JPH0785463B2 - アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 - Google Patents
アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法Info
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- JPH0785463B2 JPH0785463B2 JP21185590A JP21185590A JPH0785463B2 JP H0785463 B2 JPH0785463 B2 JP H0785463B2 JP 21185590 A JP21185590 A JP 21185590A JP 21185590 A JP21185590 A JP 21185590A JP H0785463 B2 JPH0785463 B2 JP H0785463B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はアルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方
法に関するものである。
法に関するものである。
〔従来の技術〕 一般に、この種の電極箔は次のようにして製造されてい
る。まず、エッチングされたアルミニウム箔を用意し、
このアルミニウム箔を燐酸や硼酸などの水溶液に浸漬
し、一定の電圧を印加して陽極酸化処理（化成処理）を
行ない、所望の厚さの酸化皮膜を生成させる。そして、
酸またはアルカリ水溶液中に浸漬する減極処理および数
100℃の高温雰囲気中に数分間放置する熱処理工程を行
なう。これら化成処理、減極処理、熱処理は、通常数回
繰り返される。
る。まず、エッチングされたアルミニウム箔を用意し、
このアルミニウム箔を燐酸や硼酸などの水溶液に浸漬
し、一定の電圧を印加して陽極酸化処理（化成処理）を
行ない、所望の厚さの酸化皮膜を生成させる。そして、
酸またはアルカリ水溶液中に浸漬する減極処理および数
100℃の高温雰囲気中に数分間放置する熱処理工程を行
なう。これら化成処理、減極処理、熱処理は、通常数回
繰り返される。
しかしながら、この方法では静電容量を高めるのに限度
があり、最近とみに要望されているより一層の小形かつ
高容量化に応えることができない。
があり、最近とみに要望されているより一層の小形かつ
高容量化に応えることができない。
本発明はこのような事情に鑑みなされたもので、より高
い静電容量が得られることができるようにしたアルミニ
ウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法を提供すること
にある。
い静電容量が得られることができるようにしたアルミニ
ウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法を提供すること
にある。
上記した目的を達成するため、本発明においては、まず
エッチングされたアルミニウム箔を高温の純水中に所定
時間浸漬し、しかる後に少なくとも脂肪族飽和ジカルボ
ン酸またはその塩を含有する硼酸水溶液中にそのアルミ
ニウム箔を浸漬し、所定時間電圧を印加して陽極酸化を
行なう。
エッチングされたアルミニウム箔を高温の純水中に所定
時間浸漬し、しかる後に少なくとも脂肪族飽和ジカルボ
ン酸またはその塩を含有する硼酸水溶液中にそのアルミ
ニウム箔を浸漬し、所定時間電圧を印加して陽極酸化を
行なう。
なお、この本化成を行なうにあたり、まず最初にアルミ
ニウム箔を硼酸水溶液中に浸漬し、所定時間電圧を印加
して第１の陽極酸化を行ない、引き続きそのアルミニウ
ム箔を脂肪族飽和ジカルボン酸またはその塩を含有する
硼酸水溶液中に浸漬し、所定時間電圧を印加して第２の
陽極酸化を行なうようにして多段陽極酸化してもよい。
また、上記の第１の陽極酸化工程と第２の陽極酸化工程
とを入れ替えても効果がある。
ニウム箔を硼酸水溶液中に浸漬し、所定時間電圧を印加
して第１の陽極酸化を行ない、引き続きそのアルミニウ
ム箔を脂肪族飽和ジカルボン酸またはその塩を含有する
硼酸水溶液中に浸漬し、所定時間電圧を印加して第２の
陽極酸化を行なうようにして多段陽極酸化してもよい。
また、上記の第１の陽極酸化工程と第２の陽極酸化工程
とを入れ替えても効果がある。
この場合、脂肪族飽和ジカルボン酸としては、 XOOC−（CH2）ｎ−COOX の化学式（但し、ＸはH+またはNH4 +,n＝１〜12好ましく
はｎ＝１〜８）で表わされ、その代表例としては、コハ
ク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン
酸、アゼライン酸、セバシン酸などがある。
はｎ＝１〜８）で表わされ、その代表例としては、コハ
ク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン
酸、アゼライン酸、セバシン酸などがある。
本発明においては、脂肪族飽和ジカルボン酸またはその
塩に代えて、その前駆体を適宜用いてもよい。この場合
の前駆体としては、酸アミド、エステル、酸無水物など
が例示されている。
塩に代えて、その前駆体を適宜用いてもよい。この場合
の前駆体としては、酸アミド、エステル、酸無水物など
が例示されている。
上記硼酸水溶液のpHは３〜９、好ましくは4.5〜７に設
定される。この硼酸水溶液中における脂肪族飽和ジカル
ボン酸の濃度は0.002〜1.0％、液温は70〜100％が好適
である。
定される。この硼酸水溶液中における脂肪族飽和ジカル
ボン酸の濃度は0.002〜1.0％、液温は70〜100％が好適
である。
上記陽極酸化工程後に、減極処理、熱処理および再陽極
酸化処理が少なくとも１回実施される。その場合、再陽
極酸化処理には上記本化成と同様、脂肪族飽和ジカルボ
ン酸またはその塩を含有する硼酸水溶液を用いることが
好ましい。これによれば、従来法に比べて静電容量が約
５〜10％以上増大する。なお、減極処理にはpH7〜９で
液温50〜90℃のアンモニア水（濃度0.001％〜0.2wt
％）、またはpH4〜８の燐酸水溶液（濃度0.1〜8wt％）
などが用いられ、その浸漬時間は１〜５分間であること
が好ましい。
酸化処理が少なくとも１回実施される。その場合、再陽
極酸化処理には上記本化成と同様、脂肪族飽和ジカルボ
ン酸またはその塩を含有する硼酸水溶液を用いることが
好ましい。これによれば、従来法に比べて静電容量が約
５〜10％以上増大する。なお、減極処理にはpH7〜９で
液温50〜90℃のアンモニア水（濃度0.001％〜0.2wt
％）、またはpH4〜８の燐酸水溶液（濃度0.1〜8wt％）
などが用いられ、その浸漬時間は１〜５分間であること
が好ましい。
〔実施例１〕 （Ａ）まず、純度99.99％で厚さ100μｍのアルミニウム
エッチング箔を用意した。この場合、そのエッチング倍
率はエッチングしていない平坦（プレーン）箔に対して
20倍である。
エッチング箔を用意した。この場合、そのエッチング倍
率はエッチングしていない平坦（プレーン）箔に対して
20倍である。
（Ｂ）このアルミニウムエッチング箔を液温98℃以上の
純水中で15分間ボイル処理した。
純水中で15分間ボイル処理した。
（Ｃ）次に、純水１に硼酸を20gおよびコハク酸アン
モニウムを0.1gを添加した液温85℃の硼酸水溶液中にア
ルミニウムエッチング箔を浸漬し、電流密度10mA/cm2の
電流を流し、化成電圧600Vまで上昇させ、同電圧を40分
間印加して本化成を行なった。
モニウムを0.1gを添加した液温85℃の硼酸水溶液中にア
ルミニウムエッチング箔を浸漬し、電流密度10mA/cm2の
電流を流し、化成電圧600Vまで上昇させ、同電圧を40分
間印加して本化成を行なった。
（Ｄ）化成後のアルミニウムエッチング箔を液温70℃、
pH7〜９に調整したアンモニア水に３分間浸漬し、減極
処理を行なった。
pH7〜９に調整したアンモニア水に３分間浸漬し、減極
処理を行なった。
（Ｅ）500℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。
（Ｆ）上記（Ｃ）と同じ条件の水溶液、すなわち純水１
に硼酸を20gおよびコハク酸アンモニウムを0.1g添加
した液温85℃の硼酸水溶液中に再度浸漬し、電流密度10
mA/cm2の電流を流し、化成電圧600Vまで上昇させ、同電
圧を13分間印加して再化成した。
に硼酸を20gおよびコハク酸アンモニウムを0.1g添加
した液温85℃の硼酸水溶液中に再度浸漬し、電流密度10
mA/cm2の電流を流し、化成電圧600Vまで上昇させ、同電
圧を13分間印加して再化成した。
（Ｇ）500℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。
（Ｈ）再び、純水１に硼酸を20gおよびコハク酸アン
モニウムを0.1g添加した液温85℃の硼酸水溶液中に浸漬
し、電流密度10mA/cm2の電流を流し、化成電圧600Vまで
上昇させ、同電圧を13分間印加して再化成した。
モニウムを0.1g添加した液温85℃の硼酸水溶液中に浸漬
し、電流密度10mA/cm2の電流を流し、化成電圧600Vまで
上昇させ、同電圧を13分間印加して再化成した。
（Ｉ）水洗し、乾燥させて化成箔の静電容量を測定した
ところ、0.465μF/cm2であった。
ところ、0.465μF/cm2であった。
（Ｊ）この化成箔（15mm×270mm）を陽極とし、一方純
度99.2％で厚さ20μｍ、エッチング倍率50倍のアルミニ
ウム箔（15mm×300mm）を陰極とし、セパレータを介し
て巻回して、コンデンサ素子を作成した。そして、その
コンデンサ素子に電解液を含浸させ、ケース内に封入
し、定格400V16μＦの電解コンデンサを作成したとこ
ろ、その静電容量は18.5μＦであった。
度99.2％で厚さ20μｍ、エッチング倍率50倍のアルミニ
ウム箔（15mm×300mm）を陰極とし、セパレータを介し
て巻回して、コンデンサ素子を作成した。そして、その
コンデンサ素子に電解液を含浸させ、ケース内に封入
し、定格400V16μＦの電解コンデンサを作成したとこ
ろ、その静電容量は18.5μＦであった。
なお、上記工程（Ｈ）と工程（Ｉ）との間に、85wt％の
リン酸25ml/の水溶液であって、アンモニア水でpH6.5
に調整した液温30℃の水溶液に４分間浸漬処理を行なう
工程を介在させてもよい。この工程を追加した電解コン
デンサは、例えば105℃、1000時間の高温貯蔵試験にお
ける製品の漏れ電流による劣化を防止できる。
リン酸25ml/の水溶液であって、アンモニア水でpH6.5
に調整した液温30℃の水溶液に４分間浸漬処理を行なう
工程を介在させてもよい。この工程を追加した電解コン
デンサは、例えば105℃、1000時間の高温貯蔵試験にお
ける製品の漏れ電流による劣化を防止できる。
〔実施例２〕 （Ａ）純度99.99％で厚さ100μｍのアルミニウムエッチ
ング箔を用意した。この場合、そのエッチング倍率はエ
ッチングしていない平坦箔に対して20倍である。
ング箔を用意した。この場合、そのエッチング倍率はエ
ッチングしていない平坦箔に対して20倍である。
（Ｂ）このアルミニウムエッチング箔を液温98℃以上の
純水中で15分間ボイル処理した。
純水中で15分間ボイル処理した。
（Ｃ）次に、純水１に硼酸を20gおよびアジピン酸ア
ンモニウムを0.1g添加した液温85℃の硼酸水溶液中にア
ルミニウムエッチング箔を浸漬し、電流密度10mA/cm2の
電流を流し、化成電圧600Vまで上昇させ、同電圧を40分
間印加して本化成を行なった。
ンモニウムを0.1g添加した液温85℃の硼酸水溶液中にア
ルミニウムエッチング箔を浸漬し、電流密度10mA/cm2の
電流を流し、化成電圧600Vまで上昇させ、同電圧を40分
間印加して本化成を行なった。
（Ｄ）化成後のアルミニウムエッチング箔を液温70℃、
pH7〜９に調整したアンモニア水に３分間浸漬し、減極
処理を行なった。
pH7〜９に調整したアンモニア水に３分間浸漬し、減極
処理を行なった。
（Ｅ）500℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。
（Ｆ）再化成として、純水１に硼酸を20gおよびアジ
ピン酸アンモニウムを0.1g添加した液温85℃の硼酸水溶
液中に再度浸漬し、電流密度10mA/cm2の電流を流し、化
成電圧600Vまで上昇させ、同電圧を13分間印加した。
ピン酸アンモニウムを0.1g添加した液温85℃の硼酸水溶
液中に再度浸漬し、電流密度10mA/cm2の電流を流し、化
成電圧600Vまで上昇させ、同電圧を13分間印加した。
（Ｇ）500℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。
（Ｈ）再び、純水１に硼酸を20gおよびアジピン酸ア
ンモニウムを0.1g添加した液温85℃の硼酸水溶液中に浸
漬し、電流密度10mA/cm2の電流を流し、化成電圧600Vま
で上昇させ、同電圧を13分間印加し、再化成を行なっ
た。
ンモニウムを0.1g添加した液温85℃の硼酸水溶液中に浸
漬し、電流密度10mA/cm2の電流を流し、化成電圧600Vま
で上昇させ、同電圧を13分間印加し、再化成を行なっ
た。
（Ｉ）水洗し、乾燥させて化成箔の静電容量を測定した
ところ、0.461μF/cm2であった。
ところ、0.461μF/cm2であった。
（Ｊ）この化成箔（15mm×270mm）を陽極として、実施
例１と同様、定格400V16μＦの電解コンデンサを作成し
たところ、その静電容量は18.3μＦであった。
例１と同様、定格400V16μＦの電解コンデンサを作成し
たところ、その静電容量は18.3μＦであった。
〔実施例３〕 （Ａ）純度99.99％で厚さ100μｍのアルミニウムエッチ
ング箔を用意した。この場合、そのエッチング倍率はエ
ッチングしていない平坦箔に対して20倍である。
ング箔を用意した。この場合、そのエッチング倍率はエ
ッチングしていない平坦箔に対して20倍である。
（Ｂ）このアルミニウムエッチング箔を液温98℃以上の
純水中で15分間ボイル処理した。
純水中で15分間ボイル処理した。
（Ｃ）次に、純水１に硼酸を20gおよびスベリン酸ア
ンモニウムを0.1gを添加した液温85℃の硼酸水溶液中に
アルミニウムエッチング箔を浸漬し、電流密度10mA/cm2
の電流を流し、化成電圧600Vまで上昇させ、同電圧を40
分間印加して本化成を行なった。
ンモニウムを0.1gを添加した液温85℃の硼酸水溶液中に
アルミニウムエッチング箔を浸漬し、電流密度10mA/cm2
の電流を流し、化成電圧600Vまで上昇させ、同電圧を40
分間印加して本化成を行なった。
（Ｄ）化成後のアルミニウムエッチング箔を液温70℃、
pH7〜９に調整したアンモニア水に３分間浸漬し、減極
処理を行なった。
pH7〜９に調整したアンモニア水に３分間浸漬し、減極
処理を行なった。
（Ｅ）500℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。
（Ｆ）再化成として、純水１に硼酸を20gおよびスベ
リン酸アンモニウムを0.1g添加した液温85℃の硼酸水溶
液中に再度浸漬し、電流密度10mA/cm2の電流を流し、化
成電圧600Vまで上昇させ、同電圧を13分間印加した。
リン酸アンモニウムを0.1g添加した液温85℃の硼酸水溶
液中に再度浸漬し、電流密度10mA/cm2の電流を流し、化
成電圧600Vまで上昇させ、同電圧を13分間印加した。
（Ｇ）500℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。
（Ｈ）再び、純水１に硼酸を20gおよびスベリン酸ア
ンモニウムを0.1g添加した液温85℃の硼酸水溶液中に浸
漬し、電流密度10mA/cm2の電流を流し、化成電圧600Vま
で上昇させ、同電圧を13分間印加し、再化成を行なっ
た。
ンモニウムを0.1g添加した液温85℃の硼酸水溶液中に浸
漬し、電流密度10mA/cm2の電流を流し、化成電圧600Vま
で上昇させ、同電圧を13分間印加し、再化成を行なっ
た。
（Ｉ）水洗し、乾燥させて化成箔の静電容量を測定した
ところ、0.444μF/cm2であった。
ところ、0.444μF/cm2であった。
（Ｊ）この化成箔（15mm×270mm）を陽極として、実施
例１と同様、定格400V16μＦの電解コンデンサを作成し
たところ、その静電容量は17.6μＦであった。
例１と同様、定格400V16μＦの電解コンデンサを作成し
たところ、その静電容量は17.6μＦであった。
〔実施例４〕 （Ａ）純度99.99％で厚さ100μｍのアルミニウムエッチ
ング箔を用意した。この場合、そのエッチング倍率はエ
ッチングしていない平坦箔に対して20倍である。
ング箔を用意した。この場合、そのエッチング倍率はエ
ッチングしていない平坦箔に対して20倍である。
（Ｂ）このアルミニウムエッチング箔を液温98℃以上の
純水中で15分間ボイル処理した。
純水中で15分間ボイル処理した。
（Ｃ）次に、純水１に硼酸を20gおよびセバシン酸ア
ンモニウムを0.1gを添加した液温85℃の硼酸水溶液中に
アルミニウムエッチング箔を浸漬し、電流密度10mA/cm2
の電流を流し、化成電圧600Vまで上昇させ、同電圧を40
分間印加して本化成を行なった。
ンモニウムを0.1gを添加した液温85℃の硼酸水溶液中に
アルミニウムエッチング箔を浸漬し、電流密度10mA/cm2
の電流を流し、化成電圧600Vまで上昇させ、同電圧を40
分間印加して本化成を行なった。
（Ｄ）化成後のアルミニウムエッチング箔を液温70℃、
3.5wt％に調整した燐酸水溶液中に３分間浸漬し、減極
処理を行なった。
3.5wt％に調整した燐酸水溶液中に３分間浸漬し、減極
処理を行なった。
（Ｅ）500℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。
（Ｆ）再化成として、純水１に硼酸を20gおよびセバ
シン酸アンモニウムを0.1g添加した液温85℃の硼酸水溶
液中に再度浸漬し、電流密度10mA/cm2の電流を流し、化
成電圧600Vまで上昇させ、同電圧を13分間印加した。
シン酸アンモニウムを0.1g添加した液温85℃の硼酸水溶
液中に再度浸漬し、電流密度10mA/cm2の電流を流し、化
成電圧600Vまで上昇させ、同電圧を13分間印加した。
（Ｇ）500℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。
（Ｈ）再び、純水１に硼酸を20gおよびセバシン酸ア
ンモニウムを0.1g添加した液温85℃の硼酸水溶液中に浸
漬し、電流密度10mA/cm2の電流を流し、化成電圧600Vま
で上昇させ、同電圧を13分間印加し、再化成を行なっ
た。
ンモニウムを0.1g添加した液温85℃の硼酸水溶液中に浸
漬し、電流密度10mA/cm2の電流を流し、化成電圧600Vま
で上昇させ、同電圧を13分間印加し、再化成を行なっ
た。
（Ｉ）水洗し、乾燥させて化成箔の静電容量を測定した
ところ、0.463μF/cm2であった。
ところ、0.463μF/cm2であった。
（Ｊ）この化成箔（15mm×270mm）を陽極として、実施
例１と同様、定格400V16μＦの電解コンデンサを作成し
たところ、その静電容量は18.4μＦであった。
例１と同様、定格400V16μＦの電解コンデンサを作成し
たところ、その静電容量は18.4μＦであった。
＜比較例１＞ （ａ）純度99.99％で厚さ100μｍのアルミニウムエッチ
ング箔を用意した。この場合、そのエッチング倍率はエ
ッチングしていない平坦（プレーン）箔に対して20倍で
ある。
ング箔を用意した。この場合、そのエッチング倍率はエ
ッチングしていない平坦（プレーン）箔に対して20倍で
ある。
（ｂ）このアルミニウムエッチング箔を液温98℃以上の
純水中で15分間ボイル処理した。
純水中で15分間ボイル処理した。
（ｃ）純水１に硼酸20gを添加した水溶液、液温85℃
中にアルミニウムエッチング箔を浸漬し、電流密度10mA
/cm2の電流を流し、化成電圧600Vまで上昇させ、同電圧
を40分間印加して本化成を行なった。
中にアルミニウムエッチング箔を浸漬し、電流密度10mA
/cm2の電流を流し、化成電圧600Vまで上昇させ、同電圧
を40分間印加して本化成を行なった。
（ｄ）化成後のアルミニウムエッチング箔を液温70℃、
pH7〜９に調整したアンモニア水に３分間浸漬し、減極
処理を行なった。
pH7〜９に調整したアンモニア水に３分間浸漬し、減極
処理を行なった。
（ｅ）500℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。
（ｆ）再化成として、純水１に硼酸20gを添加した水
溶液、液温85℃中に再度浸漬し、電流密度10mA/cm2の電
流を流し、化成電圧600Vまで上昇させ、同電圧を13分間
印加した。
溶液、液温85℃中に再度浸漬し、電流密度10mA/cm2の電
流を流し、化成電圧600Vまで上昇させ、同電圧を13分間
印加した。
（ｇ）500℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。
（ｈ）再び、純水１に硼酸20gを添加した水溶液、液
温85℃中に浸漬し、電流密度10mA/cm2の電流を流し、化
成電圧600Vまで上昇させ、同電圧を13分間印加して再化
成を行なった。
温85℃中に浸漬し、電流密度10mA/cm2の電流を流し、化
成電圧600Vまで上昇させ、同電圧を13分間印加して再化
成を行なった。
（ｉ）水洗し、乾燥させて化成箔の静電容量を測定した
ところ、0.296μF/cm2であった。
ところ、0.296μF/cm2であった。
（ｊ）この化成箔（15mm×270mm）を陽極として、実施
例１と同様、定格400V16μＦの電解コンデンサを作成し
たところ、その静電容量は11.7μＦであった。
例１と同様、定格400V16μＦの電解コンデンサを作成し
たところ、その静電容量は11.7μＦであった。
＜比較例２＞ （ａ）純度99.99％で厚さ100μｍのアルミニウムエッチ
ング箔を用意した。この場合、そのエッチング倍率はエ
ッチングしていない平坦箔に対して20倍である。
ング箔を用意した。この場合、そのエッチング倍率はエ
ッチングしていない平坦箔に対して20倍である。
（ｂ）このアルミニウムエッチング箔を液温98℃以上の
純水中で15分間ボイル処理した。
純水中で15分間ボイル処理した。
（ｃ）純水１に硼酸20gおよび硼酸アンモニウムを0.5
g添加した水溶液、液温85℃中にアルミニウムエッチン
グ箔を浸漬し、電流密度10mA/cm2の電流を流し、化成電
圧600Vまで上昇させ、同電圧を40分間印加して本化成を
行なった。
g添加した水溶液、液温85℃中にアルミニウムエッチン
グ箔を浸漬し、電流密度10mA/cm2の電流を流し、化成電
圧600Vまで上昇させ、同電圧を40分間印加して本化成を
行なった。
（ｄ）化成後のアルミニウムエッチング箔を液温70℃、
pH7〜９に調整したアンモニア水に３分間浸漬し、減極
処理を行なった。
pH7〜９に調整したアンモニア水に３分間浸漬し、減極
処理を行なった。
（ｅ）500℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。
（ｆ）再化成として、純水１に硼酸20gおよび硼酸ア
ンモニウムを0.5g添加した水溶液、液温85℃中に再度浸
漬し、電流密度10mA/cm2の電流を流し、化成電圧600Vま
で上昇させ、同電圧を13分間印加した。
ンモニウムを0.5g添加した水溶液、液温85℃中に再度浸
漬し、電流密度10mA/cm2の電流を流し、化成電圧600Vま
で上昇させ、同電圧を13分間印加した。
（ｇ）500℃の加熱雰囲気中で２分間熱処理した。
（ｈ）再び、純水１に硼酸を20gおよび硼酸アンモニ
ウムを0.5g添加した水溶液、液温85℃中に浸漬し、電流
密度10mA/cm2の電流を流し、化成電圧600Vまで上昇さ
せ、同電圧を13分間印加して再化成を行なった。
ウムを0.5g添加した水溶液、液温85℃中に浸漬し、電流
密度10mA/cm2の電流を流し、化成電圧600Vまで上昇さ
せ、同電圧を13分間印加して再化成を行なった。
（ｉ）水洗し、乾燥させて化成箔の静電容量を測定した
ところ、0.423μF/cm2であった。
ところ、0.423μF/cm2であった。
（ｊ）この化成箔（15mm×270mm）を陽極として、実施
例１と同様、定格400V16μＦの電解コンデンサを作成し
たところ、その静電容量は16.8μＦであった。
例１と同様、定格400V16μＦの電解コンデンサを作成し
たところ、その静電容量は16.8μＦであった。
参考までに、次表に上記各実施例および各比較例で得ら
れた化成箔の静電容量とその化成箔を用いて試作した電
解コンデンサの静電容量を示す。
れた化成箔の静電容量とその化成箔を用いて試作した電
解コンデンサの静電容量を示す。
この表から明らかなように、本発明によると箔の静電容
量および製品の静電容量ともに、従来法による比較例に
比べて約５〜10％増大している。
量および製品の静電容量ともに、従来法による比較例に
比べて約５〜10％増大している。
以上説明したように、本発明によれば、エッチングされ
たアルミニウム箔を純水ボイルし、次いで同アルミニウ
ム箔を脂肪族飽和ジカルボン酸またはその塩を含む硼酸
溶液中に浸漬し、所定時間電圧を印加して陽極酸化を行
なうようにしたことにより、静電容量の高い電極箔が製
造される。
たアルミニウム箔を純水ボイルし、次いで同アルミニウ
ム箔を脂肪族飽和ジカルボン酸またはその塩を含む硼酸
溶液中に浸漬し、所定時間電圧を印加して陽極酸化を行
なうようにしたことにより、静電容量の高い電極箔が製
造される。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 遠藤 優 神奈川県藤沢市辻堂新町２丁目２番１号 エルナー株式会社内 (72)発明者 羽賀 昇 神奈川県藤沢市辻堂新町２丁目２番１号 エルナー株式会社内 (72)発明者 佐々木 幹夫 東京都千代田区丸の内２丁目１番２号 旭 硝子株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】エッチングされたアルミニウム箔を高温の
純水中に所定時間浸漬する純水ボイル工程と、しかる後
に少なくとも脂肪族飽和ジカルボン酸またはその塩を含
有する硼酸水溶液中にそのアルミニウム箔を浸漬して所
定時間電圧を印加する陽極酸化工程とを含むことを特徴
とするアルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方
法。 - 【請求項２】上記脂肪族飽和ジカルボン酸は、 XOOC−（CH2）ｎ−COOX の化学式（但し、ＸはH+またはNH4 +,n＝１〜12）で表さ
れるものからなる請求項１記載のアルミウム電解コンデ
ンサ用電極箔の製造方法。 - 【請求項３】上記硼酸水溶液のpHは３〜９である請求項
１記載のアルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方
法。 - 【請求項４】上記硼酸水溶液中における上記脂肪族飽和
ジカルボン酸の濃度は0.002〜1.0％、液温は70〜100℃
である請求項１記載のアルミニウム電解コンデンサ用電
極箔の製造方法。 - 【請求項５】請求項１記載の陽極酸化工程後に、減極処
理、熱処理および再陽極酸化処理を少なくとも１回行な
い、その再陽極酸化処理には脂肪族飽和ジカルボン酸ま
たはその塩を含有する硼酸水溶液を用いるアルミニウム
電解コンデンサ用電極箔の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21185590A JPH0785463B2 (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21185590A JPH0785463B2 (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0494111A JPH0494111A (ja) | 1992-03-26 |
| JPH0785463B2 true JPH0785463B2 (ja) | 1995-09-13 |
Family
ID=16612716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21185590A Expired - Fee Related JPH0785463B2 (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0785463B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008166602A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Sachiko Ono | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材及びその製造方法、アルミニウム電解コンデンサ用電極材ならびにアルミニウム電解コンデンサ |
-
1990
- 1990-08-10 JP JP21185590A patent/JPH0785463B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0494111A (ja) | 1992-03-26 |
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