JPH0777190B2 - レジストパタ−ン耐性向上方法 - Google Patents
レジストパタ−ン耐性向上方法Info
- Publication number
- JPH0777190B2 JPH0777190B2 JP61299422A JP29942286A JPH0777190B2 JP H0777190 B2 JPH0777190 B2 JP H0777190B2 JP 61299422 A JP61299422 A JP 61299422A JP 29942286 A JP29942286 A JP 29942286A JP H0777190 B2 JPH0777190 B2 JP H0777190B2
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- JP
- Japan
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- resist pattern
- resistance
- resist
- improving
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体製造工程のうちリソグラフィ工程におい
て、レジストパターンの耐性（耐熱性・耐エッチング
性、耐イオン注入性など）を向上させる方法に関するも
のである。
て、レジストパターンの耐性（耐熱性・耐エッチング
性、耐イオン注入性など）を向上させる方法に関するも
のである。
従来の技術 半導体リソグラフィ工程においては、形成したレジスト
パターンの耐性（耐熱性・耐エッチング性・耐イオン注
入性など）を向上させることが重要である。
パターンの耐性（耐熱性・耐エッチング性・耐イオン注
入性など）を向上させることが重要である。
従来、このようなレジストパターンの耐性を向上させる
方法としては、キセノン・水銀ランプなどの定常光の遠
紫外線を照射させるという方法がある。
方法としては、キセノン・水銀ランプなどの定常光の遠
紫外線を照射させるという方法がある。
この方法の原理は、レジストの組成物を架橋させて耐性
を上げるというものであるが、この方法ではレジスト組
成物を架橋させるために必要な遠紫外線の照射中に高温
（約120℃以上）となり、レジストパターンの耐性が向
上する以前にレジストパターンが変形して所望のパター
ン寸法精度が得られず、結局素子の歩留まりの低下の原
因となる。
を上げるというものであるが、この方法ではレジスト組
成物を架橋させるために必要な遠紫外線の照射中に高温
（約120℃以上）となり、レジストパターンの耐性が向
上する以前にレジストパターンが変形して所望のパター
ン寸法精度が得られず、結局素子の歩留まりの低下の原
因となる。
第２図を用いて従来のレジストパターン耐性向上方法を
説明する。
説明する。
半導体基板５上に、所望のレジストパターンを露光・現
像により形成する（第２図（ａ））。しかるのち、キセ
ノン・水銀ランプからの遠紫外線をレジストパターンに
照射する（第２図（ｂ））。照射後のレジストパターン
1Bは遠紫外線により架橋を起こして耐性が向上したもの
となっているが、照射時の熱により変形したパターンと
なった（第２図（ｃ））。
像により形成する（第２図（ａ））。しかるのち、キセ
ノン・水銀ランプからの遠紫外線をレジストパターンに
照射する（第２図（ｂ））。照射後のレジストパターン
1Bは遠紫外線により架橋を起こして耐性が向上したもの
となっているが、照射時の熱により変形したパターンと
なった（第２図（ｃ））。
なお、遠紫外線の照射時間はレジストの耐性を上げるた
めには最低60秒以上は必要であり、この間にレジストパ
ターンは遠紫外線の照射熱により約120℃以上となり変
形した。
めには最低60秒以上は必要であり、この間にレジストパ
ターンは遠紫外線の照射熱により約120℃以上となり変
形した。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら、このような従来の技術においてはレジス
トパターン耐性向上工程の間に、それ自身が熱により変
形するという問題点があった。
トパターン耐性向上工程の間に、それ自身が熱により変
形するという問題点があった。
問題点を解決するための手段 本発明は従来例であったような問題点を解決すべく、レ
ジストパターンの耐性向上の方法としてエキシマレーザ
を照射することを特徴とする。遠紫外線であるエキシマ
レーザはパルス発振であるために通常の定常光に比べて
熱伝導はほとんどなく、レジストパターンの熱変形なし
にその耐性を向上させることができる。
ジストパターンの耐性向上の方法としてエキシマレーザ
を照射することを特徴とする。遠紫外線であるエキシマ
レーザはパルス発振であるために通常の定常光に比べて
熱伝導はほとんどなく、レジストパターンの熱変形なし
にその耐性を向上させることができる。
なおエキシマレーザはArF,XeCl,KrFなどパネル発振可能
な遠紫外線であれば良く、その種類や出力、又対象とな
るレジストパターンの種類により、レジストパターン耐
性向上に要する時間は異なるがいずれの場合にもパター
ン変形は認められない。
な遠紫外線であれば良く、その種類や出力、又対象とな
るレジストパターンの種類により、レジストパターン耐
性向上に要する時間は異なるがいずれの場合にもパター
ン変形は認められない。
作用 本発明の方法によれば、レジストパターンの変形なしに
その耐性を向上させることができる。
その耐性を向上させることができる。
実施例 第１図を用いて本発明の実施例を説明する。
半導体基板５上に所望のレジストパターン1A（レジス
ト，シプレイ社製MPS-1400（ノボラックポジレジス
ト））を露光・現像により形成する（第１図（ａ））。
KrF（249nm）エキシマレーザ２を５パルス、レジストパ
ターンに照射した。なお、１パルスあたりのエネルギー
は10mJ/cm2である。なおこのときのレジストパターン1A
上の温度は35℃であった（第１図（ｂ））。照射後のレ
ジストパターン1A′の形状は全く照射前のレジストパタ
ーン1Aの形状と相違はなかった（第１図（ｃ））。
ト，シプレイ社製MPS-1400（ノボラックポジレジス
ト））を露光・現像により形成する（第１図（ａ））。
KrF（249nm）エキシマレーザ２を５パルス、レジストパ
ターンに照射した。なお、１パルスあたりのエネルギー
は10mJ/cm2である。なおこのときのレジストパターン1A
上の温度は35℃であった（第１図（ｂ））。照射後のレ
ジストパターン1A′の形状は全く照射前のレジストパタ
ーン1Aの形状と相違はなかった（第１図（ｃ））。
この後このレジストパターン1A′に200℃30分の熱（オ
ーブン）４を与えたが（第１図（ｄ））全くその形状に
変化はなかった（第１図（ｅ））。
ーブン）４を与えたが（第１図（ｄ））全くその形状に
変化はなかった（第１図（ｅ））。
もちろん、この後のエッチングなイオン注入という工程
に際してもパターン変形はなかった。なお、用いるレジ
ストに際しても、ノボラック系のOFPR5000（東京応化
製），ネガ型のNNR747（長瀬産業製）など各種レジスト
において同様の効果が認められた。
に際してもパターン変形はなかった。なお、用いるレジ
ストに際しても、ノボラック系のOFPR5000（東京応化
製），ネガ型のNNR747（長瀬産業製）など各種レジスト
において同様の効果が認められた。
発明の効果 本発明によれば、レジストパターンの変形なしにその耐
性を向上させることができ、半導体素子の歩留まりを向
上させることとなり工業的価値が高い。
性を向上させることができ、半導体素子の歩留まりを向
上させることとなり工業的価値が高い。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施例のレジスト耐
性向上方法を説明するための断面図、第２図（ａ）〜
（ｃ）は従来のレジスト耐性向上方法を説明するための
断面図である。 1A,1A′……レジストパターン,2……エキシマレーザ光,
4……熱。
性向上方法を説明するための断面図、第２図（ａ）〜
（ｃ）は従来のレジスト耐性向上方法を説明するための
断面図である。 1A,1A′……レジストパターン,2……エキシマレーザ光,
4……熱。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−166951（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−111529（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−152018（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】露光及び現像によりレジストパターンを形
成した後、前記レジストパターンにエキシマレーザ光を
照射して前記レジストパターンの組成物の架橋反応を起
こして前記レジストパターンの耐性を向上させ、その後
エッチングまたは不純物注入を行うことを特徴とするレ
ジストパターン耐性向上方法。 - 【請求項２】エキシマレーザ光がArF、XeCl、KrFにより
発振されることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
載のレジストパターン耐性向上方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61299422A JPH0777190B2 (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | レジストパタ−ン耐性向上方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61299422A JPH0777190B2 (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | レジストパタ−ン耐性向上方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63151022A JPS63151022A (ja) | 1988-06-23 |
| JPH0777190B2 true JPH0777190B2 (ja) | 1995-08-16 |
Family
ID=17872358
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61299422A Expired - Fee Related JPH0777190B2 (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | レジストパタ−ン耐性向上方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0777190B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09312257A (ja) * | 1996-03-18 | 1997-12-02 | Fujitsu Ltd | 微細加工方法及び装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60166951A (ja) * | 1984-02-10 | 1985-08-30 | Canon Inc | 照明光学装置 |
| JPS61111529A (ja) * | 1984-11-06 | 1986-05-29 | Canon Inc | 露光量制御装置 |
| JPH0727887B2 (ja) * | 1984-12-25 | 1995-03-29 | 株式会社東芝 | 有機物の灰化方法 |
-
1986
- 1986-12-16 JP JP61299422A patent/JPH0777190B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63151022A (ja) | 1988-06-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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