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JPH0787181B2 - Photo-excitation process equipment - Google Patents
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JPH0787181B2 - Photo-excitation process equipment - Google Patents

Photo-excitation process equipment

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JPH0787181B2
JPH0787181B2 JP61194199A JP19419986A JPH0787181B2 JP H0787181 B2 JPH0787181 B2 JP H0787181B2 JP 61194199 A JP61194199 A JP 61194199A JP 19419986 A JP19419986 A JP 19419986A JP H0787181 B2 JPH0787181 B2 JP H0787181B2
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film
reaction chamber
gas
water
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Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は反応気体から光化学反応によって基板上に薄膜
を形成する光CVD装置及びエキシマレーザー装置に関す
る。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to an optical CVD apparatus and an excimer laser apparatus for forming a thin film on a substrate by a photochemical reaction from a reaction gas.

本明細書では、この光CVD装置とエキシマレーザー装置
を総称して「光励起プロセス装置」という。
In this specification, the photo CVD apparatus and the excimer laser apparatus are collectively referred to as "photoexcitation process apparatus".

(従来の技術) 従来の光CVD装置は、第5図に示すように反応室(1)
を周囲から隔離するためのチャンバー(1a)から主とし
て成り、反応室内(1)の上部に支持台(3)が固定さ
れており、支持台(3)の内部には基板(5)を加熱す
るためのヒータ(2)が取付てある。支持台(3)の下
部には基板(5)を装着するための基板ホルダ(4)が
固定されている。また、チャンバー(1a)の下部には成
膜するために必要な光化学反応を起こし、反応を進める
光(一般には紫外光)を引き入れるための窓(6)が設
けられている。窓(6)は、そこを透過した光が基板
(5)を照射できる位置に設けられている。窓(6)の
材料は、一般には石英、弗化マグネシウム等の紫外線を
透過するもので作られる。
(Prior Art) A conventional photo-CVD apparatus has a reaction chamber (1) as shown in FIG.
It is mainly composed of a chamber (1a) for isolating the substrate from the surroundings, and a supporting table (3) is fixed to the upper part of the reaction chamber (1), and the substrate (5) is heated inside the supporting table (3). A heater (2) is attached for this purpose. A substrate holder (4) for mounting the substrate (5) is fixed to the lower part of the support base (3). In addition, a window (6) is provided below the chamber (1a) for introducing light (generally ultraviolet light) that causes a photochemical reaction required for film formation and advances the reaction. The window (6) is provided at a position where the light transmitted therethrough can irradiate the substrate (5). The material of the window (6) is generally made of a material such as quartz or magnesium fluoride that transmits ultraviolet rays.

反応室(1)には光化学反応を起こし基板(5)上に反
応生成物による薄膜が堆積されるような反応気体、例え
ばジシラン(Si2H6)ガスが導入され、そして、光源
(7)から窓(6)を通して基板(5)に光が照射され
ると、ジシランガスが分解して基板上にアモルファス・
シリコンの薄膜が堆積する。
A reaction gas, such as disilane (Si 2 H 6 ) gas, which causes a photochemical reaction to deposit a thin film of the reaction product on the substrate (5) is introduced into the reaction chamber (1), and the light source (7). When the substrate (5) is irradiated with light from the window through the window (6), disilane gas is decomposed and amorphous.
A thin film of silicon is deposited.

しかし、窓(6)も反応性気体に曝されているので光を
照射することによって窓(6)上にも次第に膜が堆積
し、この膜が反応室(1)に達する光の強度を低下さ
せ、ついには成膜の続行が不可能になるという問題があ
った。
However, since the window (6) is also exposed to the reactive gas, the film is gradually deposited on the window (6) by irradiating the light, and the intensity of the light reaching the reaction chamber (1) is reduced by the film. Then, there was a problem that the film formation could not be continued at last.

このような問題を解決するため、従来、(イ)窓(6)
の反応気体側に油脂類を塗布することによって窓上の膜
の堆積を防止する方法や(ロ)不活性ガスを窓(6)に
吹き付ける方法などが提案された。
In order to solve such a problem, conventionally, (a) window (6)
A method of preventing the deposition of a film on the window by applying oils and fats on the reaction gas side of (2) and a method of spraying (b) an inert gas on the window (6) have been proposed.

また、エキシマレーザー装置は、紫外域で発振する唯一
の高出力レーザとして注目されており、電子産業、高分
子産業、化学産業、エネルギー産業等に於いて、その応
用が期待されている。
Further, the excimer laser device is attracting attention as the only high-power laser that oscillates in the ultraviolet region, and its application is expected in the electronic industry, polymer industry, chemical industry, energy industry and the like.

エキシマレーザー光を発光する装置は、エキシマレーザ
ーと呼ばれ、基本的には第7図に示す如くレーザーガス
を含む反応室(1)と反応室(1)を周囲から隔離する
ためのチャンバー(1a)とレーザーガスを励起させる励
起手段の一種としての一対の放電電極(13)と発振され
たレーザー光をハウジング外に透過させるための窓
(6)と、この窓と兼用されることもあり得る光共振器
(14)とからなる。尚、光共振器(14)の一方は全反射
ミラーで他方は半透過鏡である。
An apparatus that emits excimer laser light is called an excimer laser, and basically, as shown in FIG. 7, a reaction chamber (1) containing a laser gas and a chamber (1a for isolating the reaction chamber (1) from the surroundings. ) And a pair of discharge electrodes (13) as a kind of excitation means for exciting the laser gas, and a window (6) for transmitting the oscillated laser light to the outside of the housing, and this window may also be used. It consists of an optical resonator (14). One of the optical resonators (14) is a total reflection mirror and the other is a semi-transmission mirror.

この場合、レーザガスは希ガス(R)例えばキセノン、
クリプトン、アルゴンとハロゲン(X)例えば塩素、フ
ッ素との混合物からなり、このレーザーガスを電子ビー
ム照射や放電等によってパルス的なショックを与え、希
ガス(R)を励起状態(R*)に上げてやると、直ちにハ
ロゲン(X)と結合して励起状態でのみ存在する分子
(RX*)を生成する。この分子(RX*)がエキシマ(exci
mer)と呼ばれるものである。
In this case, the laser gas is a rare gas (R) such as xenon,
It consists of a mixture of krypton, argon and halogen (X) such as chlorine and fluorine, and gives a pulsed shock to this laser gas by electron beam irradiation, discharge, etc. to raise the rare gas (R) to the excited state (R * ). Then, it immediately combines with halogen (X) to form a molecule (RX * ) that exists only in the excited state. This molecule (RX * ) is an excimer (exci
mer) is called.

ところが、エキシマは不安定でそのままの状態でいるこ
とに我慢できないため、直ちに紫外光を放出して基底状
態に落ち、再び希ガスとハロゲンとに別れてしまう。こ
れをbound−free遷移という。
However, since the excimer is unstable and can not stand the state as it is, it immediately emits ultraviolet light, falls to the ground state, and again splits into a rare gas and a halogen. This is called a bound-free transition.

そこでbound−free遷移に基づく紫外光を一対のミラー
で構成される光共振器内で増幅させ、レーザー光として
取出すようにしたものがエキシマレーザー装置である。
Therefore, an excimer laser device is one in which ultraviolet light based on bound-free transition is amplified in an optical resonator composed of a pair of mirrors and is extracted as laser light.

(発明が解決しようとする問題点) しかし、光CVDにおいては、前者(イ)の方法を用いて
も窓(6)へ膜は次第に堆積するため成膜後に窓(6)
を清掃し、油脂類を再塗布するというもので能率的では
ないという問題点があった。また、後者(ロ)も膜の堆
積を完全に抑えるものではない。更に、両者とも光化学
反応に無関係な物質を反応室内に導入することになり、
生成する膜を不純物で汚染し、性能を著しく劣化させる
という問題点があった。
(Problems to be solved by the invention) However, in the photo-CVD, even if the former method (a) is used, the film is gradually deposited on the window (6), so that the window (6) is formed after film formation.
There is a problem in that it is not efficient because it is to clean and re-apply oils and fats. The latter (b) also does not completely suppress the deposition of the film. Furthermore, both will introduce a substance unrelated to the photochemical reaction into the reaction chamber,
There is a problem that the produced film is contaminated with impurities and the performance is significantly deteriorated.

また、紫外光源としてよく利用されるエキシマレーザー
装置においても、窓(6)のチャンバー内面に反応性気
体が吸着し、光反応によって膜堆積を起こし、そのため
窓の透過率は低下し、レーザーの出力を低下させるとい
う問題点があった。
Further, also in the excimer laser device that is often used as an ultraviolet light source, the reactive gas is adsorbed on the inner surface of the chamber of the window (6) to cause film deposition due to photoreaction, so that the transmittance of the window is reduced and the output of the laser is reduced. There was a problem that it lowered.

本発明はこれらの問題点を解決し、反応室(1)内に不
必要な物質を導入せずに窓(6)内面への膜の堆積を防
止又は抑制することを目的としている。
The present invention aims to solve these problems and prevent or suppress film deposition on the inner surface of the window (6) without introducing unnecessary substances into the reaction chamber (1).

(問題点を解決するための手段) 本発明の特徴は、前記窓を冷却する冷却手段を設けて、
光励起プロセスの際に、前記窓を前記冷却手段により前
記反応室内にある水分の露点以下に冷却することによ
り、前記水分を前記窓に露結させ、前記窓を水の層で覆
うようにしたことにある。
(Means for Solving Problems) A feature of the present invention is to provide cooling means for cooling the window,
During the photoexcitation process, the window is cooled to a temperature below the dew point of the water in the reaction chamber by the cooling means to condense the water on the window and cover the window with a layer of water. It is in.

(作用) 基板上への膜の成膜は、一般に基板温度が低ければ低い
ほど膜の堆積は困難になる。そこで、本発明では窓を冷
却して窓への膜の堆積を困難にする。
(Function) Generally, the lower the substrate temperature, the more difficult it is to deposit a film on a substrate. Therefore, in the present invention, the window is cooled to make it difficult to deposit a film on the window.

また、反応気体には一般に不純物として極く僅かの水分
が含まれている。そこで、本発明に従い窓を反応室内の
水分の分圧における水の露点以下に冷却すると水分が窓
上に堆積して薄い水の層を生じる。この後、光を反応室
内に照射し、成膜を開始すると、膜が水の層上に目的の
膜が堆積することは困難になり、窓の曇は著しく軽減さ
れる。
Further, the reaction gas generally contains a very small amount of water as an impurity. Therefore, when the window is cooled below the dew point of water at the partial pressure of water in the reaction chamber according to the present invention, the water is deposited on the window to form a thin water layer. After that, when light is irradiated into the reaction chamber to start film formation, it becomes difficult for the film to be deposited on the water layer, and fogging of the window is significantly reduced.

また、万一膜が堆積しても、窓には直接付着することは
ない。したがって、目的の膜の形成が終了した後、冷却
を止めて積極的に加熱し又は加熱しないで放置して窓の
温度を上昇させると反応室内部は減圧状態になるので結
露した水は蒸発する。水が蒸発すると水の層の上に堆積
した膜は剥離するために、わざわざそれを清掃して除去
する必要がなくなる。これにより、これまで窓の清掃の
ため行われてきた反応室へのエッチングガス導入(プラ
ズマエッチング)や真空を破って窓を拭清といった真空
系にとって著しい不利益のある行為が不必要になる。
Moreover, even if a film is deposited, it does not directly adhere to the window. Therefore, after the formation of the target film is completed, if the cooling is stopped and the heating is positively or left unheated to raise the temperature of the window, the inside of the reaction chamber is in a depressurized state and the condensed water evaporates. . When the water evaporates, the film deposited on top of the water layer peels away, eliminating the need to clean it. As a result, it becomes unnecessary to perform an action, which has been conventionally performed for cleaning the window, such as introducing an etching gas into the reaction chamber (plasma etching) or breaking the vacuum to wipe the window, which is extremely detrimental to the vacuum system.

窓面が露点以下になることによって堆積した窓面上の水
の層は、一定で均一の厚さ(例えば10〜1000Å)である
ことが望ましい。この膜厚を、例えば膜ノズル伝導率の
測定、あるいは干渉縞を数えることによって知り、冷却
手段とともに例えばヒータなどの昇温装置を用いて窓面
の温度を一定に制御し、膜厚を一定値かつ均一にするこ
とができる。
It is desirable that the water layer deposited on the window surface due to the window surface being below the dew point has a constant and uniform thickness (for example, 10 to 1000Å). This film thickness is known, for example, by measuring the conductivity of the film nozzle or counting the interference fringes, and the temperature of the window surface is controlled to a constant value by using a temperature raising device such as a heater together with the cooling means. And it can be made uniform.

(実施例1) 以下、本発明の1つの実施例について説明する。Example 1 One example of the present invention will be described below.

第1図は、この実施例の光励起プロセス装置の概略垂直
断面を示した図である。
FIG. 1 is a diagram showing a schematic vertical cross section of the photoexcitation process apparatus of this embodiment.

反応室(1)内の上部には支持台(3)が固定されてお
り、支持台(3)の内部に基板(5)を加熱するための
ヒータ(2)が取付てある。一方、支持台(3)の下面
には基板(5)を装着するための基板ホルダ(4)が固
定されている。
A support base (3) is fixed to the upper part of the reaction chamber (1), and a heater (2) for heating the substrate (5) is attached inside the support base (3). On the other hand, a substrate holder (4) for mounting the substrate (5) is fixed to the lower surface of the support base (3).

チャンバー(1a)の一部には光源からの光を透過し基板
(5)を照射するための窓(6)が取り付けられてる。
窓(6)の内部には面に平行に冷却剤通路(9)が数本
貫通しており、その両端には循環パイプが連結してあ
る。
A window (6) for transmitting light from a light source and irradiating a substrate (5) is attached to a part of the chamber (1a).
Several coolant passages (9) penetrate through the inside of the window (6) parallel to the surface, and circulation pipes are connected to both ends thereof.

冷却剤としては、例えば液化窒素、液化ヘリウムなどが
使用され、これらは図示していない冷却装置により所定
の低温に冷却される。この冷却された冷却剤と冷却剤循
環系が本発明の冷却手段を構成する。
Liquefied nitrogen, liquefied helium, or the like is used as the coolant, and these are cooled to a predetermined low temperature by a cooling device (not shown). The cooled coolant and the coolant circulation system constitute the cooling means of the present invention.

尚、この実施例の光励起プロセス装置には隣接して光源
室(8)が設けられており、その内部には光源(7)が
配置されている。
A light source chamber (8) is provided adjacent to the photoexcitation process apparatus of this embodiment, and a light source (7) is arranged inside the light source chamber.

反応室(1)と光源室(8)を予め高真空例えば1×10
-5〜1×10-6Torr.にした後、反応室に反応気体例え
ば、ジシラン10cc/min、アンモニア500cc/min、及び窒
素500cc/minからなるガスを導入し、チャンバー内の総
ガス圧を100Torr.とする。この場合、チャンバー内には
不純物として分圧0.001Torr.の水分が含まれている。ま
た、光源室(8)には不活性ガスを同圧に導入する。
The reaction chamber (1) and the light source chamber (8) are preliminarily high vacuum, for example, 1 × 10
-5 to 1 × 10 -6 Torr. After introducing a reaction gas such as disilane 10 cc / min, ammonia 500 cc / min, and nitrogen 500 cc / min into the reaction chamber, the total gas pressure in the chamber is adjusted. 100 Torr. In this case, the chamber contains moisture with a partial pressure of 0.001 Torr. Further, an inert gas is introduced into the light source chamber (8) at the same pressure.

そして、循環パイプ(9)を通じて冷却剤(ここでは液
体窒素)を流して窓(6)を−75℃(分圧0.001Torr.の
露点;−75℃)以下に冷却する。冷却剤は窓(6)の内
部を通り気密な反応室(1)や光源室(8)に漏れるこ
となく窓(6)のみを冷却する。
Then, a coolant (here, liquid nitrogen) is flown through the circulation pipe (9) to cool the window (6) to −75 ° C. (a dew point of partial pressure 0.001 Torr .; −75 ° C.) or lower. The coolant passes through the inside of the window (6) and cools only the window (6) without leaking into the airtight reaction chamber (1) and the light source chamber (8).

この結果、窓(6)の反応室側表面に水が結露し始め、
極めて薄い水の膜が形成される。
As a result, water begins to condense on the reaction chamber side surface of the window (6),
A very thin water film is formed.

そこで、光源(7)を点灯し波長185nmの光を窓を通し
て基板(5)を照射すると、 窒化ケイ素の膜が基板上に堆積し始める。
Then, when the light source (7) is turned on and the substrate (5) is irradiated with light having a wavelength of 185 nm through the window, a silicon nitride film starts to be deposited on the substrate.

しかし、窓(6)は極低温(−75℃以下)であるために
膜が窓(6)内面に堆積することは極めて少なくなり、
また、わずかに堆積しても窓(6)上には水の膜が形成
されているために堆積膜が直接付着することはない。
However, since the window (6) is extremely low temperature (-75 ° C. or lower), the film is hardly deposited on the inner surface of the window (6),
In addition, even if slightly deposited, the deposited film does not directly adhere because the water film is formed on the window (6).

したがって、成膜後に、冷却を止めて窓の温度を露点以
上に上昇させれば水の膜の蒸発と共に堆積した膜も剥離
するため、あらためて清掃する必要がない。
Therefore, if the cooling is stopped and the temperature of the window is raised to the dew point or higher after the film formation, the water film evaporates and the deposited film peels off. Therefore, it is not necessary to clean the film again.

(実施例2) 第3図に示す第2の実施例は、冷却剤通路(9)を窓
(6)の内部に設けずに表面に循環パイプ(10)を配置
したものである。こうすると、冷却剤通路(9)のため
に窓(6)の内部をくり抜く必要がないが、その代わり
光源光に曝される部分は循環パイプ(10)を透過率の良
い材料で作成するか、さもなけれ循環パイプ(10)によ
る遮光に忍従する必要がある。
(Embodiment 2) In a second embodiment shown in FIG. 3, the circulation pipe (10) is arranged on the surface without providing the coolant passage (9) inside the window (6). In this way, it is not necessary to hollow out the inside of the window (6) for the coolant passage (9), but instead, for the part exposed to the light of the light source, the circulation pipe (10) should be made of a material with good transmittance. Otherwise, it is necessary to obey the light shielding by the circulation pipe (10).

(実施例3) 窓(6)の反応チャンバー内部に面してない側例えば光
励起プロセス装置では光源側、エキシマレーザでは外部
側(以後、窓の外側と呼ぶ)が大気に曝されていて窓の
両面とも冷却されている場合には大気側に霜がつき、光
の透過を妨げる恐れがある。
(Example 3) The side of the window (6) not facing the inside of the reaction chamber, for example, the light source side in the photoexcitation process apparatus and the outer side (hereinafter referred to as the outside of the window) in the excimer laser are exposed to the atmosphere and If both sides are cooled, frost may form on the atmosphere side, which may hinder the transmission of light.

これを回避するために、第6図に示すように窓(6)
の光源側の外側をヒータで加熱する。窓(6)の外側
を高真空にする(好ましくは窓を多重にし、その間を高
真空にする)窓の外側を高純度な乾燥気体で覆う(好
ましくは反応室と同圧で高純度なHe、H2で覆う)は前
記〜の組み合わせ等の手段をとることができる。
To avoid this, as shown in FIG. 6, the window (6)
The outside of the light source side of is heated by a heater. A high vacuum is applied to the outside of the window (6) (preferably multiple windows are used and a high vacuum is applied between them). The outside of the window is covered with a high-purity dry gas (preferably at the same pressure as the reaction chamber and a high-purity He , H 2 ) may be combined with any of the above.

(実施例4) 第7図のエキシマレーザー装置の窓(6)を実施例3で
使用した窓にそれぞれ交換した。この結果、長期間使用
しても窓(6)の曇は発生しなかった。
Example 4 The window (6) of the excimer laser device shown in FIG. 7 was replaced with the window used in Example 3. As a result, the window (6) did not fog even after long-term use.

(発明の効果) 以上の通り、本発明にしたがい窓を冷却すると、光励起
プロセスの際に窓に膜が堆積することがなくなるか又は
少なくなる。
EFFECTS OF THE INVENTION As described above, cooling a window in accordance with the present invention eliminates or reduces film deposition on the window during the photoexcitation process.

一般に基板上への膜の成膜は、基板温度が低ければ低い
ほど、膜の堆積は困難になるので、本発明に従い窓を冷
却すると窓への膜の堆積は少なくなる道理である。
Generally, when a film is formed on a substrate, the film deposition becomes more difficult as the substrate temperature is lower. Therefore, cooling the window according to the present invention makes it possible to reduce the film deposition on the window.

光励起プロセスの際に、反応室内にある水分が前記窓に
露結するように、前記水分(反応室内にある水分)の露
点以下に前記窓を冷却手段により冷却すると、窓上で水
が露結し、窓が水の層で覆われるため膜の堆積は困難に
なり、堆積膜が僅かに付着しても、窓と膜との間に水の
層が介在するために、堆積膜が直接に窓に付着すること
はない。そのため、成膜後、窓の冷却を停止することに
よって窓の温度を自然に上昇させたり、あるいは、積極
的に窓を加熱して窓の温度を常温以上に上昇させると水
が蒸発するので、それに伴い、窓に堆積した膜は水の蒸
発と共に剥離する。
When the window is cooled by the cooling means below the dew point of the moisture (moisture in the reaction chamber) so that the moisture in the reaction chamber is condensed in the window during the photoexcitation process, water is condensed on the window. However, since the window is covered with the water layer, it becomes difficult to deposit the film, and even if the deposited film adheres slightly, the water layer is interposed between the window and the film, so that the deposited film is directly attached. Does not adhere to windows. Therefore, after the film formation, the temperature of the window is naturally increased by stopping the cooling of the window, or when the temperature of the window is actively heated to raise the temperature of the window to room temperature or higher, water evaporates. Along with this, the film deposited on the window peels off as the water evaporates.

したがって、真空を破らずに再成膜をすることが可能で
あり、反応室の清澄度を保つことができる上、同一基板
上への連続プロセスも可能である。尚、反応気体中に含
まれる不純物としての水が窓に露結した場合には、反応
気体の純度が高まり、その結果、堆積する膜の純度が向
上するという利点もある。
Therefore, the film can be re-formed without breaking the vacuum, the clarity of the reaction chamber can be maintained, and a continuous process on the same substrate is possible. When water as impurities contained in the reaction gas is condensed on the window, the purity of the reaction gas is increased, and as a result, the purity of the deposited film is also improved.

更に、本発明によれば、窓への膜の堆積を防止するため
に、光化学反応に不必要な物質を反応室に導入する必要
がないので、反応気体が汚染される心配がない。
Further, according to the present invention, it is not necessary to introduce a substance unnecessary for the photochemical reaction into the reaction chamber in order to prevent the film from being deposited on the window, so that the reaction gas is not contaminated.

また、エキシマレーザー装置等の紫外光源においても、
反応室内のレーザーガスに悪影響を及ぼすことなく窓の
再生が可能なことから光源の長寿命化を得ることができ
る。
In addition, even in an ultraviolet light source such as an excimer laser device,
Since the window can be regenerated without adversely affecting the laser gas in the reaction chamber, the life of the light source can be extended.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明の実施例1にかかる光励起プロセス装置
の概略垂直断面図である。 第2図は窓の概略平面図 第3図は本発明の実施例2にかかる光励起プロセス装置
の概略垂直断面図である。 第4図は窓の概略平面図である。 第5図は従来の光CVD装置の概略垂直断面図である。 第6図は本発明の実施例3にかかる光励起プロセス装置
の概略垂直断面図である。 第7図は本発明の実施例4にかかるエキシマレーザーの
概略垂直断面図である。 (主要部分の符号の説明) 1……反応室 1a……チャンバー 2,11……ヒータ 3……支持台 4……基板ホルダ 5……基板 6……窓 7……光源 8……光源室 9……冷却剤通路(冷却手段の一例を構成すす部材) 10……冷却剤循環パイプ(冷却手段の一例を構成すす部
材) 12……ガラス 13……放電電極 14……光共振器 15……膜形成ガス導入口 16……膜形成ガス排気口 17……高真空
FIG. 1 is a schematic vertical sectional view of an optical excitation process device according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a schematic plan view of a window. FIG. 3 is a schematic vertical sectional view of an optical excitation process device according to a second embodiment of the present invention. FIG. 4 is a schematic plan view of the window. FIG. 5 is a schematic vertical sectional view of a conventional photo-CVD apparatus. FIG. 6 is a schematic vertical sectional view of an optical excitation process device according to a third embodiment of the present invention. FIG. 7 is a schematic vertical sectional view of an excimer laser according to the fourth embodiment of the present invention. (Description of symbols of main parts) 1 ... Reaction chamber 1a ... Chamber 2, 11 ... Heater 3 ... Support stand 4 ... Substrate holder 5 ... Substrate 6 ... Window 7 ... Light source 8 ... Light source chamber 9 ... Coolant passage (a member that constitutes an example of cooling means) 10 ... Coolant circulation pipe (a member that constitutes an example of cooling means) 12 ... Glass 13 ... Discharge electrode 14 ... Optical resonator 15 ... … Membrane forming gas inlet 16 …… Membrane forming gas outlet 17 …… High vacuum

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】反応室と窓を備えた光励起プロセス装置に
於いて、 前記窓を冷却する冷却手段を設けて、光励起プロセスの
際に、前記窓を前記冷却手段により前記反応室内にある
水分の露点以下に冷却することにより、前記水分を前記
窓に露結させ、前記窓を水の層で覆うようにしたことを
特徴とする光励起プロセス装置。
1. A photo-excitation process apparatus comprising a reaction chamber and a window, wherein cooling means for cooling the window is provided, and the window is cooled by the cooling means during the photo-excitation process to remove moisture in the reaction chamber. The photoexcitation process apparatus, wherein the water is condensed on the window by cooling to below the dew point, and the window is covered with a layer of water.
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