JPH0783950B2 - Light processing equipment - Google Patents
Light processing equipmentInfo
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- JPH0783950B2 JPH0783950B2 JP2114795A JP11479590A JPH0783950B2 JP H0783950 B2 JPH0783950 B2 JP H0783950B2 JP 2114795 A JP2114795 A JP 2114795A JP 11479590 A JP11479590 A JP 11479590A JP H0783950 B2 JPH0783950 B2 JP H0783950B2
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、例えばマスクを用いてレーザによりプリン
ト基板のバイアホール（via hole）の加工等を行なう光
処理装置に関するものである。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical processing device for processing a via hole of a printed circuit board by a laser using a mask, for example.
第７図、第８図は、例えば特開昭63−220991号公報に示
された従来の光処理装置であるレーザ加工装置を示すも
ので、第７図は装置の構成を示す構成図、第８図はマス
クの平面図である。7 and 8 show a laser processing apparatus which is a conventional optical processing apparatus disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 63-220991, and FIG. 7 is a block diagram showing the configuration of the apparatus. FIG. 8 is a plan view of the mask.
これらの図において、（１）は光線（図示せず）から発
せられたレーザ光であり、エキシマレーザが用いられて
いる。（２）はレーザ光（１）のビームを拡大するビー
ムエキスパンダ、（３）はマスクであり、第８図に示さ
れるように光を透過させる合成石英製の光透過板（3a）
の上に光を通過させる光通過部が所定の形状のパターン
（3b）を構成するように光を遮断する遮光部（3c）を薄
膜により形成し、光透過板（3a）を通して光を通過、即
ち透過させるようにしている。In these figures, (1) is a laser beam emitted from a light beam (not shown), and an excimer laser is used. (2) is a beam expander for expanding the beam of the laser light (1), (3) is a mask, and a light transmitting plate (3a) made of synthetic quartz for transmitting light as shown in FIG.
A light-shielding portion (3c) that blocks light so that the light-transmitting portion that transmits light constitutes a pattern (3b) having a predetermined shape, and transmits the light through the light-transmitting plate (3a). That is, it is made transparent.
なお、第８図においては図示の都合上パターン（3b）を
連続した形状のようにして示しているが、正確には、直
径20〔μｍ〕程度の光通過窓が多数、図のパターン（3
b）のような模様を描くように配設されているもので、
１平方センチメートル当り100個程度散在している。従
って、マスク（３）の開口率（光の通過部であるパター
（3b）の面積のマスク全体の面積に対する割合）は0.03
％程度である。（４）は、焦点距離ｆの結像レンズであ
り、マスク（３）から距離Ａ離して設けられている。
（５）は被処理物であるポリイミド製のプリント基板で
あり、結像レンズ（４）と距離Ｂを置いて設けられてい
る。Although the pattern (3b) is shown as a continuous shape in FIG. 8 for convenience of illustration, to be exact, there are many light passage windows with a diameter of about 20 μm and the pattern (3b) shown in FIG.
It is arranged so as to draw a pattern like b),
About 100 per square centimeter are scattered. Therefore, the aperture ratio of the mask (3) (ratio of the area of the putter (3b), which is the passage of light, to the total area of the mask) is 0.03.
%. Reference numeral (4) is an imaging lens having a focal length f, which is provided at a distance A from the mask (3).
Reference numeral (5) is a printed circuit board made of polyimide, which is an object to be processed, and is provided at a distance B from the imaging lens (4).
次に動作について説明する。レーザ光（１）はビームエ
キスパンダ（２）により、マスク（３）のパターンの大
きさまで拡張されてマスク（３）に照射される。マスク
（３）は、例えば第８図に示される所定のパターン（3
b）に対応する部分のみレーザ光（１）が通過する。そ
の後レーザ光（１）は結像レンズ（４）に入射して、結
像レンズ（４）、マスク（３）及びプリント基板（５）
相互間の距離の間に次の関係式 1/A＋1/B＝1/f が成立する時、マスク（３）のパターン（3b）が反転し
た形状でプリント基板（５）上に投影され、プリント基
板（５）上にそのパターンに従ってバイアホール（5a）
が加工される。この時、マスク（３）のパターン（3b）
に対応する投影像の倍率は、B/Aとなる。Next, the operation will be described. The laser light (1) is expanded by the beam expander (2) to the size of the pattern of the mask (3) and is applied to the mask (3). The mask (3) has a predetermined pattern (3
The laser light (1) passes only through the portion corresponding to b). After that, the laser light (1) enters the imaging lens (4), and the imaging lens (4), the mask (3) and the printed circuit board (5).
When the following relational expression 1 / A + 1 / B = 1 / f is established between the mutual distances, the pattern (3b) of the mask (3) is projected in an inverted shape on the printed circuit board (5) and printed. Via hole (5a) on the substrate (5) according to the pattern
Is processed. At this time, the pattern (3b) of the mask (3)
The magnification of the projected image corresponding to is B / A.
なお、マスク（３）の開口率は、0.03％と小さく、残る
99.97％の光はマスク（３）により吸収ないし反射され
る。The aperture ratio of the mask (3) is as small as 0.03% and remains.
99.97% of the light is absorbed or reflected by the mask (3).
従来のレーザ加工装置は以上のように構成されているの
で、マスクに照射されたレーザ光の大部分がマスク
（３）で吸収あるいは反射され、レーザ光のエネルギー
は殆ど（上記従来例では99.97％）が加工に使われるこ
となく損失となり、光の利用効率が低いという問題点が
あった。Since the conventional laser processing apparatus is configured as described above, most of the laser light applied to the mask is absorbed or reflected by the mask (3), and most of the laser light energy (99.97% in the above conventional example). ) Is lost without being used for processing, and there is a problem that the light use efficiency is low.
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、光の利用効率が高い光処理装置を得ることを
目的とする。The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to obtain an optical processing device having high light utilization efficiency.
この発明に係る光処理装置は、光を反射する反射部をマ
スクに設けるとともにこの反射部に対向させて反射手段
を設けてマスクの反射部で反射された光をさらにマスク
に向けて反射させるようにしたものである。In the optical processing device according to the present invention, the reflecting portion that reflects light is provided on the mask, and the reflecting means is provided so as to face the reflecting portion so that the light reflected by the reflecting portion of the mask is further reflected toward the mask. It is the one.
この発明においては、マスクに設けられた反射部が光通
過部を通らず有効に利用されない光を反射してマスクに
吸収されるのを防止し、反射手段により反射部から反射
された光を再びマスクへ反射しかえして光通過部を通ら
せ利用できるようにする。即ち、マスクに吸収されたり
反射され散乱して失なわれてしまう分を減少させて光の
エネルギーを有効に利用する。In the present invention, the reflection portion provided on the mask prevents the light that does not pass through the light passage portion from being effectively used and is prevented from being absorbed by the mask, and the light reflected from the reflection portion is reflected again by the reflection means. The light is reflected back to the mask so that it can be used by passing it through the light passage part. That is, the amount of light absorbed and reflected by the mask and scattered and lost is reduced to effectively use the energy of light.
以下、この発明の一実施例を構成図である第１図に基づ
いて説明する。第１図において、レーザ光（１）は波長
248〔nm〕のKrFエキシマレーザ光を用いた。（11）は集
光レンズであり、レーザ光（１）を集光する。（12）は
マスクで、合成石英板から成る光透過板（12a）の上に
所定の形状のパターン（12b）を残して蒸着されたアル
ミニウム膜から成る反射率90％以上の反射部である反射
膜（12c）により構成されている。（13）はレーザ光
（１）をマスク（12）上に導く穴（13a）を有し半径ｒ
の半球面を持つ反射手段としての球面鏡で、反射膜（12
c）で反射された光を再びマスク（12）へ反射する。他
は第７図の従来装置と同様であるので相当部分に同一符
号を付して説明を省略する。An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. In FIG. 1, the laser beam (1) has a wavelength
A 248 [nm] KrF excimer laser beam was used. Reference numeral (11) is a condenser lens, which condenses the laser light (1). Reference numeral (12) is a mask, which is a reflection portion having a reflectance of 90% or more, which is made of an aluminum film deposited on the light transmission plate (12a) made of a synthetic quartz plate while leaving a pattern (12b) of a predetermined shape. It is composed of a membrane (12c). (13) has a hole (13a) for guiding the laser beam (1) onto the mask (12) and has a radius r
With a spherical mirror as a reflection means having a hemisphere of
The light reflected by c) is reflected again on the mask (12). Others are the same as those of the conventional apparatus in FIG. 7, and therefore, corresponding portions will be denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted.
次に動作について説明する。レーザ光（１）は集光レン
ズ（11）で集光されて球面鏡（13）の穴（13a）を通過
する。穴（13a）は集光レンズ（11）の焦点近くに設け
ると、小さい穴でもレーザ光は球面鏡（13）に妨げられ
ることなく通過する。次にレーザ光（１）の一部はマス
ク（12）のパターン（12b）を通過する。レーザ光
（１）の残りの大部分は反射膜（12c）で反射され、さ
らに球面鏡（13）で反射されてマスク（12）を再び照射
し、その一部がマスク（12）のパターン（12b）を通過
する。レーザ光は反射膜（12c）と球面鏡（13）との間
で上記の動作を繰り返す。以上のようにしてマスク（1
2）のパターン（12b）を通過したレーザ光（１）は、従
来の装置の場合より高強度であり、このレーザ光（１）
はさらに結像レンズ（４）に入射した後、従来の装置と
同様にしてプリント基板（５）にバイアホール（5a）を
加工する。Next, the operation will be described. The laser light (1) is condensed by the condenser lens (11) and passes through the hole (13a) of the spherical mirror (13). If the hole (13a) is provided near the focal point of the condenser lens (11), the laser beam will pass through the spherical mirror (13) without being blocked even by a small hole. Next, a part of the laser light (1) passes through the pattern (12b) of the mask (12). Most of the rest of the laser light (1) is reflected by the reflection film (12c) and further reflected by the spherical mirror (13) to irradiate the mask (12) again, and a part of it is reflected by the pattern (12b) of the mask (12). ). The laser light repeats the above operation between the reflection film (12c) and the spherical mirror (13). Mask (1
The laser beam (1) that has passed through the pattern (12b) of 2) has a higher intensity than in the case of the conventional device.
After further entering the imaging lens (4), the via hole (5a) is processed in the printed board (5) in the same manner as in the conventional device.
以下にマスク（12）のパターン（12b）を通過するレー
ザ光（１）が、従来の装置の場合よりも高強度になる理
由を説明する。ここでは説明を簡単にするために、第２
図に示すようにレーザ光（１）が照射されるマスク（1
2）の反射膜（12c）の有効反射面を半径ｒの円形とす
る。マスク（12）及び球面鏡（13）のレーザ光（１）を
反射する面の表面積S0及びS1は、それぞれ次のようにな
る。The reason why the intensity of the laser beam (1) passing through the pattern (12b) of the mask (12) is higher than that of the conventional device will be described below. Here, in order to simplify the explanation, the second
As shown in the figure, the mask (1
The effective reflection surface of the reflection film (12c) in 2) is a circle with a radius r. The surface areas S0 and S1 of the surfaces of the mask (12) and the spherical mirror (13) that reflect the laser light (1) are as follows.
S0＝πr2 S1＝２πr2＝2S0 次にマスク（12）を最初に照射するレーザ光（１）の強
度I0とその後マスク（12）の反射膜（12c）及び球面鏡
（13）で繰り返し反射してマスク（12）を照射するレー
ザ光（１）の強度I1を計算する。レーザ光（１）の出力
をＰとすると、I0は次のようになる。S0 = πr 2 S1 = 2πr 2 = 2S0 Next, the intensity (I0) of the laser beam (1) that irradiates the mask (12) first, and then the reflection film (12c) and the spherical mirror (13) of the mask (12) repeatedly reflect the light. Then, the intensity I1 of the laser beam (1) irradiating the mask (12) is calculated. When the output of the laser light (1) is P, I0 is as follows.
I0＝P/S0 I1はマスク（12）と球面鏡（13）との間の多重反射光強
度の和であって、直接計算することは困難であるので、
完全な球面内における多重反射光強度計算の結果を代用
すると、次のようになる。I0 = P / S0 I1 is the sum of the multiple reflected light intensities between the mask (12) and the spherical mirror (13), which is difficult to calculate directly, so
Substituting the result of the multiple reflected light intensity calculation in a perfect sphere gives the following.
I1＝（P/S）・ρ／（１−ρ） Ｓ＝S0＋S1＝3S0 ここで ρ：反射面の反射率 s:反射面積 従って、マスク（12）を照射するレーザ光（１）の全強
度Ｉは次のようになる。I1 = (P / S) * ρ / (1-ρ) S = S0 + S1 = 3S0 where ρ: reflectance of the reflecting surface s: reflection area Therefore, the total intensity of the laser beam (1) irradiating the mask (12) I becomes as follows.
Ｉ＝I0＋I1＝I0＋（I0/3）・ρ／（１−ρ） アルミニウム蒸着膜から成る反射膜（12c）の反射率ρ
は、0.9以上であるから、 Ｉ≧４・I0 となるので、マスク（12）を照射するレーザ光（１）の
強度がI0である従来の装置に比べて、この一実施例によ
るレーザ光（１）の強さは４倍以上となり利用効率がは
るかに高いことは明らかである。I = I0 + I1 = I0 + (I0 / 3) · ρ / (1-ρ) Reflectance ρ of the reflective film (12c) made of aluminum vapor deposition film
Is 0.9 or more, and therefore I ≧ 4 · I0. Therefore, the laser light (1) of this embodiment is compared with the conventional laser light (1) which irradiates the mask (12) with an intensity of I0. It is clear that the strength of 1) is more than four times higher and the utilization efficiency is much higher.
なお、上記一実施例では反射膜（12c）アルミニウム蒸
着膜を用いたが、誘電体多層膜を用いてもよい。Although the reflective film (12c) aluminum vapor-deposited film is used in the above embodiment, a dielectric multilayer film may be used.
また、上記一実施例ではマスク（12）を通過した光を結
像レンズ（４）によってプリント基板（５）上へ転写し
ているが、第３図のように、マスク（12）とプリント基
板（５）とを近接させて転写しても、同様の効果を奏す
る。この場合マスク（12）のパターン（12b）に対応す
るプリント基板（５）上への投影像の倍率は１のままで
あるが、装置に第３図に結像レンズ（４）を備える必要
がなく、装置の構成が容易になる。さらに、第１図の実
施例では球面鏡（12）を使用しているが、放物面鏡その
他の形状のものや小さい平面鏡を組み合せて所要の反射
面を有する反射鏡としたものであってもよい。Further, in the above-described embodiment, the light passing through the mask (12) is transferred onto the printed circuit board (5) by the imaging lens (4), but as shown in FIG. Even if (5) and (5) are transferred close to each other, the same effect can be obtained. In this case, the magnification of the projected image on the printed circuit board (5) corresponding to the pattern (12b) of the mask (12) remains 1, but it is necessary to equip the apparatus with the imaging lens (4) in FIG. In addition, the configuration of the device becomes easy. Further, although the spherical mirror (12) is used in the embodiment of FIG. 1, it is also possible to use a parabolic mirror or other shape or a small plane mirror in combination to form a reflecting mirror having a required reflecting surface. Good.
第４図はさらにこの発明の他の実施例を示す構成図であ
り、図において、（21）はマスクであり、合成石英板の
光透過板（21a）の上にパターン（21）を形成するよう
に反射率99％の誘電体多層膜による反射膜（21c）を設
けている。（22）は同じく誘電体多層膜による反射面を
有する反射率99％の平面鏡であり、図のようにマスク
（21）の反射膜（21c）平行に対向されて配設されてい
る。FIG. 4 is a constitutional view showing another embodiment of the present invention. In the figure, (21) is a mask, and the pattern (21) is formed on the light transmitting plate (21a) of the synthetic quartz plate. As described above, the reflection film (21c) made of a dielectric multilayer film having a reflectance of 99% is provided. Reference numeral (22) is also a plane mirror having a reflection surface of a dielectric multilayer film with a reflectance of 99%, and is arranged so as to face the reflection film (21c) of the mask (21) in parallel as shown in the figure.
次に動作について説明する。レーザ光（１）がマスク
（21）の上端部に斜め上方から照射される。このレーザ
光（１）は反射膜（21c）と平面鏡（22）との間で反射
を繰り返しながらマスク（21）の下端部まで移動する。
その間、マスク（21）のパターン（21b）を通過したレ
ーザ光（１）は結像レンズ（４）に入射した後、従来の
装置と同様にしてプリント基板（５）を加工する。この
時、最初にレーザ光（１）がマスク（21）を照射する角
度は、平面鏡（22）で反射されたレーザ光（１）が隙間
なくマスク（21）面を照射するように決められている。
また、マスク（21）のパターン（21b）を通過した箇所
は、レーザ光（１）の欠けになるが、レーザ光（１）が
通過したパターン（21b）の幅（正確には直径20〔μ
ｍ〕の光通過窓の集合）寸法に比べてマスク（21）と平
面鏡（22）との距離は十分大きい（例えば20〔mm〕）の
で、マスク（21）で反射されたレーザ光（１）が平面鏡
（22）で反射されて再びマスク（21）へ戻るまでにレー
ザ光の（１）の欠けは消えている。Next, the operation will be described. The laser light (1) is applied to the upper end of the mask (21) from diagonally above. The laser light (1) moves to the lower end of the mask (21) while repeating reflection between the reflection film (21c) and the plane mirror (22).
Meanwhile, the laser beam (1) having passed through the pattern (21b) of the mask (21) is incident on the imaging lens (4), and then the printed board (5) is processed in the same manner as in the conventional device. At this time, the angle at which the laser light (1) first irradiates the mask (21) is determined so that the laser light (1) reflected by the plane mirror (22) irradiates the mask (21) surface without a gap. There is.
In addition, the portion of the mask (21) that has passed through the pattern (21b) has a lack of the laser light (1), but the width of the pattern (21b) through which the laser light (1) has passed (correctly, the diameter is 20 [μ
The distance between the mask (21) and the plane mirror (22) is sufficiently large (for example, 20 [mm]) as compared with the size (m) of the light passing window), so that the laser light (1) reflected by the mask (21) Is reflected by the plane mirror (22) and the laser light (1) lacks by the time it returns to the mask (21).
以上のように、マスク（21）を一度照射した光が繰り返
し利用されるようにしているので、レーザ光（１）の光
利用効率が高くなる。As described above, since the light once radiated on the mask (21) is repeatedly used, the light use efficiency of the laser light (1) is increased.
以下にレーザ光（１）の利用効率が従来の装置の場合に
比べて向上することを具体的に説明する。第４図におい
て、レーザ光（１）の出力はP,ビームの断面形状は10×
30〔mm×mm〕の長方形、マスク（21）は一辺30〔mm〕の
正方形で、マスク（21）におけるこのパターン（21b）
の開口率は第８図の従来例と同様0.03％である。It will be specifically described below that the utilization efficiency of the laser beam (1) is improved as compared with the conventional device. In Fig. 4, the output of laser light (1) is P, the cross-sectional shape of the beam is 10 ×
A rectangle of 30 [mm x mm], the mask (21) is a square with a side of 30 [mm], and this pattern (21b) on the mask (21)
The aperture ratio is 0.03% as in the conventional example shown in FIG.
