JPH077658B2 - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
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- JPH077658B2 JPH077658B2 JP2107092A JP10709290A JPH077658B2 JP H077658 B2 JPH077658 B2 JP H077658B2 JP 2107092 A JP2107092 A JP 2107092A JP 10709290 A JP10709290 A JP 10709290A JP H077658 B2 JPH077658 B2 JP H077658B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、イオンビームを電気的に走査すると共に、
ターゲットをそれと実質的に直交する方向に機械的に走
査する。いわゆるハイブリッドスキャン方式のイオン注
入装置に関する。
ターゲットをそれと実質的に直交する方向に機械的に走
査する。いわゆるハイブリッドスキャン方式のイオン注
入装置に関する。
この種のイオン注入装置の従来例を第6図に示す。
このイオン注入装置においては、イオン源から引き出さ
れ、かつ必要に応じて質量分析、加速等が行われたスポ
ット状のイオンビーム2を、走査手段によって、即ちこ
の例では走査電源206から走査電圧(例えば1000Hz程度
の三角波電圧)が供給される一組の走査電極204によっ
て、X方向(例えば水平方向。以下同じ)に静電的に走
査して、X方向に広がる面状のビームになるようにして
いる。
れ、かつ必要に応じて質量分析、加速等が行われたスポ
ット状のイオンビーム2を、走査手段によって、即ちこ
の例では走査電源206から走査電圧(例えば1000Hz程度
の三角波電圧)が供給される一組の走査電極204によっ
て、X方向(例えば水平方向。以下同じ)に静電的に走
査して、X方向に広がる面状のビームになるようにして
いる。
一方、ターゲット(例えばウェーハ)4をホルダ8によ
ってイオンビーム2の照射領域内に保持すると共に、そ
れらを駆動装置212によって前記X方向と実質的に直交
するY方向(例えば垂直方向。以下同じ)に機械的に走
査し、これとイオンビーム2の前記走査との協働によっ
て、ターゲット4の全面に均一にイオン注入を行うよう
にしている。
ってイオンビーム2の照射領域内に保持すると共に、そ
れらを駆動装置212によって前記X方向と実質的に直交
するY方向(例えば垂直方向。以下同じ)に機械的に走
査し、これとイオンビーム2の前記走査との協働によっ
て、ターゲット4の全面に均一にイオン注入を行うよう
にしている。
より具体的には、イオンビーム2のX方向の走査領域の
一端部に、イオンビーム2を受けてそのビーム電流を計
測するビーム電流計測器(例えばファラデーカップ)21
4を設けており、これによって計測したビーム電流Iを
この例では変換器216によってパルス信号に変換して制
御装置218に与える。そして制御装置218は、この計測デ
ータに基づいてターゲット4の機械的走査速度を演算し
てそれになるように駆動装置212を制御する。具体的に
は、ビーム電流Iに比例した速度でターゲット4のY方
向の走査が行われるように制御する。
一端部に、イオンビーム2を受けてそのビーム電流を計
測するビーム電流計測器(例えばファラデーカップ)21
4を設けており、これによって計測したビーム電流Iを
この例では変換器216によってパルス信号に変換して制
御装置218に与える。そして制御装置218は、この計測デ
ータに基づいてターゲット4の機械的走査速度を演算し
てそれになるように駆動装置212を制御する。具体的に
は、ビーム電流Iに比例した速度でターゲット4のY方
向の走査が行われるように制御する。
なお、駆動装置212には、例えば直線駆動モータや、回
転モータとボールねじを組み合わせた機構等を用いるこ
とができる。
転モータとボールねじを組み合わせた機構等を用いるこ
とができる。
上記装置において、ビーム電流計測器214で計測される
ビーム電流Iは第7図に示すようなものになる。同図中
の点a、bは第6図中の点a、bとそれぞれ対応してい
る。
ビーム電流Iは第7図に示すようなものになる。同図中
の点a、bは第6図中の点a、bとそれぞれ対応してい
る。
従って、制御装置218は、現在どれだけのビーム電流I
が来ているのかを検知し、それから次の一往復走査時に
どれだけの速度でターゲット4を駆動すれば良いかを演
算し、かつ駆動装置212に対して駆動信号DSを出力する
という処理を、直前のビーム電流Iを計測した直後から
次の一往復走査が始めるまでの時間T1内で行わなければ
ならない。
が来ているのかを検知し、それから次の一往復走査時に
どれだけの速度でターゲット4を駆動すれば良いかを演
算し、かつ駆動装置212に対して駆動信号DSを出力する
という処理を、直前のビーム電流Iを計測した直後から
次の一往復走査が始めるまでの時間T1内で行わなければ
ならない。
ところが、現在一般的に存在するイオン注入装置におい
ては、一往復走査に要する時間は1msec程度であり、前
記時間T1は数百μsec程度となり、制御装置218はこれ位
の時間内で上記のような演算処理を行う能力が要求され
る。しかも通常は、ビーム電流Iの大小等によって演算
処理に要する時間が変化する(例えばビーム電流Iが大
きくなるほど、制御装置218における処理ステップが増
大する)。
ては、一往復走査に要する時間は1msec程度であり、前
記時間T1は数百μsec程度となり、制御装置218はこれ位
の時間内で上記のような演算処理を行う能力が要求され
る。しかも通常は、ビーム電流Iの大小等によって演算
処理に要する時間が変化する(例えばビーム電流Iが大
きくなるほど、制御装置218における処理ステップが増
大する)。
仮に制御装置218における演算処理時間が前記時間T1を
越えてしまうと、それ以降のターゲット4の走査速度の
制御が狂ってしまい、ひいてはそれ以降の全てのイオン
注入が正しくなくなってしまう。
越えてしまうと、それ以降のターゲット4の走査速度の
制御が狂ってしまい、ひいてはそれ以降の全てのイオン
注入が正しくなくなってしまう。
従って、制御装置218としては、最も長くかかる処理に
要する時間が前記時間T1以下になるようなものを用いな
ければならないが、そのように処理速度の高い制御装置
218は非常に高価なものになる。あるいは製作するのが
困難な場合もある。
要する時間が前記時間T1以下になるようなものを用いな
ければならないが、そのように処理速度の高い制御装置
218は非常に高価なものになる。あるいは製作するのが
困難な場合もある。
そこでこの発明は、前記のような制御装置として処理速
度の遅いものでも使用することができるようなイオン注
入装置を提供することを主たる目的とする。
度の遅いものでも使用することができるようなイオン注
入装置を提供することを主たる目的とする。
上記目的を達成するため、この発明のイオン注入装置
は、前記制御装置を、ターゲットの走査速度の演算処理
が終了するたびにトリガ信号を一つずつ出力するものと
し、かつ前記走査電源を、制御装置からトリガ信号が一
つ与えられるごとにイオンビームの一往復走査分の走査
出力を出力するものとしたことを特徴とする。
は、前記制御装置を、ターゲットの走査速度の演算処理
が終了するたびにトリガ信号を一つずつ出力するものと
し、かつ前記走査電源を、制御装置からトリガ信号が一
つ与えられるごとにイオンビームの一往復走査分の走査
出力を出力するものとしたことを特徴とする。
上記構成によれば、制御装置における演算処理が必ず終
わってから、イオンビームの次の一往復走査が行われる
ことになる。従って、当該制御装置として処理速度の遅
いものでも使用することができるようになる。
わってから、イオンビームの次の一往復走査が行われる
ことになる。従って、当該制御装置として処理速度の遅
いものでも使用することができるようになる。
第1図は、この発明の一実施例に係るイオン注入装置を
部分的に示す図である。第6図の例と同等部分には同一
符号を付し、以下においては従来例との相違点を主に説
明する。
部分的に示す図である。第6図の例と同等部分には同一
符号を付し、以下においては従来例との相違点を主に説
明する。
この実施例においては、前述した制御装置218に対応す
る制御装置228が、ターゲット4の機械的走査速度の演
算処理が終了するたびにトリガ信号TS(第4図参照)を
一つずつ出力する。
る制御装置228が、ターゲット4の機械的走査速度の演
算処理が終了するたびにトリガ信号TS(第4図参照)を
一つずつ出力する。
より具体例を示すと、制御装置228は、例えば第2図に
示すように、ビーム電流計測器214で計測したビーム電
流I(具体的には変換器216によって変換されたパルス
信号)を取り込み(ステップ231)、それに基づいて次
の一往復走査時にどれだけの速度でターゲット4を駆動
(走査)すれば良いかを演算し(ステップ232)、かつ
駆動装置212に対して駆動信号DSを出力し(ステップ23
3)、その後トリガ信号TSを一つ出力する(ステップ23
4)。そして以上のような処理を、所定の注入が完了す
るまで順次続ける。
示すように、ビーム電流計測器214で計測したビーム電
流I(具体的には変換器216によって変換されたパルス
信号)を取り込み(ステップ231)、それに基づいて次
の一往復走査時にどれだけの速度でターゲット4を駆動
(走査)すれば良いかを演算し(ステップ232)、かつ
駆動装置212に対して駆動信号DSを出力し(ステップ23
3)、その後トリガ信号TSを一つ出力する(ステップ23
4)。そして以上のような処理を、所定の注入が完了す
るまで順次続ける。
更にこの実施例においては、前述した走査電源206に対
応する走査電源226を、前記制御装置228からトリガ信号
TSが一つ与えられるごとにイオンビーム2の一往復走査
分の走査電圧を走査電極204に対して出力するものとし
ている。
応する走査電源226を、前記制御装置228からトリガ信号
TSが一つ与えられるごとにイオンビーム2の一往復走査
分の走査電圧を走査電極204に対して出力するものとし
ている。
より具体例を示すと、走査電源226は、例えば第3図に
示すように、三角波の走査信号VSを発生させる信号発生
器226a、それからの走査信号VSを昇圧して互いに逆極性
の走査電圧VXおよび−VXをそれぞれ出力する高圧増幅器
226bおよび226cを備えている。しかもこの信号発生器22
6aは、第4図に示すように、制御装置228からトリガ信
号TSが一つ与えられるごとに、三角波を一つ出力するも
のであり、これには例えば公知の任意波形発生器を使用
することができる。なお、第4図中の点a、bは、第1
図および第5図中の点a、bにそれぞれ対応している。
示すように、三角波の走査信号VSを発生させる信号発生
器226a、それからの走査信号VSを昇圧して互いに逆極性
の走査電圧VXおよび−VXをそれぞれ出力する高圧増幅器
226bおよび226cを備えている。しかもこの信号発生器22
6aは、第4図に示すように、制御装置228からトリガ信
号TSが一つ与えられるごとに、三角波を一つ出力するも
のであり、これには例えば公知の任意波形発生器を使用
することができる。なお、第4図中の点a、bは、第1
図および第5図中の点a、bにそれぞれ対応している。
上記構成によれば、制御装置228における上記のような
演算処理が必ず終わってからトリガ信号TSが出力され、
それに応答してイオンビーム2の次の一往復走査が行わ
れることになる。従って、制御装置228として処理速度
の遅いものでも使用することができるようになる。
演算処理が必ず終わってからトリガ信号TSが出力され、
それに応答してイオンビーム2の次の一往復走査が行わ
れることになる。従って、制御装置228として処理速度
の遅いものでも使用することができるようになる。
より具体的には、第5図に示すように、制御装置228に
おける演算処理時間をT2とすると、直前のビーム電流I
を計測した直後から時間T2後に、イオンビーム2の次の
走査が開始されることになる。従って、この時間T2が第
7図で説明した時間T1を越えたとしても、従来のように
注入制御が狂うというような致命的なエラーは何ら発生
しない。単に無駄時間T3(=T2−T1)が発生するだけで
ある。
おける演算処理時間をT2とすると、直前のビーム電流I
を計測した直後から時間T2後に、イオンビーム2の次の
走査が開始されることになる。従って、この時間T2が第
7図で説明した時間T1を越えたとしても、従来のように
注入制御が狂うというような致命的なエラーは何ら発生
しない。単に無駄時間T3(=T2−T1)が発生するだけで
ある。
ちなみに、この無駄時間T3の間は、ターゲット4に対す
る注入動作が行われないことになるが、この時間T3は通
常μsecオーダーであり、従って無駄時間T3が発生して
も、所定のドーズ量を注入するのに要する時間が従来よ
りごく僅かに長くなるだけであり何ら支障はない。
る注入動作が行われないことになるが、この時間T3は通
常μsecオーダーであり、従って無駄時間T3が発生して
も、所定のドーズ量を注入するのに要する時間が従来よ
りごく僅かに長くなるだけであり何ら支障はない。
なお、上記各例では、イオンビーム2の走査手段として
走査電極204を用いているが、それの代わりに偏向マグ
ネットを用いてイオンビーム2を磁界によって前記のよ
うに走査するようにしても良い。その場合は、走査電源
から走査出力として、前記のような三角波の走査電流を
供給するものとする。
走査電極204を用いているが、それの代わりに偏向マグ
ネットを用いてイオンビーム2を磁界によって前記のよ
うに走査するようにしても良い。その場合は、走査電源
から走査出力として、前記のような三角波の走査電流を
供給するものとする。
また、ターゲット4をイオンビーム2の走査方向である
X方向と実質的に直交するY方向に機械的に走査する手
段としては、前述したような直線的な運動に変えて、揺
動運動により実質的に直交するように駆動しても良い。
そのようにしたイオン注入装置の例をそのホルダ駆動装
置周りを主体にして以下に説明する。
X方向と実質的に直交するY方向に機械的に走査する手
段としては、前述したような直線的な運動に変えて、揺
動運動により実質的に直交するように駆動しても良い。
そのようにしたイオン注入装置の例をそのホルダ駆動装
置周りを主体にして以下に説明する。
第8図は、この発明の他の実施例に係るイオン注入装置
を部分的に示す水平断面図である。この例では、イオン
ビーム2のビームラインの左右に同じ機構がほぼ左右対
称に設けられているので、以下においては主に右側(図
の右側)を例に説明する。
を部分的に示す水平断面図である。この例では、イオン
ビーム2のビームラインの左右に同じ機構がほぼ左右対
称に設けられているので、以下においては主に右側(図
の右側)を例に説明する。
この実施例においては、図示しない真空ポンプによって
真空排気される注入室6内に、X方向に電気的に走査さ
れ、更に平行ビーム化されたイオンビーム2が導入され
る。
真空排気される注入室6内に、X方向に電気的に走査さ
れ、更に平行ビーム化されたイオンビーム2が導入され
る。
イオンビーム2を平行ビーム化する走査手段の一例を第
9図に示す。即ち、イオン源110から引き出され、かつ
必要に応じて質量分析、加速等が行われたイオンビーム
2を、同一の走査電源116から互いに逆極性の走査電圧
(三角波電圧)が印加される二組の走査電極112および1
14の協働によってX方向に走査して、走査電極114から
出射した時に平行ビームになるようにしている。もっと
も、この例と違って、例えば下流側の走査電極114の代
わりに磁場を用いる等してイオンビーム2を平行ビーム
化するようにしても良い。
9図に示す。即ち、イオン源110から引き出され、かつ
必要に応じて質量分析、加速等が行われたイオンビーム
2を、同一の走査電源116から互いに逆極性の走査電圧
(三角波電圧)が印加される二組の走査電極112および1
14の協働によってX方向に走査して、走査電極114から
出射した時に平行ビームになるようにしている。もっと
も、この例と違って、例えば下流側の走査電極114の代
わりに磁場を用いる等してイオンビーム2を平行ビーム
化するようにしても良い。
第8図に戻って、上記のような注入室6の左右に、この
実施例では二つの互いに同一構造のホルダ駆動装置120
が設けられている。
実施例では二つの互いに同一構造のホルダ駆動装置120
が設けられている。
各ホルダ駆動装置120においては、注入室6の側壁部に
真空シール機能を有する真空シール軸受122を設け、そ
れに主軸124を前述したX方向に貫通させて支持してい
る。
真空シール機能を有する真空シール軸受122を設け、そ
れに主軸124を前述したX方向に貫通させて支持してい
る。
注入室6の外側に第1の可逆転式のダイレクトドライブ
モータ126を取り付けており、その出力軸127を、歯車の
ようなものを介さずにカップリング板128で直接、主軸1
24の注入室外側端部に結合している。
モータ126を取り付けており、その出力軸127を、歯車の
ようなものを介さずにカップリング板128で直接、主軸1
24の注入室外側端部に結合している。
一方、主軸124の注入室内側端部には、カップリング130
を介して、第2の可逆転式のダイレクトドライブモータ
132をその出力軸133が当該主軸124とほぼ直交するよう
に取り付けている。
を介して、第2の可逆転式のダイレクトドライブモータ
132をその出力軸133が当該主軸124とほぼ直交するよう
に取り付けている。
このダイレクトドライブモータ132は、真空中に持ち込
めるように、その内部と外部とがOリング(図示省略)
によって真空シールされており、かつその出力軸133と
モータケース間も例えば磁性流体を含む真空シール部13
4によって真空シールされている。
めるように、その内部と外部とがOリング(図示省略)
によって真空シールされており、かつその出力軸133と
モータケース間も例えば磁性流体を含む真空シール部13
4によって真空シールされている。
そしてこのダイレクトドライブモータ132の出力軸133
に、アーム136を歯車のようなものを介さずに直接取り
付けている。
に、アーム136を歯車のようなものを介さずに直接取り
付けている。
このアーム136の先端部に、第3の可逆転式のダイレク
トドライブモータ138をその出力軸139が当該アーム136
とほぼ直交するように取り付けている。
トドライブモータ138をその出力軸139が当該アーム136
とほぼ直交するように取り付けている。
このダイレクトドライブモータ138も、真空中に持ち込
めるように、その内部と外部とがOリング(図示省略)
によって真空シールされており、かつその出力軸139と
モータケース間も例えば磁性流体を含む真空シール部14
0によって真空シールされている。
めるように、その内部と外部とがOリング(図示省略)
によって真空シールされており、かつその出力軸139と
モータケース間も例えば磁性流体を含む真空シール部14
0によって真空シールされている。
そしてこのダイレクトドライブモータ138の出力軸139
に、それとほぼ直交するように、ターゲットの一例であ
るウェーハ4を保持するホルダ8を歯車のようなものを
介さずに直接取り付けている。従って、このホルダ8に
保持されたウェーハ4の表面を、第8図に示すように、
イオンビーム2に向けることができる。尚、ホルダ8
は、この例ではベース8aと、それとの間にウェーハ4を
挟持するウェーハ押え8bと、ウェーハ4を昇降させるウ
ェーハ受け8cとを備えている。
に、それとほぼ直交するように、ターゲットの一例であ
るウェーハ4を保持するホルダ8を歯車のようなものを
介さずに直接取り付けている。従って、このホルダ8に
保持されたウェーハ4の表面を、第8図に示すように、
イオンビーム2に向けることができる。尚、ホルダ8
は、この例ではベース8aと、それとの間にウェーハ4を
挟持するウェーハ押え8bと、ウェーハ4を昇降させるウ
ェーハ受け8cとを備えている。
上記構造によれば、第1のダイレクトドライブモータ12
6によって、主軸124を矢印Dのように回転させて、その
先にアーム136等を介して取り付けられたホルダ8を、
所定の注入角位置(第8図中右側のホルダ8参照)と、
ウェーハ4のハンドリングのための水平位置(第8図中
左側のホルダ8参照)とに駆動することができる。
6によって、主軸124を矢印Dのように回転させて、その
先にアーム136等を介して取り付けられたホルダ8を、
所定の注入角位置(第8図中右側のホルダ8参照)と、
ウェーハ4のハンドリングのための水平位置(第8図中
左側のホルダ8参照)とに駆動することができる。
そして上記注入角位置で、第2のダイレクトドライブモ
ータ132を矢印Eのように正転および逆転させてアーム1
36を揺動回転させると、アーム136の先端部に取り付け
られたホルダ8は、そこに保持したウェーハ4をイオン
ビーム2に向けた状態で、円弧を描くような形で、X方
向と実質的に直交するY方向に機械的に走査される(第
10図も参照)。
ータ132を矢印Eのように正転および逆転させてアーム1
36を揺動回転させると、アーム136の先端部に取り付け
られたホルダ8は、そこに保持したウェーハ4をイオン
ビーム2に向けた状態で、円弧を描くような形で、X方
向と実質的に直交するY方向に機械的に走査される(第
10図も参照)。
しかもその時、第3のダイレクトドライブモータ138を
第2のダイレクトドライブモータ132と同時に同一方向
(各モータの出力軸側より見て)かつ同一角度回転させ
ると、第10図に示すように、ホルダ8が円弧を描くよう
に走査されても、当該ホルダ8の絶対回転角は0°であ
ってその姿勢は不変である。従ってこのホルダ8に装着
されたウェーハ4の姿勢も不変である(例えば第10図中
のウェーハ4のオリエンテーションフラット4aは、ホル
ダ8の走査位置に拘わらず常に上側を向いている)。
第2のダイレクトドライブモータ132と同時に同一方向
(各モータの出力軸側より見て)かつ同一角度回転させ
ると、第10図に示すように、ホルダ8が円弧を描くよう
に走査されても、当該ホルダ8の絶対回転角は0°であ
ってその姿勢は不変である。従ってこのホルダ8に装着
されたウェーハ4の姿勢も不変である(例えば第10図中
のウェーハ4のオリエンテーションフラット4aは、ホル
ダ8の走査位置に拘わらず常に上側を向いている)。
その結果、このことと前述したようにイオンビーム2が
X方向に平行ビーム化されていることとが相俟って、例
えばホルダ8の垂直速度成分がイオンビーム2のビーム
電流に比例するようにアーム136の角速度を制御すれ
ば、ウェーハ4の面内においてドーズ量の均一なイオン
注入が可能になる。
X方向に平行ビーム化されていることとが相俟って、例
えばホルダ8の垂直速度成分がイオンビーム2のビーム
電流に比例するようにアーム136の角速度を制御すれ
ば、ウェーハ4の面内においてドーズ量の均一なイオン
注入が可能になる。
尚、両ダイレクトドライブモータ132および138を上記の
ように駆動するには、例えば両者に同一パルス信号を供
給すれば良い。
ように駆動するには、例えば両者に同一パルス信号を供
給すれば良い。
ホルダ8を第8図中左側に示すようにウェーハ4のハン
ドリング位置に移動させるには、ダイレクトドライブモ
ータ126によってホルダ8を水平状態にすると共に、ダ
イレクトドライブモータ132によってホルダ8を壁側に
移動させれば良い。
ドリング位置に移動させるには、ダイレクトドライブモ
ータ126によってホルダ8を水平状態にすると共に、ダ
イレクトドライブモータ132によってホルダ8を壁側に
移動させれば良い。
尚、ホルダ8上のウェーハ4を冷却するためにホルダ8
に冷媒を流す場合は、次のようにすれば良い。
に冷媒を流す場合は、次のようにすれば良い。
即ち、各ダイレクトドライブモータ126、132および138
の中心部には貫通穴があいているので、ホルダ8の中心
部に冷媒通路を有するホルダ軸を取り付け、そのホルダ
軸をダイレクトドライブモータ138の中心穴を貫通さ
せ、アーム136に設けた回転継手で回転するホルダ軸に
冷媒の供給および回収を行うようにすれば良い。
の中心部には貫通穴があいているので、ホルダ8の中心
部に冷媒通路を有するホルダ軸を取り付け、そのホルダ
軸をダイレクトドライブモータ138の中心穴を貫通さ
せ、アーム136に設けた回転継手で回転するホルダ軸に
冷媒の供給および回収を行うようにすれば良い。
かつ、この回転継手に可撓性のあるチューブを接続して
それをダイレクトドライブモータ132の中心穴を通すと
共に、ダイレクトドライブモータ126の中心穴を貫通す
る主軸124を中空にして同チューブをその中を通して大
気側に引出し、これによって大気側から冷媒の供給およ
び回収を行うようにすれば良い。
それをダイレクトドライブモータ132の中心穴を通すと
共に、ダイレクトドライブモータ126の中心穴を貫通す
る主軸124を中空にして同チューブをその中を通して大
気側に引出し、これによって大気側から冷媒の供給およ
び回収を行うようにすれば良い。
ところで、この実施例においては、注入室6の後方部左
右の底部に、ウェーハ4を注入室6内と大気側との間で
1枚ずつ出し入れ(アンロードおよびロード)するため
の真空予備室80がそれぞれ隣接されている。
右の底部に、ウェーハ4を注入室6内と大気側との間で
1枚ずつ出し入れ(アンロードおよびロード)するため
の真空予備室80がそれぞれ隣接されている。
この真空予備室80の部分の断面図を第11図および第12図
に示す。第11図は真空予備室80の真空側弁88が閉じかつ
大気側弁90が開いた状態を、第12図は真空側弁88が開き
かつ大気側弁90が閉じた状態を示す。但し、第12図に
は、後述するウェーハ搬送装置60の一部分をも便宜上示
している。
に示す。第11図は真空予備室80の真空側弁88が閉じかつ
大気側弁90が開いた状態を、第12図は真空側弁88が開き
かつ大気側弁90が閉じた状態を示す。但し、第12図に
は、後述するウェーハ搬送装置60の一部分をも便宜上示
している。
詳述すると、注入室6の底部に、真空ポンプ92によって
真空排気される真空予備室80が設けられており、その上
部には注入室6との間を仕切る真空側弁88が、下部には
大気側との間を仕切る大気側弁90が、それぞれ設けられ
ている。
真空排気される真空予備室80が設けられており、その上
部には注入室6との間を仕切る真空側弁88が、下部には
大気側との間を仕切る大気側弁90が、それぞれ設けられ
ている。
真空側弁88は注入室6上に設けたエアシリンダ86によっ
て、大気側弁90は下側のエアシリンダ102によってガイ
ド軸98を介して、それぞれ昇降され開閉される。尚、エ
アシリンダ86の上部に設けたレバー88およびエアシリン
ダ82は、エアシリンダ86をロックするためのものであ
る。
て、大気側弁90は下側のエアシリンダ102によってガイ
ド軸98を介して、それぞれ昇降され開閉される。尚、エ
アシリンダ86の上部に設けたレバー88およびエアシリン
ダ82は、エアシリンダ86をロックするためのものであ
る。
大気側弁90の上部には、ウェーハ4を載せる回転台94が
設けられており、この回転台94は、モータ96によってウ
ェーハ4のオリエンテーションフラット合わせ等のため
に回転させられると共に、デュアルストロークシリンダ
100によってウェーハ4のハンドリング等のために2段
階に昇降させられる。
設けられており、この回転台94は、モータ96によってウ
ェーハ4のオリエンテーションフラット合わせ等のため
に回転させられると共に、デュアルストロークシリンダ
100によってウェーハ4のハンドリング等のために2段
階に昇降させられる。
再び第8図に戻って、上記のような各真空予備室80から
水平状態にある各ホルダ8にかけての部分に、次のよう
な構造のウェーハ搬送装置60がそれぞれ設けられてい
る。
水平状態にある各ホルダ8にかけての部分に、次のよう
な構造のウェーハ搬送装置60がそれぞれ設けられてい
る。
即ち、第13図も参照して、真空予備室80と水平状態にあ
るホルダ8との間のウェーハ4の搬送経路に沿って、二
つの溝付きのプーリー70および72間にタイミングベルト
68がループ状に懸け渡されている。一方のプーリー70に
は、正転および逆転可能なモータ74が連結されている。
そして、このタイミングベルト68の上側および下側の部
分には、それぞれ連結金具66を介して、それぞれウェー
ハ4を載置可能なロード側の搬送アーム61aおよびアン
ロード側の搬送アーム装置61bがそれぞれ取り付けられ
ている。
るホルダ8との間のウェーハ4の搬送経路に沿って、二
つの溝付きのプーリー70および72間にタイミングベルト
68がループ状に懸け渡されている。一方のプーリー70に
は、正転および逆転可能なモータ74が連結されている。
そして、このタイミングベルト68の上側および下側の部
分には、それぞれ連結金具66を介して、それぞれウェー
ハ4を載置可能なロード側の搬送アーム61aおよびアン
ロード側の搬送アーム装置61bがそれぞれ取り付けられ
ている。
また、各搬送アーム61a、61bが回転せずにタイミングベ
ルト68に沿って移動するのをガイドするガイド手段とし
て、この実施例ではボールスプラインを採用している。
即ち、各搬送アーム61a、61bの根元部にスプライン軸受
64aおよび64bを取り付けると共に、それらをそれぞれ貫
通する上下2本のスプライン軸62aおよび62bをタイミン
グベルト68に平行に配置している。
ルト68に沿って移動するのをガイドするガイド手段とし
て、この実施例ではボールスプラインを採用している。
即ち、各搬送アーム61a、61bの根元部にスプライン軸受
64aおよび64bを取り付けると共に、それらをそれぞれ貫
通する上下2本のスプライン軸62aおよび62bをタイミン
グベルト68に平行に配置している。
このようなボールスプラインの代わりに、通常のガイド
軸を2本ずつ用いても良いが、ボールスプラインを用い
れば、1本のスプライン軸で、搬送アームが回転せずに
水平に安定して走行するのをガイドすることができる。
軸を2本ずつ用いても良いが、ボールスプラインを用い
れば、1本のスプライン軸で、搬送アームが回転せずに
水平に安定して走行するのをガイドすることができる。
尚、各スプライン軸62a、62bは、簡略化のために丸棒で
図示しているが、実際は、複数のボールの転動溝を有す
る丸棒状あるいは異形状のものである。
図示しているが、実際は、複数のボールの転動溝を有す
る丸棒状あるいは異形状のものである。
次に、上記のようなイオン注入装置の全体的な動作例を
第8図の右側の機構を中心に説明する。
第8図の右側の機構を中心に説明する。
ホルダ駆動装置120によってホルダ8を水平位置に移動
させ(この状態は、第8図中の左側のホルダ8参照)、
ウェーハ受け8cおよびウェーハ押え8bを図示しない駆動
装置によって駆動して、先に装着していたウェーハ4を
下段のアンロード用の搬送アーム61bに受け渡しする位
置まで上昇させる。
させ(この状態は、第8図中の左側のホルダ8参照)、
ウェーハ受け8cおよびウェーハ押え8bを図示しない駆動
装置によって駆動して、先に装着していたウェーハ4を
下段のアンロード用の搬送アーム61bに受け渡しする位
置まで上昇させる。
一方、真空予備室80側では、第12図を参照して、デュア
ルストロークシリンダ100の上下両方のシリンダを動作
させて回転台94を大きく上昇させて2点鎖線で示すよう
に上段のロード側の搬送アーム61aの位置まで未注入の
ウェーハ4を持ち上げ、その状態でウェーハ搬送装置60
のモータ74によってタイミングベルト68を駆動して、搬
送アーム61aを真空予備室80上の位置に、かつ搬送アー
ム61bをホルダ8上の位置に同時に移動させ、そしてホ
ルダ8のウェーハ受け8cを降下させて先に注入済のウェ
ーハ4を搬送アーム61bに載せ、一方真空予備室80側で
も回転台94を降下させて未注入のウェーハ4を搬送アー
ム61aに載せる。
ルストロークシリンダ100の上下両方のシリンダを動作
させて回転台94を大きく上昇させて2点鎖線で示すよう
に上段のロード側の搬送アーム61aの位置まで未注入の
ウェーハ4を持ち上げ、その状態でウェーハ搬送装置60
のモータ74によってタイミングベルト68を駆動して、搬
送アーム61aを真空予備室80上の位置に、かつ搬送アー
ム61bをホルダ8上の位置に同時に移動させ、そしてホ
ルダ8のウェーハ受け8cを降下させて先に注入済のウェ
ーハ4を搬送アーム61bに載せ、一方真空予備室80側で
も回転台94を降下させて未注入のウェーハ4を搬送アー
ム61aに載せる。
次に、ウェーハ搬送装置60のモータ74を先とは逆転さ
せ、注入済のウェーハ4を載せた搬送アーム61bを真空
予備室80上へ、未注入のウェーハ4を載せた搬送アーム
61aをホルダ8上へ移動させ、そして真空予備室80側で
はデュアルストロークシリンダ100の上側のシリンダの
みを動作させて回転台64によって搬送アーム61bよりウ
ェーハ4を受け取り(第12図中の実線の状態)、ホルダ
8側ではウェーハ受け8cによって搬送アーム61aよりウ
ェーハ4を受け取る。
せ、注入済のウェーハ4を載せた搬送アーム61bを真空
予備室80上へ、未注入のウェーハ4を載せた搬送アーム
61aをホルダ8上へ移動させ、そして真空予備室80側で
はデュアルストロークシリンダ100の上側のシリンダの
みを動作させて回転台64によって搬送アーム61bよりウ
ェーハ4を受け取り(第12図中の実線の状態)、ホルダ
8側ではウェーハ受け8cによって搬送アーム61aよりウ
ェーハ4を受け取る。
次いで、ウェーハ搬送装置60のモータ74を再び逆転させ
て両搬送アーム61aおよび61bを中間の待機位置まで移動
させ(第8図の状態)、ホルダ8側ではウェーハ受け8c
およびウェーハ押え8bを降下させてウェーハ4を保持
し、ホルダ駆動装置120によってホルダ8を第8図中に
示すような注入状態まで移動させて注入準備は完了す
る。
て両搬送アーム61aおよび61bを中間の待機位置まで移動
させ(第8図の状態)、ホルダ8側ではウェーハ受け8c
およびウェーハ押え8bを降下させてウェーハ4を保持
し、ホルダ駆動装置120によってホルダ8を第8図中に
示すような注入状態まで移動させて注入準備は完了す
る。
一方、真空予備室80側では、回転台94を降下させ、かつ
真空側弁88を閉じた後、当該真空予備室80内を大気圧状
態に戻して大気側弁90を開き(第11図の状態)、図示し
ない大気側の搬送アーム装置によって注入済のウェーハ
4の搬出および次の未注入のウェーハ4の搬入を行う。
このとき並行して、注入室6内では、ホルダ駆動装置12
0によってホルダ8を前述したようにY方向に機械的に
走査しながら、当該ホルダ8上のウェーハ4にイオンビ
ーム2を照射してイオン注入が行われる。
真空側弁88を閉じた後、当該真空予備室80内を大気圧状
態に戻して大気側弁90を開き(第11図の状態)、図示し
ない大気側の搬送アーム装置によって注入済のウェーハ
4の搬出および次の未注入のウェーハ4の搬入を行う。
このとき並行して、注入室6内では、ホルダ駆動装置12
0によってホルダ8を前述したようにY方向に機械的に
走査しながら、当該ホルダ8上のウェーハ4にイオンビ
ーム2を照射してイオン注入が行われる。
以降は、必要に応じて上記と同様の動作が繰り返され
る。
る。
また、右側の機構と左側との機構との関係を説明する
と、この実施例においては、一方の(例えば第8図中の
右側の)ホルダ8を上記のように走査しながらそこに装
着したウェーハ4にイオン注入を行うことと並行して、
他方のホルダ8を水平状態にしてウェーハ4のハンドリ
ング(即ち注入済のウェーハ4の取出しおよび未注入の
ウェーハ4の装着)を行うことができる。即ち、二つの
ホルダ8において交互にイオン注入およびウェーハ4の
ハンドリングを行うことができ、イオン注入およびハン
ドリングのロス時間が殆どなくなるのでスループットが
向上する。
と、この実施例においては、一方の(例えば第8図中の
右側の)ホルダ8を上記のように走査しながらそこに装
着したウェーハ4にイオン注入を行うことと並行して、
他方のホルダ8を水平状態にしてウェーハ4のハンドリ
ング(即ち注入済のウェーハ4の取出しおよび未注入の
ウェーハ4の装着)を行うことができる。即ち、二つの
ホルダ8において交互にイオン注入およびウェーハ4の
ハンドリングを行うことができ、イオン注入およびハン
ドリングのロス時間が殆どなくなるのでスループットが
向上する。
しかも、各アーム136およびホルダ8が円弧状に動くた
め、それらが互いに機械的に干渉するのを避けながら二
つのホルダ駆動装置120を互いに近づけて配置すること
ができ、従って当該イオン注入装置の小型化を図ること
ができる。
め、それらが互いに機械的に干渉するのを避けながら二
つのホルダ駆動装置120を互いに近づけて配置すること
ができ、従って当該イオン注入装置の小型化を図ること
ができる。
また、両ホルダ8に対するウェーハ4のハンドリングが
互いに同一条件で、即ちこの例では互いに同一高さでし
かもどちらもウェーハ4の表面を上にして可能になるた
め、ウェーハ4のハンドリングが容易になる。
互いに同一条件で、即ちこの例では互いに同一高さでし
かもどちらもウェーハ4の表面を上にして可能になるた
め、ウェーハ4のハンドリングが容易になる。
更にこの実施例のイオン注入装置では、各ホルダ駆動装
置120にダイレクトドライブモータ126、132、138を採用
していて、それらによって必要な個所を直接駆動するよ
うにしているので、タイミングベルト、そのためのプー
リー、歯車等を用いる場合に比べて、ホルダ駆動装置12
0の構造が大幅に単純化されている。
置120にダイレクトドライブモータ126、132、138を採用
していて、それらによって必要な個所を直接駆動するよ
うにしているので、タイミングベルト、そのためのプー
リー、歯車等を用いる場合に比べて、ホルダ駆動装置12
0の構造が大幅に単純化されている。
尚、この明細書においてX方向およびY方向は、直交す
る2方向を現すだけであり、従って例えば、X方向を水
平方向と見ても、垂直方向と見ても、更にはそれらから
傾いた方向と見ても良い。
る2方向を現すだけであり、従って例えば、X方向を水
平方向と見ても、垂直方向と見ても、更にはそれらから
傾いた方向と見ても良い。
以上のようにこの発明によれば、制御装置における所定
の演算処理が必ず終わってから、イオンビームの次の一
往復走査が行われるようになるので、当該制御装置とし
て処理速度の遅いものでも使用することができるように
なる。
の演算処理が必ず終わってから、イオンビームの次の一
往復走査が行われるようになるので、当該制御装置とし
て処理速度の遅いものでも使用することができるように
なる。
その結果例えば、当該制御装置のコストを下げることが
できると共に、それを製作するのが困難になることもな
くなる。
できると共に、それを製作するのが困難になることもな
くなる。
第1図は、この発明の一実施例に係るイオン注入装置を
部分的に示す図である。第2図は、第1図の制御装置に
おける制御の大まかな流れを示すフローチャートであ
る。第3図は、第2図の走査電源のより具体例を示すブ
ロック図である。第4図は、トリガ信号および走査信号
の例を示す図である。第5図は、第1図の装置において
ビーム走査時に計測されるビーム電流の例を示す図であ
る。第6図は、従来のイオン注入装置の一例を部分的に
示す図である。第7図は、第6図の装置においてビーム
走査時に計測されるビーム電流の例を示す図である。第
8図は、この発明の他の実施例に係るイオン注入装置を
部分的に示す水平断面図である。第9図は、イオンビー
ムの電気的な走査手段の一例を示す概略平面図である。
第10図は、第8図中のホルダ駆動装置による走査時のホ
ルダの姿勢を説明するための図である。第11図および第
12図は、共に、第8図の線I−Iに沿う断面図である
が、互いに動作状態を異にしている。第13図は、第8図
中のウェーハ搬送装置を示す斜視図である。 2…イオンビーム、4…ターゲット、204…走査電極
(走査手段)、212…駆動装置、214…ビーム電流計測
器、226…走査電源、228…制御装置。
部分的に示す図である。第2図は、第1図の制御装置に
おける制御の大まかな流れを示すフローチャートであ
る。第3図は、第2図の走査電源のより具体例を示すブ
ロック図である。第4図は、トリガ信号および走査信号
の例を示す図である。第5図は、第1図の装置において
ビーム走査時に計測されるビーム電流の例を示す図であ
る。第6図は、従来のイオン注入装置の一例を部分的に
示す図である。第7図は、第6図の装置においてビーム
走査時に計測されるビーム電流の例を示す図である。第
8図は、この発明の他の実施例に係るイオン注入装置を
部分的に示す水平断面図である。第9図は、イオンビー
ムの電気的な走査手段の一例を示す概略平面図である。
第10図は、第8図中のホルダ駆動装置による走査時のホ
ルダの姿勢を説明するための図である。第11図および第
12図は、共に、第8図の線I−Iに沿う断面図である
が、互いに動作状態を異にしている。第13図は、第8図
中のウェーハ搬送装置を示す斜視図である。 2…イオンビーム、4…ターゲット、204…走査電極
(走査手段)、212…駆動装置、214…ビーム電流計測
器、226…走査電源、228…制御装置。
Claims (1)
- 【請求項1】イオンビームをX方向に電気的に走査する
走査手段およびそれに走査出力を供給する走査電源と、
ターゲットをX方向と実質的に直交するY方向に機械的
に走査する駆動装置と、イオンビームの走査領域の一端
部に設けられていてイオンビームのビーム電流を計測す
るビーム電流計測器と、このビーム電流計測器で計測し
たビーム電流値に基づいてターゲットの走査速度を演算
してそれになるように前記駆動装置を制御する制御装置
とを備えるイオン注入装置において、前記制御装置を、
ターゲットの走査速度の演算処理が終了するたびにトリ
ガ信号を一つずつ出力するものとし、かつ前記走査電源
を、制御装置からトリガ信号が一つ与えられるごとにイ
オンビームの一往復走査分の走査出力を出力するものと
したことを特徴とするイオン注入装置。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1-122450 | 1989-05-15 | ||
| JP12245089 | 1989-05-15 | ||
| JP16355789 | 1989-06-26 | ||
| JP1-163557 | 1989-06-26 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03114128A JPH03114128A (ja) | 1991-05-15 |
| JPH077658B2 true JPH077658B2 (ja) | 1995-01-30 |
Family
ID=26459574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2107092A Expired - Fee Related JPH077658B2 (ja) | 1989-05-15 | 1990-04-23 | イオン注入装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5046148A (ja) |
| EP (1) | EP0398270B1 (ja) |
| JP (1) | JPH077658B2 (ja) |
| DE (1) | DE69017075T2 (ja) |
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| JP3125384B2 (ja) * | 1991-11-14 | 2001-01-15 | 日本電気株式会社 | イオン注入装置 |
| JP3003088B2 (ja) * | 1994-06-10 | 2000-01-24 | 住友イートンノバ株式会社 | イオン注入装置 |
| US5811823A (en) * | 1996-02-16 | 1998-09-22 | Eaton Corporation | Control mechanisms for dosimetry control in ion implantation systems |
| US6271529B1 (en) | 1997-12-01 | 2001-08-07 | Ebara Corporation | Ion implantation with charge neutralization |
| JP3567749B2 (ja) | 1998-07-22 | 2004-09-22 | 日新電機株式会社 | 荷電粒子ビームの分布測定方法およびそれに関連する方法 |
| US6297510B1 (en) * | 1999-04-19 | 2001-10-02 | Applied Materials, Inc. | Ion implant dose control |
| JP3341749B2 (ja) * | 1999-12-28 | 2002-11-05 | 日新電機株式会社 | イオン注入方法およびイオン注入装置 |
| US20020175297A1 (en) * | 2001-05-25 | 2002-11-28 | Scheuer Jay T. | Methods and apparatus for ion implantation with variable spatial frequency scan lines |
| JP3692999B2 (ja) * | 2001-10-26 | 2005-09-07 | 日新イオン機器株式会社 | イオン注入方法およびその装置 |
| US20030122088A1 (en) * | 2001-11-14 | 2003-07-03 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Scan methods and apparatus for ion implantation |
| US7391038B2 (en) * | 2006-03-21 | 2008-06-24 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Technique for isocentric ion beam scanning |
| JP4471009B2 (ja) | 2008-02-12 | 2010-06-02 | 日新イオン機器株式会社 | イオン注入方法およびイオン注入装置 |
| JP4471008B2 (ja) | 2008-02-12 | 2010-06-02 | 日新イオン機器株式会社 | イオン注入方法およびイオン注入装置 |
| JP5904895B2 (ja) * | 2012-07-12 | 2016-04-20 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | イオン注入方法およびイオン注入装置 |
| JP6195538B2 (ja) * | 2014-04-25 | 2017-09-13 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | イオン注入方法及びイオン注入装置 |
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|---|---|---|---|---|
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-
1990
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