JPH0780720B2 - 気相合成ダイヤモンド膜のパタ−ニング方法 - Google Patents
気相合成ダイヤモンド膜のパタ−ニング方法Info
- Publication number
- JPH0780720B2 JPH0780720B2 JP14037187A JP14037187A JPH0780720B2 JP H0780720 B2 JPH0780720 B2 JP H0780720B2 JP 14037187 A JP14037187 A JP 14037187A JP 14037187 A JP14037187 A JP 14037187A JP H0780720 B2 JPH0780720 B2 JP H0780720B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diamond film
- patterning
- phase synthetic
- vapor
- synthetic diamond
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 ニッケル、鉄、コバルト等の炭素を固溶する金属を、基
板のパターニング（除去）される領域に堆積しておき、
これをパターニング用マスクとして、その後、ダイヤモ
ンド膜を堆積すると、ニッケル、鉄、コバルト等の炭素
を固溶する金属の堆積されていない領域のみに選択的に
ダイヤモンド膜が堆積し、結果的にパターニングが実現
することを特徴とする気相合成ダイヤモンド膜のパター
ニング方法である。
板のパターニング（除去）される領域に堆積しておき、
これをパターニング用マスクとして、その後、ダイヤモ
ンド膜を堆積すると、ニッケル、鉄、コバルト等の炭素
を固溶する金属の堆積されていない領域のみに選択的に
ダイヤモンド膜が堆積し、結果的にパターニングが実現
することを特徴とする気相合成ダイヤモンド膜のパター
ニング方法である。
本発明は、気相合成ダイヤモンド膜のパターニング方法
の改良に関する。
の改良に関する。
メタンガスを含有する水素ガスを原料ガスとし、50Torr
程度の圧力下で炭化シリコン基板等を850℃程度の高温
に保持してなるマイクロ波プラズマ法を使用すると、上
記の炭化シリコン基板等の上に、ダイヤモンド膜を形成
することができることが知られている。
程度の圧力下で炭化シリコン基板等を850℃程度の高温
に保持してなるマイクロ波プラズマ法を使用すると、上
記の炭化シリコン基板等の上に、ダイヤモンド膜を形成
することができることが知られている。
ダイヤモンド膜は絶縁耐力と熱伝導率が高いので、回路
基板やヒートシンク等に用いる電子材料としてすぐれて
いる。
基板やヒートシンク等に用いる電子材料としてすぐれて
いる。
ダイヤモンド膜を電子機器の材料として使用する場合、
これに微細パターニングを施す必要がある場合が多い。
ダイヤモンド膜に使用可能の微細加工法としては、レー
ザビームを照射してなす物理的エッチング法、イオンビ
ームを照射してなす物理的エッチング法、二酸化窒素雰
囲気中でイオン照射を実施するイオンビームアシステッ
ドエッチング法等が知られているが、レーザビーム描画
装置やイオンビーム描画装置等を使用する必要があるば
かりでなく、いづれも、種々な点で十分満足すべきもの
ではなく、よりすぐれたパターニング方法の改良が望ま
れていた。
これに微細パターニングを施す必要がある場合が多い。
ダイヤモンド膜に使用可能の微細加工法としては、レー
ザビームを照射してなす物理的エッチング法、イオンビ
ームを照射してなす物理的エッチング法、二酸化窒素雰
囲気中でイオン照射を実施するイオンビームアシステッ
ドエッチング法等が知られているが、レーザビーム描画
装置やイオンビーム描画装置等を使用する必要があるば
かりでなく、いづれも、種々な点で十分満足すべきもの
ではなく、よりすぐれたパターニング方法の改良が望ま
れていた。
本発明の目的は、この要請に応えることにあり、工程数
が少なく、ダメージを発生するおそれなくダイヤモンド
膜をパターニングしうる方法を提供することにある。
が少なく、ダメージを発生するおそれなくダイヤモンド
膜をパターニングしうる方法を提供することにある。
上記の目的は、基板（２）上の一部領域（除去される領
域）に、ニッケル、鉄、または、コバルトの膜を堆積し
てこれをパターニング用マスク（３）とし、該パターニ
ング用マスク（３）を使用して、前記基板（２）の、前
記パターニング用マスク（３）に覆われていない領域
に、ダイヤモンド膜（４）を形成し、前記パターニング
用マスク（３）を除去して、前記基板（２）上の前記一
部領域（除去される領域）以外の領域に前記ダイヤモン
ド膜（４）を残留することを特徴とする気相合成ダイヤ
モンド膜のパターニング方法によって達成される。
域）に、ニッケル、鉄、または、コバルトの膜を堆積し
てこれをパターニング用マスク（３）とし、該パターニ
ング用マスク（３）を使用して、前記基板（２）の、前
記パターニング用マスク（３）に覆われていない領域
に、ダイヤモンド膜（４）を形成し、前記パターニング
用マスク（３）を除去して、前記基板（２）上の前記一
部領域（除去される領域）以外の領域に前記ダイヤモン
ド膜（４）を残留することを特徴とする気相合成ダイヤ
モンド膜のパターニング方法によって達成される。
本発明は、ダイヤモンド膜は一般に基板の材料を選ばず
に気相成長するが、ニッケル、鉄、コバルト等の炭素を
固溶する金属上には、成長しないという性質を積極的に
利用したものであり、これらの金属を、パターニング
（除去）される領域に堆積し、その後ダイヤモンド膜を
堆積すると、ニッケル、鉄、コバルト等の炭素を固溶す
る金属の堆積されていない領域のみに選択的にダイヤモ
ンド膜が堆積し、結果的にパターニングが実現するもの
である。
に気相成長するが、ニッケル、鉄、コバルト等の炭素を
固溶する金属上には、成長しないという性質を積極的に
利用したものであり、これらの金属を、パターニング
（除去）される領域に堆積し、その後ダイヤモンド膜を
堆積すると、ニッケル、鉄、コバルト等の炭素を固溶す
る金属の堆積されていない領域のみに選択的にダイヤモ
ンド膜が堆積し、結果的にパターニングが実現するもの
である。
以下、図面を参照しつゝ、本発明の一実施例に係る気相
合成ダイヤモンド膜のパターニング方法を利用してなす
ダイヤモンド回路基板の製造工程について説明する。
合成ダイヤモンド膜のパターニング方法を利用してなす
ダイヤモンド回路基板の製造工程について説明する。
第２図参照 20mm×20mm×1mmの高熱伝導率炭化シリコン基板１上
に、厚さ10μｍのダイヤモンド膜２を形成する。この工
程は、約２％メタンガスを含有する水素ガスを100SCCM
の流量で供給し、圧力50Torr程度で基板１を850℃程度
の高温に保持してなすマイクロ波プラズマ法を使用すれ
ば、約４時間をもって実行しうる。
に、厚さ10μｍのダイヤモンド膜２を形成する。この工
程は、約２％メタンガスを含有する水素ガスを100SCCM
の流量で供給し、圧力50Torr程度で基板１を850℃程度
の高温に保持してなすマイクロ波プラズマ法を使用すれ
ば、約４時間をもって実行しうる。
第３図参照 配線を形成する領域に、厚さ約1mm・線幅10μｍにニッ
ケル膜を堆積して、これをパターニング用マスク３とす
る。この工程は、スパッタ法とフォトリソグラフィー法
を使用すれば実行しうる。
ケル膜を堆積して、これをパターニング用マスク３とす
る。この工程は、スパッタ法とフォトリソグラフィー法
を使用すれば実行しうる。
第1a図参照 上記と同様にして、厚さ10μｍのダイヤモンド膜４を形
成する。このとき、ダイヤモンド膜はパターニング用マ
スク３上には殆ど成長しない。
成する。このとき、ダイヤモンド膜はパターニング用マ
スク３上には殆ど成長しない。
第1b図参照 パターニング用マスク３を溶解除去する。この工程は、
エッチャントとして硝酸を使用すれば容易に実行しう
る。
エッチャントとして硝酸を使用すれば容易に実行しう
る。
第４図参照 スパッタリング法を使用してリフラクトリメタル例えば
タングステンを堆積した後、ポリッシして、パターニン
グ用マスク３を溶解除去して形成した凹部領域に金属配
線５を形成する。
タングステンを堆積した後、ポリッシして、パターニン
グ用マスク３を溶解除去して形成した凹部領域に金属配
線５を形成する。
第６図参照 以上の工程を繰り返せば、多層の配線を形成することが
できる。
できる。
以上説明せるとおり、本発明によれば、レーザビーム描
画装置やイオンビーム描画装置等を使用する必要もな
く、その上にダイヤモンド膜が堆積しない性質を有する
マスクを使用してダイヤモンド膜を選択成長するので、
工程数も減少しており、当然エッチングによるダメージ
が発生するおそれもなく、極めて勝れている。
画装置やイオンビーム描画装置等を使用する必要もな
く、その上にダイヤモンド膜が堆積しない性質を有する
マスクを使用してダイヤモンド膜を選択成長するので、
工程数も減少しており、当然エッチングによるダメージ
が発生するおそれもなく、極めて勝れている。
第1a図、第1b図は、本発明の一実施例に係る気相合成ダ
イヤモンド膜のパターニング方法の要旨に係る工程を示
す図である。 第２、３、４、５図は、本発明の一実施例に係る気相合
成ダイヤモンド膜の工程図である。 １……炭化シリコン基板、２……ダイヤモンド膜、３…
…パターニング用マスク、４……ダイヤモンド膜、５…
…金属配線。
イヤモンド膜のパターニング方法の要旨に係る工程を示
す図である。 第２、３、４、５図は、本発明の一実施例に係る気相合
成ダイヤモンド膜の工程図である。 １……炭化シリコン基板、２……ダイヤモンド膜、３…
…パターニング用マスク、４……ダイヤモンド膜、５…
…金属配線。
Claims (1)
- 【請求項１】基板（２）上の一部領域に、ニッケル、
鉄、または、コバルトの膜を堆積してこれをパターニン
グ用マスク（３）とし、 該パターニング用マスク（３）を使用して、前記基板
（２）の、前記パターニング用マスク（３）に覆われて
いない領域に、ダイヤモンド膜（４）を形成し、 前記パターニング用マスク（３）を除去して、前記基板
（２）上の前記一部領域以外の領域に前記ダイヤモンド
膜（４）を残留する ことを特徴とする気相合成ダイヤモンド膜のパターニン
グ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14037187A JPH0780720B2 (ja) | 1987-06-04 | 1987-06-04 | 気相合成ダイヤモンド膜のパタ−ニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14037187A JPH0780720B2 (ja) | 1987-06-04 | 1987-06-04 | 気相合成ダイヤモンド膜のパタ−ニング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63303891A JPS63303891A (ja) | 1988-12-12 |
| JPH0780720B2 true JPH0780720B2 (ja) | 1995-08-30 |
Family
ID=15267269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14037187A Expired - Lifetime JPH0780720B2 (ja) | 1987-06-04 | 1987-06-04 | 気相合成ダイヤモンド膜のパタ−ニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0780720B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5130111A (en) * | 1989-08-25 | 1992-07-14 | Wayne State University, Board Of Governors | Synthetic diamond articles and their method of manufacture |
| US5082522A (en) * | 1990-08-14 | 1992-01-21 | Texas Instruments Incorporated | Method for forming patterned diamond thin films |
| US5413668A (en) * | 1993-10-25 | 1995-05-09 | Ford Motor Company | Method for making mechanical and micro-electromechanical devices |
| CN100366583C (zh) * | 2005-07-04 | 2008-02-06 | 中国科学院理化技术研究所 | 金刚石薄膜表面金属图形化的方法 |
| JP4870426B2 (ja) * | 2005-12-28 | 2012-02-08 | 中国砂輪企業股▲分▼有限公司 | 熱伝導効率の高い回路板 |
-
1987
- 1987-06-04 JP JP14037187A patent/JPH0780720B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63303891A (ja) | 1988-12-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6376096B1 (en) | Nanochannel glass replica membranes | |
| JP2001274144A (ja) | ドライエッチング方法、微細加工方法及びドライエッチング用マスク | |
| JPH0780720B2 (ja) | 気相合成ダイヤモンド膜のパタ−ニング方法 | |
| JPH07166380A (ja) | ダイヤモンド基体の整形方法 | |
| EP0010138A1 (en) | A method of treating aluminium microcircuits | |
| US9343664B2 (en) | Pattern fortification for HDD bit patterned media pattern transfer | |
| JPS63220524A (ja) | ダイヤモンド半導体のエツチング方法 | |
| ATE46791T1 (de) | Verfahren zum selektiven auffuellen von in isolationsschichten geaetzten kontaktloechern mit metallisch leitenden materialien bei der herstellung von hoechstintegrierten halbleiterschaltungen sowie eine vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens. | |
| KR0151165B1 (ko) | 다이아몬드 미세가공 방법 | |
| US3615947A (en) | Method of selective etching | |
| JP3226367B2 (ja) | ダイヤモンドの選択形成方法 | |
| US3592706A (en) | Selective etching technique for semiconductors | |
| JPH0212010B2 (ja) | ||
| Werbowy et al. | RF plasma selective etching of boron nitride films | |
| JP2734659B2 (ja) | 気相合成ダイヤモンド膜のパターニング方法 | |
| EP0260410A3 (en) | Process for selective physical vapour deposition | |
| JPH02109335A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH0449519B2 (ja) | ||
| JP2558128B2 (ja) | 金属配線の形成方法 | |
| JPH06275575A (ja) | ダイヤモンド薄膜のパターン形成方法 | |
| JPH0232590A (ja) | 銅・有機絶縁膜配線板の製造方法 | |
| JPH06264270A (ja) | 硬質カーボン膜のパターニング方法 | |
| JPH04157721A (ja) | プラズマエッチング方法 | |
| KR20120137048A (ko) | 그래핀의 전사 방법 | |
| JPH04124090A (ja) | ダイヤモンド膜の形成方法 |