JPH0770829B2 - セラミツクス基板への導通孔形成方法 - Google Patents
セラミツクス基板への導通孔形成方法Info
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- JPH0770829B2 JPH0770829B2 JP2866287A JP2866287A JPH0770829B2 JP H0770829 B2 JPH0770829 B2 JP H0770829B2 JP 2866287 A JP2866287 A JP 2866287A JP 2866287 A JP2866287 A JP 2866287A JP H0770829 B2 JPH0770829 B2 JP H0770829B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、セラミックス基板への導通孔形成方法に関す
る。
る。
（従来の技術） 従来、セラミックス基板への導通孔の形成方法として
は、次に説明する厚膜法と無電解めっき法とが知られて
いる。厚膜法は、未焼結セラミックスシートであるグリ
ーンシートに孔開け加工により貫通孔を形成し、焼成し
た後、導体ペーストを該貫通孔内に注入充填し、更に充
填された導体ペーストを焼成して導通孔を形成する方法
である。無電解めっき法は、グリーンシートに孔開け加
工により貫通孔を形成し、焼成した後、貫通孔を含むセ
ラミックス基板を活性化処理し、ひきつづき貫通孔を含
む周辺の基板を除く領域をレジスト印刷等でマスキング
し、無電解めっきを施して導通孔を形成する方法であ
る。
は、次に説明する厚膜法と無電解めっき法とが知られて
いる。厚膜法は、未焼結セラミックスシートであるグリ
ーンシートに孔開け加工により貫通孔を形成し、焼成し
た後、導体ペーストを該貫通孔内に注入充填し、更に充
填された導体ペーストを焼成して導通孔を形成する方法
である。無電解めっき法は、グリーンシートに孔開け加
工により貫通孔を形成し、焼成した後、貫通孔を含むセ
ラミックス基板を活性化処理し、ひきつづき貫通孔を含
む周辺の基板を除く領域をレジスト印刷等でマスキング
し、無電解めっきを施して導通孔を形成する方法であ
る。
しかしながら、上述した方法はいずれもグリーンシート
への貫通孔の形成をドリルやプレスにより行なってい
る。このため、グリーンシートの焼成時の大きな収縮、
変形により貫通孔の位置精度低下や基板の割れを生じる
問題があった。また、厚膜法においては0.3mm以下の微
細な貫通孔を形成した場合、導体ペーストの注入が困難
となり、とりわけセラミックス基板を厚くすると導体ペ
ーストの充填不足による断線が生じる。無電解めっき法
では、活性化処理やマスキング等の前処理が必要であ
り、導通孔の形成に複雑なプロセスが要求され、量産化
等の障害となる。
への貫通孔の形成をドリルやプレスにより行なってい
る。このため、グリーンシートの焼成時の大きな収縮、
変形により貫通孔の位置精度低下や基板の割れを生じる
問題があった。また、厚膜法においては0.3mm以下の微
細な貫通孔を形成した場合、導体ペーストの注入が困難
となり、とりわけセラミックス基板を厚くすると導体ペ
ーストの充填不足による断線が生じる。無電解めっき法
では、活性化処理やマスキング等の前処理が必要であ
り、導通孔の形成に複雑なプロセスが要求され、量産化
等の障害となる。
（発明が解決しようとする問題点） 本発明は、上記従来の問題点を解決するためになされた
もので、セラミックス基板に高精度、高能率で、しかも
簡単に導通孔を形成し得るセラミックス基板への導通孔
形成方法を提供しようとするものである。
もので、セラミックス基板に高精度、高能率で、しかも
簡単に導通孔を形成し得るセラミックス基板への導通孔
形成方法を提供しようとするものである。
［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） 本発明は、窒化物系セラミックス、炭化物系セラミック
スおよび酸化物系セラミックスのいずれかよりなるセラ
ミックス基板にレーザ光を照射して貫通孔を形成すると
共に、前記照射により前記セラミックス基板を還元して
前記セラミックス基板を構成する金属成分を前記貫通孔
の内壁に析出させる工程と、前記析出した金属成分をめ
っき核として無電解メッキを施して前記貫通孔内壁に選
択的にめっき膜を形成する工程と、めっき処理を施した
前記セラミック基板をはんだ槽に浸漬し、めっき膜が形
成された前記貫通孔内にはんだを充填する工程とを具備
したことを特徴とするセラミックス基板への導通孔形成
方法である。
スおよび酸化物系セラミックスのいずれかよりなるセラ
ミックス基板にレーザ光を照射して貫通孔を形成すると
共に、前記照射により前記セラミックス基板を還元して
前記セラミックス基板を構成する金属成分を前記貫通孔
の内壁に析出させる工程と、前記析出した金属成分をめ
っき核として無電解メッキを施して前記貫通孔内壁に選
択的にめっき膜を形成する工程と、めっき処理を施した
前記セラミック基板をはんだ槽に浸漬し、めっき膜が形
成された前記貫通孔内にはんだを充填する工程とを具備
したことを特徴とするセラミックス基板への導通孔形成
方法である。
前記窒化物系セラミックスとしては、例えばAlN、Si
3N4、BN等を主成分とするもの、前記炭化物系セラミッ
クスとしては例えばSiCを主成分とするもの、前記酸化
物系セラミックスとしては例えばAl2O3、BeO等を主成分
とするものを挙げることができる。特に、レーザ光の照
射により容易に照射部が還元、昇華されてAlやSiの金属
を生成するAlN、Si3N4が好適である。
3N4、BN等を主成分とするもの、前記炭化物系セラミッ
クスとしては例えばSiCを主成分とするもの、前記酸化
物系セラミックスとしては例えばAl2O3、BeO等を主成分
とするものを挙げることができる。特に、レーザ光の照
射により容易に照射部が還元、昇華されてAlやSiの金属
を生成するAlN、Si3N4が好適である。
上記レーザ光としては、例えばkWオーダ以上のピーク出
力を持つものを用いることが望ましい。かかるレーザ光
を発振する発振器としては、光音響素子からなるＱスイ
ッチを組込んだYAGレーザ発振器、アレキサンドライト
レーザ発振器、TEACO2レーザ発振器等を挙げることがで
きる。なお、レーザ光の照射にあたっては、真空中又は
Ar、Ne、He等の不活性ガスの雰囲気で行なうことが望ま
しい。
力を持つものを用いることが望ましい。かかるレーザ光
を発振する発振器としては、光音響素子からなるＱスイ
ッチを組込んだYAGレーザ発振器、アレキサンドライト
レーザ発振器、TEACO2レーザ発振器等を挙げることがで
きる。なお、レーザ光の照射にあたっては、真空中又は
Ar、Ne、He等の不活性ガスの雰囲気で行なうことが望ま
しい。
上記無電解めっきに使用するめっき液としては、例えば
無電解銅めっき液、無電解ニッケルめっき液等に挙げる
ことができる。
無電解銅めっき液、無電解ニッケルめっき液等に挙げる
ことができる。
（作用） 本発明方法によれば、セラミックス基板にレーザ光を照
射することにより、貫通孔が形成されると共に、例えば
セラミックスが窒化物の場合は下記(1)式の反応が生起
起され、セラミックスが還元されて貫通孔の内壁にその
構成金属が析出する。但し、式中のMeは金属を示す。
射することにより、貫通孔が形成されると共に、例えば
セラミックスが窒化物の場合は下記(1)式の反応が生起
起され、セラミックスが還元されて貫通孔の内壁にその
構成金属が析出する。但し、式中のMeは金属を示す。
MeN→Me+1/2N2↑ …(1) 次いで、貫通孔の内壁に金属が析出したセラミックスを
無電解めっき処理を施すことによって、前記析出金属を
めっき核として前記貫通孔内壁にめっき膜が選択的に形
成される。この後、めっき処理を施したセラミックス基
板を超音波はんだ槽等のはんだ槽に浸漬することによっ
て、めっき膜が形成された貫通孔内のみにはんだが充填
され、所望の導通孔を形成される。この場合、セラミッ
クス基板を超音波はんだ槽に浸漬してはんだの充填を行
なうと、前記貫通孔が微細であっても、該貫通孔内には
んだを選択的に充填できる。従って、本発明はレーザ光
のセラミックス基板への照射、無電解めっき、超音波は
んだ槽への浸漬という極めて簡単な工程によりセラミッ
クス基板に導通孔を高精度、高能率で形成できる。
無電解めっき処理を施すことによって、前記析出金属を
めっき核として前記貫通孔内壁にめっき膜が選択的に形
成される。この後、めっき処理を施したセラミックス基
板を超音波はんだ槽等のはんだ槽に浸漬することによっ
て、めっき膜が形成された貫通孔内のみにはんだが充填
され、所望の導通孔を形成される。この場合、セラミッ
クス基板を超音波はんだ槽に浸漬してはんだの充填を行
なうと、前記貫通孔が微細であっても、該貫通孔内には
んだを選択的に充填できる。従って、本発明はレーザ光
のセラミックス基板への照射、無電解めっき、超音波は
