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JPH0770659B2 - Lead solder plating equipment - Google Patents
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JPH0770659B2 - Lead solder plating equipment - Google Patents

Lead solder plating equipment

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JPH0770659B2
JPH0770659B2 JP2321939A JP32193990A JPH0770659B2 JP H0770659 B2 JPH0770659 B2 JP H0770659B2 JP 2321939 A JP2321939 A JP 2321939A JP 32193990 A JP32193990 A JP 32193990A JP H0770659 B2 JPH0770659 B2 JP H0770659B2
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清矢 西村
義久 前嶋
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Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この発明は、IC(半導体集積回路)等の半導体装置のリ
ードに半田メッキを施す半田メッキ装置に関するもので
ある。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a solder plating apparatus that applies solder plating to leads of a semiconductor device such as an IC (semiconductor integrated circuit).

「従来の技術」 従来、ICなどの半導体装置を実装する場合において、信
頼性が高く、コストの低い実装方法が望まれている。し
かし、近年、ICの大規模化に伴って、それを搭載するIC
パッケージの多ピン化および狭ピッチ化が進んでおり、
これに対応した精密半田付け技術の進歩が伴わない状況
が生じている。
“Prior Art” Conventionally, when mounting a semiconductor device such as an IC, a mounting method having high reliability and low cost has been desired. However, in recent years, as the scale of ICs has increased,
The number of pins in packages and the pitches are becoming narrower,
A situation has arisen that is not accompanied by progress in precision soldering technology corresponding to this.

すなわち、多ピンおよび狭ピッチ化されたICのリード
(接続用端子)を半田付けするに際し、微細な半田付け
部に一定量の半田を安定的に供給することが極めて困難
であるために、従来、これらのICのリードに対し、手付
け作業に負っているところが大きいのが現状である。
In other words, when soldering leads (connection terminals) of multi-pin and narrow-pitch ICs, it is extremely difficult to stably supply a certain amount of solder to the fine soldering parts. The current situation is that the lead of these ICs is largely liable to be touched.

ところが、手付け作業では、微細な部分に半田を供給す
る場合、供給する半田量が一定しない問題がある。この
ため、供給する半田量が過多の場合は、隣接するリード
どうしが半田のブリッジによって接合されて短絡してし
まう不具合を生じていた。
However, in the manual work, when the solder is supplied to the fine portion, there is a problem that the amount of the supplied solder is not constant. Therefore, when the amount of supplied solder is excessive, there is a problem that adjacent leads are joined by a bridge of solder and short-circuited.

そこで、この種の半導体装置の基板への実装方法とし
て、予めICのリードに半田メッキを施しておき、基板の
回路への接合の際に、接合部分に半田を外部から供給し
て結合する方法がとられている。
Therefore, as a method of mounting a semiconductor device of this type on a substrate, a method of preliminarily applying solder plating to the leads of the IC and supplying solder to the joint portion from the outside when joining to the circuit of the substrate is used. Has been taken.

ここで、ICのリードに施されている半田メッキは、外部
から供給される半田との濡れ性を良好にする目的で設け
られたもので、数μm程度の厚さで形成されている。し
かし、この程度の厚さの半田メッキのみでは、接合強度
が不足するので、不足となる半田を以下に説明する方法
で外部から供給して接合作業を行っていた。
Here, the solder plating applied to the leads of the IC is provided for the purpose of improving wettability with solder supplied from the outside, and is formed with a thickness of about several μm. However, since the joining strength is insufficient only with the solder plating having such a thickness, the insufficient solder is supplied from the outside by the method described below to perform the joining work.

半田の供給方法には、糸半田を用いる方法、リードが接
合される基板のパッドに予めスクリーン印刷などによっ
て半田ペーストを塗布しておく方法、ディスペンサーに
よって基板のパッドに半田ペーストを塗布する方法、溶
融半田槽に基板を浸漬する方法などがある。
As a solder supply method, a method of using a thread solder, a method of previously applying a solder paste to a pad of a substrate to which a lead is joined by screen printing, a method of applying a solder paste to a pad of a substrate by a dispenser, a melting There is a method of immersing the board in a solder bath.

しかし、QFP(クワッド・フラット・パケージ)などの
多ピンで、リードの間隔が狭い本体部を有するIC、例え
ば、リード間隔が0.65mm以下のICなどでは、供給半田量
が僅かでも過剰であると、リフロー(溶解)後にリード
間の半田によるブリッジが発生し、また、少しでも不足
すると、接合強度の不足が生じるために、適性な量の半
田を供給することが極めて困難であった。
However, even if a small amount of solder is supplied to an IC with multiple pins such as QFP (Quad Flat Package) and a body with a narrow lead interval, for example, an IC with a lead interval of 0.65 mm or less However, after reflow (melting), a bridge is formed by the solder between the leads, and if it is insufficient even a little, the joining strength becomes insufficient, so that it is extremely difficult to supply an appropriate amount of solder.

そこで、本出願人は以下に説明するように、ICのリード
に厚膜半田メッキを施すことにより、適量な半田をリー
ドに付着させる方法を提案するに至った。
Therefore, the present applicant has proposed a method of attaching an appropriate amount of solder to the leads by applying thick film solder plating to the leads of the IC as described below.

第3図はQFPなどの多ピンパッケージICの多数のリード
に電気半田メッキを施すための治具1を示すものであ
る。この治具1は、黄銅などの金属からなる四角形状の
上枠3と、非導電体の下枠2と、これらを連結するネジ
4,4,‥とから構成されている。
FIG. 3 shows a jig 1 for applying electric solder plating to many leads of a multi-pin package IC such as QFP. This jig 1 includes a rectangular upper frame 3 made of metal such as brass, a non-conductive lower frame 2 and screws for connecting them.
It is composed of 4,4 ,.

そして、第4図に示すように、下枠2と上枠3との間に
QFPなどの多ピンパッケージICの本体部5のリード6,6,
‥を挟み、ネジ4,4,‥で固定した後、この治具1を半田
メッキ液Aに浸漬し、リード6,6,‥の大部分が半田メッ
キ液A中に浸されるように配置し、治具1を陰極に、半
田インゴット7を陽極として電気メッキすることによっ
て、各リード6,6,…に半田メッキが施される。
Then, as shown in FIG. 4, between the lower frame 2 and the upper frame 3,
Leads 6, 6, of the main body 5 of the multi-pin package IC such as QFP
After sandwiching and fixing with screws 4, 4, ..., arrange this jig 1 soaked in the solder plating solution A so that most of the leads 6, 6, ... are immersed in the solder plating solution A. Then, by electroplating the jig 1 as a cathode and the solder ingot 7 as an anode, the leads 6, 6, ... Are plated with solder.

「発明が解決しようとする課題」 ところで、上述したように静止している半田メッキ液A
中にドブ漬けして、リード6,6,…に半田メッキを施す従
来の方法においては、半田メッキ液Aが撹拌されないた
め、イオンの流動が極めて少なく、所要の膜厚の半田メ
ッキを施すためには多大な時間を必要とし、また半田メ
ッキの膜厚を制御することができず、局部的に半田メッ
キが施される等、ずべてのリード6,6,…に均一な膜厚の
半田メッキを施すことができないという問題があった。
[Problems to be Solved by the Invention] By the way, as described above, the solder plating solution A that is stationary is used.
In the conventional method in which the leads 6, 6, ... Are dipped in the inside and solder-plated, the solder plating solution A is not agitated, so that the flow of ions is extremely small and the required thickness of the solder plating is performed. Requires a great deal of time, and the thickness of the solder plating cannot be controlled, and the solder plating is locally applied, so that all the leads 6, 6, ... There was a problem that plating could not be applied.

この発明は上述した事情に鑑みてなされたもので、各リ
ードに対して、短時間で効率良く、均一な膜厚の半田メ
ッキを施すことができるリードの半田メッキ装置を提供
することを目的としている。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a lead solder plating apparatus capable of efficiently performing solder plating of a uniform film thickness on each lead in a short time. There is.

