JPH0762763B2 - Electrophotographic photoreceptor - Google Patents
Electrophotographic photoreceptorInfo
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- JPH0762763B2 JPH0762763B2 JP60114568A JP11456885A JPH0762763B2 JP H0762763 B2 JPH0762763 B2 JP H0762763B2 JP 60114568 A JP60114568 A JP 60114568A JP 11456885 A JP11456885 A JP 11456885A JP H0762763 B2 JPH0762763 B2 JP H0762763B2
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- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
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Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は光導電性材料としてアモルファスシリコンを用
いた電子写真感光体に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to an electrophotographic photosensitive member using amorphous silicon as a photoconductive material.
従来技術 従来、電子写真用像形成部材における光導電材料として
はSe、ZnOなどの無機材料やポリ−N−ビニルカルバゾ
ール、トリニトロフルオレノンなどの有機材料が用いら
れてきたが、最近になって、アモルファスシリコン(以
降「a-Si」と称する)が注目されはじめている。これ
は、a-Siを光導電層とした電子写真感光体が従来のそれ
と比較して同様もしくはそれ以上の特性を有する他、人
および環境に体しても無害であり、耐久性が著しく大き
い等の長所を有しているからである。BACKGROUND ART Conventionally, inorganic materials such as Se and ZnO and organic materials such as poly-N-vinylcarbazole and trinitrofluorenone have been used as photoconductive materials in electrophotographic image forming members. Amorphous silicon (hereinafter referred to as “a-Si”) has begun to attract attention. This is because the electrophotographic photosensitive member using a-Si as a photoconductive layer has characteristics similar to or better than those of conventional ones, is harmless to humans and the environment, and has extremely high durability. This is because it has advantages such as
しかしながら、これまでのa-Si系電子写真感光体におい
ては、支持体上にa-Si層を形成する際の層歪が大きく、
また支持体とa-Si層との密着成が不十分なため、支持体
表面からのa-Si層の浮きや剥離、亀裂などが生ずるとい
った大きな問題点が残されている。その解決策として従
来より(1)〜(3)の方法等が行なわれてきた。すな
わち、 (1)支持体とa-Si層との間に結晶性シリコン層を設け
て光導電層を構成し、この結晶性シリコン層により支持
体とa-Si層との密着性を向上させる(特開昭57-44154号
公報); (2)支持体表面を化学構造的に水を含む酸化アルミニ
ウム(AI2O3・nH2O;n=1、3)として、支持体とa-Si
層との密着性を向上させる(特開昭57-104938号公
報); (3)支持体とa-Si層との間に窒素原子を構成原子とし
て含有するa-Si層の補助層を設け、この補助層により支
持体とa-Si層との密着性を向上させる(特開昭58-14905
6号公報); しかしながら、上記(1)〜(3)の方法によるもいま
だ、下記の如き問題点を有するものであった。すなわ
ち、 (1)の方法による場合、支持体上に前記結晶性シリコ
ン層を形成する際に、支持体温度を高温にする必要があ
り、そのため支持体の損傷が大きくさらに支持体の構成
原子が結晶性シリコン層へ拡散し、電子写真感光体とし
ての特性が劣化する; (2)の方法による場合、水の構成要素であるOH基、酸
素原子がa-Si層中へ拡散し、長時間にわたっては電子写
真感光体としての特性劣化をきたす; (3)の方法による場合、補助層自体が硬く、補助層と
支持体との密着性も良好とはいえないため、補助層と支
持体との間で剥離、浮き等の問題が解消し得ないもので
あった。However, in the conventional a-Si electrophotographic photoreceptor, the layer strain when forming the a-Si layer on the support is large,
Further, since the adhesion between the support and the a-Si layer is insufficient, there remains a big problem that the a-Si layer floats from the surface of the support, peels off, or cracks. As a solution to this, the methods (1) to (3) have been conventionally performed. That is, (1) a crystalline silicon layer is provided between the support and the a-Si layer to form a photoconductive layer, and the crystalline silicon layer improves the adhesion between the support and the a-Si layer. (Japanese Patent Application Laid-Open No. 57-44154); (2) The surface of the support is made of aluminum oxide (AI 2 O 3 .nH 2 O; n = 1, 3) containing water in a chemical structure, and the support and a- Si
Improving adhesion to a layer (Japanese Patent Laid-Open No. 57-104938); (3) Providing an a-Si layer auxiliary layer containing a nitrogen atom as a constituent atom between the support and the a-Si layer. , This auxiliary layer improves the adhesion between the support and the a-Si layer (JP-A-58-14905).
However, the methods (1) to (3) described above still have the following problems. That is, in the case of the method (1), when the crystalline silicon layer is formed on the support, it is necessary to raise the temperature of the support, and therefore the support is largely damaged and the constituent atoms of the support are further increased. When the method (2) is used, OH groups and oxygen atoms, which are the constituents of water, diffuse into the a-Si layer and diffuse for a long time. In the case of the method (3), since the auxiliary layer itself is hard and the adhesion between the auxiliary layer and the support cannot be said to be good, the properties of the auxiliary layer and the support may be deteriorated. However, problems such as peeling and floating could not be resolved.
目的 本発明は電子写真感光体としての特性を劣化させずにa-
Si層と支持体との密着性を向上させて、a-Si層の浮きや
剥離、亀裂の発生を防止し、繰り返し安定性、経時安定
性を有する電子写真感光体を提供することを目的とす
る。Aim The present invention is a- without deterioration of characteristics as an electrophotographic photoreceptor.
By improving the adhesion between the Si layer and the support, floating or peeling of the a-Si layer, preventing the occurrence of cracks, repeated stability, with the aim of providing an electrophotographic photoreceptor having stability over time. To do.
構成 本発明は、支持体上にシリコン原子を母体とし、水素原
子またはハロゲン原子のうち少なくとも一つを含む非晶
質層を有する電子写真感光体に於て、前記支持体と前記
非晶質層の間に多孔質酸化アルミニウム層を有し、多孔
質酸化アルミニウム層の封孔処理の際、封孔処理材料と
してシリサイドから成る材料を用いることを特徴とする
電子写真感光体である。Constitution The present invention provides an electrophotographic photosensitive member having an amorphous layer containing silicon atoms as a matrix on a support and containing at least one of a hydrogen atom and a halogen atom, wherein the support and the amorphous layer are provided. The electrophotographic photosensitive member is characterized in that it has a porous aluminum oxide layer between the two, and when the porous aluminum oxide layer is sealed, a material made of silicide is used as a sealing material.
本発明者らはa-Si系電子写真感光体についての研究を行
なってきたが、支持体とa-Si層との間に多孔質酸化アル
ミニウム層を設け、かつ前記多孔質酸化アルミニウム層
の孔をシリサイドから成る材料により封孔処理させるこ
とによって、長時間にわたって望ましい特性が維持され
ることを確めた。本発明はかかる知見に基づいて完成さ
れたものである。The inventors of the present invention have conducted research on an a-Si-based electrophotographic photosensitive member. However, a porous aluminum oxide layer is provided between a support and an a-Si layer, and pores of the porous aluminum oxide layer are provided. It was confirmed that the desired characteristics were maintained for a long time by sealing the material with a material composed of silicide. The present invention has been completed based on such findings.
以下に本発明を図面に基づいて更に詳細に説明する。第
1図は本発明に係る電子写真感光体の基本的な層構成を
示す断面図であり、1は導電性支持際、2はシリサイド
材料により封孔処理した多孔質酸化アルミニウム層、
2′はシリサイド材料、3はa-Si層である。Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view showing a basic layer structure of an electrophotographic photosensitive member according to the present invention, in which 1 is a conductive support and 2 is a porous aluminum oxide layer sealed with a silicide material,
2'is a silicide material and 3 is an a-Si layer.
ここで本発明における多孔質酸化アルミニウム層の生成
とその構造について簡単に触れることにする。Here, the generation and structure of the porous aluminum oxide layer in the present invention will be briefly described.
アルミニウムを陽極にしてある種の電解浴中で電気分解
すると、アルミニウム上に酸化皮膜が形成されるが、電
解浴の種類のちがいにより、バリヤー型皮膜と多孔質型
皮膜(アルマイト)とご形成される。前者は酸化アルミ
ニウムを化学的に溶解する力が小さい酸性の電解浴例え
ば硼酸/硼酸ナトリウム水溶液中で形成し、後者は酸化
アルミニウムを化学的に溶解する力が大きい酸性の電解
浴例えば硫酸水溶液中で形成する。多孔質型皮膜(アル
マイト)の酸化皮膜構造としては「6角柱モデル」が提
案されており、これのポアサイズ(pore size)は表−
1のとおりである[F.keller,M.S.Hunter and D.L.Robi
nson;J.Electrochem.Soc.,100,411(1953)]。When aluminum is used as an anode and electrolyzed in a certain electrolytic bath, an oxide film is formed on aluminum, but due to the difference in the type of electrolytic bath, a barrier type film and a porous type film (alumite) are formed. It The former is formed in an acidic electrolytic bath having a small ability to chemically dissolve aluminum oxide, such as an aqueous boric acid / sodium borate solution, and the latter is formed in an acidic electrolytic bath having a large ability to chemically dissolve aluminum oxide, such as an aqueous sulfuric acid solution. Form. The hexagonal column model has been proposed as the oxide film structure of the porous film (alumite), and the pore size of this is shown in the table-
1 [F.keller, MSHunter and DLRobi
nson; J. Electrochem. Soc., 100, 411 (1953)].
なお、多孔質側皮膜(アルマイト皮膜)を水蒸気又は沸
騰水により封孔処理すれば、皮膜表面及びポア壁面に下
記反応式により水和物が生成し、ポアの外側の口が塞が
れる。この水和物はベーマイトと称せられ80℃以上で生
成する。 When the porous film (alumite film) is sealed with steam or boiling water, a hydrate is formed on the surface of the film and the wall surface of the pore according to the following reaction formula, and the mouth outside the pore is blocked. This hydrate is called boehmite and forms at 80 ° C or higher.
Al2O3+H2O→Al2O3・H2O(ベーマイト) 本発明においては、このような多孔質酸化アルミニウム
層2を支持体1上に設け、封孔材料としてシリサイド材
料2′を用いて多孔質酸化アルミニウム層の孔を封孔処
理し、支持体表面を露呈させるために、必要に応じてエ
ッチングなどにより、シリサイドを除去し、その上にさ
らにa-Si層3を堆積させるものである。Al 2 O 3 + H 2 O → Al 2 O 3 · H 2 O (boehmite) In the present invention, such a porous aluminum oxide layer 2 is provided on the support 1, and the silicide material 2 ′ is used as a sealing material. Used to seal the pores of the porous aluminum oxide layer and expose the surface of the support, thereby removing silicide by etching or the like, and further depositing the a-Si layer 3 thereon. Is.
このようにして形成した電子写真感光体は、従来の封孔
処理した酸化アルミニウム層を用いた電子写真感光体に
比較して次のごとき有利さが認められる。The electrophotographic photosensitive member thus formed has the following advantages as compared with the conventional electrophotographic photosensitive member using the pore-sealed aluminum oxide layer.
イ)酸化アルミニウム層2中に化学構造的に含まれてい
るH2Oはポア壁内だけに存在するので、その含有量は極
めて微量である。このため、H2OがOH基、酸素原子とな
ってa-Si層3へと拡散する量はほどんど無視しうるの
で、電子写真感光体としての特性は長時間にわたって安
定である。また、酸化アルミニウム層2からのH2Oの離
脱は高温においても非常に少ない(600℃以下なら安
定)ので、歪みによるピンホール、クラック等の発生が
ない。B) Since H 2 O chemically contained in the aluminum oxide layer 2 exists only in the pore wall, its content is extremely small. Therefore, the amount of H 2 O that becomes an OH group or an oxygen atom and diffuses into the a-Si layer 3 can be ignored, and the characteristics of the electrophotographic photosensitive member are stable for a long time. Further, the release of H 2 O from the aluminum oxide layer 2 is extremely small even at high temperatures (stable at 600 ° C. or lower), so that pinholes, cracks and the like due to strain do not occur.
ロ)未封孔なのでポアの中にもシリサイド材料が入り込
み、アンカー効果により、支持体1とシリサイド材料と
の間の密着性は著しく向上したものとなる。単位面積当
りのポアの数は表1から推察できるように非常に多いの
でアンカー効果は顕著である。(B) Since it is an unsealed hole, the silicide material also enters the pores, and the adhesion effect between the support 1 and the silicide material is remarkably improved by the anchor effect. Since the number of pores per unit area is very large as can be inferred from Table 1, the anchor effect is remarkable.
さらにシリサイド材料を形成する際に用いる金属にアル
ミニウムを採用し、AlSiなるシリサイドとした場合、酸
化アルミニウム層とシリサイド材料の間にはアルミニウ
ムという共通の原子が存在するために化学的な結合力が
生じ、酸化アルミニウム層とシリサイド材料との間の密
着性が向上する。Furthermore, when aluminum is used as the metal used to form the silicide material and AlSi is used as the silicide, a chemical bonding force is generated because a common atom of aluminum exists between the aluminum oxide layer and the silicide material. Adhesion between the aluminum oxide layer and the silicide material is improved.
ハ)多孔質酸化アルミニウム層の孔をシリサイド材料を
用いて封孔処理を施しさらにその上にa-Si層を堆積させ
ると、シリサイドは構造的にはシリコンと金属の合金で
あるという点から、シリサイド材料とa-Si層との間には
共通の構成原子、すなわちSi原子が存在する。このこと
によりシリサイド材料とa-Si層の間の密着性が向上する
とともに界面における格子定数の整合性が良好になると
いう作用が生じ、構造的、電気的な密着性が著しく向上
するため、従来から問題となっているa-Si層と支持体界
面でのフォトキャリアに対するトラップ密度が減少し、
電子写真特性が向上する。C) When the pores of the porous aluminum oxide layer are sealed with a silicide material and the a-Si layer is further deposited thereon, the silicide is structurally an alloy of silicon and a metal. Common constituent atoms, that is, Si atoms, exist between the silicide material and the a-Si layer. This improves the adhesion between the silicide material and the a-Si layer and improves the matching of the lattice constants at the interface, significantly improving the structural and electrical adhesion. The trap density for photo carriers at the interface between the a-Si layer and the support is reduced,
The electrophotographic characteristics are improved.
ニ)シリサイドに使用する金属と支持体表面を構成する
金属を適宜選択することによって種々の効果が期待され
る。例えば、支持体表面の金属がAl、Cr、MoまたはTiな
どの場合、シリサイドを形成する際にPtなどを用いれ
ば、その接合界面でのコンタクト抵抗が、オーム性のコ
ンタクトとなるため、電子写真特性における光感度が向
上する。D) Various effects are expected by appropriately selecting the metal used for the silicide and the metal forming the surface of the support. For example, when the metal on the surface of the support is Al, Cr, Mo, or Ti, if Pt or the like is used when forming the silicide, the contact resistance at the bonding interface becomes an ohmic contact, so electrophotography The photosensitivity in the characteristics is improved.
また支持体がアルミニウムまたはアルミニウム合金の場
合、シリサイド材料にアルミニウムを用いれば、支持体
とシリサイド材料との密着性が向上することはすでに述
べたが、シリサイドは本来その電気的特性として、半導
体的なバンドギャップを有しているため、周期律表第II
I族に属するAlをシリサイドとして使用すれば、Alがア
クセプターとして作用し、シリサイドはP型となる。そ
のため、シリサイド材料によって封孔処理された酸化ア
ルミニウム層は、支持体1からのフリーキャリアの注入
を防止するブロッキング層としても作用するので、電子
写真感光体として考えた場合、最高表面電位が増加した
り、暗減衰が減少するなどの帯電電位特性が向上する。Further, when the support body is aluminum or an aluminum alloy, if aluminum is used as the silicide material, the adhesiveness between the support body and the silicide material is improved. It has a band gap, so
If Al belonging to Group I is used as a silicide, Al acts as an acceptor and the silicide becomes P-type. Therefore, the aluminum oxide layer sealed with the silicide material also acts as a blocking layer for preventing the injection of free carriers from the support 1, so that the maximum surface potential increases when considered as an electrophotographic photoreceptor. And the charge potential characteristics such as dark decay are reduced.
本発明における電子写真感光体での導電性支持体1とし
てはアルミニウム、アルミニウム合金の使用が望まし
い。導電性支持体上に陽極酸化法等により、膜厚0.1〜
2μm程度の多孔質酸化アルミニウム層2を形成し、次
にスパッタリング法、合金反応法、CVD法などにより、
封孔材料としてシリサイド材料2′を用いて多孔質酸化
アルミニウム層の孔を封孔処理し、支持体表面を露呈さ
せるために、必要に応じて、エッチング等によりシリサ
イドを除去し、さらにグロー放電法、スパッタリング
法、イオンプレーティング法などの公知の手段によって
a-Si層3を通常1〜100μm、好ましくは2〜50μm程
度形成する。It is preferable to use aluminum or aluminum alloy as the conductive support 1 in the electrophotographic photosensitive member of the present invention. A film thickness of 0.1 ~ is obtained by anodic oxidation on a conductive support.
A porous aluminum oxide layer 2 having a thickness of about 2 μm is formed, and then a sputtering method, an alloy reaction method, a CVD method, etc.
The silicide material 2'is used as a sealing material to seal the pores of the porous aluminum oxide layer to expose the surface of the support, and the silicide is removed by etching or the like, if necessary. , Known methods such as sputtering, ion plating, etc.
The a-Si layer 3 is usually formed in a thickness of 1 to 100 μm, preferably 2 to 50 μm.
次に実施例を示す。Next, examples will be shown.
実施例 下記の工程により電子写真感光体を作成した。Example An electrophotographic photosensitive member was prepared by the following steps.
A3003アルミニウム(以下Alと称する)を材料とする円
筒形導電性支持体(以下「Alドラム」と称する)の表面
を研磨後、十分に洗浄し、室温のもと10%NaOH水溶液に
浸漬し、続いて30%HNO3水溶液に浸漬し、Alドラムの表
面を脱脂処理した。After polishing the surface of a cylindrical conductive support (hereinafter referred to as "Al drum") made of A3003 aluminum (hereinafter referred to as Al), thoroughly washed and immersed in a 10% NaOH aqueous solution at room temperature, Then, the surface of the Al drum was degreased by immersing it in a 30% HNO 3 aqueous solution.
第2図に示す様に、浴槽4に入った電解液5に上記脱脂
処理したAlドラム6を浸漬する。電解液としては15wt%
H2SO4水溶液を用いた。As shown in FIG. 2, the degreased Al drum 6 is immersed in the electrolytic solution 5 contained in the bath 4. 15wt% as electrolyte
A H 2 SO 4 aqueous solution was used.
Alドラム6の外周側面と同等もしくはそれ以上の面積を
もった陰極板7を上記電解液5に、浸漬し、Alドラムの
向かい合うようにする。陰極板7としてPt板を用いた。A cathode plate 7 having an area equal to or larger than the outer peripheral side surface of the Al drum 6 is immersed in the electrolytic solution 5 so that the Al drum faces each other. A Pt plate was used as the cathode plate 7.
上記Alドラム6および陰極板7が各々陽極および陰極に
なるように電源8を接続する。電源8としては直流電源
を用いた。A power source 8 is connected so that the Al drum 6 and the cathode plate 7 serve as an anode and a cathode, respectively. A DC power supply was used as the power supply 8.
室温のもとで、Alドラム6を(数分間)陽極酸化した。
この時、電流密度が約10mA/cm2で一定となるように電流
計9の表示を見ながら電源8の電圧を調節する。なお、
アルミニウムの酸化反応によって発熱および気体の発生
を伴うので、電解液5の冷却および撹拌を行なった。こ
こでの撹拌は均一な皮膜を形成するためにも必要であ
る。The Al drum 6 was anodized (for several minutes) at room temperature.
At this time, the voltage of the power supply 8 is adjusted while observing the display on the ammeter 9 so that the current density is constant at about 10 mA / cm 2 . In addition,
Since the aluminum oxidation reaction causes heat generation and gas generation, the electrolytic solution 5 was cooled and stirred. The stirring here is also necessary to form a uniform film.
陽極酸化終了後、電解液5からAlドラムを引き上げ、流
純水で少なくとも10分間洗浄した。ポアの中に電解液が
残留すると、電子写真感光体の特性に悪影響を与えるの
で、洗浄は十分に行なう必要がある。After the anodization was completed, the Al drum was pulled up from the electrolytic solution 5 and washed with flowing pure water for at least 10 minutes. If the electrolytic solution remains in the pores, it adversely affects the characteristics of the electrophotographic photosensitive member, and therefore it is necessary to perform sufficient cleaning.
洗浄後、Alドラム表面に生成した多孔質陽極酸化アルミ
ニウム層(アルマイト層)を乾燥した。アルマイト層の
膜厚は約0.5μmであった。After washing, the porous anodized aluminum layer (alumite layer) formed on the surface of the Al drum was dried. The film thickness of the alumite layer was about 0.5 μm.
ついで第3図に示すように多孔質陽極酸化アルミニウム
層(アルマイト層)を形成したAlドラム10をチャンバー
11内の支持治具12に固定し、ドラム回転用モーター13に
より回転させる。Then, as shown in FIG. 3, the Al drum 10 on which a porous anodized aluminum layer (alumite layer) is formed is placed in a chamber.
It is fixed to a support jig 12 in 11 and rotated by a drum rotation motor 13.
ヒーター14および温度調節器15により、ドラム表面温度
を250℃で一定に加熱する。The heater 14 and the temperature controller 15 constantly heat the drum surface temperature at 250 ° C.
ガスボンベ元栓16、17及び18、メインバルブ19、バルブ
20を閉じ、粗引きバルブ21を開き、ロータリーポンプ22
によりチャンバー11内の空気を排気する。Gas cylinder plugs 16, 17 and 18, main valve 19, valve
20 is closed, roughing valve 21 is opened, rotary pump 22
The air in the chamber 11 is exhausted by.
チャンバー11内が所定の真空度に到達したことを確認し
たら、粗引きバルブ21を閉じ、バルブ20およびメインバ
ルブ19を開き、油拡散ポンプ23によりさらに排気する。When it is confirmed that the inside of the chamber 11 has reached a predetermined degree of vacuum, the roughing valve 21 is closed, the valve 20 and the main valve 19 are opened, and the oil diffusion pump 23 further evacuates.
所定の真空度に到達したことを確認したら、メインバル
ブ19を閉じ、各ガスボンベ27の元栓16を開き、マスフロ
ーメーター24を見ながら各ガス成分を所定の流量に調整
しバルブ32を開けてチャンバー内に導入する。ここで用
いるガスの種類は、SiH4(Arベースで20%)である。After confirming that a predetermined degree of vacuum has been reached, close the main valve 19, open the main valve 16 of each gas cylinder 27, adjust each gas component to a predetermined flow rate while watching the mass flow meter 24, and open the valve 32 to open the chamber. To introduce. The type of gas used here is SiH 4 (20% based on Ar).
バルブ20を閉じ、バルブ21を開いて、真空度を1Torr、
ドラム表面温度を250℃に保ちながら、高周波電源30に
より高周波電力を電極31に印加し、Alドラム10表面に下
記表−2の条件でa-Si層(水素原子を含む)を堆積し
た。Close valve 20 and open valve 21 to adjust the vacuum to 1 Torr,
While maintaining the drum surface temperature at 250 ° C., high frequency power was applied to the electrode 31 by the high frequency power source 30 to deposit an a-Si layer (including hydrogen atoms) on the surface of the Al drum 10 under the conditions shown in Table 2 below.
約20秒間a-Si層を堆積させた後、反応容器11からa-Si層
を堆積させた支持体を取り出し、a-Si層の膜厚を測定し
たところ、約200Åであった。 After depositing the a-Si layer for about 20 seconds, the support on which the a-Si layer was deposited was taken out from the reaction vessel 11, and the film thickness of the a-Si layer was measured and found to be about 200Å.
これを支持体温度を300〜600℃に保ち、加熱処理を120
分行ない、シリサイド(AlSi)を形成した。支持体表面
を露呈させるために、必要に応じて表面のSi膜をエッチ
ングにより除去した後、その上に再び第3図に示すプラ
ズマCVD装置を用いて、次の操作によりa-Si層3を堆積
させた。Keep the temperature of the support at 300-600 ℃ and heat treatment at 120
After that, silicide (AlSi) was formed. In order to expose the surface of the support, the Si film on the surface is removed by etching if necessary, and then the a-Si layer 3 is formed on the support by the following operation using the plasma CVD apparatus shown in FIG. Deposited.
シリサイドにより封孔処理したAlドラム10をチャンバー
11内の支持治具12に固定しドラム回転用モータ13により
回転させる。Chamber of Al drum 10 sealed with silicide
It is fixed to a support jig 12 in 11 and rotated by a drum rotation motor 13.
ヒーター14および温度調節器15により、ドラム表面温度
を200℃で一定に加熱する。The heater 14 and the temperature controller 15 constantly heat the drum surface temperature at 200 ° C.
ガスボンベ元栓16、17及び18、メインバルブ19、バルブ
20を閉じ、粗引きバルブ21を開き、ロータリーポンプ22
によりチャンバー11内の空気を排気する。Gas cylinder plugs 16, 17 and 18, main valve 19, valve
20 is closed, roughing valve 21 is opened, rotary pump 22
The air in the chamber 11 is exhausted by.
チャンバー11内が所定の真空度に到達したことを確認し
たら、粗引きバルブ21を閉じ、バルブ20およびメインバ
ルブ19を開き、油拡散ポンプ23によりさらに排気する。When it is confirmed that the inside of the chamber 11 has reached a predetermined degree of vacuum, the roughing valve 21 is closed, the valve 20 and the main valve 19 are opened, and the oil diffusion pump 23 further evacuates.
所定の真空度に到達したことを確認したら、メインバル
ブ19を閉じ、各ボンベ27、28、29の元栓16、17、18を開
き、マスフローメーター24、25、26を見ながら各ガス成
分を所定の流量に調整しバルブ32を開けてチャンバー内
に導入する。ここで用いるガスの種類は、表−3の通り
である。After confirming that the specified vacuum level has been reached, close the main valve 19, open the main plugs 16, 17, 18 of the cylinders 27, 28, 29, and check each gas component while observing the mass flow meters 24, 25, 26. And the valve 32 is opened and introduced into the chamber. The types of gas used here are as shown in Table-3.
バルブ20を閉じ、粗引きバルブ21を開いて、真空度を1T
orr、ドラム表面温度を200℃に保ちながら、高周波電源
30により高周波電力を電極31に印加し、Alドラム10表面
に下記表−4の条件でa-Si層(水素原子を含む)を堆積
した。 Close the valve 20 and open the roughing valve 21 to adjust the vacuum to 1T.
High frequency power supply while maintaining orr and drum surface temperature at 200 ℃
High frequency power was applied to the electrode 31 by 30 to deposit an a-Si layer (including hydrogen atoms) on the surface of the Al drum 10 under the conditions shown in Table 4 below.
このa-Si層3の形成に於ては膜を高抵抗とするために必
要に応じて酸素原子またはホウ素原子などを添加せしめ
てもよい。本実施例では酸素ガスを流量2SCCMで添加し
て、a-Si層3を形成した。a-Si層3は約6時間にわたっ
て堆積させその膜厚は約20μmであった。 In forming the a-Si layer 3, oxygen atoms or boron atoms may be added if necessary in order to make the film have high resistance. In this example, oxygen gas was added at a flow rate of 2 SCCM to form the a-Si layer 3. The a-Si layer 3 was deposited for about 6 hours and had a film thickness of about 20 μm.
このようにしてつくった電子写真感光体を実装試験によ
りその特性を評価した、即ち、(a)暗中において電源
電圧6KVで正コロナ放電を施す、(b)95ルックスの光
量で画像露光を行ない静電像を形成する、更に(c)負
の電荷をもつトナーで現像し、転写紙(普通紙)上に転
写定着する、という画像形成プロセスを繰り返し施し
て、1枚目の転写紙上の画像と5万枚目の転写紙上の画
像とを比較した。The characteristics of the electrophotographic photosensitive member thus produced were evaluated by a mounting test, that is, (a) a positive corona discharge was applied at a power supply voltage of 6 KV in the dark, and (b) image exposure was performed with a light amount of 95 lux. The image forming process of forming an electric image, (c) developing with a toner having a negative charge, and transferring and fixing the image on a transfer paper (plain paper) is repeatedly performed to obtain an image on the first transfer paper. The image on the 50,000th transfer paper was compared.
その結果、両者の間に濃度差はほとんど認められず、ま
た白ヌケ、ゴーストなどの異常画像の発生もみられなか
った。実装試験終了後の電子写真感光体を観察したとこ
ろ、a-Si層(水素原子を含む)の剥離や亀裂などの発生
もまったく認められなかった。As a result, there was almost no difference in density between the two and no occurrence of abnormal images such as white spots and ghosts. When the electrophotographic photosensitive member after the mounting test was observed, no peeling or cracking of the a-Si layer (including hydrogen atoms) was observed.
効果 本発明によって得られた電子写真感光体は、実施例の記
載から明らかなように、高品質、高耐久性を有する非常
に信頼性の高いものとなっている。Effects As is apparent from the description of the examples, the electrophotographic photosensitive member obtained by the present invention has high quality and high durability and is extremely reliable.
第1図は本発明に係る電子写真感光体の断面図、第2図
は本発明の電子写真感光体を製造する際のアルミニウム
ドラムのアルマイト処理を表わす図、第3図は本発明電
子写真感光体を製造するためのプラズマCVD装置を表わ
す図である。 1……支持体、2……酸化アルミニウム層、2′……シ
リサイド材料、3……a-Si層、4……浴槽、5……電解
液、6……Alドラム、7……陰極板、8……電源、9…
…電流計、10……アルマイト処理後のAlドラム、11……
チャンバー、12……支持治具、13……ドラム回転用モー
ター、14……ヒーター、15……温度調節器、16,17,18…
…ガスボンベ元栓、19……メインバルブ、20……バル
ブ、21……粗引きバルブ、22……ロータリーポンプ、23
……油拡散ポンプ、24,25,26……マスフロメーター、2
7,28,29……ガスボンベ、30……高周波電源、31……電
極、32……バルブ。FIG. 1 is a sectional view of an electrophotographic photosensitive member according to the present invention, FIG. 2 is a diagram showing anodizing treatment of an aluminum drum in manufacturing the electrophotographic photosensitive member of the present invention, and FIG. 3 is an electrophotographic photosensitive member of the present invention. It is a figure showing the plasma CVD apparatus for manufacturing a body. 1 ... Support, 2 ... Aluminum oxide layer, 2 '... Silicide material, 3 ... a-Si layer, 4 ... Bath, 5 ... Electrolyte, 6 ... Al drum, 7 ... Cathode plate , 8 ... power supply, 9 ...
… Ammeter, 10 …… Al drum after anodizing, 11 ……
Chamber, 12 ... Support jig, 13 ... Drum rotation motor, 14 ... Heater, 15 ... Temperature controller, 16, 17, 18 ...
… Gas cylinder main plug, 19 …… Main valve, 20 …… Valve, 21 …… Roughing valve, 22 …… Rotary pump, 23
…… Oil diffusion pump, 24,25,26 …… Mass flow meter, 2
7,28,29 …… Gas cylinder, 30 …… High frequency power supply, 31 …… Electrode, 32 …… Valve.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−58435(JP,A) 特開 昭59−28162(JP,A) 特開 昭59−87462(JP,A) 特開 昭57−88458(JP,A) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-59-58435 (JP, A) JP-A-59-28162 (JP, A) JP-A-59-87462 (JP, A) JP-A-57- 88458 (JP, A)
Claims (1)
素原子またはハロゲン原子のうち少なくとも一つを含む
非晶質層を有する電子写真感光体に於て、前記支持体と
前記非晶質層の間に多孔質酸化アルミニウム層を有し、
多孔質酸化アルミニウム層の封孔処理の際、封孔処理材
料としてシリサイドから成る材料を用いることを特徴と
する電子写真感光体。1. An electrophotographic photosensitive member having an amorphous layer having a silicon atom as a base material and containing at least one of a hydrogen atom and a halogen atom on a support, the support and the amorphous material. Having a porous aluminum oxide layer between the layers,
An electrophotographic photosensitive member characterized by using a material made of silicide as a sealing material when sealing a porous aluminum oxide layer.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60114568A JPH0762763B2 (en) | 1985-05-28 | 1985-05-28 | Electrophotographic photoreceptor |
| DE19863616607 DE3616607A1 (en) | 1985-05-17 | 1986-05-16 | LIGHT SENSITIVE MATERIAL FOR ELECTROPHOTOGRAPHY |
| US07/142,286 US4792510A (en) | 1985-05-17 | 1987-12-30 | Electrophotographic element with silicide treated porous Al2 O3 sublayer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60114568A JPH0762763B2 (en) | 1985-05-28 | 1985-05-28 | Electrophotographic photoreceptor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61272756A JPS61272756A (en) | 1986-12-03 |
| JPH0762763B2 true JPH0762763B2 (en) | 1995-07-05 |
Family
ID=14641076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60114568A Expired - Lifetime JPH0762763B2 (en) | 1985-05-17 | 1985-05-28 | Electrophotographic photoreceptor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0762763B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2739792B2 (en) * | 1990-12-15 | 1998-04-15 | 富士ゼロックス株式会社 | Dielectric recording medium for carrying electrostatic images |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5928162A (en) * | 1982-08-10 | 1984-02-14 | Toshiba Corp | Electrophotogrpahic receptor |
| JPS5958435A (en) * | 1982-09-29 | 1984-04-04 | Toshiba Corp | Production of photoreceptor for electrophotography |
-
1985
- 1985-05-28 JP JP60114568A patent/JPH0762763B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61272756A (en) | 1986-12-03 |
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