他方、本発明者らは基板上にプラズマ重合膜を形成し、
接着性と耐候性とを向上させる旨の提案を行っている
(特願昭60-180729号)。On the other hand, the present inventors formed a plasma polymerized film on the substrate,
A proposal has been made to improve adhesion and weather resistance (Japanese Patent Application No. 60-180729).
また、媒体の特性の向上や耐久性の向上、特に基板と磁
性薄膜層との接着力の向上をはかるために、プラズマ処
理をほどこした基板上にプラズマ重合膜を形成し、この
上に磁性薄膜層を設ける旨の提案を行っている(特願昭
60-181327号)。Further, in order to improve the characteristics and durability of the medium, in particular, the adhesion between the substrate and the magnetic thin film layer, a plasma polymerized film is formed on the substrate that has been subjected to the plasma treatment, and the magnetic thin film is formed on this. We are proposing to provide layers (Japanese Patent Application Sho
60-181327).
さらには、媒体の磁性薄膜層表面からの水分等による劣
化を防止する目的で、磁性薄膜層表面にプラズマ重合膜
を形成し、これを保護層として用いたりあるいはさらに
このプラズマ重合膜の上に放射線硬化型化合物を含有す
る保護層を設ける旨の提案を行っている(特願昭60-182
767号、同61-183285号)。Further, for the purpose of preventing deterioration of the medium due to moisture from the surface of the magnetic thin film layer, a plasma polymerized film is formed on the surface of the magnetic thin film layer and used as a protective layer, or on the plasma polymerized film, a radiation is further applied. A proposal has been made to provide a protective layer containing a curable compound (Japanese Patent Application No. 60-182).
No. 767, No. 61-183285).
また、媒体の特性、特に耐久性、高湿度雰囲気中におけ
る保存性を良化する目的で基板上にプラズマ重合膜下地
層を有し、このプラズマ重合膜下地層の上に、直接ある
いは下地層を介して、希土類−遷移金属の非晶質磁性薄
膜層を有し、この磁性薄膜層上にプラズマ重合膜保護層
を形成する旨の提案を行っている(特願昭60-184799
号)。Further, for the purpose of improving the characteristics of the medium, particularly durability and storability in a high-humidity atmosphere, a plasma polymerized film underlayer is provided on the substrate. It has been proposed that an amorphous magnetic thin film layer of a rare earth-transition metal is formed through the formation of a plasma polymerized film protective layer on the magnetic thin film layer (Japanese Patent Application No. 60-184799).
issue).
また、特開昭60-260628号では、テトラフルオロエチレ
ン、アクリロニトル、アクリル酸、メタクリル酸メタ
ル、塩化ビニル、塩化ビニリデンから選ばれる1種また
は2種以上をモノマーするプラズマ重合膜で熱可塑性樹
脂成形体を被覆し、耐候性を向上させる旨の提案が開示
されている。Further, in JP-A-60-260628, a thermoplastic resin molded body is formed of a plasma polymerized film containing one or more monomers selected from tetrafluoroethylene, acrylonitol, acrylic acid, metal methacrylate, vinyl chloride and vinylidene chloride. Is proposed to improve weather resistance.
しかしながら、これらの提案でも、中間層や保護層との
接着性および耐候性の点で不十分で、要求特性を必ずし
も満足せず、より一層優れた特性を有する光磁気記録媒
体が要求されている。However, even with these proposals, there is a demand for a magneto-optical recording medium which is not sufficient in terms of adhesiveness to an intermediate layer or a protective layer and weather resistance, does not necessarily satisfy required characteristics, and has further excellent characteristics. .
なお、このような問題は、いわゆる相転移タイプの記録
層を有する光記録媒体でも同様である。Incidentally, such a problem also applies to an optical recording medium having a so-called phase transition type recording layer.
II 発明の目的 本発明の目的は、耐候性および接着性に優れた光記録媒
体を提供することにある。II Object of the Invention An object of the present invention is to provide an optical recording medium having excellent weather resistance and adhesiveness.
III 発明の開示 このような目的は、以下の本発明によって達成される。III DISCLOSURE OF THE INVENTION Such an object is achieved by the present invention described below.
すなわち、本発明における第1の発明は、基板上にプラ
ズマ重合膜下地層を有し、このプラズマ重合膜下地層の
上に中間層を有し、この中間層の上に記録層を有する光
記録媒体であって、前記プラズマ重合膜がカルボニル基
を有する有機化合物のモノマーを重合したものであり、
かつこのプラズマ重合膜の6328Åにおける屈折率が1.3
〜1.7であることを特徴とする光記録媒体である。That is, the first aspect of the present invention is an optical recording having a plasma-polymerized film underlayer on a substrate, an intermediate layer on the plasma-polymerized film underlayer, and a recording layer on the intermediate layer. A medium, wherein the plasma-polymerized film is obtained by polymerizing a monomer of an organic compound having a carbonyl group,
And the refractive index of this plasma polymerized film at 6328Å is 1.3.
It is an optical recording medium characterized by being ~ 1.7.
また、第2の発明は、基板上にプラズマ重合膜下地層を
有し、このプラズマ重合膜下地層の上に中間層を有し、
この中間層の上に記録層を有し、この記録層の上に直接
または保護層を介してプラズマ重合膜保護層を形成した
光記録媒体であって、前記プラズマ重合膜がカルボニル
基を有する有機化合物のモノマーを重合したものであ
り、かつこのプラズマ重合膜の6328Åにおける屈折率が
1.3〜1.7であることを特徴とする光記録媒体である。A second invention has a plasma-polymerized film underlayer on the substrate, and an intermediate layer on the plasma-polymerized film underlayer.
An optical recording medium having a recording layer on the intermediate layer, and a plasma-polymerized film protective layer formed on the recording layer directly or through a protective layer, wherein the plasma-polymerized film has a carbonyl group. It is obtained by polymerizing the monomer of the compound, and the refractive index at 6328Å of this plasma polymerized film is
The optical recording medium is 1.3 to 1.7.
IV 発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について、詳細に説明する。IV Specific Structure of the Invention Hereinafter, the specific structure of the present invention will be described in detail.
第1図および第2図は、それぞれ、本発明の光記録媒体
のうち光磁気記録媒体の一実施態様を示す断面図であ
る。1 and 2 are cross-sectional views showing one embodiment of a magneto-optical recording medium of the optical recording media of the present invention.
第1図に示す態様において、本発明の光磁気記録媒体1
は、基板11上にプラズマ重合膜下地層12を有し、このプ
ラズマ重合膜下地層12の上に中間層15を有し、この中間
層15の上に記録層としての希土類−遷移金属の非晶質磁
性薄膜層14を有する。In the embodiment shown in FIG. 1, the magneto-optical recording medium 1 of the present invention
Has a plasma-polymerized film underlayer 12 on a substrate 11, an intermediate layer 15 on the plasma-polymerized film underlayer 12, and a rare earth-transition metal non-layer as a recording layer on the intermediate layer 15. It has a crystalline magnetic thin film layer 14.
そして、非晶質磁性薄膜層14上には、さらに保護層16お
よび保護膜19を有する。Further, a protective layer 16 and a protective film 19 are further provided on the amorphous magnetic thin film layer 14.
また、第2図に示す態様においては、希土類−遷移金属
の非晶質磁性薄膜層14の上に、さらに直接または保護層
16を介してプラズマ重合膜保護層17を形成したものであ
る。そして、プラズマ重合膜保護層17上には、さらに保
護膜19を有する。In addition, in the embodiment shown in FIG. 2, a rare earth-transition metal amorphous magnetic thin film layer 14 is further provided directly or on a protective layer.
A plasma-polymerized film protective layer 17 is formed via 16. Further, a protective film 19 is further provided on the plasma polymerized film protective layer 17.
本発明において、プラズマ重合膜下地層12(第1図と第
2図の態様)およびプラズマ重合膜保護層17(第2図の
態様)のプラズマ重合膜は、カルボニル基を有する有機
化合物のモノマーを重合したものである。In the present invention, the plasma-polymerized film underlayer 12 (the embodiment shown in FIGS. 1 and 2) and the plasma-polymerized film protective layer 17 (the embodiment shown in FIG. 2) contain a monomer of an organic compound having a carbonyl group. It is polymerized.
カルボニル基を有する有機化合物のモノマーとしては、
アルデヒド類、例えば、ホルムアルデヒド、アセトアル
デヒド、プロピオンアルデヒド、ブチルアルデヒド、バ
レルアルデヒド、カプロアルデヒド、ヘプタアルデヒ
ド、アクリルアルデヒド、ベンズアルデヒド、クロトン
アルデヒド等; ケトン類、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、ジ
エチルケトン、イソブチルメチルケトン、アセトフェノ
ン、プロピオフエノン、ベンゾフェノン、シクロブタノ
ン、シクロヘキサノン、4−ピロン、アントロン、ピリ
ドン、ピロリドン、メチルビニルケトン等; ケテン類、例えばフェニルケテン、ジメチルケテン等; カルボン酸類、例えばギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪
酸、イソ酪酸、吉草酸、イソ吉草酸、アクリル酸、、プ
ロピオル酸、メタクリル酸、クロトン酸、イソクロトン
酸等; カルボン酸エステル類、例えば、アクリル酸メチル、メ
タクリル酸メチル、酢酸フェニル、マロン酸ジエチル、
二酢酸エチレン、コハク酸ジエチル等; ラクトンおよびラクタム類、例えばγ−ブチロラクト
ン、(γ−,δ−)バレロラクトン、2−ピロリドン、
2−ピペリドン等; カルボン酸の過酸類、カルボン酸無水物類、カルボキシ
ル基を主基とするヒドロキシ酸、アルコキシ酸、オキソ
酸、アミノ酸、アミド酸類などが挙げられ、なかでもア
セトン、アクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸メチル
等が好ましい。As the monomer of the organic compound having a carbonyl group,
Aldehydes such as formaldehyde, acetaldehyde, propionaldehyde, butyraldehyde, valeraldehyde, caproaldehyde, heptaaldehyde, acrylaldehyde, benzaldehyde, crotonaldehyde, etc .; Ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, diethyl ketone, isobutyl methyl ketone, Acetophenone, propiophenone, benzophenone, cyclobutanone, cyclohexanone, 4-pyrone, anthrone, pyridone, pyrrolidone, methyl vinyl ketone, etc .; ketene, such as phenylketene, dimethylketene, etc .; carboxylic acids, such as formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid , Isobutyric acid, valeric acid, isovaleric acid, acrylic acid, propiolic acid, methacrylic acid, crotonic acid, isocrotonic acid, etc .; Carvone Acid esters, for example, methyl acrylate, methyl methacrylate, phenyl acetate, diethyl malonate,
Ethylene diacetate, diethyl succinate, etc .; Lactones and lactams such as γ-butyrolactone, (γ-, δ-) valerolactone, 2-pyrrolidone,
2-piperidone, etc .; peracids of carboxylic acids, carboxylic acid anhydrides, hydroxy acids having a carboxyl group as a main group, alkoxy acids, oxo acids, amino acids, amic acids, etc., among which acetone, acrylic acid, methacryl Acid, methyl acrylate and the like are preferable.
これらは単独で用いても2種以上を併用してもよい。These may be used alone or in combination of two or more.
本発明において、プラズマ重合膜は、6328Åにおける屈
折率nが1.3〜1.7、好ましくは1.4〜1.6とするのがよ
い。In the present invention, the plasma polymerized film has a refractive index n of 6328Å of 1.3 to 1.7, preferably 1.4 to 1.6.
このような屈折率とするのは、nが1.3未満では、膜の
緻密性が得られず基板11などからの水分等を庶断するこ
とができず接着性も十分ではないからであり、また、1.
7をこえると、重合膜の硬さが増し、重合膜に接して設
置されるスパッタ膜、蒸着膜等、例えば後述する中間層
15や保護層16等との接着が不良となるからである。The reason why such a refractive index is set is that if n is less than 1.3, the denseness of the film cannot be obtained, moisture or the like from the substrate 11 or the like cannot be cut off, and the adhesiveness is not sufficient. , 1.
If it exceeds 7, the hardness of the polymer film increases, and a sputtered film, a vapor deposition film, etc. installed in contact with the polymer film, such as an intermediate layer described later.
This is because the adhesion with 15, the protective layer 16 and the like becomes poor.
なお、本発明において中間層15や保護層16等の材質とし
て好ましく用いられるガラス(後記)は、その6328Åに
おけるnが1.5程度であり、これと類似する値のnを有
するプラズマ重合膜とすることが好ましい。The glass (described later) preferably used as the material for the intermediate layer 15 and the protective layer 16 in the present invention has a n of 6328Å of about 1.5, and should be a plasma polymerized film having a similar value of n. Is preferred.
このようなnとするには、後述のように低成膜率および
低圧のプラズマ重合条件を選べばよい。In order to obtain such n, a low film formation rate and low pressure plasma polymerization conditions may be selected as described later.
本発明において、プラズマ重合膜下地層12(第1図と第
2図の態様)およびプラズマ重合膜保護層17(第2図の
態様)の厚さは、それぞれ10〜1000Å、好ましくは50〜
600Åとするのがよい。In the present invention, the plasma polymerized film underlayer 12 (the embodiment shown in FIGS. 1 and 2) and the plasma polymerized film protective layer 17 (the embodiment shown in FIG. 2) each have a thickness of 10 to 1000Å, preferably 50 to
A good value is 600Å.
このような厚さとするのは10Å未満では、本発明の実効
が得られないからであり、1000Åをこえても本発明の効
果に差異はなく、この値以上にする必要がないからであ
る。The reason why such a thickness is set is that if the thickness is less than 10 Å, the effect of the present invention cannot be obtained, and even if the thickness exceeds 1000 Å, there is no difference in the effect of the present invention, and it is not necessary to make the thickness more than this value.
なお、膜厚の測定は、エリプソメーター等を用いればよ
い。An ellipsometer or the like may be used to measure the film thickness.
このような膜厚の制御は、プラズマ重合膜形成時の反応
時間、原料ガス流量等を制御すればよい。The film thickness can be controlled by controlling the reaction time at the time of forming the plasma polymerized film, the flow rate of the raw material gas, and the like.
プラズマ重合膜下地層12は、前述の原料ガスの放電プラ
ズマを基板に接触させることにより重合膜を形成するも
のである。The plasma polymerized film underlayer 12 forms a polymerized film by bringing the above-mentioned discharge plasma of the source gas into contact with the substrate.
またプラズマ重合膜保護層17(第2図の態様)は、下地
層12と同様に磁性薄膜層14上にプラズマ重合膜を形成す
るものである。Further, the plasma-polymerized film protective layer 17 (the embodiment shown in FIG. 2) forms a plasma-polymerized film on the magnetic thin film layer 14 similarly to the underlayer 12.
このような保護層17を形成することにより、防湿性がさ
らに向上する。By forming such a protective layer 17, the moisture resistance is further improved.
なお、プラズマ重合膜保護層17は、磁性薄膜層14上に後
述する中間層15と同材質の保護層16を介して設層しても
よい。The plasma-polymerized film protective layer 17 may be formed on the magnetic thin film layer 14 with a protective layer 16 made of the same material as the intermediate layer 15 described later interposed therebetween.
プラズマ重合の原理について概説すると、気体を低圧に
保ち電場を作用させると、気体中に少量存在する自由電
子は、常圧に比べ分子間距離が非常に大きいため、電界
加速を受け、5〜10eVの運動エネルギー(電子温度)を
獲得する。When the principle of plasma polymerization is outlined, when a gas is kept at a low pressure and an electric field is applied, free electrons, which are present in a small amount in the gas, have a very large intermolecular distance as compared with atmospheric pressure, and thus are subjected to electric field acceleration to generate 5 to 10 eV. Acquires the kinetic energy (electron temperature) of.
この加速電子が原子や分子に衝突すると、原子軌道や分
子軌道を分断し、これらを電子、イオン、中性ラジカル
など、通常の状態では不安定の化学種に解離させる。When the accelerated electrons collide with atoms or molecules, the orbits or molecular orbits are separated, and these are dissociated into electrons, ions, neutral radicals, and other normally unstable chemical species.
解離した電子は再び電界加速を受けて、別の原子や分子
を解離させるが、この連鎖作用で気体はたちまち高度の
電離状態となる。そしてこれは、プラズマガスと呼ばれ
ている。The dissociated electrons are again accelerated by the electric field to dissociate another atom or molecule, and the chain action immediately turns the gas into a highly ionized state. And this is called plasma gas.
気体分子は電子との衝突の機会が少ないのでエネルギー
をあまり吸収せず、常温に近い温度に保たれている。Since gas molecules have few opportunities to collide with electrons, they do not absorb much energy and are kept at a temperature close to room temperature.
このような、電子の運動エネルギー(電子温度)と、分
子の熱運動(ガス温度)が分離した系は定温プラズマと
呼ばれ、ここでは化学種か比較的原型を保ったまま重合
等の加成的化学反応を進めうる状況を創出しており、本
発明はこの状況を利用して基板上にプラズマ重合膜を形
成しようとするものである。なお、低温プラズマを利用
するため、基板への熱影響は全くない。Such a system in which the kinetic energy of electrons (electron temperature) and the thermal motion of molecules (gas temperature) are separated is called constant temperature plasma. The present invention aims to form a plasma polymerized film on a substrate by utilizing this situation. Since the low temperature plasma is used, there is no thermal effect on the substrate.
