JPH0766944B2 - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPH0766944B2 JPH0766944B2 JP26769188A JP26769188A JPH0766944B2 JP H0766944 B2 JPH0766944 B2 JP H0766944B2 JP 26769188 A JP26769188 A JP 26769188A JP 26769188 A JP26769188 A JP 26769188A JP H0766944 B2 JPH0766944 B2 JP H0766944B2
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Description
【産業上の利用分野】 本発明は、複数の上位回路形成領域を有し、その複数の
上位回路形成領域のそれぞれが、複数の下位基本回路形
成領域を有し、一方、それら複数の下位基本回路形成領
域のそれぞれが、機能回路を形成している機能回路形成
領域と、その機能回路から導出されている複数の接続用
内部端子とを有する半導体集積回路装置に関する。
上位回路形成領域のそれぞれが、複数の下位基本回路形
成領域を有し、一方、それら複数の下位基本回路形成領
域のそれぞれが、機能回路を形成している機能回路形成
領域と、その機能回路から導出されている複数の接続用
内部端子とを有する半導体集積回路装置に関する。
従来、第３図を伴って次に述べる半導体集積回路装置が
提案されている。 すなわち、複数、例えば２個の上位回路形成領域A1及び
A2を有する。 この上位回路形成領域A1は、複数、例えば２個の下位基
本回路形成領域B11及びB12を有する。 また、上位回路形成領域A2も、複数、例え２個の下位基
本回路形成領域B21及びB22を有する。 また、下位基本回路形成領域B11、B12、B21及びB22は、
それぞれ機能回路（図示せず）を形成している機能回路
形成領域C11、C12、C21及びC22を有する。 また、下位基本回路形成領域B11は、機能回路形成領域C
11から導出されている複数、例えば２個の接続用内部端
子F111及びF112を有する。 さらに、下位基本回路形成領域B12は、機能回路形成領
域C12から導出されている。下位基本回路形成領域B11の
接続用内部端子F111及びF112に対応している２個の接続
用内部端子F121及びF122を有する。 さらに、下位基本回路形成領域B21は、機能回路形成領
域C21から導出されている、下位基本回路形成領域B11の
接続用内部端子F111及びF112に対応している２個の接続
用内部端子F211及びF212を有する。 また、下位基本回路形成領域B22は、下位基本回路形成
領域B11の接続用内部端子F111及びF112に対応している
２個の接続用内部端子F221及びF222を有する。 この場合、下位基本回路形成領域B11、B12、B21及びB22
の接続用内部端子F111、F121F212及びF221が、爾後、自
動配線によって、互に接続される端子であり、また、下
位基本回路形成領域B11、B12、B21及びB22の接続用内部
端子F111、F121F211及びF222が、同様に爾後、自動配線
によって、互に接続される端子であることは注意すべき
である。 以上が、従来提案されている半導体集積回路装置の構成
である。 このような構成を有する半導体集積回路装置は、爾後、
自動配線装置を用いて、上位基本回路形成領域A1の下位
基本回路形成領域B11及びB12の接続用内部端子F111及び
F121と、上位回路形成領域A2の下位基本回路形成領域B
21及びB22の接続用内部端子F211及びF222とが、上位回
路形成領域A1及びA2における配線L11及びL21と、上位回
路形成領域A1及びA2間における配線La1とによって互に
接続され、また、上位回路形成領域A1の下位基本回路形
成領域B11及びB12の接続用内部端子F112及びF122と、上
位基本形成領域A2の下位基本回路形成領域B21及びB22の
接続用内部端子F211及びF222とが、上位回路形成領域A1
及びA2における配線L12及びL22と、上位回路形成領域A1
及びA2間における配線La2とによって互に接続されて、
用いられる。
提案されている。 すなわち、複数、例えば２個の上位回路形成領域A1及び
A2を有する。 この上位回路形成領域A1は、複数、例えば２個の下位基