「課題を解決するための手段」 この発明は、半導体装置の本体部の周囲に配設された複
数のリードに当接する陰極と、前記リードに対して、前
記陰極と反対側に配設される陽極とを有し、半田メッキ
液中において前記陽極と前記陰極との間に電流を流すこ
とにより、前記リードに半田を電析させるリードの半田
メッキ装置において、前記各リードに対し、略同一流量
の半田メッキ液を噴流させる噴流手段を設けたことを特
徴としている。
"Means for Solving the Problem" The present invention is directed to a cathode that comes into contact with a plurality of leads arranged around a main body of a semiconductor device, and a cathode provided on the side opposite to the cathode. In a lead solder plating apparatus that has an anode and in which a current is passed between the anode and the cathode in a solder plating solution to deposit solder on the leads, a flow rate that is substantially the same for each lead It is characterized in that a jet means for jetting the solder plating liquid is provided.

「作用」 上記構成によれば、噴流手段により、半導体装置の本体
部の周囲に配設された複数のリードに対して、略同一流
量の半田メッキ液が連続的に噴流されることにより、各
リードに短時間で均一な膜厚の半田メッキが施される。
[Operation] According to the above configuration, the jetting means continuously jets the solder plating liquid of substantially the same flow rate to the plurality of leads arranged around the main body of the semiconductor device. The leads are solder-plated with a uniform film thickness in a short time.

「実施例」 以下、図面を参照し、この発明の実施例を説明する。[Embodiment] An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図はこの発明の一実施例による半田メッキ装置の構
成を示す正断面図である。この図において、11はチタン
材によって構成され、四角形の枠状の陰極であり、その
下部には、ICの本体部5を囲むように当接部11aが形成
されており、この当接部11aの下端面が、本体部5の四
辺に配列されたすべてのリード6,6,…に当接するように
なっている。また、陰極11の周囲はエポキシ等の絶縁カ
バー10によって覆われている。
FIG. 1 is a front sectional view showing the structure of a solder plating apparatus according to an embodiment of the present invention. In this figure, 11 is a rectangular frame-shaped cathode made of titanium material, and a contact portion 11a is formed in the lower part of the cathode so as to surround the main body portion 5 of the IC. The lower end surface of the abutting portion contacts all the leads 6, 6, ... Arranged on the four sides of the main body portion 5. The periphery of the cathode 11 is covered with an insulating cover 10 such as epoxy.

12はPEEK材(有機絶縁材)、セラミックス等の絶縁材に
よって構成され、縦に長い直方体状の下受台であり、そ
の上端面には、中央部が除去されることにより、本体部
5の各四辺に配列されたリード6,6,…の各基部に当接す
る塀状部12a,12a,‥が形成されている。また、下受台12
には、その下方から注入された半田メッキ液を受ける大
径管路12bと、この大径管路12bに注入された半田メッキ
液をさらに上方へ導く小径管路12c,12c,‥と、これら小
径管路12c,12c,‥と各々連通して斜め上方へ延び、下受
台12の四側面上部おいて開口する噴出管路12d,12d,‥と
が形成されている。この場合、噴出管路12d,12d,…の開
口部は、それらの開口部から噴出された半田メッキ液が
各リード6,6,…に達する位置に配置されており、また、
小径管路12c,12c,‥および噴出管路12d,12d,‥の各部の
流路断面積はすべて同一となるように設定されおり、こ
れにより、すべてのリード6,6,‥に向かって、略同一流
量の半田メッキ液が連続的に噴出されるようになってい
る。
Reference numeral 12 is a vertically long rectangular parallelepiped lower pedestal which is made of an insulating material such as PEEK material (organic insulating material) and ceramics. Fence-shaped portions 12a, 12a, ... Abutting on the respective base portions of the leads 6, 6, arranged on each of the four sides are formed. In addition, the base 12
, A large diameter conduit 12b for receiving the solder plating liquid injected from below, and small diameter conduits 12c, 12c, ... Which guide the solder plating liquid injected into this large diameter conduit 12b further upward, Ejection conduits 12d, 12d, ... Which communicate with the small diameter conduits 12c, 12c, ... In this case, the openings of the ejection conduits 12d, 12d, ... Are arranged at positions where the solder plating liquid ejected from these openings reaches the leads 6, 6 ,.
The small-diameter conduits 12c, 12c, ... and the ejection conduits 12d, 12d, ... are set to have the same flow passage cross-sectional area, so that all the leads 6, 6, ... The solder plating solution of substantially the same flow rate is continuously ejected.

また、下受台12の周囲には、チタン材によって構成さ
れ、四角形の枠状の陽極13が設けられており、その上端
面には、陰極11と各リード6,6,…を介して対向する薄板
状の白金電極14が設けられている。
Further, a rectangular frame-shaped anode 13 made of a titanium material is provided around the lower pedestal 12, and its upper end face is opposed to the cathode 11 via the leads 6, 6 ,. A thin plate-shaped platinum electrode 14 is provided.

次に、上述した一実施例による半田メッキ装置を用いて
半田メッキを施す場合、以下のようにして行う。
Next, when the solder plating is performed using the solder plating apparatus according to the above-described embodiment, the solder plating is performed as follows.

まず、リードフォーミングの完了したICが下受台12上に
載置され、その本体部5の四辺の各リード6,6,…の基部
が塀状部12a,12a,…によって下方から支えられる。次い
で、陰極11がICの上に載置され、陰極11の当接部11a,11
a,…と、下受台12の塀状部12a,12a,…とによってリード
6,6,…が挟み込まれ、リード6,6,…と白金電極14との間
隔が数mm〜数十mmのうち適切な間隔、例えば、約5mmに
なるように調整される。これにより、ICの装着が完了す
る。
First, an IC for which lead forming has been completed is placed on the lower pedestal 12, and the bases of the leads 6, 6, ... On the four sides of the main body 5 are supported from below by the fence-shaped portions 12a, 12a ,. Next, the cathode 11 is placed on the IC, and the contact portions 11a, 11 of the cathode 11 are
... and the walls 12a, 12a, ... of the lower pedestal 12 lead
... are sandwiched, and the spacing between the leads 6, 6, ... And the platinum electrode 14 is adjusted to be an appropriate spacing of several mm to several tens of mm, for example, about 5 mm. This completes the mounting of the IC.

次に、図示せぬポンプによって半田メッキ液が圧送され
て、大径管路12bに注入される。すると、この半田メッ
キ液が、図に矢印で示すように小径管路12c,12c,‥によ
って噴出管路12d,12d,‥に導かれ、さらに、これら噴出
管路12d,12d,‥によって斜め上方へ導かれて、それらの
開口部から各リード6,6,…に向けて噴出される。これに
より、各リード6,6,…に対して、略同一流量の半田メッ
キ液が連続的に噴出される。その半田メッキ液の噴流が
安定した後、陰極11と陽極13との間に通電する。する
と、各リード6,6,‥に短時間で均一な膜厚の半田メッキ
が施される。
Next, the solder plating liquid is pressure-fed by a pump (not shown) and injected into the large diameter conduit 12b. Then, this solder plating liquid is guided to the ejection pipe lines 12d, 12d, ... By the small diameter pipe lines 12c, 12c, ... As shown by the arrow in the figure, and further, obliquely upward by these ejection pipe lines 12d, 12d ,. , And is ejected from the openings toward the leads 6, 6, .... As a result, the solder plating liquid having substantially the same flow rate is continuously ejected to the leads 6, 6 ,. After the jet of the solder plating solution is stabilized, electricity is applied between the cathode 11 and the anode 13. Then, each lead 6, 6, ... Is plated with solder having a uniform film thickness in a short time.

上述した実施例によれば、ICの本体部5の四側面に各々
対応した4方向の流路、すなわち小径管路12c,12c,‥お
よび噴出管路12d,12d,‥の各流路の流路断面積を同一に
設定し、本体部5の四側面に各々配設された各リード6,
6,‥に対して、均一な流量の半田メッキ液が噴出される
ようにしたので、半田メッキ液の流速を制御するだけ
で、所望の流量の半田メッキ液を各リード6,6,‥に供給
することができ、半田メッキの膜厚を制御することがで
きる。
According to the above-described embodiment, the flow paths in the four directions corresponding to the four side surfaces of the main body 5 of the IC, that is, the flow paths of the small diameter conduits 12c, 12c, ... And the ejection conduits 12d, 12d ,. The road cross-section areas are set to be the same, and the leads 6 arranged on the four side surfaces of the main body 5,
Since a uniform flow rate of the solder plating solution is ejected to 6, 6, the solder plating solution of a desired flow rate can be applied to each of the leads 6, 6 by simply controlling the flow rate of the solder plating solution. Can be supplied, and the film thickness of solder plating can be controlled.

なお、上述した一実施例においては、4方向の各流路毎
に流路断面積を同一としたが、各流路毎に流路断面積が
異なる場合は、各流路毎に独立して流量制御が可能な流
路構造とし、各方向に略同一流量の噴出が得られるよう
に調整すれば、同様の効果が得られる。また、上述した
実施例においては、各リード6,6,…に向けて、陽極13の
方向から半田メッキ液を噴出する構造としたが、これと
逆に、陰極11の方向から逆流し、各管路12d,12c,12bに
流れ込む構造としても勿論構わない。
In the above-described embodiment, the flow passage cross-sectional areas are the same for each of the four flow passages. However, when the flow passage cross-sectional area is different for each flow passage, each flow passage is independently provided. The same effect can be obtained by adopting a flow path structure capable of controlling the flow rate and adjusting the flow rate so that the jetting of the substantially same flow rate is obtained in each direction. Further, in the above-described embodiment, the solder plating solution is ejected from the direction of the anode 13 toward each of the leads 6, 6, ..., On the contrary, reverse flow from the direction of the cathode 11 Of course, the structure may be such that it flows into the pipelines 12d, 12c, 12b.

「発明の効果」 以上説明したように、この発明によれば、半導体装置の
本体部の周囲に配設された複数のリードに当接する陰極
と、陽極との間に電流を流した状態において、各リード
に対し、略同一流量の半田メッキ液を噴流させる噴流手
段を設けたので、各リードに、短時間で効率良く、均一
な膜厚の半田メッキを施すことができるという効果が得
られる。
[Advantages of the Invention] As described above, according to the present invention, in a state in which a current is passed between the cathode and the cathode that abut on a plurality of leads arranged around the main body of the semiconductor device, Since the jetting means for jetting the solder plating liquid of approximately the same flow rate is provided for each lead, it is possible to efficiently apply the solder plating of a uniform film thickness to each lead in a short time.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図はこの発明の一実施例によるリードの半田メッキ
装置の構成を示す正断面図、第2図は同実施例の下受台
の構成を示す平面図、第3図は従来の半田メッキ治具の
構成を示す斜視図、第4図は同半田メッキ治具を用いた
半田メッキ方法を説明するための図である。 5……本体部、6……リード、11……陰極、12……下受
台、12b……大径管路、12c……小径管路、12d……噴出
管路、13……陽極。
FIG. 1 is a front sectional view showing the structure of a lead solder plating apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view showing the structure of the lower pedestal of the same embodiment, and FIG. 3 is conventional solder plating. FIG. 4 is a perspective view showing the structure of the jig, and FIG. 4 is a view for explaining a solder plating method using the same solder plating jig. 5 ... Main body, 6 ... Lead, 11 ... Cathode, 12 ... Bed, 12b ... Large diameter conduit, 12c ... Small diameter conduit, 12d ... Spout conduit, 13 ... Anode.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 前嶋 義久 静岡県浜松市中沢町10番1号 ヤマハ株式 会社内 (72)発明者 太田 篤佳 静岡県浜松市中沢町10番1号 ヤマハ株式 会社内 (56)参考文献 特開 平2−107796(JP,A) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Yoshihisa Maejima 10-1 Nakazawa-machi, Hamamatsu-shi, Shizuoka Yamaha stock company (72) Inventor Atsuka Ota 10-1 Nakazawa-machi, Hamamatsu-shi, Shizuoka Yamaha stock company (56) References Japanese Patent Laid-Open No. 2-107796 (JP, A)

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】半導体装置の本体部の周囲に配設された複
数のリードに当接する陰極と、 前記リードに対して、前記陰極と反対側に配設される陽
極と、 を有し、半田メッキ液中において前記陽極と前記陰極と
の間に電流を流すことにより、前記リードに半田を電析
させるリードの半田メッキ装置において、 前記各リードに対し、略同一流量の半田メッキ液を噴流
させる噴流手段を設けたことを特徴とするリードの半田
メッキ装置。
1. A solder comprising: a cathode that abuts a plurality of leads arranged around a main body of a semiconductor device; and an anode arranged on the opposite side of the cathode with respect to the leads. In a solder plating apparatus for a lead, which deposits solder on the leads by passing a current between the anode and the cathode in a plating solution, a solder plating solution having a substantially same flow rate is jetted to each of the leads. A lead solder plating apparatus characterized by having a jetting means.
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