JPH0769371B2 - Variable output circuit of ceramic electrostatic sensor - Google Patents
Variable output circuit of ceramic electrostatic sensorInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、同調回路としてのセラミック共振器のQを変
化させてセンサ出力を可変するセラミック形静電センサ
の可変出力回路に関するものである。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a variable output circuit of a ceramic type electrostatic sensor that changes a sensor output by changing Q of a ceramic resonator as a tuning circuit.
従来からごく一般的に用いられている静電センサ装置
は、発振回路のタンク回路に用いられている静電容量を
外部静電容量の変化に対応させて変化させ、発振周波数
を変化させるものであるが、検出感度が低く、このた
め、近年においては例えば特開昭58−85948号公報に開
示されている如く、発振回路の発振周波数からわずかに
ずれた共振周波数をもった同調回路のコンデンサ容量を
変化させAM(Amplitude Modulation)変調波を得る方式
の装置が使用されるようになってきている。The electrostatic sensor device that has been generally used in the past changes the oscillation frequency by changing the capacitance used in the tank circuit of the oscillation circuit according to the change in the external capacitance. However, since the detection sensitivity is low, the capacitor capacitance of the tuning circuit having a resonance frequency slightly deviated from the oscillation frequency of the oscillation circuit as disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 58-85948 in recent years. The device of the method of changing AM to obtain an AM (Amplitude Modulation) modulated wave is being used.
この方式の静電センサ装置は、第4図に示すように、発
振回路1と、同調回路2と、被検出体との静電容量変化
を検出する検出部3と、検波回路4と、増幅回路5とか
らなる。前記発振回路1と同調回路2はそれぞれ別個独
立の共振器を含み、例えば、第5図に示すように、発振
回路1の固定発振周波数f1に対して同調回路2の動作基
準点の共振周波数f0をわずかにずれた定位置に設定して
おき、検出部3によって検出される微小静電容量の変化
ΔCに対応させて共振周波数をf0からΔfだけ偏倚させ
て固定発振周波数f1との同調点AをA′に変化させ、前
記静電容量の変化ΔCを出力電圧ΔVの変化に変換して
発振回路1の発振周波数信号を搬送波とするAM変調波を
作り出し、これを検波増幅して取り出すものである。As shown in FIG. 4, this type of electrostatic sensor device includes an oscillation circuit 1, a tuning circuit 2, a detection unit 3 for detecting a change in electrostatic capacitance between a detected object, a detection circuit 4, and an amplification circuit. And a circuit 5. The oscillation circuit 1 and the tuning circuit 2 each include an independent resonator. For example, as shown in FIG. 5, the resonance frequency of the operation reference point of the tuning circuit 2 with respect to the fixed oscillation frequency f 1 of the oscillation circuit 1. With f 0 set to a fixed position slightly deviated, the resonance frequency is deviated from f 0 by Δf in response to the change ΔC of the small capacitance detected by the detection unit 3, and the fixed oscillation frequency f 1 is obtained. The tuning point A is changed to A ′, the change ΔC in the capacitance is converted into a change in the output voltage ΔV to generate an AM modulated wave having the oscillation frequency signal of the oscillation circuit 1 as a carrier, and this is detected and amplified. To take out.
本発明者等は、発振回路1と同調回路2の各共振器にセ
ラミック共振器を用い、発振周波数信号を0.5GHz〜10GH
zの超高周波数の信号とすることにより、小型で1×10
-5PF程度の微小静電容量の検出が可能な超高感度のセラ
ミック形静電センサを開発することに成功した。The present inventors have used a ceramic resonator for each resonator of the oscillation circuit 1 and the tuning circuit 2, and have an oscillation frequency signal of 0.5 GHz to 10 GHz.
By using a super high frequency signal of z, the size is small and 1 × 10
-We have succeeded in developing an ultra-sensitive ceramic type electrostatic sensor capable of detecting a small electrostatic capacitance of about -5 PF.
一般に、静電容量の変化の測定に際しては、前記のよう
に超高感度のもとで検出する必要がある場合と、それよ
りも検出感度を低くしても特に支障を生じない場合が存
在する。超高感度での測定を必要としない分野で本発明
者等が開発した超高感度によるセラミック形静電センサ
を用いて静電容量の変化を検出すると、感度が良すぎ
て、環境変化や外乱等の影響によって同調点が設定領域
から外れてしまうという場合がある。反面、セラミック
静電センサの感度を低くすると、前記超高感度での微小
静電容量の変化を検出したいときにその検出ができない
という問題が生じる。Generally, when measuring a change in capacitance, there are cases in which it is necessary to detect under ultra-high sensitivity as described above, and cases in which detection sensitivity is lower than that does not cause any particular problems. . When a change in capacitance is detected by using a ceramic type electrostatic sensor with ultra-high sensitivity developed by the present inventors in a field that does not require measurement with ultra-high sensitivity, the sensitivity is too good and environmental changes and disturbances occur. In some cases, the tuning point may deviate from the setting area due to the influence of the above. On the other hand, if the sensitivity of the ceramic electrostatic sensor is lowered, there arises a problem that when it is desired to detect the change in the minute electrostatic capacitance at the ultra-high sensitivity, the change cannot be detected.
本発明は上記課題を解決するためになされたものであ
り、その目的は、セラミック形静電センサのQを可変調
整することにより、高い感度をそれほど必要としない測
定分野から超高感度を必要とする測定分野にわたり、使
用目的に応じた感度のもとで静電容量の変化を検出する
ことができるセラミック形静電センサの可変出力回路を
提供することにある。The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to variably adjust the Q of a ceramic type electrostatic sensor, thereby requiring ultrahigh sensitivity from the measurement field that does not require high sensitivity. It is an object of the present invention to provide a variable output circuit of a ceramic type electrostatic sensor capable of detecting a change in electrostatic capacitance under the sensitivity according to the purpose of use in the measurement field.
本発明は上記目的を達成するために、次のように構成さ
れている。すなわち、本発明のセラミック形静電センサ
の可変出力回路は、共振器を内蔵し固定周波数の発振周
波数信号を出力する発振回路と、前記発振回路の固定発
振周波数に対して共振周波数の動作基準点が設定量だけ
ずれた定位置に設定され検出される外部静電容量の変化
に対応した共振周波数の偏倚により前記固定発振周波数
との同調点を変化させ、この同調点の変化に対応する振
幅変調波を出力する前記発振回路の共振器とは別個独立
の同調回路としてのセラミック共振器とを有し、前記同
調回路としてのセラミック共振器には制御入力によって
電気抵抗値を変化させ該セラミック共振器のQを可変す
る抵抗可変素子が並列に接続されていることを特徴とし
て構成されている。The present invention is configured as follows to achieve the above object. That is, the variable output circuit of the ceramic type electrostatic sensor of the present invention includes an oscillator circuit which has a resonator therein and outputs an oscillation frequency signal of a fixed frequency, and an operation reference point of the resonance frequency with respect to the fixed oscillation frequency of the oscillation circuit. Is set at a fixed position deviated by a set amount, and the tuning point with the fixed oscillation frequency is changed by the deviation of the resonance frequency corresponding to the change of the detected external capacitance, and the amplitude modulation corresponding to the change of the tuning point. And a ceramic resonator as a tuning circuit that is independent of the resonator of the oscillation circuit that outputs a wave. The ceramic resonator as the tuning circuit has an electric resistance value changed by a control input. The resistance variable element for changing Q is connected in parallel.
本発明では、当初抵抗可変素子は最も高いインピーダン
スに設定され、このときセラミック共振器は最も高いQ
となっている。この状態で抵抗可変素子に制御入力を加
えると、例えば、制御入力が大きくなるにつれて、抵抗
可変素子のインピーダンスが小さくなり、これに伴い、
同調回路としてのセラミック共振器のQダンプが生じ、
感度も低くなり、同セラミック共振器からの出力が小さ
くなる。In the present invention, the resistance variable element is initially set to have the highest impedance, at which time the ceramic resonator has the highest Q.
Has become. When a control input is applied to the resistance variable element in this state, for example, as the control input increases, the impedance of the resistance variable element decreases, and with this,
Q dump of the ceramic resonator as a tuning circuit occurs,
The sensitivity is also low, and the output from the ceramic resonator is low.
これに対し、制御入力を小さくすると、抵抗可変素子の
インピーダンスが大きくなり、前記セラミック共振器の
Qのダンプ量が小さくなり、感度の低下も小さくなって
セラミック共振器の出力の低下も小さくなる。このよう
に、抵抗可変素子に加える制御入力の大きさによってセ
ラミック共振器のQダンプ量が変化し、同セラミック共
振器の出力信号の大きさが変化する。On the other hand, when the control input is reduced, the impedance of the variable resistance element increases, the amount of Q dump of the ceramic resonator decreases, the sensitivity decreases less, and the output of the ceramic resonator decreases less. In this way, the Q dump amount of the ceramic resonator changes depending on the size of the control input applied to the variable resistance element, and the size of the output signal of the ceramic resonator also changes.
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。第1
図には本発明の第1の実施例が示されている。本実施例
の回路はセラミック形静電センサ回路9と可変インピー
ダンス回路13とからなり、セラミック形静電センサ回路
9は、セラミック共振器を含む発振回路1と、この発振
回路1のセラミック共振器とは別個独立の同調回路とし
てのセラミック共振器12と、静電容量の変化を検出して
これをセラミック共振器12の出力端子に加える検出部3
と、カップリングコンデンサ6とインダクタンス素子と
からなる高インピーダンス化回路8と、ダイオード10に
よって構成される検波回路4と、演算増幅器21を含む増
幅回路5とを有して構成されている。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. First
The drawing shows a first exemplary embodiment of the invention. The circuit of this embodiment comprises a ceramic type electrostatic sensor circuit 9 and a variable impedance circuit 13. The ceramic type electrostatic sensor circuit 9 includes an oscillation circuit 1 including a ceramic resonator and a ceramic resonator of the oscillation circuit 1. Is a separate and independent tuning circuit for the ceramic resonator 12, and a detecting section 3 for detecting a change in electrostatic capacitance and applying this to the output terminal of the ceramic resonator 12.
A high impedance circuit 8 including a coupling capacitor 6 and an inductance element, a detection circuit 4 including a diode 10, and an amplifier circuit 5 including an operational amplifier 21.
可変インピーダンス回路13は、前記セラミック共振器12
と並列に接続されるもので、この可変インピーダンス回
路13は、抵抗器14〜16,19と、本実施例において特徴的
な抵抗可変素子としての電界効果トランジスタ(FET)1
7と、コンデンサ18とからなる。FET17は高周波の素子か
らなり、そのソースは前記セラミック共振器12の出力端
子に接続され、ドレーンはバイアス抵抗器19を介してア
ースに接続されることで、FET17はセラミック共振器12
と並列に接続されている。また、FET17のソースは抵抗
器14を介してFET17の駆動電源に接続されている。FETの
ベースは抵抗器16を介して制御入力端子11に接続される
とともにコンデンサ18を通してアースされている。そし
て、FET17のソースとベース間には抵抗器15が設けられ
ている。このFET17の動作はA級増幅器としての動作を
する。The variable impedance circuit 13 includes the ceramic resonator 12
This variable impedance circuit 13 is connected in parallel with the resistors 14 to 16 and 19 and a field effect transistor (FET) 1 as a variable resistance element characteristic of this embodiment.
It consists of 7 and a capacitor 18. The FET 17 is composed of a high frequency element, the source of which is connected to the output terminal of the ceramic resonator 12 and the drain of which is connected to the ground via the bias resistor 19, so that the FET 17 is connected to the ceramic resonator 12
And are connected in parallel. The source of the FET 17 is connected to the drive power source of the FET 17 via the resistor 14. The base of the FET is connected to the control input terminal 11 through the resistor 16 and grounded through the capacitor 18. The resistor 15 is provided between the source and the base of the FET 17. The FET 17 operates as a class A amplifier.
本実施例は上記のように構成されており、以下、その作
用を説明する。The present embodiment is configured as described above, and its operation will be described below.
発振回路1から例えば1GHzの固定の超高周波数の発振周
波数信号が出力されている状態で第5図に示すように、
同調回路としてのセラミック共振器12の共振周波数は固
定発振周波数f1に対してわずかに設定量だけずれた定位
置の動作基準点f0に在るが、検出部3により微小静電容
量の変化が検出されると、第5図に示すように、セラミ
ック共振器12の共振周波数が偏倚し、固定発振周波数f1
との同調点Aの変化に対応して、発振回路1の発振周波
数信号を搬送波とする振幅変調波(AM(Amplitude Modu
lation)変調波)が作り出され、このAM変調波は高イン
ピーダンス化回路8を経て検波回路4に加えられる。検
波回路4ではAM変調波を検波して静電容量変化の検出帯
域の信号に変換し、これを検出信号として出力する。検
出信号は増幅回路5で信号増幅され、所望の信号処理回
路に加えられる。As shown in FIG. 5, while the oscillation circuit 1 outputs a fixed ultrahigh frequency oscillation frequency signal of 1 GHz, for example,
The resonance frequency of the ceramic resonator 12 as a tuning circuit is at the operation reference point f 0 at a fixed position that is slightly deviated from the fixed oscillation frequency f 1 by a set amount, but the detection unit 3 changes the minute capacitance. When is detected, as shown in FIG. 5, the resonance frequency of the ceramic resonator 12 is deviated, and the fixed oscillation frequency f 1
Amplitude modulation wave (AM (Amplitude Modu
(modulation wave) is generated, and this AM modulation wave is applied to the detection circuit 4 via the high impedance circuit 8. The detection circuit 4 detects the AM-modulated wave, converts it into a signal in the detection band of capacitance change, and outputs this as a detection signal. The detection signal is amplified by the amplifier circuit 5 and added to a desired signal processing circuit.
この微小静電容量の検出に際し、制御入力端子11から直
流の制御入力を加えると、その制御入力の大きさに応じ
てセラミック共振器12から出力される電圧レベルの大き
さが変化する。すなわち、制御入力が大きくなると、FE
T17のソース・ドレーン間の抵抗が小さくなり、第3図
に示すようにセラミック共振器12のQがダンプする(Q
が小さくなる)。このQのダンプ量は制御入力が大きく
なるにつれて大きくなる。Qがダンプすると、検出感度
も低くなり、セラミック共振器12の出力レベルもQのダ
ンプ量が大きくなるにつれて小さくなる。When a DC control input is applied from the control input terminal 11 when detecting this minute capacitance, the magnitude of the voltage level output from the ceramic resonator 12 changes according to the magnitude of the control input. That is, as the control input increases, FE
The resistance between the source and drain of T17 decreases, and the Q of the ceramic resonator 12 dumps (Q
Is smaller). This Q dump amount increases as the control input increases. When Q dumps, the detection sensitivity also decreases, and the output level of the ceramic resonator 12 also decreases as the Q dump amount increases.
これに対し、制御入力信号の大きさを小さくすると、FE
T17のソース・ドレーン間の抵抗が大きくなり、セラミ
ック共振器12のQのダンプ量が小さくなる。そうする
と、検出感度の低下も小さくなり、セラミック共振器12
からの出力レベルの降下量も小さくなる。このように、
制御入力信号の大きさを調整することにより、セラミッ
ク共振器12の出力を可変調整することが可能となる。On the other hand, if the magnitude of the control input signal is reduced, FE
The resistance between the source and drain of T17 increases, and the dump amount of Q of the ceramic resonator 12 decreases. Then, the decrease in detection sensitivity will be small, and the ceramic resonator 12
The output level drop from is also small. in this way,
The output of the ceramic resonator 12 can be variably adjusted by adjusting the magnitude of the control input signal.
したがって、セラミック共振器12のQを大きくし、微小
静電容量の検出を超高感度のもとで検出したい場合に
は、制御入力を0とすることにより達成され、検出感度
を低くした状態で静電容量の変化を検出したいときに
は、制御入力信号をFET17のベース側に加えることによ
り、その目的を達成することができる。そして制御入力
信号の大きさを可変調整することにより、そのQのダン
プ量が変化し、セラミック共振器12の出力信号のレベル
を任意に可変調整することが可能になる。もちろんFET1
7の抵抗値可変によりセラミック共振器12のQを可変し
ても、抵抗値可変がセラミック共振器12の容量には影響
を与えないので、固定発振周波数f1に対するセラミック
共振器12の共振周波数の動作基準点f0が定位置からずれ
ることはない。Therefore, when it is desired to increase the Q of the ceramic resonator 12 and detect the detection of the minute electrostatic capacitance with ultrahigh sensitivity, it is achieved by setting the control input to 0, and the detection sensitivity is lowered. When it is desired to detect a change in capacitance, the purpose can be achieved by applying a control input signal to the base side of the FET 17. By variably adjusting the magnitude of the control input signal, the dump amount of Q changes, and the level of the output signal of the ceramic resonator 12 can be variably adjusted. Of course FET1
Even if the Q value of the ceramic resonator 12 is changed by changing the resistance value of 7, the variable resistance value does not affect the capacitance of the ceramic resonator 12, so the resonance frequency of the ceramic resonator 12 relative to the fixed oscillation frequency f 1 The operation reference point f 0 does not deviate from the fixed position.
また、本実施例では、抵抗可変素子としてFET17を用い
て構成しているので、このFET17をセラミック共振器12
の周辺に配置することができ、セラミック形静電センサ
回路9の超高周波特性を良好に維持することが可能とな
る。Further, in this embodiment, since the FET 17 is used as the variable resistance element, this FET 17 is used as the ceramic resonator 12
It is possible to dispose the ceramic type electrostatic sensor circuit 9 in the vicinity of the above, and it is possible to maintain excellent super high frequency characteristics of the ceramic electrostatic sensor circuit 9.
第2図には本発明の第2の実施例が示されている。この
第2の実施例が前記第1の実施例と異なることは、FET1
7のソースとセラミック共振器12の出力端子をカップリ
ングコンデンサ20を介して接続していることであり、そ
れ以外の構成は前記第1の実施例とほぼ同様である。FIG. 2 shows a second embodiment of the present invention. This second embodiment differs from the first embodiment in that the FET1
The source of No. 7 and the output terminal of the ceramic resonator 12 are connected via the coupling capacitor 20, and the other structure is almost the same as that of the first embodiment.
なお、本発明は上記各実施例に限定されることはなく、
様々な実施の態様を採り得る。例えば、上記各実施例で
は、抵抗可変素子をFET17を用いて構成したが、この抵
抗可変素子は制御入力の大きさに応じて電気抵抗値が変
化する高インピーダンス素子であればFET17以外の回路
素子を用いて構成することができる。The present invention is not limited to the above embodiments,
Various embodiments may be adopted. For example, in each of the above embodiments, the resistance variable element is configured by using the FET 17, but this resistance variable element is a circuit element other than the FET 17 as long as it is a high impedance element whose electric resistance value changes according to the size of the control input. Can be configured using.
また、制御入力端子11にはセラミック形静電センサ回路
9の出力信号をフィードバックさせて加えるようにして
もよいし、他の外部回路から制御信号を加えるようにし
てもよい。このように、セラミック形静電センサ回路9
と可変インピーダンス回路13とでフィードバックループ
を構成すれば、例えば環境変化や外乱等によりセラミッ
ク共振器12の同調点が大きくずれるような場合に、この
環境変化等に伴う信号変動が制御入力信号としてFET17
に加えられることになる。したがって、セラミック共振
器12のQをその環境変化時にダンプさせて感度を低く
し、これら環境変化等による影響を緩和させることがで
きることとなり、これにより、セラミック形静電センサ
回路9における検出動作の安定化を図ることが可能とな
る。The output signal of the ceramic electrostatic sensor circuit 9 may be fed back to the control input terminal 11 or a control signal may be added from another external circuit. In this way, the ceramic electrostatic sensor circuit 9
If a feedback loop is formed by the variable impedance circuit 13 and the variable impedance circuit 13, for example, when the tuning point of the ceramic resonator 12 is largely deviated due to environmental change or disturbance, the signal fluctuation due to the environmental change is used as the control input signal by the FET 17
Will be added to. Therefore, the Q of the ceramic resonator 12 can be dumped when the environment changes to reduce the sensitivity, and the influence of these environmental changes can be mitigated, which stabilizes the detection operation in the ceramic electrostatic sensor circuit 9. Can be realized.
また、セラミック形静電センサ回路9とは別個独立にセ
ンサを設け、このセンサからの信号を制御入力信号とし
て利用することも可能である。そうすれば、複合信号処
理回路が構成され、機能性に富んだ様々な回路展開が可
能となり、例えば、周囲の雑音を測定するセンサを設
け、このセンサの検出信号を制御入力信号とすれば、セ
ラミック形静電センサ回路9を静電マイクロホン装置と
して構成したとき、周囲の雑音を除外して遠方の音圧を
選択的に取り入れるズームマイクロホンとしての展開が
図れることになる。It is also possible to provide a sensor separately from the ceramic electrostatic sensor circuit 9 and use the signal from this sensor as a control input signal. By doing so, a composite signal processing circuit is configured, and various highly functional circuit development becomes possible. For example, if a sensor for measuring ambient noise is provided and the detection signal of this sensor is used as a control input signal, When the ceramic electrostatic sensor circuit 9 is configured as an electrostatic microphone device, it can be developed as a zoom microphone that excludes ambient noise and selectively takes in sound pressure in the distance.
本発明は、抵抗可変素子の制御入力によって同調回路と
してのセラミック共振器のQのダンプ量を可変し、該セ
ラミック共振器の出力の大きさを可変調整するように構
成したものであるから、静電容量の検出を超高感度での
検出からそれよりも感度の低い状態での検出にわたり、
目的とする適切な感度のもとで微小静電容量の検出を行
うことができる。しかも、同調回路としてのセラミック
共振器のQのダンプ量可変は抵抗可変素子の電気抵抗値
の可変によって行うので、抵抗可変が該セラミック共振
器の容量に影響を与えないので、固定発振周波数に対す
る該セラミック共振器の共振周波数の動作基準点がQの
可変調整によって定位置からずれるということがなく、
これにより、Qダンプ量の可変にかかわらず微小静電容
量検出の回路動作を常に安定に行うことができる。According to the present invention, the Q dump amount of the ceramic resonator as a tuning circuit is varied by the control input of the variable resistance element, and the output magnitude of the ceramic resonator is variably adjusted. Capacitance detection ranging from ultra-sensitive detection to less sensitive detection,
It is possible to detect a minute electrostatic capacitance with a desired and appropriate sensitivity. Moreover, since the amount of dump of Q of the ceramic resonator as the tuning circuit is varied by varying the electric resistance value of the variable resistance element, the variable resistance does not affect the capacitance of the ceramic resonator, and therefore the variation with respect to the fixed oscillation frequency is The operating reference point of the resonance frequency of the ceramic resonator does not deviate from the fixed position due to the variable adjustment of Q,
As a result, the circuit operation for detecting the small electrostatic capacitance can always be stably performed regardless of the change in the Q dump amount.
また、抵抗可変素子の制御入力信号を、セラミック形静
電センサの出力信号をフィードバックさせて利用した
り、あるいは別個独立のセンサ信号を利用する等、様々
な回路展開が可能となり、併せてセラミック形静電セン
サにおける回路動作の安定化を達成することができる。Also, the control input signal of the variable resistance element can be used by feeding back the output signal of the ceramic electrostatic sensor, or by using separate and independent sensor signals. Stabilization of circuit operation in the electrostatic sensor can be achieved.
さらに、抵抗可変素子に加える制御入力は直流あるいは
低周波の信号が一般的となるから、回路設計や配線に際
し、特別の配慮が不要となり、取り扱いが非常に容易と
なる。Further, since the control input applied to the variable resistance element is generally a DC or low-frequency signal, no special consideration is required in circuit design and wiring, and handling is very easy.
