JPH0780692B2 - 電導性ガラス及びその製造方法 - Google Patents
電導性ガラス及びその製造方法Info
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- JPH0780692B2 JPH0780692B2 JP2161413A JP16141390A JPH0780692B2 JP H0780692 B2 JPH0780692 B2 JP H0780692B2 JP 2161413 A JP2161413 A JP 2161413A JP 16141390 A JP16141390 A JP 16141390A JP H0780692 B2 JPH0780692 B2 JP H0780692B2
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- film
- alkali
- glass
- conductive
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- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 ［従来の技術］ 本発明は、アルカリ含有ガラスのガラス下地からアルカ
リイオン拡散するのを防ぐアルカリバリアー膜付電導性
ガラスに関するものである。
リイオン拡散するのを防ぐアルカリバリアー膜付電導性
ガラスに関するものである。
透明材料としてのガラス板は、化学的に安定で表面硬度
に優れ、かつ500℃〜700℃程度までの高温に耐え、更に
電気絶縁性、光学的性質が優れているため、建築用、車
輌用、航空機用の窓ガラス材料としては勿論のこと、光
学部品、電気部品電子部品等に用いられている。特に、
最近ではガラス板面に電導性被膜を形成した電導性ガラ
ス板が液晶素子、エレクトロクロミック素子、電場発光
素子などの表示素子やアモルファス太陽電池基板等に用
いられている。これら電導性ガラス板のガラス基板とし
ては、最も汎用され、価格的にも安価なソーダライムシ
リカガラス板が使用される傾向があるが、このソーダラ
イムシリカガラス板は組成的に10〜20wt％程度のナトリ
ウム、カリウム等のアルカリ成分を含んでいるため、長
期間の使用によりガラス下地からの表面へのアルカリイ
オンの拡散によるコーティングされた電導膜の性能劣化
を起すという欠点を生ずる。例えば、電導性ガラス板の
電導膜に白濁が生じたり透明度が低下したり、あるいは
電導膜の抵抗値が増大したり、化学的物理的耐久性が低
下したりする。
に優れ、かつ500℃〜700℃程度までの高温に耐え、更に
電気絶縁性、光学的性質が優れているため、建築用、車
輌用、航空機用の窓ガラス材料としては勿論のこと、光
学部品、電気部品電子部品等に用いられている。特に、
最近ではガラス板面に電導性被膜を形成した電導性ガラ
ス板が液晶素子、エレクトロクロミック素子、電場発光
素子などの表示素子やアモルファス太陽電池基板等に用
いられている。これら電導性ガラス板のガラス基板とし
ては、最も汎用され、価格的にも安価なソーダライムシ
リカガラス板が使用される傾向があるが、このソーダラ
イムシリカガラス板は組成的に10〜20wt％程度のナトリ
ウム、カリウム等のアルカリ成分を含んでいるため、長
期間の使用によりガラス下地からの表面へのアルカリイ
オンの拡散によるコーティングされた電導膜の性能劣化
を起すという欠点を生ずる。例えば、電導性ガラス板の
電導膜に白濁が生じたり透明度が低下したり、あるいは
電導膜の抵抗値が増大したり、化学的物理的耐久性が低
下したりする。
すなわち、液晶表示素子では、ガラスから拡散してきた
アルカリにより表示電極表面で酸化還元反応が起り透明
電極材料である酸化インジウム膜（ITO膜）、または酸
化錫膜（ネサ膜）を変質させ、更には液晶自体も電気分
解を起して劣化する。エレクトロクロミック素子でも同
様な理由で電極が損耗しエレクトロクロミック材料であ
る酸化タングステンや酸化モリブデンの耐久性の低下の
原因となり素子を劣化させる。また電場発光素子の場合
にも拡散によってガラス表面から出てきたアルカリは電
導膜を貫通して蛍光体材料に入りこみ発光効率や発光色
までも変化させる。更にアモルファス太陽電池の場合に
は、電導膜の抵抗値が増大し、光電変換効率が著しく低
下してしまうし、時には電極を貫通して出てきたアルカ
リはアモルファスシリコン中に拡散して変換効率を低下
させる恐れもあるとされている。
アルカリにより表示電極表面で酸化還元反応が起り透明
電極材料である酸化インジウム膜（ITO膜）、または酸
化錫膜（ネサ膜）を変質させ、更には液晶自体も電気分
解を起して劣化する。エレクトロクロミック素子でも同
様な理由で電極が損耗しエレクトロクロミック材料であ
る酸化タングステンや酸化モリブデンの耐久性の低下の
原因となり素子を劣化させる。また電場発光素子の場合
にも拡散によってガラス表面から出てきたアルカリは電
導膜を貫通して蛍光体材料に入りこみ発光効率や発光色
までも変化させる。更にアモルファス太陽電池の場合に
は、電導膜の抵抗値が増大し、光電変換効率が著しく低
下してしまうし、時には電極を貫通して出てきたアルカ
リはアモルファスシリコン中に拡散して変換効率を低下
させる恐れもあるとされている。
あるいは又、ソーダライムシリカガラスのようなアルカ
リ含有ガラスは、高温処理時にアルカリイオンが移動し
やすくなる傾向があり、電導性ガラス、あるい各種コー
トガラスの製造時の高温処理時のアルカリイオンの拡散
により、電導膜、あるいは各種コート膜の性能が低下す
るという欠点も生じる。
リ含有ガラスは、高温処理時にアルカリイオンが移動し
やすくなる傾向があり、電導性ガラス、あるい各種コー
トガラスの製造時の高温処理時のアルカリイオンの拡散
により、電導膜、あるいは各種コート膜の性能が低下す
るという欠点も生じる。
かかる欠点の解決法として代表的なのは、通常のソーダ
ライムシリカガラス表面に何らかのアルカリ拡散を阻止
する薄膜を形成する方法であり、シリカ膜が一般に用い
られている。酸化ケイ素膜（例えばSiO2膜）をアルカリ
拡散防止に用いる理由は膜がアモルファスで、この上に
別の薄膜たとえば電導膜等を形成する場合、実質的にガ
ラス上に形成したと同じ膜を形成できることと酸化ケイ
素膜の屈折率がガラスよりも若干低いがガラスに近く、
又通常板ガラスよりも広い範囲の光に対して、透明であ
るためにガラスの透明性が損なわれないことによる。
ライムシリカガラス表面に何らかのアルカリ拡散を阻止
する薄膜を形成する方法であり、シリカ膜が一般に用い
られている。酸化ケイ素膜（例えばSiO2膜）をアルカリ
拡散防止に用いる理由は膜がアモルファスで、この上に
別の薄膜たとえば電導膜等を形成する場合、実質的にガ
ラス上に形成したと同じ膜を形成できることと酸化ケイ
素膜の屈折率がガラスよりも若干低いがガラスに近く、
又通常板ガラスよりも広い範囲の光に対して、透明であ
るためにガラスの透明性が損なわれないことによる。
［発明の解決しようとする課題］ しかしながら、アルカリバリアー膜の上に形成される電
導膜が大面積にわたり均一な膜を高速で形成可能な直流
スパッタリング法で成膜されているのに対し、酸化ケイ
素膜は、Siターゲットを用いて直流スパッタリング法で
成膜しようとすると、スパッタ中にSiターゲットの表面
が酸化されて電導性が低下し、スパッタを安定的に持続
させることができないため直流スパッタリング法では成
膜できず、この為酸化物ターゲットを用いたRFスパッタ
リング法やCVD法等で成膜されていた。
導膜が大面積にわたり均一な膜を高速で形成可能な直流
スパッタリング法で成膜されているのに対し、酸化ケイ
素膜は、Siターゲットを用いて直流スパッタリング法で
成膜しようとすると、スパッタ中にSiターゲットの表面
が酸化されて電導性が低下し、スパッタを安定的に持続
させることができないため直流スパッタリング法では成