基板表面にプラズマ重合膜を形成する装置例が第3図に
示してある。第3図は、周波数可変型の電源を用いたプ
ラズマ重合装置である。An example of an apparatus for forming a plasma polymerized film on the surface of a substrate is shown in FIG. FIG. 3 shows a plasma polymerization apparatus using a frequency variable power source.
第3図において、反応容器Rには、原料ガス源511また
は512から原料ガスがそれぞれマスフローコントローラ5
21および522を経て供給される。ガス源511または512か
ら別々のガスを供給する場合は、混合器53において混合
して供給する。In FIG. 3, in the reaction vessel R, the source gas from the source gas source 511 or 512 is supplied to the mass flow controller 5 respectively.
Supplied via 21 and 522. When separate gases are supplied from the gas source 511 or 512, they are mixed and supplied in the mixer 53.
原料ガスは、各々1〜250ml/分の流量範囲をとりうる。The raw material gas may have a flow rate range of 1 to 250 ml / min.
反応容器R内には、被処理基板111が一方の回転式電極5
22に支持される。In the reaction container R, the substrate 111 to be processed is provided with one rotary electrode 5
Supported by 22.
そして被処理基板111を挟むように回転式電極552に対向
する電極551が設けられている。Then, an electrode 551 facing the rotary electrode 552 is provided so as to sandwich the substrate 111 to be processed.
一方の電極551は、例えば周波数可変型の電源54に接続
され、他方の回転式電極552は8にて接地されている。One electrode 551 is connected to, for example, a variable frequency power source 54, and the other rotary electrode 552 is grounded at 8.
さらに、反応容器R内には、容器内を排気するための真
空系統が配備され、そしてこれは油回転ポンプ56、液体
窒素トラップ57、油拡散ポンプ58および真空コントロー
ラ59を含む。これら真空系統は、反応容器内を0.1Torr
未満、好ましくは0.005〜0.08Torrの真空度の範囲に維
持する。Further, in the reaction vessel R, a vacuum system for exhausting the inside of the vessel is provided, and this includes an oil rotary pump 56, a liquid nitrogen trap 57, an oil diffusion pump 58 and a vacuum controller 59. These vacuum systems use 0.1 Torr inside the reaction vessel.
Maintained in the vacuum range of less than 0.005 to 0.08 Torr.
操作においては、反応容器R内がまず10-5Torr以下にな
るまで容器内を排気し、その後処理ガズか所定の流量に
おいて容器内に混合状態で供給させる。In the operation, first, the inside of the reaction vessel R is evacuated until it becomes 10 −5 Torr or less, and then, it is supplied in a mixed state into the vessel at a processing gas or at a predetermined flow rate.
そして、成膜率は50〜200Å/nimとするのがよい。The film forming rate is preferably 50 to 200Å / nim.
このとき、反応容器内の真空は0.1未満、好ましくは0.0
05〜0.08Torrの範囲に管理される。At this time, the vacuum in the reaction vessel is less than 0.1, preferably 0.0
It is managed in the range of 05 to 0.08 Torr.
原料ガスの流量が安定すると、電源がオンにされる。こ
うして、基板上にプラズマ上に重合膜が形成される。When the flow rate of the raw material gas becomes stable, the power is turned on. In this way, the polymerized film is formed on the plasma on the substrate.
なお、本発明において原料に液体モノマーを用いる場合
は、第3図におけるガス源511、512のところに液体モノ
マーを入れた容器を恒温槽に設置して使用すればよい。When a liquid monomer is used as the raw material in the present invention, a container containing the liquid monomer at the gas sources 511 and 512 in FIG. 3 may be installed in a constant temperature bath before use.
なお、キャリアガスとして、Ar、N2、He、H2などを使用
してもよい。Note that Ar, N 2 , He, H 2 or the like may be used as the carrier gas.
また、印加電流、処理時間等は通常の条件とすればよ
い。Further, the applied current, the processing time, etc. may be set under normal conditions.
プラズマ発生源としては、高周波放電の他に、マイクロ
波放電、直流放電、交流放電等いずれでも利用できる。
本発明では、特に動作圧力が低圧にあるので、磁場を併
用するマグネトロン方式を用いるのが好ましい。As the plasma generation source, any of microwave discharge, direct current discharge, alternating current discharge and the like can be used in addition to high frequency discharge.
In the present invention, since the operating pressure is particularly low, it is preferable to use the magnetron system which also uses a magnetic field.
なお、本発明において原料に液体モノマーを用いる場合
は、第3図におけるガス源511,512のところに液体モノ
マーを入れた容器を恒温槽に設置して使用すればよい。When a liquid monomer is used as a raw material in the present invention, a container containing the liquid monomer at the gas sources 511 and 512 in FIG. 3 may be installed in a constant temperature bath before use.
このように形成されるプラズマ重合膜のCの含有量は30
〜90at%であることが好ましい。The C content of the plasma polymerized film thus formed is 30.
It is preferably ˜90 at%.
また、プラズマ重合膜中にHは、一般に5〜40at%程度
含有される。Further, H is generally contained in the plasma polymerized film in an amount of about 5 to 40 at%.
なお、プラズマ重合膜中のC、Hおよびその他の元素の
含有量の分析は、SIMS(2枚イオン質量分析)等に従え
ばよい。SIMSを用いる場合、プラズマ重合膜表面にて、
C、Hおよびその他の元素をカウントして算出さればよ
い。The content of C, H and other elements in the plasma polymerized film may be analyzed according to SIMS (double ion mass spectrometry) or the like. When using SIMS, on the plasma polymerized film surface,
It may be calculated by counting C, H and other elements.
あるいは、Ar等でイオンエッチングを行いながら、C、
Hおよびその他の元素のプロファイルを測定して算出し
てもよい。Alternatively, while performing ion etching with Ar or the like, C,
It may be calculated by measuring the profiles of H and other elements.
SIMSの測定については、表面科学基礎講座第3巻(198
4)表面分析の基礎と応用(p70)“SIMSおよびLAMMA"の
記載に従えばよい。For the measurement of SIMS, Surface Science Basic Course Vol. 3 (198
4) Basics and applications of surface analysis (p70) Follow the description in "SIMS and LAMMA".
さらに、プラズマ重合膜に存在するC=O基は、FTIR等
によって確認した。Furthermore, the C = O group present in the plasma polymerized film was confirmed by FTIR or the like.
本発明の光記録媒体に用いられる基板11は、樹脂によっ
て形成される。The substrate 11 used in the optical recording medium of the present invention is made of resin.
好ましい樹脂としては、アクリル樹脂、ポリカーボネー
ト樹脂、エポキシ樹脂、ポリメチルペンテン樹脂等があ
げられる。Preferred resins include acrylic resins, polycarbonate resins, epoxy resins, polymethylpentene resins and the like.
これらの樹脂のうち、耐久性、特にソリなどに対する耐
性等の点でポリカーボネート樹脂が好ましい。Among these resins, a polycarbonate resin is preferable in terms of durability, particularly resistance to warping and the like.
この場合のポリカーボネート樹脂としては、脂肪族ポリ
カーボネート、芳香族−脂肪族ポリカーボネート、芳香
族ポリカーボネートのいずれであってもよいが、特に芳
香族ポリカーボネート樹脂であることが好ましい。これ
らのうちでは融点、結晶性、とり扱い等の点でビスフエ
ノールからのポリカーボネート樹脂が好ましい。なかで
もビスフェノールAタイプのポリカーボネート樹脂は最
も好ましく用いられる。また、ポリカーボネート樹脂の
数平均分子量は、10,000〜15,000程度であることが好ま
しい。In this case, the polycarbonate resin may be any of an aliphatic polycarbonate, an aromatic-aliphatic polycarbonate and an aromatic polycarbonate, but an aromatic polycarbonate resin is particularly preferable. Of these, a polycarbonate resin made of bisphenol is preferable in terms of melting point, crystallinity, handling, and the like. Among them, the bisphenol A type polycarbonate resin is most preferably used. The number average molecular weight of the polycarbonate resin is preferably about 10,000 to 15,000.
このような基板11の830nmの屈折率は通常1.55〜1.59程
度である。The refractive index at 830 nm of such a substrate 11 is usually about 1.55 to 1.59.
なお、記録は基板11をとおして行うので、書き込み光な
いし読み出し光に対する透過率は86%以上とする。Since recording is performed through the substrate 11, the transmittance for writing light or reading light is 86% or more.
なお、記録は基板11をとおして行うので、書き込み光な
いし読み出し光に対する透過率は86%以上とする。Since recording is performed through the substrate 11, the transmittance for writing light or reading light is 86% or more.
また、基板11は、通常ディスク状とし、1.2〜1.5mm程度
の厚さとする。The substrate 11 is usually disc-shaped and has a thickness of about 1.2 to 1.5 mm.