第1図は本発明に係るセラミック形静電センサの可変出
力回路の第1の実施例を示す回路図、第2図は本発明の
第2の実施例を示す回路図、第3図は本発明の各実施例
における同調回路としてのセラミック共振器のQダンプ
の説明図、第4図は従来の一般的な静電センサ回路のブ
ロック図、第5図は第4図の静電センサにおける微小静
電容量の検出動作を示す説明図である。 1……発振回路、2……同調回路、3……検出部、4…
…検波回路、5……増幅回路、6……カップリングコン
デンサ、7……インダクタンス素子、8……高インピー
ダンス化回路、9……セラミック形静電センサ回路、10
……ダイオード、11……制御入力端子、12……セラミッ
ク共振器、13……可変インピーダンス回路、14〜16……
抵抗器、17……電界効果トランジスタ(FET)、18……
コンデンサ、20……カップリングコンデンサ、21……演
算増幅器。FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of a variable output circuit of a ceramic type electrostatic sensor according to the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram showing a second embodiment of the present invention, and FIG. FIG. 4 is an explanatory view of a Q dump of a ceramic resonator as a tuning circuit in each embodiment of the invention, FIG. 4 is a block diagram of a conventional general electrostatic sensor circuit, and FIG. 5 is a minute diagram of the electrostatic sensor of FIG. It is explanatory drawing which shows the detection operation of electrostatic capacitance. 1 ... Oscillation circuit, 2 ... Tuning circuit, 3 ... Detector, 4 ...
… Detection circuit, 5 …… Amplification circuit, 6 …… Coupling capacitor, 7 …… Inductance element, 8 …… High impedance circuit, 9 …… Ceramic electrostatic sensor circuit, 10
...... Diode, 11 ...... Control input terminal, 12 ...... Ceramic resonator, 13 ...... Variable impedance circuit, 14 to 16 ......
Resistor, 17 …… Field effect transistor (FET), 18 ……
Capacitor, 20 ... Coupling capacitor, 21 ... Operational amplifier.
Claims (1)
号を出力する発振回路と、前記発振回路の固定発振周波
数に対して共振周波数の動作基準点が設定量だけずれた
定位置に設定され検出される外部静電容量の変化に対応
した共振周波数の偏倚により前記固定発振周波数との同
調点を変化させ、この同調点の変化に対応する振幅変調
波を出力する前記発振回路の共振器とは別個独立の同調
回路としてのセラミック共振器とを有し、前記同調回路
としてのセラミック共振器には制御入力によって電気抵
抗値を変化させ該セラミック共振器のQを可変する抵抗
可変素子が並列に接続されているセラミック形静電セン
サの可変出力回路。1. An oscillation circuit which has a built-in resonator and outputs an oscillation frequency signal of a fixed frequency, and an operation reference point of the resonance frequency with respect to the fixed oscillation frequency of the oscillation circuit is set at a fixed position deviated by a set amount. A resonator of the oscillation circuit, which changes a tuning point with the fixed oscillation frequency by biasing the resonance frequency corresponding to a change in the detected external capacitance, and outputs an amplitude modulation wave corresponding to the change of the tuning point; Has a ceramic resonator as a tuning circuit which is independent of each other, and a resistance variable element that changes an electric resistance value by a control input to change the Q of the ceramic resonator is connected in parallel to the ceramic resonator as the tuning circuit. Variable output circuit of connected ceramic type electrostatic sensor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2164945A JPH0769371B2 (en) | 1990-06-22 | 1990-06-22 | Variable output circuit of ceramic electrostatic sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2164945A JPH0769371B2 (en) | 1990-06-22 | 1990-06-22 | Variable output circuit of ceramic electrostatic sensor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0454465A JPH0454465A (en) | 1992-02-21 |
| JPH0769371B2 true JPH0769371B2 (en) | 1995-07-31 |
Family
ID=15802839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2164945A Expired - Fee Related JPH0769371B2 (en) | 1990-06-22 | 1990-06-22 | Variable output circuit of ceramic electrostatic sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0769371B2 (en) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0677039B2 (en) * | 1981-11-16 | 1994-09-28 | 株式会社村田製作所 | Capacitance change detector |
-
1990
- 1990-06-22 JP JP2164945A patent/JPH0769371B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0454465A (en) | 1992-02-21 |
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