最初レーザ光源から光強度I0のレーザ光が放出され、こ
の光は引き続きコリメータ（図示せず）によってビーム
断面形状が２×30〔mm×mm〕と1/5に縮小された矩形状
ビームに整形される。この時のレーザ光（１）の光強度
Ｉは初期強度I0の５倍になる。この光強度Ｉのレーザ光
（１）は、マスク（21）に斜め上方から照射されて、マ
スク（21）と平面鏡（22）との間で繰り返し反射され
る。この時、丁度パターン（21b）の所へ来たレーザ光
（１）がマスク（21）を通過するが、マスク（21）にお
けるパターン（21b）の開口率は0.03％と小さいため、
マスク（21）を通過する光の損失はマスク（21）の反射
膜（21c）と平面鏡（22）の反射面の損失の１％に比べ
て無視できる。そこでマスク（21）の反射膜（21c）及
び平面鏡（22）の反射率は99％であるから、レーザ光
（１）の多重反射に伴う減衰は、マスク（21）の下端部
に到達するまでに計８回反射がくりかえされるので（0.
99）の８乗≒0.92と求められる。即ち、マスク（21）に
照射されるレーザ光（１）は８％程度の分布を持つこと
になる。従って、レーザ光（１）の照射強度Ｉ＝５・I0
に対し92％の強度を維持しながら、マスク（21）の全面
にレーザ光（１）を照射することができる。第７図の従
来の装置の場合、マスク（３）に照射されるレーザ光
（１）の強度Ｉは、初期強度I0に等しいので、本発明に
よれば、光利用効率は従来の装置に比べて少なくとも５
×0.92＝4.6倍になっている。First, a laser beam with a light intensity I0 is emitted from the laser light source, and this beam is shaped by a collimator (not shown) into a rectangular beam whose beam cross-sectional shape is reduced to 2 × 30 [mm × mm] and 1/5. To be done. The light intensity I of the laser light (1) at this time is five times the initial intensity I0. The laser light (1) having the light intensity I is applied to the mask (21) obliquely from above and is repeatedly reflected between the mask (21) and the plane mirror (22). At this time, the laser light (1) that has just come to the pattern (21b) passes through the mask (21), but since the aperture ratio of the pattern (21b) in the mask (21) is as small as 0.03%,
The loss of light passing through the mask (21) is negligible compared to 1% of the loss of the reflective film (21c) of the mask (21) and the reflective surface of the plane mirror (22). Therefore, since the reflectance of the reflective film (21c) of the mask (21) and the plane mirror (22) is 99%, the attenuation due to the multiple reflection of the laser light (1) reaches the lower end of the mask (21). Since the reflection is repeated a total of 8 times (0.
99) 8th power ≈ 0.92. That is, the laser light (1) with which the mask (21) is irradiated has a distribution of about 8%. Therefore, the irradiation intensity of the laser beam (1) I = 5 · I0
While maintaining the intensity of 92%, the entire surface of the mask (21) can be irradiated with the laser beam (1). In the case of the conventional apparatus of FIG. 7, the intensity I of the laser beam (1) with which the mask (3) is irradiated is equal to the initial intensity I0. Therefore, according to the present invention, the light utilization efficiency is higher than that of the conventional apparatus. At least 5
× 0.92 = 4.6 times.
なお、第４図の実施例ではマスク（21）と平面鏡（22）
との間を多重反射して、利用されずにマスクの下端部か
ら出たレーザ光（１）はそのまま損失となってしまう
が、第５図に示されるように、その光を再度マスク（2
1）に戻すようにミラー（23）を平面鏡（22）の下方に
設置すれば更に光利用効率を高めることができる。In the embodiment shown in FIG. 4, the mask (21) and the plane mirror (22) are used.
The laser light (1) emitted from the lower end of the mask that has not been used due to multiple reflections between and is lost, but as shown in FIG.
If the mirror (23) is installed below the plane mirror (22) so as to return to 1), the light utilization efficiency can be further enhanced.
また、第６図に示されるように、二つのレーザ光（１）
をそれぞれ別の方向から、即ちマスク（21）の上，下端
部からマスク（21）に照射すると、より均一にマスク
（21）面を照射することができる。さらに第６図の実施
例において、第５図の実施例におけるミラー（23）をハ
ーフミラーに置き換えてレーザ光（１）をこのハーフミ
ラーを通してマスク（21）に入射させるとともにマスク
（21）の反射膜（21c）によって反射されたレーザ光も
ハーフミラーによって反射させるようにすることも可能
である。Further, as shown in FIG. 6, two laser beams (1)
When the mask (21) is irradiated from different directions, that is, from the upper and lower ends of the mask (21), the mask (21) surface can be irradiated more uniformly. Further, in the embodiment shown in FIG. 6, the mirror (23) in the embodiment shown in FIG. 5 is replaced with a half mirror so that the laser beam (1) is incident on the mask (21) through this half mirror and the reflection of the mask (21). The laser light reflected by the film (21c) can also be reflected by the half mirror.
以上の各実施例において、光の通過部であるパターン
（12b），（21b）は光透過板（12a），（21a）の上に形
成されるものを示したが、光透過板を用いずに例えば金
属薄板に所定の形状の透孔を穿設して、光の通過部とし
ても良い。In each of the above embodiments, the patterns (12b) and (21b), which are the light passage portions, are formed on the light transmitting plates (12a) and (21a), but the light transmitting plate is not used. Alternatively, for example, a through hole having a predetermined shape may be formed in a thin metal plate to serve as a light passage portion.
また、光はレーザ光に限られるものではなく、他の光で
あっても同様の効果を奏するし、光処理装置はレーザ光
によるアブレーション（ablation）加工に限らず他の加
工を行うものやフォトリソグラフィにおける露光装置等
であっても良い。Further, the light is not limited to laser light, and the same effect can be obtained with other light, and the optical processing device is not limited to ablation processing with laser light, and other processing or photo processing. It may be an exposure device in lithography.
以上のように、この発明によればマスクに反射部を設け
るとともに反射手段によりマスクへ再び光を反射しかえ
すように構成したので、光の利用効率が高い光処理装置
が得られる。As described above, according to the present invention, the mask is provided with the reflecting portion and the light is reflected back to the mask by the reflecting means. Therefore, a light processing device having high light utilization efficiency can be obtained.
第１図，第２図はこの発明の一実施例によるレーザ加工
装置を示すもので、第１図は構成図、第２図はマスクと
球面鏡の関係を示す平面図、第３図〜第６図はそれぞれ
この発明の他の実施例であるレーザ加工装置を示す構成
図、第７図は従来のレーザ加工装置を示す構成図、第８
図はマスクの平面図である。 図において、（１）はレーザ光、（５）はプリント基
板、（12），（21）はマスク、（12b），（21b）はパタ
ーン、（12c），（21c）は反射膜、（13）及び（22）は
それぞれ反射手段としての球面鏡及び平面鏡である。 なお、図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。1 and 2 show a laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 1 is a configuration diagram, FIG. 2 is a plan view showing a relationship between a mask and a spherical mirror, and FIGS. FIG. 7 is a block diagram showing a laser processing apparatus according to another embodiment of the present invention, FIG. 7 is a block diagram showing a conventional laser processing apparatus, and FIG.
The figure is a plan view of the mask. In the figure, (1) is a laser beam, (5) is a printed circuit board, (12) and (21) are masks, (12b) and (21b) are patterns, (12c) and (21c) are reflective films, and (13) ) And (22) are a spherical mirror and a plane mirror as reflecting means, respectively. In the drawings, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 内山 淑恵 兵庫県尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三 菱電機株式会社生産技術研究所内 (72)発明者 田中 正明 兵庫県尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三 菱電機株式会社生産技術研究所内 (56)参考文献 特開 平３−94989（ＪＰ，Ａ) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (72) Yoshie Uchiyama 8-1-1 Tsukaguchi Honcho, Amagasaki City, Hyogo Prefecture Sanryo Electric Co., Ltd. Institute of Industrial Science (72) Inventor Masaaki Tanaka 8-chome, Tsukaguchi Honmachi, Amagasaki City, Hyogo Prefecture No. 1-1 Sanryo Electric Co., Ltd. Production Technology Laboratory (56) Reference JP-A-3-94989 (JP, A)
Claims (5)
る光通過部と上記光を反射する反射部とを設けたマスク
及び上記反射部に対向して設けられ上記反射部で反射さ
れた上記光を上記マスクに向けて反射する反射手段を備
え、上記光通過部を通過した上記光により上記所定の形
状に従って被処理物を処理する光処理装置。1. A mask having a light passage portion having a predetermined shape for transmitting light from a light source and a reflection portion for reflecting the light, and a mask provided so as to face the reflection portion and reflected by the reflection portion. An optical processing apparatus, comprising: a reflecting unit that reflects the light toward the mask, and processes the object to be processed according to the predetermined shape by the light that has passed through the light passage unit.
た球面鏡であることを特徴とする特許請求範囲第１項記
載の光処理装置。2. The optical processing device according to claim 1, wherein the reflecting means is a spherical mirror arranged facing the mask.
た平面鏡であることを特徴とする特許請求範囲第１項記
載の光処理装置。3. The optical processing device according to claim 1, wherein the reflecting means is a plane mirror arranged facing the mask.
クに入射することを特徴とする特許請求範囲第３項に記
載の光処理装置。4. The light processing device according to claim 3, wherein the light emitted from the light source is incident on the mask obliquely from above.
射部より反射された光を上記マスクに向かって反射する
第一の平面と上記マスクの面と非平行に配置し、上記反
射部より反射された光のうち上記第一の平面により反射
されない光を上記マスクに向けて反射する第二の平面か
ら構成される鏡であることを特徴と特許請求範囲第１項
に記載の光処理装置。5. The reflecting means is arranged parallel to the surface of the mask, and is arranged not parallel to the first plane for reflecting the light reflected by the reflecting portion toward the mask and the surface of the mask, The light according to claim 1, characterized in that the mirror is composed of a second plane that reflects the light that is not reflected by the first plane among the light reflected by the section toward the mask. Processing equipment.
Priority Applications (4)
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| US07/659,691 US5223693A (en) | 1990-04-28 | 1991-02-25 | Optical machining apparatus |
| DE4106423A DE4106423C2 (en) | 1990-04-28 | 1991-02-26 | Laser processing device |
| CA002037063A CA2037063C (en) | 1990-04-28 | 1991-02-26 | Optical machining apparatus |
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|---|---|---|---|
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| JP1-264161 | 1989-10-11 | ||
| JP2114795A JPH0783950B2 (en) | 1989-10-11 | 1990-04-28 | Light processing equipment |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03210987A JPH03210987A (en) | 1991-09-13 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|---|
| US5310986A (en) * | 1992-04-28 | 1994-05-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Laser machining apparatus |
| JP3553116B2 (en) * | 1994-02-25 | 2004-08-11 | 三菱電機株式会社 | Light processing equipment |
| JP3751772B2 (en) | 1999-08-16 | 2006-03-01 | 日本電気株式会社 | Semiconductor thin film manufacturing equipment |
-
1990
- 1990-04-28 JP JP2114795A patent/JPH0783950B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012509194A (en) * | 2008-11-21 | 2012-04-19 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | Laser ablation tool through mask with sparse pattern |
| JP2015231638A (en) * | 2008-11-21 | 2015-12-24 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | Laser ablation tool through mask with sparse pattern |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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