膜できず、この為酸化物ターゲットを用いたRFスパッタ
リング法やCVD法等で成膜されていた。
このため電導膜の形成方法とは別に二酸化ケイ素膜のRF
スパッタリングのチューニングやスパッタ雰囲気制御等
が必要とされ、あるいは別の装置でCVD法により成膜し
なくてはならないため、インラインで電導膜と連続して
二酸化ケイ素膜を形成することができず、生産性に劣る
という課題を有していた。
スパッタリングのチューニングやスパッタ雰囲気制御等
が必要とされ、あるいは別の装置でCVD法により成膜し
なくてはならないため、インラインで電導膜と連続して
二酸化ケイ素膜を形成することができず、生産性に劣る
という課題を有していた。
［課題を解決する為の手段］ 本発明は上述の課題に基づき直流スパッタリング法で成
膜できる新規なアルカリバリアー膜を見出してなされた
ものであって、アルカリ含有ガラスの表面に、該ガラス
からのアルカリ拡散を抑制するアルカリバリアー膜、及
び電導膜を順次積層した電導性ガラスであって、上記ア
ルカリバリアー膜は、直流スパッタリング法により成膜
され、Zr,Hf,Nb,Sn,Laのうち少なくとも１種の金属とSi
とを含む酸化物を主成分とするアモルファスな膜であっ
て、該膜中におけるSi原子の含有割合は、前記金属とSi
との総和に対してSiが５原子以上96原子以下であること
を特徴とする電導性ガラスおよびその製造方法を提供す
るものである。
膜できる新規なアルカリバリアー膜を見出してなされた
ものであって、アルカリ含有ガラスの表面に、該ガラス
からのアルカリ拡散を抑制するアルカリバリアー膜、及
び電導膜を順次積層した電導性ガラスであって、上記ア
ルカリバリアー膜は、直流スパッタリング法により成膜
され、Zr,Hf,Nb,Sn,Laのうち少なくとも１種の金属とSi
とを含む酸化物を主成分とするアモルファスな膜であっ
て、該膜中におけるSi原子の含有割合は、前記金属とSi
との総和に対してSiが５原子以上96原子以下であること
を特徴とする電導性ガラスおよびその製造方法を提供す
るものである。
本発明のアルカリバリアー膜は、Zr,Hf,Nb,Sn,Laのうち
少なくとも１種とSiを含む酸化物を主成分とするアルカ
リバリアー膜を主成分とする膜である。又、本発明のア
ルカリバリアー膜は所望によりTi,Ta,Mo,W,Crのうち少
なくとも１種を含んでいても良い。
少なくとも１種とSiを含む酸化物を主成分とするアルカ
リバリアー膜を主成分とする膜である。又、本発明のア
ルカリバリアー膜は所望によりTi,Ta,Mo,W,Crのうち少
なくとも１種を含んでいても良い。
本発明のアルカリバリアー膜の組成としては、Zr,Hf等
の金属合計量95原子に対してSi5原子以上の割合でSiを
含有している。Si含有量がこの割合未満だと膜が結晶質
となりアルカリバリアー能が顕著に低下するからであ
る。又、Zr等の金属の合計量４原子に対してSi96原子以
下の割合でSiを含有している。Si含有量がこの割合を超
えるだと、ターゲットの表面酸化により、安定的に直流
スパッタリング法で成膜できなくなる。すなわち、本発
明におけるアルカリバリアー膜は、Zr,Hf,Nb,Sn,Laのう
ち少なくとも１種の金属とSiとを含み、該膜中における
Si原子の含有割合は、前記金属とSiとの総和に対してSi
が５原子％以上96原子％以下である。
の金属合計量95原子に対してSi5原子以上の割合でSiを
含有している。Si含有量がこの割合未満だと膜が結晶質
となりアルカリバリアー能が顕著に低下するからであ
る。又、Zr等の金属の合計量４原子に対してSi96原子以
下の割合でSiを含有している。Si含有量がこの割合を超
えるだと、ターゲットの表面酸化により、安定的に直流
スパッタリング法で成膜できなくなる。すなわち、本発
明におけるアルカリバリアー膜は、Zr,Hf,Nb,Sn,Laのう
ち少なくとも１種の金属とSiとを含み、該膜中における
Si原子の含有割合は、前記金属とSiとの総和に対してSi
が５原子％以上96原子％以下である。
本発明のアルカリバリアー膜の屈折率はその組成により
自由に調節することができる。金属としてZrを用いた場
合のアルカリバリアー膜の組成による屈折率変化を表１
に示す。
自由に調節することができる。金属としてZrを用いた場
合のアルカリバリアー膜の組成による屈折率変化を表１
に示す。
従って、電導膜としてITO膜（錫を含有する酸化インジ
ウム膜）等の透明電極が形成された表示素子等の透明電
極板としての電導性ガラスの場合には、本発明のアルカ
リバリアー膜の組成をかかる透明電極と同様の屈折率に
なるようにすれば、アルカリバリアー膜上に透明電極パ
ターンが形成された部分と透明電極が形成されずにアル
カリバリアー膜のみが形成された部分との屈折率の差が
生じないため、透明電極パターンが目立たず、いわゆる
透明電極パターンの“骨見え”現象を防止できる。例え
ば、ガラス板/ZrとSiを含む酸化物からなるアルカリバ
リアー膜/ITO膜の構成の電導性ガラスにおいては、ITO
膜の屈折率約1.9に合わせて表１よりZr:Si＝70:30程度
とすればよい。あるいはディスプレー用素子等の製造に
おいて、位置合せの点で、透明電極パターンが見える方
が好まれるような場合にはITO膜と異なる屈折率とする
のが適当であり、Siの割合を多くして低屈折率とするこ
ともできる。このように、本発明のアルカリバリアー膜
の組成は、その上に形成される電導膜の屈折率に応じて
適宜選択することができる。
ウム膜）等の透明電極が形成された表示素子等の透明電
極板としての電導性ガラスの場合には、本発明のアルカ
リバリアー膜の組成をかかる透明電極と同様の屈折率に
なるようにすれば、アルカリバリアー膜上に透明電極パ
ターンが形成された部分と透明電極が形成されずにアル
カリバリアー膜のみが形成された部分との屈折率の差が
生じないため、透明電極パターンが目立たず、いわゆる
透明電極パターンの“骨見え”現象を防止できる。例え
ば、ガラス板/ZrとSiを含む酸化物からなるアルカリバ
リアー膜/ITO膜の構成の電導性ガラスにおいては、ITO
膜の屈折率約1.9に合わせて表１よりZr:Si＝70:30程度
とすればよい。あるいはディスプレー用素子等の製造に
おいて、位置合せの点で、透明電極パターンが見える方
が好まれるような場合にはITO膜と異なる屈折率とする
のが適当であり、Siの割合を多くして低屈折率とするこ
ともできる。このように、本発明のアルカリバリアー膜
の組成は、その上に形成される電導膜の屈折率に応じて
適宜選択することができる。
本発明のアルカリバリアー膜の膜厚は、十分なアルカリ
バリアー能が発揮されるように、50Å以上とするのが好
ましい。中でも、100Å〜5000Åの範囲が最も実用的で
ある。
バリアー能が発揮されるように、50Å以上とするのが好
ましい。中でも、100Å〜5000Åの範囲が最も実用的で
ある。
また、本発明の電導性ガラスに適用できるガラスとして
は、最も汎用されているNaやＫを10〜20wt％含むソーダ
ライムシリカ・ガラスは勿論、その他各種アルカリ含有
ガラス等が挙げられる。
は、最も汎用されているNaやＫを10〜20wt％含むソーダ
ライムシリカ・ガラスは勿論、その他各種アルカリ含有
ガラス等が挙げられる。
本発明の電導性ガラスにおいて、上述のアルカリバリア
ー膜上に形成される電導膜としては、ITO膜、ＦやSb等
がドープされたSnO2膜、Al等がドープされたZnO膜等の
透明電導性酸化物膜や、Ag,Au等の電導性金属膜等、ア
ルカリイオンによって劣化する可能性のある電導膜であ
れば良く、特に限定されない。
ー膜上に形成される電導膜としては、ITO膜、ＦやSb等
がドープされたSnO2膜、Al等がドープされたZnO膜等の
透明電導性酸化物膜や、Ag,Au等の電導性金属膜等、ア
ルカリイオンによって劣化する可能性のある電導膜であ
れば良く、特に限定されない。
［実施例］ 実施例１ 10cm×10cm×3mmのアルカリ成分R2O（R:Na,K）を15％含
む普通ガラス板（ソーダ・ライムシリカガラス板）を洗
剤で十分に洗浄し、水洗乾燥した。このガラス板をスパ
ッタリング装置の真空槽内に配置して同槽内を１×10-5
Torrまで排気した後、ZrとSiからなるターゲット（Zr:S
i＝10:90）を２×10-3Torrのアルゴンと酸素の混合ガス
中で直流スパッタリングを行なって、Zr0.1Si0.9O2膜を
約1000Å形成した。
む普通ガラス板（ソーダ・ライムシリカガラス板）を洗
剤で十分に洗浄し、水洗乾燥した。このガラス板をスパ
ッタリング装置の真空槽内に配置して同槽内を１×10-5
Torrまで排気した後、ZrとSiからなるターゲット（Zr:S
i＝10:90）を２×10-3Torrのアルゴンと酸素の混合ガス
中で直流スパッタリングを行なって、Zr0.1Si0.9O2膜を
約1000Å形成した。
比較例１ 実施例１と同様のガラス板にSiH4とO2ガスを用いてCVD
法によってSiO2膜を1000Å形成した。
法によってSiO2膜を1000Å形成した。
実施例１品と比較例１品をそれぞれ純水に接触させて90
℃に24時間保持した後、純水中に溶出したNa+の量を測
ってアルカリバリアー性を調べたところ実施例１品では
0.60μg/cm2、比較例１品では0.61μg/cm2であった。
又、実施例１品と比較例１品をそれぞれ５％NaOHで洗浄
し、次に純水に室温で24時間接触させて純水中に溶出し
たNa+の量（上記洗浄中に吸着したNa+の量）を測ってア
ルカリ吸着性を調べたところ、実施例１品で0.13μg/cm
2、比較例１品で0.14μg/cm2であった。このことから、
実施例１品は比較例とほぼ同等の特性があることがわか
った。
℃に24時間保持した後、純水中に溶出したNa+の量を測
ってアルカリバリアー性を調べたところ実施例１品では
0.60μg/cm2、比較例１品では0.61μg/cm2であった。
又、実施例１品と比較例１品をそれぞれ５％NaOHで洗浄
し、次に純水に室温で24時間接触させて純水中に溶出し
たNa+の量（上記洗浄中に吸着したNa+の量）を測ってア
ルカリ吸着性を調べたところ、実施例１品で0.13μg/cm
2、比較例１品で0.14μg/cm2であった。このことから、
実施例１品は比較例とほぼ同等の特性があることがわか
った。
実施例２ 実施例１と同様にして、Zr0.1Si0.9O2膜を約200Å形成
した。
した。
実施例３ ターゲットとしてZrSi2ターゲット（Zr:Si＝1:2）を用
い、他は実施例１と同様にして、Zr0.33Si0.66O2膜を約
200Å形成した。
い、他は実施例１と同様にして、Zr0.33Si0.66O2膜を約
200Å形成した。
実施例４ 実施例３と同様にして、Zr0.33Si0.66O2膜を約500Å形
成した。
成した。
実施例２〜４品につき、それぞれ純水に接触させて、85
℃に24時間保存した後、アルカリバリアー性およびアル
カリ吸着性を測定したところ表２のようになった。
℃に24時間保存した後、アルカリバリアー性およびアル
カリ吸着性を測定したところ表２のようになった。
実施例１〜４品につき、直流スパッタリング法で各アル
カリバリアー膜を形成後、かかるアルカリバリアー膜上
に直流スパッタリング法により連続してITO膜を形成
し、その後、90℃に24時間保存したが、ITO膜の外観変
化はなかった。
カリバリアー膜を形成後、かかるアルカリバリアー膜上
に直流スパッタリング法により連続してITO膜を形成
し、その後、90℃に24時間保存したが、ITO膜の外観変
化はなかった。
又、Hf,Nb,Sn,LaをZrの代わりに用いた場合でも上記実
施例と同様の結果を示し、アルカリバリアー性能が確認
された。
施例と同様の結果を示し、アルカリバリアー性能が確認
された。
［作用］ 本発明において、Zr,Hf等の金属とSiからなるターゲッ
トにおいて、Zr,Ti,Ta,Hf,Mo,W,Nb,La,Cr等は大部分珪
素化合物として、又、SnはSi-Sn合金として存在し、Si
に比べ酸素に対する活性が小さいため酸化されにくく、
直流スパッタリング中のターゲットの表面酸化による導
電性の低下を抑制するように働くため、直流スパッタリ
ング法で安定的に成膜可能であると考えられる。
トにおいて、Zr,Ti,Ta,Hf,Mo,W,Nb,La,Cr等は大部分珪
素化合物として、又、SnはSi-Sn合金として存在し、Si
に比べ酸素に対する活性が小さいため酸化されにくく、
直流スパッタリング中のターゲットの表面酸化による導
電性の低下を抑制するように働くため、直流スパッタリ
ング法で安定的に成膜可能であると考えられる。
［発明の効果］ 本発明の電導性ガラスのアルカリバリアー膜は、直流ス
パッタリング法により成膜できるので、大面積にわたり
均一な膜を高速で安定的に形成し提供することができ
る。これは、アルカリバリアー膜上に形成される電導膜
を直流スパッタリング法で形成する場合にはインライン
式でアルカリバリアー膜と電導膜を連続して成膜できる
ので特に生産性の上で大きな利点となる。
パッタリング法により成膜できるので、大面積にわたり
均一な膜を高速で安定的に形成し提供することができ
る。これは、アルカリバリアー膜上に形成される電導膜
を直流スパッタリング法で形成する場合にはインライン
式でアルカリバリアー膜と電導膜を連続して成膜できる
ので特に生産性の上で大きな利点となる。
本発明のアルカリバリアー膜付電導性ガラスは、液晶素
子、エレクトロクロミック素子、電場発光素子などの表
示素子やアモルファス太陽電池基板等に用いられる電導
性ガラスのアルカリ拡散防止膜として特に最適であり、
表１からわかるように耐熱性も有しており、かかる表示
素子、太陽電池等の製造過程やその後の種々の環境条件
に対しても安定で劣化することがない。勿論これらの他
にも、自動車、航空機、鉄道車輌その他各種交通車輌
用、建築用、各種装置用、光学部品用、電気部品用、電
子部品用のガラス板に電導性被膜、その他各種機能を持
った被膜を形成する際の下地コートに対し有用に適用で
きるものである。
子、エレクトロクロミック素子、電場発光素子などの表
示素子やアモルファス太陽電池基板等に用いられる電導
性ガラスのアルカリ拡散防止膜として特に最適であり、
表１からわかるように耐熱性も有しており、かかる表示
素子、太陽電池等の製造過程やその後の種々の環境条件
に対しても安定で劣化することがない。勿論これらの他
にも、自動車、航空機、鉄道車輌その他各種交通車輌
用、建築用、各種装置用、光学部品用、電気部品用、電
子部品用のガラス板に電導性被膜、その他各種機能を持
った被膜を形成する際の下地コートに対し有用に適用で
きるものである。
又、液晶セル等の周辺をシールする際、シール剤とガラ
スの間に本発明のアルカリバリアー膜を介在させると、
アルカリによるシール剤の剥離をも防止することができ
る。
スの間に本発明のアルカリバリアー膜を介在させると、
アルカリによるシール剤の剥離をも防止することができ
る。
又、本発明のアルカリバリアー膜はZr等の金属とSiの割
合を変えることにより所望の屈折率とすることができる
ので、上記各種用途に広範囲に利用できる。
合を変えることにより所望の屈折率とすることができる
ので、上記各種用途に広範囲に利用できる。
又、本発明のアルカリバリアー膜は、アルカリ吸着性も
低いため、液晶セル等の製造において、アルカリ含有液
で洗浄する工程があったとしても、十分使用できるもの
である。
低いため、液晶セル等の製造において、アルカリ含有液
で洗浄する工程があったとしても、十分使用できるもの
である。
Claims (4)
- 【請求項１】アルカリ含有ガラスの表面に、該ガラスか
らのアルカリ拡散を抑制するアルカリバリアー膜、及び
電導膜を順次積層した電導性ガラスであって、上記アル
カリバリアー膜は、直流スパッタリング法により成膜さ
れ、Zr,Hf,Nb,Sn,Laのうち少なくとも１種の金属とSiと
を含む酸化物を主成分とするアモルファスな膜であっ
て、該膜中におけるSi原子の含有割合は、前記金属とSi
との総和に対してSiが５原子％以上96原子％以下である
ことを特徴とする電導性ガラス。 - 【請求項２】アルカリバリアー膜が、Ti,Ta,Mo,W,Crの
うち少なくとも１種を含有することを特徴とする請求項
１記載の電導性ガラス。 - 【請求項３】アルカリ含有ガラスの表面に、Zr,Hf,Nb,S
n,Laのうち少なくとも１種の金属とSiとを含み、かつ、
Si原子の含有割合は、前記金属とSiとの総和に対してSi
が５原子％以上96原子％以下である酸化物を主成分とす
るアモルファスなアルカリバリアー膜を直流スパッタリ
ング法により形成し、次いで電導膜を形成することを特
徴とする電導性ガラスの製造方法。 - 【請求項４】電導膜を、アルカリバリアー膜と連続して
直流スパッタリング法によって形成することを特徴とす
る請求項３記載の電導性ガラスの製造方法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SG1996006789A SG43272A1 (en) | 1989-08-01 | 1990-08-01 | Film based on silicon dioxide and production thereof |
| EP90911700A EP0436741B1 (en) | 1989-08-01 | 1990-08-01 | DC sputtering method and target for producing films based on silicon dioxide |
| PCT/JP1990/000982 WO1991002102A1 (fr) | 1989-08-01 | 1990-08-01 | Film base sur du dioxide de silicium et sa production |
| DE69027590T DE69027590T2 (de) | 1989-08-01 | 1990-08-01 | Verfahren zur Herstellung von Schichten auf basis von Siliziumdioxyd mittels DC Sputtern und Target dafür |
| KR1019910700334A KR0185716B1 (en) | 1989-08-01 | 1991-04-01 | Laminated glass structure |
| US07/936,281 US5354446A (en) | 1988-03-03 | 1992-08-28 | Ceramic rotatable magnetron sputtering cathode target and process for its production |
| US08/323,579 US5605609A (en) | 1988-03-03 | 1994-10-17 | Method for forming low refractive index film comprising silicon dioxide |
| US08/429,845 US5772862A (en) | 1988-03-03 | 1995-04-27 | Film comprising silicon dioxide as the main component and method for its productiion |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1-197993 | 1989-08-01 | ||
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Publications (2)
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