JPH0783084B2 - 半導体素子用リ−ド装置 - Google Patents
半導体素子用リ−ド装置Info
- Publication number
- JPH0783084B2 JPH0783084B2 JP12777286A JP12777286A JPH0783084B2 JP H0783084 B2 JPH0783084 B2 JP H0783084B2 JP 12777286 A JP12777286 A JP 12777286A JP 12777286 A JP12777286 A JP 12777286A JP H0783084 B2 JPH0783084 B2 JP H0783084B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pellet
- bonding
- lead
- bonding portion
- inner lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
- H10W72/932—Plan-view shape, i.e. in top view
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、リードフレームやフィルムキャリアなどの半
導体素子用リード装置に係わり、特にインナーリードが
ファインピッチであってもその先端のボンディング部の
幅が十分広く取れるようにインナーリードのパターンを
工夫した半導体素子用リード装置に関する。
導体素子用リード装置に係わり、特にインナーリードが
ファインピッチであってもその先端のボンディング部の
幅が十分広く取れるようにインナーリードのパターンを
工夫した半導体素子用リード装置に関する。
（従来の技術） リードフレームやフィルムキャリアのインナーリード
は、その先端のボンディング部がペレットの側縁から適
当な距離をおいてその側縁に沿ってペレット上のボンデ
ィングパッドと同一ピッチで配列されていることが、ワ
イヤボンディングの特性上望ましい。
は、その先端のボンディング部がペレットの側縁から適
当な距離をおいてその側縁に沿ってペレット上のボンデ
ィングパッドと同一ピッチで配列されていることが、ワ
イヤボンディングの特性上望ましい。
このようにボンディング部を配列する従来のインナーリ
ードのパターンとしては、第２図のようにインナーリー
ド１をその先端付近の部分がペレット２上のボンディン
グパッド３と同一ピッチで互いに平行に並ぶように引き
出してその先端のボンディング部1aを一列に配列した平
行出しと呼ばれるものや、第３図のようにインナーリー
ド11の引き出す長さを変えてボンディング部11aを互い
違いに配列することにより、このボンディング部11aの
幅を平行出しより広く取れるようにした千鳥配列と呼ば
れるものなどがある。
ードのパターンとしては、第２図のようにインナーリー
ド１をその先端付近の部分がペレット２上のボンディン
グパッド３と同一ピッチで互いに平行に並ぶように引き
出してその先端のボンディング部1aを一列に配列した平
行出しと呼ばれるものや、第３図のようにインナーリー
ド11の引き出す長さを変えてボンディング部11aを互い
違いに配列することにより、このボンディング部11aの
幅を平行出しより広く取れるようにした千鳥配列と呼ば
れるものなどがある。
（発明が解決しようとする問題点） ところで、リードフレーム又はフィルムキャリアのパタ
ーン形成において、現状ではインナーリードとインナー
リードとの間隔は40μｍ程度が最小の限界値であり、こ
の値以下にリード間隔を縮めることは極めて困難であ
る。そのため、ファインピッチのリードフレームやフィ
ルムキャリアにおいては、ボンディング部の幅が十分に
取れないという問題が生じる。
ーン形成において、現状ではインナーリードとインナー
リードとの間隔は40μｍ程度が最小の限界値であり、こ
の値以下にリード間隔を縮めることは極めて困難であ
る。そのため、ファインピッチのリードフレームやフィ
ルムキャリアにおいては、ボンディング部の幅が十分に
取れないという問題が生じる。
例えば第２図、第３図において、仮にパッド３のピッチ
を100μｍとし、リード間隔をその最小限界値である40
μｍとしたならば、第２図の平行出しのパターンにおい
てはボンディング部1aのとり得る最大幅は図示のように
60μｍであり、第３図の千鳥配列では90μｍである。
を100μｍとし、リード間隔をその最小限界値である40
μｍとしたならば、第２図の平行出しのパターンにおい
てはボンディング部1aのとり得る最大幅は図示のように
60μｍであり、第３図の千鳥配列では90μｍである。
インナーリードのボンディング部の幅は、ワイヤボンデ
ィングの優劣に多大の影響を及ぼし、上記例のような幅
ではワイヤがボンディング部からはみ出すなどの欠陥が
生じる可能性が大きい。
ィングの優劣に多大の影響を及ぼし、上記例のような幅
ではワイヤがボンディング部からはみ出すなどの欠陥が
生じる可能性が大きい。
また、上記例においてパッド３のピッチを更に60μｍま
で縮めたならば、ボンディング部の最大幅は平行出しで
は20μｍ、千鳥配列では10μｍとなり、このような細い
パターンは作成不可能である（現状で量産可能なインナ
ーリードの最小幅は約40μｍである）。
で縮めたならば、ボンディング部の最大幅は平行出しで
は20μｍ、千鳥配列では10μｍとなり、このような細い
パターンは作成不可能である（現状で量産可能なインナ
ーリードの最小幅は約40μｍである）。
このようにファインピッチ化すると、インナーリードの
幅、特にその先端のボンディング部の幅が小さくなり過
ぎるという問題がある。本発明はフィインピッチであっ
てもボンディング部の幅は十分に広く取ることができる
半導体素子用リード装置を提供することを目的とする。
幅、特にその先端のボンディング部の幅が小さくなり過
ぎるという問題がある。本発明はフィインピッチであっ
てもボンディング部の幅は十分に広く取ることができる
半導体素子用リード装置を提供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段） 上記目的達成のために、本発明はインナーリード先端の
ボンディング部を複数の列に分けてペレットの側縁に沿
って配列し、ペレットに近い側に配列したボンディング
部からはインナーリードをペレット方向へ引き出して、
ペレットに遠い側に配列したボンディング部からアウタ
ーリードへ向って引き出されているインナーリード群の
外方を迂回させてアウターリードへ導いたものである。
ボンディング部を複数の列に分けてペレットの側縁に沿
って配列し、ペレットに近い側に配列したボンディング
部からはインナーリードをペレット方向へ引き出して、
ペレットに遠い側に配列したボンディング部からアウタ
ーリードへ向って引き出されているインナーリード群の
外方を迂回させてアウターリードへ導いたものである。
（作 用） インナーリードのボンディング部は複数列に分けて配列
してあるので、第２図の平行出しのように一列に配列し
ている場合に比較してボンディング部の幅は当然広く取
ることができる。しかも、ペレットに近い側に配列した
ボンディング部からは、インナーリードをペレット方向
へ引き出してペレットに遠い側のボンディング部からの
インナーリード群を迂回させてアウターリードへ導いて
いるので、第３図の千鳥配列のようにペレットに遠い側
のボンディング部の間にペレットに近い側のボンディン
グ部からのインナーリードが入り込むことがなく、ボン
ディング部の幅の拡大が邪魔されない。
してあるので、第２図の平行出しのように一列に配列し
ている場合に比較してボンディング部の幅は当然広く取
ることができる。しかも、ペレットに近い側に配列した
ボンディング部からは、インナーリードをペレット方向
へ引き出してペレットに遠い側のボンディング部からの
インナーリード群を迂回させてアウターリードへ導いて
いるので、第３図の千鳥配列のようにペレットに遠い側
のボンディング部の間にペレットに近い側のボンディン
グ部からのインナーリードが入り込むことがなく、ボン
ディング部の幅の拡大が邪魔されない。
（実施例） 以下、実施例により本発明を説明する。
本発明の一実施例を示す第１図において、インナーリー
ド21の先端のボンディング部21aは、ペレット１の辺縁
に近い側の列Ａと遠い側の列Ｂとに分けられて、ペレッ
ト辺縁に沿ってペレット上のボンディングパット３と同
一ピッチで配列されている。このように二列に分かれて
配列されている結果、各列A,Bにおけるボンディング部2
1aのピッチはボンディングパット３のピッチの２倍とな
っている。
ド21の先端のボンディング部21aは、ペレット１の辺縁
に近い側の列Ａと遠い側の列Ｂとに分けられて、ペレッ
ト辺縁に沿ってペレット上のボンディングパット３と同
一ピッチで配列されている。このように二列に分かれて
配列されている結果、各列A,Bにおけるボンディング部2
1aのピッチはボンディングパット３のピッチの２倍とな
っている。
ペレット１に遠い側の列Ｂに配列された各ボンディング
部21aからは、インナーリード21はペレット１から遠ざ
かる方向へ引き出されて各々のアウターリード（図示せ
ず）へ導かれている。また、ペレット１に近い側の列Ａ
に配列された各ボンディング部21aからは、インナーリ
ード21はペレット１へ向って引き出されてから、列Ｂの
ボンディング部21aから引き出されているインナーリー
ド群の外方を迂回して各々のアウターリード（図示せ
ず）へ導かれている。
部21aからは、インナーリード21はペレット１から遠ざ
かる方向へ引き出されて各々のアウターリード（図示せ
ず）へ導かれている。また、ペレット１に近い側の列Ａ
に配列された各ボンディング部21aからは、インナーリ
ード21はペレット１へ向って引き出されてから、列Ｂの
ボンディング部21aから引き出されているインナーリー
ド群の外方を迂回して各々のアウターリード（図示せ
ず）へ導かれている。
このため、列Ｂのボンディング部21aの相互間に列Ｂか
らのインナーリード21が入り込まず、各ボンディング部
21aの幅は隣接のボンディング部21aに接触しない最大限
まで拡大できる。
らのインナーリード21が入り込まず、各ボンディング部
21aの幅は隣接のボンディング部21aに接触しない最大限
まで拡大できる。
このようなインナーリードパターンにおいて、前述の第
2,3図と同様の条件下でボンディング部21aのとり得る最
大幅を求めてみると、ボンディングパッド３のピッチが
100μｍの場合には、上記最大幅は160μｍとなり、の第
2,3図の従来パターンに比較して２倍近くに拡大するこ
とができる。また、ボンディングパッド３のピッチが60
μｍの場合には、上記最大幅は80μｍとなり、この場合
には形成不可能である従来パターンに対して、本発明の
パターンは十分に形成可能である。
2,3図と同様の条件下でボンディング部21aのとり得る最
大幅を求めてみると、ボンディングパッド３のピッチが
100μｍの場合には、上記最大幅は160μｍとなり、の第
2,3図の従来パターンに比較して２倍近くに拡大するこ
とができる。また、ボンディングパッド３のピッチが60
μｍの場合には、上記最大幅は80μｍとなり、この場合
には形成不可能である従来パターンに対して、本発明の
パターンは十分に形成可能である。
更に、スペースが許すならば第３図の千鳥配列を併用し
て、例えば列Ｂのボンディング部21aを千鳥配列するよ
うにしたならば、更にその幅を大きくとることができ
る。
て、例えば列Ｂのボンディング部21aを千鳥配列するよ
うにしたならば、更にその幅を大きくとることができ
る。
尚、ボンディング部21aとボンディングパッド３とを接
続したワイヤが下方へたれ下がる、いわゆるワイヤーア
ンダーループによって、たれ下がったワイヤーがペレッ
ト１側へ引き出されたインナーリード21に接触する可能
性があるが、これはボンディング部21a以外の部分を絶
縁膜でマスクすることで防止できる。
続したワイヤが下方へたれ下がる、いわゆるワイヤーア
ンダーループによって、たれ下がったワイヤーがペレッ
ト１側へ引き出されたインナーリード21に接触する可能
性があるが、これはボンディング部21a以外の部分を絶
縁膜でマスクすることで防止できる。
以上説明したように、本発明はインナーリード先端のボ
ンディング部をペレットからの距離が異なる複数列に分
けて配列し、ペレットに近い側のボンディング部からは
ペレット方向へインナーリードを引き出して、ペレット
に遠い側のボンディング部から引き出されているインナ
ーリード群の外方を迂回させて各々のアウターリードへ
導いているので、従来の比較してボンディング部の幅を
格段に広くすることができ、従ってインナーリードのフ
ァインピッチ化ひいては半導体素子の高集積化、小型化
に大きく寄与することができる。
ンディング部をペレットからの距離が異なる複数列に分
けて配列し、ペレットに近い側のボンディング部からは
ペレット方向へインナーリードを引き出して、ペレット
に遠い側のボンディング部から引き出されているインナ
ーリード群の外方を迂回させて各々のアウターリードへ
導いているので、従来の比較してボンディング部の幅を
格段に広くすることができ、従ってインナーリードのフ
ァインピッチ化ひいては半導体素子の高集積化、小型化
に大きく寄与することができる。
第１図は本発明の一実施例のインナーリードのパターン
図、第２図及び第３図は従来のインナーリードのパター
ン図である。 1,11,21……インナーリード、1a,11a,21a……ボンディ
ング部、２……ペレット、３……ボンディングパッド、
A,B……ボンディング部の列。
図、第２図及び第３図は従来のインナーリードのパター
ン図である。 1,11,21……インナーリード、1a,11a,21a……ボンディ
ング部、２……ペレット、３……ボンディングパッド、
A,B……ボンディング部の列。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−90452（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−32452（ＪＰ，Ａ) 実開 昭59−72731（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】インナーリード先端のボンディング部を、
ペレット側縁からの距離が異なる複数の列に分けて前記
側縁に沿って配列し、前記ペレットに遠い側に配列した
ボンディング部からは、前記ペレットから遠ざかる方向
へインナーリードを引き出してアウターリードへ導き、
また前記ペレットに近い側に配列したボンディング部か
らは、前記ペレットへ向う方向へインナーリードを引き
出して、前記ペレットに遠い側のボンディング部から引
き出されたインナーリード群の外方を迂回させてアウタ
ーリードへ導いたことを特徴とする半導体素子用リード
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12777286A JPH0783084B2 (ja) | 1986-06-02 | 1986-06-02 | 半導体素子用リ−ド装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12777286A JPH0783084B2 (ja) | 1986-06-02 | 1986-06-02 | 半導体素子用リ−ド装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62283653A JPS62283653A (ja) | 1987-12-09 |
| JPH0783084B2 true JPH0783084B2 (ja) | 1995-09-06 |
Family
ID=14968312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12777286A Expired - Lifetime JPH0783084B2 (ja) | 1986-06-02 | 1986-06-02 | 半導体素子用リ−ド装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0783084B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0371646U (ja) * | 1989-11-16 | 1991-07-19 | ||
| JPH04186755A (ja) * | 1990-11-20 | 1992-07-03 | Matsushita Electron Corp | リードフレーム |
| JP2001298039A (ja) * | 2000-04-12 | 2001-10-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| KR100654338B1 (ko) * | 2003-10-04 | 2006-12-07 | 삼성전자주식회사 | 테이프 배선 기판과 그를 이용한 반도체 칩 패키지 |
| JP2005252140A (ja) * | 2004-03-08 | 2005-09-15 | Olympus Corp | 固体撮像装置用パッケージ |
-
1986
- 1986-06-02 JP JP12777286A patent/JPH0783084B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62283653A (ja) | 1987-12-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |