JPH0770459B2 - 露光装置及び半導体製造装置 - Google Patents
露光装置及び半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH0770459B2 JPH0770459B2 JP62046782A JP4678287A JPH0770459B2 JP H0770459 B2 JPH0770459 B2 JP H0770459B2 JP 62046782 A JP62046782 A JP 62046782A JP 4678287 A JP4678287 A JP 4678287A JP H0770459 B2 JPH0770459 B2 JP H0770459B2
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- JP
- Japan
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- laser light
- exposure
- laser
- light source
- room
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、半導体集積回路の製造工程においてマスクパ
ターンを半導体ウエハに焼き付ける場合に用いられる及
び該露光装置を用いた半導体の製造装置に関するもので
ある。
ターンを半導体ウエハに焼き付ける場合に用いられる及
び該露光装置を用いた半導体の製造装置に関するもので
ある。
［従来の技術］ 半導体集積回路の製造工程の１つであるフォトリソグラ
フィ工程においては、露光装置を用いてフォトマスクの
回路パターンの半導体ウエハへの転写が行われる。近
年、半導体集積回路はますます高集積化が進み、それに
伴って露光装置の微細パターン焼き付け精度に対しても
高度なものが要求されるようになっている。
フィ工程においては、露光装置を用いてフォトマスクの
回路パターンの半導体ウエハへの転写が行われる。近
年、半導体集積回路はますます高集積化が進み、それに
伴って露光装置の微細パターン焼き付け精度に対しても
高度なものが要求されるようになっている。
以上のような理由から、最近では短波長の光を光源とし
て用いることにより微細パターン化への対応が行われて
おり、現在では一般にHg（水銀）ランプのｇ線（波長43
6nm）やｉ線（波長365nm）等の紫外光が露光装置の光源
として使用されている。
て用いることにより微細パターン化への対応が行われて
おり、現在では一般にHg（水銀）ランプのｇ線（波長43
6nm）やｉ線（波長365nm）等の紫外光が露光装置の光源
として使用されている。
また、最近では、一層の集積度の向上に対応するため、
前記紫外光と比較して強度の非常に大きな紫外光を出力
するパルス発振型レーザ、時にエキシマレーザが着目さ
れるようになった。
前記紫外光と比較して強度の非常に大きな紫外光を出力
するパルス発振型レーザ、時にエキシマレーザが着目さ
れるようになった。
［発明が解決しようとする問題点］ エキシマレーザ装置は、ハロゲン及び希ガスとからなる
混合物のレーザ媒質に、放電によりエネルギーを与えて
やることによってレーザ発振する。従って、エキシマレ
ーザ装置を使用するには、ハロゲン等のガスを高圧で供
給する設備や放電に必要な高電圧を発生させる設備等が
必要となる。
混合物のレーザ媒質に、放電によりエネルギーを与えて
やることによってレーザ発振する。従って、エキシマレ
ーザ装置を使用するには、ハロゲン等のガスを高圧で供
給する設備や放電に必要な高電圧を発生させる設備等が
必要となる。
このため、使用ガスのガス配管系等を含めると、エキシ
マレーザ装置は全体としては相当大がかりな装置とな
る。また、高圧の有毒ガスを使用するので、その安全性
を確保するために注意を要する。さらに、エキシマレー
ザ装置は、放電に伴って発生するノイズが周囲の装置に
影響を与えるおそれがあり、また作動中あるいはメンテ
ナンス時にダスト等も発生する。
マレーザ装置は全体としては相当大がかりな装置とな
る。また、高圧の有毒ガスを使用するので、その安全性
を確保するために注意を要する。さらに、エキシマレー
ザ装置は、放電に伴って発生するノイズが周囲の装置に
影響を与えるおそれがあり、また作動中あるいはメンテ
ナンス時にダスト等も発生する。
一方、露光の行われるクリーンルームは、建設コストが
高いので、そのスペースは極力有効に使用する必要があ
る。また、クリーンルームは密閉された部屋であるか
ら、その安全性には細心の注意を要する。さらに、クリ
ーンルーム内にはノイズに敏感な精密な装置が多数稼動
しており、ノイズ対策にも注意を要する。加えて、クリ
ーンルームは必然的にダストを嫌うものであるから、ダ
ストを生じる機器等は極力搬入を避けるべきである。
高いので、そのスペースは極力有効に使用する必要があ
る。また、クリーンルームは密閉された部屋であるか
ら、その安全性には細心の注意を要する。さらに、クリ
ーンルーム内にはノイズに敏感な精密な装置が多数稼動
しており、ノイズ対策にも注意を要する。加えて、クリ
ーンルームは必然的にダストを嫌うものであるから、ダ
ストを生じる機器等は極力搬入を避けるべきである。
かかる理由から、エキシマレーザ装置を光源としてクリ
ーンルーム等の中に露光装置の一部として設置した場
合、クリーンルーム内において所要のスペースを占有す
ること、クリーンルームに新たな危険性を生じること、
ノイズやダストを生じること、及びメンテナンスが困難
となること等種々の不都合が起きるという問題点があっ
た。
ーンルーム等の中に露光装置の一部として設置した場
合、クリーンルーム内において所要のスペースを占有す
ること、クリーンルームに新たな危険性を生じること、
ノイズやダストを生じること、及びメンテナンスが困難
となること等種々の不都合が起きるという問題点があっ
た。
本発明は、かかる問題点を解決するためになされたもの
で、クリーンルーム等の中におけるスペース、安全性、
ノイズ、ダスト及びメンテナンス上等の問題を生じな
い、すなわちクリーンルームを有効に利用することがで
きる露光装置とそのような露光装置を用いた半導体の製
造装置を提供することを目的とするものである。
で、クリーンルーム等の中におけるスペース、安全性、
ノイズ、ダスト及びメンテナンス上等の問題を生じな
い、すなわちクリーンルームを有効に利用することがで
きる露光装置とそのような露光装置を用いた半導体の製
造装置を提供することを目的とするものである。
［問題点を解決するための手段］ 本発明に係る露光装置は、光源としてのレーザ装置を第
一の部屋に配置するとともに、露光部を該第一の部屋と
異る第二の部屋（第一の部屋と分離した部屋）に配置
し、前記レーザ光源から出力されたレーザ光を前記露光
部に導く露光手段を備えたことにより上記問題点を解決
したものである。
一の部屋に配置するとともに、露光部を該第一の部屋と
異る第二の部屋（第一の部屋と分離した部屋）に配置
し、前記レーザ光源から出力されたレーザ光を前記露光
部に導く露光手段を備えたことにより上記問題点を解決
したものである。
さらに本発明は、マスクのパターンを半導体ウェハへ転
写する露光装置に紫外域のレーザ光を供給するエキシマ
レーザ光源を使った半導体製造装置に適用され、クリー
ンルーム（12）内に露光装置本体（S1〜Sn）を設置する
と共に、クリーンルーム外にエキシマレーザ光源（2a、
2b、2c）とそれに使用される有毒なガスの供給設備とを
設置し、エキシマレーザ光源から出力されるレーザ光を
クリーンルーム内の露光装置本体まで導くような光路を
形成するための反射系（ミラー系）を設けるようにし
た。
写する露光装置に紫外域のレーザ光を供給するエキシマ
レーザ光源を使った半導体製造装置に適用され、クリー
ンルーム（12）内に露光装置本体（S1〜Sn）を設置する
と共に、クリーンルーム外にエキシマレーザ光源（2a、
2b、2c）とそれに使用される有毒なガスの供給設備とを
設置し、エキシマレーザ光源から出力されるレーザ光を
クリーンルーム内の露光装置本体まで導くような光路を
形成するための反射系（ミラー系）を設けるようにし
た。
［作用］ 本発明においては、光源としてのレーザ装置を第一の部
屋に配置するとともに、露光部を該第一の部屋と異る第
二の部屋に配置し、前記レーザ光源から出力されたレー
ザ光を前記露光部に導く導光手段を備えたことにより、
クリーンルーム内には露光部のみを設置すればよいの
で、クリーンルーム内で占めるスペースは小さくて済
む。また、高圧の有毒ガスの配管等もクリーンルーム外
部に置かれるので、レーザ装置に起因ゆるクリーンルー
ム内における新たな危険も生じない。さらに、レーザ光
源の発生するノイズやダスト等によるクリーンルーム内
の他の装置への影響も生じない。加えて、レーザ装置の
メンテナンスもクリーンルーム外で行えるもので極めて
容易となる。
屋に配置するとともに、露光部を該第一の部屋と異る第
二の部屋に配置し、前記レーザ光源から出力されたレー
ザ光を前記露光部に導く導光手段を備えたことにより、
クリーンルーム内には露光部のみを設置すればよいの
で、クリーンルーム内で占めるスペースは小さくて済
む。また、高圧の有毒ガスの配管等もクリーンルーム外
部に置かれるので、レーザ装置に起因ゆるクリーンルー
ム内における新たな危険も生じない。さらに、レーザ光
源の発生するノイズやダスト等によるクリーンルーム内
の他の装置への影響も生じない。加えて、レーザ装置の
メンテナンスもクリーンルーム外で行えるもので極めて
容易となる。
［実施例］ 以下、本発明の実施例について図を参照しながら説明す
る。
る。
第１図は本発明の第一実施例を示す構成図である。図に
おいて、マスクないしレチクル、投影光学系、ウエハを
含むｎ台の露光部S1〜Snは、クリーンチャンバないしク
リーンルーム12内に配置されている。これらの露光部S1
〜Snは、導光手段の一部としてのｎ本の光ファイバ束L1
〜Lnによって、クリーンルーム12外適宜位置に設けられ
たシリンドリカルレンズ10に各々光学的に接続されてい
る。
おいて、マスクないしレチクル、投影光学系、ウエハを
含むｎ台の露光部S1〜Snは、クリーンチャンバないしク
リーンルーム12内に配置されている。これらの露光部S1
〜Snは、導光手段の一部としてのｎ本の光ファイバ束L1
〜Lnによって、クリーンルーム12外適宜位置に設けられ
たシリンドリカルレンズ10に各々光学的に接続されてい
る。
次に、クリーンルーム12の外側には、レーザ装置2a,2b
が各々配置されており、これらのレーザ光出力側には、
固定反射ミラー４、６および点線で示すように90゜回転
可能な可動反射ミラー８が各々配置されている。
が各々配置されており、これらのレーザ光出力側には、
固定反射ミラー４、６および点線で示すように90゜回転
可能な可動反射ミラー８が各々配置されている。
レーザ装置2a、2bから出力されたレーザ光は、固定反射
ミラー４、６に各々入射し、ここで反射されて可動反射
ミラー８に入射するようになっている。
ミラー４、６に各々入射し、ここで反射されて可動反射
ミラー８に入射するようになっている。
ここで、例えばレーザ装置2aの出力するレーザ光をシリ
ンドリカルレンズ10に入射する場合は可動反射ミラー８
を図の実線の位置にし、レーザ装置2bの出力するレーザ
光を入射する場合は可動反射ミラー８を図の破線の位置
にすることにより、２台のレーザ装置の出力するレーザ
光を選択的に使用することができるように構成されてい
る。
ンドリカルレンズ10に入射する場合は可動反射ミラー８
を図の実線の位置にし、レーザ装置2bの出力するレーザ
光を入射する場合は可動反射ミラー８を図の破線の位置
にすることにより、２台のレーザ装置の出力するレーザ
光を選択的に使用することができるように構成されてい
る。
次に、上記実施例の露光装置の動作について説明する。
まず、２台のレーザ装置2a及び2bのうちのいずれか１
台、例えば2aをレーザ発振させ、図のように固定反射ミ
ラー４及び可動反射ミラー８でレーザ光を反射させ、シ
リンドリカルレンズ10に入射させる。このシリンドリカ
ルレンズ10によって、レーザ光はその焦点で一方向に延
びたスリット（又はシート状）断面のビームとなる。次
に、レーザビームは、クリーンルーム12内において、シ
リンドリカルレンズ10によって形成されたシート状ビー
ムの長手方向に一元的に配列され、光学的に接続された
光フィイバー束L1〜Lnの各入射端面に入射し、それぞれ
の光ファイバー束によってｎ台の露光部S1〜Snへ送られ
る。
台、例えば2aをレーザ発振させ、図のように固定反射ミ
ラー４及び可動反射ミラー８でレーザ光を反射させ、シ
リンドリカルレンズ10に入射させる。このシリンドリカ
ルレンズ10によって、レーザ光はその焦点で一方向に延
びたスリット（又はシート状）断面のビームとなる。次
に、レーザビームは、クリーンルーム12内において、シ
リンドリカルレンズ10によって形成されたシート状ビー
ムの長手方向に一元的に配列され、光学的に接続された
光フィイバー束L1〜Lnの各入射端面に入射し、それぞれ
の光ファイバー束によってｎ台の露光部S1〜Snへ送られ
る。
以上のようにして、クリーンルーム12外に置かれたレー
ザ光源からクリーンルーム12内のｎ台の露光部にレーザ
光が供給され、それぞれの露光部で露光操作が行われる
こととなる。
ザ光源からクリーンルーム12内のｎ台の露光部にレーザ
光が供給され、それぞれの露光部で露光操作が行われる
こととなる。
次に、本発明の第二実施例について、第２図を参照しな
がら説明する。
がら説明する。
第１図の実施例においては、２台のレーザ装置2a及び2b
は、可動反射ミラー８を90゜回転させることによって選
択的に使用することができるようになっている。
は、可動反射ミラー８を90゜回転させることによって選
択的に使用することができるようになっている。
これに対し第２図の実施例では、３台のレーザ装置2a,2
b,2cから出力されるレーザ光が交互に選択的に使用され
るようになっており、可動反射ミラー８を３個設けるこ
とにより、レーザ装置が２台の場合と比較して使用可能
なレーザ光源が１本増えるように構成されている。
b,2cから出力されるレーザ光が交互に選択的に使用され
るようになっており、可動反射ミラー８を３個設けるこ
とにより、レーザ装置が２台の場合と比較して使用可能
なレーザ光源が１本増えるように構成されている。
一般に、上記のようなミラー系の構成によると、例えば
Ｎ台のレーザ装置を使用する場合、可動反射ミラーの必
要数は、両端の２台のレーザ装置以外のレーザ装置の数
に対応する数、すなわち（Ｎ−２）と、Ｎ台のレーザ装
置の各間隔の数に対応する数すなわち（Ｎ−１）の和で
あり、結局Ｎ台のレーザ装置に対して（2N−３）個の可
動反射ミラー８を設けなければよいことになる。
Ｎ台のレーザ装置を使用する場合、可動反射ミラーの必
要数は、両端の２台のレーザ装置以外のレーザ装置の数
に対応する数、すなわち（Ｎ−２）と、Ｎ台のレーザ装
置の各間隔の数に対応する数すなわち（Ｎ−１）の和で
あり、結局Ｎ台のレーザ装置に対して（2N−３）個の可
動反射ミラー８を設けなければよいことになる。
その結果、使用可能なレーザ光源の数は（Ｎ−１）とな
る。各レーザ光源に対してｎ台の露光部を対応させると
すると、全部で（Ｎ−１）・ｎ台の露光部にレーザ光を
供給することが可能となる。
る。各レーザ光源に対してｎ台の露光部を対応させると
すると、全部で（Ｎ−１）・ｎ台の露光部にレーザ光を
供給することが可能となる。
このような構成によると、（Ｎ−１）・ｎ台の露光部に
対して連続的にレーザ光を供給しても、常に１台のレー
ザ装置を休止することができるので、レーザ装置のガ
ス、ウィンドウ、電極等の交換をする場合やトラブル等
によって、１台のレーザ装置が使用できない場合でも、
露光を中断することなく連続的に行うことが可能とな
る。以上、第１及び第２実施例においては、レーザ装置
からのパルスレーザ光は同時に複数の露光部へ送られ
る。
対して連続的にレーザ光を供給しても、常に１台のレー
ザ装置を休止することができるので、レーザ装置のガ
ス、ウィンドウ、電極等の交換をする場合やトラブル等
によって、１台のレーザ装置が使用できない場合でも、
露光を中断することなく連続的に行うことが可能とな
る。以上、第１及び第２実施例においては、レーザ装置
からのパルスレーザ光は同時に複数の露光部へ送られ
る。
次に、本発明の第三実施例について、第３図を用いて説
明する。
明する。
図において、14はボリゴンミラーであり、２台のレーザ
装置2a,2bのうち、例えば2bから出力されたレーザ光
は、固定反射ミラー４及び可動反射ミラー８を介してポ
リゴンミラー14に入射する。
装置2a,2bのうち、例えば2bから出力されたレーザ光
は、固定反射ミラー４及び可動反射ミラー８を介してポ
リゴンミラー14に入射する。
そして、レーザ光は、ここで光軸の角度を変えられて一
方向に配列した光ファイバー束L1〜Lnのうち任意の光フ
ァイバー束の端面に入射し、クリーンルーム12内の対応
する露光部へ送られる。
方向に配列した光ファイバー束L1〜Lnのうち任意の光フ
ァイバー束の端面に入射し、クリーンルーム12内の対応
する露光部へ送られる。
なお、レーザ光を所定の光ファイバー束に入射させる際
には、レーザ光が各光ファイバー束に良好に入射するよ
うにポリゴンミラー14の回転角を制御する。あるいは公
知のｆ−θレンズと組み合わせることも可能である。
には、レーザ光が各光ファイバー束に良好に入射するよ
うにポリゴンミラー14の回転角を制御する。あるいは公
知のｆ−θレンズと組み合わせることも可能である。
さらに、エキシマレーザ光はパルス発光であるため、ポ
リゴンミラーによるレーザ光の偏向とパルス発光とのタ
イミングを同期させ、発光したパルスが必ずいずれかの
光ファイバー束端面に入射するように、適当な同期手段
を設けることが望ましい。一般に、エキシマレーザ光源
は外部トリガをかけることができるので、所定の偏向角
になったことを検出してトリガをかけることにより同期
が可能となる。
リゴンミラーによるレーザ光の偏向とパルス発光とのタ
イミングを同期させ、発光したパルスが必ずいずれかの
光ファイバー束端面に入射するように、適当な同期手段
を設けることが望ましい。一般に、エキシマレーザ光源
は外部トリガをかけることができるので、所定の偏向角
になったことを検出してトリガをかけることにより同期
が可能となる。
また、レーザ装置は、露光時のみレーザ光が得られるよ
うに、例えば露光時のみ発振するように発振制御を行な
うことが好ましい。この場合、各露光部から露光要求信
号を出力させ、それらの論理和が成立しているときの
み、レーザ発振を行うとよい。
うに、例えば露光時のみ発振するように発振制御を行な
うことが好ましい。この場合、各露光部から露光要求信
号を出力させ、それらの論理和が成立しているときの
み、レーザ発振を行うとよい。
ところで、本実施例ではポリゴンミラーを用いた場合を
示したが、これに限られず、例えばガルバノミラー、振
動ミラー等を使用しても良い。
示したが、これに限られず、例えばガルバノミラー、振
動ミラー等を使用しても良い。
なお、各実施例では導光手段として光ファイバーを用い
てクリーンルーム内の露光部へレーザ光を導入する場合
について示したが、これらを用いずに、ミラー系等のみ
によってもクリーンルーム内の露光部へレーザ光を供給
することが可能であることはいうまでもない。
てクリーンルーム内の露光部へレーザ光を導入する場合
について示したが、これらを用いずに、ミラー系等のみ
によってもクリーンルーム内の露光部へレーザ光を供給
することが可能であることはいうまでもない。
また、上記各実施例では、レーザ光源をクリーンルーム
外に設置し、露光部をクリーンルームに設置する例を示
したが、これに限定されることなく、例えばレーザ光源
をクリーンルーム内に設置した場合でも、よりクリーン
度の高いクリーンチャンバー内に露光部のみを設置する
ようにしてもよい。
外に設置し、露光部をクリーンルームに設置する例を示
したが、これに限定されることなく、例えばレーザ光源
をクリーンルーム内に設置した場合でも、よりクリーン
度の高いクリーンチャンバー内に露光部のみを設置する
ようにしてもよい。
［発明の効果］ 本発明は以上説明した通り、光源としてのレーザ装置を
第一の部屋に配置するとともに、露光部を該第一の部屋
と異る第二の部屋に配置し、前記レーザ光源から出力さ
れたレーザ光を前記露光部に導く導光手段を備えたこと
により、露光部をコンパクトにすることができるので、
クリーンルーム等内の貴重なスペースを余分に取らない
という効果がある。
第一の部屋に配置するとともに、露光部を該第一の部屋
と異る第二の部屋に配置し、前記レーザ光源から出力さ
れたレーザ光を前記露光部に導く導光手段を備えたこと
により、露光部をコンパクトにすることができるので、
クリーンルーム等内の貴重なスペースを余分に取らない
という効果がある。
また、高圧の有毒ガスの配管等はクリーンルーム外部に
設置されるので、クリーンルーム等内におけるレーザ装
置に起因する新たな危険も生じないという効果がある。
設置されるので、クリーンルーム等内におけるレーザ装
置に起因する新たな危険も生じないという効果がある。
さらに、レーザ装置の生じるノイズやダストによるクリ
ーンルーム等内への影響を防止し、メンテナンスも容易
に行えるという効果がある。
ーンルーム等内への影響を防止し、メンテナンスも容易
に行えるという効果がある。
第１図は本発明の第一実施例を示す構成図、第２図は第
二実施例の主要部を示す構成図、第３図は第三実施例を
示す構成図である。 ［主要部分の符号の説明］ 2a,2b,2c……レーザー装置、4,6……固定反射ミラー、
８……可動片射ミラー、10……シリンドリカルレンズ、
12……クリーンルーム、14……ポリゴンミラー（回
転）、L1〜Ln……光ファイバー束、S1〜Sn……露光部
二実施例の主要部を示す構成図、第３図は第三実施例を
示す構成図である。 ［主要部分の符号の説明］ 2a,2b,2c……レーザー装置、4,6……固定反射ミラー、
８……可動片射ミラー、10……シリンドリカルレンズ、
12……クリーンルーム、14……ポリゴンミラー（回
転）、L1〜Ln……光ファイバー束、S1〜Sn……露光部
Claims (8)
- 【請求項１】レーザ装置から出力されたレーザ光を露光
部本体の光源として使用する露光装置において、 前記レーザ装置を第１の部屋に配置するとともに、前記
露光部本体を該第１の部屋と異なる第２の部屋に配置
し、前記レーザ装置から出力されたレーザ光を前記露光
部本体に導く導光手段を備えたことを特徴とする露光装
置。 - 【請求項２】前記レーザ装置はパルス発振型レーザ光源
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
露光装置。 - 【請求項３】前記導光手段は、レーザ装置から出力され
たレーザ光を入射するシリンドリカルレンズと、これに
よって集光されたレーザ光を露光部本体に導く光ファイ
バーとを含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項又
は第２項に記載の露光装置。 - 【請求項４】前記導光手段は、レーザ装置から出力され
たレーザ光の光軸の角度を変えて前記露光部本体へ送る