このようなディスク状基板の磁性薄膜層形成面には、ト
ラッキング用の溝が形成されてもよい。A tracking groove may be formed on the surface of the disk-shaped substrate on which the magnetic thin film layer is formed.
溝の深さは、λ/8n程度、特にλ/6n〜λ/12n(ここに、
nは基板の屈折率である)とされる。また、溝の巾は、
トラック巾程度とされる。The depth of the groove is about λ / 8n, especially λ / 6n to λ / 12n (here,
n is the refractive index of the substrate). The width of the groove is
It is about the track width.
そして、通常、この溝の凹部に位置する磁性薄膜層を記
録トラック部として、書き込み光および読み出し光を基
板裏面側から照射することが好ましい。Then, it is usually preferable to irradiate the writing light and the reading light from the back surface side of the substrate with the magnetic thin film layer located in the concave portion of the groove as a recording track portion.
このように構成することにより、書き込み感度と読み出
しのC/N比が向上し、しかもトラッキングの制御信号は
大きくなる。With this configuration, the write sensitivity and the read C / N ratio are improved, and the tracking control signal is increased.
また、その他の基板の形状として、テープ、ドラム等と
してもよい。Further, the other substrate shape may be a tape, a drum, or the like.
本発明において、プラズマ重合膜下地層12は、プラズマ
処理した基板11上に形成してもよい。In the present invention, the plasma polymerized film underlayer 12 may be formed on the plasma-treated substrate 11.
基板11表面をプラズマ処理することによって、基板11と
の接着力が向上し、ひいてはこの基板とプラズマ重合膜
下地層12との接着力が向上する。By plasma-treating the surface of the substrate 11, the adhesive force between the substrate 11 and the plasma polymerized film underlayer 12 is improved.
基板11表面のプラズマ処理法の原理、方法および形成条
件等は前述したプラズマ重合法のそれと基本的にはほぼ
同一である。The principle, method, formation conditions, etc. of the plasma treatment method for the surface of the substrate 11 are basically the same as those of the plasma polymerization method described above.
ただし、プラズマ処理は原則として、無機ガスを処理ガ
スとして用い、他方、前述したプラズマ重合法によるプ
ラズマ重合膜下地層12の形成には原則として、有機ガス
(場合によっては無機ガスを混入させてもよい)を原料
ガスとしてとして用いる。However, as a general rule, the plasma treatment uses an inorganic gas as the treatment gas, and on the other hand, as a general rule, the formation of the plasma-polymerized film underlayer 12 by the above-mentioned plasma polymerization method makes it possible to use an organic gas (in some cases, an inorganic gas may be mixed. Is used as a source gas.
本発明のプラズマ処理ガスとしては、特に制限はない。The plasma processing gas of the present invention is not particularly limited.
すなわち、H2、Ar,He、O2、N2、空気、HN3、O3、H2O、N
O、H2O、NO2などのNOx等の中から適宜選定し、これらの
単独ないし混合したものいずれであってもよい。That is, H 2 , Ar, He, O 2 , N 2 , air, HN 3 , O 3 , H 2 O, N
Any one selected from NOx and the like such as O, H 2 O, NO 2 and the like, or a mixture of these may be used.
さらにプラズマ処理電源の周波数については、特に制限
はなく、直流、交流、マイクロ波等いずれであってもよ
い。Further, the frequency of the plasma processing power source is not particularly limited, and may be any of direct current, alternating current, microwave, and the like.
なお、基板11の裏面(記録層としての磁性薄膜層14を設
層しない側)にもさらにプラズマ重合膜を設層してもよ
い。A plasma polymerized film may be further formed on the back surface of the substrate 11 (on the side where the magnetic thin film layer 14 as a recording layer is not formed).
本発明における中間層15は、酸素、炭素、窒素、硫黄等
を含む化合物、例えば、SiO2、SiO、AlN、Al2O3、Si
3N4、ZnS、BN、TiO2、TiN等ないしこれらの混合物など
の各種誘導体物質;ガラス、例えばホウケイ酸ガラス、
バリウムホウケイ酸ガラス、アルミニウムホウケイ酸ガ
ラス等あるいはこのものにSi3N4等を含むものなどの材
質を用いればよい。なかでも、SiO240〜80wt%のホウケ
イ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミニウム
ホウケイ酸ガラスや、これらのSiO2の一部をSi3N4等で
置換したものが好ましい。The intermediate layer 15 in the present invention is a compound containing oxygen, carbon, nitrogen, sulfur, etc., for example, SiO 2 , SiO, AlN, Al 2 O 3 , Si.
Various derivative substances such as 3 N 4 , ZnS, BN, TiO 2 , TiN, etc. or mixtures thereof; glass, for example, borosilicate glass,
Materials such as barium borosilicate glass, aluminum borosilicate glass, etc., or those containing Si 3 N 4 etc. may be used. Of these, borosilicate glass having 40 to 80 wt% SiO 2 , barium borosilicate glass, aluminum borosilicate glass, and those obtained by substituting a part of SiO 2 with Si 3 N 4 or the like are preferable.
これらのうちで特に好ましいものとしては、下記のもの
が挙げられる。Among these, the following are particularly preferable.
(1) 酸化ケイ素40〜60wt%と、 BaO,CaO,SrO,MgO,ZnO,PbO等の2価金属酸化物50wt%以
下および/またはアルカリ金属酸化物10wt%以下と、酸
化ホウ素および/または酸化アルミニウムとを含有する
もの。(1) 40-60 wt% of silicon oxide, 50 wt% or less of divalent metal oxide such as BaO, CaO, SrO, MgO, ZnO, PbO and / or 10 wt% of alkali metal oxide, boron oxide and / or oxidation Those containing aluminum.
(2) Siと他の金属または半金属元素としてBa,Ca,S
r,Mg,Zn,Pb等の1種以上、Al,Bの1種以上およびアルカ
リ金属元素の1種以上のうちの少なくとも1つとを含
み、全金属ないし半金属中のSi原子比が0.3〜0.9であ
り、さらにOおよびNを含み、O/(O+N)が0.4〜0.8
であるもの。(2) Ba, Ca, S as Si and other metal or metalloid elements
At least one of r, Mg, Zn, Pb, etc., at least one of Al, B, and at least one of alkali metal elements, and the Si atomic ratio in the total metal or semimetal is 0.3 to 0.9, further including O and N, O / (O + N) 0.4-0.8
What is.
このような中間層15は、500〜3000Å、好ましくは800〜
2500Åの厚さとするのがよい。Such an intermediate layer 15 has a thickness of 500 to 3000Å, preferably 800 to
A thickness of 2500Å is recommended.
500Å未満となると、耐候性が十分でないからであり、1
500Åをこえると、厚すぎて媒体とした場合感度が低下
してしまうからである。If it is less than 500Å, the weather resistance is not sufficient, and 1
This is because if it exceeds 500Å, the sensitivity is reduced when the medium is too thick.
なお、これら中間層15としては、上記のガラス層を保護
層下地として300〜1000Å程度に設層し、この上にSi
O2、SiO、Si3N4、AlN、Al2O3、ZnS等、あるいはこれら
の混合物などを誘電体物質を誘電体層として500〜1500
Å程度に設層したものが好ましい。As these intermediate layers 15, the above-mentioned glass layer is formed as a protective layer underlayer in a thickness of about 300 to 1000 Å, and Si is formed on top of this.
O 2, SiO, Si 3 N 4, AlN, Al 2 O 3, ZnS , etc., or a mixture thereof dielectric material as the dielectric layer 500 to 1,500
It is preferable to have a layer of about Å.
この場合、誘電体層は800nmにおける屈折率1.8〜3.0の
ものが好ましく、Siと希土類金属および/またはAlとを
含み、OおよびNを含むものが好適である。In this case, the dielectric layer preferably has a refractive index of 1.8 to 3.0 at 800 nm, and preferably contains Si and a rare earth metal and / or Al and contains O and N.
本発明において記録層としての磁性薄膜層14は、変調さ
れた熱ビームあるいは変調された磁界により、情報が磁
気的に記録されるものであり、記録情報は磁気−光変換
して再生するものである。In the present invention, the magnetic thin film layer 14 as a recording layer is for magnetically recording information by a modulated heat beam or a modulated magnetic field, and the recorded information is magnetic-optically converted and reproduced. is there.
このような磁性薄膜層14の材質としては、Gd、Tb等の希
土類金属とFe、Co等の遷移金属の合金をスパッタ、蒸着
法等により、非晶質膜として形成したものであり、しか
もFeとCoを必須含有成分とするものである。As a material of such a magnetic thin film layer 14, an alloy of a rare earth metal such as Gd and Tb and a transition metal such as Fe and Co is formed as an amorphous film by sputtering, vapor deposition, etc. And Co are essential components.
この場合、FeとCoの総含有量は、65〜85at%であること
が好ましい。In this case, the total content of Fe and Co is preferably 65 to 85 at%.
そして、残部は実質的に希土類金属、特にGdおよび/ま
たはTbである。And the balance is substantially rare earth metals, especially Gd and / or Tb.
そして、その好適例としては、TbFeCo、GdFeCo、GdTbFe
Co等がある。And, as a preferable example thereof, TbFeCo, GdFeCo, GdTbFe
There are Co etc.
なお、これら磁性薄膜層中には10at%以下の範囲でCr、
Al、Ti、Pt、Si、Mo、Mn、V、Ni、Cu、Zn、Ge、Au等が
含有されてもよい。In these magnetic thin film layers, Cr in the range of 10 at% or less,
Al, Ti, Pt, Si, Mo, Mn, V, Ni, Cu, Zn, Ge, Au, etc. may be contained.
また、希土類元素として10at%以下の範囲でSc、Y、L
a、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu
等を含有してもよい。In addition, as a rare earth element, Sc, Y, L in the range of 10 at% or less
a, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu
Etc. may be contained.
このような磁性薄膜層の膜厚は、0.01〜1μmが好まし
い。The thickness of such a magnetic thin film layer is preferably 0.01 to 1 μm.
この他記録層の材質としては、いわゆる相転移タイプの
ものとして、例えば、 Te-Se、Te-Se-Sn、 Te-Ge、Te-In、Te-Sn、 Te-Ge-Sb-S、 Te-Ge-As-Si、Te-Si、 Te-Ge-Si-Sb、 Te-Ge-Bi、 Te-Ge-In-Ga、 Te-Si-Bi-Tl、 Te-Ge-Bi-In-S、 Te-As-Ge-Sb、 Te-Ge-Se-S、 Te-Ge-Se、 Te-As-Ge-Ga、 Te-Ge-S-In、 Se-Ge-Tl、Se-Te-As、 Se-Ge-Tl-Sb、 Se-Ge-Bi、Se-S(以上、特公昭54-41902号、特許第1004
835号など) TeOx(特開昭58-54338号、特許第974257号記載のTe酸化
物中に分散されたTe)、 TeOx+PbOx(特許第974258号)、 TeOx+VOx(特許第974257号)、その他、Te-Tl、Te-Tl-
Si、Se-Zn-Sb、Te-Se-Ga、TeNx等のTe、Seを主体とする
カルコゲン系 Ge-Sn、Si-Sn等の非晶質−結晶質転移を生じる合金 Ag-Zn、Ag-Al-Cu、Cu-Al等の結晶構造変化によって色変
化を生じる合金、In-Sb等の結晶粒径の変化を生じる合
金などがある。Other materials for the recording layer include so-called phase transition type materials such as Te-Se, Te-Se-Sn, Te-Ge, Te-In, Te-Sn, Te-Ge-Sb-S, Te -Ge-As-Si, Te-Si, Te-Ge-Si-Sb, Te-Ge-Bi, Te-Ge-In-Ga, Te-Si-Bi-Tl, Te-Ge-Bi-In-S , Te-As-Ge-Sb, Te-Ge-Se-S, Te-Ge-Se, Te-As-Ge-Ga, Te-Ge-S-In, Se-Ge-Tl, Se-Te-As , Se-Ge-Tl-Sb, Se-Ge-Bi, Se-S (above, Japanese Patent Publication No. 54-41902, Patent No. 1004
No. 835) TeO x (Te dispersed in the Te oxide described in JP-A-58-54338 and JP 974257), TeO x + PbO x (JP 974258), TeO x + VO x (JP 974257), others, Te-Tl, Te-Tl-
Si, Se-Zn-Sb, Te-Se-Ga, TeN x , etc.Te, chalcogen-based Ge-Sn mainly composed of Se, Si-Sn, etc. amorphous-crystalline alloy Ag-Zn that causes a crystalline transition, There are alloys such as Ag-Al-Cu and Cu-Al that cause a color change due to a change in crystal structure, and alloys such as In-Sb that cause a change in crystal grain size.
このような磁性薄膜層14上には、保護層16を設層するこ
とが好ましい。A protective layer 16 is preferably provided on such a magnetic thin film layer 14.
保護層16の材質としては、中間層15同様ガラスおよび各
種酸化物、窒化物等の誘電体物質が好ましいが特に前記
したガラスが好適である。As the material of the protective layer 16, glass and dielectric substances such as various oxides and nitrides are preferable as in the case of the intermediate layer 15, but the above-mentioned glass is particularly preferable.
保護層16の厚さは一般に300〜1500Å程度である。The thickness of the protective layer 16 is generally about 300 to 1500Å.
なお、保護層16の形成は真空蒸着、スパッタ等によれば
よい。The protective layer 16 may be formed by vacuum vapor deposition, sputtering or the like.
本発明の光記録媒体において、保護膜19の材質として
は、通常、公知の種々の有機系の物質を用いればよい。In the optical recording medium of the present invention, as the material of the protective film 19, generally known various organic materials may be used.
より好ましくは、放射線硬化型化合物を電子線、紫外線
等の放射線で硬化させたものを用いるのがよい。More preferably, a radiation-curable compound cured with radiation such as electron beam or ultraviolet ray is used.
用いる放射線硬化型化合物としては、イオン化エネルギ
ーに感応し、ラジカル重合性を示す不飽和二重結合を有
するアクリル酸、メタクリル酸、あるいはそれらのエス
テル化合物のようなアクリル系二重結合、ジアリルフタ
レートのようなアリル系二重結合、マレイン酸、マレイ
ン酸誘導体等の不飽和二重結合等の放射線照射による架
橋あるいは重合する基を分子中に含有または導入したモ
ノマー、オリゴマーおよびポリマー等を挙げることがで
きる。Examples of the radiation-curable compound to be used include acrylic double bonds such as acrylic acid, methacrylic acid, or their ester compounds having an unsaturated double bond that is sensitive to ionization energy and exhibits radical polymerizability, such as diallyl phthalate. Examples thereof include monomers, oligomers and polymers having or introduced in the molecule a group capable of being crosslinked or polymerized by radiation such as an allyl double bond, an unsaturated double bond such as maleic acid and a maleic acid derivative.
放射線硬化型モノマーとしては、分子量2000未満の化合
物が、オリゴマーとしては分子量2000〜10000のものが
用いられる。A compound having a molecular weight of less than 2000 is used as the radiation-curable monomer, and a compound having a molecular weight of 2000 to 10,000 is used as the oligomer.
これらはスチレン、エチルアクリレート、エチレングリ
コールジアクリレート、エチレングリコールジメタクリ
レート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエチ
レングリコールメタクリレート、1,6−ヘキサングリコ
ールジアクリレート、1,6−ヘキサングリコールジメタ
クリレート等も挙げられるが、特に好ましいものとして
は、ペンタエリスリトールテトラアクリレート(メタク
リレート)、ペンタエリスリトールアクリレート(メタ
クリレート)、トリメチロールプロパントリアクリレー
ト(メタクリレート)、トリメチロールプロパンジアク
リレート(メタクリレート)、多官能オリゴエステルア
クリレート(アロニックスM-7100、M-5400、M-5500、M-
5700、M-6250、M-6500、M-8030、M-8060、M-8100等、東
亜合成)、ウレタンエラストマー(ニッポラン4040)の
アクリル変性体、あるいはこれらのものにCOOH等の官能
基が導入されたもの、フェノールエチレンオキシド付加
物のアクリレート(メタクリレート)、下記一般式で示
されるペンタエリスリトール縮合環にアクリル基(メタ
クリル基)またはε−カプロラクトン−アクリル基のつ
いた化合物、 1) (CH2=CHCOOCH2)3‐CCH2OH (特殊アクリレートA) 2) (CH2=CHCOOCH2)3‐CCH2OH3 (特殊アクリレートB) 3) 〔CH2=CHCO(OC3H6)n‐OCH2〕3‐CCH2CH3 (特殊アクリレートC) 式中、m=1、a=2、b=4の化合物(以下、特殊ペ
ンタエリストリトール縮合物Aという)、 m=1、a=3、b=3の化合物(以下、特殊ペンタエ
リストリトール縮合物Bという)、 m=1、a=6、b=0の化合物(以下、特殊ペンタエ
リストリトール縮合物Cという)、 m=2、a=6、b=0の化合物(以下、特殊ペンタエ
リストリトール縮合物Dという)、 および下記式一般式で示される特殊アクリレート類等が
挙げられる。These include styrene, ethyl acrylate, ethylene glycol diacrylate, ethylene glycol dimethacrylate, diethylene glycol diacrylate, diethylene glycol methacrylate, 1,6-hexane glycol diacrylate, 1,6-hexane glycol dimethacrylate, etc., but particularly preferred ones As, pentaerythritol tetraacrylate (methacrylate), pentaerythritol acrylate (methacrylate), trimethylolpropane triacrylate (methacrylate), trimethylolpropane diacrylate (methacrylate), polyfunctional oligoester acrylate (Aronix M-7100, M-5400 , M-5500, M-
5700, M-6250, M-6500, M-8030, M-8060, M-8100 etc., Toa Gosei), acrylic modified urethane elastomer (Nipporan 4040), or functional groups such as COOH introduced into these Acrylate (methacrylate) of a phenol ethylene oxide adduct, a compound having an acryl group (methacryl group) or ε-caprolactone-acryl group on the pentaerythritol condensed ring represented by the following general formula, 1) (CH 2 = CHCOOCH 2 ) 3 -CCH 2 OH (special acrylate A) 2) (CH 2 = CHCOOCH 2 ) 3 -CCH 2 OH 3 (special acrylate B) 3) [CH 2 = CHCO (OC 3 H 6 ) n- OCH 2 ] 3- CCH 2 CH 3 (Special acrylate C) In the formula, a compound of m = 1, a = 2, b = 4 (hereinafter referred to as a special pentaerythritol condensate A), a compound of m = 1, a = 3, b = 3 (hereinafter referred to as a special pentaerythritol) Tol condensate B), m = 1, a = 6, b = 0 compound (hereinafter referred to as special pentaerythritol condensate C), m = 2, a = 6, b = 0 compound (hereinafter, Special pentaerythritol condensate D), and special acrylates represented by the following general formula.
8) CH2=CHCOO-(CH2CH2O)4‐COCH=CH2 (特殊アクリレートH) 12) AM−Nn−M−A A:アクリル酸、M:2価アルコール N:2塩基酸 (特殊アクリレートL) また、放射線硬化型オリゴマーとしては、下記一般式で
示される多官能オリゴエステルアクリレートやウレタン
エラストマーのアクリル変性体、あるいはこれらのもの
にCOOH等の官能基が導入されたもの等が挙げられる。 8) CH 2 = CHCOO- (CH 2 CH 2 O) 4 -COCH = CH 2 (special acrylate H) 12) AM-N n -MA A: acrylic acid, M: dihydric alcohol N: dibasic acid (special acrylate L) Further, the radiation-curable oligomer is a polyfunctional oligoester acrylate represented by the following general formula. And acrylic modified urethane elastomers, or those into which a functional group such as COOH is introduced.
また、熱可塑性樹脂を放射線感応変性することによって
得られる放射線硬化型化合物を用いてもよい。 Further, a radiation-curable compound obtained by subjecting a thermoplastic resin to radiation-sensitive modification may be used.
このような放射線硬化性樹脂の具体例としては、ラジカ
ル重合性を有する不飽和二重結合を示すアクリル酸、メ
タクリル酸、あるいはそれらのエステル化合物のような
アクリル系二重結合、ジアリルフタレートのようなアリ
ル系二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽
和結合等の、放射線照射による架橋あるいは重合する基
を熱可塑性樹脂の分子中に含有、または導入した樹脂で
ある。Specific examples of such a radiation curable resin include acrylic double bonds such as acrylic acid, methacrylic acid, or their ester compounds showing an unsaturated double bond having radical polymerizability, such as diallyl phthalate. It is a resin in which a group such as an allyl double bond, an unsaturated bond such as maleic acid or a maleic acid derivative, which is crosslinked or polymerized by irradiation with radiation is contained or introduced in the molecule of the thermoplastic resin.
放射線硬化性樹脂に変性できる熱可塑性樹脂の例として
は、塩化ビニル系共重合体、飽和ポリエステル樹脂、ポ
リビニルアルコール系樹脂、エポキシ系樹脂、フェノキ
シ系樹脂、繊維素誘導体等を挙げることができる。Examples of the thermoplastic resin that can be modified into a radiation curable resin include vinyl chloride copolymers, saturated polyester resins, polyvinyl alcohol resins, epoxy resins, phenoxy resins, and fibrin derivatives.
その他、放射線感応変性に用いることのできる樹脂とし
ては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステル
樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂および誘導体(PVPオ
レフィン共重合体)、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹
脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸基を
含有するアクリルエステルおよびメタクリルエステルを
重合成分として少くとも一種含むアクリル系樹脂等も有
効である。Other resins that can be used for radiation-sensitive modification include polyfunctional polyester resins, polyetherester resins, polyvinylpyrrolidone resins and derivatives (PVP olefin copolymers), polyamide resins, polyimide resins, phenolic resins, spiroacetal resins, An acrylic resin containing at least one of a hydroxyl group-containing acrylic ester and methacrylic ester as a polymerization component is also effective.
このような放射線硬化型化合物の保護膜6の膜厚は0.1
〜30μm、より好ましくは1〜10μmである。The thickness of the protective film 6 of such a radiation-curable compound is 0.1
-30 μm, more preferably 1-10 μm.
この膜厚が0.1μm未満になると、一様な膜を形成でき
ず、湿度が高い雰囲気中での防湿効果が十分でなく、磁
性薄膜層4の耐久性が向上しない。また、30μmをこえ
ると、樹脂膜の硬化の際に伴う収縮により記録媒体の反
りや保護膜中のクラックが生じ、実用に耐えない。If the film thickness is less than 0.1 μm, a uniform film cannot be formed, the moisture-proof effect in an atmosphere with high humidity is not sufficient, and the durability of the magnetic thin film layer 4 is not improved. If it exceeds 30 μm, warpage of the recording medium or cracks in the protective film may occur due to shrinkage during curing of the resin film, which is not practical.
このような塗膜は、通常、スピンナーコート、グラビア
塗布、スプレーコート、ディッピング等、種々の公知の
方法を組み合わせて設層すればよい。この時の塗膜の設
層条件は、塗膜組成の混合物の粘度、目的とする塗膜厚
さ等を考慮して適宜決定すればよい。Such a coating film may be usually formed by combining various known methods such as spinner coating, gravure coating, spray coating and dipping. The layer forming conditions of the coating film at this time may be appropriately determined in consideration of the viscosity of the mixture of the coating film composition, the target coating film thickness, and the like.
このような塗膜を硬化させて保護層とするには、電子
線、紫外線等の放射線を塗膜に照射すればよい。In order to cure such a coating film to form a protective layer, the coating film may be irradiated with a radiation such as an electron beam or an ultraviolet ray.
電子線を用いる場合、放射線特性としては、加速電圧10
0〜750KV、好ましくは150〜300KVの放射線加速器を用
い、吸収線量を0.5〜20メガラッドになるように照射す
るのが好都合である。When using an electron beam, the radiation characteristics are as follows: acceleration voltage 10
It is expedient to use a radiation accelerator of 0 to 750 KV, preferably 150 to 300 KV, and to irradiate it with an absorbed dose of 0.5 to 20 megarads.
一方、紫外線を用いる場合には、前述したような放射線
硬化型化合物の中には、通常、光重合増感剤が加えられ
る。On the other hand, when ultraviolet rays are used, a photopolymerization sensitizer is usually added to the above-mentioned radiation-curable compounds.
この光重合増感剤としては、従来公知のものでよく、例
えばベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエー
テル、α−メチルベンゾイン、α−クロルデオキシベン
ゾイン等のベンゾイン系、ベンゾフェノン、アセトフェ
ノン、ビスジアルキルアミノベンゾフェノン等のケトン
類、アセトラキノン、フェナントラキノン等のキノン
類、ベンジルジスルフィド、テトラメチルチウラムモノ
スルフィド等のスルフィド類等を挙げることができる。
光重合増感剤は樹脂固形分に対し、0.1〜10重量%の範
囲が望ましい。The photopolymerization sensitizer may be any conventionally known one, for example, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, α-methylbenzoin, benzoin series such as α-chlordeoxybenzoin, benzophenone, acetophenone, bisdialkylaminobenzophenone, etc. Examples thereof include ketones, quinones such as acetoraquinone and phenanthraquinone, and sulfides such as benzyl disulfide and tetramethylthiuram monosulfide.
The photopolymerization sensitizer is preferably in the range of 0.1 to 10% by weight based on the resin solid content.
そして、このような光重合増感剤と放射線硬化型化合物
を含有する塗膜を紫外線によって硬化させるには、公知
の種々の方法に従えばよい。Then, in order to cure the coating film containing such a photopolymerization sensitizer and the radiation-curable compound by ultraviolet rays, various known methods may be used.
たとえば、キセノン放電管、水素放電管などの紫外線電
球等を用いればよい。For example, a UV bulb such as a xenon discharge tube or a hydrogen discharge tube may be used.
このような保護膜19の上には、通常接着剤層を介して保
護板が設けられる。A protective plate is usually provided on the protective film 19 via an adhesive layer.
すなわち、前記の基板11の裏面(磁性薄膜層14を設けて
いない側の面)側からのみ記録・再生を行う、いわゆる
片面記録の場合にのみ、この保護板を用いる。That is, this protective plate is used only in the case of so-called single-sided recording in which recording / reproducing is performed only from the back surface (surface on the side where the magnetic thin film layer 14 is not provided) of the substrate 11.
このような保護板の樹脂材質は特別に透明性等を要求さ
れることなく、種々の樹脂、例えば、ポリエチレン、ポ
リ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリビ
ニルアルコール、メタクリル樹脂、ポリアミド、ポリ塩
化ビニリデン、ポリカーボネート、ポリアセタール、ふ
っ素樹脂等の各種熱可塑性樹脂、 フェノール樹脂、ユリア樹脂、不飽和ポリエステル樹
脂、ポリウレタン、アルキド樹脂、メラミン樹脂、エポ
キシ樹脂、ケイ素樹脂等の各種熱可塑性樹脂等が使用可
能である。The resin material of such a protective plate is not particularly required to have transparency or the like, and various resins such as polyethylene, polyvinyl chloride, polystyrene, polypropylene, polyvinyl alcohol, methacrylic resin, polyamide, polyvinylidene chloride, and polycarbonate. Various thermoplastic resins such as polyacetal, fluororesin, phenol resin, urea resin, unsaturated polyester resin, polyurethane, alkyd resin, melamine resin, epoxy resin, silicon resin and the like can be used.
なお、ガラス、セラミック等の各種無機材質を保護板と
して用いてもよい。Note that various inorganic materials such as glass and ceramic may be used as the protective plate.
このものの形状、寸法等は上記の基板11のそれとほぼ同
様とされる。The shape, dimensions, etc. of this product are substantially the same as those of the substrate 11 described above.
このような保護板は、前述したように接着剤層を介して
接着される。接着剤層は、通常、ホットメルト樹脂等の
接着剤であって、この膜厚は1〜100μm程度とされ
る。Such a protective plate is bonded via the adhesive layer as described above. The adhesive layer is usually an adhesive such as a hot melt resin and has a film thickness of about 1 to 100 μm.
他方、上記の保護板を用いる代りに、上記の磁性薄膜層
14、保護層16,保護膜19等を有する基板をさらに1セッ
ト用いて、両磁性薄膜層を内側にして対向させて、接着
剤層を用いて貼り合せて、両基板の裏面側から書き込み
を行なう、いわゆる両面記録タイプとしてもよい。On the other hand, instead of using the above protective plate, the above magnetic thin film layer
14, using another set of substrates having the protective layer 16, the protective film 19 and the like, both magnetic thin film layers are opposed to each other with the magnetic thin film layers facing inside, and bonded using an adhesive layer, and writing is performed from the back surface side of both substrates. It may be a so-called double-sided recording type.
さらに、これらの基板11や保護板の裏面(磁性薄膜層14
を設けていない側の面)には各種保護膜としてのハード
コート層を設けることが好ましい。Furthermore, the back surface of the substrate 11 and the protective plate (magnetic thin film layer 14
It is preferable to provide a hard coat layer as various protective films on the surface (on the side not provided).
ハードコート層の材質としては、前述した保護膜19の材
質と同様なものとしてもよい。The material of the hard coat layer may be the same as the material of the protective film 19 described above.
V 発明の具体的作用効果 本発明によれば、基板上にプラズマ重合膜下地層を有
し、このプラズマ重合膜下地層の上に中間層を有し、こ
の中間層の上に記録層を有する構成であるか、またはさ
らに記録層の上に直接または保護層を介してプラズマ重
合膜保護層を有する構成であって、これらのプラズマ重
合膜がカルボニル基を有する有機化合物のモノマーを重
合したものであり、かつこのプラズマ重合膜の6328Åに
おける屈折率が1.3〜1.7であるため、耐候性および接着
性に優れた光記録媒体が得られる。According to the present invention, a plasma polymerized film underlayer is provided on a substrate, an intermediate layer is provided on the plasma polymerized film underlayer, and a recording layer is provided on the intermediate layer. Or a structure having a plasma-polymerized film protective layer directly on the recording layer or through a protective layer, wherein the plasma-polymerized film is obtained by polymerizing a monomer of an organic compound having a carbonyl group. Since the plasma polymerized film has a refractive index of 1.3 to 1.7 at 6328Å, an optical recording medium excellent in weather resistance and adhesiveness can be obtained.
特に、これに接してガラス等の材質の中間層、保護層等
を設層する場合接着が強固となる。In particular, when an intermediate layer made of a material such as glass, a protective layer or the like is provided in contact with this, the adhesion becomes strong.
VI 発明の具体的実施例 以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳
細に説明する。VI Specific Examples of the Invention Hereinafter, the present invention will be described in more detail by showing specific examples of the invention.
実施例1 直径13cm、厚さ1.2mmのビスフェノールA系のポリカー
ボネート樹脂(分子量15000)からなる基板11を真空チ
ャンバ中に入れ、一旦10-5Torrの真空に引いた後、処理
ガスとしてArを用い、流量:50ml/分にてガス圧0.1Torr
に保ちながら13.56MHzの高周波電圧をかけてプラズマを
発生させ、基板11表面をプラズマ処理した。Example 1 A substrate 11 made of a bisphenol A-based polycarbonate resin (molecular weight: 15000) having a diameter of 13 cm and a thickness of 1.2 mm was placed in a vacuum chamber, and a vacuum of 10 −5 Torr was once drawn, and then Ar was used as a processing gas. , Flow rate: 50 ml / min, gas pressure 0.1 Torr
While maintaining the above, a high-frequency voltage of 13.56 MHz was applied to generate plasma, and the surface of the substrate 11 was plasma-treated.
その後、さらに下記の条件にてプラズマ重合膜下地層12
を基板11上に形成した。After that, the plasma polymerized film underlayer 12 is further subjected to the following conditions.
Was formed on the substrate 11.
なお、表中の略号は次のものを示す。 The abbreviations in the table indicate the following.
MMA…メチルメタアクリレート、 MA…メチルアクリレート、 AA…アクリル酸、 MEK…メチルエチルケトン、 TFE…テトラフルオロエチレン、 VC…塩化ビニル、 VDC…塩化ビニリデン これらのプラズマ重合膜の屈折率nは、6328Åにて測定
した。MMA… Methyl methacrylate, MA… Methyl acrylate, AA… Acrylic acid, MEK… Methyl ethyl ketone, TFE… Tetrafluoroethylene, VC… Vinyl chloride, VDC… Vinylidene chloride The refractive index n of these plasma polymerized films is measured at 6328Å did.
またこれらのプラズマ重合膜の元素分析SIMSで測定し、
また膜厚はエリプソメーターによって測定した。Also measured by elemental analysis SIMS of these plasma polymerized film,
The film thickness was measured by an ellipsometer.
さらに、プラズマ重合膜中にC=O基が存在すること
は、FTIRの測定により確認した。Furthermore, the presence of C = O groups in the plasma polymerized film was confirmed by FTIR measurement.
このように形成されたプラズマ重合膜下地層12にガラス
(SiO2 48wt%,Al2O3 15wt%,B2O3 14wt%,Na2O 3wt
%,K2O 2wt%,BaO 5wt%,CaO 9wt%,MgO 4wt%)の中
間層15を高周波マグネトロンスパッタによって膜厚900
Åに設層した。Glass (SiO 2 48 wt%, Al 2 O 3 15 wt%, B 2 O 3 14 wt%, Na 2 O 3 wt
%, K 2 O 2wt%, BaO 5wt%, CaO 9wt%, MgO 4wt%) intermediate layer 15 by high frequency magnetron sputtering
Layered in Å.
この中間層15の上に21at%Tb、68at%Fe、7at%Co、4at
%Cr合金薄膜をスパッタリングによって、厚さ800Åに
設層し、磁性薄膜層14とした。21at% Tb, 68at% Fe, 7at% Co, 4at on this intermediate layer 15
A% Cr alloy thin film was deposited by sputtering to a thickness of 800 Å to form a magnetic thin film layer 14.
なお、ターゲットは、FeターゲットにTb、Co、Crチップ
をのせたものを用いた。The target used was an Fe target on which Tb, Co, and Cr chips were placed.
この磁性薄膜層14上にガラス(中間層の場合と同じ)の
保護層16を膜厚1000Åにスパッタリングで設層し、この
保護層16の上に下記の放射線硬化型化合物を含む塗布組
成物を保護膜19としてスピンナーコートで設層した。A protective layer 16 made of glass (the same as the case of the intermediate layer) is formed on the magnetic thin film layer 14 by sputtering to a film thickness of 1000Å, and a coating composition containing the following radiation-curable compound is formed on the protective layer 16. The protective film 19 was formed by spinner coating.
(塗布組成物) 多官能オリゴエステルアクリレート 100重量部 光増感剤 5重量部 このような塗布組成物を設層後、紫外線を15sec照射し
架橋硬化させ、硬化膜とした。(Coating composition) Polyfunctional oligoester acrylate 100 parts by weight Photosensitizer 5 parts by weight After applying such a coating composition, it was irradiated with ultraviolet rays for 15 seconds to be crosslinked and cured to obtain a cured film.
この時の膜厚は5μmであった。The film thickness at this time was 5 μm.
なお、これと同様な処理を上記の基板11裏面上にも行っ
た。さらに保護層膜19上に直径13cmのポリカーボネート
樹脂製の保護板を接着剤を用いて接着した。Note that the same processing as this was performed on the back surface of the substrate 11 described above. Further, a protective plate made of a polycarbonate resin having a diameter of 13 cm was adhered onto the protective layer film 19 with an adhesive.
このようにして表1に示される各種光磁気ディスクを作
製し、これらのサンプルについて、以下に示すような特
性値を測定した。Various magneto-optical disks shown in Table 1 were produced in this manner, and the following characteristic values of these samples were measured.
(1) C/N比(保存劣化) 初期のC/N比と、60℃、90%RHにて1000時間保存後のC/N
比の変化(劣化)量を下記の条件で測定した。(1) C / N ratio (storage deterioration) C / N ratio at the initial stage and C / N after storage at 60 ° C, 90% RH for 1000 hours
The ratio change (deterioration) amount was measured under the following conditions.
回転スピード 4m/sec 搬送周波数 500KHz 分解能 30KHz 記録パワー(830nm) 3〜4mW 再生パワー(830nm) 1mW (2) ビットエラーレート 初期と、60℃、90%RHにて1000時間保存後のEFM信号の
ビットエラーレートを測定した。Rotation speed 4m / sec Carrier frequency 500KHz Resolution 30KHz Recording power (830nm) 3 to 4mW Playback power (830nm) 1mW (2) Bit error rate Initial and bit of EFM signal after 1000 hours storage at 60 ℃ and 90% RH The error rate was measured.
(3) 接着強度 作製した光磁気ディスクの保護膜19の表面に接着テープ
を一定の圧力で接着させ、この接着テープを180°の角
度方向に一定の速度で引き離し、基板とスパッタ積層体
(中間層、磁性薄膜層、保護層、保護膜)との剥離に要
した力を測定した。(3) Adhesive strength An adhesive tape was adhered to the surface of the protective film 19 of the manufactured magneto-optical disk at a constant pressure, and this adhesive tape was separated at a constant speed in the angular direction of 180 °, and the substrate and the sputter laminate (intermediate Layer, magnetic thin film layer, protective layer, protective film) was measured.
そして、サンプルNo.11(ブランク)の接着強度の値Wo
に対する、各サンプルの接着強度の値Wを以下に示す向
上率(%)として表わした。これを初期の向上率とす
る。Then, the value Wo of the adhesive strength of sample No. 11 (blank)
The value W of the adhesive strength of each sample was expressed as an improvement rate (%) shown below. This is the initial improvement rate.
なお、60℃、90%RHにて1000時間保存後の向上率(5)
も同様にして求めた。 The improvement rate after storage for 1000 hours at 60 ° C and 90% RH (5)
Was similarly calculated.
実施例2 実施例1のサンプル1において、保護層16上にさらにプ
ラズマ重合膜保護層17を設層し、その上に保護膜19を設
けて、サンプル1と同様に光磁気ディスクを作成した。
この場合保護層17として用いた重合膜は下地層12と同様
にプラズマ重合膜1である。これをサンプルAとする。 Example 2 In the sample 1 of Example 1, a plasma-polymerized film protective layer 17 was further provided on the protective layer 16 and a protective film 19 was provided thereon, and a magneto-optical disk was prepared in the same manner as in Sample 1.
In this case, the polymerized film used as the protective layer 17 is the plasma polymerized film 1 like the underlayer 12. This is sample A.
このサンプルAについて、実施例1と同様にC/N比とビ
ットエラーレイトを測定した。ただし、保存時間は2000
時間とした。この結果を以下に示す。For this sample A, the C / N ratio and bit error rate were measured in the same manner as in Example 1. However, the storage time is 2000
It was time. The results are shown below.
なお、このような効果は、相転移型のTe-Ge、TeOx、Te-
Se等の記録層でも同様に実現した。 It should be noted that such an effect is caused by phase transition type Te-Ge, TeO x , Te-
The same was realized in the recording layer such as Se.
以上の実施例より本発明の効果は明らかである。The effects of the present invention are clear from the above examples.
第1図および第2図は、それぞれ、本発明の1例を示す
光磁気記録媒体の1実施態様を示す断面図である。 第3図は、プラズマ重合装置の概略図である。 符号の説明 1……光磁気記録媒体、11……基板、12……プラズマ重
合膜下地層、14……磁性薄膜層、15……中間層、16……
保護層、17……プラズマ重合膜保護層 19……保護膜、53……混合器、54……直流、交流および
周波数可変型電源、56……油回転ポンプ、57……液体窒
素トラップ、58……油拡散ポンプ、59……真空コントロ
ーラ、111……被処理基板、511、512……原料ガス源、5
21、522……マスフローコントローラ、551、552……電
極1 and 2 are sectional views showing one embodiment of a magneto-optical recording medium showing an example of the present invention. FIG. 3 is a schematic diagram of a plasma polymerization apparatus. Explanation of symbols 1 ... Magneto-optical recording medium, 11 ... Substrate, 12 ... Plasma polymerized film underlayer, 14 ... Magnetic thin film layer, 15 ... Intermediate layer, 16 ...
Protective layer, 17 …… Plasma polymer protective layer 19 …… Protective film, 53 …… Mixer, 54 …… DC, AC and variable frequency power supply, 56 …… Oil rotary pump, 57 …… Liquid nitrogen trap, 58 …… Oil diffusion pump, 59 …… Vacuum controller, 111 …… Processed substrate, 511, 512 …… Source gas source, 5
21,522 …… Mass flow controller, 551,552 …… Electrodes
Claims (4)
のプラズマ重合膜下地層の上に中間層を有し、この中間
層の上に記録層を有する光記録媒体であって、前記プラ
ズマ重合膜がカルボニル基を有する有機化合物のモノマ
ーを重合したものであり、かつこのプラズマ重合膜の63
28Åにおける屈折率が1.3〜1.7であることを特徴とする
光記録媒体。1. An optical recording medium having a plasma polymerized film underlayer on a substrate, an intermediate layer on the plasma polymerized film underlayer, and a recording layer on the intermediate layer. The plasma-polymerized film is obtained by polymerizing a monomer of an organic compound having a carbonyl group, and
An optical recording medium having a refractive index at 28Å of 1.3 to 1.7.
である特許請求の範囲第1項に記載の光記録媒体。2. The thickness of the underlayer of the plasma polymerized film is 10 to 1000Å
The optical recording medium according to claim 1, wherein
のプラズマ重合膜下地層の上に中間層を有し、この中間
層の上に記録層を有し、この記録層の上に直接または保
護層を介してプラズマ重合膜保護層を形成した光記録媒
体であって、前記プラズマ重合膜がカルボニル基を有す
る有機化合物のモノマーを重合したものであり、かつこ
のプラズマ重合膜の6328Åにおける屈折率が1.3〜1.7で
あることを特徴とする光記録媒体。3. A plasma-polymerized film underlayer on a substrate, an intermediate layer on the plasma-polymerized film underlayer, a recording layer on the intermediate layer, and a recording layer on the intermediate layer. An optical recording medium having a plasma-polymerized film protective layer formed directly or through a protective layer, wherein the plasma-polymerized film is obtained by polymerizing a monomer of an organic compound having a carbonyl group, and the plasma-polymerized film at 6328Å An optical recording medium having a refractive index of 1.3 to 1.7.
膜保護層の厚さがそれぞれ10〜1000Åである特許請求の
範囲第3項に記載の光記録媒体。4. The optical recording medium according to claim 3, wherein the plasma polymerized film underlayer and the plasma polymerized film protective layer each have a thickness of 10 to 1000 Å.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61313721A JPH0760531B2 (en) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | Optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61313721A JPH0760531B2 (en) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | Optical recording medium |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63166043A JPS63166043A (en) | 1988-07-09 |
| JPH0760531B2 true JPH0760531B2 (en) | 1995-06-28 |
Family
ID=18044715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61313721A Expired - Lifetime JPH0760531B2 (en) | 1986-12-26 | 1986-12-26 | Optical recording medium |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0760531B2 (en) |
-
1986
- 1986-12-26 JP JP61313721A patent/JPH0760531B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JPS63166043A (en) | 1988-07-09 |
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