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JPH0772876B2 - Memory control circuit - Google Patents
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JPH0772876B2 - Memory control circuit - Google Patents

Memory control circuit

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JPH0772876B2
JPH0772876B2 JP2046246A JP4624690A JPH0772876B2 JP H0772876 B2 JPH0772876 B2 JP H0772876B2 JP 2046246 A JP2046246 A JP 2046246A JP 4624690 A JP4624690 A JP 4624690A JP H0772876 B2 JPH0772876 B2 JP H0772876B2
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Description

【発明の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 本発明は、デジタル信号処理装置(DSP)等に搭載され
るメモリを動作させるメモリ制御回路に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a memory control circuit for operating a memory mounted in a digital signal processing device (DSP) or the like.

(ロ)従来の技術 従来、DSPにはデータの書き込み及び読み出しが自由な
スタティックRAM等のメモリが搭載され、入力されるデ
ジタルデータが一旦そのメモリに記憶される。このよう
なメモリに記憶されたデジタルデータは、読み出されて
所定の演算に使用された後に再びメモリに記憶される。
このとき、そのメモリには新しいデジタルデータが順次
入力され、或るアドレスから読み出されたデジタルデー
タは、そのアドレスの次のアドレスに書き込まれること
になる。具体的には、デジタルデータが読み出された際
のアドレスデータに「1」を加算し、デジタルデータを
書き込みアドレスの指定に用いる。
(B) Conventional Technology Conventionally, a DSP is equipped with a memory such as a static RAM in which data can be written and read freely, and input digital data is temporarily stored in the memory. The digital data stored in such a memory is read out and used for a predetermined calculation, and then stored again in the memory.
At this time, new digital data is sequentially input to the memory, and the digital data read from a certain address is written to the address next to that address. Specifically, "1" is added to the address data when the digital data is read, and the digital data is used to specify the write address.

第5図は、上述のようなメモリの動作を行うメモリ制御
回路のブロック図であり、第6図はその動作タイミング
図である。
FIG. 5 is a block diagram of a memory control circuit that operates the memory as described above, and FIG. 6 is an operation timing chart thereof.

データバス(1)に接続されたメモリ(2)には、所定
の周期で変化するNビットのアドレスデータADRが供給
され、このアドレスデータADRに従ってメモリ(2)の
アドレスが順に指定される。また、メモリ(2)にはデ
ータの読み出し許可するリードイネーブル信号RE及びデ
ータの書き込みを許可するライトイネーブル信号WEが供
給され、アドレスデータADRに従って指定されたアドレ
スからのデータの読み出し、及びそのアドレスへのデー
タの書き込みが制御される。
The memory (2) connected to the data bus (1) is supplied with N-bit address data ADR that changes in a predetermined cycle, and addresses of the memory (2) are sequentially designated according to the address data ADR. Further, the memory (2) is supplied with a read enable signal RE for permitting reading of data and a write enable signal WE for permitting writing of data, and reads out data from an address designated according to address data ADR and Data writing is controlled.

一方、データバス(1)は、データホールド機能を有す
る演算回路(3)に接続され、メモリ(2)から読み出
されるデータを演算回路(3)に伝送すると共に演算回
路(3)からメモリ(2)にデータを返送する。
On the other hand, the data bus (1) is connected to the arithmetic circuit (3) having a data hold function, transmits the data read from the memory (2) to the arithmetic circuit (3), and the arithmetic circuit (3) to the memory (2). ) Return the data to.

アドレスデータADRは、一定の周期Tで1アドレスずつ
変化し、メモリ(2)のアドレスを順に指定する。そし
て、アドレスの指定に同期するリードイネーブル信号RE
及びライトイネーブル信号WEに従い、期間T1に所定アド
レスからデータが読み出されて演算回路(3)に伝送さ
れ、次の期間T2に演算回路(3)からデータが返送さ
れ、データを読み出したアドレスの次のアドレスにデー
タが書き込まれる。即ち、第6図に示すように、メモリ
(2)の或るアドレスからデータが読み出された後にア
ドレスデータADRが1アドレス変化して次のアドレスが
指定され、そのアドレスに演算回路(3)にホールドさ
れているデータが書き込まれるように構成される。これ
らのリードイネーブル信号RE及びライトイネーブル信号
WEは、共通する基本クロックから作成されるものであ
り、その基本クロックに従ってアドレスデータADRを変
化させることに依り、データの読み出し及び書き込みを
アドレスの指定に同期させることができる。
The address data ADR changes by one address at a constant cycle T and sequentially designates the addresses of the memory (2). Then, the read enable signal RE synchronized with the designation of the address
According to the write enable signal WE, data is read from the predetermined address in the period T 1 and transmitted to the arithmetic circuit (3), and data is returned from the arithmetic circuit (3) in the next period T 2 to read the data. Data is written to the address next to the address. That is, as shown in FIG. 6, after the data is read from a certain address of the memory (2), the address data ADR is changed by one address to designate the next address, and the arithmetic circuit (3) is designated at that address. It is configured so that the data held at is written. These read enable signal RE and write enable signal
WE is created from a common basic clock, and by changing the address data ADR according to the basic clock, data reading and writing can be synchronized with address specification.

(ハ)発明が解決しようとする課題 しかしながら、上述の如きメモリ制御回路に於いては、
メモリ(2)の或るアドレスに記憶されているデータを
次のアドレスに移すのに、データの読み出し及びデータ
の書き込みの2つのステップが必要となるために、動作
速度が遅くなり、高速での信号処理には適さないといっ
た問題が生じる。
(C) Problems to be Solved by the Invention However, in the memory control circuit as described above,
In order to move the data stored in one address of the memory (2) to the next address, two steps of reading the data and writing the data are required, which slows down the operation speed and increases the speed. There arises a problem that it is not suitable for signal processing.

また、読み出したデータをそのまま次のアドレスに書き
込むことのできるような特殊な構成のメモリを用いるこ
とで、1つのステップでのデータの移送が可能になる
が、回路が複雑になることから、回路規模の増大に伴う
コストアップを招くことになり、さらには複雑な回路で
の信号の遅延等を考慮すると、誤動作防止のために動作
速度を十分に速くすることはできない。
Further, by using a memory having a special structure that allows the read data to be written to the next address as it is, the data can be transferred in one step, but the circuit becomes complicated. The cost increases with an increase in the scale, and further, considering the signal delay in a complicated circuit, the operation speed cannot be sufficiently increased to prevent malfunction.

そこで本発明は、特殊な構成のメモリや複雑な回路を用
いることなく、メモリの或るアドレスに記憶されている
データを1つのステップで異なるアドレスに移すことの
できるメモリ制御回路の提供を目的とする。
Therefore, an object of the present invention is to provide a memory control circuit that can move data stored at a certain address of a memory to a different address in one step without using a specially configured memory or a complicated circuit. To do.

(ニ)課題を解決するための手段 本発明は、上述の課題を解決するためになされたもの
で、その特徴は、データの読み出し、書き込み及びアド
レスの指定が独立し、夫々共通のデータバスに接続され
た第1及び第2のメモリと、最下位ビットを除いたアド
レスデータに従って上記第1及び第2のメモリのアドレ
スを同時に指定する手段と、最下位ビットのアドレスデ
ータに従って奇数アドレス期間で上記第1のメモからデ
ータを読み出し、偶数アドレス期間で上記第2のメモリ
からデータを読み出す手段と、奇数アドレス期間に読み
出されるデータを同期間に上記第2のメモリに書き込
み、偶数アドレス期間に読み出されるデータを同期間で
上記第1のメモリに書き込み手段と、を備え、奇数アド
レス期間に最下位ビットを除く上記アドレスデータに一
定データを加算し、加算されたアドレスデータに従って
上記第2のメモリのアドレスを指定することにある。
(D) Means for Solving the Problems The present invention has been made to solve the above problems, and is characterized in that reading and writing of data and designation of an address are independent, and a common data bus is provided for each. Connected first and second memories, means for simultaneously designating addresses of the first and second memories according to address data excluding the least significant bit, and the odd address period according to the least significant bit address data Means for reading data from the first memo and reading data from the second memory in the even-numbered address period and data read in the odd-numbered address period are written in the second memory during the same period and read in the even-numbered address period. Means for writing data in the first memory in the same period, and the address excluding the least significant bit in the odd address period A certain data is added to the data, and the address of the second memory is designated according to the added address data.

(ホ)作 用 本発明に依れば、奇数アドレス期間では第1のメモリか
ら読み出されたデータがデータバスに出力されると共に
データバスから第2のメモリに書き込まれ、偶数アドレ
ス期間では第2のメモリから読み出されたデータがデー
タバスに出力されると共にデータバスから第1のメモリ
に書き込まれる。そして、第2のメモリのアドレスを奇
数アドレス期間に第1のメモリと1アドレスだけずらし
たことに依り、第1のメモリと第2のメモリとの間でデ
ータの読み出し及び書き込みが繰り返えされて1アドレ
スずつデータが移されることになる。
(E) Operation According to the present invention, the data read from the first memory is output to the data bus and written to the second memory from the data bus in the odd address period, and the data is written in the second memory in the even address period. The data read from the second memory is output to the data bus and is written to the first memory from the data bus. Then, the address of the second memory is shifted by one address from the first memory during the odd-numbered address period, so that reading and writing of data are repeated between the first memory and the second memory. Data is transferred one address at a time.

(ヘ)実施例 本発明の一実施例を図面に従って説明する。(F) Embodiment An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図は本発明メモリ制御回路のブロック図であり、第
2図はその動作タイミング図である。
FIG. 1 is a block diagram of the memory control circuit of the present invention, and FIG. 2 is an operation timing chart thereof.

ODDメモリ(11)及びEVENメモリ(12)は、同一の容量
を有しており、共通のデータバス(10)に接続される。
ODDメモリ(11)には、最下位ビットを除いたNビット
のアドレスデータA1〜ANが供給され、EVENメモリ(12)
には、同じアドレスデータA1〜ANが加算回路(13)を介
して供給される。この加算回路(13)は、奇数アドレス
期間ODDにアドレスデータA1〜ANに「1」を加算し、偶
数アドレス期間EVENにはアドレスデータA1〜ANをそのま
ま出力するように構成されている。奇数アドレス期間OD
Dと偶数アドレス期間EVENとの判別には、最下位ビット
のアドレスデータA0が用いられ、このアドレスデータA0
が「1」であれば奇数アドレス期間ODD、「0」であれ
ば偶数アドレス期間EVENであると判別される。また、ア
ドレスデータA0は、夫々のメモリ(11)(12)のリード
イネーブル信号REとして用いられ、ODDメモリ(11)に
はアドレスデータA0がそのまま供給され、EVENメモリ
(12)にはインバータ(14)を介してアドレスデータA0
が供給される。さらにODDメモリ(11)及びEVENメモリ
(12)には、偶数アドレス期間EVENに書き込みを許可す
るライトイネーブル信号WE1及び奇数アドレスODDに書き
込みを許可するライトイネーブル信号WE2が夫々供給さ
れる。従って、奇数アドレス期間ODDには、ODDメモリ
(11)からデータが読み出され、そのデータがEVENメモ
リ(12)に書き込まれる。このとき、EVENメモリ(12)
のアドレスは、加算回路(13)の作用に依りODDメモリ
(11)のアドレスに対して1アドレス先行している。一
方、偶数アドレス期間EVENには、EVENメモリ(12)から
データが読み出され、そのデータがODDメモリ(11)に
書き込まれる。このときの両メモリ(11)(12)のアド
レスは一致しており、読み出したアドレスと同一のアド
レスに書き込まれる。例えば、第3図に示すようなメモ
リに於いては、ODDメモリ(11)のアドレスO11から読み
出されるデータはEVENメモリ(12)のアドレスE21に書
き込まれ、次にEVENメモリ(12)のアドレスE21から読
み出されてODDメモリ(11)のアドレスO21に書き込まれ
る。以後、1アドレス周期毎に夫々のアドレスO21,E31,
O31,E41,O41…に順にデータが移される。
The ODD memory (11) and the EVEN memory (12) have the same capacity and are connected to the common data bus (10).
The ODD memory (11) is supplied with N-bit address data A 1 to A N excluding the least significant bit, and the EVEN memory (12)
Are supplied with the same address data A 1 to A N via an adder circuit (13). The adder circuit (13) is configured to add "1" to the address data A 1 to A N in the odd address period ODD and output the address data A 1 to A N as it is in the even address period EVEN. There is. Odd address period OD
The determination of the D and the even address period EVEN, address data A 0 of the least significant bits are used, the address data A 0
Is "1", it is determined to be an odd address period ODD, and if "0" is to be an even address period EVEN. Further, the address data A 0 is used as a read enable signal RE for the respective memories (11) (12), the address data A 0 is directly supplied to the ODD memory (11), and the inverter data is supplied to the EVEN memory (12). Address data A 0 via (14)
Is supplied. Further, the ODD memory (11) and the EVEN memory (12) are respectively supplied with a write enable signal WE 1 for permitting writing in the even address period EVEN and a write enable signal WE 2 for permitting writing in the odd address ODD. Therefore, during the odd address period ODD, data is read from the ODD memory (11) and written in the EVEN memory (12). At this time, EVEN memory (12)
The address of (1) precedes the address of the ODD memory (11) by one address due to the action of the adder circuit (13). On the other hand, in the even-numbered address period EVEN, data is read from the EVEN memory (12) and written in the ODD memory (11). At this time, the addresses of both memories (11) and (12) match, and the addresses are written to the same addresses as the read addresses. For example, in the memory shown in FIG. 3, the data read from the address O 11 of the ODD memory (11) is written to the address E 21 of the EVEN memory (12) and then the data of the EVEN memory (12). It is read from address E 21 and written to address O 21 of the ODD memory (11). After that, each address O 21 , E 31 ,
The data is sequentially transferred to O 31 , E 41 , O 41 ....

第4図は、加算回路(13)の一例を示す回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram showing an example of the adder circuit (13).

この加算回路(13)はN個のXORゲート(XOR1)〜(XOR
N)とN−1個のANDゲート(AND1)〜(ANDN-1)からな
り、各XORゲート(XOR1)〜(XORN)の一方の入力にN
ビットのアドレスデータA1〜ANが供給され、各XORゲー
ト(XOR1)〜(XORN)の出力から出力A′〜A′
得るように構成されている。最下位のXORゲート(XO
R1)の他方の入力には最下位ビットのアドレスデータA0
が供給され、このXORゲート(XOR1)の両入力の論理積
がANDゲート(AND1)からXORゲート(XOR2)の他方の入
力に供給され、桁上げ信号を成し、同様にしてXORゲー
ト(XOR2)(XOR3)…の両入力の論理積がANDゲート(A
ND2)(AND3)…から1桁上位のXORゲート(XOR3)(XO
R4)…他方の入力に桁上げ信号として供給される。従っ
て、アドレスデータA0が「1」のとき(奇数アドレス期
間ODD)には、アドレスデータA1〜ANに「1」が加算さ
れ、その出力A′〜A′がEVENメモリ(12)に与え
られ、アドレスデータA0が「0」のとき(偶数アドレス
期間EVEN)にはアドレスデータA1〜ANがそのままEVENメ
モリ(12)に与えられる。
This adder circuit (13) has N XOR gates (XOR 1 ) to (XOR 1 ).
N ) and N-1 AND gates (AND 1 ) to (AND N-1 ), and N is input to one input of each XOR gate (XOR 1 ) to (XOR N ).
Bit address data A 1 to A N are supplied, and outputs A ′ 1 to A ′ N are obtained from the outputs of the XOR gates (XOR 1 ) to (XOR N ). Bottom XOR gate (XO
Address data A 0 of the least significant bit is input to the other input of R 1 ).
And the AND of both inputs of this XOR gate (XOR 1 ) is fed from the AND gate (AND 1 ) to the other input of the XOR gate (XOR 2 ) to form a carry signal and in the same way XOR. AND of gate (XOR 2 ) (XOR 3 ) ... AND gate (A
ND 2 ) (AND 3 ) ... 1 digit higher XOR gate (XOR 3 ) (XO
R 4 ) ... Supplied as a carry signal to the other input. Therefore, when the address data A 0 is “1” (odd address period ODD), “1” is added to the address data A 1 to A N , and its outputs A ′ 1 to A ′ N are stored in the EVEN memory (12 ), And when the address data A 0 is “0” (even address period EVEN), the address data A 1 to A N are given to the EVEN memory (12) as they are.

以上の構成に依れば、ODDメモリ(11)とEVENメモリ(1
2)との間でデータの読み出し及び書き込みが同時且つ
交互に行われ、その読み出し及び書き込みの度、即ちア
ドレス期間毎にデータが順次1アドレスずつ移されるこ
とになる。
According to the above configuration, ODD memory (11) and EVEN memory (1
Data reading and writing are simultaneously and alternately performed between and 2), and the data is sequentially transferred by one address for each reading and writing, that is, for each address period.

尚、本実施例に於いては、奇数アドレス期間ODDにEVEN
メモリのアドレスを1アドレス先行させる場合を例示し
たが、偶数アドレス期間EVENにODDメモリのアドレスを
1アドレス先行させるように構成しても良い。この場合
には、加算回路(13)に換えてアドレスデータA1〜AN
ら「1」を差引く減算回路を設け、偶数アドレス期間EV
ENにアドレスデータA1〜ANから「1」を差引いてEVENメ
モリ(12)に与えるように構成すれば良い。
In addition, in the present embodiment, even-numbered addresses are used during the odd address period ODD.
Although the case where the memory address is preceded by one address has been illustrated, the address of the ODD memory may be preceded by one address during the even address period EVEN. In this case, a subtraction circuit for subtracting "1" from the address data A 1 to A N is provided in place of the addition circuit (13), and the even address period EV
It may be configured so that “1” is subtracted from EN from the address data A 1 to A N and is given to the EVEN memory (12).

(ト)発明の効果 本発明に依れば、回路規模の大幅な増大を伴うことなく
メモリの或るアドレスに記憶されているデータを1つの
ステップで異なるアドレスに移すことが可能となり、動
作速度の向上が図れる。また、メモリ自体も特に特殊な
構成を必要とせず、少なくとも従来の1/2の容量を有す
るメモリが2つあれば良く、コストアップを伴うことは
ない。
(G) Effect of the Invention According to the present invention, it becomes possible to move the data stored at a certain address of the memory to a different address in one step without significantly increasing the circuit scale, and the operating speed can be increased. Can be improved. Further, the memory itself does not require a special configuration, and it is sufficient if at least two memories having a capacity half that of the conventional memory are used, and the cost does not increase.

従って、安価で高速での信号処理に適したメモリ制御回
路を実現できる。
Therefore, an inexpensive memory control circuit suitable for high-speed signal processing can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明メモリ制御回路のブロック図、第2図は
第1図の動作タイミング、第3図はメモリの概略図、第
4図は加算回路の回路図、第5図は従来のメモリ制御回
路のブロック図、第6図は第5図の動作タイミング図で
ある。 (1)……データバス、(2)……メモリ、(10)……
データバス、(11)……ODDメモリ、(12)……EVENメ
モリ、(13)……加算回路、(14)……インバータ、
(XOR1)〜(XORN)……XORゲート、(AND1)〜(AND
N-1)……ANDゲート。
FIG. 1 is a block diagram of a memory control circuit of the present invention, FIG. 2 is an operation timing of FIG. 1, FIG. 3 is a schematic diagram of a memory, FIG. 4 is a circuit diagram of an adder circuit, and FIG. 5 is a conventional memory. FIG. 6 is a block diagram of the control circuit, and FIG. 6 is an operation timing chart of FIG. (1) …… Data bus, (2) …… Memory, (10) ……
Data bus, (11) …… ODD memory, (12) …… EVEN memory, (13) …… Adding circuit, (14) …… Inverter,
(XOR 1 ) to (XOR N ) …… XOR gate, (AND 1 ) to (AND
N-1 ) …… AND gate.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】データの読み出し、書き込み及びアドレス
の指定が独立し、夫々共通のデータバスに接続された第
1及び第2のメモリと、所定の順序で変化するアドレス
データの内、最下位ビットを除いた上位ビットデータに
従って上記第1及び第2のメモリのアドレスを同時に指
定する手段と、上記アドレスデータの最下位ビットが、
第1の値を成す奇数アドレス期間に上記第1のメモリか
らデータを読み出して上記第2のメモリへ書き込み、第
2の値を成す偶数アドレス期間に上記第2のメモリから
データを読み出して上記第1のメモリへ書き込む手段
と、を備え、上記奇数アドレス期間には上記上位ビット
データに一定データを加算し、一定データが加算された
上記上位ビットデータに従って上記第2のメモリのアド
レスを指定することを特徴とするメモリ制御回路。
1. A first and a second memory connected independently to a common data bus for reading and writing data and specifying an address, and the least significant bit of address data that changes in a predetermined order. Means for simultaneously designating the addresses of the first and second memories according to the higher-order bit data excluding, and the least significant bit of the address data,
The data is read from the first memory and written to the second memory during the odd address period that forms the first value, and the data is read from the second memory during the even address period that forms the second value. 1 means for writing to the memory, adding constant data to the upper bit data during the odd address period, and designating an address of the second memory according to the upper bit data to which the constant data is added. Memory control circuit characterized by.
【請求項2】データの読み出し、書き込み及びアドレス
の指定が独立し、夫々共通のデータバスに接続された第
1及び第2のメモリと、所定の順序で変化するアドレス
データの内、最下位ビットを除いた上位ビットデータに
従って上記第1及び第2のメモリのアドレスを同時に指
定する手段と、上記アドレスデータの最下位ビットが、
第1の値を成す奇数アドレス期間に上記第1のメモリか
らデータを読み出して上記第2のメモリへ書き込み、第
2の値を成す偶数アドレス期間に上記第2のメモリから
データを読み出して上記第1のメモリへ書き込む手段
と、を備え、上記偶数アドレス期間には上記上位ビット
データから一定データを減算し、一定データが減算され
た上記上位ビットデータに従って上記第2のメモリのア
ドレスを指定することを特徴とするメモリ制御回路。
2. A first and a second memory connected independently to a common data bus for reading and writing data and specifying an address, and the least significant bit of address data that changes in a predetermined order. Means for simultaneously designating the addresses of the first and second memories according to the higher-order bit data excluding, and the least significant bit of the address data,
The data is read from the first memory and written to the second memory during the odd address period that forms the first value, and the data is read from the second memory during the even address period that forms the second value. 1 means for writing to the memory, constant data is subtracted from the upper bit data in the even-numbered address period, and the address of the second memory is designated according to the upper bit data from which the constant data is subtracted. Memory control circuit characterized by.
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