Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JPH0787264B2 - Manufacturing method of ceramic wiring board - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JPH0787264B2 - Manufacturing method of ceramic wiring board - Google Patents

Manufacturing method of ceramic wiring board

Info

Publication number
JPH0787264B2
JPH0787264B2 JP61191888A JP19188886A JPH0787264B2 JP H0787264 B2 JPH0787264 B2 JP H0787264B2 JP 61191888 A JP61191888 A JP 61191888A JP 19188886 A JP19188886 A JP 19188886A JP H0787264 B2 JPH0787264 B2 JP H0787264B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phosphoric acid
treatment solution
substrate
acid treatment
roughening
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP61191888A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS6347376A (en
Inventor
出 吉澤
昇 山口
政行 石原
悟 小川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
Priority to JP61191888A priority Critical patent/JPH0787264B2/en
Publication of JPS6347376A publication Critical patent/JPS6347376A/en
Publication of JPH0787264B2 publication Critical patent/JPH0787264B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C22/00Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
    • C23C22/86Regeneration of coating baths
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
    • H05K3/181Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/381Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the substrate

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 この発明は、電子基材として使用されるセラミック配線
基板の製法に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for producing a ceramic wiring board used as an electronic base material.

〔背景技術〕[Background technology]

セラミックスへのメタライジングには、テレフンケン
法、活性金属法、厚膜法、薄膜法、めっき法等、従来よ
り種々の方法がその必要に応じてとられている。この中
でめっき法は、 金属単体をセラミックス基板に直結メタライジングで
きるため、得られる金属層は高伝導性を示す、 金属層の膜厚制御が広範囲にわたって容易に行える、 スルーホールのメタライジングも容易で信頼性が高
い、 微細パターン形成が可能である、 等のメリットがあるため、実用化の研究がなされてい
る。
For metallizing ceramics, various methods such as a telefunken method, an active metal method, a thick film method, a thin film method, and a plating method have been conventionally used as needed. Among them, the plating method can directly metalize a single metal to a ceramic substrate, so that the obtained metal layer has high conductivity, the thickness of the metal layer can be easily controlled over a wide range, and the through-hole metallization is also easy. Since it has advantages such as high reliability and capable of forming a fine pattern, research for practical use is being conducted.

従来、めっき法によるセラミック配線基板は、つぎのよ
うな(a)〜(e)の操作を順次行うバッチ式プロセス
により製造されていた。
Conventionally, a ceramic wiring board by a plating method has been manufactured by a batch process in which the following operations (a) to (e) are sequentially performed.

(a)セラミック基板の準備 (b)基板の表面粗化処理 (c)基板の洗浄、乾燥処理 (d)基板表面の活性化処理 (e)無電解めっき処理 以上のような(a)〜(e)のプロセスを経て、セラミ
ック配線基板が得られるが、これらのプロセスによって
配線基板を製造するに当たっては、前述のようにバッチ
処理を行っていたため、ロットごとの特性のバラツキが
大きく、歩留まりの低下、ひいてはコストアップが避け
られず、これらの改善が望まれていた。
(A) Preparation of ceramic substrate (b) Substrate surface roughening treatment (c) Substrate cleaning and drying treatment (d) Substrate surface activation treatment (e) Electroless plating treatment As described above, (a) to ( Although a ceramic wiring board is obtained through the process of e), when manufacturing a wiring board by these processes, batch processing was performed as described above, so there was a large variation in the characteristics from lot to lot, and the yield decreased. As a result, cost increase is unavoidable, and these improvements have been desired.

〔発明の目的〕[Object of the Invention]

この発明は、このような現状に鑑みてなされたものであ
り、セラミック配線基板を製造するに当たり、特性のバ
ラツキが少なく、低コストで製造できるセラミック配線
基板の製法を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a ceramic wiring board, which has less variation in characteristics and can be manufactured at low cost.

〔発明の開示〕[Disclosure of Invention]

この発明は、焼結したセラミック基板をリン酸処理溶液
に浸漬しその表面を粗化する工程,この粗化処理後前記
処理溶液を洗浄する工程、および、この粗化基板上に無
電解めっきにより金属層を形成する工程を含み、金属層
形成までに至る全工程を連続して行うようになっている
セラミック配線基板の製法であって、前記粗化工程には
リン酸処理溶液連続再生工程には、前記粗化工程から送
られたリン酸処理溶液に水を添加してリン酸処理溶液中
の縮合リン酸を加水分解する工程と、加水分解で生じた
不要な反応生成物をリン酸処理溶液から除去する工程
と、不要な反応生成物が除去されたリン酸処理溶液に新
たなリン酸を追加してリン酸処理溶液のリン酸濃度を調
整する工程と、リン酸濃度が調整されたリン酸処理溶液
を前記粗化工程に送り返す工程とを含むことを特徴とす
るセラミック配線基板の製法を要旨とするものである。
The present invention comprises a step of immersing a sintered ceramic substrate in a phosphoric acid treatment solution to roughen its surface, a step of cleaning the treatment solution after the roughening treatment, and electroless plating on the roughened substrate. A method for manufacturing a ceramic wiring board including a step of forming a metal layer and continuously performing all steps up to the formation of the metal layer, wherein the roughening step includes a phosphoric acid treatment solution continuous regeneration step. Is a step of adding water to the phosphoric acid treatment solution sent from the roughening step to hydrolyze condensed phosphoric acid in the phosphoric acid treatment solution, and treating unnecessary reaction products generated by the hydrolysis with phosphoric acid. The step of removing from the solution, the step of adjusting the phosphoric acid concentration of the phosphoric acid-treated solution by adding new phosphoric acid to the phosphoric acid-treated solution from which unnecessary reaction products have been removed, and the phosphoric acid concentration were adjusted Send the phosphoric acid treatment solution to the roughening process. The preparation of the ceramic wiring board which comprises a step of returning it is an gist.

以下に、この発明を、その実施例をあらわす図面を参照
しつつ詳しく説明する。
Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings showing an embodiment thereof.

この発明にかかるセラミック配線基板の製造工程を第1
図に示す。
First, the manufacturing process of the ceramic wiring board according to the present invention
Shown in the figure.

以下、第1図に従って製造工程を説明する。The manufacturing process will be described below with reference to FIG.

焼結したセラミック基板を準備する。焼結基板の材
質としては、アルミナ,フォルステライト,ステアタイ
ト,ジルコン,ムライト,コーディエライト,ジルコニ
ア,チタニア等の酸化物系セラミックを主として考え、
炭化物系、および、窒化物系セラミックも使用できる。
A sintered ceramic substrate is prepared. As the material of the sintered substrate, oxide type ceramics such as alumina, forsterite, steatite, zircon, mullite, cordierite, zirconia and titania are mainly considered.
Carbide-based and nitride-based ceramics can also be used.

準備したセラミック基板を脱脂する。脱脂は、後の
工程での処理液の濡れ性をよくするために行う。
Degrease the prepared ceramic substrate. Degreasing is performed in order to improve the wettability of the treatment liquid in the subsequent steps.

脱脂液などを水洗する。 Wash degreasing liquid with water.

粗化処理溶液に浸漬し基板表面を粗化する。粗化
は、金属層形成の際にアンカー効果を発揮させるために
行われ、粗化処理溶液としては、粗化処理溶液が残って
も密着力を低下させず、化学めっき金属に対して悪影響
を与えないオルトリン酸,メタリン酸、および、ピロリ
ン酸よりなる群から選ばれた少なくとも1種のリン酸溶
液が用いられる。処理温度は、250℃〜360℃にすること
が好ましい。これは、第3図を見ても分かるように、25
0℃以下の処理温度ではエッチング能力が低く、360℃以
上でも分解したり縮合が激しくなるため、やはりエッチ
ング能力が低いからである。粗化の程度は、浸漬時間に
よるが、浸漬時間は1〜30分、好ましくは、3〜10分で
ある。粗化処理液としては、ホウ砂,V2O5,HF,アルカリ
金属化合物なども考えられるが、基板表層を緻密に粗面
化でき、しかも、表面に形成される金属層との密着性に
影響を与えないと言う要件を満足するのは、リン酸溶液
である。
It is immersed in a roughening treatment solution to roughen the substrate surface. Roughening is performed in order to exert an anchor effect at the time of forming the metal layer, and as the roughening treatment solution, the adhesion does not decrease even if the roughening treatment solution remains, and adversely affects the chemical plating metal. At least one phosphoric acid solution selected from the group consisting of orthophosphoric acid, metaphosphoric acid, and pyrophosphoric acid is used. The processing temperature is preferably 250 ° C to 360 ° C. This is 25, as you can see in Figure 3.
This is because the etching ability is low at a treatment temperature of 0 ° C. or lower, and decomposition or condensation becomes severe even at 360 ° C. or higher, so that the etching ability is also low. The degree of roughening depends on the immersion time, but the immersion time is 1 to 30 minutes, preferably 3 to 10 minutes. Borax, V 2 O 5 , HF, alkali metal compounds, etc. can be considered as the roughening solution, but they can roughen the surface layer of the substrate densely and, in addition, improve the adhesion to the metal layer formed on the surface. It is the phosphoric acid solution that meets the requirement of not affecting.

ちなみに、一般に良く知られているHFを90℃にしてエッ
チングすると、セラミック表面層を粗化することは可能
であるが、HFが微量でも残った場合、じわじわとエッチ
ングが進行したり、セラミック基板が劣化したり、化学
めっき金属層を腐食したりする。また、微細で均一な粗
面化は不可能である。
By the way, it is possible to roughen the ceramic surface layer by etching HF at 90 ° C, which is generally well known, but if a small amount of HF remains, the etching will proceed gradually and the ceramic substrate will Deteriorates or corrodes the electroplated metal layer. Further, it is impossible to make a fine and uniform rough surface.

粗化した基板を洗浄する。リン酸処理液によって粗
化をおこなっているので、粗化後の基板表面には、リン
酸処理液との反応生成物が付着残留している。そこで、
粗化基板表面を温水や水で洗浄する。必要に応じてその
のち乾燥を行う。
The roughened substrate is washed. Since the roughening is performed by the phosphoric acid treatment liquid, the reaction product with the phosphoric acid treatment liquid remains on the surface of the substrate after the roughening. Therefore,
The surface of the roughened substrate is washed with warm water or water. If necessary, then dry.

粗化基板表面を活性化処理する。無電解めっきの受
容体となる触媒付与をおこなって基板表面を活性化する
工程である。この活性化工程には、一般に塩化第1錫溶
液を用いて基板表面に2価のすずイオンを吸着させるセ
ンシタイジング工程と、塩化パラジウム溶液を用い、前
記すずイオンの働きで金属パラジウムを基板表面に析出
させるアクチベーション工程からなるセンシタイジング
−アクチベーション法が採用されるが、エマルジョンタ
イプの活性剤を使用することも可能である。なお、活性
化工程にセンシタイジング−アクチベーション法を用い
る場合には、センシタイジング工程とアクチベーション
工程との間に水洗工程を加える必要がある。
The surface of the roughened substrate is activated. This is a step of activating the substrate surface by applying a catalyst that serves as a receptor for electroless plating. In the activation step, generally, a sensitizing step of adsorbing divalent tin ions on the substrate surface using a stannous chloride solution and a palladium chloride solution are used, and metallic palladium is added to the substrate surface by the action of the tin ions. The sensitizing-activating method, which comprises an activation step of precipitating in, is used, but it is also possible to use an emulsion type activator. When the sensitizing-activating method is used for the activation step, it is necessary to add a water washing step between the sensitizing step and the activation step.

無電解めっきを施し基板表面に金属層を形成する。
これは、普通、化学銅めっき、あるいは、化学ニッケル
めっきなどにより行う。金属層の厚みは0.8〜10μm程
度である。
Electroless plating is applied to form a metal layer on the substrate surface.
This is usually done by chemical copper plating, chemical nickel plating, or the like. The thickness of the metal layer is about 0.8 to 10 μm.

この発明にかかるセラミック配線基板製造装置は、ま
での工程を少なくとも連続的に実施するようになってい
る。
The ceramic wiring board manufacturing apparatus according to the present invention is adapted to carry out the above steps at least continuously.

必要に応じ、電解めっきを行う。電解めっきは、必
要とする金属層の厚みが厚い場合、前記化学めっきを基
板上に施したのち、銅めっき、あるいやディジタル信号
回路などにこの配線基板を用いる場合には、の無電解
めっきで得られる金属層の厚みで充分であるが、大電力
用の配線基板としてもちいられる場合には、電解めっき
によって厚付けを行う。
If necessary, electrolytic plating is performed. In the case of electrolytic plating, if the required metal layer is thick, after performing the chemical plating on the substrate, copper plating, or when using this wiring board for digital signal circuits, electroless plating is used. The thickness of the obtained metal layer is sufficient, but when it is used as a wiring board for high power, it is thickened by electrolytic plating.

必要に応じ、整面処理を行う。整面処理は、電解め
っき後の金属面の表面を硫酸などの溶液で化学的に研磨
し、回路パターンを描くための準備の工程である。
Surface treatment is performed as necessary. The surface treatment is a preparation step for chemically polishing the surface of the metal surface after electrolytic plating with a solution such as sulfuric acid to draw a circuit pattern.

必要に応じ、エッチングによる回路形成を行う。化学
めっきまたはその上への電解めっきによって直ちに、必
要な回路が形成される場合もあるが、基板表面に全面め
っき等して、エッチングによる回路形成を行うサブトラ
クティブ法によるものが、一般的である。
If necessary, a circuit is formed by etching. The necessary circuit may be formed immediately by chemical plating or electrolytic plating thereon, but it is general that the subtractive method is used to form a circuit by etching by plating the entire surface of the substrate. .

なお、〜の工程は、別の装置としても構わない。It should be noted that the steps 1 to 3 may be performed by different devices.

第11図は、この発明にかかるセラミック配線基板の製法
を用いた装置の1実施例を模式図的にあらわしている。
図にみるように、このセラミック配線基板製造装置は、
脱脂装置19,脱脂液洗浄装置20,リン酸処理装置21,セン
シタイジング処理装置22,センシタイジング処理液洗浄
装置23,アクチベーション処理装置24,アクチベーション
処理液洗浄装置25,無電解めっき装置26,電解めっき装置
27,整面処理装置28,整面処理液洗浄装置29、および、乾
燥装置30の12の小さな装置によって構成され、各装置が
上記に記載した順に配置されている。各装置には、それ
ぞれ、移送手段がもうけられていて、この移送手段によ
り前工程から送られてきた基板を処理槽内に導くいて処
理するとともに、次工程へ送るようになっている。
FIG. 11 schematically shows an embodiment of an apparatus using the method for manufacturing a ceramic wiring board according to the present invention.
As shown in the figure, this ceramic wiring board manufacturing device
Degreasing device 19, Degreasing liquid cleaning device 20, Phosphoric acid treatment device 21, Sensitizing treatment device 22, Sensitizing treatment liquid washing device 23, Activation treatment device 24, Activation treatment liquid washing device 25, Electroless plating device 26, Electrolytic plating equipment
27, a surface conditioning treatment device 28, a surface conditioning treatment liquid cleaning device 29, and a drying device 30, which are twelve small devices, and each device is arranged in the order described above. Each apparatus is provided with a transfer means, and the transfer means guides the substrate sent from the previous step to the inside of the processing tank for processing and sends it to the next step.

リン酸処理装置21および乾燥炉30を除く各装置は、第7
図にみるように、処理槽11,超音波洗浄槽12,乾燥機13、
および、移送手段としてのキャリングベルト14を備えて
いる。処理槽11には、各工程に応じた処理液が入れられ
る。たとえば、脱脂装置19では、処理液としてトリクレ
ンあるいはアセトン等が用いられ、各洗浄装置20,23,2
5,29では水が用いられる。超音波洗浄槽12は、処理槽11
の下方に配置され超音波洗浄装置などを具備している。
キャリングベルト14は、第8図(a)にみるように、多
数のベルト片14aが折れ曲がり可能に連結されエンドレ
スになっていて、処理槽11,超音波洗浄槽12および乾燥
機13を巡回するようになっていて、巡回速度を換えるこ
とにより、基板の処理槽11への浸漬時間を自由に換える
ことができるようになっている。各ベルト片14aの中央
底部がメッシュ15になっている。前工程から送られてき
た基板2は、第8図(b)にみるように、キャリングベ
ルト14上に載せられて、キャリングベルド14とともに処
理槽11内の処理液に浸漬される。処理槽11から出たキャ
リングベルト14は、処理後の基板2を次工程へ送り、そ
ののち、反転して超音波洗浄槽12に入る。超音波処理槽
12ではキャリングベルト片14aが洗浄される。洗浄が終
わったキャリングベルト片14aは、乾燥機13で乾燥さ
れ、前工程から送られてきた新しい基板2を受け取り、
ふたたび処理槽11に浸漬されるようになっている。キャ
リングベルト14の材質としては、一般にステンレス等の
金属で形成され、その表面が弗素樹脂,ポリプロピレン
等の耐酸性,耐アルカリ性を有する樹脂でコーティング
されている。メッシュ15は、処理液に浸漬された場合に
基板2の裏面にもよく処理できるようにするためと、処
理液からでた時に、液切れをよくするために設けられて
いる。電解めっきセクション27では、キャリングベルト
14が銅で形成されていて、処理槽11内で陰極となるとと
ともに、第9図にみるように、銅製の2つの陽極17,17
がキャリングベルト14と基板2を挟むように配置されて
いる。処理槽11および超音波洗浄槽12は処理液の種類に
よっても異なるが、耐酸性,耐アルカリ性を有するもの
であれば、特に限定されない。一般に塩化ビニル製のも
のが用いられる。
Except for the phosphoric acid treatment equipment 21 and the drying oven 30,
As shown in the figure, processing tank 11, ultrasonic cleaning tank 12, dryer 13,
Further, it is provided with a carrying belt 14 as a transfer means. The processing bath 11 contains a processing liquid corresponding to each process. For example, in the degreasing device 19, trichlene, acetone or the like is used as the treatment liquid, and the cleaning devices 20, 23, 2
At 5,29 water is used. The ultrasonic cleaning tank 12 is the processing tank 11
It is provided below and is equipped with an ultrasonic cleaning device and the like.
As shown in FIG. 8 (a), the carrying belt 14 is endless with a large number of belt pieces 14 a connected so as to be bendable so as to circulate through the processing tank 11, the ultrasonic cleaning tank 12 and the dryer 13. By changing the patrol speed, the immersion time of the substrate in the processing bath 11 can be changed freely. A mesh 15 is formed at the center bottom of each belt piece 14a. As shown in FIG. 8B, the substrate 2 sent from the previous step is placed on the carrying belt 14 and immersed in the processing liquid in the processing tank 11 together with the carrying belt 14. The carrying belt 14 coming out of the processing tank 11 sends the processed substrate 2 to the next step, and then is inverted and enters the ultrasonic cleaning tank 12. Ultrasonic treatment tank
At 12, the carrying belt piece 14a is washed. The cleaned carrying belt piece 14a is dried by the dryer 13 and receives the new substrate 2 sent from the previous step,
It is adapted to be immersed again in the processing tank 11. The material of the carrying belt 14 is generally formed of metal such as stainless steel, and the surface thereof is coated with a resin having acid resistance and alkali resistance such as fluorine resin and polypropylene. The mesh 15 is provided so that the back surface of the substrate 2 can be processed well when it is dipped in the processing liquid, and that the mesh 15 is well drained when it is removed from the processing liquid. Electrolytic plating section 27, carrying belt
14 is made of copper and serves as a cathode in the treatment tank 11, and as shown in FIG. 9, two anodes 17, 17 made of copper are used.
Are arranged so as to sandwich the carrying belt 14 and the substrate 2. The treatment bath 11 and the ultrasonic cleaning bath 12 differ depending on the type of treatment liquid, but are not particularly limited as long as they have acid resistance and alkali resistance. Generally, vinyl chloride is used.

リン酸処理装置21は、第6図にみるように、処理液槽5,
乾燥機10、および、第1槽7,第2槽8,第3槽9の3つの
槽を有する洗浄槽6を備えるとともに、各槽を巡回し、
前工程(脱脂液洗浄装置20)から送られて来た基板2を
各槽に順に浸漬させたのち、次工程(センシタイジング
装置22)へ搬送するエンドレスのベルト4を備えてい
る。処理液槽5には、リン酸処理液が入れられるように
なっている。処理液は、250℃ないし360℃の所望の温度
になるように温度制御されている。リン酸は、加熱によ
り脱水縮合し、加熱時間によっても時々刻々その縮合度
が変化し、リン酸処理液の活性度が低下して基板の粗化
の度合のに影響をおよぼすのである。しかしながら、こ
の処理液槽5には、縮合リン酸を加水分解し、必要なら
ば新たにリン酸を追加して処理液槽5内の処理液の活性
化度を常に一定に保つ連続再生手段を備えている。その
システムを第2図にしたがって詳しく説明する。
As shown in FIG. 6, the phosphoric acid treatment device 21 includes a treatment liquid tank 5,
A dryer 10 and a cleaning tank 6 having three tanks of a first tank 7, a second tank 8 and a third tank 9 are provided, and each tank is circulated.
The substrate 2 sent from the previous step (degreasing liquid cleaning device 20) is immersed in each tank in order, and then the endless belt 4 is carried to the next step (sensitizing device 22). A phosphoric acid treatment liquid is put in the treatment liquid tank 5. The temperature of the treatment liquid is controlled to a desired temperature of 250 ° C to 360 ° C. Phosphoric acid is dehydrated and condensed by heating, and the degree of condensation changes from moment to moment depending on the heating time, which lowers the activity of the phosphoric acid treatment solution and affects the degree of roughening of the substrate. However, the treatment liquid tank 5 is provided with a continuous regeneration means for hydrolyzing the condensed phosphoric acid and newly adding phosphoric acid if necessary to keep the activation degree of the treatment liquid in the treatment liquid tank 5 constant at all times. I have it. The system will be described in detail with reference to FIG.

処理液槽5の底から処理液を抜き取り70〜100℃ま
で徐々に冷却をおこなったのち、加水分解槽(図示せ
ず)に送り込む。
The treatment liquid is drawn out from the bottom of the treatment liquid tank 5, gradually cooled to 70 to 100 ° C., and then fed to a hydrolysis tank (not shown).

加水分解槽に送り込まれた処理液に水を添加し、3
リン酸以上の高次の縮合リン酸をオルトリン酸、あるい
は、ピロリン酸まで分解する。
Add water to the processing liquid sent to the hydrolysis tank, and add 3
Higher-order condensed phosphoric acid higher than phosphoric acid is decomposed to orthophosphoric acid or pyrophosphoric acid.

なお、加水分解槽において添加される水の量は、処理液
1に対して0.5l〜4lである。
The amount of water added in the hydrolysis tank is 0.5 l to 4 l with respect to the treatment liquid 1.

加水分解されたリン酸中に含まれる反応物をフィル
タ濾過により除去する。
The reaction product contained in the hydrolyzed phosphoric acid is removed by filtration.

濾過されたリン酸をリン酸注入槽(図示せず)に送
り込む。
The filtered phosphoric acid is sent to a phosphoric acid injection tank (not shown).

送り込まれたリン酸濃度が処理液濃度となるよう
に、新しいリン酸を追加する。
Add new phosphoric acid so that the concentration of phosphoric acid sent in will be the concentration of the processing solution.

処理液濃度となったリン酸をケミカルポンプで予熱
槽に送り込み、処理液の温度に予熱したのち、処理液槽
5へリン酸を送り込むようになっている。
The phosphoric acid having the treatment liquid concentration is sent to the preheating tank by a chemical pump to preheat it to the temperature of the treatment liquid, and then the phosphoric acid is sent to the treatment liquid tank 5.

なお、新リン酸の添加量などの制御は、処理液槽5にお
いて、処理液を自動的に常時サンプリングし、リン酸濃
度およびリン酸の縮合度を測定し、その測定結果によっ
て、自動制御されるようになっている。処理液槽5およ
び連続再生手段のリン酸が直接触れる部分は、高温リン
酸に対して耐腐蝕性に優れた石英で形成されている。
The amount of new phosphoric acid added is controlled automatically in the treatment liquid tank 5 by constantly sampling the treatment liquid, measuring the concentration of phosphoric acid and the degree of condensation of phosphoric acid, and automatically controlling the results. It has become so. The portions of the treatment liquid tank 5 and the continuous regenerating means that come into direct contact with phosphoric acid are made of quartz, which is excellent in corrosion resistance to high-temperature phosphoric acid.

一方、洗浄槽6は、処理液槽5で処理された基板2に付
着したリン酸および反応生成物を除去するためのもので
あって、第1槽7,第2槽8には、80〜100℃に加熱され
た熱湯を入れ、第3槽10には水が入れられていて、各槽
ともに超音波洗浄装置(図示せず)が具備されている。
各槽7,8,9は、高温リン酸に触れないので、ステンレス
に弗素樹脂あるいはポリプロピレン樹脂をコーティング
したものが用いられる。
On the other hand, the cleaning tank 6 is for removing phosphoric acid and reaction products adhering to the substrate 2 processed in the processing liquid tank 5, and the first tank 7 and the second tank 8 have 80- Hot water heated to 100 ° C. is put therein, water is put in the third tank 10, and each tank is equipped with an ultrasonic cleaning device (not shown).
Since each of the tanks 7, 8 and 9 does not come into contact with high temperature phosphoric acid, stainless steel coated with fluorine resin or polypropylene resin is used.

ベルト4には、第5図(a),(b)にみるように、ベ
ルト4の全周に渡って弗素樹脂製のフック3が等間隔に
取りつけられていて、このフック3にキャリアが吊り下
げられるようになっている。このキャリア1が、基板2
を保持しベルト4とともに各槽を巡回して、基板2とと
もにその下側部分が各槽内の処理液に浸漬されるように
なっている。なお、キャリア1も、処理液槽5と同様に
石英で形成されている。脱脂液洗浄槽20から出た基板2
は、リン酸処理装置21に移され、自動的にキャリア1に
載り、ベルト4の移動により処理液槽5,洗浄槽6の第1
槽7,第2槽,第3槽の順に各槽に浸漬処理されるように
なっている。
As shown in FIGS. 5 (a) and 5 (b), hooks 3 made of a fluororesin are attached to the belt 4 over the entire circumference of the belt 4 at regular intervals, and the hooks 3 hang the carrier. It can be lowered. This carrier 1 is the substrate 2
And circulates each tank together with the belt 4 and the substrate 2 and its lower part are immersed in the processing liquid in each tank. The carrier 1 is also made of quartz like the processing liquid tank 5. Substrate 2 from the degreasing liquid cleaning tank 20
Is transferred to the phosphoric acid processing device 21, is automatically placed on the carrier 1, and the belt 4 is moved to move the processing liquid tank 5 and the cleaning tank 6 to the first position.
The tank 7, the second tank, and the third tank are soaked in order in each tank.

