JPH0764582B2 - セラミックスコンデンサー用バインダーガラス - Google Patents
セラミックスコンデンサー用バインダーガラスInfo
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- JPH0764582B2 JPH0764582B2 JP13407389A JP13407389A JPH0764582B2 JP H0764582 B2 JPH0764582 B2 JP H0764582B2 JP 13407389 A JP13407389 A JP 13407389A JP 13407389 A JP13407389 A JP 13407389A JP H0764582 B2 JPH0764582 B2 JP H0764582B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/24—Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions, i.e. for use as seals between dissimilar materials, e.g. glass and metal; Glass solders
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Glass Compositions (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、ハイブリッドIC等の電子部品に使用されるセ
ラミックコンデンサーの誘電体材料を低温で燒結するち
めに用いるバインダーガラスに関するものである。
ラミックコンデンサーの誘電体材料を低温で燒結するち
めに用いるバインダーガラスに関するものである。
［従来の技術］ 近年電子部品が小型化、高機能化されるのに伴ってこれ
らに使用されるセラミックコンデンサーも小型化、大容
量化が要求されており、現在この要求を満足すべく誘電
体と電極とを交互に層状に組み合わせて一体焼成してな
る積層セラミックコンデンサーが実用化されている。積
層セラミックコンデンサーの誘電体材料としては、チタ
ン酸バリウム系セラミックスが広く使用されているが、
このチタン酸バリウム系セラミックスの燒結温度は1300
℃以上である。そのため各誘電体の間に形成する電極
（内部電極）の材料としては融点が高く、高温で焼成し
ても劣化しにくい貴金属が使用され、この中でも比較的
安価な銀ーパラジウム合金（以下Ag−Pd合金という）が
最も多く用いられている。
らに使用されるセラミックコンデンサーも小型化、大容
量化が要求されており、現在この要求を満足すべく誘電
体と電極とを交互に層状に組み合わせて一体焼成してな
る積層セラミックコンデンサーが実用化されている。積
層セラミックコンデンサーの誘電体材料としては、チタ
ン酸バリウム系セラミックスが広く使用されているが、
このチタン酸バリウム系セラミックスの燒結温度は1300
℃以上である。そのため各誘電体の間に形成する電極
（内部電極）の材料としては融点が高く、高温で焼成し
ても劣化しにくい貴金属が使用され、この中でも比較的
安価な銀ーパラジウム合金（以下Ag−Pd合金という）が
最も多く用いられている。
ところでAg−Pd合金は全率固溶する特性を有する物質で
あり、Pdの比率が減少するほど融点が低下し、コストの
低減を計るためにも高価なPdの含有量が少ない方が好ま
しい。しかしながら誘電体材料の燒結温度は電極材料の
融点よりも低くなければならないのでAg−Pd合金のPdの
含有量を減少させて融点を低くすると、それに伴って誘
電体材料の燒結温度も低くする必要があり、そのため誘
電体材料にバインダーガラスを混合することによって低
温で焼結する方法が採られており、従来より各種のバイ
ンダーガラスが提案されている。
あり、Pdの比率が減少するほど融点が低下し、コストの
低減を計るためにも高価なPdの含有量が少ない方が好ま
しい。しかしながら誘電体材料の燒結温度は電極材料の
融点よりも低くなければならないのでAg−Pd合金のPdの
含有量を減少させて融点を低くすると、それに伴って誘
電体材料の燒結温度も低くする必要があり、そのため誘
電体材料にバインダーガラスを混合することによって低
温で焼結する方法が採られており、従来より各種のバイ
ンダーガラスが提案されている。
また積層セラミックコンデンサーは、その外部に接続用
電極（外部電極）を形成し、この外部電極を回路基板に
直接ハンダ付けすることによって使用させる。この外部
電極は低コスト化、ハンダ耐熱性及びぬれ性の向上を計
るため一般にAg−Pd合金下地外部電極の上にNi,Cu等の
メッキを施し、その上にSn,Pb−Sn等のメッキを施した
構造を有している。
電極（外部電極）を形成し、この外部電極を回路基板に
直接ハンダ付けすることによって使用させる。この外部
電極は低コスト化、ハンダ耐熱性及びぬれ性の向上を計
るため一般にAg−Pd合金下地外部電極の上にNi,Cu等の
メッキを施し、その上にSn,Pb−Sn等のメッキを施した
構造を有している。
［発明が解決しようとする問題点］ 先記したように積層セラミックコンデンサーにはSn,Pb
−Sn等のメッキが施されるが、Sn,Pb−Snメッキ液の酸
性が強く、誘電体材料の耐酸性が低いと特性が劣化す
る。そのためこれに用いるバインダーガラスは耐酸性に
優れていることが要求されるが、充分満足のいく耐酸性
を有するバインダーガラスは未だ存在しないのが現状で
ある。
−Sn等のメッキが施されるが、Sn,Pb−Snメッキ液の酸
性が強く、誘電体材料の耐酸性が低いと特性が劣化す
る。そのためこれに用いるバインダーガラスは耐酸性に
優れていることが要求されるが、充分満足のいく耐酸性
を有するバインダーガラスは未だ存在しないのが現状で
ある。
本発明の目的は、セラミックコンデンサーの誘電体材料
を800〜1000℃の低温で燒結することを可能にし、しか
もSn,Pb−Snメッキ工程においてセラミックコンデンサ
ーをメッキ液中に浸漬した時、メッキ液がセラミックコ
ンデンサー内部に侵入しても誘電体の特性が劣化しない
ような優れた耐酸性を有するセラミックコンデンサー用
バインダーガラスを提供することを目的とするものであ
る。
を800〜1000℃の低温で燒結することを可能にし、しか
もSn,Pb−Snメッキ工程においてセラミックコンデンサ
ーをメッキ液中に浸漬した時、メッキ液がセラミックコ
ンデンサー内部に侵入しても誘電体の特性が劣化しない
ような優れた耐酸性を有するセラミックコンデンサー用
バインダーガラスを提供することを目的とするものであ
る。
［問題点を解決するための手段］ 本発明のセラミックコンデンサー用バインダーガラス
は、重量百分率でZnO50.0〜70.0％、B2O320.0〜30.0
％、SiO25.0〜20.0％、Al2O38.2〜10.5％からなること
を特徴とする。
は、重量百分率でZnO50.0〜70.0％、B2O320.0〜30.0
％、SiO25.0〜20.0％、Al2O38.2〜10.5％からなること
を特徴とする。
本発明において先記のように各成分の含有量を限定した
のは以下の理由による。
のは以下の理由による。
ZnOが50.0％より少ない場合は、ガラスの軟化温度が高
くなりすぎて誘電体材料を1000℃以下で燒結することが
できなくなり、70.0％より多い場合はガラス溶液中に失
透を生成しやすくなる。
くなりすぎて誘電体材料を1000℃以下で燒結することが
できなくなり、70.0％より多い場合はガラス溶液中に失
透を生成しやすくなる。
B2O3はガラスの軟化温度を下げる効果を有するが、20.0
％より少ない場合はガラス溶液中に失透を生成しやすく
なり、30.0％より多い場合は均質なガラスが得られにく
くなる。
％より少ない場合はガラス溶液中に失透を生成しやすく
なり、30.0％より多い場合は均質なガラスが得られにく
くなる。
SiO25.0％より少ない場合は耐酸性が悪くなり、20.0％
より多い場合はガラス化が困難になったり、軟化温度が
上昇して誘電体材料を1000℃以下で燒結することができ
なくなる。
より多い場合はガラス化が困難になったり、軟化温度が
上昇して誘電体材料を1000℃以下で燒結することができ
なくなる。
Al2O3は耐酸性を向上させる効果を有するが、8.2％より
少ない場合はその効果が得られ難く、Pb−Snメッキ液に
よって誘電体の特性が劣化し易く、10.5％より多い場合
はガラス溶液中に失透を生成しやすくなる。
少ない場合はその効果が得られ難く、Pb−Snメッキ液に
よって誘電体の特性が劣化し易く、10.5％より多い場合
はガラス溶液中に失透を生成しやすくなる。
また本発明においては、上記成分以外にも軟化点の調整
のためLi2Ｏを５重量％まで添加することが可能であ
る。
のためLi2Ｏを５重量％まで添加することが可能であ
る。
［実施例］ 以下本発明のセラミックコンデンサー用バインダーガラ
スを実施例に基づいて説明する。
スを実施例に基づいて説明する。
次表は本発明の実施例（試料No.1〜７）及び比較例（試
料No.8）を示すものである。
料No.8）を示すものである。
先表の各ガラス試料は以下のように調製した。
まず設計組成となるように調合した原料を1300℃で１時
間溶融した後、ロール成形し、粉砕した。その後この粉
砕物をアルミナボールミナでさらに微粉砕し、平均粒径
６μｍ程度とした。次いでチタン酸バリウム仮焼体100
重量％に対して先記ガラス微粉砕物を20重量％添加した
後、アルミナボールミナで粉砕して乾燥し、さらに有機
バインダーを加えて造粒した。その後この造粒体をプレ
スして直径20mm、厚さ2mmの円板状素体を作製し、この
円板状素体を空気中で表中の燒結温度で２時間熱処理し
た。
間溶融した後、ロール成形し、粉砕した。その後この粉
砕物をアルミナボールミナでさらに微粉砕し、平均粒径
６μｍ程度とした。次いでチタン酸バリウム仮焼体100
重量％に対して先記ガラス微粉砕物を20重量％添加した
後、アルミナボールミナで粉砕して乾燥し、さらに有機
バインダーを加えて造粒した。その後この造粒体をプレ
スして直径20mm、厚さ2mmの円板状素体を作製し、この
円板状素体を空気中で表中の燒結温度で２時間熱処理し
た。
表中の軟化点は、先記微粉砕したガラスを示差熱分析計
を用いて測定し、また燒結性は、先記円板状素体を燒結
した後、自動比重測定装置を用いてその燒結密度を測定
し、その結果から判定したものである。各試料とも950
℃以下で燒結し、また5.5以上の密度を有しており良好
な燒結性を有していた。さらに耐Snメッキ性は先記ガラ
ス微粉砕物をプレス成形し、650℃で10分間焼成して焼
成体を作製し、これをpHが１以下のSnメッキ液（20℃）
に１時間浸漬した後の重量損失を％表示したものであ
る。この結果、比較例であるNo.8の試料の重量損失が9.
8％であったのに対して、実施例であるNo.1〜７の試料
は、その重量損失が1.2〜1.8％と非常に小さく、Snメッ
キ液に対して優れた耐酸性を有していることがわかる。
を用いて測定し、また燒結性は、先記円板状素体を燒結
した後、自動比重測定装置を用いてその燒結密度を測定
し、その結果から判定したものである。各試料とも950
℃以下で燒結し、また5.5以上の密度を有しており良好
な燒結性を有していた。さらに耐Snメッキ性は先記ガラ
ス微粉砕物をプレス成形し、650℃で10分間焼成して焼
成体を作製し、これをpHが１以下のSnメッキ液（20℃）
に１時間浸漬した後の重量損失を％表示したものであ
る。この結果、比較例であるNo.8の試料の重量損失が9.
8％であったのに対して、実施例であるNo.1〜７の試料
は、その重量損失が1.2〜1.8％と非常に小さく、Snメッ
キ液に対して優れた耐酸性を有していることがわかる。
［発明の効果］ 以上のように本発明のセラミックコンデンサー用バイン
ダーガラスは、セラミックコンデンサーの誘電体材料を
800〜1000℃の低温で燒結することを可能にするため電
極の材料として比較的安価な金属を使用することができ
る、しかも優れた耐酸性を有するためセラミックコンデ
ンサーをSn,Pb−Snメッキ液中に浸漬しても特性の劣化
を妨ぐことができる。
ダーガラスは、セラミックコンデンサーの誘電体材料を
800〜1000℃の低温で燒結することを可能にするため電
極の材料として比較的安価な金属を使用することができ
る、しかも優れた耐酸性を有するためセラミックコンデ
ンサーをSn,Pb−Snメッキ液中に浸漬しても特性の劣化
を妨ぐことができる。
Claims (1)
- 【請求項１】重量百分率でZnO 50.0〜70.0％、B2O3 20.
0〜30.0％、SiO2 5.0〜20.0％、Al2O3 8.2〜10.5％から
なることを特徴とするセラミックコンデンサー用バイン
ダーガラス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13407389A JPH0764582B2 (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | セラミックスコンデンサー用バインダーガラス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13407389A JPH0764582B2 (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | セラミックスコンデンサー用バインダーガラス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02311330A JPH02311330A (ja) | 1990-12-26 |
| JPH0764582B2 true JPH0764582B2 (ja) | 1995-07-12 |
Family
ID=15119754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13407389A Expired - Lifetime JPH0764582B2 (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | セラミックスコンデンサー用バインダーガラス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0764582B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100355684C (zh) * | 2001-11-30 | 2007-12-19 | 旭硝子株式会社 | 密封用组合物以及密封材料 |
| JP6410089B2 (ja) * | 2014-09-09 | 2018-10-24 | 日本電気硝子株式会社 | 半導体素子被覆用ガラス |
-
1989
- 1989-05-26 JP JP13407389A patent/JPH0764582B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02311330A (ja) | 1990-12-26 |
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