JPH0766769B2 - Electron beam equipment - Google Patents
Electron beam equipmentInfo
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- JPH0766769B2 JPH0766769B2 JP1123387A JP12338789A JPH0766769B2 JP H0766769 B2 JPH0766769 B2 JP H0766769B2 JP 1123387 A JP1123387 A JP 1123387A JP 12338789 A JP12338789 A JP 12338789A JP H0766769 B2 JPH0766769 B2 JP H0766769B2
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Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、電界放射形電子源から放出された電子線を利
用する走査型電子顕微鏡(SEM)、透過型電子顕微鏡(T
EM)、電子線描画装置、測長SEM等の各種の電子線装置
に関するものである。The present invention relates to a scanning electron microscope (SEM) and a transmission electron microscope (T) that utilize an electron beam emitted from a field emission electron source.
EM), an electron beam drawing device, and various electron beam devices such as a measuring SEM.
(従来の技術) 電界放射形電子源を備えた電子線装置においては、周知
のように、電子源の陰極と引出電極(陽極)との間に引
出電圧が印加されると電界放射による電子線が放射され
る。(Prior Art) In an electron beam apparatus provided with a field emission type electron source, as is well known, when an extraction voltage is applied between a cathode of an electron source and an extraction electrode (anode), an electron beam by field emission is generated. Is emitted.
電界放射形電子源の先端から引き出される電子線の量
は、電界放射形電子源の先端の曲率半径と引出電圧と表
面清浄度とによって決定される。The amount of the electron beam extracted from the tip of the field emission electron source is determined by the radius of curvature of the tip of the field emission electron source, the extraction voltage, and the surface cleanliness.
この曲率半径は、陰極に付着した汚れを除去するための
フラッシングを行うことによって変化するため、常に一
定の電子線量を得るためには、フラッシングを行うごと
に引出電圧を制御する必要がある。Since this radius of curvature changes by performing flushing for removing the dirt attached to the cathode, it is necessary to control the extraction voltage each time flushing is performed in order to obtain a constant electron dose.
ところで、引出電圧が変化すると加速管全体の電子レン
ズ作用が変化するため、後段のレンズ系から見た場合、
その仮想的な電子源位置が変化し、その結果、仮想的な
電子源の大きさが変化してしまう。By the way, when the extraction voltage changes, the electron lens action of the entire accelerator tube changes, so when viewed from the lens system in the latter stage,
The position of the virtual electron source changes, and as a result, the size of the virtual electron source changes.
この仮想的な電子源位置は、電界放射形電子源の後段に
形成される電子レンズの強度(焦点距離)を変化させる
ことによって調整することができるが、電界放射形電子
源の位置と電子レンズの光軸とがずれていると、電子線
の照射対象物上での電子線によるスポット位置が電子レ
ンズの強度に応じて移動してしまうという問題が発生す
る。The position of this virtual electron source can be adjusted by changing the intensity (focal length) of the electron lens formed in the subsequent stage of the field emission electron source. If the optical axis of the electron beam is deviated, the problem occurs that the spot position of the electron beam on the irradiation target of the electron beam moves according to the strength of the electron lens.
第4図は、電子源1の位置と電子レンズ3の光軸とがず
れている状態で、引出電極2に印加する引出電圧を一定
にしてレンズ発生電極4に印加するレンズ発生電圧を変
化させたときの電子線の偏向状態を示した図である。FIG. 4 shows a state in which the position of the electron source 1 and the optical axis of the electron lens 3 are deviated from each other, and the extraction voltage applied to the extraction electrode 2 is made constant and the lens generation voltage applied to the lens generation electrode 4 is changed. It is the figure which showed the deflection state of the electron beam at the time of making.
第5図はこのときに絞り18によって規定され、螢光板12
上に照射される電子線によるスポットの位置を表した図
であり、スポット51、52は、それぞれ電子レンズ3の強
度が弱い場合と強い場合、換言すれば、焦点距離が長い
場合と短かい場合とのスポット位置を表している。FIG. 5 is defined by the diaphragm 18 at this time, and the fluorescent plate 12
It is a figure showing the position of the spot by the electron beam irradiated above, and the spots 51 and 52 are respectively the case where the intensity | strength of the electron lens 3 is weak, and in other words, when a focal distance is long and a focal length is short. And the spot position.
なお、第4図において、電子源1は、電子源微動ネジ9
によって電子レンズ3の光軸と直交する方向に移動され
る電子源微動フランジ8に取り付けられている。In FIG. 4, the electron source 1 is the electron source fine adjustment screw 9
It is attached to the electron source fine movement flange 8 which is moved in the direction orthogonal to the optical axis of the electron lens 3.
このように、電子源1の位置と光軸とが一致していない
状態で静電形電子レンズ3の強度を変化させると、スポ
ットの中心位置が電子レンズ強度に応じて距離ΔRだけ
移動してしまう。In this way, when the intensity of the electrostatic electron lens 3 is changed in a state where the position of the electron source 1 and the optical axis do not match, the center position of the spot moves by the distance ΔR according to the intensity of the electron lens. I will end up.
このような電子線のスポットのずれは、たとえば電子顕
微鏡においては観察位置のずれとなってしまう。Such deviation of the electron beam spot results in deviation of the observation position in an electron microscope, for example.
第2図は、引出電圧およびレンズ発生電圧を固定して静
電形電子レンズ3の強度を一定とし、電子源微動フラン
ジ8を調整して電子源1を電子レンズ3の光軸と直交す
る方向に平行移動したときの電子線の偏向状態を示した
図であり、第4図と同一の符号は同一または同等部分を
表している。In FIG. 2, the extraction voltage and the lens-generated voltage are fixed to keep the intensity of the electrostatic electron lens 3 constant, and the electron source fine movement flange 8 is adjusted to make the electron source 1 orthogonal to the optical axis of the electron lens 3. It is a figure which shows the deflection state of the electron beam when parallel-moving, and the code | symbol same as FIG. 4 represents the same or equivalent part.
第3図はこのときの螢光板12上でのスポットの位置を表
した図であり、スポット31、32は、それぞれ電子源の光
軸と電子レンズの光軸とが一致している場合とずれてい
る場合とのスポット位置を表している。FIG. 3 is a diagram showing the positions of the spots on the fluorescent plate 12 at this time, and the spots 31 and 32 are different from the case where the optical axis of the electron source and the optical axis of the electron lens are aligned, respectively. The position of the spot is shown.
このように、電子源1を電子源微動フランジ8によって
移動させると、螢光板上のスポットの位置は電子源1の
移動距離に応じた距離ΔPだけ移動する。In this way, when the electron source 1 is moved by the electron source fine movement flange 8, the position of the spot on the fluorescent plate moves by the distance ΔP corresponding to the moving distance of the electron source 1.
このことから、静電形電子レンズ3の強度が変化した場
合に生じるスポットのずれを補正するためには、レンズ
発生電圧の変化によって生じたスポットのずれが補正さ
れる方向に電子源微動フランジ8を動かして電子源1を
移動すれば良いことが理解されるであろう。From this, in order to correct the spot deviation caused when the intensity of the electrostatic electron lens 3 changes, the electron source fine adjustment flange 8 is moved in the direction in which the spot deviation caused by the change in the lens generated voltage is corrected. It will be appreciated that the electron source 1 may be moved by moving.
そこで、従来技術の電子線装置における光軸調整は、初
めに電子レンズのレンズ強度を弱くした時のスポット位
置とレンズ強度を強くした時のスポット位置とを求め、
その後、レンズ強度をどのように変化させても、その時
のスポット位置が前記レンズ強度を強くした時の位置と
弱くした時の位置との間になるように、電子源1の位置
を電子源微動フランジ等の適宜の手段によって光軸と直
交する方向に平行移動することによって行われていた。Therefore, the optical axis adjustment in the electron beam apparatus of the prior art, first obtain the spot position when the lens strength of the electron lens is weakened and the spot position when the lens strength is increased,
After that, no matter how the lens strength is changed, the position of the electron source 1 is finely adjusted so that the spot position at that time is between the position when the lens strength is increased and the position when the lens strength is weakened. It is performed by moving in parallel in a direction orthogonal to the optical axis by an appropriate means such as a flange.
また、その他にも、スポットの輝度が最も高くなるよう
に電子源1の位置を光軸と直交する方向に平行移動する
方法があった。In addition, there is also a method of translating the position of the electron source 1 in a direction orthogonal to the optical axis so that the brightness of the spot becomes the highest.
