JPH076740B2 - 焼成炉 - Google Patents
焼成炉Info
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- JPH076740B2 JPH076740B2 JP8236489A JP8236489A JPH076740B2 JP H076740 B2 JPH076740 B2 JP H076740B2 JP 8236489 A JP8236489 A JP 8236489A JP 8236489 A JP8236489 A JP 8236489A JP H076740 B2 JPH076740 B2 JP H076740B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はセラミックの被焼成物の焼成過程や焼成条件の
評価を行なうための実験等に用いられる焼成炉に関す
る。
評価を行なうための実験等に用いられる焼成炉に関す
る。
［従来の技術］ 一般に、焼成炉には、セラミックの被焼成物を連続的に
処理するトンネル炉方式のものと、セラミックの被焼成
物をバッチ処理するバッチ炉方式のものとがある。
処理するトンネル炉方式のものと、セラミックの被焼成
物をバッチ処理するバッチ炉方式のものとがある。
従来より、セラミックの焼結過程や焼成条件の評価を目
的とする実験用の焼成炉としては、第５図および第６図
に夫々縦断面および横断面を示すようなバッチ炉が主と
して使用されてきた。
的とする実験用の焼成炉としては、第５図および第６図
に夫々縦断面および横断面を示すようなバッチ炉が主と
して使用されてきた。
上記バッチ炉１は、いわゆる炉床昇降式のもので、炉本
体２が内部にセラミックの被焼成物を収容した匣を多段
に積み重ねてなる匣組３を出し入れするための開口2aを
有する。そして、この炉本体２の炉床４が図示しない油
圧もくしはスクリユウによる昇降機構により上昇し、そ
の上に台板５を介して載置された上記匣組３の匣内の被
焼成物が上記開口2aより炉本体２の内部に挿入される。
炭化珪素（SiC）製の棒状ヒータ７が上記炉本体２の側
壁2bより挿入されて井桁状に組み合わされ、この棒状ヒ
ータ７により、上記被焼成物が加熱されて焼成される。
上記炉本体２の内部には、炉本体２の側壁2bに設けられ
た雰囲気ガスの投入孔８から保護雰囲気ガスが投入され
る。また、上記匣組３の匣内の被焼成物の焼成によって
炉本体２内に生じた排ガスは、炉本体２の天井部2cに形
成された排気孔９から炉本体２の外に排出される。
体２が内部にセラミックの被焼成物を収容した匣を多段
に積み重ねてなる匣組３を出し入れするための開口2aを
有する。そして、この炉本体２の炉床４が図示しない油
圧もくしはスクリユウによる昇降機構により上昇し、そ
の上に台板５を介して載置された上記匣組３の匣内の被
焼成物が上記開口2aより炉本体２の内部に挿入される。
炭化珪素（SiC）製の棒状ヒータ７が上記炉本体２の側
壁2bより挿入されて井桁状に組み合わされ、この棒状ヒ
ータ７により、上記被焼成物が加熱されて焼成される。
上記炉本体２の内部には、炉本体２の側壁2bに設けられ
た雰囲気ガスの投入孔８から保護雰囲気ガスが投入され
る。また、上記匣組３の匣内の被焼成物の焼成によって
炉本体２内に生じた排ガスは、炉本体２の天井部2cに形
成された排気孔９から炉本体２の外に排出される。
［発明が解決しようとする課題］ ところで、上記従来の焼成炉では、セラミックの被焼成
物の外側には炉本体２の内壁および棒状ヒータ７が存在
するので、棒状ヒータ７や炉本体２の断熱材等から不純
物がセラミックの被焼成物に付着する等により、棒状ヒ
ータ７や炉本体４の影響が直接、セラミックの被焼成物
に作用する。また、上記従来の焼成炉では、炉本体の昇
温および降温、特に、降温に際して、炉本体２の断熱材
の熱容量や熱伝導率等の特性により、冷却スピードが律
速されてしまい、セラミックの被焼成物に対して、自由
な昇温および降温カーブを設定することができない。
物の外側には炉本体２の内壁および棒状ヒータ７が存在
するので、棒状ヒータ７や炉本体２の断熱材等から不純
物がセラミックの被焼成物に付着する等により、棒状ヒ
ータ７や炉本体４の影響が直接、セラミックの被焼成物
に作用する。また、上記従来の焼成炉では、炉本体の昇
温および降温、特に、降温に際して、炉本体２の断熱材
の熱容量や熱伝導率等の特性により、冷却スピードが律
速されてしまい、セラミックの被焼成物に対して、自由
な昇温および降温カーブを設定することができない。
このため、上記従来の焼成炉によってセラミックを焼成
しても、セラミックの焼結の評価としては不充分なもの
となってしまい、本来の焼結過程や焼成条件が得られな
いという問題があった。
しても、セラミックの焼結の評価としては不充分なもの
となってしまい、本来の焼結過程や焼成条件が得られな
いという問題があった。
本発明の目的は、任意の昇温および降温のプロファイル
を得ることができる焼成炉を提供することである。
を得ることができる焼成炉を提供することである。
本発明のいま一つの目的は、断熱材やヒータ等の炉材の
影響を遮断し、かつ、セラミックの被焼成物を均一な焼
成雰囲気を保ちながら、急激な昇温および降温を行なう
ことのできる焼成炉を提供することである。
影響を遮断し、かつ、セラミックの被焼成物を均一な焼
成雰囲気を保ちながら、急激な昇温および降温を行なう
ことのできる焼成炉を提供することである。
［課題を解決するための手段］ このため、本願の第１の発明は、ヒータが配置されてな
る高温部とその下部に位置する低温部とからなる炉本体
と、セラミックの被焼成物を積載してこの炉本体内を昇
降する炉床とを備え、この炉床の炉本体内での昇降によ
りセラミックの被焼成物を炉本体の高温部と低温部との
間で移動させて所望の焼成プロファイルで上記セラミッ
クの被焼成物を焼成する焼成炉であって、 上記炉床に設けられてセラミックの被焼成物の温度を計
測する温度計測手段と、この温度計測手段から出力する
上記被焼成物の温度信号と所望の焼成プロファイルに対
応して定められた基準信号とを比較して、上記炉床の位
置を制御する炉床位置制御手段とを備えたことを特徴と
している。
る高温部とその下部に位置する低温部とからなる炉本体
と、セラミックの被焼成物を積載してこの炉本体内を昇
降する炉床とを備え、この炉床の炉本体内での昇降によ
りセラミックの被焼成物を炉本体の高温部と低温部との
間で移動させて所望の焼成プロファイルで上記セラミッ
クの被焼成物を焼成する焼成炉であって、 上記炉床に設けられてセラミックの被焼成物の温度を計
測する温度計測手段と、この温度計測手段から出力する
上記被焼成物の温度信号と所望の焼成プロファイルに対
応して定められた基準信号とを比較して、上記炉床の位
置を制御する炉床位置制御手段とを備えたことを特徴と
している。
また、本願の第２の発明は、本願の第１の発明におい
て、高温部と低温部との間に高温部から低温部への輻射
熱を遮断する開閉式シャッタを備えたことを特徴として
いる。
て、高温部と低温部との間に高温部から低温部への輻射
熱を遮断する開閉式シャッタを備えたことを特徴として
いる。
さらに、本願の第３の発明は、ヒータが配置されてなる
高温部とその下部に位置する低温部とからなる炉本体
と、セラミックの被焼成物を積載してこの炉本体内を昇
降する炉床とを備え、この炉床の炉本体内での昇降によ
りセラミックの被焼成物を炉本体の高温部と低温部との
間で移動させて所望の焼成プロファイルで上記セラミッ
クの被焼成物を焼成する焼成炉であって、 上記炉床に設けられてセラミックの被焼成物の温度を計
測する温度計測手段と、この温度計測手段から出力する
上記被焼成物の温度信号と所望の焼成プロファイルに対
応して定められた基準信号とを比較して、上記炉床の位
置を制御する炉床位置制御手段と、上記炉床上でセラミ
ックの被焼成物を覆うマッフルと、上記炉床からマッフ
