JPH0774441B2 - イオンビ−ムスパツタ装置 - Google Patents
イオンビ−ムスパツタ装置Info
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- JPH0774441B2 JPH0774441B2 JP62139790A JP13979087A JPH0774441B2 JP H0774441 B2 JPH0774441 B2 JP H0774441B2 JP 62139790 A JP62139790 A JP 62139790A JP 13979087 A JP13979087 A JP 13979087A JP H0774441 B2 JPH0774441 B2 JP H0774441B2
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- Japan
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- ion beam
- ion source
- target
- ion
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はイオンビームスパッタ装置に係り、特に、磁気
異方性をもつ膜の成膜に好適なイオンビームスパツタ装
置に関する。
異方性をもつ膜の成膜に好適なイオンビームスパツタ装
置に関する。
近年、磁気ヘツド用の磁性膜が、半導体のプロセス等と
類似の方法で生成されるようになつている。維持異方性
を有する薄膜を成膜するための装置としては、例えば特
開昭58−25475号公報に記載されているように、平行平
板型の高周波スパツタ装置がひろく用いられている。ま
た、特開昭58−25475号公報では、生成される薄膜に磁
気異方性を与える手段として、放射状の磁界を基板側の
電極に発生させるため永久磁石を用いている。この公知
例の他にマグネトロンスパツタ装置を用いる方法、薄膜
に磁気異方性を与える手段として、電磁石（ヘルムホル
ツコイル）を用いる方法が知られている。
類似の方法で生成されるようになつている。維持異方性
を有する薄膜を成膜するための装置としては、例えば特
開昭58−25475号公報に記載されているように、平行平
板型の高周波スパツタ装置がひろく用いられている。ま
た、特開昭58−25475号公報では、生成される薄膜に磁
気異方性を与える手段として、放射状の磁界を基板側の
電極に発生させるため永久磁石を用いている。この公知
例の他にマグネトロンスパツタ装置を用いる方法、薄膜
に磁気異方性を与える手段として、電磁石（ヘルムホル
ツコイル）を用いる方法が知られている。
上記従来技術は、薄膜に磁気異方性を与えるための磁界
が、ターゲツト電極と基板電極間の高周波グロー放電に
与える影響についての配慮が十分でなく、グロー放電が
不安定になり、放電の結果発生したプラズマの密度が空
間的に不均一になる現象が起こり、その結果、生成され
た薄膜の膜厚，膜質が不均一で、十分な磁気異方性が得
られるという問題があつた。
が、ターゲツト電極と基板電極間の高周波グロー放電に
与える影響についての配慮が十分でなく、グロー放電が
不安定になり、放電の結果発生したプラズマの密度が空
間的に不均一になる現象が起こり、その結果、生成され
た薄膜の膜厚，膜質が不均一で、十分な磁気異方性が得
られるという問題があつた。
本発明は上述の点に鑑み成されたもので、その目的とす
るところは、イオン源での放電が不安定になることはな
いことは勿論、膜厚，組成が均一で良好な磁気異方性を
有する磁性膜を成膜できるイオンビームスパツタ装置を
提供することにある。
るところは、イオン源での放電が不安定になることはな
いことは勿論、膜厚，組成が均一で良好な磁気異方性を
有する磁性膜を成膜できるイオンビームスパツタ装置を
提供することにある。
上記目的は、イオン，電子，ガス分子から成るプラズマ
を発生させるための放電領域と、基板に印加する磁界の
及ぶ領域を分離することにより達成される。すなわち、
プラズマを発生させ、そこからイオンを引き出すための
イオン源と、それに気密を保つて隣接する成膜室（真空
容器）から装置を構成し、成膜室中には、ターゲツトと
それに対向する基板およびその基板に磁界を印加するた
めの永久磁石を逆極性が向かい合うように該基板を挾ん
で設けると共に、前記永久磁石と前記基板の相対的位置
を変えることなく、両者を回転運動させる機構を備えて
いることにより達成される。
を発生させるための放電領域と、基板に印加する磁界の
及ぶ領域を分離することにより達成される。すなわち、
プラズマを発生させ、そこからイオンを引き出すための
イオン源と、それに気密を保つて隣接する成膜室（真空
容器）から装置を構成し、成膜室中には、ターゲツトと
それに対向する基板およびその基板に磁界を印加するた
めの永久磁石を逆極性が向かい合うように該基板を挾ん
で設けると共に、前記永久磁石と前記基板の相対的位置
を変えることなく、両者を回転運動させる機構を備えて
いることにより達成される。
イオン源および成膜室を真空に排気し、イオン源にアル
ゴンなどの動作ガスを供給しながら放電を行なわせる
と、イオン，電子，中性ガスからなるプラグマが生成さ
れる。プラズマ中のイオンを、イオンビーム引き出し電
極によつて成膜室側に引き出し、それを磁性体のターゲ
ツトに照射する。ターゲツトからスパツタされた粒子
は、ターゲツトに対向する基板に付着するが、基板は永
久磁石により磁界が印加されているため、生成された膜
は磁気異方性を有する。基板がプラズマを生成するイオ
ン源中の放電部とは離れているため、基板に印加される
磁界は、イオン源中の放電にはほとんど影響を及ぼさな
い。従つて、放電が不安定になつたり、生成された膜
が、膜厚，膜質に不均一になることはない。
ゴンなどの動作ガスを供給しながら放電を行なわせる
と、イオン，電子，中性ガスからなるプラグマが生成さ
れる。プラズマ中のイオンを、イオンビーム引き出し電
極によつて成膜室側に引き出し、それを磁性体のターゲ
ツトに照射する。ターゲツトからスパツタされた粒子
は、ターゲツトに対向する基板に付着するが、基板は永
久磁石により磁界が印加されているため、生成された膜
は磁気異方性を有する。基板がプラズマを生成するイオ
ン源中の放電部とは離れているため、基板に印加される
磁界は、イオン源中の放電にはほとんど影響を及ぼさな
い。従つて、放電が不安定になつたり、生成された膜
が、膜厚，膜質に不均一になることはない。
以下、図面の実施例に基づいて、本発明を詳細に説明す
る。
る。
第１図に本発明のイオンビームスパツタ装置の一実施例
を示す。該図に示す如く、イオンビームを発生するイオ
ン源１は、気密を保つて、成膜室６に装着され、その成
膜室６に排気装置（図示していない）が接続されてい
る。このイオン源１は、陽極電極を兼ねる容器壁12,熱
電子を出すためのフイラメント3,放電により生ずるプラ
ズマの容器壁への拡散を抑えるための磁界をつくるＮ
極,S極が容器の周方向に交互に配置された永久磁石2,発
生したプラズマからイオンのみを引き出すための多数の
穴の開いたイオン引き出し電極５、並びに高電位となる
容器壁12と接地電位である成膜室６の電気的絶縁をとる
ための絶縁物４とから成つている。更に、成膜室６中の
イオン源１の下流側には、ターゲツト７が配置されてお
り、これと対向した位置に基板20が基板ホールダ８に取
り付けられている。そして、本実施例では、基板ホール
ダ８上に基板20に磁界を印加するための永久磁石22を設
けており、更に、それ自身は回転せず傾斜のみ変えられ
るホールダ支持体21に対して基板ホールダ８が回転運動
するようになっており、それにより、永久磁石22と基板
20の相対的位置を変えることなく、両者が回転運動す
る。尚、基板ホールダ８は、モータ９によって回転力が
与えられる。
を示す。該図に示す如く、イオンビームを発生するイオ
ン源１は、気密を保つて、成膜室６に装着され、その成
膜室６に排気装置（図示していない）が接続されてい
る。このイオン源１は、陽極電極を兼ねる容器壁12,熱
電子を出すためのフイラメント3,放電により生ずるプラ
ズマの容器壁への拡散を抑えるための磁界をつくるＮ
極,S極が容器の周方向に交互に配置された永久磁石2,発
生したプラズマからイオンのみを引き出すための多数の
穴の開いたイオン引き出し電極５、並びに高電位となる
容器壁12と接地電位である成膜室６の電気的絶縁をとる
ための絶縁物４とから成つている。更に、成膜室６中の
イオン源１の下流側には、ターゲツト７が配置されてお
り、これと対向した位置に基板20が基板ホールダ８に取
り付けられている。そして、本実施例では、基板ホール
ダ８上に基板20に磁界を印加するための永久磁石22を設
けており、更に、それ自身は回転せず傾斜のみ変えられ
るホールダ支持体21に対して基板ホールダ８が回転運動
するようになっており、それにより、永久磁石22と基板
20の相対的位置を変えることなく、両者が回転運動す
る。尚、基板ホールダ８は、モータ９によって回転力が
与えられる。
第２図に基板20、及びホールダ部を示す。該図の如く、
２本の棒状の永久磁石22を、逆極性が向かい合うように
基板ホールダ８に固定し、２本の永久磁石22の間に基板
20をセットする。図示はしていないが、永久磁石22は非
磁性のケースに密封して、基板ホールダ８に取り付けら
れている。永久磁石22としては、フェライト磁石を用
い、基板20上でほぼ均一な印加磁界が得られた。
２本の棒状の永久磁石22を、逆極性が向かい合うように
基板ホールダ８に固定し、２本の永久磁石22の間に基板
20をセットする。図示はしていないが、永久磁石22は非
磁性のケースに密封して、基板ホールダ８に取り付けら
れている。永久磁石22としては、フェライト磁石を用
い、基板20上でほぼ均一な印加磁界が得られた。
次に、本実施例における動作を説明する。まず、排気装
置によりイオン源１、及び成膜室６を１×10-6Torr程度
まで排気する。その後、イオン源１にアルゴンガスを供
給し、成膜室６側で１×10-4Torr程度にする。フィラメ
ント３に通電して熱電子を出しながら、フィラメント３
（陰極）と容器壁12の間に、50Vの直流電流を印加する
と放電が起こり、プラズマが生成される。イオン引き出
し電極５は、多数の小孔があけられたモリブデンの板
で、プラズマ側の板には正の電圧を、他の板には負の電
圧を与えることにより、イオンビーム32を引き出す。こ
のイオンビーム32を、鉄、ニッケルを主成分とするパー
マロイのターゲット７に照射すると、そこから弾き出さ
れるスパッタ粒子は、基板20に堆積する。その際、第２
図に示すごとく、永久磁石22により磁界33が生じ、基板
20には、磁界33がかかる。
置によりイオン源１、及び成膜室６を１×10-6Torr程度
まで排気する。その後、イオン源１にアルゴンガスを供
給し、成膜室６側で１×10-4Torr程度にする。フィラメ
ント３に通電して熱電子を出しながら、フィラメント３
（陰極）と容器壁12の間に、50Vの直流電流を印加する
と放電が起こり、プラズマが生成される。イオン引き出
し電極５は、多数の小孔があけられたモリブデンの板
で、プラズマ側の板には正の電圧を、他の板には負の電
圧を与えることにより、イオンビーム32を引き出す。こ
のイオンビーム32を、鉄、ニッケルを主成分とするパー
マロイのターゲット７に照射すると、そこから弾き出さ
れるスパッタ粒子は、基板20に堆積する。その際、第２
図に示すごとく、永久磁石22により磁界33が生じ、基板
20には、磁界33がかかる。
本実施例では、基板20に９ミリテスラ程度の磁界を印加
して、磁気異方性を有するパーマロイ膜を得た。また、
基板ホールダ８を自転させることにより、飛来するスパ
ツタ粒子の量を平均化して、均一な膜厚分布を得られ
た。３インチ基板上での、膜厚分布の均一性は±５％程
度である。膜厚に関しては、良好な一軸異方性が得られ
た。
して、磁気異方性を有するパーマロイ膜を得た。また、
基板ホールダ８を自転させることにより、飛来するスパ
ツタ粒子の量を平均化して、均一な膜厚分布を得られ
た。３インチ基板上での、膜厚分布の均一性は±５％程
度である。膜厚に関しては、良好な一軸異方性が得られ
た。
本実施例によれば、基板に印加した磁界は永久磁界の付
近に限られ、イオン源にまで影響が及ぶことはない。従
つて、イオン源での放電が不安定になることはない。イ
オンビームの強度分布が均一で、基板印加磁界も均一で
あるため、膜厚，膜質が均一で良好な磁気異方性を有す
る磁性膜が得られるという効果がある。尚、本実施例で
は、イオン中でのプラズマ生成のために直流放電を用い
たが、高周波放電やマイクロ波放電を用いたイオン源を
使っても同様な効果が得られる。
近に限られ、イオン源にまで影響が及ぶことはない。従
つて、イオン源での放電が不安定になることはない。イ
オンビームの強度分布が均一で、基板印加磁界も均一で
あるため、膜厚，膜質が均一で良好な磁気異方性を有す
る磁性膜が得られるという効果がある。尚、本実施例で
は、イオン中でのプラズマ生成のために直流放電を用い
たが、高周波放電やマイクロ波放電を用いたイオン源を
使っても同様な効果が得られる。
第３図に、本発明の第２の実施例を示す。該図に示す如
く、容器壁12,永久磁石2,フイラメント3,イオン引き出
し電極５からなるイオン源１が、絶縁物４を介して、成
膜室６に装着されており、その中にターゲツト7,基板2
0,基板ホールダ8,ホールダ支持体21,基板に磁界を印加
するための永久磁石22が配置されているのは、第11図の
実施例と同じである。本実施例で異なつているのは、タ
ーゲツト７を照射用のイオン源１と同じ構造の別のイオ
ン源10が、基板20を照射できる位置に装着されている点
である。
く、容器壁12,永久磁石2,フイラメント3,イオン引き出
し電極５からなるイオン源１が、絶縁物４を介して、成
膜室６に装着されており、その中にターゲツト7,基板2
0,基板ホールダ8,ホールダ支持体21,基板に磁界を印加
するための永久磁石22が配置されているのは、第11図の
実施例と同じである。本実施例で異なつているのは、タ
ーゲツト７を照射用のイオン源１と同じ構造の別のイオ
ン源10が、基板20を照射できる位置に装着されている点
である。
本実施例の構成でアルゴンイオンビーム、あるいは窒素
イオンビームで、例えば、鉄のターゲツト７を照射し、
基板20上にスパツタ粒子を堆積させる動作は、第11図の
実施例と同様である。本実施例では、基板20を基板照射
用イオン源10で生成した窒素イオンを照射し、窒素鉄の
薄膜を成膜できる。又、基板照射用イオン源10をパルス