もちろん、この装置21も、ベルト4の速度を調整して基
板が処理液に浸漬される時間を自由に換えることができ
るようになっている。
Of course, also in this device 21, the time during which the substrate is immersed in the processing liquid can be freely changed by adjusting the speed of the belt 4.

乾燥装置30も、キャリングベルト14を備えていて、前工
程(整面処理液洗浄装置29)から送られてきためっき基
板を乾燥機で乾燥できるようになっている。もちろん、
このキャリングベルト14も自由に速度を換えることがで
きるようになっている。
The drying device 30 is also provided with the carrying belt 14 so that the plating substrate sent from the previous step (the surface treatment liquid cleaning device 29) can be dried by the dryer. of course,
The carrying belt 14 can also freely change the speed.

上記実施例では、各洗浄装置20,23,25,29の処理液槽11
には、水が入れられ、キャリングベルト4によって送ら
れてきた基板が浸漬されて洗浄されるようになっている
が、ベルト4の上下方向からスプレーまたはシャワーに
よって水を吹きつけて洗浄するようにしても構わない。
各めっき装置後の洗浄装置25,29の洗浄水は、回収装置
に送り、濃縮して各めっき装置の処理槽11に戻すように
しておくと、めっき液のロスを無くすことができるので
好ましい。乾燥機30は単に乾燥がてきる機能さえ備わっ
ていればよい。必須でない工程を実施する装置は、なく
ても構わない。
In the above embodiment, the treatment liquid tank 11 of each cleaning device 20, 23, 25, 29.
Is filled with water, and the substrate sent by the carrying belt 4 is immersed in the cleaning so that the cleaning can be performed by spraying water from the vertical direction of the belt 4 with a spray or a shower. It doesn't matter.
It is preferable that the cleaning water of the cleaning devices 25 and 29 after each plating device is sent to a recovery device, concentrated, and returned to the treatment tank 11 of each plating device, because the loss of the plating solution can be eliminated. The dryer 30 only needs to have a function of drying. The device for performing the non-essential step may be omitted.

つぎに、実施例を説明する。Next, examples will be described.

(実施例1) 製造装置としては、上記実施例で説明したセラミック配
線基板製造装置の無電解めっき装置26までのものを用い
た。脱脂装置19の処理槽にはトリクレンを入れ、基板の
浸漬時間が3〜5分となるようにキャリングベルト14の
速度を調整した。脱脂液洗浄装置20の処理槽には水を入
れ、基板の浸漬時間が3〜5分となるようにキャリング
ベルト14の速度を調整した。リン酸処理装置21のリン酸
処理液槽5のリン酸温度を330℃に保持するとともに、
連続再生手段によってオルトリン酸の濃度が25〜35%を
保持するうにし、基板の浸漬時間が5分になるようにベ
ルト4の速度を調整した。洗浄槽6の第1槽7,第2槽8
には、80〜100℃の熱湯を入れ、第3槽9には、水をい
れた。なお、洗浄槽6の各槽での基板の浸漬時間は3〜
5分であった。センシタイジング装置22の処理液槽には
通常使用されている塩化第1錫溶液を入れ、基板の浸漬
時間が2分となるようにキャリングベルト14の速度を調
整した。アクチベーション装置24の処理槽には通常使用
されている塩化パラジウム溶液を入れ、基板の浸漬時間
が1分となるようにキャリングベルト14の速度を調整し
た。センシタイジング装置22およびアクチベーション装
置24の後に配置された洗浄槽23,25の処理槽には、水を
入れ、基板の浸漬時間が1分となるようにそれぞれキャ
リングベルト14の速度を調整した。無電解めっき装置26
の処理槽には高速厚付けタイプの市販の無電解銅めっき
液を入れ、温度を55℃に保持するようにし、基板の浸漬
時間が3時間となるようにキャリングベルト14の速度を
5cm/分に調整した。セラミック基板としてアルミナコン
テントが92,96,99%の3種類のアルミナ基板を用意し、
上記のように準備されたセラミック配線基板製造装置を
用いて、両面に10μmの銅めっき層が形成されたセラミ
ック配線基板を得た。なお、リン酸処理後の基板表面粗
さRmaxは、それぞれ2.5μm(92%),4μm(96%),10
μm(99%)で、±1μm以内のバラツキであった。こ
のようにして得た配線基板に、さらに、電解めっきによ
り厚めっきを施し、銅めっき層の厚みを35μmとしたの
ち、ピール強度を測定し、基板と銅めっき層との密着力
を測定したところ、それぞれ1.9kg/cm(92%),1.4kg/c
m(96%),1kg/cm(99%)で、±5%以内のバラツキに
抑えることができた。さらに、96%アルミナ基板を用い
て、長時間この装置を使用した場合の、リン酸処理によ
って得られる基板表面粗さRmaxの経時変化を調べたとこ
ろ、第4図の●であらわされるように、ほとんど変化な
く、常に安定した表面粗さの基板を次工程に供給するこ
とができた。実施例で用いがピール強度とは、第10図に
みるように、幅1cmの銅層18を垂直方向に引き上げた場
合の剥離強度のことである。
(Example 1) As the manufacturing apparatus, those up to the electroless plating apparatus 26 of the ceramic wiring board manufacturing apparatus described in the above-mentioned example were used. Triclen was placed in the processing tank of the degreasing device 19 and the speed of the carrying belt 14 was adjusted so that the immersion time of the substrate was 3 to 5 minutes. Water was put in the processing tank of the degreasing liquid cleaning device 20, and the speed of the carrying belt 14 was adjusted so that the immersion time of the substrate was 3 to 5 minutes. While maintaining the phosphoric acid temperature of the phosphoric acid treatment liquid tank 5 of the phosphoric acid treatment device 21 at 330 ° C.,
The concentration of orthophosphoric acid was kept at 25 to 35% by the continuous regeneration means, and the speed of the belt 4 was adjusted so that the immersion time of the substrate was 5 minutes. The first tank 7 and the second tank 8 of the cleaning tank 6
Was heated to 80 to 100 ° C., and water was added to the third tank 9. The immersion time of the substrate in each tank of the cleaning tank 6 is 3 to
It was 5 minutes. A commonly used stannous chloride solution was placed in the treatment liquid tank of the sensitizing device 22, and the speed of the carrying belt 14 was adjusted so that the immersion time of the substrate was 2 minutes. A commonly used palladium chloride solution was put in the treatment tank of the activation device 24, and the speed of the carrying belt 14 was adjusted so that the immersion time of the substrate was 1 minute. Water was put in the treatment tanks of the cleaning tanks 23 and 25 arranged after the sensitizing device 22 and the activation device 24, and the speed of the carrying belt 14 was adjusted so that the immersion time of the substrate was 1 minute. Electroless plating equipment 26
A high-speed thickening type commercially available electroless copper plating solution is put in the treatment tank of, and the temperature is kept at 55 ° C. The speed of the carrying belt 14 is adjusted so that the immersion time of the substrate is 3 hours.
Adjusted to 5 cm / min. Prepare three types of alumina substrates with 92,96,99% alumina content as ceramic substrates,
Using the ceramic wiring board manufacturing apparatus prepared as described above, a ceramic wiring board having a copper plating layer of 10 μm formed on both surfaces was obtained. The substrate surface roughness Rmax after the phosphoric acid treatment was 2.5 μm (92%), 4 μm (96%), and 10 μm, respectively.
It was within ± 1 μm in μm (99%). The thus obtained wiring board was further subjected to thick plating by electrolytic plating to make the thickness of the copper plating layer 35 μm, the peel strength was measured, and the adhesion between the board and the copper plating layer was measured. , 1.9kg / cm (92%), 1.4kg / c, respectively
With m (96%) and 1 kg / cm (99%), it was possible to suppress variations within ± 5%. Further, when a 96% alumina substrate was used for a long time and the time course of the substrate surface roughness Rmax obtained by the phosphoric acid treatment was examined, as indicated by the ● in FIG. It was possible to supply a substrate having a stable surface roughness to the next step with almost no change. The peel strength used in the examples means the peel strength when the copper layer 18 having a width of 1 cm is pulled up in the vertical direction as seen in FIG.

(比較例1) 実施例1のリン酸処理装置を連続再生手段のないバッチ
式のものとした以外は、実施例1と同様にして長時間こ
の装置を使用した場合の、リン酸処理によって得られる
基板表面粗さRmaxの経時変化をを調べたところ、第4図
の○であらわされるように、浸漬処理開始当初に処理し
た基板との1時間後に処理した基板とでは、表面粗さRm
axが大きく異なった。この表面粗さRmaxが基板と銅層と
の密着力に大きく影響するため、得られた配線基板のピ
ール強度のバラツキは最大40%にも及んだ。
Comparative Example 1 Obtained by phosphoric acid treatment in the case where this apparatus was used for a long time in the same manner as in Example 1 except that the phosphoric acid treatment apparatus of Example 1 was a batch type without a continuous regeneration means. When the time-dependent change of the surface roughness Rmax of the substrate to be processed is examined, the surface roughness Rm of the substrate treated 1 hour after the start of the immersion treatment and the substrate roughness Rm as shown by the circle in FIG.
ax was very different. Since the surface roughness Rmax greatly affects the adhesion between the substrate and the copper layer, the variation of the peel strength of the obtained wiring board reaches up to 40%.

(実施例2) 無電解めっき装置26の後に、無電解めっき液洗浄装置,
めっき表面活性化装置、および、電解めっき装置27を実
施例1の装置に追加した。この装置の無電解めっき装置
26の処理槽の処理液を25℃に維持された常温タイプの化
学銅めっき液とし、基板の浸漬時間が20分となるように
キャリングベルト14の速度を調整して基板表面に0.8μ
mの銅めっき層を形成するようにした。無電解めっき液
洗浄装置およびめっき表面活性化装置は、他の洗浄装置
などと同様の構造になっていて、無電解めっき液洗浄装
置の処理槽には水を入れ、キャリングベルト14の速度を
調整して浸漬時間が1分となるようにした。一方、めっ
き表面活性化装置の処理槽には10%硫酸を入れ、基板を
1〜2分間浸漬して化学銅めっき表面を活性化するよう
にした。電解めっき装置27の処理槽には硫酸めっき液を
25℃に保持して入れ、基板の浸漬時間が80分となるよう
にキャリングベルト14の速度を調整して、2A/dm2の電流
密度で35μmの厚みの銅めっき層を基板両面に形成し
た。なお、上記以外の工程は、実施例1と同様の条件で
行った。
(Example 2) After the electroless plating apparatus 26, an electroless plating solution cleaning apparatus,
The plating surface activating device and the electrolytic plating device 27 were added to the device of the first embodiment. Electroless plating equipment of this equipment
The processing solution in the 26 processing tanks was a normal temperature type chemical copper plating solution maintained at 25 ° C, and the speed of the carrying belt 14 was adjusted so that the immersion time of the substrate was 20 minutes,
m copper plating layer was formed. The electroless plating solution cleaning device and plating surface activating device have the same structure as other cleaning devices.Put water in the treatment tank of the electroless plating solution cleaning device and adjust the speed of the carrying belt 14. The immersion time was set to 1 minute. On the other hand, 10% sulfuric acid was put in the treatment tank of the plating surface activating device and the substrate was immersed for 1 to 2 minutes to activate the surface of the chemical copper plating. Sulfuric acid plating solution is placed in the processing tank of the electrolytic plating device 27.
The substrate was held at 25 ° C., the speed of the carrying belt 14 was adjusted so that the substrate was immersed for 80 minutes, and a copper plating layer having a thickness of 35 μm was formed on both sides of the substrate at a current density of 2 A / dm 2 . . The steps other than the above were performed under the same conditions as in Example 1.

(実施例3) 洗浄装置での水洗を浸漬に代えて、キャリングベルトの
上下からスプレーで水を吹きつけるようにした以外は、
実施例1と同様にして配線基板を得た。
(Example 3) Except that instead of dipping the washing with a washing device, water was sprayed from above and below the carrying belt.
A wiring board was obtained in the same manner as in Example 1.

実施例2および実施例3の装置でも実施例1と同様に特
性にバラツキのない配線基板が連続して得られた。
Also in the devices of Examples 2 and 3, similar to Example 1, wiring boards having no variation in characteristics were continuously obtained.

この発明にかかるセラミック配線基板の製法を用いた製
造装置は、上記実施例に限定されない。たとえば、実施
例では金属層として銅層を形成したが、ニッケルなど他
の導体であっても構わない。実施例ではセンシタイジン
グおよびアクチベーションによって活性点となるパラジ
ウムを基板表面に析出させていたが、エマルジョンタイ
プの活性剤をしようするようにしても構わない。回路形
成は一般にサブトラクティブ法を用いるが、もちろんア
ディティブ法やセミアディティブ法を適用することもで
きる。これらの方法で回路形成を行う場合には、めっき
レジストを所望のパターンとおりに施し、不要の導体の
部分をエッチング等により除去すると言う工程を加える
ようにすればよい。実施例では、フォト法によるサブト
ラクティブ回路形成法を用いたが、スクリーン印刷によ
る回路形成を行ってもよい。実施例では、各洗浄装置に
超音波洗浄装置が用いられているが、なくても構わな
い。しかしながら、超音波洗浄を併用した方が効率的で
ある。
The manufacturing apparatus using the method for manufacturing a ceramic wiring board according to the present invention is not limited to the above embodiment. For example, although the copper layer is formed as the metal layer in the embodiments, other conductors such as nickel may be used. In the embodiment, palladium serving as an active site is deposited on the substrate surface by sensitizing and activation, but an emulsion type activator may be used. The subtractive method is generally used for circuit formation, but of course the additive method or the semi-additive method can be applied. In the case of forming a circuit by these methods, a plating resist may be applied in a desired pattern, and a step of removing an unnecessary conductor portion by etching or the like may be added. In the embodiments, the subtractive circuit forming method using the photo method is used, but the circuit forming may be performed by screen printing. In the embodiment, the ultrasonic cleaning device is used for each cleaning device, but it does not have to be provided. However, it is more efficient to use ultrasonic cleaning together.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

この発明のセラミック配線基板の製法は、以上のよう
に、無電解めっき工程までの工程が連続して行われるよ
うになっていて、しかも、リン酸処理液が連続再生工程
によって常に安定した活性化状態を保つことができるよ
うになっているので、基板と金属めっき層との密着力な
どの特性のバラツキが少なく、低コストでセラミック配
線基板を製造できる。
As described above, according to the method for manufacturing a ceramic wiring board of the present invention, the steps up to the electroless plating step are continuously performed, and the phosphoric acid treatment liquid is always activated stably by the continuous regeneration step. Since the state can be maintained, there is little variation in characteristics such as adhesion between the substrate and the metal plating layer, and the ceramic wiring substrate can be manufactured at low cost.

特に、リン酸処理液連続再生工程では、リン酸処理溶液
の活性化度を低下させる縮合リン酸を、リン酸処理溶液
に水を加えて加水分解するという極めて簡単な操作で容
易かつ効率的に除去できる。粗化工程でセラミック配線
基板の粗化処理を連続的に実施しながら、活性化度が低
下したリン酸処理溶液をリン酸処理液連続再生工程で連
続的に再生処理できるので、粗化工程で使用されるリン
酸処理溶液の活性化度を常に一定に保つことができる。
その結果、前記したようにセラミック配線基板の粗化工
程を含む各工程を連続的に行う製造ラインに、リン酸処
理液連続再生工程をも組み込み、常に一定の処理品質で
粗化工程を実施することが可能になる。
In particular, in the continuous regeneration step of the phosphoric acid-treated solution, condensed phosphoric acid that reduces the degree of activation of the phosphoric acid-treated solution is hydrolyzed by adding water to the phosphoric acid-treated solution and hydrolyzing it easily and efficiently. Can be removed. While the roughening process of the ceramic wiring board is continuously performed in the roughening process, the phosphoric acid treatment solution whose activation degree has decreased can be continuously regenerated in the phosphoric acid treatment solution continuous regeneration process. The activation degree of the phosphoric acid treatment solution used can always be kept constant.
As a result, as described above, the phosphoric acid treatment liquid continuous regeneration step is also incorporated in the production line that continuously performs each step including the roughening step of the ceramic wiring board, and the roughening step is always performed with a constant processing quality. It will be possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図はこの発明にかかるセラミック配線基板の製法の
工程の1実施例をあらわすブロック図、第2図はリン酸
の連続再生手段の工程の1実施例をあらわすブロック
図、第3図は連続再生手段を用いた場合のリン酸処理液
温度と、基板表面粗さの関係をあらわすグラフ、第4図
は連続再生手段を用いた場合と、バッチ式のものを用い
た場合の処理液の処理能力(基板表面粗さRmaxへの影響
力)の経時変化をあらわすグラフ、第5図(a)はリン
酸処理装置に用いられるキャリアの1実施例をあらわす
側面図、第5図(b)はそのセラミック基板を載せた状
態をあらわす側面図、第6図はリン酸処理装置の1実施
例を説明する模式図、第7図はリン酸処理装置以外の処
理装置の1実施例を説明する模式図、第8図(a)はそ
のキャリングベルトの1実施例をあらわす部分斜視図、
第8図(b)はそのセラミック基板を載せた状態をあら
わす部分斜視図、第9図は電解めっき装置の処理槽を説
明する側断面図、第10図はピール強度の測定方法を説明
する側面図、第11図はこの発明にかかるセラミック配線
基板の製法を応用したセラミック配線基板製造装置の1
実施例を説明する模式図である。 2…セラミック基板、18…銅層(金属層)、21…リン酸
処理装置、26…無電解めっき装置
FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of a process of manufacturing a ceramic wiring board according to the present invention, FIG. 2 is a block diagram showing one embodiment of a process of continuous regeneration means of phosphoric acid, and FIG. FIG. 4 is a graph showing the relationship between the phosphoric acid treatment liquid temperature when using the regenerating means and the substrate surface roughness. FIG. 4 shows the treatment liquid treatment when the continuous regenerating means is used and when the batch type is used. FIG. 5 (a) is a side view showing one embodiment of a carrier used in the phosphoric acid treatment apparatus, and FIG. 5 (b) is a graph showing the change over time in the ability (influence on the substrate surface roughness Rmax). FIG. 6 is a side view showing a state in which the ceramic substrate is placed, FIG. 6 is a schematic diagram illustrating one embodiment of a phosphoric acid processing apparatus, and FIG. 7 is a schematic illustrating one embodiment of a processing apparatus other than the phosphoric acid processing apparatus. Fig. 8 (a) shows the carrying belt. 1 is a partial perspective view showing an embodiment,
FIG. 8 (b) is a partial perspective view showing a state in which the ceramic substrate is placed, FIG. 9 is a side sectional view illustrating a processing tank of an electrolytic plating apparatus, and FIG. 10 is a side view illustrating a peel strength measuring method. 11 and 12 show a ceramic wiring board manufacturing apparatus to which the method for manufacturing a ceramic wiring board according to the present invention is applied.
It is a schematic diagram explaining an Example. 2 ... Ceramic substrate, 18 ... Copper layer (metal layer), 21 ... Phosphoric acid treatment device, 26 ... Electroless plating device

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小川 悟 大阪府門真市大字門真1048番地 松下電工 株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−140195(JP,A) 特開 昭61−151081(JP,A) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Satoru Ogawa 1048 Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture Matsushita Electric Works, Ltd. (56) References JP-A-61-140195 (JP, A) JP-A-61-151081 ( JP, A)

