JPH0783000B2 - Processor - Google Patents
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- JPH0783000B2 JPH0783000B2 JP59067703A JP6770384A JPH0783000B2 JP H0783000 B2 JPH0783000 B2 JP H0783000B2 JP 59067703 A JP59067703 A JP 59067703A JP 6770384 A JP6770384 A JP 6770384A JP H0783000 B2 JPH0783000 B2 JP H0783000B2
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- heater
- process tube
- furnace
- temperature
- heating
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
- H10P72/0434—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/06—Apparatus for monitoring, sorting, marking, testing or measuring
- H10P72/0602—Temperature monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/30—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations
- H10P72/33—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H10P72/3314—Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers
Description
【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、処理技術、特にプロセスチューブ内に収容し
た被処理物をヒータで加熱して処理する技術に関し、た
とえば、半導体装置の製造においてウエハ上に酸化膜を
形成する技術に利用して有効な技術に関する。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a processing technique, in particular, a technique of heating an object to be processed housed in a process tube with a heater for processing, and for example, oxidizing the wafer on a wafer in manufacturing a semiconductor device. The present invention relates to a technique effectively used for forming a film.
半導体装置の製造において、ウエハ上に酸化膜を形成す
るには、シリコンを酸化雰囲気中で加熱すればよい。こ
の方法もっとも簡単で一般的な方法であり、加熱ヒータ
と炉心管，温度コントローラおよび乾燥酸素もしくは水
蒸気が供給できればよい（電子材料1981年別冊、工業調
査会発行、昭和56年11月10日発行P72〜P76）。In manufacturing a semiconductor device, in order to form an oxide film on a wafer, silicon may be heated in an oxidizing atmosphere. This method is the simplest and most common method, as long as it can supply a heater, a core tube, a temperature controller, and dry oxygen or steam (Electronic Materials 1981 separate volume, published by Industrial Research Board, published on November 10, 1981 P72 ~ P76).
しかし、上述した方法によると、炉心管（以下プロセス
チューブとする）にウェハを搬入する時、炉口側の温度
が低下したり、水素（H2）の燃焼時、炉奥側の温度が上
昇したりして均一な温度分布が崩れるという問題点があ
ること、が本発明者によって明らかにされた。However, according to the method described above, when the wafer is loaded into the core tube (hereinafter referred to as the process tube), the temperature on the furnace mouth side decreases, and when hydrogen (H 2 ) is burned, the temperature on the inner side of the furnace rises. It has been clarified by the present inventor that there is a problem that the uniform temperature distribution collapses.
本発明の目的は、プロセスチューブ内の温度分布を均一
に維持することができる処理技術を提供することにあ
る。An object of the present invention is to provide a processing technique capable of maintaining a uniform temperature distribution in a process tube.
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろ
う。The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。The outline of a typical invention among the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.
すなわち、被処理物を収容するプロセスチューブ外部の
ヒータがプロセスチューブ内を加熱するように設けられ
ている処理装置において、前記ヒータがプロセスチュー
ブの長さ方向において複数に分割され、分割されたヒー
タ部は、前記被処理物のプロセスチューブへの搬入時の
加熱能力がその加熱処理時の加熱能力に対して変化する
ように、温度コントローラによって部分的に制御されて
成ることを特徴とする。これにより、被処理物の搬入時
やH2の燃焼時等にも、プロセスチューブ内の温度分布を
均一に維持できる。That is, in a processing apparatus in which a heater outside a process tube that accommodates an object to be processed is provided to heat the inside of the process tube, the heater is divided into a plurality of parts in the length direction of the process tube, and the divided heater part Is partially controlled by a temperature controller so that the heating capacity when the object to be processed is carried into the process tube changes with respect to the heating capacity during the heat processing. This makes it possible to maintain a uniform temperature distribution in the process tube even when the object to be treated is carried in or when H 2 is burned.
〔実施例１〕 第１図は本発明の一実施例である熱処理装置を示す縦断
面図、第２図〜第５図はその作用を説明するための各線
図である。[Embodiment 1] FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing a heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 2 to 5 are diagrams for explaining the operation thereof.
本実施例において、この熱処理装置はプロセスチューブ
１を備えており、このプロセスチューブ１は石英ガラス
によりほぼ円筒形状に形成されている。プロセスチュー
ブ１は、被処理物としてのウエハ２を複数枚立脚した状
態で整列させて保持する治具３を収容し得るように構成
されている。プロセスチューブ１の一端には治具３を出
し入れするための炉口４が開設されており、炉口４には
ドア５がこれを密閉し得るように開閉自在に取り付けら
れている。炉口４の近傍にはスカベンジャ６が設けら
れ、スカベンジャ６はプロセスチューブ１内を排気し得
るように構成されている。プロセスチューブ１の他端に
は酸素（O2）または窒素（N2）等の処理ガスを導入する
ための導入口７が開設されている。In this embodiment, this heat treatment apparatus includes a process tube 1, and the process tube 1 is made of quartz glass and has a substantially cylindrical shape. The process tube 1 is configured to be able to accommodate a jig 3 for aligning and holding a plurality of wafers 2 as objects to be processed in a standing state. A furnace port 4 is provided at one end of the process tube 1 for loading and unloading the jig 3, and a door 5 is attached to the furnace port 4 so that the door 5 can be opened and closed so as to be hermetically sealed. A scavenger 6 is provided near the furnace port 4, and the scavenger 6 is configured to be able to exhaust the inside of the process tube 1. An inlet port 7 for introducing a processing gas such as oxygen (O 2 ) or nitrogen (N 2 ) is opened at the other end of the process tube 1.
プロセスチューブ１の外部にはヒータＨがプロセスチュ
ーブ１内全体を加熱し得るように設けられており、ヒー
タＨはプロセスチューブ１の長手方向において、第１分
割ヒータ（以下、第１ヒータという。）H1〜第４分割ヒ
ータ（同様）H4に４分割されている。第１ヒータH1は炉
口領域に設けられる。第２ヒータH2及び第３ヒータH3
は、共にウェハ処理領域である均熱領域に設けられ、同
様の構成即ちヒータ線の径，ピッチ等が同一とされる
が、第２ヒータH2は、均熱領域の炉口側端部に設け、第
３ヒータH3よりもヒータ長が短くなっており従って熱容
量が小さくなっている。第４ヒータH4は炉奥領域に設け
られる。第１〜第４分割ヒータH1〜H4はコントローラ８
によりその加熱能力をそれぞれ所望通りに設定でき得る
ようになっている。A heater H is provided outside the process tube 1 so as to heat the entire inside of the process tube 1. The heater H is a first divided heater (hereinafter referred to as a first heater) in the longitudinal direction of the process tube 1. It is divided into four from H1 to the fourth heater (similar) H4. The first heater H1 is provided in the furnace port area. Second heater H2 and third heater H3
Are provided in a soaking region which is a wafer processing region, and have the same configuration, that is, the diameters and pitches of the heater wires are the same, but the second heater H2 is provided at the furnace opening side end of the soaking region. , The heater length is shorter than that of the third heater H3, and therefore the heat capacity is smaller. The fourth heater H4 is provided in the furnace inner area. The first to fourth divided heaters H1 to H4 are the controller 8
This allows the heating capacity to be set as desired.
次に作用を説明する。Next, the operation will be described.
なお、第２図〜第５図において、（ａ）はプロセスチュ
ーブ内の温度分布図、（ｂ）は第１〜第４ヒータの加熱
能力度線図である。2 to 5, (a) is a temperature distribution diagram in the process tube, and (b) is a heating ability degree diagram of the first to fourth heaters.
まず、プロセスチューブ１は第１〜第４ヒータH1〜H4に
より、第２図（ａ）に示されるように、炉内温度分布が
そのウェハ２が収容され熱処理を受ける均熱領域（以
下、中央部という）において均一な所定温度になるよう
に予熱される。このとき、第１〜第４ヒータH1〜H4の加
熱能力はコントローラ８により、第２図（ｂ）に示され
るようにほぼ均一に設定される。First, in the process tube 1, as shown in FIG. 2A, the temperature distribution in the furnace is soaked by the first to fourth heaters H1 to H4 that the wafer 2 is accommodated and subjected to heat treatment. Part) is preheated to a uniform predetermined temperature. At this time, the heating capacities of the first to fourth heaters H1 to H4 are set to be substantially uniform by the controller 8 as shown in FIG. 2 (b).
ドア５を開放して治具３に保持されたウェハ２を炉口４
からプロセスチューブ１内に搬入する直前、第３図
（ｂ）に実線で示されるように、第１ヒータH1と第２ヒ
ータH2の加熱能力は後述するドア５の開放によるプロセ
スチューブ１内の温度降下分、コントローラ８の指令に
より、第３ヒータH3,第４ヒータH4の加熱能力よりも高
められる。これにより、プロセスチューブ１内の温度分
布は、第３図（ａ）に示されるように、炉口４付近が他
の領域よりも高温になった分布状態になる。The wafer 5 held by the jig 3 is opened by opening the door 5 and the furnace opening 4
Immediately before being loaded into the process tube 1 from above, the heating capacity of the first heater H1 and the second heater H2, as indicated by the solid line in FIG. The amount of the drop is increased by the command of the controller 8 to be higher than the heating capacity of the third heater H3 and the fourth heater H4. As a result, the temperature distribution in the process tube 1 becomes a distribution state in which the temperature in the vicinity of the furnace port 4 is higher than in other regions, as shown in FIG. 3 (a).
なお第３図（ａ）において、破線Ａは、均一に加熱され
た場合の炉口４付近の温度分布を示し、破線Ｂは、後述
するドア５開放による均一加熱時の温度降下を示す。In FIG. 3 (a), the broken line A shows the temperature distribution in the vicinity of the furnace opening 4 when heated uniformly, and the broken line B shows the temperature drop during uniform heating by opening the door 5 described later.
ウエハ２を搬入すべくドア５を開放すると、プロセスチ
ューブ１内の高温雰囲気が炉口４から逃げ、均一に加熱
した場合には第４図（ａ）に破線で示すように、プロセ
スチューブ１内の温度が炉口４から中央部付近に至るま
で降下する。When the door 5 is opened to carry in the wafer 2, the high temperature atmosphere in the process tube 1 escapes from the furnace opening 4, and when the wafer 2 is uniformly heated, as shown by a broken line in FIG. Temperature drops from the furnace port 4 to near the center.
しかしながら、第３図（ａ）に示されているように、炉
口４付近が予めドア５開放によるプロセスチューブ１内
の温度降下分、高温になっていること、さらにウエハ２
を搬入している間の温度降下が中央部まで至るのを防止
するため、搬入中、第４図（ｂ）に示されるように、第
１ヒータH1と第２ヒータH2はコントローラ８の指令によ
り加熱能力を高められ続ける。これにより、プロセスチ
ューブ１内の温度分布は、第４図（ａ）に示されるよう
に、ほぼ均一な分布状態になる。However, as shown in FIG. 3 (a), the vicinity of the furnace port 4 is already high in temperature due to the temperature drop in the process tube 1 due to the opening of the door 5, and further, the wafer 2
In order to prevent the temperature drop from reaching the central part during the loading, during the loading, as shown in FIG. 4 (b), the first heater H1 and the second heater H2 are instructed by the controller 8. Continues to be able to improve the heating capacity. As a result, the temperature distribution in the process tube 1 becomes substantially uniform as shown in FIG. 4 (a).
治具３がプロセスチューブ１内のほぼ中央に位置決めさ
れ、ドア５が閉じられると、第５図（ｂ）に示されるよ
うに、第１〜第４ヒータH1〜H4はその加熱能力をほぼ等
しく制御される。これにより、第５図（ａ）に示される
ように、プロセスチューブ１内の温度分布はほぼ均一な
分布状態に維持される。この状態において、導入口７か
らO2またはN2等の処理ガスがプロセスチューブ１内に導
入される。このとき、プロセスチューブ１内の温度分布
が均一になっているため、治具３上のウエハ２群全体お
よび各ウエハ２全面にわたって均一な成膜処理が行われ
ることになる。When the jig 3 is positioned substantially in the center of the process tube 1 and the door 5 is closed, the heating capacities of the first to fourth heaters H1 to H4 are substantially equal as shown in FIG. 5 (b). Controlled. As a result, the temperature distribution in the process tube 1 is maintained in a substantially uniform distribution state, as shown in FIG. In this state, a processing gas such as O 2 or N 2 is introduced into the process tube 1 from the inlet 7. At this time, since the temperature distribution in the process tube 1 is uniform, uniform film formation processing is performed over the entire group of wafers 2 on the jig 3 and the entire surface of each wafer 2.
〔実施例２〕 第６図は本発明の他の実施例を示す縦断面図、第７図〜
第10図はその作用を説明するための各線図である。[Embodiment 2] FIG. 6 is a longitudinal sectional view showing another embodiment of the present invention, and FIG.
FIG. 10 is each diagram for explaining the operation.
本実施例が前記実施例と異なる点は、第３ヒータH3が第
２ヒータH2と共にウェハ処理領域である均熱領域に設け
られ、同様の構成即ちヒータ線の径，ピッチ等が同一と
されるが、均熱領域の炉奥側端部に設けられ、第２ヒー
タH2と比較してヒータ長が短くなっており従って熱容量
が小さく構成された点と、導入口７から水素（H2）およ
びO2が導入されるように構成されている点にある。The present embodiment is different from the above embodiment in that the third heater H3 is provided in the soaking area which is the wafer processing area together with the second heater H2, and the same configuration, that is, the heater wire diameter, pitch, etc. are made the same. Is provided at the end of the soaking region on the furnace inner side and has a shorter heater length as compared with the second heater H2, and thus has a small heat capacity, and hydrogen (H 2 ) from the inlet 7 and It is configured so that O 2 is introduced.
本実施例において、プロセスチューブ１内の中央部にウ
エハ３を保持した治具３が位置決めされると、第７図
（ｂ）に示されるように、第１〜第４ヒータH1〜H4は加
熱能力をコントローラ８によりほぼ均一に制御される。
これにより、プロセスチューブ１内の温度分布は、第７
図（ａ）に示されるように、ほぼ均一な状態に維持され
る。In this embodiment, when the jig 3 holding the wafer 3 is positioned in the center of the process tube 1, the first to fourth heaters H1 to H4 are heated as shown in FIG. 7 (b). The capacity is controlled almost uniformly by the controller 8.
As a result, the temperature distribution in the process tube 1 becomes
As shown in Figure (a), it is maintained in a substantially uniform state.
その後、導入口７からH2/O2が導入される前に、コント
ローラ８の指令により第３ヒータH3および第４ヒータH4
の加熱能力が後述するH2/O2導入時の燃焼によるプロセ
スチューブ１内の温度上昇分、低められる。このとき、
第３ヒータH3よりも第４ヒータH4の方が能力を一層低め
られる。これにより、プロセスチューブ１内の温度分布
は、第８図（ｂ）に示されるように、導入口７付近の温
度が低下した分布状態となる。After that, before the H 2 / O 2 is introduced from the introduction port 7, the third heater H3 and the fourth heater H4 are instructed by the controller 8
The heating capacity of the process tube 1 is reduced by the amount of temperature rise in the process tube 1 due to combustion at the time of introducing H 2 / O 2 described later. At this time,
The capacity of the fourth heater H4 can be further lowered than that of the third heater H3. As a result, the temperature distribution in the process tube 1 becomes a distribution state in which the temperature in the vicinity of the inlet 7 is lowered, as shown in FIG. 8 (b).
なお、第８図（ａ）において、破線Ｃは、均一に加熱さ
れた場合の導入口７付近の温度分布を示し、破線Ｄは、
後述するH2/O2導入時の、燃焼により均一加熱時の温度
上昇を示す。In addition, in FIG. 8 (a), a broken line C shows the temperature distribution in the vicinity of the inlet 7 when the heating is performed uniformly, and a broken line D is
It shows a temperature rise during uniform heating due to combustion when H 2 / O 2 is introduced as described later.
導入口７からH2/O2が導入されると、燃焼が始まるた
め、プロセスチューブ１内が均一に加熱されている場合
この燃焼により、第９図（ａ）に破線で示すように、プ
ロセスチューブ１内の温度が導入口７から中央部付近ま
で上昇する。この温度分布の不均衡により、酸化膜の膜
厚や膜質等が、治具３上のウエハ２群全体および各ウエ
ハ２全面にわたって不均一になってしまう。When H 2 / O 2 is introduced from the inlet 7, combustion starts, so that the inside of the process tube 1 is uniformly heated. As a result of this combustion, as shown by the broken line in FIG. The temperature inside the tube 1 rises from the inlet 7 to the vicinity of the central portion. Due to this imbalance in the temperature distribution, the film thickness, film quality, etc. of the oxide film become non-uniform over the entire group of wafers 2 on the jig 3 and over the entire surface of each wafer 2.
しかしながら、第８図（ａ）に示されているように、導
入口７付近がH2/O2導入時の、燃焼による温度上昇分、
低温になっていること、さらにH2が燃焼している間の温
度上昇が中央部にまで至るのを防止するため、燃焼中、
第９図（ｂ）に示されるように、第３ヒータH3と第４ヒ
ータH4はコントローラ８により加熱能力を適当な割合で
低下され続ける。これにより、プロセスチューブ１内の
温度分布は、第９図（ａ）に示されるように、ほぼ均一
な分布状態になる。However, as shown in FIG. 8 (a), the temperature rise due to combustion at the time of introducing H 2 / O 2 near the inlet 7,
In order to prevent the temperature from rising to the central part while the temperature is low and H 2 is burning,
As shown in FIG. 9B, the heating ability of the third heater H3 and the fourth heater H4 is continuously reduced by the controller 8 at an appropriate ratio. As a result, the temperature distribution in the process tube 1 becomes substantially uniform as shown in FIG. 9 (a).
燃焼が終了すると、第10図（ｂ）に示されるように、第
１〜第４ヒータH1〜H4はその加熱能力をほぼ等しく設定
される。これにより、第10図（ａ）に示されるように、
プロセスチューブ１内の温度分布はほぼ均一な分布状態
に維持される。When the combustion is completed, as shown in FIG. 10 (b), the heating capacities of the first to fourth heaters H1 to H4 are set to be substantially equal. As a result, as shown in FIG. 10 (a),
The temperature distribution in the process tube 1 is maintained in a substantially uniform distribution state.
〔実施例３〕 第11図は、本発明の他の実施例として、前記実施例１と
実施例２の組合わせた装置を示す。本実施例は、ヒータ
を５つに分割し、その加熱能力をそれぞれ所望通りに設
定でき得るようにしたことを特徴とする。[Embodiment 3] FIG. 11 shows a combined apparatus of Embodiments 1 and 2 as another embodiment of the present invention. The present embodiment is characterized in that the heater is divided into five parts so that the heating capacity can be set as desired.
本実施例において、この熱処理装置はプロセスチューブ
１を備えており、このプロセスチューブ１は石英ガラス
によりほぼ円筒形状に形成されている。プロセスチュー
ブ１は、被処理物としてのウエハ２を複数枚立脚した状
態で整列させて保持する治具３を収容し得るように構成
されている。プロセスチューブ１の一端には治具３を出
し入れするための炉口４が開設されており、炉口４には
ドア５がこれを密閉し得るように開閉自在に取り付けら
れている。炉口４の近傍にはスカベンジャ６が設けら
れ、スカベンジャ６はプロセスチューブ１内の排気し得
るように構成されている。プロセスチューブの他端に
は、導入口７が設けられ、導入口７からは水素（H2）お
よびO2が導入されるように構成されている。In this embodiment, this heat treatment apparatus includes a process tube 1, and the process tube 1 is made of quartz glass and has a substantially cylindrical shape. The process tube 1 is configured to be able to accommodate a jig 3 for aligning and holding a plurality of wafers 2 as objects to be processed in a standing state. A furnace port 4 is provided at one end of the process tube 1 for loading and unloading the jig 3, and a door 5 is attached to the furnace port 4 so that the door 5 can be opened and closed so as to be hermetically sealed. A scavenger 6 is provided in the vicinity of the furnace port 4, and the scavenger 6 is configured so that the inside of the process tube 1 can be exhausted. An inlet 7 is provided at the other end of the process tube, and hydrogen (H 2 ) and O 2 are introduced from the inlet 7.
プロセスチューブ１の外部にはヒータＨがプロセスチュ
ーブ１内全体を加熱し得るように設けられており、ヒー
タＨはプロセスチューブ１の長手方向において、第１分
割ヒータ（以下、第１ヒータという。）H1〜第５分割ヒ
ータ（同様）H5に５分割されている。そして、第２ヒー
タH2および第４ヒータH4は第３ヒータH3と共にウェハ処
理領域である均熱領域に設けられ、同様の構成即ちヒー
タ線の径，ピッチ等が同一とされるが、均熱領域の炉口
側の端部及び炉奥側端部に設けられ、第３ヒータH3と比
較してヒータ長が短くなっており従って熱容量が小さく
構成され、第５ヒータH5が炉奥領域に設けられている。
第１〜第５分割ヒータH1〜H5はコントローラ８によりそ
の加熱能力をそれぞれ所望通りに設定でき得るようにな
っている。A heater H is provided outside the process tube 1 so as to heat the entire inside of the process tube 1. The heater H is a first divided heater (hereinafter referred to as a first heater) in the longitudinal direction of the process tube 1. It is divided into five parts from H1 to the fifth split heater (similar) H5. The second heater H2 and the fourth heater H4 are provided in a soaking region which is a wafer processing region together with the third heater H3, and have the same configuration, that is, the heater wire diameter and pitch are the same, but the soaking region is the same. Is provided at the end on the furnace mouth side and the end on the furnace back side, the heater length is shorter than the third heater H3, and therefore the heat capacity is small, and the fifth heater H5 is provided in the furnace back area. ing.