本回路形成領域B11及びB12を有する。 また、上位回路形成領域A2も、複数、例え２個の下位基
本回路形成領域B21及びB22を有する。 また、下位基本回路形成領域B11、B12、B21及びB22は、
それぞれ機能回路（図示せず）を形成している機能回路
形成領域C11、C12、C21及びC22を有する。 また、下位基本回路形成領域B11は、機能回路形成領域C
11から導出されている複数、例えば２個の接続用内部端
子F111及びF112を有する。 さらに、下位基本回路形成領域B12は、機能回路形成領
域C12から導出されている。下位基本回路形成領域B11の
接続用内部端子F111及びF112に対応している２個の接続
用内部端子F121及びF122を有する。 さらに、下位基本回路形成領域B21は、機能回路形成領
域C21から導出されている、下位基本回路形成領域B11の
接続用内部端子F111及びF112に対応している２個の接続
用内部端子F211及びF212を有する。 また、下位基本回路形成領域B22は、下位基本回路形成
領域B11の接続用内部端子F111及びF112に対応している
２個の接続用内部端子F221及びF222を有する。 この場合、下位基本回路形成領域B11、B12、B21及びB22
の接続用内部端子F111、F121F212及びF221が、爾後、自
動配線によって、互に接続される端子であり、また、下
位基本回路形成領域B11、B12、B21及びB22の接続用内部
端子F111、F121F211及びF222が、同様に爾後、自動配線
によって、互に接続される端子であることは注意すべき
である。 以上が、従来提案されている半導体集積回路装置の構成
である。 このような構成を有する半導体集積回路装置は、爾後、
自動配線装置を用いて、上位基本回路形成領域A1の下位
基本回路形成領域B11及びB12の接続用内部端子F111及び
F121と、上位回路形成領域A2の下位基本回路形成領域B
21及びB22の接続用内部端子F211及びF222とが、上位回
路形成領域A1及びA2における配線L11及びL21と、上位回
路形成領域A1及びA2間における配線La1とによって互に
接続され、また、上位回路形成領域A1の下位基本回路形
成領域B11及びB12の接続用内部端子F112及びF122と、上
位基本形成領域A2の下位基本回路形成領域B21及びB22の
接続用内部端子F211及びF222とが、上位回路形成領域A1
及びA2における配線L12及びL22と、上位回路形成領域A1
及びA2間における配線La2とによって互に接続されて、
用いられる。
しかしながら、第３図に示す従来の半導体集積回路装置
の場合、自動配線装置によって、上述した配線L11、
L12、L21、L22、La1及びLa2が形成されるとき、まず、
最初の段階において、配線L11及びL12と、配線L21及びL
22とが形成され、次に配線La1及びLa2が形成されるが、
この場合、自動配線装置においてとり得るアルゴリズム
から、配線L11及びL12が上位回路形成領域A1の予定の側
縁位置に、結線率が高くなるように延長して形成され
て、位置P11及びP12に位置されるとき、上述した配線L
21及びL22が上位回路形成領域A2の上位回路形成領域A1
の側縁位置に対応する側縁位置に、結線率が高くなるよ
うに延長されて、位置P12及びP11にそれぞれ対応する位
置P22及びP21に位置され、そして、配線La1及びLa2がそ
れぞれ位置P11及びP22間及びP12及びP21間に延長される
場合が生ずる。 このため、上述した配線層La1及びLa2が、上位回路形成
領域A1及びA2間において、図示のように交叉して形成さ
れる場合が生じ、そして、そのように交叉して形成され
る場合、交叉しないで形成される場合に比し広い面積の
配線層形成領域が必要になる、という欠点を有してい
た。 よって、本発明は、上述した欠点のない、新規な半導体
集積回路装置を提案せんとするものである。
の場合、自動配線装置によって、上述した配線L11、
L12、L21、L22、La1及びLa2が形成されるとき、まず、
最初の段階において、配線L11及びL12と、配線L21及びL
22とが形成され、次に配線La1及びLa2が形成されるが、
この場合、自動配線装置においてとり得るアルゴリズム
から、配線L11及びL12が上位回路形成領域A1の予定の側
縁位置に、結線率が高くなるように延長して形成され
て、位置P11及びP12に位置されるとき、上述した配線L
21及びL22が上位回路形成領域A2の上位回路形成領域A1
の側縁位置に対応する側縁位置に、結線率が高くなるよ
うに延長されて、位置P12及びP11にそれぞれ対応する位
置P22及びP21に位置され、そして、配線La1及びLa2がそ
れぞれ位置P11及びP22間及びP12及びP21間に延長される
場合が生ずる。 このため、上述した配線層La1及びLa2が、上位回路形成
領域A1及びA2間において、図示のように交叉して形成さ
れる場合が生じ、そして、そのように交叉して形成され
る場合、交叉しないで形成される場合に比し広い面積の
配線層形成領域が必要になる、という欠点を有してい
た。 よって、本発明は、上述した欠点のない、新規な半導体
集積回路装置を提案せんとするものである。
本発明による半導体集積回路装置は、第３図で上述した
従来の半導体集積回路装置の場合と同様に、複数の上位
回路形成領域を有し、そして、それら複数の上位回路形
成領域のそれぞれが、複数の下位基本回路形成領域を有
し、一方、それら複数の下位基本回路形成領域のそれぞ
れが、機能回路を形成してきる機能回路形成領域と、そ
の機能回路から導出されている複数の接続用内部端子と
を有する。 しかしながら、本発明による半導体集積回路装置は、こ
のような構成を有する半導体集積回路装置において、上
記複数の下位基本回路形成領域のそれぞれが、未結線の
複数の接続用外部端子と、上記接続用内部端子と上記接
続用外部端子とを接続する配線を形成するための配線層
形成用領域とを有する。
従来の半導体集積回路装置の場合と同様に、複数の上位
回路形成領域を有し、そして、それら複数の上位回路形
成領域のそれぞれが、複数の下位基本回路形成領域を有
し、一方、それら複数の下位基本回路形成領域のそれぞ
れが、機能回路を形成してきる機能回路形成領域と、そ
の機能回路から導出されている複数の接続用内部端子と
を有する。 しかしながら、本発明による半導体集積回路装置は、こ
のような構成を有する半導体集積回路装置において、上
記複数の下位基本回路形成領域のそれぞれが、未結線の
複数の接続用外部端子と、上記接続用内部端子と上記接
続用外部端子とを接続する配線を形成するための配線層
形成用領域とを有する。
本発明による半導体集積回路装置によれば、複数の下位
基本回路形成領域のそれぞれが、機能回路形成領域と、
それが導出させている複数の接続用内部端子とを有する
外、複数の接続用外部端子と、複数の接続用内部端子と
複数の接続用外部端子とを接続する配線層を形成するた
めの配線層形成用領域とを有するを除いて、第３図で上
述した従来の半導体集積回路装置と同様の構成を有し、
そして、爾後、自動配線装置を用いて、複数の上位回路
形成領域のそれぞれにおける複数の下位基本回路形成領
域のそれぞれにおいて、複数の接続用内部端子と複数の
接続用外部端子とが配線層形成領域に延長する配線によ
って互に接続され、そして、複数の上位回路形成領域中
の一の上位回路形成領域における複数の下位基本回路形
成領域における複数の接続用外部端子と、それらにそれ
ぞれ対応している複数の上位回路形成領域中の他の上位
回路形成領域における複数の下位基本回路形成領域にお
ける複数の接続用外部端子とが、一の上位回路形成領域
及び他の上位回路形成領域間に延長する配線によって互
に接続されて、用いられる。 従って、第３図で上述した従来の半導体集積回路装置の
場合と同様に、爾後、自動配線装置によって配線され
て、用いられる。 しかしながら、本発明による半導体集積回路装置によれ
ば、複数の上位回路形成領域のそれぞれにおける複数の
下位基本回路形成領域のそれぞれが、複数の接続用外部
端子と、それらと機能回路形成領域から導出されている
複数の接続用内部端子とを接続する配線を形成するため
の配線層形成領域を有し、そして、自動配線装置に、そ
れによって上述した配線を行わせるとき、第３図で上述
した従来の半導体集積回路装置の場合のように、一の上
位回路形成領域及び他の一の上位回路形成領域間におい
て、配線を交叉させないアルゴリズムを有せしめること
ができ、よって、第３図で上述した従来の半導体集積回
路装置の場合の上述した欠点を有効に回避させることが
できる。
基本回路形成領域のそれぞれが、機能回路形成領域と、
それが導出させている複数の接続用内部端子とを有する
外、複数の接続用外部端子と、複数の接続用内部端子と
複数の接続用外部端子とを接続する配線層を形成するた
めの配線層形成用領域とを有するを除いて、第３図で上
述した従来の半導体集積回路装置と同様の構成を有し、
そして、爾後、自動配線装置を用いて、複数の上位回路
形成領域のそれぞれにおける複数の下位基本回路形成領
域のそれぞれにおいて、複数の接続用内部端子と複数の
接続用外部端子とが配線層形成領域に延長する配線によ
って互に接続され、そして、複数の上位回路形成領域中
の一の上位回路形成領域における複数の下位基本回路形
成領域における複数の接続用外部端子と、それらにそれ
ぞれ対応している複数の上位回路形成領域中の他の上位
回路形成領域における複数の下位基本回路形成領域にお
ける複数の接続用外部端子とが、一の上位回路形成領域
及び他の上位回路形成領域間に延長する配線によって互
に接続されて、用いられる。 従って、第３図で上述した従来の半導体集積回路装置の
場合と同様に、爾後、自動配線装置によって配線され
て、用いられる。 しかしながら、本発明による半導体集積回路装置によれ
ば、複数の上位回路形成領域のそれぞれにおける複数の
下位基本回路形成領域のそれぞれが、複数の接続用外部
端子と、それらと機能回路形成領域から導出されている
複数の接続用内部端子とを接続する配線を形成するため
の配線層形成領域を有し、そして、自動配線装置に、そ
れによって上述した配線を行わせるとき、第３図で上述
した従来の半導体集積回路装置の場合のように、一の上
位回路形成領域及び他の一の上位回路形成領域間におい
て、配線を交叉させないアルゴリズムを有せしめること
ができ、よって、第３図で上述した従来の半導体集積回
路装置の場合の上述した欠点を有効に回避させることが
できる。
【実施例１】 次に、第１図を伴って本発明による半導体集積回路装置
の第１の実施例を述べよう。 第１図において、第３図との対応部分には同一符号を付
して詳細説明を省略する。 第１図に示す本発明による半導体集積回路装置は、次の
事項を除いて、第３図で上述した従来の半導体集積回路
装置と同様の構成を有する。 すなわち、上位回路形成領域A1における下位基本回路形
成領域B11が、機能回路形成領域C11と、接続用内部端子
F111及びF112との外、予定の側縁位置に形成された接続
用内部端子F111及びF112に対応している未結線の２個の
接続用外部端子G111及びG112を有するとともに、接続用
内部端子F111及びF112と接続用外部端子G111及びG112と
を接続するための配線を形成するための配線層形成領域
H11を有する。 また、上位回路形成領域A1における下位基本回路形成領
域B12が、機能回路形成領域C12と、接続用内部端子F121
及びF122との外、同様に予定の側縁位置に形成された、
接続用内部端子F121及びF122に対応している未結線の２
個にの接続用外部端子G121及びG122を有するとともに、
接続用内部端子F121及びF122と接続用外部端子G121及び
G122とを接続するための配線を形成するための配線層形
成領域H12を有する。 さらに、上位回路形成領域A2における下位基本回路形成
領域B21が、機能回路形成領域C21と、接続用内部端子F
211及びF212との外、予定の側縁位置に形成された接続
用内部端子F211及びF212に対応している未結線の２個の
接続用外部端子G211及びG212を有するとともに、接続用
内部端子F211及びF212と接続用外部端子G211及びG212と
を接続するための配線を形成するための配線層形成領域
H21を有する。 また、上位回路形成領域A2における下位基本回路形成領
域B22が、機能回路形成領域C22と、接続用内部端子F221
及びF222との外、同様に予定の側縁位置に形成された、
接続用内部端子F221及びF222に対応している未結線の２
個にの接続用外部端子G221及びG222を有するとともに、
接続用内部端子F221及びF222と接続用外部端子G221及び
G222とを接続するための配線を形成するための配線層形
成領域H22を有する。 以上が、本発明による半導体集積回路装置の実施例の構
成である。 このような構成を有する本発明による半導体集積回路装
置は、上位回路形成領域A1における下位基本回路形成領
域B11及びB12の接続用内部端子F111及びF121と、上位回
路形成領域A2における下位基本回路形成領域B21及びB22
の接続用内部端子F212及びF221とが、下位基本回路形成
領域B11の配線層形成領域H11に於いて接続用内部端子F
111及び接続用外部端子G111間に延長している配線L111
と、下位基本回路形成領域B12の配線層形成領域H12にお
いて接続用内部端子F121及び接続用外部端子G121間に延
長している配線L121と、下位基本回路形成領域B21の配
線層形成領域H21において接続用内部端子F212及び接続
用外部端子G211間に延長している配線L211と、下位基本
回路形成領域B22の配線層形成領域H22において接続用内
部端子F221及び接続用外部端子G221間に延長している配
線L221と、上位回路形成領域A1及びA2間に接続用外部端
子G111、G121、G211及びG221と連結して延長している配
線La1とによって互に接続され、また、上位回路形成領
域A1における下位基本回路形成領域B11及びB12の接続用
内部端子F112及びF122と、上位回路形成領域A2における
下位基本回路形成領域B21及びB22の接続用内部端子F211
及びF222とが、下位基本回路形成領域B11の配線層形成
領域H11において接続用内部端子F112及び接続用外部端
子G112間に延長している配線L112と、下位基本回路形成
領域B12の配線層形成領域H12において接続用内部端子F
122及び接続用外部端子G122間に延長している配線L122
と、下位基本回路形成領域B21の配線層形成領域H21にお
いて接続用内部端子F211及び接続用外部端子G212間に延
長している配線L212と、下位基本回路形成領域B22の配
線層形成領域H22において接続用内部端子F222及び接続
用外部端子G222間に延長している配線L222と、上位回路
形成領域A1及びA2間に接続用外部端子G112、G122、G212
及びG222と連結して延長している配線La2とによって互
に接続されて、用いられる。 そして、この場合、自動配線装置に接続用内部端子F111
〜F222の外、接続用外部端子G111〜G222を認識させるこ
とができ、このため、自動配線装置においてとり得るア
ルゴリズムから、配線La1及びLa2を、それぞれ第３図で
上述した位置P11及びP21間、及びP12及びP22間に延長し
て形成することができる。 従って、本発明による半導体集積回路装置によれば、第
３図で上述した従来の半導体集積回路装置で上述した欠
点を有効に回避させることができる。
の第１の実施例を述べよう。 第１図において、第３図との対応部分には同一符号を付
して詳細説明を省略する。 第１図に示す本発明による半導体集積回路装置は、次の
事項を除いて、第３図で上述した従来の半導体集積回路
装置と同様の構成を有する。 すなわち、上位回路形成領域A1における下位基本回路形
成領域B11が、機能回路形成領域C11と、接続用内部端子
F111及びF112との外、予定の側縁位置に形成された接続
用内部端子F111及びF112に対応している未結線の２個の
接続用外部端子G111及びG112を有するとともに、接続用
内部端子F111及びF112と接続用外部端子G111及びG112と
を接続するための配線を形成するための配線層形成領域
H11を有する。 また、上位回路形成領域A1における下位基本回路形成領
域B12が、機能回路形成領域C12と、接続用内部端子F121
及びF122との外、同様に予定の側縁位置に形成された、
接続用内部端子F121及びF122に対応している未結線の２
個にの接続用外部端子G121及びG122を有するとともに、
接続用内部端子F121及びF122と接続用外部端子G121及び
G122とを接続するための配線を形成するための配線層形
成領域H12を有する。 さらに、上位回路形成領域A2における下位基本回路形成
領域B21が、機能回路形成領域C21と、接続用内部端子F
211及びF212との外、予定の側縁位置に形成された接続
用内部端子F211及びF212に対応している未結線の２個の
接続用外部端子G211及びG212を有するとともに、接続用
内部端子F211及びF212と接続用外部端子G211及びG212と
を接続するための配線を形成するための配線層形成領域
H21を有する。 また、上位回路形成領域A2における下位基本回路形成領
域B22が、機能回路形成領域C22と、接続用内部端子F221
及びF222との外、同様に予定の側縁位置に形成された、
接続用内部端子F221及びF222に対応している未結線の２
個にの接続用外部端子G221及びG222を有するとともに、
接続用内部端子F221及びF222と接続用外部端子G221及び
G222とを接続するための配線を形成するための配線層形
成領域H22を有する。 以上が、本発明による半導体集積回路装置の実施例の構
成である。 このような構成を有する本発明による半導体集積回路装
置は、上位回路形成領域A1における下位基本回路形成領
域B11及びB12の接続用内部端子F111及びF121と、上位回
路形成領域A2における下位基本回路形成領域B21及びB22
の接続用内部端子F212及びF221とが、下位基本回路形成
領域B11の配線層形成領域H11に於いて接続用内部端子F
111及び接続用外部端子G111間に延長している配線L111
と、下位基本回路形成領域B12の配線層形成領域H12にお
いて接続用内部端子F121及び接続用外部端子G121間に延
長している配線L121と、下位基本回路形成領域B21の配
線層形成領域H21において接続用内部端子F212及び接続
用外部端子G211間に延長している配線L211と、下位基本
回路形成領域B22の配線層形成領域H22において接続用内
部端子F221及び接続用外部端子G221間に延長している配
線L221と、上位回路形成領域A1及びA2間に接続用外部端
子G111、G121、G211及びG221と連結して延長している配
線La1とによって互に接続され、また、上位回路形成領
域A1における下位基本回路形成領域B11及びB12の接続用
内部端子F112及びF122と、上位回路形成領域A2における
下位基本回路形成領域B21及びB22の接続用内部端子F211
及びF222とが、下位基本回路形成領域B11の配線層形成
領域H11において接続用内部端子F112及び接続用外部端
子G112間に延長している配線L112と、下位基本回路形成
領域B12の配線層形成領域H12において接続用内部端子F
122及び接続用外部端子G122間に延長している配線L122
と、下位基本回路形成領域B21の配線層形成領域H21にお
いて接続用内部端子F211及び接続用外部端子G212間に延
長している配線L212と、下位基本回路形成領域B22の配
線層形成領域H22において接続用内部端子F222及び接続
用外部端子G222間に延長している配線L222と、上位回路
形成領域A1及びA2間に接続用外部端子G112、G122、G212
及びG222と連結して延長している配線La2とによって互
に接続されて、用いられる。 そして、この場合、自動配線装置に接続用内部端子F111
〜F222の外、接続用外部端子G111〜G222を認識させるこ
とができ、このため、自動配線装置においてとり得るア
ルゴリズムから、配線La1及びLa2を、それぞれ第３図で
上述した位置P11及びP21間、及びP12及びP22間に延長し
て形成することができる。 従って、本発明による半導体集積回路装置によれば、第
３図で上述した従来の半導体集積回路装置で上述した欠
点を有効に回避させることができる。
【実施例２】 次に、第２図を伴って本発明による半導体集積回路装置
の他の実施例を述べよう。 第２図において、第１図との対応部分には同一符号を付
し詳細説明を省略する。 第２図に示す本発明による半導体集積回路装置は、次の
事項を除いて、第１図で上述した本発明による半導体集
積回路装置と同様の構成を有する。 すなわち、上位回路形成領域A1において、下位基本回路
形成領域B11における接続用外部端子G111及びG112に対
応している接続用外部端子G11′及びG12′と、配線層形
成領域H11に対応する配線層形成領域H1′とを有する端
子処理領域B1′が設けられ、また、上位回路形成領域A1
において、下位基本回路形成領域B11における接続用外
部端子G111及びG112に対応している接続用外部端子
G11′及びG12′と、配線層形成領域H11に対応する配線
層形成領域H2′とを有する端子処理領域B2′が設けられ
ている。 このような本発明による半導体集積回路装置の構成によ
れば、第１図の場合に準じた作用効果が得られることを
は明らかである。
の他の実施例を述べよう。 第２図において、第１図との対応部分には同一符号を付
し詳細説明を省略する。 第２図に示す本発明による半導体集積回路装置は、次の
事項を除いて、第１図で上述した本発明による半導体集
積回路装置と同様の構成を有する。 すなわち、上位回路形成領域A1において、下位基本回路
形成領域B11における接続用外部端子G111及びG112に対
応している接続用外部端子G11′及びG12′と、配線層形
成領域H11に対応する配線層形成領域H1′とを有する端
子処理領域B1′が設けられ、また、上位回路形成領域A1
において、下位基本回路形成領域B11における接続用外
部端子G111及びG112に対応している接続用外部端子
G11′及びG12′と、配線層形成領域H11に対応する配線
層形成領域H2′とを有する端子処理領域B2′が設けられ
ている。 このような本発明による半導体集積回路装置の構成によ
れば、第１図の場合に準じた作用効果が得られることを
は明らかである。
第１図は、本発明による半導体集積回路装置の第１の実
施例を示す系統的接続図である。 第２図は、本発明による半導体集積回路装置の第２の実
施例を示す系統的接続図である。 第３図は、従来の半導体集積回路装置を示す系統的接続
図である。 A1，A2……上位回路形成領域 B11〜B22……下位基本回路形成領域 C11〜C22……機能回路形成領域 F111〜F222……接続用内部端子 G111〜G222……接続用外部端子 H11〜H22……配線層形成領域 La1、La2、L111〜L222……配線 P11〜P22……位置
施例を示す系統的接続図である。 第２図は、本発明による半導体集積回路装置の第２の実
施例を示す系統的接続図である。 第３図は、従来の半導体集積回路装置を示す系統的接続
図である。 A1，A2……上位回路形成領域 B11〜B22……下位基本回路形成領域 C11〜C22……機能回路形成領域 F111〜F222……接続用内部端子 G111〜G222……接続用外部端子 H11〜H22……配線層形成領域 La1、La2、L111〜L222……配線 P11〜P22……位置
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 27/04 Ｈ０１Ｌ 27/04 Ａ
Claims (1)
- 【請求項１】複数の上位回路形成領域を有し、 上記複数の上位回路形成領域のそれぞれは、複数の下位
基本回路形成領域を有し、 上記複数の下位基本回路形成領域のそれぞれは、機能回
路を形成している機能回路形成領域と、上記機能回路か
ら導出されている複数の接続用内部端子とを有する半導
体集積回路装置において、 上記複数の下位基本回路形成領域のそれぞれが、未結線
の複数の接続用外部端子と、上記複数の接続用内部端子
と上記複数の接続用外部端子層とを接続する配線を形成
するための配線形成用領域とを有することを特徴とする
半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26769188A JPH0766944B2 (ja) | 1988-10-24 | 1988-10-24 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26769188A JPH0766944B2 (ja) | 1988-10-24 | 1988-10-24 | 半導体集積回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02114548A JPH02114548A (ja) | 1990-04-26 |
| JPH0766944B2 true JPH0766944B2 (ja) | 1995-07-19 |
Family
ID=17448195
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26769188A Expired - Lifetime JPH0766944B2 (ja) | 1988-10-24 | 1988-10-24 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0766944B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3271602B2 (ja) | 1999-02-17 | 2002-04-02 | 日本電気株式会社 | 半導体集積回路装置およびその設計方法 |
-
1988
- 1988-10-24 JP JP26769188A patent/JPH0766944B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02114548A (ja) | 1990-04-26 |
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