ル内に突出し、このマッフル内に保護雰囲気ガスを投入
する投入管と、上記炉床からマッフル内に突出し、この
マッフル内にて発生した排気ガスを炉本体外へ排出する
排気ガス排出管とを備えたことを特徴としている。
高温部とその下部に位置する低温部とからなる炉本体
と、セラミックの被焼成物を積載してこの炉本体内を昇
降する炉床とを備え、この炉床の炉本体内での昇降によ
りセラミックの被焼成物を炉本体の高温部と低温部との
間で移動させて所望の焼成プロファイルで上記セラミッ
クの被焼成物を焼成する焼成炉であって、 上記炉床に設けられてセラミックの被焼成物の温度を計
測する温度計測手段と、この温度計測手段から出力する
上記被焼成物の温度信号と所望の焼成プロファイルに対
応して定められた基準信号とを比較して、上記炉床の位
置を制御する炉床位置制御手段と、上記炉床上でセラミ
ックの被焼成物を覆うマッフルと、上記炉床からマッフ
ル内に突出し、このマッフル内に保護雰囲気ガスを投入
する投入管と、上記炉床からマッフル内に突出し、この
マッフル内にて発生した排気ガスを炉本体外へ排出する
排気ガス排出管とを備えたことを特徴としている。
さらまた、本願の第４の発明は、本願の第３の発明にお
いて、高温部と低温部との間に高温部から低温部への輻
射熱を遮断する開閉式シャッタを備えたことを特徴とし
ている。
いて、高温部と低温部との間に高温部から低温部への輻
射熱を遮断する開閉式シャッタを備えたことを特徴とし
ている。
［作用］ 上記炉床位置制御手段は、温度計測手段から出力する上
記被焼成物の温度信号と所望の焼成プロファイルに対応
して定められた基準信号とを比較して、上記炉床の位置
を制御する。これにより、上記炉床は、基準信号に追従
して炉本体内を昇降し、その上に積載されたセラミック
の被焼成物が炉本体の高温部と低温部との間で移動し、
所望の焼成プロファイルで焼成される。
記被焼成物の温度信号と所望の焼成プロファイルに対応
して定められた基準信号とを比較して、上記炉床の位置
を制御する。これにより、上記炉床は、基準信号に追従
して炉本体内を昇降し、その上に積載されたセラミック
の被焼成物が炉本体の高温部と低温部との間で移動し、
所望の焼成プロファイルで焼成される。
また、上記マッフルは、炉床上でセラミック被焼成物を
覆う空間を炉本体内に形成する。そして、この空間内に
は投入管から保護雰囲気が投入され、また、この空間内
にてセラミックの被焼成物から発生した排気ガスは、排
気ガス排出管から排出される。
覆う空間を炉本体内に形成する。そして、この空間内に
は投入管から保護雰囲気が投入され、また、この空間内
にてセラミックの被焼成物から発生した排気ガスは、排
気ガス排出管から排出される。
［発明の効果］ 本願の第１の発明によれば、炉床は、基準信号に追従し
て炉本体内を昇降し、その上に載置されたセラミックの
被焼成物は、炉本体の高温部と低温部との間で、予め任
意に定められた基準信号に追従して移動するので、セラ
ミックの被焼成物は炉本体の炉床の昇降に応じて加熱お
よび冷却され、基準信号に応じた所望の焼成プロファイ
ルで焼成することができ、また、本願の第２の発明によ
れば、炉本体の高温部と低温部との間に設けられたシャ
ッタを開閉することにより、セラミックの被焼成物に熱
を急激に与えたり、熱を遮断することができるので、セ
ラミックの被焼成物の急昇温および急冷却の焼成プロフ
ァイルが可能となる。さらに、本願の第３の発明によれ
ば、セラミックの被焼成物を覆って炉本体内に設けられ
たマッフル内の空間がマッフル外の空間と遮断され、マ
ッフル内の空間に雰囲気ガスの供給パイプを通して雰囲
気ガスが供給されるとともに、マッフル内にて発生した
排気ガスが排気ガスの排出パイプを通して排出されるの
で、マッフル内のセラミックの被焼成物が炉本体の断熱
材やヒータ等の影響を受けるのが防止されるとともに、
マッフル内を迅速に所望の雰囲気とすることができる。
て炉本体内を昇降し、その上に載置されたセラミックの
被焼成物は、炉本体の高温部と低温部との間で、予め任
意に定められた基準信号に追従して移動するので、セラ
ミックの被焼成物は炉本体の炉床の昇降に応じて加熱お
よび冷却され、基準信号に応じた所望の焼成プロファイ
ルで焼成することができ、また、本願の第２の発明によ
れば、炉本体の高温部と低温部との間に設けられたシャ
ッタを開閉することにより、セラミックの被焼成物に熱
を急激に与えたり、熱を遮断することができるので、セ
ラミックの被焼成物の急昇温および急冷却の焼成プロフ
ァイルが可能となる。さらに、本願の第３の発明によれ
ば、セラミックの被焼成物を覆って炉本体内に設けられ
たマッフル内の空間がマッフル外の空間と遮断され、マ
ッフル内の空間に雰囲気ガスの供給パイプを通して雰囲
気ガスが供給されるとともに、マッフル内にて発生した
排気ガスが排気ガスの排出パイプを通して排出されるの
で、マッフル内のセラミックの被焼成物が炉本体の断熱
材やヒータ等の影響を受けるのが防止されるとともに、
マッフル内を迅速に所望の雰囲気とすることができる。
さらにまた、本願の第４の発明によれば、本願の上記第
３の発明の効果に加えて、セラミックの被焼成物の急昇
温および急冷却の焼成プロファイルが可能となる。
３の発明の効果に加えて、セラミックの被焼成物の急昇
温および急冷却の焼成プロファイルが可能となる。
［実施例］ 以下、添付の図面を参照して本発明の実施例を説明す
る。
る。
本発明をバッチ炉に適用した実施例の縦断面図および横
断面図を夫々第１図および第２図に示す。
断面図を夫々第１図および第２図に示す。
上記バッチ炉12は、縦横の比がたとえば２対１の縦長の
炉本体13と、図示しないセラミックの被焼成物（以下、
ユニットと記す。）を積載してこの炉本体13内を昇降す
る炉床14とを備える。
炉本体13と、図示しないセラミックの被焼成物（以下、
ユニットと記す。）を積載してこの炉本体13内を昇降す
る炉床14とを備える。
上記炉本体13は棒状ヒータ15が配置されてなる高温部16
とその下部に位置する低温部17とからなり、上記高温部
16と低温部17との間には、その間を遮断するためのセラ
ミック製のシャッタ18が配置される。
とその下部に位置する低温部17とからなり、上記高温部
16と低温部17との間には、その間を遮断するためのセラ
ミック製のシャッタ18が配置される。
上記炉本体13の上部の高温部16では、炭化珪素（SiC）
製の棒状ヒータ15が上記炉本体13の側壁13aより挿入さ
れて井桁状に組み合わされている。そして、この棒状ヒ
ータ15により、上記ユニットが加熱される。上記棒状ヒ
ータ15の発熱温度は、炉本体13の高温部16の天井部13b
よりこの高温部16内に挿入された熱電対19により検出さ
れ、温度制御装置21により一定の温度に制御される。
製の棒状ヒータ15が上記炉本体13の側壁13aより挿入さ
れて井桁状に組み合わされている。そして、この棒状ヒ
ータ15により、上記ユニットが加熱される。上記棒状ヒ
ータ15の発熱温度は、炉本体13の高温部16の天井部13b
よりこの高温部16内に挿入された熱電対19により検出さ
れ、温度制御装置21により一定の温度に制御される。
上記棒状ヒータ15は、その間隔が炉本体13の高温部16の
上方になるほどその間隔が狭くなり、炉本体13の高温部
16の下方になるほどその間隔が広くなっている。これに
より、炉本体13の高温部16の内部は、若干の温度分布が
つけられている。これは、ユニットの炉床14からの位置
による輻射熱量に差を持たせるためである。
上方になるほどその間隔が狭くなり、炉本体13の高温部
16の下方になるほどその間隔が広くなっている。これに
より、炉本体13の高温部16の内部は、若干の温度分布が
つけられている。これは、ユニットの炉床14からの位置
による輻射熱量に差を持たせるためである。
炉本体13の下部の低温部17は、ユニットが直接外気に触
れるのを防止するためのもので、比較的薄い断熱材の層
となっており、この低温部17の内部を、図示しない油圧
もしくはスクリユジャッキにより、炉床14が昇降する。
れるのを防止するためのもので、比較的薄い断熱材の層
となっており、この低温部17の内部を、図示しない油圧
もしくはスクリユジャッキにより、炉床14が昇降する。
上記炉床14は、炉本体13の低温部17の横断面寸法よりも
やや小さい寸法を有する下部炉床22と、この下部炉床22
から突出し、上記炉本体13の高温部16の下部開口16aか
ら高温部16内に進出しうる突出寸法を有する上部炉床23
とからなる。
やや小さい寸法を有する下部炉床22と、この下部炉床22
から突出し、上記炉本体13の高温部16の下部開口16aか
ら高温部16内に進出しうる突出寸法を有する上部炉床23
とからなる。
ユニットは、匣に収容されてこの上部炉床23上に配置さ
れた台板24の上に載置され、上記炉床14の上部炉床23を
炉本体13の高温部16と低温部17との間で移動する。この
移動の過程で、次に述べる構成により、所望の焼成プロ
ファイルで上記ユニットが焼成される。
れた台板24の上に載置され、上記炉床14の上部炉床23を
炉本体13の高温部16と低温部17との間で移動する。この
移動の過程で、次に述べる構成により、所望の焼成プロ
ファイルで上記ユニットが焼成される。
すなわち、上記炉床14には、セラミックのユニットの温
度を計測するための熱電対等の温度計測センサ25が配置
される。また、上記バッチ炉12の外には、上記炉床14の
炉床昇降装置27を制御するための炉床位置制御装置29が
設けられる。この炉床位置制御装置29は、上記温度計測
センサ25から出力する上記ユニットの温度信号と所望の
焼成プロファイルに対応して定められた基準信号とを比
較して、上記炉床昇降装置27を制御する。
度を計測するための熱電対等の温度計測センサ25が配置
される。また、上記バッチ炉12の外には、上記炉床14の
炉床昇降装置27を制御するための炉床位置制御装置29が
設けられる。この炉床位置制御装置29は、上記温度計測
センサ25から出力する上記ユニットの温度信号と所望の
焼成プロファイルに対応して定められた基準信号とを比
較して、上記炉床昇降装置27を制御する。
これにより、上記炉床14の上部炉床23に載置されたセラ
ミックのユニットは、上記基準信号にしたがって、バッ
チ炉12の炉本体13の高温部16と低温部17との間を移動
し、セラミックのユニットは上記基準信号によって定ま
る任意のプロファイルで焼成される。
ミックのユニットは、上記基準信号にしたがって、バッ
チ炉12の炉本体13の高温部16と低温部17との間を移動
し、セラミックのユニットは上記基準信号によって定ま
る任意のプロファイルで焼成される。
そして、セラミックのユニットは冷却時には、上記炉床
14が下降し、シャッタ18が閉ざされる。これにより、バ
ッチ炉12の炉本体13の高温部16の内部温度が確保される
とともに、冷却時の輻射熱が遮断される。
14が下降し、シャッタ18が閉ざされる。これにより、バ
ッチ炉12の炉本体13の高温部16の内部温度が確保される
とともに、冷却時の輻射熱が遮断される。
以上に説明したバッチ炉12では、さらに、セラミックの
ユニットの焼結条件を良好なものとするため、さらに、
つぎのような構成を有している。
ユニットの焼結条件を良好なものとするため、さらに、
つぎのような構成を有している。
すなわち、第３図および第４図に示すように、ユニット
を入れた匣を多段に積み重ねた匣組３を乗せた台板24に
は、保護雰囲気ガスの投入管31用の穴（図示せず。）が
２個所、台板24の一つの対角線の両端位置にあけられ、
また、排気ガスの排出管33用の穴（図示せず。）が２個
所、台板24のいま一つの対角線の両端位置にあけられて
いる。そして、これら穴に炉床14の下部より雰囲気ガス
の投入管31および排気ガスの排出管33が貫通している。
上記投入管31は台板24よりの突出高さが匣組３よりも高
い端封管であり、排気ガスの排出管33は台板24よりの突
出高さがこの台板24の位置よりも少し高い程度の端開管
である。そして、これらの匣組３、雰囲気ガスの投入管
31、排気ガスの排出管33を覆って、マッフル35が配置さ
れる。
を入れた匣を多段に積み重ねた匣組３を乗せた台板24に
は、保護雰囲気ガスの投入管31用の穴（図示せず。）が
２個所、台板24の一つの対角線の両端位置にあけられ、
また、排気ガスの排出管33用の穴（図示せず。）が２個
所、台板24のいま一つの対角線の両端位置にあけられて
いる。そして、これら穴に炉床14の下部より雰囲気ガス
の投入管31および排気ガスの排出管33が貫通している。
上記投入管31は台板24よりの突出高さが匣組３よりも高
い端封管であり、排気ガスの排出管33は台板24よりの突
出高さがこの台板24の位置よりも少し高い程度の端開管
である。そして、これらの匣組３、雰囲気ガスの投入管
31、排気ガスの排出管33を覆って、マッフル35が配置さ
れる。
このマッフル35と台板24によって、断熱材、ヒータ等の
炉材の影響を受けない空間36（第３図および第４図参
照）が形成される。
炉材の影響を受けない空間36（第３図および第４図参
照）が形成される。
新鮮な保護雰囲気ガスは、雰囲気ガスの投入管31を通っ
てこの雰囲気ガスの投入管31にあけられた図示しない等
間隔の小径口より匣組３の各匣ごとに供給され、ユニッ
トへ直接、送られる。このようにして送られた保護雰囲
気ガスは焼成段階でユニットにより消費され、その際に
排気ガスは各匣の外に出て下層部に流れていく。そし
て、重くなった排気ガスは排気ガスの排出管33を通って
マッフル35外へと排出される。このように、マッフル35
によりユニットを取り囲む空間36では、均一かつ迅速に
ガスの交換が可能となる。また、マッフル35外にあるも
のの影響を全く受けることがない。
てこの雰囲気ガスの投入管31にあけられた図示しない等
間隔の小径口より匣組３の各匣ごとに供給され、ユニッ
トへ直接、送られる。このようにして送られた保護雰囲
気ガスは焼成段階でユニットにより消費され、その際に
排気ガスは各匣の外に出て下層部に流れていく。そし
て、重くなった排気ガスは排気ガスの排出管33を通って
マッフル35外へと排出される。このように、マッフル35
によりユニットを取り囲む空間36では、均一かつ迅速に
ガスの交換が可能となる。また、マッフル35外にあるも
のの影響を全く受けることがない。
第１図は本発明に係る焼成炉の一実施例の縦断面図、 第２図は第１図の焼成炉の横断面図、 第３図および第４図は夫々第１図の焼成炉のマッフル内
部の空間のようすを示す縦断面図および横断面図、 第５図および第６図は夫々従来の焼成炉の縦断面図およ
び横断面図である。 ３…匣組,12…バッチ炉,13…炉本体（13a…側壁,13b…
天井部）,14…炉床,15…棒状ヒータ,16…高温部,17…低
温部,18…シャッタ,19…熱電対、21…温度制御装置,25
…温度計測センサ,29…炉床位置制御装置,31…雰囲気ガ
スの投入管,33…排気ガスの排出管,35…マッフル,36…
空間。
部の空間のようすを示す縦断面図および横断面図、 第５図および第６図は夫々従来の焼成炉の縦断面図およ
び横断面図である。 ３…匣組,12…バッチ炉,13…炉本体（13a…側壁,13b…
天井部）,14…炉床,15…棒状ヒータ,16…高温部,17…低
温部,18…シャッタ,19…熱電対、21…温度制御装置,25
…温度計測センサ,29…炉床位置制御装置,31…雰囲気ガ
スの投入管,33…排気ガスの排出管,35…マッフル,36…
空間。
Claims (4)
- 【請求項１】ヒータが配置されてなる高温部とその下部
に位置する低温部とからなる炉本体と、セラミックの被
焼成物を積載してこの炉本体内を昇降する炉床とを備
え、この炉床の炉本体内での昇降によりセラミックの被
焼成物を炉本体の高温部と低温部との間で移動させて所
望の焼成プロファイルで上記セラミックの被焼成物を焼
成する焼成炉であって、 上記炉床に設けられてセラミックの被焼成物の温度を計
測する温度計測手段と、この温度計測手段から出力する
上記被焼成物の温度信号と所望の焼成プロファイルに対
応して定められた基準信号とを比較して、上記炉床の位
置を制御する炉床位置制御手段とを備えたことを特徴と
する焼成炉。 - 【請求項２】上記高温部と低温部との間に高温部から低
温部への輻射熱を遮断する開閉式シャッタを備えたこと
を特徴とする請求項１記載の焼成炉。 - 【請求項３】ヒータが配置されてなる高温部とその下部
に位置する低温部とからなる炉本体と、セラミックの被
焼成物を積載してこの炉本体内を昇降する炉床とを備
え、この炉床の炉本体内での昇降によりセラミックの被
焼成物を炉本体の高温部と低温部との間で移動させて所
望の焼成プロファイルで上記セラミックの被焼成物を焼
成する焼成炉であって、 上記炉床に設けられてセラミックの被焼成物の温度を計
測する温度計測手段と、この温度計測手段から出力する
上記被焼成物の温度信号と所望の焼成プロファイルに対
応して定められた基準信号とを比較して、上記炉床の位
置を制御する炉床位置制御手段と、上記炉床上でセラミ
ックの被焼成物を覆うマッフルと、上記炉床からマッフ
ル内に突出し、このマッフル内に保護雰囲気ガスを投入
する投入管と、上記炉床からマッフル内に突出し、この
マッフル内にて発生した排気ガスを炉本体外へ排出する
排気ガス排出管とを備えたことを特徴とする焼成炉。 - 【請求項４】上記高温部と低温部との間に高温部から低
温部への輻射熱を遮断する開閉式シャッタを備えたこと
を特徴とする請求項３記載の焼成炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8236489A JPH076740B2 (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 焼成炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8236489A JPH076740B2 (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 焼成炉 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02263089A JPH02263089A (ja) | 1990-10-25 |
| JPH076740B2 true JPH076740B2 (ja) | 1995-01-30 |
Family
ID=13772529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8236489A Expired - Fee Related JPH076740B2 (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 焼成炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH076740B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6932863B1 (ja) * | 2021-02-01 | 2021-09-08 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 縦型加熱炉 |
-
1989
- 1989-03-31 JP JP8236489A patent/JPH076740B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02263089A (ja) | 1990-10-25 |
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