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】焼結したセラミック基板を加熱されたリン
酸処理溶液に浸漬しその表面を粗化する工程、この粗化
処理後前記セラミック基板を洗浄して前記処理溶液を除
去する工程、および、この粗化基板上に無電解めっきに
より金属層を形成する工程を含み、金属層形成までに至
る全工程を連続して行うようになっているセラミック配
線基板の製法であって、前記粗化工程にはリン酸処理溶
液連続再生工程が付随していて、このリン酸処理溶液連
続再生工程には、 前記粗化工程から送られたリン酸処理溶液に水を添加し
てリン酸処理溶液中の縮合リン酸を加水分解する工程
と、 加水分解で生じた不要な反応生成物をリン酸処理溶液か
ら除去する工程と、 不要な反応生成物が除去されたリン酸処理溶液に新たな
リン酸を追加してリン酸処理溶液のリン酸濃度を調整す
る工程と、 リン酸濃度が調整されたリン酸処理溶液を前記粗化工程
に送り返す工程と を含むことを特徴とするセラミック配線基板の製法。
1. A step of immersing a sintered ceramic substrate in a heated phosphoric acid treatment solution to roughen its surface, a step of cleaning the ceramic substrate after the roughening treatment to remove the treatment solution, and A method of manufacturing a ceramic wiring board, comprising a step of forming a metal layer on the roughened substrate by electroless plating, and continuously performing all the steps up to the formation of the metal layer, the method comprising: The process is accompanied by a phosphoric acid treatment solution continuous regeneration process. In this phosphoric acid treatment solution continuous regeneration process, water is added to the phosphoric acid treatment solution sent from the roughening process to remove the phosphoric acid treatment solution. The step of hydrolyzing the condensed phosphoric acid of, the step of removing unnecessary reaction products generated by the hydrolysis from the phosphoric acid treatment solution, and the step of adding new phosphoric acid to the phosphoric acid treatment solution from which unnecessary reaction products are removed And add phosphoric acid treatment And adjusting the concentration of phosphoric acid, preparation of a ceramic wiring board which comprises a step of sending back the phosphating solution phosphate concentration is adjusted to the roughening step.
【請求項2】リン酸処理溶液が、オルトリン酸、メタリ
ン酸、および、ピロリン酸からなる群から選ばれた少な
くとも1種である特許請求の範囲第1項記載のセラミッ
ク配線基板の製法。
2. The method for producing a ceramic wiring board according to claim 1, wherein the phosphoric acid treatment solution is at least one selected from the group consisting of orthophosphoric acid, metaphosphoric acid, and pyrophosphoric acid.
【請求項3】粗化工程が、250〜360℃に加熱されたリン
酸処理溶液を用い、 リン酸処理溶液連続再生工程のうち前記加水分解工程
が、前記粗化工程から送られたリン酸処理溶液を70〜10
0℃まで冷却してから水を添加し、前記リン酸処理溶液
を粗化工程に送り返す工程が、リン酸処理溶液を粗化工
程の処理溶液温度まで加熱してから粗化工程に送り返す
特許請求の範囲第1項または第2項の何れかに記載のセ
ラミック配線基板の製法。
3. The roughening step uses a phosphoric acid treatment solution heated to 250 to 360 ° C., and the hydrolysis step in the phosphoric acid treatment solution continuous regeneration step is the phosphoric acid sent from the roughening step. 70 ~ 10 treatment solution
A step in which water is added after cooling to 0 ° C. and the phosphoric acid treatment solution is sent back to the roughening step is heated to the treatment solution temperature of the roughening step and then sent back to the roughening step. The method for manufacturing a ceramic wiring board according to any one of the first and second aspects.
JP61191888A 1986-08-15 1986-08-15 Manufacturing method of ceramic wiring board Expired - Lifetime JPH0787264B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61191888A JPH0787264B2 (en) 1986-08-15 1986-08-15 Manufacturing method of ceramic wiring board

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61191888A JPH0787264B2 (en) 1986-08-15 1986-08-15 Manufacturing method of ceramic wiring board

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6347376A JPS6347376A (en) 1988-02-29
JPH0787264B2 true JPH0787264B2 (en) 1995-09-20

Family

ID=16282120

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61191888A Expired - Lifetime JPH0787264B2 (en) 1986-08-15 1986-08-15 Manufacturing method of ceramic wiring board

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0787264B2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0332787A (en) * 1989-06-29 1991-02-13 Ibiden Co Ltd Device for cleaning and removing microparticle
JP2009189724A (en) * 2008-02-18 2009-08-27 Kimiyoshi Yamamoto Stone roasting plate for roasted meat

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61140195A (en) * 1984-12-12 1986-06-27 松下電工株式会社 Making of ceramic wiring board
JPS61151081A (en) * 1984-12-22 1986-07-09 松下電工株式会社 Manufacture of ceramic wire distribution substrate

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6347376A (en) 1988-02-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS63119878A (en) Method for roughening ceramic substrate
JP2657423B2 (en) Novel through-hole plated printed circuit board and manufacturing method thereof
CA2119050C (en) Self accelerating and replenishing non-formaldehyde immersion coating method and composition
US4430154A (en) Method of producing printed circuit boards
EP0475567A2 (en) Method for fabricating printed circuits
EP0538006A1 (en) Direct metallization process
JPH0329864B2 (en)
EP0007577B1 (en) Method of improving the adhesion of electroless metal deposits
US4066809A (en) Method for preparing substrate surfaces for electroless deposition
US3694250A (en) Electroless copper plating
US5358602A (en) Method for manufacture of printed circuit boards
JP3916203B2 (en) Surface roughening agent for aluminum or aluminum alloy and surface roughening method using the same
JPH0787264B2 (en) Manufacturing method of ceramic wiring board
JPS63168077A (en) Manufacture of printed wiring board
US4459184A (en) Method for continuous metal deposition from a non-autocatalytic electroless plating bath using electric potential
JPH09184076A (en) Manufacture of aluminum nitride metallized substrate
JP2574535B2 (en) Method for manufacturing copper polyimide substrate
JP3117216B2 (en) Means for selective formation of oxide thin layer
GB2287472A (en) Selective metallisation of insulating substrates by printing surface with carbon-based ink catalyst and electroless and electrolytic plating
JP3336796B2 (en) Electroless plating method
JPH0337878B2 (en)
JP3409563B2 (en) Electroless plating method
AU547410B2 (en) Method for continuous metal deposition from a non- autocatalytic electroless plating bath using electric potential
JPS63120496A (en) Method of forming metal layer on surface of ceramic unit
JPS62198193A (en) Manufacture of ceramics wiring board