偏向ミラーを含むことを特徴とする特許請求の範囲第１
項又は第２項に記載の露光装置。 - 【請求項５】前記第１の部屋をクリーンルームとし、前
記第２の部屋を前記クリーンルームよりもクリーン度の
高いクリーンチャンバーとしたことを特徴とする特許請
求の範囲第１項又は第２項に記載の露光装置。 - 【請求項６】マスクの回路パターンを半導体ウェハ上に
転写するための露光装置と、該露光装置に紫外のレーザ
光を供給するためのエキシマレーザ光源とを有する半導
体製造装置において、 前記露光装置をクリーンルーム内に設置し、前記エキシ
マレーザ光源と該光源に使用される有毒なガスの供給設
備とを前記クリーンルーム外に設置し、前記エキシマレ
ーザ光源から出力されるレーザ光を前記クリーンルーム
内の露光装置まで導くような光路を形成するための反射
系を設けたことを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項７】前記露光装置にレーザ光を供給している前
記エキシマレーザ光源と交換可能な第２のエキシマレー
ザ光源を前記クリーンルーム外に設置したことを特徴と
する特許請求の範囲第６項に記載の半導体製造装置。 - 【請求項８】前記エキシマレーザ光源は、前記クリーン
ルーム内に設置された露光装置が出力する露光要求信号
に応答してレーザ発振を行うことを特徴とする特許請求
の範囲第６項に記載の半導体製造装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62046782A JPH0770459B2 (ja) | 1987-03-03 | 1987-03-03 | 露光装置及び半導体製造装置 |
| US07/161,944 US4820899A (en) | 1987-03-03 | 1988-02-29 | Laser beam working system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62046782A JPH0770459B2 (ja) | 1987-03-03 | 1987-03-03 | 露光装置及び半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63213926A JPS63213926A (ja) | 1988-09-06 |
| JPH0770459B2 true JPH0770459B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=12756899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62046782A Expired - Lifetime JPH0770459B2 (ja) | 1987-03-03 | 1987-03-03 | 露光装置及び半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0770459B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102878468B1 (ko) * | 2020-01-10 | 2025-10-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 광학 장치, 노광 장치, 플랫 패널 디스플레이의 제조 방법, 및 디바이스 제조 방법 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2406236A1 (fr) * | 1976-12-10 | 1979-05-11 | Thomson Csf | Dispositif optique a source coherente pour le transfert rapide de motifs sur substrats, applique a la realisation de composants et circuits a microstructures |
| JPS6221222A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 露光装置 |
-
1987
- 1987-03-03 JP JP62046782A patent/JPH0770459B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63213926A (ja) | 1988-09-06 |
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