The heating capacity of the first to fifth divided heaters H1 to H5 can be set by the controller 8 as desired.
次に作用を説明する。Next, the operation will be described.
つまり、ドア５を開放して治具３に保持されたウエハ２
を炉口４からプロセスチューブ１内に搬入する前、実施
例１と同様に第１ヒータH1と第２ヒータH2の加熱能力
を、ドア５の開放によるプロセスチューブ１内の温度降
下分、コントローラ８の指令により、高められており、
さらに、ウエハ２を搬入している間の温度降下が中央部
まで至るのを防止するため、搬入中も第１ヒータH1と第
２ヒータH2はコントローラ８の指令により加熱能力を高
められ続ける。これにより、プロセスチューブ１内の温
度分布は、ほぼ均一な分布状態になる。That is, the wafer 2 held by the jig 3 with the door 5 opened
Before loading the gas into the process tube 1 from the furnace port 4, the heating capacity of the first heater H1 and the second heater H2 is determined by the controller 8 as the temperature drop in the process tube 1 due to the opening of the door 5 as in the first embodiment. Has been increased by the order of
Further, in order to prevent the temperature drop during the loading of the wafer 2 to reach the central portion, the heating capability of the first heater H1 and the second heater H2 is continuously increased by the instruction of the controller 8 even during the loading. As a result, the temperature distribution in the process tube 1 becomes a substantially uniform distribution state.
また、実施例２と同様に、導入口７から、H2/O2が導入
される前に、コントローラ８の指令により第４ヒータH4
および第５ヒータH5の加熱能力がH2/O2導入、燃焼によ
るプロセスチューブ１内の温度上昇分、低められる。こ
のとき、第４ヒータH4よりも第５ヒータH5の方が能力を
一層低められる。さらに、H2が燃焼している間の温度上
昇が中央部にまで至るのを防止するため、燃焼中、第４
ヒータH4と第５ヒータH5はコントローラ８により加熱能
力を適当な割合で低下され続ける。これにより、プロセ
スチューブ１内の温度分布は、ほぼ均一な分布状況にな
る。Further, as in the second embodiment, before the H 2 / O 2 is introduced from the introduction port 7, the fourth heater H 4 is instructed by a command from the controller 8.
And, the heating capacity of the fifth heater H5 is lowered by the amount of temperature rise in the process tube 1 due to introduction of H 2 / O 2 and combustion. At this time, the ability of the fifth heater H5 is further lowered than that of the fourth heater H4. In addition, in order to prevent the temperature rise during combustion of H 2 from reaching the center,
The heating capacity of the heater H4 and the fifth heater H5 is continuously reduced by the controller 8 at an appropriate ratio. As a result, the temperature distribution in the process tube 1 becomes a substantially uniform distribution.
上述した作用によれば、被処理物の搬入時や、処理ガス
の燃焼時等のように温度分布の不均衡が発生するような
場合においても、加熱温度を調整することができるた
め、プロセスチューブ内の温度分布を均一に保て、被処
理物に対する処理を均一に行なうことができる。According to the above-described operation, the heating temperature can be adjusted even when the temperature distribution is unbalanced such as when the object to be processed is carried in or when the processing gas is burned. The temperature distribution in the inside can be kept uniform, and the object to be processed can be uniformly processed.
（１） ヒータをプロセスチューブの長さ方向において
複数に分割するとともに、各分割ヒータの加熱能力を所
望温度に設定でき得るように構成することにより、被処
理物の搬入時や処理ガスの燃焼時等にように温度分布の
不均衡が発生する場合において加熱温度を調整すること
ができるため、プロセスチューブ内の温度分布を常に均
一に維持することができる。(1) When the heater is divided into a plurality of pieces in the length direction of the process tube and the heating ability of each divided heater can be set to a desired temperature, when the object to be processed is carried in or the processing gas is burned Since the heating temperature can be adjusted when the temperature distribution is unbalanced as described above, the temperature distribution in the process tube can always be kept uniform.
（２） 温度分布を均一に維持することにより、被処理
物に対する処理を均一化することができる。(2) By maintaining the temperature distribution uniform, it is possible to make the treatment on the object to be treated uniform.
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, the present invention is not limited to the embodiments and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Nor.
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるウエハに酸化膜を形
成する熱処理装置に適用した場合について説明したが、
それに限定されるものではなく、たとえば、拡散炉,CVD
装置等にも適用できる。In the above description, the case where the invention made by the present inventor is mainly applied to a heat treatment apparatus for forming an oxide film on a wafer, which is a field of application which is the background of the invention, has been described.
For example, diffusion furnace, CVD
It can also be applied to devices and the like.
第１図は本発明の一実施例を示す縦断面図、 第２図は（ａ），（ｂ）〜第５図（ａ），（ｂ）はその
作用を説明するための各線図、 第６図は本発明の他の実施例を示す縦断面図、 第７図（ａ），（ｂ）〜第10図（ａ），（ｂ）はその作
用を説明するための各線図、 第11図は本発明の他の実施例を説明するための図であ
る。 １……プロセスチューブ、２……ウエハ、３……治具、
４……炉口、５……ドア、６……スカベンジャ、７……
導入口、８……コントローラ、H1〜H5……分割ヒータ。FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is (a), (b) to FIGS. 5 (a), (b) are diagrams for explaining the operation, FIG. 6 is a vertical cross-sectional view showing another embodiment of the present invention, and FIGS. 7 (a), (b) to 10 (a), (b) are respective line diagrams for explaining the action, and FIG. The figure is a diagram for explaining another embodiment of the present invention. 1 ... Process tube, 2 ... Wafer, 3 ... Jig,
4 ... Furnace mouth, 5 ... Door, 6 ... Scavenger, 7 ...
Inlet, 8 ... Controller, H1-H5 ... Split heater.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長友 宏人 東京都小平市上水本町1450番地 株式会社 日立製作所武蔵工場内 (56)参考文献 特開 昭57−112011（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−42119（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−50843（ＪＰ，Ａ) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Hiroto Nagatomo 1450 Kamimizuhonmachi, Kodaira-shi, Tokyo Inside Musashi Factory, Hitachi, Ltd. (56) References JP-A-57-112011 (JP, A) JP-A-SHO 57-42119 (JP, A) JP-A-58-50843 (JP, A)
Claims (1)
加熱するためにプロセスチューブの外部に設けたヒータ
が、炉口領域を加熱するヒータとウェハ処理領域を加熱
するヒータと炉奥領域を加熱するヒータとからなり各々
個別に制御される処理装置において、 ウェハ処理領域を加熱するヒータの炉奥側の端部及び炉
口側の端部を夫々個別に制御可能で且つ熱容量の小さい
ヒータとしたことを特徴とする処理装置。1. A heater provided outside a process tube for heating the inside of a process tube containing an object to be processed heats a heater for heating a furnace opening region, a heater for heating a wafer processing region, and a furnace inner region. In the processing equipment that consists of a heater that controls the wafer processing area, the heater that heats the wafer processing area has a small heat capacity that can be individually controlled at the furnace back end and the furnace mouth end. A processing device characterized by the above.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59067703A JPH0783000B2 (en) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | Processor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59067703A JPH0783000B2 (en) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | Processor |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8163278A Division JP2659926B2 (en) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | Processing equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60211913A JPS60211913A (en) | 1985-10-24 |
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Family
ID=13352577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59067703A Expired - Lifetime JPH0783000B2 (en) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | Processor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0783000B2 (en) |
Families Citing this family (3)
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Family Cites Families (3)
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|---|---|---|---|---|
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| JPS59175719A (en) * | 1983-03-26 | 1984-10-04 | Mitsubishi Electric Corp | Heat-treatment of semiconductor device |
-
1984
- 1984-04-06 JP JP59067703A patent/JPH0783000B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60211913A (en) | 1985-10-24 |
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|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |