JPH0766136B2 - 露出補正装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は人物等の主被写体とその背景等の従被写体に輝
度差がある、いわゆる逆光状態であるときの露出補正装
置に関する。

従来の技術 従来、被写界の部分的輝度（人物等の主被写体の輝度）
と、平均的輝度（背景等の従被写体の輝度）との間に、
被写界の明るさに拘わらず一定値以上の差がある場合に
逆光状態として、ストロボ撮影に自動的に切換わる装置
が特開昭48−94429号公報に示されている。

発明が解決しようとする問題点 上記、特開昭48−94429号公報に示されている装置は、
主被写体の輝度と、背景の輝度との差が一定値以上であ
るときに、逆光状態として、その輝度を少なく補正すべ
く、ストロボ光を発光させている。ところが、ストロボ
発光用の主コンデンサーの充電電圧が所定レベルに達し
ていないときにも、すなわち充電完了していないときに
も上記装置が逆光状態であるとしてストロボ撮影に切換
わり、ストロボを用いた撮影が行なわれるようになって
いる。しかし、主コンデンサーの充電が完了していない
ためにストロボが発光しなかったり発光量不足となり上
記装置の目的が達せられない。又、ストロボ発光用の主
コンデンサーの充電電圧が、所定のレベルに達するまで
撮影不可能とする、いわゆるレリーズ・ロック機能を上
記装置に加えたとすれば、この装置の目的は達せられる
が、上記主コンデンサーの充電電圧が、所定のレベルに
達するまでには、時間がかかり、シャッターチャンスを
逃してしまう。

問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するために、本発明の露出補正装置
は、逆光状態を検出する逆光検出手段と、主コンデンサ
ーを含むストロボ手段と、主コンデンサーの充電が完了
しているか否かを検出する充電完了検出手段と、カメラ
から被写体までの距離を出力する距離出力手段と、カメ
ラの露出を制御する露出制御手段と、逆光状態であるこ
とが検出されたときに、主コンデンサーの充電が完了し
ているとともにカメラから被写体までの距離が無限遠で
ないときは、ストロボ発光を可能とし、主コンデンサー
の充電が完了していないときまたはカメラから被写体ま
での距離が無限遠のときは、ストロボの発光を禁止する
とともに、露出を補正する補正手段とから構成されてい
る。

作 用 逆光検出手段が逆光を検出したときに、充電完了検出手
段によってストロボ手段の主コンデンサーの充電完了が
検出されるとともに距離出力手段によって出力されたカ
メラから被写体までの距離が無限遠でないとき、補正手
段はストロボ手段のストロボを発光するように制御する
ことで逆光の補正を行う。一方、逆光状態が検出された
ときに、主コンデンサーの充電が完了していない場合、
または、カメラから被写体までの距離が無限遠の場合、
補正手段はストロボ発光を禁止するとともに、露出を補
正することによって逆光の補正を行う。

実施例 逆光状態を検知するには、先にも述べたように部分測光
用測光手段と平均測光用測光手段を用いるが、まず部分
測光用の受光素子の測光領域を撮影画面のどこにすれ
ば、効率よく主被写体をとらえることができるか、すな
わち逆光状態をより確実に検知できるかを、上記受光素
子の数を変化させた場合の測光領域について下記に述べ
る。

第２図は部分測光用受光素子が１つの場合である。
（１）は、撮影画面、（２）は平均測光用受光素子が測
光している領域、（３）は測距が行なわれている領域、
（４）は部分測光用受光素子が測光している領域であ
る。部分測光用受光素子が１つの場合、この受光素子の
測光領域を画面の左右方向に対して中央に、上下方向に
対して中央下にする。ここでこの受光素子の測光領域を
左右方向に対して中央にするのは人物が左右方向に対し
て中央に存在する確率が一番高いからである。特にファ
インダー内に測距を行なうための領域を表示するカメラ
については、測距領域をファインダー内の中央部に設定
するのが普通であるため、さらに人物が中央に存在する
確立が多くなる。このとき測距の結果をメモリすること
のできる機構（以下AFロック）を持つカメラにおいて
は、AFロックと同時に、測光の結果をメモリ（以下AEロ
ック）すればフリーズ撮影を行なっても正しい測距及び
測光が行なえる。一方、部分測光用の受光素子の測光領
域が上下方向に対して中央より下になっているのは、主
被写体である人物をより確実にとらえるためである。詳
しく述べると、この受光素子の測光領域を用いて人物の
顔の部分を測光すると、距離が遠くなった場合に撮影画
面における人物の顔が小さくなり、測光領域よりも小さ
くなる。言い換えれば、測光領域が人物の顔以外のとこ
ろも測光する。一般に受光素子は明るい部分にひかれ
る。このため測光領域における人物の顔の部分に比べて
その測光領域内の残りの部分が明るいときは、その測光
領域における人物の顔の占有率にもよるが、受光素子の
測光出力は残りの部分の明るさに依存するようになり、
人物の顔の明るさに対応した測光出力がえられない。さ
らに人物が中央より少しずれると、顔の部分が小さいた
めに測距領域からはずれやすく、正確な人物の顔の露出
が行ないにくくなる。これに比べ人物の体の部分で測光
を行なえば、顔の部分で測光を行なうよりも主被写体が
測光領域からずれる確率が低くなる。この理由から人物
の体の幅（肩幅）で測光を行うことにする。一般に主被
写体が人物である場合、測光する人物の体の部分が画面
の中央より下にくる。このために受光素子の測光領域を
画面の中央より下にする。しかし、あまり下にしすぎる
と、縦位置の画面で撮影が行なわれると、左、右（縦位
置において）に測光領域がかたよってしまい、人物の測
光が行えなくなってしまう。

第３図に測光を行なおうとする最大距離、例えば、測距
装置において測距できる最大の有限距離、部分測光用の
受光素子の測光領域（４）における人物の測光可能範囲
を示す。この図では部分測光用の受光素子の測光領域
（４）が、人物の体の部分に完全に覆われるようにし、
正確に人物の体の部分の測光が行なえるようにしてい
る。このようにして行なう測光において、左右への人物
の移動可能な距離を一方の顔の中心から他方の中心まで
とし、これを（ｄ）とする。

第４図は受光素子を２つにした場合の測光領域を示す。
このとき少なくともどちらか一方の受光素子による測光
領域が、人物に完全に含まれれば良い。測光領域のとり
方は、上下方向に対しては第２図と同じように画面中央
下に、左右方向に対しては、中央を中心に左右対称にす
る。こうすることにより、測光領域が左右に対して拡が
りを持ち、受光素子が１個のときよりも人物を正確にと
らえる確立が高くなる。ここで注意することは、人物の
体の部分を測光するとき、最大距離以内において、第５
図に示すようなことがおこらないようにすることであ
る。

第５図に示す例では、受光素子間の間隔を広くとりすぎ
たために測光を行なおうとする最大距離以内にもかかわ
らず、少なくとも一方の測光領域が人物の体の部分に完
全に含まれない。このような状態では第２図で述べたよ
うに、人物の体以外を測光している領域の明るさが、人
物の体を測光している領域の明るさよりも明るいとき、
人物の体の露出は正確に行なえない。これを解決するに
は、第６図に示すように測光を行なおうとする最大距離
において、人物の体の大きさの部分いっぱいに２つの測
光領域が入るようにすれば良い。これを具体的に数値を
あげ測光領域が人物の対の部分のどれくらいをしめるか
を第７図を参照して、考えてみる。今、測光を行なおう
とする最大距離4.5m、部分測光用の２つの受光素子の受
光角をそれぞれ2.5゜、人物の体（肩）の幅を平均45cm
とする（第７図−（１））。このとき人物の体の幅の測
光される角度はtan^-1（（45cm/4.5m）÷5.7゜になる
（第７図−（２））。これらより、人物の体の幅に対し
て、部分測光領域のしめる割合は第７図−（３）のよう
になる。このとき、人物の左右への移動可能な範囲を第
７図−（４）に示す。画角では（2d′）6.4゜、距離
にすると（2d′）51cmとなる。

第８図には第３図と同じ距離、受光素子１個の測光領域
（４）において、第６図に示すような測光領域のとり方
をしたときの測光可能範囲を示す。第３図と比べ人物が
左右へ移動することのできる距離は２倍の（2d）とな
る。

第９図は受光素子を３つにした場合の測光領域のとり方
の例を示す。受光素子を３つにした場合にも、隣合わせ
の２つの測光領域については、第６図に示すような関係
を保たなければならない。

第３図の場合と同じ距離、受光素子１個の測光領域
（４）における測光可能範囲を第10図に示す。このとき
人物の左右への移動距離は3dとなる。

第11図は−（１）及び（２）は受光素子を３つにした場
合の測光領域の他のとり方である。これは縦位置の画面
を考慮したものである。第９図に比べて、人物の測光可
能範囲が左右方向（縦位置）に拡がりを持つ。

第12図−（１）及び（２）は、受光素子を４つにした場
合の測光領域のとり方の２つの例を示す。

第13図は受光素子を５つにした場合の測光領域のとり方
の例を示す。第12図及び第13図は、第９図に比べ夫々人
物の測光可能範囲が縦位置及び横位置の写真において上
下及び左右に拡がりを持つ。

第14図は本発明の一実施例による絞り兼用シャッターを
有するレンズシャッターカメラの制御回路の全体の構成
を示す。ブロック（Ａ）は電源の保持を行なう電源保持
回路である。ブロック（Ｂ）は、被写体の輝度を測定す
る測光回路及び、カメラ本体から被写体までの距離を測
定する自動焦点検出回路（以下AF回路）から構成され
る。ブロック（Ｃ）は露出制御、レンズ制御及びストロ
ボ光発光制御を行なう制御回路、ブロック（Ｄ）はスト
ロボ回路による電源の昇圧を制御する昇圧制御回路、ブ
ロック（Ｅ）は主コンデンサー、フラッシュチュブ及び
昇圧回路等を含むストロボ回路である。

（S0）はレンズカバー（不示図）に連動し、レンズカバ
ーが開かれると開成（ON）する電源スイッチ、（S1）は
レリーズ釦（不示図）が第１ストロークまで押下された
とき開成（ON）する給電スイッチ、（S2）はそのレリー
ズ釦が第２ストロークまで押下されたとき開成するレリ
ーズスイッチ、（S3）はシャッター等がチャージされた
とき閉成し、露出が完了すると開放する露出完了スイッ
チである。（Ｅ）は電源、（Q1）はブロック（Ｂ）、ブ
ロック（Ｃ）に給電を行なう給電トランジスタである。

第15図はブロック（Ａ）の電源保持回路の具体的な回路
例を示す。レリーズ釦が第１ストロークまで押下されス
イッチ（S1）がONすると、第１操作信号（ｅ）がHighレ
ベル（以下「Ｈ」）になり、この信号が13回路（NOR1）
に入力されると、この回路（NOR1）は、給電信号（ｎ）
としてLOWレベル（以下「Ｌ」）を出力する。これによ
り給電トランジスタ（Q1）がONし、ブロック（Ｂ）及び
ブロック（Ｃ）に給電が行なわれる。続いてレリーズ釦
が第２ストロークまで押下されると、レリーズ操作信号
（ｆ）が「Ｈ」になり、微分回路（OS2）に入力され、
微分信号がRSフリップフロップ（RS1）のセツト端子に
入力される。これによりRSフリプッフロップ（RS1）は
セツトされ、この出力Ｑは「Ｈ」となって、まずノア回
路（NOR1）に出力され、この回路（NOR1）の出力が
「Ｌ」に保持される。すなわち電源が保持される。又、
RSフリップフロップ（RS1）の出力Ｑはタイマー（TM1）
にも出力される。このタイマー（TM1）は、「Ｈ」の信
号が入力するとセツトされ、所定時間経過後に「Ｈ」を
出力する。所定時間経過中又は所定時間経過後に入力信
号が「Ｌ」になると、タイマー（TM1）はこの出力が
「Ｌ」であるときは「Ｌ」を保持し、「Ｈ」であるとき
は「Ｌ」にする。上記所定時間は測光回路及びAF回路の
電源応答に要する時間である。そして所定時間経過後、
タイマー（TM1）は「Ｈ」を出力し、この出力信号は微
分回路（OS4）により微分信号に変換され、この信号に
よつてRSフリップフロップ（RS2）がセツトされる。こ
れにより出力Ｑは「Ｈ」となり、レリーズ信号（Ｏ）と
して出力される。この信号により、シャッターが開き始
め、撮影に必要な適当な露出時間後、シャッターが閉じ
られと、露出完了信号（ｇ）が「Ｌ」になり、インバー
ター（IN1）で「Ｈ」に反転され、微分回路（OS3）で微
分信号に変換される。この微分信号はRSフリプフロップ
（RS1）のリセット端子に出力され、RSフリップフロッ
プ（RS1）をリセットする。このリセットにより出力Ｑ
は「Ｌ」になる。この出力Ｑの「Ｌ」は、インバーター
（IN2）で反転され、「Ｈ」となって微分回路（OS3）に
入力される。微分回路（OS3）はこの信号を微分信号に
変換し、RSフリップフロップ（RS2）のリセット端子に
この微分信号を出力するため、RSフリップフロップ（RS
2）はリセットされ、この回路（RS2）の出力Ｑが「Ｌ」
になる。さらにRSフリップフロップ（RS1）の出力Ｑの
「Ｌ」信号は、ノア回路（NOR1）に出力される。この
後、ノア回路（NOR1）は信号（ｅ）が「Ｌ」になるのを
待って（スイッチ（S1）がOFF）、「Ｈ」を出力し電源
保持を停止する。

第16図はブロック（Ｂ）の測光回路の具体的な回路例と
AF回路の回路例を示す。（SPC1）は平均測光用のシリコ
ンフォトセル、（SPC2）は部分測光用のシリコンフォト
セル、（OA1）、（OA2）は演算増幅器。（D1）、（D2）
は上記シリコンフォトセル（SPC1）、（SPC2）に夫々流
れる光電流を対数圧縮した電圧に変換するためのダイオ
ードである。（COMP3）は、ダイオード（D1）のアノー
ド側の電圧（VD1）を非反転入力とし、ダイオード（D
2）のアノード側の電圧（VD2）を反転入力とし、夫々の
電圧を比較するコンパレーターである。（COMP4）は、
ダイオード（D1）のアノード側の電圧（VD1）を反転入
力とし、基準電圧源（V2）を非反転入力とし、夫々の電
圧を比較するコンパレーターである。（V1）は、シリコ
ンフォトセル（SPC2）のアノードとアース間に接続さ
れ、ダイオード（D2）による対数圧縮電圧を一定電圧だ
けかさ上げるための電圧源である。（LED1）は三角測距
用の赤外光を発光する赤外発光ダイオード（以下赤外LE
Dと言う）、（SPC11）、（SPC12）は上記赤外LED（LED
1）から出て被写体で反射されて返ってくる赤外光を受
光するシリコンフォトセルである。AF回路は、上記赤外
LED（LED1）を発光させる発光回路（１）、上記シリコ
ンフォトセル（SPC11）、（SPC12）の光電流を受け、こ
れを演算し、距離を示す信号に変換するAF制御回路
（２）から構成されており、距離信号（以下AF信号）と
して近、中、遠、無限遠の４点のゾーンを示す信号A1、
A2、A3、A4がブロック（Ｃ）の制御回路へ出力される。
各信号のゾーン（測距範囲）の１例を第１表に示す。

スイッチ（S1）をONすると測光回路及びAF回路に給電が
行なわれ、回路は動き始める。平均測光用シリコンフォ
トセル（SPC1）は、平均測光領域の明るさに応じた光電
流を発生し、この光電流の対数値に比例する電圧（VD
1）がダイオード（D1）のアノード側に現われる。一方
ダイオード（D2）のアノード側の電圧には、部分測光用
シリコンフォトセル（SPC2）により、部分測光領域の明
るさに応じて発生した光電流の対数値に比例する電圧
（VD3）とかさ上げ電圧（V1）との和の電圧（VD2）＝
（VD3＋V1）が現われる。ここで上記電圧（V1）は、平
均測光領域の明るさと、部分測光領域との明るさの比
が、所定値以上であるかどうかを検出するために設定さ
れた電圧である。例えば、平均測光領域の明るさが部分
測光領域の明るさの４倍（Bv値で２段分）以上あるか否
かを判別したいとする。明るさの比が２倍になると、
（SPC1）、（SPC2）の光電流の比が２倍になり、電圧
（VD1）、（VD2）の差が約18mV（at 25℃）になる。し
たがって、上記明るさの比が４倍以上あるかを検出する
には、電圧（V1）を18mV×２＝36mVにし、この電圧分だ
け電圧（VD3）をかさ上げし、ごのかさ上げされた電圧
（VD2）＝（VD3＋V1）と、平均測光部の出力電圧（VD
1）を比較すれば良い。電圧（VD1）、（VD2）はそれぞ
れ非反転入力、反転入力として夫々コンパレーター（CO
MP3）に入力され、比較される。この比較の結果、（VD
1）＞（VD2）であるとき、すなわち平均測光領域の明る
さが、部分測光領域の明るさよりも所定比以上明るいと
き、コンパレーター（COMP3）は「Ｈ」を出力する。本
実施例では、これを検出したときに逆光状態であると判
断している。コンパレーター（COMP3）の比反転入力で
ある電圧（VD1）はコンパレーター（COMP4）の反転入力
にもなっている。一方このコンパレーター（COMP4）の
比反転入力には基準電圧（V2）が入力されており、この
コンパレーター（COMP4）は電圧（VD1）が一定電圧以下
であるか否かを判別し、一定電圧以下であるとき、コン
パレーター（COMP4）は「Ｈ」を出力する。本実施例で
はこのときを低輝度であると判断している。そしてアン
ド回路（G13）、（G14）及びインバータ（IN3）、（IN
4）から成る論理回路により、コンパレーター（COMP
3）、（COMP4）の出力に応じて、信号（ａ）（ｂ）
（ｃ）が出力される。（ａ）は逆光かつ、低輝度でない
ときに「Ｈ」、信号（ｂ）は逆光でなくかつ、低輝度で
ないとき「Ｈ」、信号（ｃ）は低輝度のときに「Ｈ」と
なり、ブロック（Ｃ）の制御回路に出力される。なお、
電圧（VD1）は平均測光の輝度を表す信号（ｄ）とし
て、そのままブロック（Ｃ）の制御回路へ、出力され
る。

第２表に上記信号（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の出力状態を
示す。

第17図は、ブロック（Ｃ）の制御回路の具体的な回路例
を示す。（100）は平均輝度を示す電圧信号（ｄ）をシ
フトするレベルシフト回路、（AS1）（AS2）は「Ｈ」の
信号が送られると導通するアナログスイッチ、（101）
はアンド回路（G21）からの「Ｈ」の信号を受けてアナ
ログスイッチ（AS1）又は（AS2）を通過したアナログの
電圧信号をデジタル信号に変換するA/D変換回路、（10
2）はシャッターの走行中シャッター位置を示す信号を
出力するシャッター位置検出回路、（105）は上記A/D変
換回路（101）からの信号、シャッター位置検出回路（1
02）からの信号及び、後述のISO感度情報回路（106）か
らのISO感度情報信号を入力とし、これらの信号が所定
の関係になったとき、シャッターを閉じる信号をシャッ
ターマグネット（AEMg）へ出力するシャッター閉成信号
発生回路（以下AE回路と言う）、（106）はISO感度情報
を電気信号に変換するISO感度情報回路（以下SV回路と
言う）、（TM3）はアンド回路（G21）からの「Ｈ」の信
号を受けて作動し、所定時間経過後、レンズレリーズの
開始を行なわせるための信号をレンズレリーズ装置（11
1）に出力し、また、レンズレリーズ開始から所定時間
経過後、シャッターレリーズの開始を行なわせるための
信号をシャッターレリーズ装置（112）へ出力するタイ
マー、（TM4）はシャッターレリーズの開始信号を受け
て計時を開始し、手振れ限界となる時間を経過したとき
に、強制的にシャッター閉成する信号を出力するタイマ
ー、（107）はレンズの走行中レンズ位置を示す信号を
出力するレンズ位置検出回路、（108）はAF回路からの
距離を示すAF信号、SV回路（106）からのISO感度情報信
号、後述する発光量制御回路（110）からの光量判別信
号及びシャッター位置検出回路（102）からのシャッタ
ー位置信号を入力とし、シャッターが走行を開始した後
に閃光撮影時に適正な露出となる絞り値になったとき
に、信号を出力するフラッシュマチック回路（以下FM回
路と言う）、（109）はレンズ位置検出回路（107）から
のレンズ位置信号と、AF回路からのAF信号を入力とし、
レンズの走行開始後、被写体距離に応じたレンズ位置に
レンズがきたとき、レンズを停止させるためにレンズマ
グネット（LeMg）を離反させる信号を出力するレンズ停
止回路である。（110）は、AF回路からのAF信号と、SV
回路（106）からのISO感度情報信号とを受け、ストロボ
のガイドナンバーが小さく切換えられたときに、レンズ
の開放絞り値において適性露出となり得る最大距離が、
上記AF信号の示す距離以上であるかを判別する発光量制
御回路である。

第18図は、第14図ブロック（Ｄ）の昇圧制御回路の具体
的な回路図を示す。この回路に入力される信号（ｋ）
（ｍ）を説明すると、信号（ｋ）は、第１の主コンデン
サー（CM1）（第19図参照）の充電電圧が、所定の電圧
に達していないときに「Ｈ」となる未充電信号であり、
信号（ｍ）はスイッチ（S0）がONしたときに「Ｈ」とな
るメインスイッチ信号である。スイッチ（S0）がONされ
るとメインスイッチ信号（ｍ）が「Ｈ」になり、この信
号はアンド回路（G31）に入力される。このとき第１の
主コンデンサー（GM1）の充電電圧が所定の電圧に達し
ていないと、未充電信号（ｋ）は「Ｈ」である。又、ス
イッチ（S1）がONされていないと第１操作信号（ｅ）は
「Ｌ」であり、この信号はインバータ（IN22）で反転さ
れ「Ｈ」となって、上記未充電信号と共にアンド回路
（G31）に入力される。これによりアンド回路（G31）の
出力は「Ｈ」となり、この信号は微分回路（OS11）で微
分信号に変換される。この微分信号はRSフリップフロッ
プ（RS11）のセット端子（Ｓ）に出力され、これにより
RSフリップフロップ（RS11）がセットされる。このセッ
トにより昇圧制御信号（ｌ）であるRSフリップフロップ
（RS11）の出力Ｑが「Ｌ」になり、第20図のストロボ回
路の昇圧制御トランジスタ（Q11）をONさせて昇圧を開
始させる。この昇圧中に、スイッチ（S1）がONされ、第
１操作信号（ｅ）が「Ｈ」になると、この信号はオア回
路（OR21）を通して、微分回路（OS12）に出力される。
微分回路（DS12）はこの信号を微分信号に変換し、この
微分信号をRSフリップフロップ（RS11）のリセット端子
（Ｒ）に出力する。この信号によりRSフリップフロップ
（RS11）はリセットされ、このリセットで昇圧制御信号
（ｌ）である出力Ｑは「Ｈ」となる。この信号は昇圧制
御トランジスタ（Q11）をOFFさせ、昇圧を停止させる。
その後スイッチ（S1）がOFFされると、第１操作信号
（ｅ）が「Ｌ」となり、この信号を反転するインバータ
ー（IN22）の出力が「Ｈ」となりアンド回路（G31）に
送られる。今スイッチ（S0）がONされており、第１の主
コンデンサー（CM1）は未充電であるために、アンド回
路（G31）は「Ｈ」を出力し、上記と同じように微分回
路を介し、RSフリップフロップ（RS11）がセットされ、
昇圧制御信号（ｌ）が「Ｌ」になり、昇圧が再開され
る。昇圧が続けられ、第１の主コンデンサー（CM1）の
充電電圧が所定の電圧を達すると、すなわち第１の主コ
ンデンサーの充電が完了すると、未充電信号（ｋ）は
「Ｌ」となり、インバーター（IN21）で「Ｈ」に反転さ
れてオア回路（OR21）に出力される。この後はスイッチ
（S1）がONされたときと同じようにして、オア回路（OR
21）の出力の「Ｈ」は微分回路（OS12）で微分信号に変
換され、この信号によりRSフリップフロップ（RS11）が
リセットされ、昇圧制御信号（ｌ）であるこのフリップ
フロップ（RS11）の出力Ｑが「Ｈ」となり、昇圧が停止
する。一方未充電信号（ｋ）が「Ｌ」になると、アンド
回路（G31）は閉じられる。なお、本実施例においては
ネオン管（Ne）のヒステリシスを利用して、上記昇圧を
停止させる第１の所定電圧と、第１の所定電圧よりも低
く、発光光量を保証する第２の所定電圧とを充電完了電
圧として用いており、第１の主コンデンサー（CM1）の
充電電圧が第１の所定電圧に達した後、第２の所定電圧
に降下するまで、未充電信号（ｋ）は「Ｌ」に保持さ
れ、このためアンド回路（G31）は「Ｌ」に保持され
る。すなわち、第１の主コンデンサー（CM1）の充電電
圧が第１レベルの電圧に達した後、第２レベルの電圧に
降下するまで、一切の信号にかかわらず昇圧の停止を保
持する。信号（Ｊ）は、第１の主コンデンサー（CM1）
の充電完了を示すその充電完了信号であり、インバータ
（IN21）で未充電信号を反転させた信号である。

第19図は第14図に示したブロック（Ｅ）のストロボ回路
の具体的な回路例を示す。（Q11）は昇圧の制御を行な
う昇圧制御トランジスタ、（Q12）は電流を帰還させる
帰還トランジスタ、（Q13）はDC−DCコンバータ（DC−D
C）に発振を行なわせる発振トランジスタ、（DC−DC）
は低電圧を高電圧に変換する昇圧トランス、（D11）
は、整流を行なう整流ダイオード、（Ne）は主コンデン
サー（CM1）が所定電圧に達したときに導通する充電電
圧検出用のネオン管、（Q14）は、上記ネオン管（Ne）
が導通したときにONし、昇圧停止を行なわせる昇圧停止
トランジスタ、（CM1）、（CM2）はストロボ発光に必要
な充電電荷を蓄積する第１、第２の主コンデンサーであ
る。第２の主コンデンサー（CM2）に蓄積される電荷量
は、第１の主コンデンサー（CM1）に蓄積される電荷量
より少なくしてある。（FT）はトリが回路からの高電圧
を受け、上記第１、第２の主コンデンサー（CM1）、（C
M2）の充電電荷を放電し、ストロボ光を発光するフラッ
シュ・チューブ、（SR1）はストロボの発光光量を切換
えるサイリスタで、このサイリスタ（SR1）がONされた
ときには、第１、第２の主コンデンサー（CM1）、（CM
2）の充電電荷が放電され、大光量のストロボ光を提供
し、ONされないときには、第２の主コンデンサー（CM
2）の充電電荷を放電し、小光量のストロボ光を提供す
る。すなわち、サイリスタ（SR1）のON、OFFによりスト
ロボのガイドナンバーが大小２通りに切換わる。点線で
囲まれたブロック（Ｆ）は、トリガ信号（ｈ）を受けて
サイリスタ（SR2）がONすることにより、フラッシュチ
ューブ（FT）にストロボ光を発光させるための高電圧を
発生させるトリガ回路である。ここで上記発光量制御回
路（110）とFM回路（108）との具体的な回路構成の説明
を行なう。その前にストロボのガイドナンバが大、小２
通りに切換えられるときに、レンズの開放絞り値におい
て適正露出となる最大距離（最大連動距離と言う）が、
ISO感度に応じてどのように変わるか、又それがAF回路
から送られてくるAF信号が示す測距ゾーンのどれに該当
するかを説明する。尚、開放絞り値はＦ（NO）＝2.8、
ストロボ光の大小のガイドナンバ（GN）は、夫々（GN）
＝12、（GN）＝６であるとする。ISO感度100のフィルム
を使った場合に、最大連動距離は（ガイドナンバ（G
N））＝（絞り（FNO）×（距離（Ｄ））で示される周知
の関係式から求められる。上式よりガイドナンバ（GN）
＝６のとき、開放絞りは（FNO）＝2.8なので最大連動距
離は、約2.1mになる。ISO感度200のフィルムを使った場
合は、上記最大連動距離を した約3m、同様にISO感度400のフィルムを使った場合、
最大連動距離は約4.2m、ISO感度1000のフィルムを用い
た場合、最大連動距離は約6.1mになる。この最大連動距
離とAF信号が示す測距範囲を比べ、どの測距範囲までな
ら適正写真が撮れるかを考えてみる。ISO感度100のフィ
ルムを使用したときは、最大連動距離は約2.1mなので、
AF信号が示す測距範囲の中距離の範囲まで、適正露出の
フラッシュ撮影が可能である。距離2.1mの被写体に対し
ては適正露出となるが、中距離の範囲は1.4m〜2mである
ため、1.4mの距離の被写体を撮影したとき約IEVオーバ
ーになる。しかしネガタイプのフィルムのラチュードを
考えると、適正露出からオーバー側に約５〜6EVぐらい
の許容域があるので、適正露出から約1EVオーバーして
もさしつかえない。反対に適正露出からアンダー側のフ
ィルムのラチチュードを考えると、約2EVぐらいの許容
域しかないので、ストロボ光（自然光でも同じである
が）による露出をできる限り適正露出からアンダー側に
はしたくない。以上のような考えにもとづけば、フラッ
シュ撮影は、ISO感度200のフィルムを使用したときに
は、中距離の範囲まで可能であり（絞りは（FNO）＝4.
3）、ISO感度400のフィルムでは遠距離の範囲（最大4.2
m）まで可能であり、（絞りは（FNO）＝2.8）、ISO感度
1000のフィルムでは遠距離まで可能である（絞り）（FN
O）＝4.3）。

第３表に（GN）＝（FNO）×（Ｄ）の関係式よりもとめ
られた。ストロボのガイドナンバと撮影距離及びそれら
に対応した絞り値を示す。これに対し第４表は本実施例
に用いたストロボのガイドナンバと撮影距離及びそれら
に対応した絞り値を示す。

第20図は発光量制御回路（110）の具体的な回路例を示
す。第20図においてISO信号がSV回路（106）から２ビッ
トでデコータ（130）に送られデコードされ、信号（I
1）〜（I4）として出力される。このデコードされたISO
信号（I1）〜（I4）は夫々ISO感度100、200、400、1000
に対応している。そこでISO感度100のフィルムを使用し
たときは中距離の範囲まで適性露出可能なので、ISO感
度100を示す信号（I1）は、近距離の範囲を示す信号（A
1）と、中距離の範囲を示す信号（A2）とを入力とする
オア回路（OR31）の出力を一方の入力とするアンド回路
（G41）の他方の入力に入力される。これにより、ISO感
度100のフィルムを使用したときに、AF信号が中距離ま
での範囲を示す信号であるときは、アンド回路（G41）
の出力が「Ｈ」となり、この信号がオア回路（（OR33）
に出力され、この回路（OR33）はストロボ光量の小を示
す信号として「Ｈ」を出力する。同様にして、ISO感度2
00のフィルムを使用したときには、ISO感度200を示す信
号（I2）と中距離までの範囲を示すオア回路（OR31）の
出力とが、アンド回路（G42）に入力され、この回路（G
42）の出力がオア回路（OR33）に出力される。ISO感度
の400のフィルムを使用したときは、遠距離の範囲まで
適性露出可能なので、ISO感度400を示す信号（I3）は、
中距離までの範囲を示すオア回路（OR31）の出力と、遠
距離の範囲を示す信号（A3）とを入力とするオア回路
（OR32）の出力を一方の入力とするアンド回路（G43）
の他方の入力に入力される。そしてこの回路（G43）の
出力がオア回路（OR33）に出力される。同様にISO感度1
000のフィルムを使用したときは、遠距離までの範囲を
示すオア回路（OR32）の出力と、ISO感度1000を示す信
号とがアンド回路（G44）に入力され、この回路（G44）
の出力がオア回路（OR33）に出力される。以上のような
構成をとることによりストロボのガイドナンバが小さく
て良い場合、すなわちストロボの発光光量が少なくてよ
い場合には、オア回路（OR33）から「Ｈ」の信号が出力
される。上記以外の場合、例えばISO感度100のフィルム
を使用したときに、AF信号として遠距離を示す信号（A
3）が送られてくると、ストロボのガイドナンバを大き
な値に切換える信号として、オア回路（OR33）から
「Ｌ」の信号が出力される。このオア回路（OR33）から
の信号はインバータ（IN14）で反転され信号（ｉ）とな
り、これがサイリスタ（SR1）のゲートに入力される。

次に、第21図はFM回路（108）の具体的な回路例を示
す。このFM回路（108）は、ガイドナンバ（GN）と距離
（Ｄ）の情報を入力とし、（GN）＝（FNO）×（Ｄ）の
関係式に従って絞り値（FNO）を決定すると共に、さら
にISO感度の情報を入力とし、その感度情報に応じて適
正露出となるように上記絞り値（FNO）を変化させてい
る。本実施例ではストロボのガイドナンバを大、小２通
りに切換えているため、夫々のガイドナンバに応じた適
正絞りを決定しなければならない。これを簡単な回路で
構成するために、異なるガイドナンバの一方について上
記関係式により絞り値を決定し、他方のガイドナンバに
ついてはこれを示す信号を受け、一方のガイドナンバと
の差に相当する絞り値だけ、上記決定された絞り値をシ
フトさせ、絞り値を決定している。このことを第21図を
用いて説明する。第21図において、FM用デコーダ（12
0）は第17図のSV回路（106）からのISO感度情報信号
と、AF信号（A1）〜（A4）とを入力とし、大きい方のガ
イドナンバに対し適正露出となる絞りを決定しこれに相
当する信号を、加算回路（121）及びセレクター（122）
に出力する。加算回路（121）は、FMデコーダ（120）か
らの信号を所定量かさ上げし、小さい方のガイドナンバ
に対して適正露出となる絞りを示す信号をセレクター
（122）に出力する。セレクター（122）は発光量制御回
路（110）からのガイドナンバ切換信号（ｉ）によっ
て、加算回路（121）及びFM用デコーダ（120）から送ら
れてきた絞り値信号を選択し、一致検出回路（123）に
出力する。セレクター（122）が、信号（ｉ）として
「Ｈ」の信号を受けると、加算回路（121）から送られ
てくる信号を一致回路（123）に出力する。逆に、信号
（ｉ）として「Ｌ」の信号を受けると、セレクター（12
2）はFM用デコーダ（120）から送られてくる信号を一致
回路（123）に出力する。そして一致回路（123）は、セ
レクター（122）から送られてくる絞り値を示す信号
と、シャッターの走行位置、すなわち実際の絞り値を示
す信号とを入力とし、これらの信号が一致したとき、ス
トロボ光を発光させるために「Ｈ」を出力する。

次に本実施例における全体の流れを説明する。本実施例
の主旨は、撮影時におけるさまざまな状態に基づいてど
のようにカメラを制御するかにあり、以下その状態を細
かく分け、それに従って第17図を中心に説明する。

（イ）逆光状態でなく、 低輝度でない…AE撮影 （ロ）逆光状態であり、 低輝度でない…日中シンクロ撮影 （ハ）低輝度である…閃光撮影 （イ）逆光状態でなく 低輝度でない場合…AE撮影 電源スイッチ（S0）がONされ、不示図のレリーズ釦が第
１ストロークまで押下されると、給電スイッチ（S1）が
ONになり、各回路に給電される。この給電によりブロッ
ク（Ｂ）の測光回路は測光を行ない、この出力が演算回
路で演算される。この演算の結果、信号（ａ）、
（ｂ）、（ｃ）の状態は（ａ）＝「Ｌ」、（ｂ）＝
「Ｈ」、（ｃ）＝「Ｌ」となり、ブロック（Ｃ）の制御
回路（第17図）に出力される。第17図において信号
（ｂ）が「Ｈ」であるため、ノア回路（NOR12）は、
「Ｌ」を出力し、この信号を入力しているアンド回路
（G25）は閉じられ、この回路（G25）の出力であるトリ
が信号（ｈ）は「Ｌ」に保持される。したがって第19図
のサイリスタ（SR2）はONされず、この状態では、スト
ロボ光は発光されない。他の信号である（ａ）が「Ｌ」
であるため、アンド回路（G23）は「Ｌ」を出力し、こ
れを反転するインバータ（IN13）は「Ｈ」を出力する。
これによりアナログスイッチ（AS1）がONされ、輝度値
を示す信号（ｄ）は、このままA/D変換回路（101）に送
られA/D変換されるのを待っている。このA/D変換を開始
させる信号を出力するアンド回路（G21）の入力は、レ
リーズ信号（０）、露出完了信号（ｇ）及びオア回路
（OR11）の出力である。今、シャッターがチャージされ
ているものとして、露出完了信号（ｇ）は、「Ｈ」を出
力する。又被写体の明るさが低輝度でないために信号
（ｃ）が「Ｌ」であり、この信号がインバーター（IN1
1）で反転され「Ｈ」となるため、オア回路（OR11）は
「Ｈ」を出力する。そして不図示のレリーズ釦がだい２
ストロークまで押下されると、レリーズスイッチ（S2）
がONし、これにより第15図のレリーズ操作信号（ｆ）が
「Ｈ」になり、ブロック（Ａ）の電源保持回路を通し
て、レリーズ信号（０）が「Ｈ」になる。するとアンド
回路（G21）の出力は「Ｈ」になり、A/D変換回路（10
1）へ送られ、輝度信号（ｄ）のA/D変換が開始される。
又アンド回路（G21）の出力は、タイマー（TM3）にも出
力される。このタイマー（TM3）は上記信号を受け計時
を始め、A/D変換及びシャッターが開くまでに必要とす
る信号処理に要する時間の経過後「Ｈ」を出力し、レン
ズのレリーズを開始させる。これにより、レンズは繰り
出しを開始する。この繰り出し量を検出するレンズ位置
検出回路（107）からの信号と、AF回路からのAF信号と
がレンズ停止回路（109）に入力され、AF信号が示す距
離に相当するレンズ位置に繰り出されたとき、両信号は
一致し、レンズ停止回路（109）からレンズマグネット
（LeMg）を離反する信号が出力され、レンズの繰り出し
が停止する。又タイマー（TM3）からは、レンズレリー
ズ開始から、レンズ停止までに必要とするまでに必要と
する最大時間、（例えば、無限距離から近距離又は、近
距離から無限距離にレンズを移動させるのに要する時間
に、余裕を含めた時間）の経過後にAEレリーズを開始さ
せるための信号が出力され、不示図のシャッターが開き
始める。このシャッターが開き始めると、シャッター位
置検出回路（102）から出力されるシャッタ位置を示す
信号及び上記A/D変換回路（101）でA/D変換され、輝度
値を示す信号及びSV回路（106）から出力されるISO感度
情報に応じた信号とがAE回路（105）に入力され、上記I
SO感度情報にもとづき、上記シャッター位置を示す信号
と、輝度値を示す信号とが所定の関係になったとき、
「Ｈ」の信号がオア回路（OR12）に入力され、AEマグネ
ット（AEMg）が離反し、シャッターが閉じられる。そし
て露出が終了すると露出完了信号（ｇ）が「Ｌ」とな
り、これによりアンド回路（G21）が閉じられ、タイマ
ー（TM3）がOFFする。又、指をレリーズ釦から離し、給
電スイッチ（S1）がOFFされると、第15図の第１操作信
号（ｅ）が「Ｌ」となり、そして給電信号（ｎ）が
「Ｈ」となり、各回路への給電が停止される。

（ロ）逆光状態であり、低輝度でない場合 電源スイッチ（S0）がONされ、第１の主コンデンサー
（CM1）の充電電圧が所定の電圧に達していないときに
は、昇圧が開始され、第１、第２の主コンデンサー（CM
1）、（CM2）に充電が行なわれる。そして、第１の主コ
ンデンサー（CM1）が所定の電圧に達していないとき
に、レリーズ釦が第１ストロークまで押下されると、直
ちに昇圧を停止する。これと同時に、測光回路（Ｂ）に
給電が行なわれ、測光が開始され、この測光の結果信号
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の状態は、逆光状態で低輝度で
ないために（ａ）＝「Ｈ」、（ｂ）＝「Ｌ」、（ｃ）＝
「Ｌ」となり、これらの信号はブロック（Ｃ）の制御回
路（第17図）に送られる。今第１の主コンデンサー（CM
1）が所定の電圧に達していないために、充電完了信号
（ｊ）は「Ｌ」となり、インバータ（IN12）で反転され
「Ｈ」になりアンド回路（G23）に出力される。一方、
アンド回路（G23）の他の入力信号である信号（ａ）は
「Ｈ」なので、アンド回路（G23）は「Ｈ」を出力し、
アナログスイッチ（AS2）を導通させる。これにより輝
度値を表わすアナログ信号（ｄ）はレベルシフト回路
（100）で、所定値だけ暗い方にシフト（露出をオーバ
ー側に補正）され、A/D変換回路（101）に出力される。
これは第１の主コンデンサーの充電が完了していないた
めに、逆光状態のときの露出補正がストロボ光を用いて
できないので、絞りとシャッタースピードを自動的に切
換えて（レベルシフトを行なって）逆光状態のときの露
出補正を行なうためである。又、第１の主コンデンサー
の充電電圧が所定のレベルには達していないが、発光を
行なうには十分な電圧に達しているときに、トリガ信号
がサイリスタ（SR1）に送られてくると、サイリスタ（S
R1）はONしストロボ発光が行なわれる。すると今、主被
写体が適正露出となるように、適正露出からオーバー側
に露出をシフトしているが、これにストロボ光が加えら
れると、その量にもよるが、主被写体までも露出オーバ
ーになってしまう。そこでこれを防止すべく、未充電状
態を示す充電完了信号（ｉ）の「Ｌ」をインバータ（1
6）で反転させ「Ｈ」とし、ノア回路（NOR12）に出力
し、これを入力したノア回路（NOR12）は「Ｌ」をアン
ド回路（G25）に出力して、アンド回路（G25）を閉じ、
ストロボ発光を強制的に禁止させている。そしてレリー
ズ釦が第２ストロークまで押下されると、前述した
（イ）の場合と同じシーケンスで回路動作が行なわれレ
ベルシフトされた輝度値で露出が行なわれる。一方第１
の主コンデンサー（CM1）の充電が完了している場合、
これを表す充電完了信号（ｊ）は「Ｈ」となり、インバ
ータ（IN12）で反転された「Ｌ」になるので、この信号
を入力とするアンド回路（G23）は閉じられ「Ｌ」を出
力する。この信号はインバータ（IN13）で反転され
「Ｈ」となりアナログスイッチ（AS1）を導通させる。
これによって輝度値す信号（ｄ）は、このままA/D変換
回路に送られる。AF回路から出力されるAF信号は発光量
制御回路（110）及びFM回路（108）に入力される。発光
量制御回路（110）で前述した回路動作で、小さい方の
ガイドナンバを選択する信号「Ｈ」が出力されると、イ
ンバータ（IN14）は、この信号を反転し、発光量切換信
号（ｉ）として第19図のストロボ回路のサイリスタ（SR
1）のゲートに出力する。一方大きい方のガイドナンバ
を選択する信号「Ｌ」が、発光量制御回路（110）から
出力されると、インバータ（IN14）はこの信号を反転
し、「Ｈ」の信号を第19図のストロボ回路のサイリスタ
（SR1）のゲートに出力する。又AF信号の内、無限遠を
示す信号（A4）が送られているときには、この信号を入
力しているアンド回路（G24）は、もう一方の入力であ
る信号（ａ）の「Ｈ」を受けて、「Ｈ」の信号をノア回
路（NOR12）に出力する。ノア回路（NOR12）はこの信号
を受け「Ｌ」をアンド回路（G25）に出力する。したが
ってアンド回路（G25）は、閉じられ信号（ｈ）が
「Ｌ」となるため、ストロボ光の発光が強制的に禁止さ
れる。一方、AF信号が有限距離を示すとき（A1、A2、A3
のいずれかが「Ｈ」）、アンド回路（G24）は「Ｌ」を
ノア回路（NOR12）に出力する。ノア回路（NOR12）のも
う一方の入力である信号（ｂ）も「Ｌ」であるためにノ
ア回路（NOR12）は「Ｈ」をアンド回路（G25）に出力す
る。これによりアンド回路（G25）はオア回路（OR14）
の出力が「Ｈ」になるのを待って、撮影光を発光さすた
めのトリガ信号（ｈ）＝「Ｈ」を出力することができ
る。

レリーズ釦が第２ストロークまで押下され、レリーズス
イッチ（S2）がONすると、レンズの繰り出し停止まで前
述（イ）の場合と全く同じ回路動作が行なわれる。そし
てタイマー（TM3）からレリーズ開始の信号が送られる
とシャッターは開き始める。AE回路（105）はA/D変換回
路（101）からの輝度信号とSV回路（106）からのISO感
度情報信号とを入力し、上記ISO感度に基づき、シャッ
ター位置検出回路（102）から送られてくるシャッター
位置信号と上記輝度信号とが所定の関係になったとき
「Ｈ」を出力する。オア回路（OR12）はこの信号を受け
「Ｈ」を出力し、AEマグネット（AEMg）を離反させ、シ
ャッターを閉じる。この回路（OR12）の出力はオア回路
（OR14）にも出力される。オア回路（OR14）は、FM回路
（108）からの信号も入力される。FM回路（108）は、ス
トロボ光を用いた撮影において、シャッターが適正露出
となる絞り値になったときに信号を出力する。しかし、
その適正絞りとなる前に、シャッター閉じ信号であるオ
ア回路（OR12）の出力が送られてくれば、オア回路（OR
14）はこの信号を通し、AE回路（105）で決められた最
大口径の絞りで、ストロボ光が発光する。逆に、シャッ
ター閉じ信号がオア回路（OR14）に送られてくるまえ
に、FM回路（108）から、絞りがストロボ撮影における
適正絞りになったときにストロボ光を発光させるための
信号が出力されれば、その時点でストロボ光が発光す
る。そして、AE回路（105）で決められる絞り値になっ
たときに、シャッターが閉じられる。又、オア回路（OR
14）はアンド回路（G25）に「Ｈ」を出力する。前述し
たように、AF信号が有限距離を示すときには、アンド回
路（G25）がトリが信号（ｈ）として「Ｈ」をストロボ
回路（Ｅ）に出力し、サイリスタ（SR2）をONさせ、こ
れによりトリが回路（Ｆ）が作動し、フラッシュチュー
ブ（FT）に高電圧がかかる。小さい方のガイドナンバを
選択する信号が発光量制御回路（110）から送られてい
れば、インバータ（IN14）は発光量切換信号（ｉ）とし
て「Ｌ」をストロボ回路（Ｅ）に出力する。このとき、
サイリスタ（SR1）はONしない。したがって、第２の主
コンデンサー（CM2）に蓄えられた電荷だけがフラッシ
ュチューブ（FT）を通して放電される。一方発光量制御
回路（110）から、大きい方のガイドナンバを選択する
信号が送られていれば、発光量切換信号として「Ｈ」を
ストロボ回路に送りサイリスタ（SR1）をONさせる。し
たがって第１、第２の主コンデンサー（CM1）、（CM2）
に蓄えられた電荷が、フラッシュチューブ（FT）、サイ
リスタ（SR1）を通して放電される。

（ハ）低輝度である場合・・・閃光撮影 この状態での撮影における回路の動作は、前述した
（ロ）の逆光状態であり、低輝度でない場合とほとんど
同じであるので異なる点を中心に説明する。電源スイッ
チ（S0）がONされ、第１の主コンデンサー（CM1）の充
電電圧が所定の電圧に達していないときには、昇圧が開
始され、第１、第２の主コンデンサー（CM1）、（CM2）
に充電が行なわれる。そして第１の主コンデンサー（CM
1）の充電電圧が所定の電圧に達していないときに、レ
リーズ釦が第１ストロークまで押下されると、直ちに昇
圧を停止する。これと同時に測光回路（Ｂ）に給電が行
なわれ、測光が行なわれる。この測光の結果信号
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の状態は低輝度であるために
（ａ）＝「Ｌ」、（ｂ）＝「Ｌ」、（ｃ）＝「Ｈ」とな
り、これらの信号はブロック（Ｃ）の制御回路（第17
図）に送られる。信号（ａ）が「Ｌ」であるために、こ
の信号を入力とするアンド回路（G23）は閉じられ
「Ｌ」を出力する。この信号はインバータ（IN13）で反
転され「Ｈ」となり、アナログスイッチ（AF1）を導通
させ、輝度値（ｄ）がこのままA/D変換回路（101）に送
られる。又アンド回路（G24）も信号（ａ）を入力して
いるため閉じられ、「Ｌ」をノア回路（NOR12）に出力
する。ノア回路（NOR12）のもう一方の入力である信号
（ｂ）は「Ｌ」である。これら２つの入力によりノア回
路（NOR12）は「Ｈ」をアンド回路（G25）に出力する。
アンド回路（G25）は、この信号により、オア回路（OR1
4）の「Ｈ」の出力を待って、ストロボ光を発光させる
トリガ信号（ｈ）として「Ｈ」を出力することができ
る。今、充電完了信号（ｊ）は第１の主コンデンサー
（CM1）の充電電圧が所定の電圧に達していないために
「Ｌ」となり、これを入力とするアンド回路（G22）は
閉じられ「Ｌ」をオア回路（OR11）に出力する。又低輝
度であるために信号（ｃ）は「Ｈ」となり、インバータ
（IN11）で反転され「Ｌ」となってオア回路（OR11）に
出力される。オア回路（OR12）はこれら２つの「Ｌ」信
号を入力するために、「Ｌ」をアンド回路（G21）に出
力する。このために、レリーズ釦が第２ストロークまで
押下されレリーズスイッチ（S2）がONし、レリーズ信号
（０）が「Ｈ」になってもアンド回路（G21）は「Ｈ」
を出力しない。すなわちレリーズロックが行なわれてい
る。そして、レリーズ釦が解放されて、再度昇圧が行な
われ、第１の主コンデンサー（CM1）の充電電圧が所定
の電圧に達したときに、レリーズ釦を第１ストロークま
で押下すると、充電完了信号（ｊ）が「Ｈ」になってお
り、この信号を入力しているアンド回路（G22）の出力
の「Ｈ」は、オア回路（OR11）を通して、アンド回路
（G21）に出力される。これによりレリーズロックが解
除される。この後、レリーズ釦が第２ストロークまで押
下され、レリーズスイッチがONし、レリーズ信号（０）
が「Ｈ」になると、アンド回路（G21）の出力は「Ｈ」
になり、この信号を受けレンズレリーズ及びA/D変換が
開始する。これ以後（ロ）の逆光状態である場合と同じ
回路動作が行なわれるが、低輝度であるために露出時間
が長くなり手振れを起こすことがある。これを防止する
ためにAEレリーズと同時にタイマー（TM4）を働かせ、
手振れを起こすと思われる時間が経過すると「Ｈ」をオ
ア回路（OR12）に送り、強制的にAEマグネット（AEMg）
を離反させ、シャッターを閉じている。

第22図は、第16図の測光回路の第１の変形例である。ト
ランジスタ（Q21）、（Q22）、抵抗（R11）、（R12）は
周知の定電流回路である。トランジスタ（Q23）、（Q2
4）は上記定電流回路の定電流（I5）を、ダイオード（D
11）、（D12）に流す。これによりこのダイオード（D1
1）とトランジスタ（Q24）の接続点（J1）にダイオード
２段分の安定した電圧が供給される。（SPC20）は、平
均測光用の受光素子でありカソードが接続点（J1）に接
続され、光電流（I7）をダイオード（D13）に流してい
る。このダイオード（D13）は、光電流（I7）を受け、
それを対数圧縮した電圧（VD10）を発生する。トランジ
スタ（Q25）はベースが上記ダイオード（D13）のアノー
ドに接続され、上記対数圧縮された電圧（VD10）を対数
伸長し、光電流（I7）と等しい電流を流す。トランジス
タ（Q26）、（Q27）による回路構成は電流（I7）と等し
い電流を流すためのものである。トランジスタ（Q26）
とカレントミラーになっているトランジスタ（Q29）
は、エミッターが可変抵抗（VR1）に接続されている。
その接続点（J2）には、定電流（I6）が流れるようにト
ランジスタ（Q32）のコレクターが接続されている。（S
PC21）は部分測光用の受光素子であり、カソードが接続
点（J1）に接続され、光電流（I8）をダイオード（D1
4）に流している。このダイオード（D14）は、光電流
（I8）を受けてそれを対数圧縮した電圧（VD11）を発生
する。トランジスタ（Q28）はベースが上記ダイオード
（D14）のアノードに接続され、上記対数圧縮された電
圧（VD11）を対数伸張し、光電流（I8）と等しい電流
（I8′）を流す。そしてトランジスタ（Q30）のベース
には（（I7′）−（I8′））の電流が流れる。このトラ
ンジスタ（Q30）のコレクターはトランジスタ（Q31）の
ベースに接続され、このトランジスタ（Q31）のコレク
ターはアンド回路（G51）、インバータ（IN42）に接続
されている。トランジスタ（Q32）、（Q33）、抵抗（R1
3）、（R14）は定電流（I6）を発生させる定電流回路を
構成する。（Buf10）はダイオード（D13）の対数圧縮電
圧（VD10）を入力とするバッファ、（R10）、（C10）
は、脈流を平滑する抵抗及びコンデンサー、（COMP11）
は接続点（J4）と基準電圧（V10）とを比較するコンパ
レーターである。次に平均測光部の明るさと部分測光部
との明るさの比が所定比以上、すなわち逆光状態である
か否かをどのようにして検出しているかを説明する。平
均測光用受光素子（SPC20）の光電流（I7）と等しい電
流を流すトランジスタ（Q26）とカレントミラーに接続
されているトランジスタ（Q29）のエミッタには、定電
流（I6）を流すトランジスタ（Q32）のコレクターと可
変抵抗（VR1）が接続されている。この定電流（I6）と
可変抵抗（VR1）とで電圧を発生させ、これによりトラ
ンジスタ（Q29）のエミッターベース間の電圧は、トラ
ンジスタ（Q26）のエミッタベース間の電より小さくな
る。このため、トランジスタ（Q29）のコレクターから
流れでる電流（I7′）は、光電流（I7）より小さくな
る。このとき上記発生する電圧を制御することにより光
電流（I7）と電流（I7′）を所定の関係にすることがで
きる。一般にトランジスタの特性により電流を1/2倍に
するには、ベース−エミッター間の電圧を約18mV（25
℃）下げてやればよい。今、電流（I7′）を光電流（I
7）の1/4倍（明るさに換算すれば2Ev）にするには、18m
V×２＝36mV分の電圧を可変抵抗（VR1）と定電流（I6）
とにより発生させれば良い。ここで注意しなければなら
ないのは、電流（I7′）も上記発生させる電圧に関係す
ることである。具体的に述べると上記発生電圧は定電流
（I6）と電流（I7′）の両方が可変抵抗（VR1）に流れ
ることになる。このことは上記発生電圧が明るさに依存
することを意味する。これでは電流（I7′）と光電流
（I7）との関係を正確に制御することができない。この
ため上記光電流（I7′）の影響を少なくするために、定
電流（I6）＞＞電流（I7′）となるように定電流を決
め、そして上記発生電圧となるように可変抵抗（VR1）
の抵抗値を決める。このようにして平均測光用受光素子
（SPC20）で測光された明るさより所定分（本実施例で
は2Ev）暗い明るさに相当する電流（I7′）を作る。一
方、部分測光受光素子（SPC21）により発生された電流
（I8）と等しい電流（I8′）が、トランジスタ（Q28）
のコレクターに流れ込む。トランジスタ（Q30）にはこ
の差の電流分（（I7′−（I8′））が流れる。ここで
（I7′）≧（I18′）であるとき、平均測光部の明るさ
と、部分測光部の明るさとが所定比以上（2Ev以上）あ
ると検出され、これを入力とするトランジスタ（Q30）
がONし、トランジスタ（Q31）をOFFし、このトランジス
タ（Q31）のコレクターが「Ｈ」になり、逆光状態であ
ると判断される。以上のようにして平均測光部の明るさ
と部分測光部との明るさの比が所定以上であること、す
なわち逆光状態を検出している。コンパレータ（COMP1
1）は、平均測光部の明るさを示す対数圧縮電圧（VD1
0）と等しい電圧を示す接続点（J4）と、基準電圧を比
較することにより、低輝度であるか否かの判別を行なっ
ている。図中の信号（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は
第16図と同じ信号であることを意味する。

第23図は受光素子としてCdSを用いたときの、CdSのパタ
ーン図を示している。このパターン図の等価回路を第24
図に示す。第23図において（T1）〜（T3）は電極取り出
し口の端子、これらの端子とつながっている斜線の引か
れていない部分（L1）〜（L3）は電極部、斜線部（Re
1）〜（Re3）は、光電変換部のCdS、（Re1）〜（Re3）
と逆の斜線で示された外部及び内部の一部は基板であ
る。（Re1）は平均測光用の光電変換部のCdS、（Re
2）、（Re3）は部分測光用の光電変換部のCdSである。
以上により構成されるCdSを用いた受光素子には次のよ
うな特徴を持っている （１） 部分測光用の光電変換部のCdSである（Re2）、
（Re3）と平均測光用の光電変換部のCdSである（Re1）
とを同一の基板上に形成している。

（２） 部分測光用の光電変換部のCdSである（Re2）、
（Re3）を直列に接続している。

（３） 部分測光用の各光電変換部のCdSである（Re
2）、（Re3）における電極と電極との間のCdSの幅（d
2）を平均測光用の光電変換部のCdSである（Re1）にお
ける電極と電極との間のCdSの幅（d1）より細くし、パ
ターンを形成することにより、平均測光用のCdSの幅（d
1）で部分測光部を形成するよりも、電極と電極との接
触部を大きくし電極にはさまれた単位面積当たりのCdS
の数を増やしている。

第25図は、光電変換素子として第23図に示したCdSを用
いた第16図の測光回路（Ｂ）の第２の変形例である。
（R31）、（R32）は電源電圧を分割する抵抗で、その接
続点は演算増幅器（OA20）の反転入力端子に接続されて
いる。CdS−１）は平均測光用の光電変換素子で、両端
が電源電圧とトランジスタ（Q50）のコレクターとに接
続され、光電変換素子（CdS−１）と］とトランジスタ
（Q50）のコレクターとの接続点は演算増幅器（OA20）
の非反転入力端子に接続されている。演算増幅器（OA2
0）の出力はダイオード（D40）のアノード、トランジス
タ（Q50）のベースに接続されている。上記で構成され
る測光回路（P1）の動作を説明する。光電変換素子
（（CdS−１）を流れる電流（I10）が、抵抗（R31）の
両端に加わる電圧と、光電変換素子（CdS−１）の両端
の電圧とが常に等しくなるように演算増幅器（OA20）、
トランジスタ（Q50）が働く。例えば、平均測光部分が
暗く光電変換素子（CdS−１）の抵抗値（Rc）が大きい
とき、電流（I10）が小さくなるように演算増幅器（OA2
0）は、トランジスタ（Q50）のベースに少しの電流を供
給し、逆に平均測光部が明るく光電変換素子（CdS−
１）の抵抗値（Rc）が小さいとき、電流（I10）が大き
くなるように演算増幅器（OA20）は、トランジスタ（Q5
0）のベースに多くの電流を供給する。トランジスタ（Q
51）はこの電流（I10）と等しい電流を流し込むよう
に、トランジスタ（Q50）とカレントミラーに接続され
ている。トランジスタ（Q52）、（Q53）による回路構成
は、電流（I10）と等しい電流を他へ流そうとするため
のものである。抵抗（R33）、（R34）、直列に接続され
ている光電変換素子（CdS−２）、（CdS−３）、演算増
幅器（OA21）、トランジスタ（Q56）ダイオード（D41）
からなる測光回路（P2）は前述した測光回路（P1）と同
じ動作を行なう。上記光電変換素子（CdS−２）、（CdS
−３）は部分測光用であり、直接に接続されているため
に、抵抗値の大きくなる暗い方の測光領域にひかれ、主
にその暗い方の測光領域を測光する。この明るさに相当
する電流（I11）と等しい電流を流し込むためにトラン
ジスタ（Q55）は、トランジスタ（Q56）とカレントミラ
ーに接続されている。トランジスタ（Q57）、（Q58）、
抵抗（R35）、（R36）は定電流回路を構成しており、ト
ランジスタ（Q57）のコレクタは、可変抵抗（VR10）と
トランジスタ（Q54）のエミッタとの接続点に接続され
ている。この可変抵抗（VR10）と定電流とによる電圧降
下は、第22図の可変抵抗（VR1）による電圧降下と同じ
くトランジスタ（Q53）とカレントミラーに接続されて
いるトランジスタ（Q54）のコレクターから流れ出る電
流を、電流（I10）から一定比だけ減少さすためのもの
である。この一定比減少させるのは、平均測光部の輝度
と部分測光部の輝度との差が、前もって決められた一定
値以上あるか否かを検出するためである。降下させる電
圧は、本実施例において、平均測光の輝度を2Evだけ低
下させるような電圧にすれば良い。このように2Evだけ
アンダー側にシフトさせられた平均測光の輝度に相当す
る電流（I10′）が、トランジスタ（Q54）のコレクター
から流れ、部分測光の輝度に相当する電流（Ｉ′）が、
トランジスタ（Q55）のコレクタへ流れ込み、この差
（（I10′）−（I11））が正であれば逆光状態であると
する。コンパレータ（COMP30）は、低輝度判別用のコン
パレータで、トランジスタ（Q50）のベースの電圧と、
基準電圧を比較している。その他は第22図と同じであ
り、信号（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は第16図のものと同じ
信号であることを意味する。信号（ｄ′）は、光電変換
素子としてCdSを用いているために、同一の輝度のもと
で第16図の信号（ｄ）とは異なるレベルを出力し、ま
た、1Evあたりの変化量も異なる。このため第17図の制
御回路においてレベルシフト回路（100）及びA/D変換回
路（101）の夫々のアナログ量を、CdSを用いたときの輝
度及びその変化量に相当するアナログ量に変化すること
が必要である。

第26図は第16図の測光回路の第３の変形例である。（SP
C31）はAE制御に使われる受光素子（SPC32）、（SPC3
3）は（SPC31）の測光領域内に配置された受光素子であ
る。この測光領域の一例を表わしたのが第27図である。

第27図において、（160）は撮影画面、（161）は受光素
子（SPC31）の測光領域、（162）、（163）は夫々受光
素子（SPC32）、（SPC33）の測光領域を示す。

第26図に戻って（D21）は光電流を対数圧縮した電圧に
変換するダイオード、（AS30）、（AS31）は測光領域を
切換えるアナログスイッチ、（150）（151）は上記切換
えられた測光領域の輝度値を各々にメモリーするための
メモリー回路、（AS32）、（AS33）は上記メモリー回路
を切換えるためのアナログスイッチ、（152）はメモリ
ー回路（151）にメモリされた電圧をレベルシフトする
レベルシフト回路、（COM20）はメモリー回路（150）に
メモリされた電圧とレベルシフト回路（152）でレベル
シフトされた電圧を比較するコンパレーター、（COM2
1）は基準電圧（V20）とメモリー回路（151）にメモリ
ーされた電圧を比較するコンパレーター、（OSC）は発
振回路、（153）は上記発振器からの信号を分周する分
周回路である。回路の動作を説明する。レリーズ鉛が第
１ストロークまで押下され、給電スイッチ（S1）がONし
測光回路に給電されると、発振回路（OSC）は発振を開
始する。この信号を受け初期状態が「Ｌ」である分周回
路（153）は、一定周期で「Ｈ」、「Ｌ」を繰り返し、
信号（C1）として出力される。もう一つの信号（C2）
は、信号（C1）が「Ｈ」から「Ｌ」、又は、「Ｌ」から
「Ｈ」へ変化する少し前に「Ｈ」を出力する。初期状態
のとき信号（C1）が「Ｌ」であるため、この信号はイン
バータ（IN60）で反転され「Ｈ」になり、アナログスイ
ッチ（AS31）を導通させる。これにより受光素子（SPC3
1）、（SPC32）、（SPC33）が直列接続される。受光素
子３つを直列接続することにより、ダイオード（D21）
に流れる電流は３つの受光素子のうち、一番少ない光電
流を発生する受光素子によって規制される。言い換えれ
ば、一番暗い測光流域を測光し、その輝度をあらわして
いる。信号（C1）はインバータ（IN61）で反転され、ア
ナログスイッチ（AS32）を導通させる。アナログスイッ
チ（AS32）が導通することによって、光電流を対数圧縮
したダイオード（D21）のアノードの電圧は、メモリー
回路（150）に送られる。そして信号（C1）が「Ｌ」か
ら「Ｈ」へ変化する少し前に信号（C2）が「Ｈ」にな
り、これを受けてアンド回路（G73）が「Ｈ」となりメ
モリー回路（150）に送られる。この信号は送られてき
た電圧をメモリーするためのメモリー開始信号である。
信号（C1）が「Ｌ」から「Ｈ」に変化すると、アナログ
スイッチ（AS30）、（AS33）が導通する。これにより測
光を行なっている受光素子は（SPC1）だけとなり、これ
により発生される光電流の対数に比例する電圧がアナロ
グスイッチ（AS33）を通してメモリー回路（151）に送
られる。そして信号（C1）が「Ｈ」から「Ｌ」に変化す
る少し前に信号（C2）が発生し、この信号を受けたアン
ド回路（G72）は「Ｈ」をメモリ回路（151）に出力し、
メモリ回路（151）が、送られてくる電圧をメモリす
る。この回路（151）にメモリされた電圧はレベルシフ
ト回路（152）で一定電圧（ここでは2Evに相当する36mV
の電圧）だけ下側にシフトされ、コンパレーター（COMP
20）の非反転入力に出力される。一方、反転入力にはメ
モリー回路（150）にメモリされた電圧が入力され、レ
ベルシフトされた電圧と比較され、このコンパレーター
（COMP20）の出力が「Ｈ」のとき、すなわち、AE制御を
行なう測光領域とその他の測光領域とで所定以上の輝度
差があるとき、逆光状態であるとしている。コンパレー
ター（COMP21）では、メモリ回路（151）の電圧と基準
電圧（V20）とを比較し、低輝度判別を行なっている。
信号（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は第16図の信号
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）と同じ信号であること
を意味する。

第28図は第16図の測光回路の第４の変形例である。図中
（B1）、（B2）、（B3）の信号線は第26図の点線部分の
信号線（B1）、（B2）、（B3）と同じであり、それ以後
の信号の処理は第26図の点線部分の向かって右側で行な
われた処理と同じである。トランジスタ（Q40）、（Q4
1）、（Q42）、（Q43）は定電流回路を構成し、ダイオ
ード（D30）、（D31）は、この定電流をトランジスタ
（Q43）のコレクターから受け、安定した電圧を供給す
る。（SPC41）、（SPC42）、（SPC43）は受光素子であ
り、その測光領域の一実施例を第29図に示す。

第29図において（171）は撮影画像、（172）、（17
3）、（174）は受光素子３つの測光領域である。

第28図に戻って（AS41）〜（AS47）は上記３つの受光素
子を直列又は並列に切換えるアナログスイッチ、トラン
ジスタ（Q44）は、ダイオード（D32）に流れる光電流
（I10）と等しい電流をひき込む。トランジスタ（Q45）
は、トランジスタ３個分に相当し、図中3Sと記載、トラ
ンジスタ（Q44）と等しい電流（I11）を流すが、このと
きのベース−エミッター間の電圧は上記電流の1/3の電
流（I12）が流れたときの電圧になる。トランジスタ（Q
47）、（Q48）はトランジスタ（Q45）とカレントミラー
に接続され、トランジスタ（Q47）は、上記電流（I12）
をダイオード（D33）に流し、一方トランジスタ（Q48）
は３個分のトランジスタで構成されているために電流
（I11）と等しい電流をダイオード（D43）に流す。これ
らの電流に相当する対数圧縮電圧をバッファ（Buf2
0）、（Buf21）によってメモリ回路（第26図）に送る。
次に回路の動作を説明する。レリーズ鉛が第１ストロー
クまで押下され、給電スイッチ（S1）がONし、測光回路
に給電されると、初期状態として信号（C1）（第26図）
が信号線（B3）に出力され、この信号がインバータ（IN
70）で反転されると、アナログスイッチ（AS46）、（AS
47）が導通し、受光素子（SPC41）、（SPC42）、（SPC4
3）は直列に接続される。これは前述した第26図でも説
明したように、一番暗い測光領域を測光している。この
輝度に相当する光電流がダイオード（D32）に流れ、そ
してトランジスタ（Q44）、（Q45）、（Q48）によりこ
れと等しい電流がダイオード（D34）に流れ、対数圧縮
された電圧がブッファ（Buf20）に送られる。信号（C
1）が「Ｌ」から「Ｈ」に変わると、アナログスイッチ
（AS41）、（AS42）、（AS43）、（AS44）が導通し、受
光素子（SPC41）、（SPC42）、（SPC43）が並列に接続
される。これによりこれら３つの受光素子の光電流がす
べてダイオード（D32）に流れる。そしてトランジスタ
（Q44）、（Q5）、（Q47）により、ダイオード（D32）
に流れた電流の平均（1/3）の電流がダイオード（D33）
な流れ、対数圧縮された電圧がブッファ（Buf21）に送
られる。バッファ（Buf20）、（Buf21）の出力はメモリ
回路（第26図）（150）、（151）に夫々、前述したタイ
ミングでとりこまれ、制御に使われる。

第20図及び第21図に示した上記例では、AF回路からの距
離信号によってストロボのガイドナンバの切換えを行な
っている。第４表に示したように、ISO感度100のフィル
ムを使用し、主被写体が1.4m〜2mの中距離にいるとき、
小さなガイドナンバを選択する。しかし上記例では逆光
状態のとき自然光が明るいために、絞りが小絞り側でと
じられると、露光に寄与するストロボ光量が少なくなり
主被写体が露光不足となる。たとえばISO感度100のフィ
ルムを使用し、自然光の輝度（Bv）＝８、主被写体の距
離（Ｄ）＝1.4〜2mであるとき、AE制御で決まる絞り及
びシャッタースピードは絞りＦ（NO）＝８、シャッター
スピード（SS）＝1/125とする。この距離の主被写体の
ストロボ光を用いたときの適正絞りは、ストロボのガイ
ドナンバー（GN）＝６であるために、（FNO）＝３であ
る。AE制御によりシャッターが絞り（FNO）＝８で閉じ
られると主被写体は約3Evアンダーとなり、露光不足と
なる。これはフィルムのラチチュードを考えた場合に、
フィルム上に主被写体の詳しい内容、例えば顔の表情を
表わす映像情報がほとんどなく、現像したときにはいわ
ゆるシルエット写真となる。これを補正するために、逆
光状態のときにはストロボ光の光量の大きい方を用いる
ことにする。これにより、本実施例ではガイドナンバー
が６から（GN）＝12にかわり、主被写体は約1Evアンダ
ーに補正され、顔等に映像情報があらわれ十分に見れる
写真となる。このことを行なうために第20図の回路の一
部を変更した回路を第30図に示す。第30図は、第20図に
加えて逆光状態のとき「Ｈ」を示す信号（ａ）を入力
し、これをインバータ（IN80）で反転させ、ストロボ光
のガイドナンバ切換えの信号であるオア回路（OR33）の
出力と共にアンド回路（G80）に入力する。これによっ
て逆光状態の時には、ガイドナンバの大きいストロボ光
を示す「Ｌ」の信号がアンド回路（G80）から出力され
ガイドナンバの大きいストロボ光で発光される。

一般にAE制御の露出（絞り）で閃光撮影を行なうと主被
写体の露出は（AEの露出）＋（ストロボ光による露出）
となる。一方、背景の露出は（AE制御の露出）となる。
主被写体の輝度と平均測光（背景）とに輝度差があり、
このときストロボ光を発光させれば上記（ストロボ光に
よる露出）の分だけ補正が行なわれ輝度差が少なくな
る。しかしこのような方法をとっても輝度差（露出の
差）が大きい場合がある。このようなときに少しでも輝
度差（露出の差）を少なくするために、絞り兼用のシャ
ッターの特徴をいかし次のようにする。絞り兼用のシャ
ッターを用いた場合、AE制御の露出を変化させると、絞
りとシャッタースピードの両方が変化する。一方、スト
ロボ光による露出は絞り値だけで決まる。そこでAE制御
の露出を一定値アンダー側へシフトさせると、これによ
るストロボ光の露出の変化は、絞りが変化した分だけア
ンダー側へシフトするために、ストロボ光のとどかない
背影の露出（AE制御の露出）とストロボ光による主被写
体との露出の左は、少なくなる。例えば、背景の輝度
（AE制御の露出）と主被写体の輝度に3Evの差がありAE
制御で決められる絞り値でストロボ光を発光させること
により、露出の差が2Evになったとする。今、AE制御の
露出を変化させたときに、絞りの変化とシャッタースピ
ードの変化は１対１に変化すると仮定する。このとき
に、AE制御で決まる露出を2Evアンダー側にシフトする
と、絞りざ1Evアンダーになり、ストロボ光による露出
も1Evアンダーとなり、背景（AE制御での露出）と主被
写体との露出の差は1Evになる。このことを第31図及び
第32図を用いて説明する。

第31図は第17図の制御回路の一部を変更した回路図で、
大きく変更したのは、発光量制御回路（110）をなく
し、FM回路をその発光量制御回路の機能を含むように構
成した点である。

第32図は、変更されたFM回路（160）の具体的な回路図
である。（161）はAF回路からのAF信号とSv回路からのI
SO感度信号とを入力とし、ガイドナンバが大きいときの
絞り値を選択し、これに相当する信号を出力するFM用デ
コーダである。（162）はFM用デコーダ（161）からの絞
り値に相当する信号を入力とし、これを一定値だけ開放
絞り側にシフトして、ガイドナンバが小さいときの適正
絞り値の信号を出力する加算回路、（163）、（164）は
AE回路（105）から送られてくる絞り値信号と、FM用デ
コーダ（161）から出力される絞り値信号及び加算回路
（162）から出力される絞り値信号とを夫々比較する比
較回路、（166）は、比較回路（164）からの信号にもと
づきFM用デコーダ（161）及び加算回路（162）から出力
される絞り値の信号を選択し、この選択した信号をデー
タセレクタ（167）へ出力するデータセレクタ、（165）
は第31図のAE回路（105）から送られてくるAE制御用の
絞り値を一徹値小絞り側にシフトする減算回路、（16
7）は、比較回路（163）からの信号にもとづき、データ
セレクタ（166）及び加算回路（165）から出力される絞
り値を選択し、この選択した信号を一致検出回路（16
8）に出力するデータセレクタ、（168）は、シャッター
が開き始め、第31図のシャッタ位置検出回路（102）か
らのシャッタ位置（絞り）を示す信号と、データセレク
タ（167）から送られてくる絞り値を示す信号とが一致
したことを検出し、そのときに「Ｈ」を出力する一致検
出回路である。

回路の動作を説明すると、FM用デコーダ（161）は、上
述したようにAF回路からのAF信号とSv回路からのISO感
度信号とを入力し、大きい方のガイドナンバ（本実施例
では（GN）＝12）を選択したとき適正露出となる絞り値
を選択して出力する。この選択され出力された絞り値信
号は比較回路（163）に入力され、この信号とAE回路か
ら送られてきたAE露出用の絞り値信号とが、この回路
（163）で比較される。もう一つの比較回路（164）はAE
回路から送られてきたAE制御用の絞り値信号と、加算回
路（162）からFM用デコーダ（161）で選択された絞り値
を開放側へ一定値シフトした絞り値、すなわち、小さい
方のガイドナンバを選択したときに適正露出となる絞り
値を示す信号とを入力とし、それらを比較する。すなわ
ち比較回路（164）では、AE制御で決められた絞り値を
用いて、小さい方のガイドナンバでストロボ発光させた
ときに、主被写体が適正露出となるか否かを判別してい
る。そしてこの判別の結果、小さいガイドナンバでのス
トロボ発光でも適正となるときには第31図のインバータ
（IN14）にこの出力が送られる。同様に比較回路（16
3）では、AE制御で決められた絞り値を用いて大きい方
のガイドナンバでストロボ発光させたときに主被写体が
適正露出となるか否かを判別している。両方の比較回路
とも、AE制御で決められた絞り値で、ストロボ光を発光
させたときに主被写体が適正露出となれば「Ｈ」、適正
露出にならなければ「Ｌ」を出力する。これを第５表に
示す。

第32図において、加算回路（162）の出力とFM用デコー
ダ（161）との出力を比較する比較回路（164）の出力は
そのままデータセレクタ（166）に送られる。この送ら
れてきた信号により、データセレクタ（166）は、FM用
デコーダ（161）及び加算回路（162）から送られてくる
絞り値信号を選択する。詳しく説明すると、小さいガイ
ドナンバでストロボ発光させて適正露出となるとき、比
較回路（164）は「Ｈ」を出力し、これを入力とするデ
ータセレクタ（164）は、加算回路（162）から出力され
る絞り値信号を選択し、データセレクタ（167）に出力
する。大きいガイドナンバでストロボ発光させて適正露
出（小さいガイドナンバでのストロボ発光では露出不
足）となるときは、比較回路（164）は「Ｌ」を出力
し、これを入力とするデータセレクタ（166）は、FM用
デコーダ（161）から出力される絞り値信号を選択し、
データセレクタ（167）に出力する。大きいガイドナン
バでストロボ発光させても適正露出とならないとき、こ
れを示す信号「Ｌ」が比較回路（163）からオア回路（O
R100）に出力される。オア回路（OR100）のもう一方の
入力は、逆光状態のときに「Ｈ」を示す逆光信号（ａ）
をインバータ（IN100）で反転した信号であり、今、逆
光状態であるとするとこの入力信号は「Ｌ」を示す。従
って比較回路（163）の「Ｌ」の出力がデータセレクタ
（167）に出力され、これを受けたデータセレクタ（16
7）は、減算回路（165）から出力されたAE露出用の絞り
値信号を所定値シフトさせたより小さな絞り値の信号を
選択し、一致検出回路（168）へ出力する。一致検出回
路（168）は、データセレクタ（166）から送られてきた
絞り値信号と、シャッタ位置検出回路からのシャッタ位
置（絞り）を示す信号とが一致したとき「Ｈ」をアンド
回路（G100）及び第31図のオア回路（OR14）に出力す
る。アンド回路（G100）の出力は、AEマグネット（AEM
g）を制御するオア回路（OR12）に送られる。このよう
に、この例では逆光状態のとき、大きいガイドナンバで
ストロボ発光させても、主被写体が適正露出とならない
とき、AE制御を露出アンダー側にシフトし、ストロボを
発光させているが、このままでは、 （１） 逆光状態でかつ主コンデンサーの電圧が所定レ
ベルに達していないとき （２） 逆光状態でかつ無限遠であるときに問題が起こ
る。

これらの理由を上記２つの場合について説明する。

（１） 逆光状態でかつ主コンデンサーの電圧が所定レ
ベルに達していないとき このとき主コンデンサーの電圧が所定レベルに達してい
ないので、ストロボ光による主被写体の露出補正（逆光
補正）が行なえない。このために第31図において、レベ
ルシフト回路（100）により、測光回路（第16図）から
送られてくる輝度値が小さい方にシフトされ、AE回路
（105）で、この輝度値にもとづいて露出制御が行なわ
れ、シフトされる前の輝度値で露出制御されるのと比
べ、露出値がオーバー側にシフトされている。ところ
が、逆光状態であるときに、平均測光により測光される
部分が明るいために絞りが小絞りになり、大きいガイド
ナンバでストロボを発光させてもストロボ光が十分に届
かない。又、同じく逆光状態のときに主被写体の距離が
比較的遠いために、大きいガイドナンバでストロボを発
光させてもやはりストロボ光が十分に届かない。これら
のときに、主コンデンサーの電圧が所定レベルに達して
いるか否かにかかわらずAE回路（105）から送られてき
た露出値をアンダー側にシフトしている。以上のよう
に、第31図において主コンデンサーの電圧が所定レベル
に達していないためにオーバー側にシフトされた露出値
が、アンダー側にシフトされ元に戻ってしまい、逆光補
正を何ら行なっていないことになる。

（２） 逆光状態でかつ遠距離であるとき このとき、逆光状態なので平均測光による輝度値が比較
的大きくこのため絞りが小絞り側になり、かつ、主被写
体が遠距離にあるために、ストロボ光を発光させても主
被写体の露出には寄与しないものとして、ストロボ光の
発光を強制的に禁止している。このときも（１）と同じ
ように大きいガイドナンバのストロボを発光させても光
が十分に主被写体に届かないものとして、AE回路（10
5）から送られてきた露出値をアンダー側にシフトして
いる。ところが、ストロボ光の発光を禁止しているため
に、露出値をアンダー側にシフトしても逆光補正を行な
ったことにならず、かえって露出がアンダーとなる。

そこで上記（１）、（２）の場合にはオア回路（OR12）
に、FM回路（108）からはシャッタ閉成信号が出力され
ないように、すなわち露出値がアンダー側にシフトされ
ないように、主コンデンサーの電圧が所定レベルに達し
ていないときに「Ｌ」を示す充電完了信号（ｊ）及び逆
光状態でかつ遠距離であるときに「Ｈ」を示す第31図の
アンド回路（G24）の出力を反転させたインバータ（IN1
02）の出力とをアンド回路（G100）に入力させ、そして
AE回路（105）からの信号でシャッタが制御されるよう
にした。さらに本実施例において、ストロボ発光はシャ
ッターがFM制御で決まる絞り値とAE制御で決まる絞り値
のうち、小さい方の絞り値まで開いたタイミングで行な
われる。このためFM制御で決まる絞りの方が小絞りであ
るとき、この信号一致検出回路（168）から出力され、
アンド回路（G100）を介して第31図のオア回路（OR12）
に送られ、このタイミングでシャッタが閉じられるた
め、背景が露出不足となる。この例では、これを避ける
べくAE露出をアンダー側へシフトする必要のあるとき以
外は、アンド回路（G100）閉じるように、比較回路（16
3）の出力がオア回路（OR100）と、その出力を反転する
インバータ（IN101）とを介して、アンド回路（G100）
に入力されている。従って逆光状態でないときは逆光状
態を示す信号（ａ）の「Ｌ」の信号が、インバータ（IN
100）で反転され「Ｈ」になり、又逆光状態のときでもA
E制御できる絞り値で大きいガイドナンバでストロボ発
光させて適正となるときは、比較回路（163）の出力が
「Ｈ」になる。

以上、図示した実施例を説明したが、本発明は上記実施
例に限るものではない。例えば、ストロボ発光を禁止す
るために電気的信号をストロボ回路に出力しているが、
ストロボ発光をトリガするトリガ回路内にスイッチを設
け、ストロボ発光禁止信号を設けこれを開放することに
よりストロボ発光を禁止しても良い。ストロボ光の光量
切り換えは、大、小２つのコンデンサーを用いておこな
っているが、これを１つのコンデンサーとし発光時間を
変えることにより光量切り換えをおこなってもよい。を
ISO感度100、200、400、1000、距離設定を４種類の近、
中、遠、無限遠距離として、これに応じた回路構成を採
用したが、ISO感度及び距離設定の仕方は任意であり、
それらに応じて回路構成を変更すれば良い。又第16図、
第22図、第25図及び第26図における受光素子について、
平均測光用素子と部分測光用受光素子は同一輝度におい
ては、光電流が流れているものとして、輝度差を判別す
るためのかさあげ電圧、降下電圧及びレベルシフトを、
その輝度差に相当する電圧しか考慮しなかったが、上記
２つの受光素子が同一輝度において光電流の差があるな
らば、その電流差に相当する電圧だけ、上記かさあげ電
圧、降下電圧及びレベルシフトを補正してやれば良い。
さらに低輝度かどうかの判別及び露出をオーバ側へのシ
フトは輝度を示す電圧又はアペックスのBvで行なってい
るが、ISO感度を考慮した露出制御に用いられる露出値
又はBv＋Sv＝Evで行なうようにいても良い。このときの
低輝度判別には低輝度判別を行なっているコンパレータ
ーの基準電圧をISO感度に応じて変化する可変電圧にす
れば良い。

発明の効果 以上に説明された本発明によれば、逆光状態が検出され
たときに、主コンデンサーの充電が完了していない場
合、または、カメラから被写体までの距離が無限遠の場
合、露出制御を露出オーバー側にシフトさせるためスト
ロボ光がなくても人物の露出は良好となる。また、スト
ロボ発光用の主コンデンサーの充電電圧が所定レベルに
達するまで、撮影を待つ必要がなく、シャッターチャン
スを逃がすことがなくなるといった効果が得られる。さ
らに、上記露出をオーバー側にシフトしたときに、スト
ロボ発光を強制的に禁止しているために、主被写体の露
出オーバーとなることもなくなる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の構成を示す構成図、第２図は平均測光
領域と部分測光領域の第１の例を示す測光領域図、第３
図は、第２図における人物の測光可能範囲を示す説明
図、第４図は、平均測光領域と部分測光領域の第２の例
を示す測光領域図、第５図は、２つの部分測光領域のう
ち、少なくとも一方が完全には人物に覆われない例を示
す説明図、第６図は、２つの部分測光領域が、両方とも
人物に完全に覆われる例を示す説明図、第７図は、２つ
の部分測光領域を用いたときの、人物の測光可能な範囲
を数値を上げて示した説明図であり、（１）は、人物の
平均的な肩幅、（２）は、距離4.5mにおける人物の肩幅
の測光される角度の求め方、（３）は2.5゜角の受光角
を持つ受光素子が、人物の肩幅にたいして占める測光領
域、（４）は、このときの人物の測光可能範囲を夫々示
す説明図、第８図は、第４図における人物の測光可能範
囲を示す説明図、第９図は、平均測光領域と部分測光領
域の第３の例を示す測光領域図、第10図は、第９図にお
ける人物の測光可能範囲を示す説明図、第11図−
（１）、（２）は、第９図の変形例を示す測光領域図、
第12図−（１）、（２）は平均測光領域と部分測光領域
の第４の例を示す測光領域図、第13図は、平均測光領域
と部分測光領域の第５の例を示す測光領域図、第14図
は、カメラ全体の回路構成を示す構成図、第15図は、第
14図に示された電源保持回路であるブロック（Ａ）の詳
細な回路図、第16図は、第14図に示された測光回路及び
測距回路であるブロック（Ｂ）の詳細な回路図、第17図
は、第14図に示された制御回路であるブロック（Ｃ）の
詳細な回路図、第18図は、第14図に示された昇圧制御回
路であるブロック（Ｄ）の詳細な回路図、第19図は、第
14図に示されたストロボ回路であるブロック（Ｅ）の詳
細な回路図、第20図は、第17図に示された発光量制御回
路の詳細な回路図、第21図は、第17図に示されたFM回路
の詳細な回路図、第22図は、第16図に示された測光回路
の第１の変形例を示す回路図、第23図は、受光素子とし
てCdSを用いたときの、受光素子のパターン図、第24図
は、第23図に示されたCdSの等価回路を示す回路図、第2
5図及び第26図は、第16図に示された測光回路の第２及
び第３の変形例を夫々示す回路図、第27図は、第26図に
用いられた受光素子の測光領域の一例を示す測光領域
図、第28図は、第16図に示された測光回路の第４の変形
例を示す回路図、第29図は、第28図に用いられた受光素
子の測光領域の一例を示す測光領域図、第30図は、第20
図に示された発光量制御回路の変形例を示す回路図、第
31図は、第17図に示された制御回路の変形例を示す回路
図、第32図は、第21図に示されたFM回路の変形例を示す
回路図である。 （200）……逆光検知手段 （201）……ストロボ手段 （202）……充電完了検出手段 （203）……露出制御手段 （204）……補正手段

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宝田 武夫 大阪府大阪市東区安土町２丁目30番地 大 阪国際ビル ミノルタカメラ株式会社内 (72)発明者 向井 弘 大阪府大阪市東区安土町２丁目30番地 大 阪国際ビル ミノルタカメラ株式会社内 審査官 横林 秀治郎 (56)参考文献 特開 昭58−107521（ＪＰ，Ａ) 特開 昭50−131524（ＪＰ，Ａ) 特開 昭49−90927（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−76724（ＪＰ，Ａ)

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】逆光状態を検出する逆光検出手段と、 主コンデンサーを含むストロボ手段と、 主コンデンサーの充電が完了しているか否かを検出する
   充電完了検出手段と、 カメラから被写体までの距離を出力する距離出力手段
   と、 カメラの露出を制御する露出制御手段と、 逆光状態であることが検出されたときに、主コンデンサ
   ーの充電が完了しているとともにカメラから被写体まで
   の距離が無限遠でないときは、ストロボ発光を可能と
   し、主コンデンサーの充電が完了していないときまたは
   カメラから被写体までの距離が無限遠のときは、ストロ
   ボの発光を禁止するとともに、露出を補正する補正手段
   とからなる露出補正装置。