JPH0787228B2 - IC device - Google Patents
IC deviceInfo
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- JPH0787228B2 JPH0787228B2 JP63052037A JP5203788A JPH0787228B2 JP H0787228 B2 JPH0787228 B2 JP H0787228B2 JP 63052037 A JP63052037 A JP 63052037A JP 5203788 A JP5203788 A JP 5203788A JP H0787228 B2 JPH0787228 B2 JP H0787228B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- resin
- package
- resin thickness
- lead frame
- Prior art date
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、プラスチックパッケージによってICチップ等
を封止するICデバイスに関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to an IC device in which an IC chip or the like is sealed with a plastic package.
〔従来の技術〕 従来、この種のICデバイスは第２図に示すように構成さ
れている。これを同図に基づいて概略説明すると、同図
において、符号１で示すものはリードフレーム２のダイ
スパッド３上に接合されたICチップ、４はこのICチップ
１と前記リードフレーム２のインナーリード５とを接続
するワイヤ、６はこのワイヤ４および前記ICチップ１を
樹脂封止するパッケージ（外装部材）である。[Prior Art] Conventionally, this type of IC device is configured as shown in FIG. This will be described in brief with reference to the same drawing. In FIG. 1, reference numeral 1 indicates an IC chip bonded to a die pad 3 of a lead frame 2, and 4 indicates inner leads of the IC chip 1 and the lead frame 2. A wire connecting 5 and 6 is a package (exterior member) for sealing the wire 4 and the IC chip 1 with resin.
ところで、従来のICデバイスにおいては、通常ICチップ
１上方の樹脂厚a1とダイスパッド３下方の樹脂厚a2およ
びリードフレーム２のインナーリード５上方の樹脂厚b1
とインナーリード５下方の樹脂厚b2が等しい寸法に設定
されておらず、このため樹脂封止後にパッケージ６の上
下方で樹脂厚に比例して増大する収縮量が異なってい
た。この結果、パッケージ６が変更して反りやクラック
が生じ、デバイス品質上の信頼性が低下するという問題
があった。Incidentally, in the conventional IC device, usually IC chip 1 above the resin thickness a 1 and the die pad 3 beneath the inner leads of the resin thickness a 2 and the lead frame 2 5 above the resin thickness b 1
Since the resin thickness b 2 below the inner lead 5 is not set to be equal, the shrinkage amount that increases in proportion to the resin thickness above and below the package 6 after resin sealing is different. As a result, there is a problem in that the package 6 is changed to cause warpage and cracks, which lowers reliability in device quality.
本発明はこのような事情に鑑みなされたもので、パッケ
ージの変形による反りやクラックの発生を防止すること
ができ、もってデバイス品質上の信頼性を向上させるこ
とができるICデバイスを提供するものである。The present invention has been made in view of such circumstances, and provides an IC device capable of preventing the occurrence of warpage or cracks due to the deformation of the package and thus improving the reliability in device quality. is there.
本発明に係るICデバイスは、リードフレームのダイスパ
ッド上に接合されたICチップおよびこのICチップと前記
リードフレームのインナーリードとを接続するワイヤを
樹脂封止するパッケージを備え、このパッケージ内のIC
チップ上方の樹脂厚とダイスパッド下方の樹脂厚を等し
い寸法に設定すると共に、リードフレームのインナーリ
ード上下方の樹脂厚を等しい寸法に設定し、かつICチッ
プの表面とインナーリードの表面とを同一の面上に位置
付けたものである。An IC device according to the present invention includes an IC chip bonded on a die pad of a lead frame and a package for resin-sealing a wire connecting the IC chip and an inner lead of the lead frame, and the IC in the package is provided.
The resin thickness above the chip and the resin thickness below the die pad are set to the same size, and the resin thickness above and below the inner leads of the lead frame are set to the same size, and the surface of the IC chip and the surface of the inner lead are the same. It is located on the surface of.
本発明においては、樹脂封止後にパッケージの上下方で
樹脂の収縮量を同一にすることができると共に、樹脂注
入時におけるワイヤに当たる溶融樹脂の流速が低く抑え
られる。In the present invention, the amount of shrinkage of the resin can be made the same above and below the package after the resin is sealed, and the flow rate of the molten resin hitting the wire at the time of resin injection can be kept low.
以下、本発明の構成等を図に示す実施例によって詳細に
説明する。第１図は本発明に係るICデバイスを示す断面
図で、同図において第２図と同一の部材については同一
の符号を付し、詳細な説明は省略する。同図において、
符号11で示すものは前記パッケージ６と同一の材質およ
び機能をもつパッケージで、前記ICチップ１上方の樹脂
厚a1と前記ダイスパッド３下方の樹脂厚a2が等しい寸法
に設定され、かつ前記リードフレーム２のインナーリー
ド５上方の樹脂厚b1と前記インナーリード５下方の樹脂
厚b2が等しい寸法に設定されている。そして、このパッ
ケージ11内のICチップ１の上面と前記リードフレーム２
のインナーリード５表面とは同一の面上に位置付けられ
ている。Hereinafter, the configuration and the like of the present invention will be described in detail with reference to the embodiments shown in the drawings. FIG. 1 is a sectional view showing an IC device according to the present invention. In FIG. 1, the same members as those in FIG. 2 are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted. In the figure,
Reference numeral 11 denotes a package having the same material and function as the package 6, in which the resin thickness a 1 above the IC chip 1 and the resin thickness a 2 below the die pad 3 are set to the same dimension, and The resin thickness b 1 above the inner lead 5 of the lead frame 2 and the resin thickness b 2 below the inner lead 5 are set to be equal. Then, the upper surface of the IC chip 1 in the package 11 and the lead frame 2
Is positioned on the same plane as the surface of the inner lead 5.
このように構成されたICデバイスにおいては、ICチップ
１上方の樹脂厚a1とダイスパッド３下方の樹脂厚a2が等
しい寸法に設定され、かつリードフレーム２のインナー
リード５上方の樹脂厚b1とリードフレーム２のインナー
リード５下方の樹脂厚b2が等しい寸法に設定されている
から、樹脂封止後にパッケージ11の上下方で樹脂の収縮
量を同一にすることができ、パッケージ11の変形による
反りやクラックの発生を防止することができる。In the thus constructed IC devices, IC chip 1 above the resin thickness a 1 and the die pad 3 beneath the resin thickness a 2 is set equal to the dimension, and the resin thickness of the inner lead 5 above the lead frame 2 b Since 1 and the resin thickness b 2 below the inner lead 5 of the lead frame 2 are set to the same dimension, the amount of shrinkage of the resin can be made the same above and below the package 11 after the resin sealing. It is possible to prevent warpage and cracks due to deformation.
また、本実施例においては、パッケージ11内のICチップ
１の上面と前記リードフレーム２のインナーリード５表
面とが同一の面上に位置付けられているから、ワイヤ４
のICチップ１（エッジ）に対する接触を防止することが
できる。In addition, in this embodiment, since the upper surface of the IC chip 1 in the package 11 and the surface of the inner lead 5 of the lead frame 2 are positioned on the same plane, the wire 4
The contact with the IC chip 1 (edge) can be prevented.
なお、本発明におけるプラスチックパッケージを成形す
る場合に、使用する各リードフレームに応じた金型を使
用すると多数の金型が必要になるが、リードフレーム２
のダイスパッド３のうち最も大きいダイパッドの外形寸
法に適合させた金型を使用することにより少数の金型で
済ませることができる。When molding the plastic package of the present invention, a large number of molds are required if a mold corresponding to each lead frame used is used.
It is possible to use a small number of dies by using a die adapted to the outer dimension of the largest die pad among the die pads 3 of FIG.
また、本発明においては、プラスチックパッケージの成
形時に樹脂がダイスパッド３下方に注入し易いように樹
脂厚を設定する必要があることは勿論である。Further, in the present invention, it is needless to say that the resin thickness needs to be set so that the resin can be easily injected below the die pad 3 when the plastic package is molded.
