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JPH0766581B2 - Magneto-optical recording medium - Google Patents
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JPH0766581B2 - Magneto-optical recording medium - Google Patents

Magneto-optical recording medium

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JPH0766581B2
JPH0766581B2 JP61095343A JP9534386A JPH0766581B2 JP H0766581 B2 JPH0766581 B2 JP H0766581B2 JP 61095343 A JP61095343 A JP 61095343A JP 9534386 A JP9534386 A JP 9534386A JP H0766581 B2 JPH0766581 B2 JP H0766581B2
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layer
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thin film
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Description

【発明の詳細な説明】 I 発明の背景 技術分野 本発明は、レーザー光等の熱および光を用いて情報を記
録、再生を行う光磁気記録媒体に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magneto-optical recording medium that records and reproduces information using heat and light such as laser light.

先行技術とその問題点 光磁気メモリの記録媒体としては、 MnBi,MnAlGe,MnSb, MnCuBi,GdFe,TbFe, GdCo,PtCo,TbCo, TbFeCo,GdFeCo, TbFeO3,GdIG,GdTdFe, GdTdFeCoBi,CoFe2O4等の材料が知られている。これら
は、真空蒸着法やスパッタリング法等の方法で、プラス
チックやガラス等の透明基板上に薄膜として形成され
る。これらの光磁気記録媒体に共通している特性として
は、 磁化容易軸が膜面に垂直方向にあり、 さらに、カー効果やファラデー効果が大きいという点を
あげることができる。
Prior art and its problems As recording media for magneto-optical memory, MnBi, MnAlGe, MnSb, MnCuBi, GdFe, TbFe, GdCo, PtCo, TbCo, TbFeCo, GdFeCo, TbFeO 3 , GdIG, GdTdFe, GdTdFeCoBi, CoFe 2 O 4 Materials such as are known. These are formed as a thin film on a transparent substrate such as plastic or glass by a method such as a vacuum vapor deposition method or a sputtering method. The characteristics common to these magneto-optical recording media are that the easy axis of magnetization is perpendicular to the film surface, and that the Kerr effect and the Faraday effect are large.

このような媒体に要求されることは、 第1に、キューリー点が100〜200℃程度で、補償点が室
温付近であること、 第2に、ノイズとなる結晶粒界などの欠陥が比較的少な
いこと、 第3に比較的大面積にわたって磁気的、機械的に均一な
膜が得られることがあげられる。
The requirements for such a medium are firstly that the Curie point is about 100 to 200 ° C. and the compensation point is near room temperature. Secondly, defects such as crystal grain boundaries that cause noise are relatively large. Third, it is possible to obtain a magnetically and mechanically uniform film over a relatively large area.

このような要求を答え、上記材料のなかで、近年、希土
類−遷移金属の非晶質垂直磁性薄膜が大きな注目を集め
ている。
In response to such demands, recently, rare earth-transition metal amorphous perpendicular magnetic thin films have attracted great attention among the above materials.

しかし、このような希土類−遷移金属非晶質薄膜からな
る光磁気記録媒体において、磁性薄膜層は大気に接した
まま保存されると、大気中の酸素や水により希土類が選
択的に腐食あるいは酸化されてしまい、情報の記録、再
生が不可能となる。
However, in such a magneto-optical recording medium comprising a rare earth-transition metal amorphous thin film, when the magnetic thin film layer is stored in contact with the atmosphere, the rare earth is selectively corroded or oxidized by oxygen or water in the atmosphere. As a result, it becomes impossible to record and reproduce information.

そこで、一般には、前記磁性薄膜層の表面に保護面に設
けた構成を有するものが多く研究されている。
Therefore, in general, much research has been done on the surface of the magnetic thin film layer having a structure provided on the protective surface.

従来、このような防湿性の保護層としては、一酸化ケイ
素、二酸化ケイ素、チッ化アルミ、チッ化ケイ素等の無
機系の真空蒸着膜や樹脂膜等を設ける試み(特開昭58−
80142号等)が開示されている。
Conventionally, as such a moisture-proof protective layer, an attempt has been made to provide an inorganic vacuum-deposited film or resin film of silicon monoxide, silicon dioxide, aluminum nitride, silicon nitride or the like (JP-A-58-58).
80142) are disclosed.

光記録媒体では、基板側から記録・再生を行うのが有利
であり、基板としては透明性のものを用いる。
In an optical recording medium, it is advantageous to perform recording / reproduction from the substrate side, and a transparent substrate is used.

光ディスク用の基板としては、製造の容易さ、取扱やす
さ等の点で、樹脂製のものが好ましく、これらのうちで
は、透明性、生産性、経済性等の点で、特にアクリル樹
脂、ポリカーボーネート樹脂が好適である。
As a substrate for an optical disk, a resin substrate is preferable in view of ease of manufacturing, handling, and the like. Among these, acrylic resin, polycarbonate, etc. are particularly preferable in terms of transparency, productivity, economy, and the like. Bonate resins are preferred.

このような樹脂製の基板上には、通常、無機材質の中間
層を形成し、この中間層を介し磁性薄膜層を設層する。
An intermediate layer made of an inorganic material is usually formed on such a resin substrate, and a magnetic thin film layer is formed via this intermediate layer.

この中間層は干渉層としての機能を有し、C/N比を向上
させ、かつ磁性薄膜層の劣化を防止する耐食性付与の機
能を有する。
This intermediate layer has a function as an interference layer, has a function of improving the C / N ratio, and a function of imparting corrosion resistance to prevent deterioration of the magnetic thin film layer.

このような中間層の材質としては、例えばSiO、SiO2
の酸化ケイ素、AlN、Si3N4、ZnS、Si、Geなどが提案さ
れており、これらのうちでは酸化ケイ素、硫化亜鉛がC/
N比および耐食性向上の点が好適である。
As a material of such an intermediate layer, for example, SiO, silicon oxide such as SiO 2 , AlN, Si 3 N 4 , ZnS, Si, Ge, etc. have been proposed, among which silicon oxide, zinc sulfide is C /
The points of improving N ratio and corrosion resistance are preferable.

ところで、上記の基板材質のうち、アクリル樹脂とポリ
カーボネート樹脂とを比較したとき、光学的均一性はア
クリル樹脂の方がすぐれているため、C/N比の点ではア
クリル樹脂の方が有利である。しかしアルリル樹脂は耐
久性の点でポリカーボネート樹脂に劣っている。
By the way, when comparing the acrylic resin and the polycarbonate resin among the above substrate materials, the acrylic resin is superior in optical uniformity, and therefore the acrylic resin is more advantageous in terms of the C / N ratio. . However, the aryl resin is inferior to the polycarbonate resin in durability.

そこで、アクリル樹脂上に、酸化ケイ素や硫化亜鉛の中
間層を設層すれば、耐食性が向上し、C/N比も向上す
る。この場合、C/N比の点では硫化亜鉛が有利であり、
耐食性の点では酸化ケイ素が有利である。しかし、いず
れも満足できるものではない。
Therefore, by forming an intermediate layer of silicon oxide or zinc sulfide on the acrylic resin, the corrosion resistance is improved and the C / N ratio is also improved. In this case, zinc sulfide is advantageous in terms of C / N ratio,
Silicon oxide is advantageous in terms of corrosion resistance. However, neither is satisfactory.

これに対し、ポリカーボネート樹脂はC/N比ではアクリ
ル樹脂に劣るが、耐久性の点で有利であり、しかもソリ
等に対する寸法精度の安定性にすぐれるという大きな利
点をもつ。
On the other hand, the polycarbonate resin is inferior to the acrylic resin in the C / N ratio, but is advantageous in durability and has a great advantage that it is excellent in dimensional accuracy stability against warping and the like.

ポリカーボネート樹脂基板の場合、C/N比および耐食性
の点で、硫化亜鉛中間層よりは酸化ケイ素中間層の方が
すぐれている。
In the case of a polycarbonate resin substrate, the silicon oxide intermediate layer is superior to the zinc sulfide intermediate layer in terms of C / N ratio and corrosion resistance.

しかし、酸化ケイ素中間層の場合も従来使用れていた膜
構造では、C/N比、耐食性、耐久性等の点が不十分であ
り、より一層の向上が必要である。
However, even in the case of the silicon oxide intermediate layer, the conventionally used film structure has insufficient C / N ratio, corrosion resistance, durability and the like, and further improvement is required.

II 発明の目的 本発明の目的は、記録・再生特性に優れ、しかも磁性薄
膜層の劣化が防止され、耐食性、耐久性に優れ、かつ、
ソリ等に対する寸法精度の安定性にすぐれた光磁性記録
媒体を提供することにある。
II Object of the invention The object of the present invention is excellent in recording / reproducing characteristics, moreover, deterioration of the magnetic thin film layer is prevented, corrosion resistance and durability are excellent, and
An object of the present invention is to provide a magneto-optical recording medium excellent in stability of dimensional accuracy against warpage and the like.

III 発明の開示 このような目的は、以下の本発明によって達成される。III DISCLOSURE OF THE INVENTION Such an object is achieved by the present invention described below.

すなわち、本発明は樹脂製の基板上に酸化ケイ素中間層
を有し、この中間層上に希土類−遷移金属の磁性薄膜層
を有する光磁気記録媒体において、 上記基板がポリカーボネート樹脂であり、 上記酸化ケイ素中間層における基板側の酸素含有量が磁
性薄膜層側のそれと比べ大きく、 酸化ケイ素中間層の基板側から1/4までの位置の酸化ケ
イ素中間層中のO/Si原子比が、磁性薄膜層側から1/4ま
での位置の酸化ケイ素中間層中のO/Si原子比の1.4〜2.5
倍であることを特徴とする光磁気記録媒体である。
That is, the present invention is a magneto-optical recording medium having a silicon oxide intermediate layer on a resin substrate and a rare earth-transition metal magnetic thin film layer on the intermediate layer, wherein the substrate is a polycarbonate resin, and the oxidation is The oxygen content on the substrate side of the silicon intermediate layer is larger than that on the magnetic thin film layer side, and the O / Si atomic ratio in the silicon oxide intermediate layer at the position of 1/4 from the substrate side of the silicon oxide intermediate layer is 1.4 to 2.5 of the O / Si atomic ratio in the silicon oxide intermediate layer at the position of 1/4 from the layer side
It is a magneto-optical recording medium characterized by being doubled.

IV 発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。IV Specific Structure of the Invention Hereinafter, the specific structure of the present invention will be described in detail.

本発明の光磁気記録媒体の一実施例が第1図に示されて
いる。
An embodiment of the magneto-optical recording medium of the present invention is shown in FIG.

第1図において、本発明の光磁気記録媒体1は、基板2
上に中間層3を有する。
Referring to FIG. 1, a magneto-optical recording medium 1 of the present invention comprises a substrate 2
It has an intermediate layer 3 on top.

本発明の中間層3は、酸化ケイ素(SiOx)材質からな
る。
The intermediate layer 3 of the present invention is made of a silicon oxide (SiOx) material.

酸化ケイ素(SiOx)中間層3のO/Si原子比(x)は、層
全体の平均として0.7〜1.2、より好ましくは0.7〜1.0で
あることが好ましい。
The O / Si atomic ratio (x) of the silicon oxide (SiOx) intermediate layer 3 is preferably 0.7 to 1.2, more preferably 0.7 to 1.0 as the average of the entire layer.

xが0.7未満となると反射光量が減少し、特性に悪影響
を与えてしまう。
When x is less than 0.7, the amount of reflected light is reduced and the characteristics are adversely affected.

また、1.2をこえるとみかけ上のカー回転角が減少し同
様の特性に悪影響を与えてしまう。
Further, if it exceeds 1.2, the apparent Kerr rotation angle decreases, and the same characteristics are adversely affected.

このような中間層3の厚さ方向には、中間層3中におけ
る基板側の酸素含有量が、後述する磁性薄膜層4側のそ
れと比べ大きくなるように所定の酸素濃度分布を有して
いる。
In the thickness direction of the intermediate layer 3, there is a predetermined oxygen concentration distribution so that the oxygen content on the substrate side in the intermediate layer 3 is larger than that on the magnetic thin film layer 4 side described later. .

このような酸化ケイ素中間層3中の酸素濃度分布は、例
えば、酸化ケイ素中間層3の基板2側から1/4までの位
置の酸化ケイ素中間層中のO/Si原子比は、磁性薄膜層4
側から1/4までの位置の酸化ケイ素中間層中のO/Si原子
比の1.4〜2.5倍であり、特に1.5〜2.5倍、より好ましく
は1.6〜2.0倍となるようにすることが好ましい。
Such an oxygen concentration distribution in the silicon oxide intermediate layer 3 is, for example, the O / Si atomic ratio in the silicon oxide intermediate layer at positions 1/4 from the substrate 2 side of the silicon oxide intermediate layer 3 is the magnetic thin film layer. Four
It is preferably 1.4 to 2.5 times, especially 1.5 to 2.5 times, and more preferably 1.6 to 2.0 times the O / Si atomic ratio in the silicon oxide intermediate layer at the position 1/4 from the side.

この値が1.4倍未満になると、C/N比、耐食性、耐久性が
悪くなってしまう。一方、2.5倍を越えると、主に電気
特性が劣化してしまう。従って、この値が上記の好適範
囲である1.6〜2.0倍になると、C/N比、耐久性は格段と
向上する。
If this value is less than 1.4 times, the C / N ratio, corrosion resistance, and durability will deteriorate. On the other hand, if it exceeds 2.5 times, the electrical characteristics will mainly deteriorate. Therefore, when this value becomes 1.6 to 2.0 times the above-mentioned preferable range, the C / N ratio and durability are significantly improved.

酸化ケイ素中間層3中に上記にような酸素濃度分布をも
たせるのは下記の理由による。
The oxygen concentration distribution as described above is provided in the silicon oxide intermediate layer 3 for the following reason.

すなわち、第1にポリカーボネート樹脂基板2の屈折率
(830nmにて約1.57)と酸化ケイ素中間層3の酸素濃度
(xの値)を設定することによって、ポリカーボネート
樹脂基板2と酸化ケイ素中間層3との界面での反射を有
効は防止でき、良好な記録・再生特性が得られるからで
ある。
That is, first, by setting the refractive index of the polycarbonate resin substrate 2 (about 1.57 at 830 nm) and the oxygen concentration (value of x) of the silicon oxide intermediate layer 3, the polycarbonate resin substrate 2 and the silicon oxide intermediate layer 3 are This is because it is possible to effectively prevent reflection at the interface and obtain good recording / reproducing characteristics.

第2に、磁性薄膜層4側の酸化ケイ素中間層3の酸素濃
度を低くおさえることによって、後述するFeおよびCoを
必須含有成分とする磁性薄膜層4の劣化を有効に防止す
ることができるからである。
Secondly, by lowering the oxygen concentration of the silicon oxide intermediate layer 3 on the magnetic thin film layer 4 side, deterioration of the magnetic thin film layer 4 containing Fe and Co as essential components described later can be effectively prevented. Is.

なお、酸素濃度分布は連続的であっても非連続的であっ
てもよい。
The oxygen concentration distribution may be continuous or discontinuous.

このような酸化ケイ素中間層3の膜厚方向に存在するO/
Siの原子比分布は、例えば以下に述べる方法によって測
定される。
O / which exists in the thickness direction of the silicon oxide intermediate layer 3
The atomic ratio distribution of Si is measured, for example, by the method described below.

すなわち、まず最初に酸化ケイ素中間層3を磁性薄膜層
4側から一定のエッチング速度でイオンエッチングを行
いながらSIMS(2次イオン質量分析)、AES、ESCAなど
で元素分析を行う。そして、ポリカーボネート樹脂基板
2に到達し、炭素Cが検出されるまでの時間を測定す
る。
That is, first, elemental analysis is performed by SIMS (secondary ion mass spectrometry), AES, ESCA, etc. while ion-etching the silicon oxide intermediate layer 3 from the magnetic thin film layer 4 side at a constant etching rate. Then, the time required to reach the polycarbonate resin substrate 2 and detect the carbon C is measured.

こうすることによって酸化ケイ素中間層3の膜厚をエッ
チングするのに要する時間が測定できる。
By doing so, the time required to etch the film thickness of the silicon oxide intermediate layer 3 can be measured.

この要した時間の最初から1/4時間および3/4時間から基
板に到達するまでの時間の層中の元素分析結果より層中
所定箇所のO/Si平均原子比が算出される。
The average atomic ratio of O / Si at a predetermined location in the layer is calculated from the elemental analysis results in the layer from the beginning of this required time to 1/4 hour and from the time of reaching 3/4 hour to the substrate.

なお層全体平均のO/Si原子比も算出できることはいうま
でもない。
Needless to say, the average O / Si atomic ratio of the entire layer can also be calculated.

このように膜厚方向に酸素濃度分布を有する酸化ケイ素
中間層3を設層するには、通常、2種以上の異なる組成
からなるターゲットを用いた多元スパッタ法あるいは酸
素反応性スパッタ法等によればよい。ターゲットはいわ
ゆる、SiO2、SiO、Si等を用いればよい。
In order to form the silicon oxide intermediate layer 3 having an oxygen concentration distribution in the film thickness direction as described above, usually, a multi-source sputtering method or an oxygen reactive sputtering method using a target having two or more different compositions is used. Good. The target may be so-called SiO 2 , SiO, Si or the like.

また、その他の気相成膜法を適宜用いることも可能であ
る。
Moreover, it is also possible to appropriately use other vapor deposition methods.

このように設層される酸化ケイ素中間層3の膜厚は、50
0〜1500Å、より好ましくは700〜1000Åである。
The thickness of the silicon oxide intermediate layer 3 thus formed is 50
It is 0 to 1500Å, more preferably 700 to 1000Å.

また成膜雰囲気中に存在するAr等が入ってもよい。Further, Ar or the like existing in the film forming atmosphere may be included.

その他、場合によっては少量のAl、Cr、Ba等の元素を添
加してもよい。
In addition, a small amount of elements such as Al, Cr and Ba may be added depending on the case.

上述の酸化ケイ素中間層3が設層される基板2の材質は
ポリカーボネート樹脂である。
The material of the substrate 2 on which the above-mentioned silicon oxide intermediate layer 3 is provided is polycarbonate resin.

本発明に使用するポリマーボネート樹脂としては、脂肪
族ポリカーボネート、芳香族−脂肪族ポリカーボネー
ト、芳香族ポリカーボネートのいずれであってもよい
が、特に芳香族ポリカーボネート樹脂であることが好ま
しい。これらのうちでは融点、結晶点、とり扱い等の点
でビスフェノールからのポリカーボネート樹脂が好まし
い。中でもビスフェノールAタイプのポリカーボネート
樹脂は最も好ましく用いられる。
The polymerbonate resin used in the present invention may be any of an aliphatic polycarbonate, an aromatic-aliphatic polycarbonate, and an aromatic polycarbonate, but an aromatic polycarbonate resin is particularly preferable. Of these, a polycarbonate resin made of bisphenol is preferable in terms of melting point, crystallization point, handling and the like. Among them, the bisphenol A type polycarbonate resin is most preferably used.

また、ポリカーボネート樹脂の数平均分子量は、10,000
〜15,000程度であることが好ましい。
The number average molecular weight of the polycarbonate resin is 10,000.
It is preferably about 15,000.

このような基板2の830nmの屈折率は通常1.55〜1.59程
度である。
The refractive index at 830 nm of such a substrate 2 is usually about 1.55 to 1.59.

なお、記録は基板2をとおして行うので、書き込み光な
いし読み出し光に対する透過率は86%以上とする。
Since recording is performed through the substrate 2, the transmittance for writing light or reading light is 86% or more.

また、基板2は、通常ディスク状とし、1.2〜1.5mm程度
の厚さとする。
The substrate 2 is usually disk-shaped and has a thickness of about 1.2 to 1.5 mm.

このようなディスク状基板の磁性薄膜層形成面には、ト
ラッキング用の溝が形成されてもよい。
A tracking groove may be formed on the surface of the disk-shaped substrate on which the magnetic thin film layer is formed.

溝の深さは、λ/8n程度、特にλ/6n〜λ/12n(ここに、
nは基板の屈折率である)とされる。また、溝の巾は、
トラック巾程度とされる。
The depth of the groove is about λ / 8n, especially λ / 6n to λ / 12n (here,
n is the refractive index of the substrate). The width of the groove is
It is about the track width.

そして、通常、この溝の凹部に位置する磁性薄膜層を記
録トラック部として、書き込み光および読み出し光を基
板裏面側から照射することが好ましい。
Then, it is usually preferable to irradiate the writing light and the reading light from the back surface side of the substrate with the magnetic thin film layer located in the concave portion of the groove as a recording track portion.

このように構成することにより、書き込み感度と読み出
しのC/N比が向上し、しかもトラッキングの制御信号は
大きくなる。
With this configuration, the write sensitivity and the read C / N ratio are improved, and the tracking control signal is increased.

また、その他の基板の形状として、テープ、ドラム等と
してもよい。
Further, the other substrate shape may be a tape, a drum, or the like.

前述した酸化ケイ素中間層3の上には、磁性薄膜層4が
設層される。
The magnetic thin film layer 4 is formed on the silicon oxide intermediate layer 3 described above.

本発明の磁性薄膜層4は、変調された熱ビームあるいは
変調された磁界により、情報が磁気的に記録されるもの
であり、記録情報は磁気−光変換して再生するものであ
る。
In the magnetic thin film layer 4 of the present invention, information is magnetically recorded by a modulated heat beam or a modulated magnetic field, and the recorded information is magnetic-optically converted and reproduced.

このような磁性薄膜層4の材質としては、Gd、Tb等の希
土類金属とFe、Co等の遷移金属の合金をスパッタ、蒸着
法等により、非晶質膜として形成したものであり、しか
もFeとCoを必須含有成分とするものである。
As the material of such a magnetic thin film layer 4, an alloy of a rare earth metal such as Gd and Tb and a transition metal such as Fe and Co is formed as an amorphous film by a sputtering or vapor deposition method. And Co are essential components.

この場合、FeとCoの総含有量は、65〜85at%であること
が好ましい。
In this case, the total content of Fe and Co is preferably 65 to 85 at%.

そして、残部は実質的に希土類金属、特にGdおよび/ま
たはTbである。
And the balance is substantially rare earth metals, especially Gd and / or Tb.

そして、その好適例としては、TbFeCo、GdFeCo、GdTdFe
Co等がある。
And, as a preferable example thereof, TbFeCo, GdFeCo, GdTdFe
There are Co etc.

なお、これら磁性薄膜層中には10at%以下の範囲でCr、
Al、Ti、Pt、Si、Mo、Mn、V、Ni、Cu、Zn、Ge、Au等が
含有されてもよい。
In these magnetic thin film layers, Cr in the range of 10 at% or less,
Al, Ti, Pt, Si, Mo, Mn, V, Ni, Cu, Zn, Ge, Au, etc. may be contained.

また、希土類元素として10at%以下の範囲でSc、Y、L
a、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu
等を含有してもよい。
In addition, as a rare earth element, Sc, Y, L in the range of 10 at% or less
a, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu
Etc. may be contained.

さらに、このような磁性薄膜層4の基板2と反対側に
は、各種の保護層を1層以上設けることが好ましい。
Further, it is preferable to provide one or more kinds of various protective layers on the side of the magnetic thin film layer 4 opposite to the substrate 2.

第1図においては、第1の保護層5と第2の保護層6と
が設けられている。
In FIG. 1, a first protective layer 5 and a second protective layer 6 are provided.

この場合、第1の保護層5の材質としては、保護層とし
ての機能を有するものであれば特に制限はされないが、
好ましくは酸化物、窒化物の薄膜である。
In this case, the material of the first protective layer 5 is not particularly limited as long as it has a function as a protective layer.
It is preferably an oxide or nitride thin film.

酸化物としては、一酸化ケイ素、二酸化ケイ素などの酸
化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化亜鉛等
が好適である。
As the oxide, silicon oxide such as silicon monoxide and silicon dioxide, aluminum oxide, titanium oxide, zinc oxide and the like are preferable.

また、窒化物としては、窒化ケイ素、窒化アルミニウ
ム、窒化チタン、窒化ホウ素等が好適である。
Further, as the nitride, silicon nitride, aluminum nitride, titanium nitride, boron nitride and the like are preferable.

これらの中では、特にSiOx(x=0.6〜1.5)の酸化ケイ
素が好適である。
Among these, silicon oxide of SiOx (x = 0.6 to 1.5) is particularly preferable.

このような薄膜の厚さは0.1〜10μm程度とする。The thickness of such a thin film is about 0.1 to 10 μm.

なお、薄膜の第1の保護層5の形成は真空蒸着、スパッ
タ等によればよい。
The thin first protective layer 5 may be formed by vacuum vapor deposition, sputtering, or the like.

一方、第2の保護層6は、公知の種々の無機系あるいは
有機系の物質を用いればよい。
On the other hand, for the second protective layer 6, various known inorganic or organic substances may be used.

より好ましくは、放射線硬化型化合物を電子線、紫外線
等の放射線で硬化させたものを用いるのがよい。
More preferably, a radiation-curable compound cured with radiation such as electron beam or ultraviolet ray is used.

用いる放射線硬化型化合物としては、イオン化エネルギ
ーに感応し、ラジカル重合性を示す不飽和二重結合を有
すアクリル酸、メタクリル酸、あるいはそれらのエステ
ル化合物のようなアクリル系二重結合、ジアリルフタレ
ートのようなアリル系二重結合、マレイン酸、マレイン
酸誘導体等の不飽和二重結合等の放射線照射による架橋
あるいは重合乾燥する基を分子中に含有または導入した
モノマー、オリゴマーおよびポリマー等を挙げることが
できる。
The radiation-curable compound used is an acrylic double bond having an unsaturated double bond that is sensitive to ionization energy and exhibits radical polymerizability, an acrylic double bond such as methacrylic acid, or an ester compound thereof, or a diallyl phthalate. Examples include monomers, oligomers and polymers having or introduced in the molecule a group that is crosslinked by irradiation with radiation such as allyl double bond, unsaturated double bond such as maleic acid or maleic acid derivative, or polymerized and dried. it can.

放射線硬化型モノマーとしては、分子量2000未満の化合
物が、オイゴマーとしては分子量2000〜10000のものが
用いられる。
A compound having a molecular weight of less than 2000 is used as the radiation-curable monomer, and a compound having a molecular weight of 2000 to 10000 is used as the oigomer.

これらはスチレン、エチレンアクリレート、エチレング
リコールジアクリレート、エチレングルコールジメタク
リレート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエ
チレングリコールメタクリレート、1,6−ヘキサングリ
コールジアクリレート、1,6−ヘキサングリコールジメ
クリレート等も挙げられるが、特に好ましいものとして
は、ペンタエリスリトールテトラアクリレート(メタク
リレート)、ペンタエリスリトールアクリレート(メタ
クリレート)、トリメチロールプロパントリアクリレー
ト(メタクリレート)、トリメチロールプロポンジアク
リレート(メタクリレート)、多官能オリゴエステルア
クリレート(アロニックスM−7100、M−5400、M−55
00、M−5700、M−6250、M−6500、M−8030、M−80
60、M−8100等、東亜合成)、ウレタンエラストマー
(ニッポラン4040)のアクリル変性体、あるいはこれら
のものにCOOH等の官能基が導入されたもの、フェノール
エチレンオキシド付加物のアクリレート(メタクリレー
ト)、下記一般式で示されるペンタエリスリトート縮合
環にアクリル基(メタクリル基)またはε−カプロラク
トン−アクリル基のついた化合物、 1) (CH2=CHCOOCH2−CCH2OH(特殊アクリレー
トA) 2) (CH2=CHCOOCH2−CCH2OH3(特殊アクリレー
トB) 3) 〔CH2=CHCO(OC3H6)n−OCH2−CCH2CH
3(特殊アクリレートC) 式中、m=1、a=2、b=4の化合物(以下、特殊ペ
ンタエリスリトール縮合物Aという)、 m=1、a=3、b=3の化合物(以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Bという)、 m=1、a=6、b=0の化合物(以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Cという)、 m=2、a=6、b=0の化合物(以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Dという)、 および下記式一般式で示される特殊アクリレート類等が
挙げられる。
These include styrene, ethylene acrylate, ethylene glycol diacrylate, ethylene glycol dimethacrylate, diethylene glycol diacrylate, diethylene glycol methacrylate, 1,6-hexane glycol diacrylate, 1,6-hexane glycol dimethacrylate, and the like. Preferred are pentaerythritol tetraacrylate (methacrylate), pentaerythritol acrylate (methacrylate), trimethylolpropane triacrylate (methacrylate), trimethylolpropondiacrylate (methacrylate), polyfunctional oligoester acrylate (Aronix M-7100, M -5400, M-55
00, M-5700, M-6250, M-6500, M-8030, M-80
60, M-8100, etc., Toa Gosei), acrylic modified urethane elastomer (Nipporan 4040), or those into which functional groups such as COOH have been introduced, phenol ethylene oxide adduct acrylate (methacrylate), the following general A compound having an acrylic group (methacrylic group) or ε-caprolactone-acrylic group on the pentaerythritol fused ring represented by the formula, 1) (CH 2 = CHCOOCH 2 ) 3 -CCH 2 OH ( special acrylate A) 2) (CH 2 = CHCOOCH 2) 3 -CCH 2 OH 3 ( special acrylate B) 3) [CH 2 = CHCO (OC 3 H 6 ) n-OCH 2 ] 3- CCH 2 CH
3 (Special acrylate C) In the formula, a compound of m = 1, a = 2, b = 4 (hereinafter referred to as a special pentaerythritol condensate A), a compound of m = 1, a = 3, b = 3 (hereinafter referred to as a special pentaerythritol condensate B) , M = 1, a = 6, b = 0 compound (hereinafter referred to as special pentaerythritol condensate C), m = 2, a = 6, b = 0 compound (hereinafter referred to as special pentaerythritol condensate D) , And special acrylates represented by the following general formula.

8) CH2=CHCOO−(CH2CH2O)−COCH=CH2(特殊ア
クリレートH) 12) AM−N−M−A A:アクリル酸、M:2価アルコール N:2塩基酸 (特殊アルリレートL) また、放射線硬化型オリゴマーとしては、下記一般式で
示される多官能オリゴエステルアクリレートやウレタン
エラストマーのアクリル変性体、あるいはこれらのもの
にCOOH等の官能基が導入されたもの等が挙げられる。
8) CH 2 = CHCOO- (CH 2 CH 2 O) 4 -COCH = CH 2 ( special acrylate H) 12) AM-N n -M- A A: acrylate, M: 2 dihydric alcohol N: 2 dibasic acid (special Arurireto L) As the radiation-curable oligomer, a polyfunctional oligoester acrylate represented by the following general formula And acrylic modified urethane elastomers, or those into which a functional group such as COOH is introduced.

また、熱可塑性樹脂を放射線感応変性することによって
得られる放射線硬化型化合物を用いてもよい。
Further, a radiation-curable compound obtained by subjecting a thermoplastic resin to radiation-sensitive modification may be used.

このような放射線硬化性樹脂の具体例としては、ラジカ
ル重合性を有する不飽和二重結合を示すアクリル酸、メ
タクリル酸、あるいはそれらのエステル化合物のような
アクリル系二重結合、ジアリルフタレートのようなアリ
ル系二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽
和結合等の、放射線照射による架橋あるいは重合する基
を熱可塑性樹脂の分子中に含有、または導入した樹脂で
ある。
Specific examples of such a radiation curable resin include acrylic double bonds such as acrylic acid, methacrylic acid, or their ester compounds showing an unsaturated double bond having radical polymerizability, such as diallyl phthalate. It is a resin in which a group such as an allyl double bond, an unsaturated bond such as maleic acid or a maleic acid derivative, which is crosslinked or polymerized by irradiation with radiation is contained or introduced in the molecule of the thermoplastic resin.

放射線硬化性樹脂に変性できる熱可塑性樹脂の例とし
は、塩化ビニル系共重合体、飽和ポリエステル樹脂、ポ
リビニルアルコール系樹脂、エポキシ系樹脂、フェノキ
シ系樹脂、繊維素誘導体等を挙げることができる。
Examples of thermoplastic resins that can be modified into radiation-curable resins include vinyl chloride copolymers, saturated polyester resins, polyvinyl alcohol resins, epoxy resins, phenoxy resins, and fibrin derivatives.

その他、放射線感応変性に用いることのできる樹脂とし
ては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステル
樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂および誘導体(PVPオ
レフィン共重合体)、ポリアミド樹脂、ポリアミド樹
脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸基を
含有するアクリルエステルおよびメタクリルエステルを
重合成分として少くとも一種含むアクリル系樹脂等も有
効である。
Other resins that can be used for radiation-sensitive modification include polyfunctional polyester resins, polyetherester resins, polyvinylpyrrolidone resins and derivatives (PVP olefin copolymer), polyamide resins, polyamide resins, phenol resins, spiroacetal resins, An acrylic resin containing at least one of a hydroxyl group-containing acrylic ester and methacrylic ester as a polymerization component is also effective.

このような放射線硬化型化合物の第2の保護層6の膜厚
は0.1〜30μm、より好ましくは1〜10μmである。
The film thickness of the second protective layer 6 of such a radiation curable compound is 0.1 to 30 μm, more preferably 1 to 10 μm.

この膜厚が0.1μm未満になると、一様な膜を形成でき
ず、湿度が高い雰囲気中での防湿効果が十分でなく、磁
性薄膜層4の耐久性が向上しない。また、30μmをこえ
ると、樹脂膜の硬化の際に伴う収縮により記録媒体の反
りや保護膜中のクラックが生じ、実用に耐えない。
If the film thickness is less than 0.1 μm, a uniform film cannot be formed, the moisture-proof effect in an atmosphere with high humidity is not sufficient, and the durability of the magnetic thin film layer 4 is not improved. If it exceeds 30 μm, warpage of the recording medium or cracks in the protective film may occur due to shrinkage during curing of the resin film, which is not practical.

このような塗膜は、通常、スピンナーコート、グラビア
塗布、スプレーコート、ディッピング等、種々の公知の
方法を組み合わせて設層すればよい。この時の塗膜の設
層条件は、塗膜組成の混合物の粘度、目的とする塗膜厚
さ等を考慮して適宜決定すればよい。
Such a coating film may be usually formed by combining various known methods such as spinner coating, gravure coating, spray coating and dipping. The layer forming conditions of the coating film at this time may be appropriately determined in consideration of the viscosity of the mixture of the coating film composition, the target coating film thickness, and the like.

このような塗膜を硬化させて保護層とするには、電子
線、紫外線等の放射線を塗膜に照射すればよい。
In order to cure such a coating film to form a protective layer, the coating film may be irradiated with a radiation such as an electron beam or an ultraviolet ray.

電子線を用いる場合、放射線特性としては、加速電圧10
0〜750KV、好ましくは150〜300KVの放射線加速器を用
い、吸収線量を0.5〜20メガラッドになるように照射す
るのが好都合である。
When using an electron beam, the radiation characteristics are as follows: acceleration voltage 10
It is expedient to use a radiation accelerator of 0 to 750 KV, preferably 150 to 300 KV, and to irradiate it with an absorbed dose of 0.5 to 20 megarads.

一方、紫外線を用いる場合には、前述したような放射線
硬化型化合物の中には、通常、光重合増感剤が加えられ
る。
On the other hand, when ultraviolet rays are used, a photopolymerization sensitizer is usually added to the above-mentioned radiation-curable compounds.

この光重合増感剤としては、従来公知のものでよく、例
えばベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエー
テル、α−メチルベンゾイン、α−クロルデオキシベン
ゾイン等のベンゾイン系、ベンゾフェノン、アセトフェ
ノン、ビスジアルキルアミノベンゾフェノン等のケトン
類、アセトラキノン、フェナントラキノン等のキノン
類、ベンジルジスルフィド、テトラメチルチウラムモノ
スルフィド等のスルフィド類等を挙げることができる。
光重合増感剤は樹脂固形分に対し、0.1〜10重量%の範
囲が望ましい。
The photopolymerization sensitizer may be any conventionally known one, for example, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, α-methylbenzoin, benzoin series such as α-chlordeoxybenzoin, benzophenone, acetophenone, bisdialkylaminobenzophenone, etc. Examples thereof include ketones, quinones such as acetoraquinone and phenanthraquinone, and sulfides such as benzyl disulfide and tetramethylthiuram monosulfide.
The photopolymerization sensitizer is preferably in the range of 0.1 to 10% by weight based on the resin solid content.

そして、このような光重合増感剤と放射線硬化型化合物
を含有する塗膜を紫外線によって硬化させるには、公知
の種々の方法に従えばよい。
Then, in order to cure the coating film containing such a photopolymerization sensitizer and the radiation-curable compound by ultraviolet rays, various known methods may be used.

たとえば、キセノン放電管、水素放電管などの紫外線電
球等を用いればよい。
For example, a UV bulb such as a xenon discharge tube or a hydrogen discharge tube may be used.

このような保護層6の上には、通常接着剤層7を介して
保護板8が設けられる。
On such a protective layer 6, a protective plate 8 is usually provided via an adhesive layer 7.

すなわち、前記の基板2の裏面(磁性薄膜層4を設けて
いない側の面)側からのみ記録・再生を行う、いわゆる
片面記録の場合にのみ、この保護板8を用いる。
That is, the protective plate 8 is used only in the case of so-called single-sided recording in which recording / reproduction is performed only from the back surface (surface on the side where the magnetic thin film layer 4 is not provided) of the substrate 2.

このような保護板8の樹脂材質は特別に透明性等を要求
されることはなく、種々の樹脂、例えば、ポリエチレ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリプロピレン、
ポリビニルアルコール、メタクリル樹脂、ポリアミド、
ポリ塩化ビニリデン、ポリカーボネート、ポリアセター
ル、ふっ素樹脂等の各種熱可塑性樹脂、 フェノール樹脂、ユリア樹脂、不飽和ポリエステル樹
脂、ポリウレタン、アルキド樹脂、メラミン樹脂、エポ
キシ樹脂、ケイ素樹脂等の各種熱可塑性樹脂等が使用可
能である。
The resin material of the protective plate 8 is not particularly required to have transparency, and various resins such as polyethylene, polyvinyl chloride, polystyrene, polypropylene,
Polyvinyl alcohol, methacrylic resin, polyamide,
Various types of thermoplastic resin such as polyvinylidene chloride, polycarbonate, polyacetal, fluororesin, phenol resin, urea resin, unsaturated polyester resin, polyurethane, alkyd resin, melamine resin, epoxy resin, silicon resin, etc. are used. It is possible.

なお、ガラス、セラミック等の各種無機材質を保護板8
として用いてもよい。
In addition, various inorganic materials such as glass and ceramic are used as the protective plate 8.
You may use as.

このものの形状、寸法等は上記の基板2のそれとほぼ同
様とされる。
The shape, dimensions, etc. of this product are substantially the same as those of the substrate 2 described above.

このような保護板8は、前述したように接着剤層7を介
して接着される。接着剤層は、通常、ホットメルト樹脂
等の接着剤であって、この膜厚は1〜100μm程度とさ
れる。
Such a protective plate 8 is bonded via the adhesive layer 7 as described above. The adhesive layer is usually an adhesive such as a hot melt resin and has a film thickness of about 1 to 100 μm.

他方、上記の保護板8を用いる代りに、上記の磁性薄膜
層4、保護層5,6等を有する基板をさらに1セット用い
て、両磁性薄膜層を内側にして対向させて、接着剤層7
を用いて貼り合せて、両基板の裏面側から書き込みを行
なう、いわゆる両面記録タイプとしてもよい。
On the other hand, instead of using the protective plate 8 described above, one more set of substrates having the magnetic thin film layer 4, the protective layers 5 and 6 and the like is used, and both magnetic thin film layers are made to face each other to face each other to form an adhesive layer. 7
It is also possible to use a so-called double-sided recording type in which writing is performed from the back surface side of both substrates by bonding using.

さらに、これらの基板2や保護板8の裏面(磁性薄膜層
4を設けていない側の面)には各種保護膜としてのハー
ドコート層を設けることが好ましい。
Further, it is preferable to provide a hard coat layer as various protective films on the back surface of the substrate 2 or the protective plate 8 (the surface on the side where the magnetic thin film layer 4 is not provided).

ハードコート層の材質としては、前述した第2の保護層
6の材質と同様なものとしてもよい。
The material of the hard coat layer may be the same as the material of the second protective layer 6 described above.

V 発明の効果 本発明の光磁気記録媒体は、基板と磁性薄膜層との間に
所定の酸素濃度分布をもつ酸化ケイ素中間層を有してい
る。そのため、記録、再生特性に優れ、しかも磁性薄膜
層の経時劣化も少ない。
V. Effect of the Invention The magneto-optical recording medium of the present invention has a silicon oxide intermediate layer having a predetermined oxygen concentration distribution between the substrate and the magnetic thin film layer. Therefore, the recording and reproducing characteristics are excellent, and the deterioration of the magnetic thin film layer with time is small.

VI 発明の具体的実施例 以下、本発明の実施例を挙げ、本発明をさらに詳細に説
明する。
VI Specific Examples of the Invention Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples of the present invention.

[実施例1] 直径13cm、厚さ1.2mmのビスフェノールA系のポリカー
ボネート樹脂(分子量15000)からなる基板上に、酸化
ケイ素中間層をスパッタリングにより、厚さ800Åに設
層した。
Example 1 A silicon oxide intermediate layer was sputter-deposited to a thickness of 800 L on a substrate made of a bisphenol A-based polycarbonate resin (molecular weight 15000) having a diameter of 13 cm and a thickness of 1.2 mm.

なお、スパッタリングに際して、酸化ケイ素中間層に所
定の濃度分布を設けるために、ターゲットはSiおよびSi
O2の2種類を用いる2元ターゲットとし、これらの使用
を時間的に制御した。設層後、膜中の元素分析を行った
結果、基板側から膜厚の1/4の位置までのO/Si比(x1)
は1.2であり、磁性薄膜層側から1/4の位置までのO/Si比
(x4)は0.6であった。また膜全体の平均O/Si比(x)
は0.9であった。
During sputtering, the target was Si and Si in order to provide a predetermined concentration distribution in the silicon oxide intermediate layer.
A binary target using two kinds of O 2 was used and their use was temporally controlled. As a result of elemental analysis in the film after layering, the O / Si ratio (x1) from the substrate side to the position 1/4 of the film thickness
Was 1.2, and the O / Si ratio (x4) from the magnetic thin film layer side to the 1/4 position was 0.6. Also, the average O / Si ratio of the entire film (x)
Was 0.9.

この酸化ケイ素中間層のうえに21at%Tb、68at%Fe、7a
t%Co、4at%Cr合金薄膜をスパッタリングによって、厚
さ800Åに設層し、磁性薄膜層とした。
21at% Tb, 68at% Fe, 7a on top of this silicon oxide intermediate layer
A t% Co, 4at% Cr alloy thin film was sputtered to a thickness of 800Å to form a magnetic thin film layer.

なお、ターゲットは、FeターゲットにTb、Co、Crチップ
をのせたものを用いた。
The target used was an Fe target on which Tb, Co, and Cr chips were placed.

この磁性薄膜層上にSiOx(x=1.0)の第1の保護層を
膜厚1000Åにスパッタリングで設層し、この第1の保護
層のうえに下記の放射線硬化型化合物を含む塗布組成物
を第2の保護層としてスピンナーコートで設層した。
A first protective layer of SiOx (x = 1.0) is formed on this magnetic thin film layer by sputtering to a film thickness of 1000Å, and a coating composition containing the following radiation-curable compound is applied on the first protective layer. A second protective layer was formed by spinner coating.

(塗布組成物) 多官能オリゴエステルアクリレート 100重量部 光増感剤 5重量部 このような塗布組成物を設層後、紫外線を15sec照射し
架橋硬化させ、硬化膜とした。
(Coating composition) Polyfunctional oligoester acrylate 100 parts by weight Photosensitizer 5 parts by weight After applying such a coating composition, it was irradiated with ultraviolet rays for 15 seconds to be crosslinked and cured to obtain a cured film.

この時の膜厚は5μmであった。The film thickness at this time was 5 μm.

なお、これと同様な処理を上記の基板裏面上にも行っ
た。さらに第2の保護層上に直径13cmのポリカーボネー
ト樹脂製の保護板を接着剤を用い接着し、本発明のサン
プルとした(サンプルNo.1)。これに準じてサンプルN
o.1を酸化ケイ素中間層を下記表1に示すSiOx中間層と
した以外は、No.1の場合と同様にして各種サンプルを作
製した。
The same process as above was performed on the back surface of the substrate. Further, a polycarbonate resin protective plate having a diameter of 13 cm was adhered onto the second protective layer with an adhesive to obtain a sample of the present invention (Sample No. 1). Sample N according to this
Various samples were prepared in the same manner as in No. 1 except that the silicon oxide intermediate layer was replaced with the SiOx intermediate layer shown in Table 1 below.

なお、サンプルNo.9およびNo.10は、基板材質として射
出成形によるアクリル樹脂を用いた。
Samples No. 9 and No. 10 used injection-molded acrylic resin as the substrate material.

以上のサンプルについて、以下に示すような特性値を測
定した。
For the above samples, the following characteristic values were measured.

(1)C/N比(保存劣化) 初期のC/N比と、60℃、90%RHにて1000時間保存後のC/N
比の変化量を下記の条件で測定した。
(1) C / N ratio (storage deterioration) C / N ratio at the initial stage and C / N after storage at 60 ° C, 90% RH for 1000 hours
The amount of change in the ratio was measured under the following conditions.

回転スピード 4m/sec 搬送周波数 500KHz 分解能 30KHz 記録パワー(830nm) 3〜4mW 再生パワー(830nm) 1mW (2)ビットエラーレート 初期と、60℃、90%RHにて1000時間保存後のEFM信号の
ビットエラーレートを測定した。
Rotation speed 4m / sec Carrier frequency 500KHz Resolution 30KHz Recording power (830nm) 3 to 4mW Reproduction power (830nm) 1mW (2) Bit error rate Bit of EFM signal after initial storage at 1000C and 90% RH for 1000 hours The error rate was measured.

結果を表1に示す。The results are shown in Table 1.

表1に示される結果より、本発明の効果が明らかであ
る。
From the results shown in Table 1, the effect of the present invention is clear.

すなわち、No.1〜No.4で示される本発明のものはC/N
比、ビットエラーレートのいずれも良好な結果を示す。
特にNo.1、No.2はxおよびx4/x1の値が最適範囲内にあ
るため、きわめてすぐれた結果を有し、x4/x1が1.4以上
であると、保存劣化の防止効果はきわめて大きいことが
わかる。
That is, the present invention shown in No. 1 to No. 4 is C / N
Both the ratio and the bit error rate show good results.
In particular, No. 1 and No. 2 have extremely excellent results because the values of x and x 4 / x 1 are within the optimum range. If x 4 / x 1 is 1.4 or more, storage deterioration is prevented. It turns out that the effect is extremely large.

アクリル基板を用いたもの(No.7およびNo.8)は保存
性、特に基板のソリ、変形等が大きく、実用上好ましく
ない。
Those using an acrylic substrate (No. 7 and No. 8) are not preferable in practical use because they have a large storability, especially warpage and deformation of the substrate.

【図面の簡単な説明】 第1図は、本発明の1例を示す光磁気記録媒体の断面図
である。 符号の説明 1……光磁気記録媒体、 2……基板 3……SiOx中間層、 4……磁性薄膜層、 5……第1の保護層、 6……第2の保護層、 7……接着剤層、 8……保護板
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a sectional view of a magneto-optical recording medium showing an example of the present invention. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Magneto-optical recording medium, 2 ... Substrate 3 ... SiOx intermediate layer, 4 ... Magnetic thin film layer, 5 ... First protective layer, 6 ... Second protective layer, 7 ... Adhesive layer, 8 ... Protection plate

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】樹脂製の基板上に酸化ケイ素中間層を有
し、この中間層上に希土類−遷移金属の磁性薄膜層を有
する光磁気記録媒体において、 上記基板がポリカーボネート樹脂であり、 上記酸化ケイ素中間層における基板側の酸素含有量が磁
性薄膜層側のそれと比べ大きく、 酸化ケイ素中間層の基板側から1/4までの位置の酸化ケ
イ素中間層中のO/Si原子比が、磁性薄膜層側から1/4ま
での位置の酸化ケイ素中間層中のO/Si原子比の1.4〜2.5
倍であることを特徴とする光磁気記録媒体。
1. A magneto-optical recording medium having a silicon oxide intermediate layer on a resin substrate, and a rare earth-transition metal magnetic thin film layer on the intermediate layer, wherein the substrate is a polycarbonate resin, and the oxidation is The oxygen content on the substrate side of the silicon intermediate layer is larger than that on the magnetic thin film layer side, and the O / Si atomic ratio in the silicon oxide intermediate layer at the position of 1/4 from the substrate side of the silicon oxide intermediate layer is 1.4 to 2.5 of the O / Si atomic ratio in the silicon oxide intermediate layer at the position of 1/4 from the layer side
A magneto-optical recording medium characterized by being doubled.
【請求項2】酸化ケイ素中間層の層全体の平均のO/Si原
子比が0.7〜1.2である特許請求の範囲第1項に記載の光
磁気記録媒体。
2. The magneto-optical recording medium according to claim 1, wherein the average O / Si atomic ratio of the entire silicon oxide intermediate layer is 0.7 to 1.2.
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