JPH0784358B2 - シリコン融液からのデンドライトウエブ引き上げ装置 - Google Patents
シリコン融液からのデンドライトウエブ引き上げ装置Info
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- JPH0784358B2 JPH0784358B2 JP60242559A JP24255985A JPH0784358B2 JP H0784358 B2 JPH0784358 B2 JP H0784358B2 JP 60242559 A JP60242559 A JP 60242559A JP 24255985 A JP24255985 A JP 24255985A JP H0784358 B2 JPH0784358 B2 JP H0784358B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/02—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
- C30B15/12—Double crucible methods
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 本発明はシリコン融液からシリコンのデンドライトウェ
ブを引き上げる装置、特に融液を連続的に補給できるよ
うに改良した石英るつぼ溶融装置障壁に係わる。
ブを引き上げる装置、特に融液を連続的に補給できるよ
うに改良した石英るつぼ溶融装置障壁に係わる。
誘導加熱され、るつぼを収納するサセプタ（suscepto
r）を含む溶融装置を用いたシリコンのデンドライトウ
ェブの成長工程に関連して、コストを軽減し、結晶品質
を高める手段として融液の補給が重視されている。この
ような装置ではウェブ結晶の成長と並行してるつぼの一
端または両端で粒子やペレットが添加されるが、補給材
料の溶融が起こる領域において、熱が吸収されるため、
ウェブ引き上げの起点域に著しい温度のアンバランスが
発生する。
r）を含む溶融装置を用いたシリコンのデンドライトウ
ェブの成長工程に関連して、コストを軽減し、結晶品質
を高める手段として融液の補給が重視されている。この
ような装置ではウェブ結晶の成長と並行してるつぼの一
端または両端で粒子やペレットが添加されるが、補給材
料の溶融が起こる領域において、熱が吸収されるため、
ウェブ引き上げの起点域に著しい温度のアンバランスが
発生する。
理想的な温度条件としては、ペレットなどが補給される
領域が高温であり、るつぼの他の部分が材料補給によっ
て影響されてないことである。当業者に知られたアプロ
ーチの１つとして、るづぼ内に単数または複数の障壁を
使用することにより、デンドライトウェブ引き上げ領域
から比較的高温の融液補給領域を隔離する方式がある。
更に、断熱効果に変化を与えたり、誘導加熱コイルを移
動させることによって温度条件を調節する方法も種々試
みられている。しかし、このような温度調節は融液ゾー
ンと成長ゾーンとの間に線形の温度勾配を発生させ易
く、その結果、好ましくない結晶特性が現われる。ま
た、融液補給部から障壁開口部を通って溶融シリコンが
流入することによって成長チェンバの融液に混乱が生ず
る。
領域が高温であり、るつぼの他の部分が材料補給によっ
て影響されてないことである。当業者に知られたアプロ
ーチの１つとして、るづぼ内に単数または複数の障壁を
使用することにより、デンドライトウェブ引き上げ領域
から比較的高温の融液補給領域を隔離する方式がある。
更に、断熱効果に変化を与えたり、誘導加熱コイルを移
動させることによって温度条件を調節する方法も種々試
みられている。しかし、このような温度調節は融液ゾー
ンと成長ゾーンとの間に線形の温度勾配を発生させ易
く、その結果、好ましくない結晶特性が現われる。ま
た、融液補給部から障壁開口部を通って溶融シリコンが
流入することによって成長チェンバの融液に混乱が生ず
る。
これらの問題を解消するため、本発明は閉鎖された底
部、底部から立ち上がる側壁部材及び少なくとも一部開
口した頂部を有する細長い石英るつぼ手段と、前記るつ
ぼ手段内に横方向に配置されて前記るつぼ内にシリコン
融液補給部及びデンドライトウェブ引き上げ部を画定す
る石英障壁手段と、前記るつぼ手段の底部及び側部を加
熱してるつぼ内のシリコンを溶融させ、前記るつぼ手段
の前記ウェブ引き上げ部に溶融状態のシリコンを所定レ
ベル保持する加熱手段と、前記るつぼ手段のウェブ引き
上げ部内に保持されているシリコンの溶融面から所定の
速度でシリコンのデンドライトウェブを引き上げる手段
と、前記るつぼ手段の前記シリコン融液補給部に所定の
速度で未溶融状態のシリコンを補給するシリコン補給手
段とから成るシリコン融液からのデンドライトウェブを
引き上げる装置において、前記石英障壁手段が底縁手
段、側縁手段及び頂縁手段を含む所定の形状を有し、前
記石英障壁手段の底縁手段が前記るつぼ手段の底と密封
関係に係合し、前記石英障壁手段の側縁手段の一部が前
記るつぼ手段の側縁手段と密封関係に係合し、前記障壁
手段の頂縁手段が前記るつぼ手段に収容される溶融シリ
コンのレベルよりも上方に位置し、前記障壁の側縁手段
に切り欠きにより構成された開口部手段を設けることに
より、前記るつぼ手段の側縁の一部と共に所定寸法の開
口部を形成させ、前記開口部手段を、るつぼの底部及び
側部付近で初めて溶融するシリコンがるつぼのシリコン
補給部の加熱される底部に滞留し、滞留量が所定の深さ
に達するまで溶融シリコンがデンドライトウェブ引き上
げ部に直接流入しないようにるつぼの底部から所定距離
だけ上方に配置すると共に、るつぼ内の溶融シリコン上
に支持されている未溶融シリコンがるつぼのシリコン融
液補給部からウェブ引き上げ部へ流入しないようにるつ
ぼのシリコン融液補給部における溶融シリコンの所定の
レベルよりも所定距離だけ下方に配置し、前記障壁手段
に形成した前記開口部手段の寸法を、少なくとも充分な
流量のシリコンが前記ウェブ引き上げ部へ流入できる大
きさに設定し、前記障壁手段の前記開口部手段を前記る
つぼ手段の側部付近に配置することにより、溶融シリコ
ンが加熱されているるつぼ側壁付近でウェブ引き上げ部
に流入してシリコンがシリコンデンドライトウェブ引き
上げに適した温度に達しているようにすることを特徴と
するシリコン融液からのデンドライトウェブ引き上げ装
置を提供する。
部、底部から立ち上がる側壁部材及び少なくとも一部開
口した頂部を有する細長い石英るつぼ手段と、前記るつ
ぼ手段内に横方向に配置されて前記るつぼ内にシリコン
融液補給部及びデンドライトウェブ引き上げ部を画定す
る石英障壁手段と、前記るつぼ手段の底部及び側部を加
熱してるつぼ内のシリコンを溶融させ、前記るつぼ手段
の前記ウェブ引き上げ部に溶融状態のシリコンを所定レ
ベル保持する加熱手段と、前記るつぼ手段のウェブ引き
上げ部内に保持されているシリコンの溶融面から所定の
速度でシリコンのデンドライトウェブを引き上げる手段
と、前記るつぼ手段の前記シリコン融液補給部に所定の
速度で未溶融状態のシリコンを補給するシリコン補給手
段とから成るシリコン融液からのデンドライトウェブを
引き上げる装置において、前記石英障壁手段が底縁手
段、側縁手段及び頂縁手段を含む所定の形状を有し、前
記石英障壁手段の底縁手段が前記るつぼ手段の底と密封
関係に係合し、前記石英障壁手段の側縁手段の一部が前
記るつぼ手段の側縁手段と密封関係に係合し、前記障壁
手段の頂縁手段が前記るつぼ手段に収容される溶融シリ
コンのレベルよりも上方に位置し、前記障壁の側縁手段
に切り欠きにより構成された開口部手段を設けることに
より、前記るつぼ手段の側縁の一部と共に所定寸法の開
口部を形成させ、前記開口部手段を、るつぼの底部及び
側部付近で初めて溶融するシリコンがるつぼのシリコン
補給部の加熱される底部に滞留し、滞留量が所定の深さ
に達するまで溶融シリコンがデンドライトウェブ引き上
げ部に直接流入しないようにるつぼの底部から所定距離
だけ上方に配置すると共に、るつぼ内の溶融シリコン上
に支持されている未溶融シリコンがるつぼのシリコン融
液補給部からウェブ引き上げ部へ流入しないようにるつ
ぼのシリコン融液補給部における溶融シリコンの所定の
レベルよりも所定距離だけ下方に配置し、前記障壁手段
に形成した前記開口部手段の寸法を、少なくとも充分な
流量のシリコンが前記ウェブ引き上げ部へ流入できる大
きさに設定し、前記障壁手段の前記開口部手段を前記る
つぼ手段の側部付近に配置することにより、溶融シリコ
ンが加熱されているるつぼ側壁付近でウェブ引き上げ部
に流入してシリコンがシリコンデンドライトウェブ引き
上げに適した温度に達しているようにすることを特徴と
するシリコン融液からのデンドライトウェブ引き上げ装
置を提供する。
以下、添付図面に沿って好ましい実施例を説明すること
によって本発明の詳細な内容を明らかにする。
によって本発明の詳細な内容を明らかにする。
第１図及び第２図において、20は閉鎖底部22及び該底部
から上向きに立ち延び側壁部材24を具備する細長い石英
るつぼ手段であり、るつぼの頂部は少なくとも一部が開
口している。第２図に断面図で示すように、るつぼ20内
にはシリコン融液補給部28及びそれから分離したデンド
ライトウェブ引き上げ部30を画定する石英障壁26が左右
に配置されている。別の実施例として第３図に示するつ
ぼ32では唯一の障壁26を用いることにより、１つのデン
ドライトウェブ引き上げ部30及び１つのシリコン融液補
給部28を形成する。この実施例でもるつぼ32の側壁34は
垂直である。
から上向きに立ち延び側壁部材24を具備する細長い石英
るつぼ手段であり、るつぼの頂部は少なくとも一部が開
口している。第２図に断面図で示すように、るつぼ20内
にはシリコン融液補給部28及びそれから分離したデンド
ライトウェブ引き上げ部30を画定する石英障壁26が左右
に配置されている。別の実施例として第３図に示するつ
ぼ32では唯一の障壁26を用いることにより、１つのデン
ドライトウェブ引き上げ部30及び１つのシリコン融液補
給部28を形成する。この実施例でもるつぼ32の側壁34は
垂直である。
第４−６図は従来型の石英障壁部材の立面図である。第
４図の障壁部材36はその底部に１つの切り欠き部38を具
備する。この実施例の場合、るつぼの底付近で溶融し始
めるシリコンがそのままウェブ引き上げ部へ流入し、そ
の結果、ウェブ引き上げ部に好ましくない温度勾配が発
生する。
４図の障壁部材36はその底部に１つの切り欠き部38を具
備する。この実施例の場合、るつぼの底付近で溶融し始
めるシリコンがそのままウェブ引き上げ部へ流入し、そ
の結果、ウェブ引き上げ部に好ましくない温度勾配が発
生する。
第５図に示す他の公知実施例40は底部と頂部を結ぶ２つ
の小さい直立部42を含む４片構成の障壁である。この実
施例では、４片によって画定される開口部44の中心部を
通るかなりの流れが生起し、両外側の開口部及び中央開
口部を介するシリコンの流入によりウェブ引き上げ部に
温度勾配が発生する。また、直立部42の融接部分が早く
破損し易い。
の小さい直立部42を含む４片構成の障壁である。この実
施例では、４片によって画定される開口部44の中心部を
通るかなりの流れが生起し、両外側の開口部及び中央開
口部を介するシリコンの流入によりウェブ引き上げ部に
温度勾配が発生する。また、直立部42の融接部分が早く
破損し易い。
第６図にはさらに別の従来型障壁実施例46を示したが、
この実施例ではるつぼの底のやや上方に矩形の開口部48
を１箇所だけ形成してある。この実施例ではシリコンが
障壁の中央部だけしか通れず、その結果、ある程度の物
理的混乱や温度上の問題が発生し、しかも、このような
実施例の製造コストは極めて高くつく。
この実施例ではるつぼの底のやや上方に矩形の開口部48
を１箇所だけ形成してある。この実施例ではシリコンが
障壁の中央部だけしか通れず、その結果、ある程度の物
理的混乱や温度上の問題が発生し、しかも、このような
実施例の製造コストは極めて高くつく。
第７図に本発明の障壁手段50を示した。この障壁手段は
底縁手段52、側縁手段54及び頂縁手段56から成る所定の
形状を備える。底縁は第１図及び第２図から明らかなよ
うに、るつぼ20の底22と密封関係に係合する。側縁54の
一部がるつぼの側壁部材24に融接され、かつ密封関係に
前記側壁部材24と係合する。障壁の頂縁56は石英るつぼ
20内に収容される溶融シリコンのレベルよりも高い位置
にある。
底縁手段52、側縁手段54及び頂縁手段56から成る所定の
形状を備える。底縁は第１図及び第２図から明らかなよ
うに、るつぼ20の底22と密封関係に係合する。側縁54の
一部がるつぼの側壁部材24に融接され、かつ密封関係に
前記側壁部材24と係合する。障壁の頂縁56は石英るつぼ
20内に収容される溶融シリコンのレベルよりも高い位置
にある。
本発明では、切り欠きにより構成される開口部手段58を
側縁54に設けることにより、第１及び第２図から明らか
なように、るつぼ20の側壁24の一部と共に所定寸法の開
口部を形成させる。開口部手段58は、るつぼ20の底部及
び側部付近で初めて溶融するシリコンがるつぼのシリコ
ン補給部28（第１図及び第２図）の加熱される底部に滞
留し、滞留量が所定の深さに達するまで溶融シリコンが
デンドライトウェブ引引き上げ部30に直接流入しないよ
うに、るつぼの底から所定の距離だけ上方に配置する。
開口部手段58はまた、るつぼ内の溶融シリコン上に支持
されている未溶融シリコンがるつぼのシリコン溶融補給
部からウェブ引き上げ部へ流入しないように、るつぼの
シリコン融液補給部における融解シリコンの所定レベル
よりも所定の距離だけ下方に配置する。
側縁54に設けることにより、第１及び第２図から明らか
なように、るつぼ20の側壁24の一部と共に所定寸法の開
口部を形成させる。開口部手段58は、るつぼ20の底部及
び側部付近で初めて溶融するシリコンがるつぼのシリコ
ン補給部28（第１図及び第２図）の加熱される底部に滞
留し、滞留量が所定の深さに達するまで溶融シリコンが
デンドライトウェブ引引き上げ部30に直接流入しないよ
うに、るつぼの底から所定の距離だけ上方に配置する。
開口部手段58はまた、るつぼ内の溶融シリコン上に支持
されている未溶融シリコンがるつぼのシリコン溶融補給
部からウェブ引き上げ部へ流入しないように、るつぼの
シリコン融液補給部における融解シリコンの所定レベル
よりも所定の距離だけ下方に配置する。
障壁に形成した開口部58の寸法は少なくとも所定流量の
シリコンをウェブ引き上げ部へ流入させることによって
ウェブ引上げ部に充分な流量の溶融シリコンを供給でき
る大きさに設定してあり、障壁開口部をるつぼ20の側壁
部24に近く配置したことで、溶融シリコンはるつぼの高
温側壁付近でウェブ引き上げ部に流入するから、シリコ
ンはシリコンデンドライトウェブ引き上げに適した温度
に達している。
シリコンをウェブ引き上げ部へ流入させることによって
ウェブ引上げ部に充分な流量の溶融シリコンを供給でき
る大きさに設定してあり、障壁開口部をるつぼ20の側壁
部24に近く配置したことで、溶融シリコンはるつぼの高
温側壁付近でウェブ引き上げ部に流入するから、シリコ
ンはシリコンデンドライトウェブ引き上げに適した温度
に達している。
障壁は完成障壁と同じ幅、同じ高さの、ただし１板の障
壁よりは厚い矩形または台形の石英ブロックから製造す
ればよい。障壁側縁の切り欠きは石英ブロックの側面に
溝の形で機械加工すればよく、次いで鋸などでブロック
から１枚づつ障壁をスライスすればよい。
壁よりは厚い矩形または台形の石英ブロックから製造す
ればよい。障壁側縁の切り欠きは石英ブロックの側面に
溝の形で機械加工すればよく、次いで鋸などでブロック
から１枚づつ障壁をスライスすればよい。
第８図の実施例50aは障壁側縁54aが垂直であり、第３図
に示するつぼに組込まれることを除けば第７図に示した
ものとほとんど同じである。
に示するつぼに組込まれることを除けば第７図に示した
ものとほとんど同じである。
具体例として、るつぼが長さ8.0インチ（20.3cm）、幅
2.5インチ（6.4cm）で、深さ0.6ンチ（1.5cm）の溶融シ
リコンを収容する場合、各開口部58の断面積を0.059in2
（0.38cm2）に設定する。
2.5インチ（6.4cm）で、深さ0.6ンチ（1.5cm）の溶融シ
リコンを収容する場合、各開口部58の断面積を0.059in2
（0.38cm2）に設定する。
第９図は本発明の改良型障壁付るつぼと協働する公知の
サセプタ62を示す斜視図である。るつぼはサセプタ頂部
の開口部64に嵌入される。サセプタ62のカバー部材68を
通してシリコンのデンドライトウェブ66が引き上げられ
ている状態で、サセプタ62に組み込まれた石英るつぼを
第10図に斜視図で示した。なお、部材70は端壁断熱手
段、部材72は側壁断熱手段であり、カバーはその下に断
熱手段74を具備する。この実施例と協働させる場合に
は、本発明の改良型障壁部材を２枚用い、るつぼの両端
に融液補給部を設け、すべてのカバー部材に、補給シリ
コンを供給するための開口部76を形成する。
サセプタ62を示す斜視図である。るつぼはサセプタ頂部
の開口部64に嵌入される。サセプタ62のカバー部材68を
通してシリコンのデンドライトウェブ66が引き上げられ
ている状態で、サセプタ62に組み込まれた石英るつぼを
第10図に斜視図で示した。なお、部材70は端壁断熱手
段、部材72は側壁断熱手段であり、カバーはその下に断
熱手段74を具備する。この実施例と協働させる場合に
は、本発明の改良型障壁部材を２枚用い、るつぼの両端
に融液補給部を設け、すべてのカバー部材に、補給シリ
コンを供給するための開口部76を形成する。
第11図は引き上げ操作の詳細を示す断面図であり、サセ
プタ62はコイル78にによって誘導加熱される。サセプタ
はそのトップカバー68の材料であるモリブデンで全体を
製造するのが好ましい。なお、この装置は改良型のるつ
ぼ／障壁構成を除けば、ほとんどすべて従来型の構成で
ある。
プタ62はコイル78にによって誘導加熱される。サセプタ
はそのトップカバー68の材料であるモリブデンで全体を
製造するのが好ましい。なお、この装置は改良型のるつ
ぼ／障壁構成を除けば、ほとんどすべて従来型の構成で
ある。
第12図は本発明装置の他の実施例を示す断面面であり、
成長チェンバ82の一部を形成するトップカバー部材80は
その頂部に、タンク84から供給管86及び開口部76を介し
てシリコン補給部28に未溶融シリコンを供給するための
開口部を具備する。シリコン・ウェブ66は切れ目のなく
引き上げられ、本発明の構成を利用して極めて長いウェ
ブを引き上げることができた。従来と同様に、成長チェ
ンバ82は大気圧よりもやや高圧の不活性雰囲気、例えば
アルゴンを含む。
成長チェンバ82の一部を形成するトップカバー部材80は
その頂部に、タンク84から供給管86及び開口部76を介し
てシリコン補給部28に未溶融シリコンを供給するための
開口部を具備する。シリコン・ウェブ66は切れ目のなく
引き上げられ、本発明の構成を利用して極めて長いウェ
ブを引き上げることができた。従来と同様に、成長チェ
ンバ82は大気圧よりもやや高圧の不活性雰囲気、例えば
アルゴンを含む。
第１図は石英るつぼの平面図、第２図は第１図に矢印で
示す２−２線における断面図、第３図は垂直側壁を有
し、単一の障壁だけを組込んだ石英るつぼの他の実施例
を示す平面図、第４図は従来型の障壁の立面図、第５図
は従来型障壁の他の実施例を示す立面図、第６図は従来
型障壁のさらに他の実施例の１実施例を示す立面図、第
７図は本発明の石英障壁の一実施例を示す立面図、第８
図は本発明の石英障壁の他の実施例示す立面図、第９図
は引き上げ装置と併用されるサセプタの斜視図、第10図
は引き上げられるシリコンのデンドライトウェブを鎖線
で示す動作中のサセプタの斜視図、第11図は第10図の６
−６線における断面図、第12図は動作中の装置を未溶融
シリコン補給システムと共に示す断面図である。 50……障壁 52……底縁 54……側縁 58……切り欠き 66……デンドライトウェブ
示す２−２線における断面図、第３図は垂直側壁を有
し、単一の障壁だけを組込んだ石英るつぼの他の実施例
を示す平面図、第４図は従来型の障壁の立面図、第５図
は従来型障壁の他の実施例を示す立面図、第６図は従来
型障壁のさらに他の実施例の１実施例を示す立面図、第
７図は本発明の石英障壁の一実施例を示す立面図、第８
図は本発明の石英障壁の他の実施例示す立面図、第９図
は引き上げ装置と併用されるサセプタの斜視図、第10図
は引き上げられるシリコンのデンドライトウェブを鎖線
で示す動作中のサセプタの斜視図、第11図は第10図の６
−６線における断面図、第12図は動作中の装置を未溶融
シリコン補給システムと共に示す断面図である。 50……障壁 52……底縁 54……側縁 58……切り欠き 66……デンドライトウェブ
Claims (4)
- 【請求項１】閉鎖された底部、底部から立ち上がる側壁
部材及び少なくとも一部開口した頂部を有する細長い石
英るつぼ手段と、前記るつぼ手段内に横方向に配置され
て前記るつぼ内にシリコン融液補給部及びデンドライト
ウェブ引き上げ部を画定する石英障壁手段と、前記るつ
ぼ手段の底部及び側部を加熱してるつぼ内のシリコンを
溶融させ、前記るつぼ手段の前記ウェブ引き上げ部に溶
融状態のシリコンを所定レベル保持する加熱手段と、前
記るつぼ手段のウェブ引き上げ部内に保持されているシ
リコンの溶融面から所定の速度でシリコンのデンドライ
トウェブを引き上げる手段と、前記るつぼ手段の前記シ
リコン融液補給部に所定の速度で未溶融状態のシリコン
を補給するシリコン補給手段とから成るシリコン融液か
らのデンドライトウェブを引き上げる装置において、前
記石英障壁手段が底縁手段、側縁手段及び頂縁手段を含
む所定の形状を有し、前記石英障壁手段の底縁手段が前
記るつぼ手段の底と密封関係に係合し、前記石英障壁手
段の側縁手段の一部が前記るつぼ手段の側壁手段と密封
関係に係合し、前記障壁手段の頂縁手段が前記るつぼ手
段に収容される溶融シリコンのレベルよりも上方に位置
し、前記障壁の側縁手段に切り欠きにより構成された開
口部手段を設けることにより、前記るつぼ手段の側壁の
一部と共に所定寸法の開口部を形成させ、前記開口部手
段を、るつぼの底部及び側部付近で初めて溶融するシリ
コンがるつぼのシリコン補給部の加熱される底部に滞留
し、滞留量が所定の深さに達するまで溶融シリコンがデ
ンドライトウェブ引き上げ部に直接流入しないようにる
つぼの底部から所定距離だけ上方に配置すると共に、る
つぼ内の溶融シリコン上に支持されている未溶融シリコ
ンがるつぼのシリコン融液補給部からウェブ引き上げ部
へ流入しないようにるつぼのシリコン融液補給部におけ
る溶融シリコンの所定のレベルよりも所定距離だけ下方
に配置し、前記障壁手段に形成した前記開口部手段の寸
法を、少なくとも充分な流量のシリコンが前記ウェブ引
き上げ部へ流入できる大きさに設定し、前記障壁手段の
前記開口部手段を前記るつぼ手段の側部付近に配置する
ことにより、溶融シリコンが加熱されているるつぼ側壁
付近でウェブ引き上げ部に流入してシリコンがシリコン
デンドライトウェブ引き上げに適した温度に達している
ようにすることを特徴とするシリコン融液からのデンド
ライトウェブ引き上げ装置。 - 【請求項２】石英障壁を１つだけ用いてるつぼ手段内に
１つのウェブ引き上げ部及び１つの融液補給部を画定す
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の装
置。 - 【請求項３】２つの石英障壁を用いてるつぼ手段内の中
央部付近に１つのウェブ引き上げ部を、また、両端部付
近に１つづつ合計２つのシリコン融液補給部を画定する
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の装置。 - 【請求項４】不活性ガス雰囲気を収容する成長チェンバ
で装置を囲むことを特徴とする特許請求の範囲第１項、
第２項または第３項に記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US66606684A | 1984-10-29 | 1984-10-29 | |
| US666066 | 1984-10-29 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61174188A JPS61174188A (ja) | 1986-08-05 |
| JPH0784358B2 true JPH0784358B2 (ja) | 1995-09-13 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60242559A Expired - Lifetime JPH0784358B2 (ja) | 1984-10-29 | 1985-10-28 | シリコン融液からのデンドライトウエブ引き上げ装置 |
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| DE (1) | DE3534807A1 (ja) |
| FR (1) | FR2572424B1 (ja) |
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-
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