以上説明したように本発明によれば、リードフレームの
ダイスパッド上に接合されたICチップおよびこのICチッ
プと前記リードフレームのインナーリードとを接続する
ワイヤを樹脂封止するパッケージを備え、このパッケー
ジ内のICチップ上方の樹脂厚とダイスパッド下方の樹脂
厚を等しい寸法に設定すると共に、リードフレームのイ
ンナーリード上下方の樹脂厚を等しい寸法に設定したの
で、樹脂封止後にパッケージの上下方で樹脂の収縮量を
同一にすることができる。したがって、パッケージの変
形による反りやクラックの発生を防止することができる
から、デバイス品質上の信頼性を向上させることができ
る。しかも、ICチップの表面とインナーリードの表面と
を同一の面上に位置付けたことにより、従来と比較して
ICチップの表面をインナーリードの表面に対して相対的
に低くする、いわゆるタブ下げがなされるので、ワイヤ
とICチップ表面との間隔を充分に保つことができて、ワ
イヤのICチップに対する接触が防止でき、このためショ
ートを防止できる。また、ICチップ上方の樹脂厚とイン
ナーリード上方の樹脂厚とを等しくできるので、樹脂注
入時におけるインナーリード上方での溶融樹脂の流速
が、ICチップ上方で増速することがなく、このためワイ
ヤに当たる溶融樹脂の流速を低く抑えることができ、ワ
イヤの断線やショートを防止できる。As described above, according to the present invention, the IC chip bonded on the die pad of the lead frame and the package for resin-sealing the wire connecting the IC chip and the inner lead of the lead frame are provided. Since the resin thickness above the IC chip inside and the resin thickness below the die pad are set to the same dimension, and the resin thickness above and below the inner lead of the lead frame is set to the same dimension, the resin thickness above and below the package after resin sealing is set. The amount of shrinkage of the resin can be the same. Therefore, since it is possible to prevent warpage and cracks due to the deformation of the package, it is possible to improve reliability in device quality. Moreover, by positioning the surface of the IC chip and the surface of the inner lead on the same surface,
The surface of the IC chip is made relatively lower than the surface of the inner leads, so-called tab lowering is performed, so that the distance between the wire and the IC chip surface can be sufficiently maintained, and the wire does not contact the IC chip. It is possible to prevent, and therefore short circuit can be prevented. Further, since the resin thickness above the IC chip and the resin thickness above the inner lead can be made equal, the flow rate of the molten resin above the inner lead during resin injection does not increase above the IC chip, and therefore the wire The flow velocity of the molten resin that hits can be suppressed to a low level, and wire breakage and short circuit can be prevented.
第１図は本発明に係るICデバイスの全体を示す断面図、
第２図は従来のICデバイスの全体を示す断面図である。 １……ICチップ、２……リードフレーム、３……ダイス
パッド、５……インナーリード、11……パッケージ。FIG. 1 is a sectional view showing the entire IC device according to the present invention,
FIG. 2 is a sectional view showing the entire conventional IC device. 1 ... IC chip, 2 ... Lead frame, 3 ... Dice pad, 5 ... Inner lead, 11 ... Package.
Claims (1)
れたICチップおよびこのICチップと前記リードフレーム
のインナーリードとを接続するワイヤを樹脂封止するパ
ッケージを備え、このパッケージ内のICチップ上方の樹
脂厚と前記ダイスパッド下方の樹脂厚を等しい寸法に設
定すると共に、前記リードフレームのインナーリード上
下方の樹脂厚を等しい寸法に設定し、かつ前記ICチップ
の表面と前記インナーリードの表面とを同一の面上に位
置付けたことを特徴とするICデバイス。1. An IC chip bonded on a die pad of a lead frame and a package for resin-sealing a wire connecting the IC chip and an inner lead of the lead frame. The resin thickness and the resin thickness below the die pad are set to the same dimension, and the resin thickness above and below the inner lead of the lead frame is set to the same dimension, and the surface of the IC chip and the surface of the inner lead are set. An IC device characterized by being positioned on the same surface.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63052037A JPH0787228B2 (en) | 1988-03-04 | 1988-03-04 | IC device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63052037A JPH0787228B2 (en) | 1988-03-04 | 1988-03-04 | IC device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01225345A JPH01225345A (en) | 1989-09-08 |
| JPH0787228B2 true JPH0787228B2 (en) | 1995-09-20 |
Family
ID=12903620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63052037A Expired - Lifetime JPH0787228B2 (en) | 1988-03-04 | 1988-03-04 | IC device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0787228B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012137620A1 (en) * | 2011-04-05 | 2012-10-11 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | Semiconductor device |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61253840A (en) * | 1985-05-07 | 1986-11-11 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
-
1988
- 1988-03-04 JP JP63052037A patent/JPH0787228B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01225345A (en) | 1989-09-08 |
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