んだ槽への浸漬という極めて簡単な工程によりセラミッ
クス基板に導通孔を高精度、高能率で形成できる。
（発明の実施例） 以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明す
る。
る。
実施例１ まず、連続波ＱスイッチYAGレーザ発振器１から出力さ
れたレーザ光２を反射ミラー３及び集光レンズ４を経由
して厚さ0.635mmのAlN基板５に0.5mmのピッチで格子状
に照射した（第１図図示）。この時、第２図（Ａ）、
（Ｂ）に示すようにAlN基板５の照射部に直径0.1mmの貫
通孔６が形成される共に、下記(2)式の反応が生起され
てAlNの還元がなされ、貫通孔６内壁にAlが析出してAl
膜７が形成された。
れたレーザ光２を反射ミラー３及び集光レンズ４を経由
して厚さ0.635mmのAlN基板５に0.5mmのピッチで格子状
に照射した（第１図図示）。この時、第２図（Ａ）、
（Ｂ）に示すようにAlN基板５の照射部に直径0.1mmの貫
通孔６が形成される共に、下記(2)式の反応が生起され
てAlNの還元がなされ、貫通孔６内壁にAlが析出してAl
膜７が形成された。
AlN→Al+1/2N2↑ …(2) 次いで、前記AlN基板５を例えば無電解銅めっき液に浸
漬して無電解銅めっき処理を施した。この時、第３図に
示すようにAl膜６をめっき核として貫通孔６の内壁に銅
めっき膜８が選択的に形成された。つづいて、銅めっき
処理を施したAlN基板５を超音波はんだ槽に浸漬するこ
とにより、第４図に示すようにAlN基板５の貫通孔６に
はんだ９が充填され、Al膜７、銅めっき膜８及びはんだ
９からなる導通孔10が形成された。なお、はんだの充填
によりレーザ光の照射側の貫通孔の開口周辺にははんだ
盛り上がり部11が形成された。
漬して無電解銅めっき処理を施した。この時、第３図に
示すようにAl膜６をめっき核として貫通孔６の内壁に銅
めっき膜８が選択的に形成された。つづいて、銅めっき
処理を施したAlN基板５を超音波はんだ槽に浸漬するこ
とにより、第４図に示すようにAlN基板５の貫通孔６に
はんだ９が充填され、Al膜７、銅めっき膜８及びはんだ
９からなる導通孔10が形成された。なお、はんだの充填
によりレーザ光の照射側の貫通孔の開口周辺にははんだ
盛り上がり部11が形成された。
実施例２ まず、連続波ＱスイッチYAGレーザ発振器から出力され
たレーザ光を反射ミラー及び集光レンズを経由して厚さ
0.635mmのAlN基板５の両面から照射した。この時、第５
図に示すようにAlN基板５の照射部に鼓形状をなす貫通
孔６′が形成される共に、AlNの還元がなされ、貫通孔
６′内壁にAlが析出してAl膜７が形成された。
たレーザ光を反射ミラー及び集光レンズを経由して厚さ
0.635mmのAlN基板５の両面から照射した。この時、第５
図に示すようにAlN基板５の照射部に鼓形状をなす貫通
孔６′が形成される共に、AlNの還元がなされ、貫通孔
６′内壁にAlが析出してAl膜７が形成された。
次いで、前記AlN基板５を例えば無電解銅めっき液に浸
漬して無電解銅めっき処理を施した。この時、第６図に
示すようにAl膜６をめっき核として貫通孔６′の内壁に
銅めっき膜８が選択的に形成された。つづいて、銅めっ
き処理を施したAlN基板５を超音波はんだ槽に浸漬する
ことにより、第８図に示すようにAlN基板５の貫通孔
６′にはんだ９が充填され、Al膜７、銅めっき膜８及び
はんだ９からなる導通孔10が形成された。
漬して無電解銅めっき処理を施した。この時、第６図に
示すようにAl膜６をめっき核として貫通孔６′の内壁に
銅めっき膜８が選択的に形成された。つづいて、銅めっ
き処理を施したAlN基板５を超音波はんだ槽に浸漬する
ことにより、第８図に示すようにAlN基板５の貫通孔
６′にはんだ９が充填され、Al膜７、銅めっき膜８及び
はんだ９からなる導通孔10が形成された。
本実施例２によれば、レーザ光をAlN基板５の両面側か
ら照射することによって、鼓形状をなす貫通孔６′が形
成される共に、AlNの還元がなされ、貫通孔６′の内壁
を含む上下の開口周辺にAlが析出してAl膜７が形成され
る。その結果、無電解めっき、超音波はんだ槽への浸漬
により貫通孔６′の上下開口周辺にはんだの盛り上がり
部11a、11bを形成できる。つまり、AlN基板５の両面の
いずれにも配線用パッドとして利用し得るはんだの盛り
上がり部11a、11bを形成できる。即ち、上述した実施例
１のような片側からのレーザ光照射では貫通孔６がテー
パ状となり、貫通孔６のレーザ光入射側の開口周辺にお
いてAl膜が形成されるが、貫通孔６のレーザ光出射側の
開口周辺においてAl膜が形成されない。このため、無電
解めっき、超音波はんだ槽への浸漬を行なった後におい
て、貫通孔６のレーザ光入射側の開口周辺にはんだ盛り
上がり部11を形成できるものの、貫通孔６のレーザ光出
射側の開口周辺にははんだ盛り上がり部を形成できな
い。これに対し、本実施例２のようにAlN基板５の両面
からレーザ光を照射することによって、既述の如くAlN
基板５の両面のいずれにも配線用パッドとして利用し得
るはんだの盛り上がり部11a、11bを形成できる。
ら照射することによって、鼓形状をなす貫通孔６′が形
成される共に、AlNの還元がなされ、貫通孔６′の内壁
を含む上下の開口周辺にAlが析出してAl膜７が形成され
る。その結果、無電解めっき、超音波はんだ槽への浸漬
により貫通孔６′の上下開口周辺にはんだの盛り上がり
部11a、11bを形成できる。つまり、AlN基板５の両面の
いずれにも配線用パッドとして利用し得るはんだの盛り
上がり部11a、11bを形成できる。即ち、上述した実施例
１のような片側からのレーザ光照射では貫通孔６がテー
パ状となり、貫通孔６のレーザ光入射側の開口周辺にお
いてAl膜が形成されるが、貫通孔６のレーザ光出射側の
開口周辺においてAl膜が形成されない。このため、無電
解めっき、超音波はんだ槽への浸漬を行なった後におい
て、貫通孔６のレーザ光入射側の開口周辺にはんだ盛り
上がり部11を形成できるものの、貫通孔６のレーザ光出
射側の開口周辺にははんだ盛り上がり部を形成できな
い。これに対し、本実施例２のようにAlN基板５の両面
からレーザ光を照射することによって、既述の如くAlN
基板５の両面のいずれにも配線用パッドとして利用し得
るはんだの盛り上がり部11a、11bを形成できる。
［発明の効果］ 以上詳述した如く、本発明方法によれば以下に列挙する
種々の効果を達成できるものである。
種々の効果を達成できるものである。
．貫通孔の形成は、焼成後のセラミックス基板に対し
てレーザ光の照射により行なうため、微細で短ピッチの
貫通孔を位置精度よく形成でき、従来法による焼成時の
収縮変形の問題を解決できる。
てレーザ光の照射により行なうため、微細で短ピッチの
貫通孔を位置精度よく形成でき、従来法による焼成時の
収縮変形の問題を解決できる。
．レーザ光の照射により貫通孔と該貫通孔内壁への金
属膜（めっき核）の形成を同時に行なうことができるの
で、めっきの選択性をもたせるためのマスキングやめっ
き核形成のための活性化処理等の工程が不要となり、導
通孔の形成効率を著しく向上できる。
属膜（めっき核）の形成を同時に行なうことができるの
で、めっきの選択性をもたせるためのマスキングやめっ
き核形成のための活性化処理等の工程が不要となり、導
通孔の形成効率を著しく向上できる。
．貫通孔の内壁に無電解めっきを施した後、超音波は
んだ槽で超音波はんだ付けを行なうことにより、貫通孔
の孔径に制約がなく、微細な貫通孔内にはんだを良好に
充填できるため、セラミックス基板を厚くしても断線の
ない導通孔を形成できる。
んだ槽で超音波はんだ付けを行なうことにより、貫通孔
の孔径に制約がなく、微細な貫通孔内にはんだを良好に
充填できるため、セラミックス基板を厚くしても断線の
ない導通孔を形成できる。
．セラミックス基板の両面からレーザ光を照射するこ
とにより、該基板の貫通孔の両面開口周辺にも金属層を
形成できるため、無電解めっきと超音波はんだ付けによ
り前記開口周辺にはんだ盛り上がりを有する導通孔を形
成できる。その結果、該導通孔をセラミックス基板に格
子状に形成することにより、前記はんだ盛り上がり部を
配線パッドとした半導体チップ搭載用パッドグリッドア
レイ等のパッケージを作製できる。
とにより、該基板の貫通孔の両面開口周辺にも金属層を
形成できるため、無電解めっきと超音波はんだ付けによ
り前記開口周辺にはんだ盛り上がりを有する導通孔を形
成できる。その結果、該導通孔をセラミックス基板に格
子状に形成することにより、前記はんだ盛り上がり部を
配線パッドとした半導体チップ搭載用パッドグリッドア
レイ等のパッケージを作製できる。
第１図、第２図（Ａ）、（Ｂ）、第３図及び第４図は本
発明の実施例１における導通孔の形成工程を示す図で、
第１図はAlN基板へのレーザ光照射を示す概略図、第２
図（Ａ）はレーザ光照射後のAlN基板の状態を示す斜視
図、同図（Ｂ）は同図（Ａ）の要部拡大斜視図、第３図
は無電解銅めっき後のAlN基板の状態を示す斜視図、第
４図ははんだ充填後のAlN基板の状態を示す斜視図であ
る。第５図〜第７図は実施例２における導通孔の形成工
程を示す断面図である。 １……レーザ発振器、２……レーザ光、５……AlN基
板、６、６′……貫通孔、７……析出Al膜、８……無電
解銅めっき膜、９……はんだ、10……導通孔、11、11
a、11b……はんだ盛り上がり部。
発明の実施例１における導通孔の形成工程を示す図で、
第１図はAlN基板へのレーザ光照射を示す概略図、第２
図（Ａ）はレーザ光照射後のAlN基板の状態を示す斜視
図、同図（Ｂ）は同図（Ａ）の要部拡大斜視図、第３図
は無電解銅めっき後のAlN基板の状態を示す斜視図、第
４図ははんだ充填後のAlN基板の状態を示す斜視図であ
る。第５図〜第７図は実施例２における導通孔の形成工
程を示す断面図である。 １……レーザ発振器、２……レーザ光、５……AlN基
板、６、６′……貫通孔、７……析出Al膜、８……無電
解銅めっき膜、９……はんだ、10……導通孔、11、11
a、11b……はんだ盛り上がり部。
Claims (2)
- 【請求項１】窒化物系セラミックス、炭化物系セラミッ
クスおよび酸化物系セラミックスのいずれかよりなるセ
ラミックス基板にレーザ光を照射して貫通孔を形成する
と共に、前記照射により前記セラミックス基板を還元し
て前記セラミックス基板を構成する金属成分を前記貫通
孔の内壁に析出させる工程と、 前記析出した金属成分をめっき核として無電解メッキを
施して前記貫通孔内壁に選択的にめっき膜を形成する工
程と、 めっき処理を施した前記セラミックス基板をはんだ槽に
浸漬し、めっき膜が形成された前記貫通孔内にはんだを
充填する工程と を具備したことを特徴とするセラミックス基板への導通
孔形成方法。 - 【請求項２】セラミックス基板の両面からレーザ光を照
射して貫通孔を形成すると共に、前記貫通孔内壁に前記
セラミックス基板を構成する金属成分を析出させること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のセラミックス
基板への導通孔形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2866287A JPH0770829B2 (ja) | 1987-02-10 | 1987-02-10 | セラミツクス基板への導通孔形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2866287A JPH0770829B2 (ja) | 1987-02-10 | 1987-02-10 | セラミツクス基板への導通孔形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63196094A JPS63196094A (ja) | 1988-08-15 |
| JPH0770829B2 true JPH0770829B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=12254715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2866287A Expired - Fee Related JPH0770829B2 (ja) | 1987-02-10 | 1987-02-10 | セラミツクス基板への導通孔形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0770829B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2687604B2 (ja) * | 1989-07-13 | 1997-12-08 | 富士通株式会社 | プリント回路基板の製造方法 |
| JP2013045957A (ja) * | 2011-08-25 | 2013-03-04 | Kyocera Corp | 配線基板および電子装置 |
-
1987
- 1987-02-10 JP JP2866287A patent/JPH0770829B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63196094A (ja) | 1988-08-15 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |