JPH0786469B2

JPH0786469B2 - 実装済プリント基板自動検査装置

Info

Publication number: JPH0786469B2
Application number: JP2317925A
Authority: JP
Inventors: 建樹村岡; 雅彦池口
Original assignee: Nagoya Electric Works Co Ltd
Current assignee: Nagoya Electric Works Co Ltd
Priority date: 1990-11-26
Filing date: 1990-11-26
Publication date: 1995-09-20
Anticipated expiration: 2010-09-20
Also published as: JPH04190145A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕この発明は、細く絞られたレーザ光などのビームスポッ
トを被検査プリント基板上で掃引し、ブリッジ、半田フ
ヌレ、リードの浮きあるいはチップ部品の有無の検出な
どを自動的に行なう実装済プリント基板自動検査装置に
関するものである。

〔従来の技術〕

従来、チップ部品などを実装した被検査プリント基板に
おけるブリッジおるいは半田フヌレなどの検査を行なう
ため、被検査プリント基板の部品孔に合わせて多数のピ
ンを配設したヘッドなどを用いる接触検査方式がある。

しかしながら、この接触検査方式においては、種類の異
なる被検査プリント基板毎に異なるヘッドなどを必要と
するとともに、ヘッドのピンの間隔はピンの太さによっ
て制御されるため、リードの間隔が狭い集積回路チップ
などを実装したパターンの緻密な被検査プリント基板の
検査が困難であるなどの不都合あった。

このような接触検査方式の不都合を解消するため、レー
ザ光などのビームスポットを被検査プリント基板上で掃
引し、ビームスポットの反射光を検知してブリッジなど
の検査を行なう非接触式の実装済プリント基板自動検査
装置が、本出願人によって先に提案されている（実願昭
62−5625号）。

第９図は本出願人が先に提案した実装済プリント基板自
動検査装置を示す正面図である。

第９図において、11はケーシング、12はケーシング11内
に配設されたＸ−Ｙステージを示し、このＸ−Ｙステー
ジ12は被検査物としての被検査プリント基板ＰをＸ軸方
向とＹ軸方向に移動させるものである。

13はＸ−Ｙステージ12の上方に配設（配置）されている
受光部を示し、後述するように、受光部にスパッタ光を
検出する受光素子が多数配設されている。

14はＸ−Ｙステージ12の下方に配設（配置）されている
受光部を示し、後述するように、被検査プリント基板Ｐ
の基準点を設定するときなどに受光部13を通過するビー
ムを被検査プリント基板Ｐに設けられた基準孔を介して
受光するものである。

15はケーシング11の上面に設けられた操作スイッチ群、
16は動作状態を示す表示灯、17は検査結果をプリントア
ウトするプリンタを示す。

この実装済プリント基板自動検査装置では、検査に先立
って被検査プリント基板Ｐの基準位置、検査位置あるい
は被検査プリント基板Ｐの種類などを識別する基板名な
どの検査用データが予め記憶装置などに登録されてい
る。

そして、検査を行なうときには、被検査プリント基板Ｐ
をＸ−Ｙステージ12上に設置して基板名などを端末装置
から入力すると、予め登録された検査個所の位置上方な
どの検査用データに基づいて自動的に検査を行ない、検
査が終了すると、検出したブリッジなどの位置あるいは
個数などの検査結果がプリンタ17からプリントアウトさ
れるとともに、図示を省略したマーカによって被検査プ
リント基板Ｐのブリッジなどの位置付近にマークが付け
られる。

第10図は第９図に示した実装済プリント基板自動検査装
置の光学系を示す斜視図である。

第10図において、21はレーザ光を放射するHe−Neレーザ
銃、22はエキスパンダを示し、このエキスパンダ22は、
ビームスポットを充分に絞るためにHe−Neレーザ銃21が
放射するレーザ光を、一旦5mm径程度の平行なビームＢ
に拡張するためのものである。

23はビーム走査手段としてのガルバノメータを示し、前
述したＸ−Ｙステージ12のＹ軸方向にビームＢを掃引す
るように走査するためのＹ軸回転ミラー23yと、Ｘ−Ｙ
ステージ12のＸ軸方向にビームＢを掃引するように走査
するためのＸ軸回転ミラー23xを備え、Ｙ軸回転ミラー2
3yとＸ軸回転ミラー23xの中間に位置する点O₁に対応す
る定点Ｏをほぼ中心として各回転ミラー23x,23yの可動
範囲に基づく立体角内でビームＢを放射状に走査するも
のである。

24はビームスプリッタを示し、ガルバノメータ23から供
給されるビームＢを第１の分離ビームB₁と第２の分離ビ
ームB₂に分離するものである。

25はビームスプリッタ24から供給される第１の分離ビー
ムB₁を所定の方向に反射する第１のミラー、26は第１の
集光レンズを示し、この第１の集光レンズ26は一方の焦
点がガルバノメータ23内の定点Ｏに一致するように配設
されている。

27は第１の集光レンズ26から供給される第１の分離ビー
ムB₁を所定の方向に反射する第２のミラーを示し、第１
の分離ビームB₁は第２のミラー27によって被検査プリン
ト基板Ｐ上に集光される。

すなわち、定点Ｏと一方の焦点とが一致するように配設
された第１の集光レンズ26によって第１の分離ビームB₁
を集光すると、集光された第１の分離ビームB₁は他方の
焦点面上にビームスポットを結像するとともに、そのビ
ームスポットの光軸は第１の集光レンズ26の光軸と平行
になるので、あらゆる方向に走査された第１の分離ビー
ムB₁は、第１の集光レンズ26の像側の焦点面に配設され
た被検査プリント基板Ｐ上に絞られたビームスポットを
結像するとともに、被検査プリント基板Ｐに直角に照射
される。

28はスポット位置検知部を示し、被検査プリント基板Ｐ
に集光されたビームスポットの散乱光を集光する第２の
集光レンズ28aと、第２の集光レンズ28aによって集光さ
れた光点像が結像する受光面Ｓを備えた第１の光点位置
検出素子28bで構成されている。

この受光面Ｓ上に結像される光点の位置に応じた強度の
Ｘ信号、Ｙ信号がビームスポットの位置情報として第１
の光点位置検出素子28bから図示を省略した処理装置に
出力される。

29はビームスプリッタ24から供給される第２の分離ビー
ムB₂を集光する第３の集光レンズを示し、一方の焦点が
ガルバノメータ23内の定点Ｏに一致するように配設され
ている。

30は第３の集光レンズ29の他方の焦点に配設（配置）さ
れている第２の光点位置検出素子を示し、第２の分離ビ
ームB₂によるビームスポットの２次元の位置座標に応じ
た強度のＸ信号、Ｙ信号を図示を省略したサーボ制御回
路に出力するものである。

第11図は本出出願人が先に提案した実装済プリント基板
自動検査装置の全体構成を示すブロック図である。

第11図において、31は処理装置を示し、図示を省略した
記憶装置に記録されたデータ、端末装置32および操作部
33から入力されるデータと、受光器14から入力される信
号に基づいて実装済プリント基板自動検査装置の制御を
行ない、第２の集光レンズ28aと第１の光点位置検出素
子28bで構成されるスポット位置検知部28と、受光部13
からの入力に基づいて各種検査の結果を判定し、プリン
タ17に検査結果を出力するとともに、被検査プリント基
板Ｐに検出個所をマークするためのマーカ34を制御する
ものである。

35はサーボ制御部を示し、後述するように、ガルバノメ
ータ23を駆動制御するサーボ制御回路35aとガルバノ駆
動回路35bで構成されている。

36はＸ−Ｙステージ制御部を示し、処理装置31から出力
される位置座標に基づいてＸ−Ｙステージ12を駆動し、
被検査プリント基板Ｐを所定の位置に移動させるもので
ある。

すなわち、Ｘ−Ｙステージ12の図示を省略した被検査プ
リント基板設置部にはＸ方向、Ｙ方向の２次元座標系が
設定されており、処理装置31の出力する２次元座標系上
の点が、レーザビームの初期設定位置などの固定点に一
致するようにＸ−Ｙステージ12を駆動する。

37は受光部移動装置を示し、スポット位置検知部28によ
って被検査プリント基板Ｐ上のビームスポットの位置を
検知するとき、ビームスポットが受光部13によって遮断
されないように、処理装置31の出力に基づいて受光部13
を移動させるものである。

このように構成された実装済プリント基板自動検査装置
は、レーザビームを照射する位置を示す位置情報が処理
装置31からサーボ制御回路35aに出力されると、サーボ
制御回路35aは第２の光点位置検出素子30から入力され
るＸ信号、Ｙ信号に基づいてガルバノ駆動装置35bに出
力しているＸ制御信号、Ｙ制御信号を補正して出力する
ので、ガルバノ駆動装置35bによってガルバオメータ23
が補正駆動され、各ビームB,B₁およびB₂の走査方向が補
正される。

そして、被検査プリント基板Ｐに照射される第１の分離
ビームB₁と、第２の光点位置検出素子30に照射される第
２の分離ビームB₂がガルバノメータ23で走査されるとき
は、一体のビームＢであるので、第２の光点位置検出素
子30に照射される第２の分離ビームB₂の走査位置に基づ
いてビームＢの走査方向の制御を行なえば、ガルバノ駆
動装置35bなどが直接検知し得ない要因によって走査方
向にずれが生じても、ビームスポットの位置を高い精度
で制御することができる。

第12図は受光部によるスパッタ光の受光状態を示す説明
図、第13図は受光部の受光面を示す受光部の展開図であ
る。

第12図、第13図において、受光面S₁,S₂の全面には多数
の受光素子Ｄが配設されており、反射角度の低いスパッ
タ光E₁は周囲の受光面S₁の受光素子Ｄによって受光さ
れ、反射角度の高いスパッタ光E₂は天井部の受光面S₂の
受光素子Ｄによって受光される。

このように、あらゆる方向の各スパッタ光E₁,E₂が検知
され、受光量を増加させるとともに、受光面S₁,S₂に配
設された受光素子Ｄの各出力を適宜選択することによ
り、反射方向を選択してスパッタ光E₁,E₂の検出を行な
うことができる。

なお、受光部13の天井部の受光面S₂には開口Ｗが設けら
れ、この開口Ｗを通して第１の分離ビームB₁が被検査プ
リント基板Ｐに照射される。

第14図、第15図（ａ），（ｂ）はチップ部品の半田フヌ
レの検出を示す説明図である。

第14図において、第１の分離ビームB₁を走査して被検査
プリント基板Ｐに実装されたチップ部品Ｔの半田部H₁,H
₂にビームスポットを照射し、この半田部H₁,H₂からのス
パッタ光E₁₁,E₁₂を受光部13で受光し、その総受光量を
検出して半田フヌレが検出される。

すなわち、第15図（ａ），（ｂ）に半田フヌレを生じて
いない場合と半田フヌレが生じている場合の、ビームス
ポット位置とスパッタ光E₁₁,E₁₂光の強度の関係を示す
ように、半田フヌレが生じている部分からはスパッタ光
E₁₁が検知されずに総受光量が減少し、半田フヌレが検
出される。

なお、第15図において、S₁₁,S₁₂は半田部H₁,H₂における
スパッタ光E₁₁の総受光量、S₃₁はチップ部品Ｔの端子部
分におけるスパッタ光E₁₁の総受光量を示す。

第16図はチップ部品の有無の判定を示す説明図である。

第16図において、被検査プリント基板Ｐにチップ部品Ｔ
が搭載されていれば、第１の分離ビームB₁は、実線で示
すように、チップ部品Ｔ上の点Ｍにビームスポットとな
る。

しかし、被検査プリント基板Ｐにチップ部品Ｔが搭載さ
れていなければ、第１の分離ビームB₁は、点線で示すよ
うに、被検査プリント基板Ｐの点Ｎにビームスポットと
なる。

このように、点M,Nに生じたビームスポットは第２の集
光レンズ28aによって第２の光点位置検出素子28bの受光
面Ｓ上の異なる２点、すなわち点m,nに結像する。

したがって、受光面Ｓの結像位置に応じてチップ部品Ｔ
の有無と、チップ部品Ｔの高さを判定することができ
る。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来の実装済プリント基板自動検査装置は、以上のよう
に構成されているので、被検査プリント基板Ｐに近接さ
せてチップ部品Ｔが実装されていると、ビームスポット
の反射光が近接したチップ部品Ｔの半田部によって反射
（二次反射）するため、この二次反射光を受光素子Ｄが
受光することにより、受光素子Ｄが受光した反射光が一
次反射光であるのか、二次反射光であるのかが判定でき
ない。

したがって、半田フヌレなどの検査が精度よく行なえな
いという不都合があった。

また、第14図、第15図に示すように、ビームスポットの
反射角の推移によって半田部H₁,H₂の良否の判定を行な
っているので、クリーム半田の状態によっては半田部
H₁,H₂が被検査プリント基板Ｐから浮いた状態で半田さ
れ、ビームスポットの反射角の推移が正常な半田部H₁,H
₂と同様になるため、半田付け状態の検査が精度よく行
なえないという不都合があった。

さらに、スポット位置検知部28の出力によらなければ、
すなわち受光部13または他の受光部の出力によってチッ
プ部品Ｔの有無などが検知できないという不都合があっ
た。

この発明は、上記したような不都合を解消するためにな
されたもので、比較的簡単な構成で、受光部で受光した
反射光が一次反射光または二次反射光であるか、反射光
が正常に半田付けされた半田部からのものであるかが判
定でき、すなわち半田付けの不良および半田部が正常な
状態で被検査プリント基板に接続しているかなどの検査
が精度よく行なえ、ビームスポット照射方向と反対方向
への反射光を受光した第２の受光部の出力によってチッ
プ部品の有無、および実装部品の極性の正否の検査が行
なえる実装済プリント基板自動検査装置を提供するもの
である。

〔課題を解決するための手段〕

この発明にかかる実装済プリント基板自動検査装置は、
上記した目的を達成するため、複数に分割した受光面の
受光量をそれぞれのディジタル値に変換して処理装置に
出力する複数のディジタル変換部を設けたものである。

また、他の発明にかかる実装済プリント基板自動検査装
置は、ミラーを、ビームを反射し、反射光を透過させる
ハーフミラーとし、このハーフミラーを透過した反射光
を受光する第２の受光部を設けるとともに、複数に分割
した受光面の受光量および第２の受光部の受光量をそれ
ぞれのディジタル値に変換して処理装置に出力する複数
のディジタル変換部を設けたものである。

〔作用〕この発明における実装済プリント基板自動検査装置は、
上記のように構成されているので、複数のディジタル変
換部の出力を処理装置で処理することにより、ビームス
ポットの反射光の方向および反射光の強弱を検知でき
る。

したがって、ビームスポットの反射光の方向および反射
光の強弱に基づき、反射光が一次反射光または二次反射
光であるか、反射光が正常に半田付けされた半田部から
のものであるか、すなわち半田付けの不良および半田部
が正常な状態で被検査プリント基板に接続しているかな
どの検査が精度よく行なえるとともに、チップ部分の有
無、および実装部品の極性の正否の検査を受光部および
第２の受光部の出力に基づいて行なうことができる。

〔実施例〕

以下、この発明の実施例を図に基づいて説明する。

第１図はこの発明の一実施例による実装済プリント基板
自動検査装置の光学系およびディジタル変換部を示す構
成図であり、第９図〜第12図と同一部分に同一符号を付
して説明を省略する。

第１図おいて、27Aはハーフミラーを示し、第１の分離
ビームB₁を前述のように反射し、ビームスポットの反射
光を透過させるものである。

18は第１のディジタル変換部を示し、受光部（第１の受
光部）13で受光したビームスポットの反射光の反射角に
応じて受光した受光素子から供給される受光量に応じた
信号（アナログ信号）を増幅するアンプ18aと、アンプ1
8aの出力をディジタル値に変換するアナログ・ディジタ
ル変換器（A/D変換器）18bで構成され、A/D変換器18bの
ディジタル値は処理装置31に出力される。

なお、この第１のディジタル変換部18は、後述する第２
図に示すように、複数のディジタル変換部で構成されて
いる。

19は第２の受光部を示し、ハーフミラー27Aを透過した
ビームスポットの反射光を受光し、受光量に応じたアナ
ログ信号を出力するものである。

20は第２のディジタル変換部を示し、第２の受光部19か
ら供給される受光量に応じたアナログ信号を増幅するア
ンプ20aと、アンプ20aの出力をディジタル値に変換する
A/D変換器20bで構成され、A/D変換器20bのディジタル値
は処理装置31に出力される。

第２図は反射光の角度と受光部の受光素子の関係を示す
受光部の展開図である。

第２図において、D₁〜D₆はビームスポットの反射角に応
じて配置した受光素子を示し、この受光素子D₁〜D₆の中
では、受光素子D₁で受光する反射光の反射角が一番小さ
く、受光素子D₆で受光する反射光の反射角が一番大きい
ものとなる。

18a₁〜18a₆は受光部（第１の受光部）13の各受光素子D₁
〜D₆から供給される受光量に応じたアナログ信号を増幅
するアンプ、18b₁〜18b₆は各アンプ18a₁〜18a₆の出力を
ディジタル値に変換するA/D変換器を示し、このA/D変換
器18b₁〜18b₆のディジタル値は処理装置31に出力され
る。

なお、アンプ18a₁とA/D変換器18b₁、アンプ18a₂とA/D変
換器18b₂、アンプ18a₃とA/D変換器18b₃、アンプ18a₄とA
/D変換器18b₄、アンプ18a₅とA/D変換器18b₅、アンプ18a
₆とA/D変換器18b₆はそれぞれディジタル変換部18A₁〜18
A₆を構成し、各ディジタル変換部18A₁〜18A₆によって第
１のディジタル変換部18が構成されている。

第３図は二次反射を示す説明図、第４図は二次反射の特
性を示す説明図である。

第３図において、T₁,T₂はチップ部品を示し、被検査プ
リント基板Ｐに近接させて実装されている。

Ｈは各チップ部品T₁,T₂の半田部を示し、傾斜角を45度
とする。

第４図において、計測数列は受光素子D₁〜D₆を示し、ア
ナログ値は受光素子D₁〜D₆が受光した反射光量を示す。

このように構成されたこの発明の実装済プリント基板自
動検査装置は、第３図に示すように、被検査プリント基
板Ｐにチップ部品T₁,T₂が近接させて実装されている状
態で、ガルバノメータ23によって第１の分離ビームB₁を
走査すると、受光素子D₁〜D₆で受光された反射光の方向
は第４図に示すように、検出される。

しかし、反射光の反射方向は反射光を受光する受光素子
D₁〜D₆によって決定されるが、この受光素子D₁〜D₆で受
光した受光量はディジタル変換部18（18A₁〜18A₆）で受
光量がディジタル値に変換されて処理装置31に出力され
るので、このディジタル値を処理装置31で判定すること
により、受光した反射光が一次反射光であるか、二次反
射光であるかを判定することができる。

すなわち、例えば反射光の受光量が最大で100のとき、
反射光の受光量が第４図に示すような値であれば、すな
わち80、76の値であれば、反射光は一次反射光であると
判定でき、34、23のように低い値であれば、反射光は二
次反射光であると判定できる。

したがって、第３図に示すように、チップ部品T₁,T₂を
近接させて被検査プリント基板Ｐに実装すると、従来は
反射光の反射方向（計測数列）に基づいて半田面が平面
であると判定され、すなわち半田不良（ブリッジなど）
と判定されるが、この発明によれば、反射光の受光量を
も参照して半田部Ｈの半田状態を判断するので、半田付
けが正常であると判定できる。

このように、受光量をも参照して半田部Ｈの半田状態を
判断するので、ビームスポットの反射角の推移によって
半田部Ｈが正常であると判定できても、クリーム半田の
状態によって半田部Ｈが被検査プリント基板Ｐに正常な
状態で接続していないと、受光量のアナログ値が低い値
になるため、半田部Ｈの形状のみならず、半田部Ｈの被
検査プリント基板Ｐとの接続状態もを判定できる。

なお、一次反射光と二次反射光を区別（判定）する値お
よび半田部Ｈの被検査プリント基板Ｐとの接続状態を値
は、例えば50〜60の間の任意の値とすることができる。

第５図はチップダイオードの極性を判定するときの掃引
方向を示す説明図である。

第５図において、TDはチップダイオードを示し、極性を
示し白いマークMAが設けられている。

そして、矢印方向は第１の分離ビームB₁の掃引方向を示
す。

第６図（ａ），（ｂ）はチップダイオードの極性を判定
する反射光の特性を示す波形図である。

第６図において、レベルは受光量を示す。

第５図に示すように、第１の分離ビームB₁を矢印方向に
掃引すると、チップダイオードTDに照射されたビームス
ポットの反射光は、ハーフミラー27Aを透過して第２の
受光部19で受光されるので、この第２の受光部19で受光
された反射光の受光量は第２のディジタル変換部20でデ
ィジタル値に変換されて処理装置31に出力される。

したがって、処理装置31は、例えば第２のディジタル変
換部20から第６図（ａ）に示すような出力が供給される
と、すなわち掃引方向の上流にマークMAに対応する出力
があると、チップダイオードTDの極性が正常であると判
定する。

しかし、処理装置31は、例えば第２のディジタル変換部
20から第６図（ｂ）に示すような出力が供給されると、
すなわち掃引方向の下流にマークMAに対応する出力があ
ると、チップダイオードTDの極性が異常であると判定す
る。

第７図はチップ部品の有無を判定するときの掃引方向を
示す説明図である。

第８図（ａ），（ｂ）はチップ部品の有無を判定する反
射光の特性を示す波形図である。

第７図において、矢印方向は第１の分離ビームB₁の掃引
方向を示す。

第８図において、レベルは受光量を示す。

第７図に示すように、第１の分離ビームB₁を矢印方向に
掃引すると、チップ部品Ｔに照射されたビームスポット
の反射光は、ハーフミラー27Aを透過して第２の受光部1
9で受光される。

したがって、第５図で説明したように、処理装置31は、
第２のディジタル変換部20から第８図（ａ）に示すよう
な出力が供給されると、チップ部品Ｔが実装されている
と判定し、第２のディジタル変換部20から第８図（ｂ）
に示すような出力が供給されると、チップ部品Ｔが実装
されていないと判定する。

このように、反射光の傾斜角では検査できないチップダ
イオードTDなどの極性を、第１の分離ビームB₁の照射方
向と反対方向に反射される反射光に基づき、検査するこ
とができる。

また、スポット位置検知部28の出力によらずに第２の受
光部19の出力に基づいてチップ部品Ｔなどの有無を検査
することができる。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明によれば、複数に分割した受光
面の受光量をそれぞれのディジタル値に変換して処理装
置に出力する複数のディジタル変換部を設けたので、ま
たはミラーを、ビームを反射し、反射光を透過させるハ
ーフミラーとし、このハーフミラーを透過した反射光を
受光する第２の受光部を設けるとともに、複数に分割し
た受光面の受光量および第２の受光部の受光量をそれぞ
れのディジタル値に変換して処理装置に出力する複数の
ディジタル変換部を設けたので、複数のディジタル変換
部の出力を処理装置で処理することにより、ビームスポ
ットの反射光の方向および反射光の強弱を検知できる。

したがって、ビームスポットの反射光の方向および反射
光の強弱に基づき、反射光が一次反射光または二次反射
光であるか、反射光が正常に半田付けされた半田部から
のものであるか、すなわち半田付けの不良および半田部
が正常な状態で被検査プリント基板に接続しているかな
どの検査が精度よく行なえるとともに、チップ部品の有
無、および実装部品の極性の正否の検査を、比較的簡単
な構成で受光部および第２の受光部の出力に基づいて行
なえるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例による実装済プリント基板
自動検査装置の光学系およびディジタル変換部を示す構
成図、第２図は反射光の角度と受光部の受光素子の関係を示す
受光部の展開図、第３図は二次反射を示す説明図、第４図は二次反射の特性を示す説明図、第５図はチップダイオードの極性を判定するときの掃引
方向を示す説明図、第６図（ａ），（ｂ）はチップダイオードの極性を判定
する反射光の特性を示す波形図、第７図はチップ部品の有無を判定するときの掃引方向を
示す説明図、第８図（ａ），（ｂ）はチップ部品の有無を判定する反
射光の特性を示す波形図、第９図は本出願人が先に提案した実装済プリント基板自
動検査装置を示す正面図、第10図は第９図に示した実装済プリント基板自動検査装
置の光学系を示す斜視図、第11図は本出願人が先に提案した実装済プリント基板自
動検査装置の全体構成を示すブロック図、第12図は受光部によるスパッタ光の受光状態を示す説明
図、第13図は受光部の受光面を示す受光部の展開図、第14図、第15図（ａ），（ｂ）はチップ部品の半田フヌ
レの検出を示す説明図、第16図はチップ部品の有無の判定を示す説明図である。 12……Ｘ−Ｙステージ、13……受光部、14……受光器、
18……第１のディジタル変換部、18A₁18A₆……ディジタ
ル変換部、19……第２の受光部、20……第２のディジタ
ル変換部、21……He−Neレーザ銃、23……ガルバノメー
タ（ビーム走査手段）、24……ビームスプリッタ、27A
……ハーフミラー、30……第２の光点位置検出素子、31
……処理装置、35……サーボ制御部、Ｗ……開口、D₁〜
D₆……受光素子、Ｐ……被検査プリント基板、T,T₁,T₂
……チップ部品、TD……チップダイオード、Ｂ……ビー
ム、B₁……第１の分離ビーム、B₂……第２の分離ビー
ム。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】処理装置の制御に基づいたビーム走査手段
で定点を中心に細く絞られたビームを走査し、この走査
した前記ビームをミラーで反射して受光部の開口から被
検査プリント基板に直角に照射したビームスポットの反
射光を、この反射光の反射角に応じて複数に分割した前
記受光部の受光面で検知して前記被検査プリント基板の
検査を行なう実装済プリント基板自動検査装置におい
て、前記複数に分割した受光面の受光量をそれぞれのディジ
タル値に変換して前記処理装置に出力する複数のディジ
タル変換部を設けた、ことを特徴とする実装済プリント基板自動検査装置。
【請求項２】処理装置の制御に基づいたビーム走査手段
で定点を中心に細く絞られたビームを走査し、この走査
した前記ビームをミラーで反射して受光部の開口から被
検査プリント基板に直角に照射したビームスポットの反
射光を、この反射光の反射角に応じて複数に分割した前
記受光部の受光面で検知して前記被検査プリント基板の
検査を行なう実装済プリント基板自動検査装置におい
て、前記ミラーを、前記ビームを反射し、前記反射光を透過
させるハーフミラーとし、このハーフミラーを透過した反射光を受光する第２の受
光部を設けるとともに、前記複数に分割した受光面の受光量および前記第２の受
光部の受光量をそれぞれのディジタル値に変換して前記
処理装置に出力する複数のディジタル変換部を設けた、ことを特徴とする実装済プリント基板自動検査装置。