(発明が解決しようとする課題) 上記した従来技術では、次のような問題点を有してい
た。(Problems to be Solved by the Invention) The above-described conventional technology has the following problems.
(1)レンズ強度を強くした時のスポット位置と弱くし
た時のスポット位置とに基づいて光軸調整を行う方法で
は、光軸調整に長時間を要し、作業効率が悪かった。(1) In the method of adjusting the optical axis based on the spot position when the lens strength is increased and the spot position when the lens strength is decreased, it takes a long time to adjust the optical axis, resulting in poor work efficiency.
(2)スポットの輝度に基づいて光軸調整を行う方法で
は、正確に光軸調整をすることが困難であった。(2) With the method of adjusting the optical axis based on the brightness of the spot, it is difficult to accurately adjust the optical axis.
本発明の目的は、以上に述べた問題点を解決し、簡単か
つ正確に光軸調整を行うことが可能な電子線装置を提供
することである。An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems and to provide an electron beam apparatus capable of easily and accurately adjusting the optical axis.
(課題を解決するための手段) 前記の問題点を解決するために、本発明は、電界放射形
電子源を有する電子線装置において、仮想電子源位置を
変化させるための電子レンズの焦点距離を任意の周期で
変化させる手段と、前記電界放射形電子源を、電子レン
ズの光軸と直交する方向に平行移動させる手段とを具備
した点に特徴がある。(Means for Solving the Problems) In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides an electron beam apparatus having a field emission electron source with a focal length of an electron lens for changing a virtual electron source position. It is characterized in that it is provided with means for changing it at an arbitrary period and means for moving the field emission type electron source in parallel in a direction orthogonal to the optical axis of the electron lens.
(作用) 電子レンズの焦点距離を任意の周期で変化させると、電
界放射形電子源の位置と電子レンズの光軸とが一致して
いない場合には、電子線照射面上でのスポットの中心位
置が前記任意の周期で移動してしまう。(Function) When the focal length of the electron lens is changed at an arbitrary cycle, if the position of the field emission electron source and the optical axis of the electron lens do not match, the center of the spot on the electron beam irradiation surface The position moves at the above arbitrary cycle.
ところが、電子源の位置と光軸とが一致している場合に
は、スポットの中心位置が一定で、その径が周期的に変
化するのみである。However, when the position of the electron source and the optical axis coincide with each other, the center position of the spot is constant and its diameter only changes periodically.
したがって、電子レンズの焦点距離を変化させたときに
スポットの中心位置が周期的に移動するようであれば、
その移動方向に応じて電界放射形電子源を光軸と直交す
る方向に平行移動してスポットの中心位置が一定となる
ようにすれば、軸調整が行われたことになる。Therefore, if the center position of the spot moves periodically when the focal length of the electron lens is changed,
If the field emission electron source is moved in parallel in the direction orthogonal to the optical axis according to the moving direction so that the center position of the spot becomes constant, the axis adjustment is completed.
(実施例) 以下に、図面を参照して本発明を詳細に説明する。第1
図は本発明の一実施例である電子線装置の主要部の構成
を示した図である。(Example) Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings. First
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a main part of an electron beam apparatus which is an embodiment of the present invention.
同図において、加速電圧発生電源14で発生した加速電圧
V0は電界放射形電子源1に印加され、引出電圧発生電源
16で発生した引出電圧V1は陽極2(第1陽極)に印加さ
れる。In the figure, the acceleration voltage generated by the acceleration voltage generator 14
V0 is applied to the field emission electron source 1 to generate the extraction voltage
The extraction voltage V1 generated at 16 is applied to the anode 2 (first anode).
電界放射形電子源1には、これをフラッシングするため
のフラッシング電源15が接続されている。A flushing power supply 15 for flushing the field emission electron source 1 is connected to the field emission electron source 1.
静電形電子レンズ発生電源17で発生したレンズ発生電圧
V2は振幅変調手段19に供給される。振幅変調手段19はス
イッチ20によって制御され、スイッチ20がオフ状態の場
合には入力されたレンズ発生電圧V2をそのまま電子レン
ズ発生電極4(第2陽極)に出力し、スイッチ20がオン
状態の場合には、周期的にレンズ発生電圧V2を変調して
出力する。Lens generation voltage generated by electrostatic type electronic lens generation power supply 17
V2 is supplied to the amplitude modulation means 19. The amplitude modulation means 19 is controlled by the switch 20, and when the switch 20 is in the OFF state, the input lens-generated voltage V2 is directly output to the electron lens generation electrode 4 (second anode), and when the switch 20 is in the ON state. , The lens-generated voltage V2 is periodically modulated and output.
電子レンズ発生電極4にレンズ発生電圧V2が印加される
と、陽極2と電子レンズ発生電極4との間に静電形電子
レンズ3が発生する。静電形電子レンズ3は仮想光源の
位置を一定にするためのものであり、そのレンズ強度は
レンズ発生電圧V2と引出電圧V1との電位差によって決定
される。When the lens generation voltage V2 is applied to the electron lens generation electrode 4, the electrostatic electron lens 3 is generated between the anode 2 and the electron lens generation electrode 4. The electrostatic electron lens 3 is for keeping the position of the virtual light source constant, and its lens strength is determined by the potential difference between the lens-generated voltage V2 and the extraction voltage V1.
加速電圧V0からレンズ発生電圧V2を引いた差電圧(V0−
V2)は高電圧分割抵抗7で分割され、絶縁碍子5によっ
て互いに絶縁された電極6に印加される。Difference voltage (V0−
V2) is divided by the high voltage dividing resistor 7 and applied to the electrodes 6 which are insulated from each other by the insulator 5.
電界放射形電子源1が取り付けられている電子源微動フ
ランジ8は、陽極2に対して平行方向へ移動可能となっ
ており、電子源微動ネジ9を回すことによって移動ある
いは固定することができる。The electron source fine movement flange 8 to which the field emission type electron source 1 is attached is movable in the direction parallel to the anode 2, and can be moved or fixed by turning the electron source fine movement screw 9.
ハウジング11の内部には不活性ガス10が充填される一
方、電極6、絶縁碍子5、陽極2等の内部は図示しない
真空ポンプによってほぼ真空状態に保たれている。The inside of the housing 11 is filled with the inert gas 10, while the inside of the electrode 6, the insulator 5, the anode 2 and the like is maintained in a substantially vacuum state by a vacuum pump (not shown).
電界放射形電子源1の先端を鋭く尖らせて引出電圧V1を
印加すると、電界放射によって電界放射形電子源1の先
端から電子が引き出される。When the extraction voltage V1 is applied with the tip of the field emission electron source 1 sharpened, electrons are extracted from the tip of the field emission electron source 1 by field emission.
電界放射形電子源1の先端で引き出された電子は加速電
圧V0によって加速されて電子線となり、絞り18で照射角
を制限される。The electrons extracted at the tip of the field emission electron source 1 are accelerated by the acceleration voltage V0 to become an electron beam, and the irradiation angle is limited by the diaphragm 18.
照射角を制限された電子線は螢光板12に塗布された螢光
物質を光らせる。螢光板上に写ったスポットは観察窓13
を通して観察することができる。An electron beam with a limited irradiation angle causes the fluorescent substance applied to the fluorescent plate 12 to shine. The spot on the fluorescent plate is the observation window 13
Can be observed through.
以下に、このような構成を有する電子顕微鏡の光軸合わ
せ方法について説明する。The optical axis alignment method of the electron microscope having such a configuration will be described below.
始めにスイッチ20をオンにして電子レンズ3の強度を周
期的に変化させると、静電形電子レンズ3の光軸に対し
て電子源1の位置がずれている場合には、螢光板上での
スポットが前記周期に従って連続的に移動し、そのスポ
ットは第6図(a)に示すような略楕円形状となる。First, when the switch 20 is turned on and the intensity of the electron lens 3 is periodically changed, if the position of the electron source 1 is displaced with respect to the optical axis of the electrostatic electron lens 3, the Spots continuously move in accordance with the above-mentioned cycle, and the spots have a substantially elliptical shape as shown in FIG. 6 (a).
ここで、オペレータが電子源微動ネジ9を回すことによ
って略楕円の長軸と平行方向へ電界放射形電子源1を移
動すると、スポットは同図(b)に示すように徐々に略
円形となり、光軸が一致すると、同図(c)に示すよう
な円形となる。When the operator rotates the electron source fine adjustment screw 9 to move the field emission electron source 1 in the direction parallel to the major axis of the ellipse, the spot gradually becomes approximately circular as shown in FIG. When the optical axes coincide with each other, a circular shape as shown in FIG.
このように、本発明によれば、光軸がずれている場合の
電子源微動フランジ8の移動方向を容易にみつけ出すこ
とが可能になり、また、光軸が一致したか否かの確認が
容易に行えるようになる。As described above, according to the present invention, it is possible to easily find the moving direction of the electron source fine movement flange 8 when the optical axis is deviated, and it is possible to confirm whether or not the optical axes match. It will be easy to do.
なお、上記した実施例においては、仮想的な電子源位置
を変化させるための電子レンズが電界形電子レンズであ
るものとして説明したが、これは磁界形電子レンズであ
っても良い。ただし、この場合は、電子レンズの焦点距
離を変化させるためには、電圧の代わりに電流を変化さ
せるようにする必要がある。In the above embodiments, the electron lens for changing the virtual electron source position is described as an electric field type electron lens, but it may be a magnetic field type electron lens. However, in this case, in order to change the focal length of the electron lens, it is necessary to change the current instead of the voltage.
また、上記した実施例においては、本発明を電子顕微鏡
に適用した場合を例にして説明したが、本発明はこれの
みに限定されるものではなく、電界放射形電子源を具備
した電子線装置であれば、電子線描画装置、測長SEM等
にも適用できる。Further, in the above-described embodiments, the case where the present invention is applied to the electron microscope has been described as an example, but the present invention is not limited to this, and an electron beam apparatus equipped with a field emission electron source. If so, it can be applied to an electron beam drawing apparatus, a measuring SEM, and the like.
さらに、電子レンズの焦点距離を変化させるための電圧
(電流)の変調方法は、第7図に示したように、連続
的な変調、非連続的な変調のいずれでも良く、また、
その周期も必ずしも一定である必要は無く、変調の結
果、電子レンズの焦点距離の変化によるスポット形状な
いしはスポット位置の変化をオペレータが認識できるの
であれば、どのような変調方法であっても良い。Further, the voltage (current) modulation method for changing the focal length of the electron lens may be either continuous modulation or discontinuous modulation, as shown in FIG.
The period is not necessarily constant, and any modulation method may be used as long as the operator can recognize the change in the spot shape or the spot position due to the change in the focal length of the electron lens as a result of the modulation.
(発明の効果) 以上の説明から明らかなように、本発明によれば、電界
放射形電子源の位置と電子レンズの光軸とがずれている
場合に、これを容易に一致させられるようになり、ま
た、光軸が一致したか否かの確認が容易に行えるように
なるので、軸調整を簡単かつ正確に行えるようになる。(Effects of the Invention) As is apparent from the above description, according to the present invention, when the position of the field emission electron source and the optical axis of the electron lens are deviated, they can be easily matched. Moreover, since it is possible to easily confirm whether or not the optical axes match, it becomes possible to easily and accurately adjust the axes.
第1図は本発明の一実施例である電子線装置の主要部の
構成を示した図である。 第2図は電子レンズ強度一定で、電子源を移動したとき
の電子線の偏向状態を示した図である。 第3図は第2図における螢光板上でのスポットの位置を
表した図である。 第4図は光軸がずれている状態で電子レンズの焦点距離
を変化させたときの電子線の偏向状態を示した図であ
る。 第5図は第4図における螢光板上でのスポットの位置を
表した図である。 第6図は電子レンズの焦点距離を周期的に変化させたと
きのスポット形状を表した図である。 第7図はレンズ発生電圧(電流)の変調方法を説明する
ための図である。 1……電界放射形電子源、2……陽極、3……静電形電
子レンズ、4……電子レンズ発生電極、5……絶縁碍
子、6……電極、7……高電圧分割抵抗、8……電子源
微動フランジ、9……電子源微動ネジ、11……ハウジン
グ、12……螢光板、13……観察窓、14……加速電圧発生
電源、15……フラッシング電源、16……引出電圧発生電
源、17……静電形電子レンズ発生電源、18……絞り、19
……振幅変調手段、20……スイッチ、31……電子レンズ
の軸上に電子源があるときのスポット位置、32……電子
レンズの軸からずれた位置に電子源があるときのスポッ
ト位置、51……電子レンズの焦点距離を長くしたときの
スポット位置、52……電子レンズの焦点距離を短くした
ときのスポット位置FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a main part of an electron beam apparatus which is an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a diagram showing the deflection state of the electron beam when the electron source is moved with the electron lens intensity being constant. FIG. 3 is a diagram showing the positions of spots on the fluorescent plate in FIG. FIG. 4 is a diagram showing a deflected state of the electron beam when the focal length of the electron lens is changed while the optical axis is displaced. FIG. 5 is a diagram showing the positions of spots on the fluorescent plate in FIG. FIG. 6 is a diagram showing the spot shape when the focal length of the electron lens is periodically changed. FIG. 7 is a diagram for explaining a method of modulating the lens-generated voltage (current). 1 ... Field emission type electron source, 2 ... Anode, 3 ... Electrostatic type electron lens, 4 ... Electron lens generating electrode, 5 ... Insulator, 6 ... Electrode, 7 ... High voltage division resistance, 8 ... Electron source fine adjustment flange, 9 ... Electron source fine adjustment screw, 11 ... Housing, 12 ... Fluorescent plate, 13 ... Observation window, 14 ... Accelerating voltage generating power supply, 15 ... Flushing power supply, 16 ... Power supply for generating extraction voltage, 17 ... Electrostatic power supply for generating electronic lens, 18 ... Aperture, 19
...... Amplitude modulation means, 20 ...... Switch, 31 ...... Spot position when the electron source is on the axis of the electron lens, 32 ...... Spot position when the electron source is at a position deviated from the axis of the electron lens, 51 …… Spot position when the focal length of the electronic lens is long, 52 …… Spot position when the focal length of the electronic lens is short
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭52−150959(JP,A) 特開 昭48−49376(JP,A) 特開 昭63−32845(JP,A) ─────────────────────────────────────────────────── --Continued from the front page (56) References JP-A-52-150959 (JP, A) JP-A-48-49376 (JP, A) JP-A-63-32845 (JP, A)
Claims (2)
物体に照射し、該物体の観察、加工、測量等を行う電子
線装置において、 陰極および第1陽極によって構成された電界放射形電子
源と、 第1陽極の後段に設けられ、仮想電子源位置を変化させ
るための電子レンズを前記第1陽極との間に発生させる
第2陽極と、 前記陰極および第1陽極間の電位差を一定に保ったま
ま、前記電子レンズの焦点距離を任意の周期で変化させ
る手段と、 前記電界放射形電子源を、前記電子レンズの光軸と直交
する方向に平行移動させる手段とを具備したことを特徴
とする電子線装置。1. An electron beam apparatus for irradiating an object with an electron beam emitted from a field emission electron source to observe, process, survey, etc. the object, the field emission type comprising a cathode and a first anode. An electron source and a second anode that is provided after the first anode and generates an electron lens for changing the position of the virtual electron source between the first anode and the second anode; and a potential difference between the cathode and the first anode. A means for changing the focal length of the electron lens in an arbitrary cycle while keeping it constant, and means for moving the field emission electron source in parallel in a direction orthogonal to the optical axis of the electron lens. An electron beam device characterized by:
段は、第2陽極に印加する電圧の振幅を変調する手段で
あることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の電子
線装置。2. The electron beam apparatus according to claim 1, wherein the means for changing the focal length of the electron lens is means for modulating the amplitude of the voltage applied to the second anode.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1123387A JPH0766769B2 (en) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | Electron beam equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1123387A JPH0766769B2 (en) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | Electron beam equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02301948A JPH02301948A (en) | 1990-12-14 |
| JPH0766769B2 true JPH0766769B2 (en) | 1995-07-19 |
Family
ID=14859317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1123387A Expired - Fee Related JPH0766769B2 (en) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | Electron beam equipment |
Country Status (1)
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| JP (1) | JPH0766769B2 (en) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4849376A (en) * | 1971-10-22 | 1973-07-12 | ||
| JPS52150959A (en) * | 1976-06-10 | 1977-12-15 | Jeol Ltd | Electronic microscope or its similar device |
| JPH0654638B2 (en) * | 1986-07-25 | 1994-07-20 | 日本電子株式会社 | Alignment device for charged particle beam device |
-
1989
- 1989-05-17 JP JP1123387A patent/JPH0766769B2/en not_active Expired - Fee Related
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| JPH02301948A (en) | 1990-12-14 |
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