的に動作させることにより、鉄と窒化鉄の多層膜を生成
できる。
イオンビームで、例えば、鉄のターゲツト７を照射し、
基板20上にスパツタ粒子を堆積させる動作は、第11図の
実施例と同様である。本実施例では、基板20を基板照射
用イオン源10で生成した窒素イオンを照射し、窒素鉄の
薄膜を成膜できる。又、基板照射用イオン源10をパルス
的に動作させることにより、鉄と窒化鉄の多層膜を生成
できる。
本実施例によれば、イオン源の放電の安定性や生成され
た膜の膜厚，膜質に関して、第３図の実施例と同様の効
果がある。
た膜の膜厚，膜質に関して、第３図の実施例と同様の効
果がある。
第４図に本発明の第３の実施例を示す。該図に示す如
く、本実施例ではターゲツト照射用のイオン源１は、容
器壁12,永久磁石2,フイラメント3,イオン引き出し電極
５から成り、絶縁物４を介して、成膜室６に装着されて
いる。ただし、容器壁12は、同心円筒の一方を封止した
構造で、イオン引き出し電極５には、円環状に多数の小
孔が開けられている。これによつて中空のイオンビーム
を引き出すことができる。成膜室６内には、６角錐台の
斜面をなすようターゲツト７を配置し、これと対向し、
基板20,基板ホールダ8,ホールダ支持体21が置かれてい
る。ホールダ支持体21も、６角錐台の斜面をなしてい
る。第５図に基板及びホールダ部を示す。該図の如く、
基板20に磁界を印加するために、永久磁石22が非磁性材
のケースに密封され、基板ホールダ８に固定されてい
る。基板ホールダ８は、基板20の中心のまわりに回転す
るとともに、基板支持体21が、第４図の矢印のように回
転する。成膜室６の下方には、容器壁12,永久磁石2,フ
イラメント3,円環状に小孔を多数開けたイオン引き出し
電極５から成るイオン源１が絶縁物４を介して装着され
ている。
く、本実施例ではターゲツト照射用のイオン源１は、容
器壁12,永久磁石2,フイラメント3,イオン引き出し電極
５から成り、絶縁物４を介して、成膜室６に装着されて
いる。ただし、容器壁12は、同心円筒の一方を封止した
構造で、イオン引き出し電極５には、円環状に多数の小
孔が開けられている。これによつて中空のイオンビーム
を引き出すことができる。成膜室６内には、６角錐台の
斜面をなすようターゲツト７を配置し、これと対向し、
基板20,基板ホールダ8,ホールダ支持体21が置かれてい
る。ホールダ支持体21も、６角錐台の斜面をなしてい
る。第５図に基板及びホールダ部を示す。該図の如く、
基板20に磁界を印加するために、永久磁石22が非磁性材
のケースに密封され、基板ホールダ８に固定されてい
る。基板ホールダ８は、基板20の中心のまわりに回転す
るとともに、基板支持体21が、第４図の矢印のように回
転する。成膜室６の下方には、容器壁12,永久磁石2,フ
イラメント3,円環状に小孔を多数開けたイオン引き出し
電極５から成るイオン源１が絶縁物４を介して装着され
ている。
本実施例の動作は、原理的には第３図の実施例と同じで
あるが、多数枚の基板を同時に処理できる利点がある。
第６図で本実施例の動作を説明する。まずイオン源１か
ら中空のアルゴンイオンビームまたは窒素イオンビーム
などを引き出して、鉄のターゲツトを照射すると、ター
ゲツト７からスパツタ粒子が基板20に堆積する。１つの
基板20には向い合つたターゲツト７ばかりでなく、隣り
合うターゲツト７からもスパツタ粒子が飛来するので、
１ターゲツト１基板の場合に比較して、成膜速度が50〜
70％程度上昇する効果がある。さらに、イオン源10で発
生した中空の窒素イオンビームを基板20に照射すること
により、窒化鉄を成膜できる。
あるが、多数枚の基板を同時に処理できる利点がある。
第６図で本実施例の動作を説明する。まずイオン源１か
ら中空のアルゴンイオンビームまたは窒素イオンビーム
などを引き出して、鉄のターゲツトを照射すると、ター
ゲツト７からスパツタ粒子が基板20に堆積する。１つの
基板20には向い合つたターゲツト７ばかりでなく、隣り
合うターゲツト７からもスパツタ粒子が飛来するので、
１ターゲツト１基板の場合に比較して、成膜速度が50〜
70％程度上昇する効果がある。さらに、イオン源10で発
生した中空の窒素イオンビームを基板20に照射すること
により、窒化鉄を成膜できる。
本実施例によれば、イオン源の放電の安定性及び生成さ
れた膜の膜厚，膜質に関して、第11図の実施例と同様の
効果がある。
れた膜の膜厚，膜質に関して、第11図の実施例と同様の
効果がある。
以上説明した本発明のイオンビームスパツタ装置によれ
ば、ターゲツトを照射するためのイオンをイオン源での
放電でつくり、放電部と基板上への成膜を行なう部分を
分離し、基板に磁界を印加する永久磁石を逆極性が向か
い合うように該基板を挾んで設けると共に、前記永久磁
石と前記基板の相対的位置を変えることなく、両者を回
転運動させる機構を備えているので、基板印加磁界のイ
オン源への漏れは少なくなり、イオン源での放電が不安
定になることはないことは勿論、ターゲツトを強度が均
一で、エネルギーのそろつたイオンビームで照射できる
ため、膜厚，膜質が均一で、良好な磁気特性を有する磁
性膜が得られるという効果がある。
ば、ターゲツトを照射するためのイオンをイオン源での
放電でつくり、放電部と基板上への成膜を行なう部分を
分離し、基板に磁界を印加する永久磁石を逆極性が向か
い合うように該基板を挾んで設けると共に、前記永久磁
石と前記基板の相対的位置を変えることなく、両者を回
転運動させる機構を備えているので、基板印加磁界のイ
オン源への漏れは少なくなり、イオン源での放電が不安
定になることはないことは勿論、ターゲツトを強度が均
一で、エネルギーのそろつたイオンビームで照射できる
ため、膜厚，膜質が均一で、良好な磁気特性を有する磁
性膜が得られるという効果がある。
第１図は本発明のイオンビームスパツタ装置の一実施例
を示す断面斜視図、第２図は同実施例の基板、及びホー
ルダ部を示す説明図、第３図は本発明の第２の実施例を
示す断面斜視図、第４図は本発明の第３の実施例を示す
断面斜視図、第５図は同実施例の基板、及びホールダ部
を示す説明図、第６図は同実施例の動作を説明する縦断
面図である。 １……イオン源、２、22……永久磁石、３……フィラメ
ント、５……イオン引き出し電極、６……成膜室、７…
…ターゲット、８……基板ホールダ、10……基板照射用
イオン源、12……容器壁、20……基板、21……ホールダ
支持体、22……永久磁石、32……イオンビーム、33……
磁界。
を示す断面斜視図、第２図は同実施例の基板、及びホー
ルダ部を示す説明図、第３図は本発明の第２の実施例を
示す断面斜視図、第４図は本発明の第３の実施例を示す
断面斜視図、第５図は同実施例の基板、及びホールダ部
を示す説明図、第６図は同実施例の動作を説明する縦断
面図である。 １……イオン源、２、22……永久磁石、３……フィラメ
ント、５……イオン引き出し電極、６……成膜室、７…
…ターゲット、８……基板ホールダ、10……基板照射用
イオン源、12……容器壁、20……基板、21……ホールダ
支持体、22……永久磁石、32……イオンビーム、33……
磁界。
フロントページの続き (72)発明者 夏井 健一 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 佐藤 忠 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (56)参考文献 特開 昭61−20311（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−54907（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−122208（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−76665（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−100411（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−39157（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−196810（ＪＰ，Ａ) 実開 昭62−31857（ＪＰ，Ｕ)
Claims (4)
- 【請求項１】少なくとも１つのイオン源と、該イオン源
が気密を保ったまま装着される真空容器とを備え、該真
空容器中には、イオン照射により粒子を放出するターゲ
ット、および該ターゲットに対向する位置に基板ホール
ダ上に支持された基板が配置され、該基板上に膜を生成
するイオンビームスパッタ装置において、 前記基板ホールダ上に、前記基板に磁界を印加するため
の永久磁石を逆極性が向かい合うように該基板を挾んで
設けると共に、前記永久磁石と前記基板の相対的位置を
変えることなく、両者を回転運動させる機構を備えてい
ることを特徴とするイオンビームスパッタ装置。 - 【請求項２】前記ターゲットにイオンビームを照射し、
飛散した粒子を基板に堆積させる前記イオン源とは別
に、前記基板にイオンビームを照射する第２のイオン源
を有することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
イオンビームスパッタ装置。 - 【請求項３】前記ターゲットを照射するためのイオン源
として、中空のイオンビームを発生するイオン源を用い
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のイオン
ビームスパッタ装置。 - 【請求項４】前記ターゲット、及び基板の少なくとも一
方を照射するためのイオン源として、中空のイオンビー
ムを発生するイオン源を用いたことを特徴とする特許請
求の範囲第２項記載のイオンビームスパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62139790A JPH0774441B2 (ja) | 1987-06-05 | 1987-06-05 | イオンビ−ムスパツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62139790A JPH0774441B2 (ja) | 1987-06-05 | 1987-06-05 | イオンビ−ムスパツタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63307272A JPS63307272A (ja) | 1988-12-14 |
| JPH0774441B2 true JPH0774441B2 (ja) | 1995-08-09 |
Family
ID=15253487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62139790A Expired - Lifetime JPH0774441B2 (ja) | 1987-06-05 | 1987-06-05 | イオンビ−ムスパツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0774441B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004269988A (ja) * | 2003-03-10 | 2004-09-30 | Canon Inc | スパッタ装置 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07116600B2 (ja) * | 1990-03-02 | 1995-12-13 | 神港精機株式会社 | スパッタリング装置 |
| GB9225270D0 (en) * | 1992-12-03 | 1993-01-27 | Gec Ferranti Defence Syst | Depositing different materials on a substrate |
| DE4441117C1 (de) * | 1994-11-18 | 1995-10-26 | Plasma Applikation Mbh Ges | Verfahren zur Beschichtung von Substraten und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
| US6547939B2 (en) * | 2001-03-29 | 2003-04-15 | Super Light Wave Corp. | Adjustable shadow mask for improving uniformity of film deposition using multiple monitoring points along radius of substrate |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6120311A (ja) * | 1984-07-09 | 1986-01-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | アモルフアス軟磁性膜の作製方法 |
| JPS6176665A (ja) * | 1984-09-21 | 1986-04-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 蒸着膜形成装置 |
| JPS6254907A (ja) * | 1985-09-04 | 1987-03-10 | Hitachi Ltd | スパツタ装置 |
| JPS62122208A (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-03 | Hitachi Ltd | 薄膜製造装置 |
-
1987
- 1987-06-05 JP JP62139790A patent/JPH0774441B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004269988A (ja) * | 2003-03-10 | 2004-09-30 | Canon Inc | スパッタ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63307272A (ja) | 1988-12-14 |
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