JPH079076B2 - すず―鉛合金メッキ浴 - Google Patents
すず―鉛合金メッキ浴Info
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- JPH079076B2 JPH079076B2 JP59169898A JP16989884A JPH079076B2 JP H079076 B2 JPH079076 B2 JP H079076B2 JP 59169898 A JP59169898 A JP 59169898A JP 16989884 A JP16989884 A JP 16989884A JP H079076 B2 JPH079076 B2 JP H079076B2
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- JP
- Japan
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- tin
- acid
- bath
- sulfonic acid
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3465—Application of solder
- H05K3/3473—Plating of solder
Landscapes
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、安定化されたすず‐鉛合金組成の電着物を与
えることができるすず−鉛合金電気メツキ用スルホン酸
浴に関する。
えることができるすず−鉛合金電気メツキ用スルホン酸
浴に関する。
背景技術 すず‐鉛合金メツキ浴としては、従来ほうふつ化物浴が
使用されていたが、ふつ素を含む排水の処理の点で種々
の制約を受ける。このような観点から毒性の比較的低い
有機スルホン酸を用いるすず‐鉛合金メツキ浴が提案さ
れた。例えば、特開昭59-67387号及び特開昭59-182986
号には、有機スルホン酸浴にスチレン化フエノールのア
ルキレンオキシド付加物（例えばポリオキシエチレント
リスチリルフエニルエーテルPOETSPE）のような非イオ
ン性界面活性剤とある種のスルフアニル酸（例えばN-
（3-ヒドロキシブチリデン‐p-スルフアニル酸HBPSA及
び（又は）トリアジン（例えば2,4-ジアミノ‐6-｛２′
‐アルキルイミダゾリル（１′）｝エチル‐1,3,5-トリ
アジンDAAIMET）のような添加剤を添加することにより
灰白色で均一の電着物粒子の微細なすず‐鉛合金メツキ
皮膜が得られたことが記載されている。
使用されていたが、ふつ素を含む排水の処理の点で種々
の制約を受ける。このような観点から毒性の比較的低い
有機スルホン酸を用いるすず‐鉛合金メツキ浴が提案さ
れた。例えば、特開昭59-67387号及び特開昭59-182986
号には、有機スルホン酸浴にスチレン化フエノールのア
ルキレンオキシド付加物（例えばポリオキシエチレント
リスチリルフエニルエーテルPOETSPE）のような非イオ
ン性界面活性剤とある種のスルフアニル酸（例えばN-
（3-ヒドロキシブチリデン‐p-スルフアニル酸HBPSA及
び（又は）トリアジン（例えば2,4-ジアミノ‐6-｛２′
‐アルキルイミダゾリル（１′）｝エチル‐1,3,5-トリ
アジンDAAIMET）のような添加剤を添加することにより
灰白色で均一の電着物粒子の微細なすず‐鉛合金メツキ
皮膜が得られたことが記載されている。
すず‐鉛合金（いわゆる半田）メツキは、弱電部品や電
子工業用部品の半田付け皮膜として広く利用されてお
り、ウイスカー発生が問題となる用途には鉛を数〜20％
程度含有させた半田メツキが施され、また耐食性を要求
されるものについては鉛を70〜80％含有させた半田メツ
キが施される。また、プリント基板のエツキングレジス
トとしては60/40共晶半田メツキが行なわれている。
子工業用部品の半田付け皮膜として広く利用されてお
り、ウイスカー発生が問題となる用途には鉛を数〜20％
程度含有させた半田メツキが施され、また耐食性を要求
されるものについては鉛を70〜80％含有させた半田メツ
キが施される。また、プリント基板のエツキングレジス
トとしては60/40共晶半田メツキが行なわれている。
このように、半田メツキはその用途に応じて、組成の異
なるメツキ皮膜が要求され、電流密度が低電流密度から
高電流密度に変化しても常に一定組成の電着物が得られ
ることが理想的である。
なるメツキ皮膜が要求され、電流密度が低電流密度から
高電流密度に変化しても常に一定組成の電着物が得られ
ることが理想的である。
例えば、すず‐鉛合金メツキをしたプリント基板は、一
般に、オーバーハングの除去及び半田付け性を向上させ
るためにフユージング処理（溶融処理）に付される。こ
の際に、プリント基板の表面部分とスルホール部の電着
物の組成が相違すると両部分の電着物の融点に差を生じ
るために不均一で粗野なフユージング面を生じる。した
がつて、プリント基板にすず‐鉛合金メツキする場合に
は、基板表面からスルホール内部にわたつて均一な組成
の電着物が付着することが要求される。
般に、オーバーハングの除去及び半田付け性を向上させ
るためにフユージング処理（溶融処理）に付される。こ
の際に、プリント基板の表面部分とスルホール部の電着
物の組成が相違すると両部分の電着物の融点に差を生じ
るために不均一で粗野なフユージング面を生じる。した
がつて、プリント基板にすず‐鉛合金メツキする場合に
は、基板表面からスルホール内部にわたつて均一な組成
の電着物が付着することが要求される。
また、プリント基板用のすず‐鉛合金メツキとしては、
特に光沢を必要としない場合も多く、また平滑で均一な
電着が可能であり、フユージング性が良好であるとの理
由から、半光沢メツキが広く用いられている。
特に光沢を必要としない場合も多く、また平滑で均一な
電着が可能であり、フユージング性が良好であるとの理
由から、半光沢メツキが広く用いられている。
本発明者は、従来の有機スルホン酸浴からのすず‐鉛合
金メツキ皮膜中の鉛含有率が低電流密度条件下で増大す
る傾向があり、したがつて低電流密度条件で得られたす
ず‐鉛合金メツキについては好適なSn/Pb比が得られ
ず、上述のような問題が生ずることを見出し、各種の補
助添加剤を検討した。その結果、ある種のグアナミン化
合物が、低電流密度条件下のみならず高電流密度条件下
でさえも一定のSn/Pb比を有すると共に、メツキ浴中のS
n/Pb比と実質上同一のSn/Pb比を有するすず‐鉛合金メ
ツキ皮膜を与えることを見出し、本発明を完成した。
金メツキ皮膜中の鉛含有率が低電流密度条件下で増大す
る傾向があり、したがつて低電流密度条件で得られたす
ず‐鉛合金メツキについては好適なSn/Pb比が得られ
ず、上述のような問題が生ずることを見出し、各種の補
助添加剤を検討した。その結果、ある種のグアナミン化
合物が、低電流密度条件下のみならず高電流密度条件下
でさえも一定のSn/Pb比を有すると共に、メツキ浴中のS
n/Pb比と実質上同一のSn/Pb比を有するすず‐鉛合金メ
ツキ皮膜を与えることを見出し、本発明を完成した。
発明の目的 したがつて、本発明は、低電流密度条件下のみならず高
電流密度条件下でさえも一定のSn/Pb比を有する電着物
を与えることのできるすず‐鉛合金メツキ浴を提供する
ことを目的とする。
電流密度条件下でさえも一定のSn/Pb比を有する電着物
を与えることのできるすず‐鉛合金メツキ浴を提供する
ことを目的とする。
発明の開示 即ち、本発明は、アルカンスルホン酸又はアルカノール
スルホン酸及びそれらの２価のすず塩と鉛塩の両者を主
成分とし、これに非イオン性界面活性剤及び（又は）平
滑添加剤を添加してなるすず−鉛合金電気メッキ浴にお
いて、すず−鉛析出物組成の安定化剤として下記の一般
式 （ここで、R1及びR2は同一又は異なっていてもよく、そ
れぞれ水素原子、C1〜18直鎖若しくは分岐鎖状アルキル
基、C1〜18直鎖若しくは分岐鎖状アルコキシ−低級アル
キル基又はC3〜７シクロアルキル基を表わし、或いはR1
及びR2は一緒になってピペリジン、モルホリン又はピペ
ラジン環を形成することができ、Ａは低級アルキレン基
を表わす）を有するグラナミン化合物を浴の液１につ
き0.01〜30gの濃度で添加したことを特徴とするすず−
鉛合金電気メッキ浴に関する。
スルホン酸及びそれらの２価のすず塩と鉛塩の両者を主
成分とし、これに非イオン性界面活性剤及び（又は）平
滑添加剤を添加してなるすず−鉛合金電気メッキ浴にお
いて、すず−鉛析出物組成の安定化剤として下記の一般
式 （ここで、R1及びR2は同一又は異なっていてもよく、そ
れぞれ水素原子、C1〜18直鎖若しくは分岐鎖状アルキル
基、C1〜18直鎖若しくは分岐鎖状アルコキシ−低級アル
キル基又はC3〜７シクロアルキル基を表わし、或いはR1
及びR2は一緒になってピペリジン、モルホリン又はピペ
ラジン環を形成することができ、Ａは低級アルキレン基
を表わす）を有するグラナミン化合物を浴の液１につ
き0.01〜30gの濃度で添加したことを特徴とするすず−
鉛合金電気メッキ浴に関する。
使用することができる好ましいグアナミン化合物として
は、R1及びR2の一方が水素原子を表わし、他方がC5〜14
アルキル基（例えばペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オ
クチル、ノニル、デシル、ドデシルなど）、C5〜14アル
コキシ‐エチル又は‐プロピル基（例えばペンチルオキ
シ‐、ヘキシルオキシ‐、ヘプチルオキシ‐、オクチル
オキシ‐、2-エチルヘキシルオキシ‐又はデシルオキシ
‐エチル又は‐プロピルなど）又はシクロヘキシル基を
表わすもの、或いはR1とR2が一緒になつてピペリジン、
モルホリン又はピペラジン環を形成するものがあげられ
る。好ましい低級アルキレン基はエチレン又はプロピレ
ン基である。
は、R1及びR2の一方が水素原子を表わし、他方がC5〜14
アルキル基（例えばペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オ
クチル、ノニル、デシル、ドデシルなど）、C5〜14アル
コキシ‐エチル又は‐プロピル基（例えばペンチルオキ
シ‐、ヘキシルオキシ‐、ヘプチルオキシ‐、オクチル
オキシ‐、2-エチルヘキシルオキシ‐又はデシルオキシ
‐エチル又は‐プロピルなど）又はシクロヘキシル基を
表わすもの、或いはR1とR2が一緒になつてピペリジン、
モルホリン又はピペラジン環を形成するものがあげられ
る。好ましい低級アルキレン基はエチレン又はプロピレ
ン基である。
本発明はグアナミン化合物は、浴の液１につき0.01〜
30gの量で添加され、好ましくは0.1〜10g/である。
30gの量で添加され、好ましくは0.1〜10g/である。
本発明の主メツキ浴は、基本的には、有機スルホン酸、
即ちアルカンスルホン酸又はアルカノールスルホン酸の
１種以上と、それらのスルホン酸のすず塩及び鉛塩より
なつている。
即ちアルカンスルホン酸又はアルカノールスルホン酸の
１種以上と、それらのスルホン酸のすず塩及び鉛塩より
なつている。
用いることができるアルカンスルホン酸又はアルカノー
ルスルホン酸は、次の一般式を有するものである。
ルスルホン酸は、次の一般式を有するものである。
R-SO3H 〔ここで、R:C1〜12アルキル基〕 HO-R-SO3H 〔ここで、R:C1〜12アルキル基、水酸基はアルキル基の
任意の位置にあつてよい〕 アルカンスルホン酸の例は、メタンスルホン酸、エタン
スルホン酸、プロパンスルホン酸、2-プロバンスルホン
酸、ブタンスルホン酸、2-ブタンスルホン酸、ペンタン
スルホン酸、ヘキサンスルホン酸、デカンスルホン酸、
ドデカンスルホン酸などである。これらのアルカンスル
ホン酸は単独で又は２種以上の混合物として使用でき
る。
任意の位置にあつてよい〕 アルカンスルホン酸の例は、メタンスルホン酸、エタン
スルホン酸、プロパンスルホン酸、2-プロバンスルホン
酸、ブタンスルホン酸、2-ブタンスルホン酸、ペンタン
スルホン酸、ヘキサンスルホン酸、デカンスルホン酸、
ドデカンスルホン酸などである。これらのアルカンスル
ホン酸は単独で又は２種以上の混合物として使用でき
る。
アルカノールスルホン酸の例は、イセチオン酸（2-ヒド
ロキシエタン‐1-スルホン酸）、2-ヒドロキシプロパン
‐1-スルホン酸、1-ヒドロキシプロパン‐2-スルホン
酸、3-ヒドロキシプロパン‐1-スルホン酸、2-ヒドロキ
シブタン‐1-スルホン酸、4-ヒドロキシブタン‐1-スル
ホン酸、2-ヒドロキシペンタン‐1-スルホン酸、2-ヒド
ロキシヘキサン‐1-スルホン酸、2-ヒドロキシデカン‐
1-スルホン酸、2-ヒドロキシドデカン‐1-スルホン酸で
ある。これらのヒドロキシ含有アルカンスルホン酸は単
独で又は２種以上の混合物として使用できる。
ロキシエタン‐1-スルホン酸）、2-ヒドロキシプロパン
‐1-スルホン酸、1-ヒドロキシプロパン‐2-スルホン
酸、3-ヒドロキシプロパン‐1-スルホン酸、2-ヒドロキ
シブタン‐1-スルホン酸、4-ヒドロキシブタン‐1-スル
ホン酸、2-ヒドロキシペンタン‐1-スルホン酸、2-ヒド
ロキシヘキサン‐1-スルホン酸、2-ヒドロキシデカン‐
1-スルホン酸、2-ヒドロキシドデカン‐1-スルホン酸で
ある。これらのヒドロキシ含有アルカンスルホン酸は単
独で又は２種以上の混合物として使用できる。
すず及び鉛塩の総濃度は金属に換算して0.5〜200g/、
好ましくは10〜100g/である。また、メツキ浴中に存
在させるアルカンスルホン酸又はアルカノールスルホン
酸の濃度は、30〜400g/、好ましくは70〜150g/であ
る。
好ましくは10〜100g/である。また、メツキ浴中に存
在させるアルカンスルホン酸又はアルカノールスルホン
酸の濃度は、30〜400g/、好ましくは70〜150g/であ
る。
本発明に従えば、メツキ浴中のSn/Pb比と実質上同一のS
n/Pb比を有するメツキ皮膜を低電流密度条件のみならず
広い電流密度範囲で得ることができる。
n/Pb比を有するメツキ皮膜を低電流密度条件のみならず
広い電流密度範囲で得ることができる。
本発明のすず‐鉛合金メツキ浴には、メツキ浴の分散性
を向上させると共に、密着性よく平滑なメツキを得るの
を可能にさせるために、界面活性剤、特に非イオン界面
活性剤を添加する。特に、非イオン界面活性剤は低電流
密度でのつき回り性を良好にする効果を有することがわ
かつた。
を向上させると共に、密着性よく平滑なメツキを得るの
を可能にさせるために、界面活性剤、特に非イオン界面
活性剤を添加する。特に、非イオン界面活性剤は低電流
密度でのつき回り性を良好にする効果を有することがわ
かつた。
本発明のメツキ浴に有効に使用できる非イオン界面活性
剤は、下記の一般式（Ｉ） （ここで、RAはC8〜20アルカノールの残基、C1〜25アル
キルフエノールの残基、C1〜25アルキルβ‐ナフトール
の残基、C3〜22脂肪酸アミドの残基、C1〜25アルコキシ
ル化りん酸の残基、C8〜22高級脂肪酸でエステル化した
ソルビタンエステルの残基、又はスチレン化フエノール
（フエノール核の水素はC1〜４アルキル又はフエニルで
置換されていてよい）の残基を表わし、 Ｒ′及びＲ″は水素原子又はメチル基を表わし、ただし
Ｒ′が水素原子を表わすときはＲ″はメチル基を表わ
し、またＲ′がメチル基を表わすときはＲ″は水素原子
を表わし、 ｍは１〜30の整数を表わし、 ｎは１〜30の整数を表わす） を有する。
剤は、下記の一般式（Ｉ） （ここで、RAはC8〜20アルカノールの残基、C1〜25アル
キルフエノールの残基、C1〜25アルキルβ‐ナフトール
の残基、C3〜22脂肪酸アミドの残基、C1〜25アルコキシ
ル化りん酸の残基、C8〜22高級脂肪酸でエステル化した
ソルビタンエステルの残基、又はスチレン化フエノール
（フエノール核の水素はC1〜４アルキル又はフエニルで
置換されていてよい）の残基を表わし、 Ｒ′及びＲ″は水素原子又はメチル基を表わし、ただし
Ｒ′が水素原子を表わすときはＲ″はメチル基を表わ
し、またＲ′がメチル基を表わすときはＲ″は水素原子
を表わし、 ｍは１〜30の整数を表わし、 ｎは１〜30の整数を表わす） を有する。
本発明のメツキ浴に用いることのできる式（Ｉ）の非イ
オン界面活性剤は、斯界で周知のものであつて、周知の
方法C3〜22高級アルコール、アルキルフエノール、アル
キルβ‐ナフトール、C3〜22脂肪酸アミド、アルコキシ
ル化リン酸、C3〜22高級脂肪酸でエステル化したソルビ
タン又はスチレン化フエノールにエチレンオキシド（又
はプロピレンオキシド）を付加縮合させ、さらにプロピ
レンオキシド（又はエチレンオキシド）を付加縮合させ
ることにより製造することができる。
オン界面活性剤は、斯界で周知のものであつて、周知の
方法C3〜22高級アルコール、アルキルフエノール、アル
キルβ‐ナフトール、C3〜22脂肪酸アミド、アルコキシ
ル化リン酸、C3〜22高級脂肪酸でエステル化したソルビ
タン又はスチレン化フエノールにエチレンオキシド（又
はプロピレンオキシド）を付加縮合させ、さらにプロピ
レンオキシド（又はエチレンオキシド）を付加縮合させ
ることにより製造することができる。
エチレンオキシド又はプロピレンオキシドを付加縮合さ
せることのできる高級アルコールとしては、例えばオク
タノール、デカノール、ラウリルアルコール、テトラデ
カノール、ヘキサデカノール、ステアリルアルコール、
エイコサノール、セチルアルコール、オレイルアルコー
ル、セチルアルコール、ドコサノールなどがあげられ
る。アルキルフエノールとしては、モノ、ジ若しくはト
リ‐アルキル置換フエノール、例えばp-ブチルフエノー
ル、p-イソオクチルフエノール、p-ノニルフエノール、
p-ヘキシルフエノール、2,4-ジブチルフエノール、2,4,
6-トリブチルフエノール、p-ドデシルフエノール、p-ラ
ウリルフエノール、p-ステアリルフエノールなどがあげ
られる。アルキルβ‐ナフトールのアルキル基として
は、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ヘキシル、オ
クチル、デシル、ドデシル、オクタデシルなどがあげら
れ、ナフタリン核の任意の位置にあつてよい。脂肪酸ア
ミドとしては、プロピオン酸、酪酸、カプリル酸、カプ
リン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ス
テアリン酸、ベヘン酸などのアミドがある。アルコキシ
ル化りん酸は、 次式 （ここでRaはRb:C1〜25アルキル基、そしてそのうち１
個の水素原子でもよい） で表わされるものである。即ち、りん酸の１又は２個の
水酸基を適当な鎖長（C1〜25）のアルコールでエステル
化したものである。スチレン化フエノールとしては、 次式 （ここでRc:水素、C1〜４アルキル基又はフエニル基 x:1〜３） で表わされるモノ‐、ジ‐若しくはトリスチレン化フエ
ノールがあげられ、このフエノール核にはC1〜４アルキ
ル基又はフエニル基が置換していてもよい。好適な例と
しては、モノ、ジ又はトリスチレン化フエノール、モノ
又はジスチレン化クレゾール、モノ又はジスチレン化フ
エニルフエノールなどがあげられる。これらの混合物で
あつてもよい。高級脂肪酸でエステル化したソルビタン
としては、モノ‐、ジ若しくはトリ‐エステル化した1,
4-、1,5及び3,6-ソルビタン、例えばソルビタンモノラ
ウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモ
ノステアレート、ソルビタンオレエート、ソルビタンジ
ラウレート、ソルビタンジパルミテート、ソルビタンジ
ステアレート、ソルビタンジオレエート、ソルビタン混
合脂肪酸エステルなどがあげられる。
せることのできる高級アルコールとしては、例えばオク
タノール、デカノール、ラウリルアルコール、テトラデ
カノール、ヘキサデカノール、ステアリルアルコール、
エイコサノール、セチルアルコール、オレイルアルコー
ル、セチルアルコール、ドコサノールなどがあげられ
る。アルキルフエノールとしては、モノ、ジ若しくはト
リ‐アルキル置換フエノール、例えばp-ブチルフエノー
ル、p-イソオクチルフエノール、p-ノニルフエノール、
p-ヘキシルフエノール、2,4-ジブチルフエノール、2,4,
6-トリブチルフエノール、p-ドデシルフエノール、p-ラ
ウリルフエノール、p-ステアリルフエノールなどがあげ
られる。アルキルβ‐ナフトールのアルキル基として
は、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ヘキシル、オ
クチル、デシル、ドデシル、オクタデシルなどがあげら
れ、ナフタリン核の任意の位置にあつてよい。脂肪酸ア
ミドとしては、プロピオン酸、酪酸、カプリル酸、カプ
リン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ス
テアリン酸、ベヘン酸などのアミドがある。アルコキシ
ル化りん酸は、 次式 （ここでRaはRb:C1〜25アルキル基、そしてそのうち１
個の水素原子でもよい） で表わされるものである。即ち、りん酸の１又は２個の
水酸基を適当な鎖長（C1〜25）のアルコールでエステル
化したものである。スチレン化フエノールとしては、 次式 （ここでRc:水素、C1〜４アルキル基又はフエニル基 x:1〜３） で表わされるモノ‐、ジ‐若しくはトリスチレン化フエ
ノールがあげられ、このフエノール核にはC1〜４アルキ
ル基又はフエニル基が置換していてもよい。好適な例と
しては、モノ、ジ又はトリスチレン化フエノール、モノ
又はジスチレン化クレゾール、モノ又はジスチレン化フ
エニルフエノールなどがあげられる。これらの混合物で
あつてもよい。高級脂肪酸でエステル化したソルビタン
としては、モノ‐、ジ若しくはトリ‐エステル化した1,
4-、1,5及び3,6-ソルビタン、例えばソルビタンモノラ
ウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモ
ノステアレート、ソルビタンオレエート、ソルビタンジ
ラウレート、ソルビタンジパルミテート、ソルビタンジ
ステアレート、ソルビタンジオレエート、ソルビタン混
合脂肪酸エステルなどがあげられる。
以上の非イオン界面活性剤は、単独で又は組合せて使用
することができる。
することができる。
用いられる非イオン界面活性剤の濃度は、一般に0.01〜
50g/、好ましくは0.03〜20g/である。
50g/、好ましくは0.03〜20g/である。
さらに、本発明のメツキ浴は、メツキ表面の平滑さを向
上させるためにある種の平滑添加剤を含有する。平滑添
加剤は、前述の界面活性剤と併用することによつてさら
に相乗的な効果を奏する。特に有効であると認められた
平滑添加剤としては、下記の一般式（Ａ）〜（Ｂ）を有
するものがあげられる。
上させるためにある種の平滑添加剤を含有する。平滑添
加剤は、前述の界面活性剤と併用することによつてさら
に相乗的な効果を奏する。特に有効であると認められた
平滑添加剤としては、下記の一般式（Ａ）〜（Ｂ）を有
するものがあげられる。
〔ここで、Rc:水素、C1〜４アルキル基又はフエニル
基、 Rd:水素又は水酸基、 B:C1〜４アルキレン基、フエニレン基又はベンジル基 Re:水素又はC1〜４アルキル基〕 〔ここで、Rf、Rg:C1〜18アルキル基〕 これらの平滑添加剤のうちでも、特に、N-（3-ヒドロキ
シブチリデン）‐p-スルフアニル酸、N-ブチリデンスル
フアニル酸、N-シンナモイリデンスルフアニル酸、2,4-
ジアミノ‐6-〔２′‐メチルイミダゾリル（１′）〕エ
チル‐1,3,5-トリアジン、2,4-ジアミノ‐6-〔２′‐エ
チル‐4-メチルイミダゾリル（１′）〕エチル‐1,3,5-
トリアジン、2,4-ジアミノ‐6-〔２′‐ウンデシルイミ
ダゾリル（１′）〕エチル‐1,3,5-トリアジン等があげ
られる。
基、 Rd:水素又は水酸基、 B:C1〜４アルキレン基、フエニレン基又はベンジル基 Re:水素又はC1〜４アルキル基〕 〔ここで、Rf、Rg:C1〜18アルキル基〕 これらの平滑添加剤のうちでも、特に、N-（3-ヒドロキ
シブチリデン）‐p-スルフアニル酸、N-ブチリデンスル
フアニル酸、N-シンナモイリデンスルフアニル酸、2,4-
ジアミノ‐6-〔２′‐メチルイミダゾリル（１′）〕エ
チル‐1,3,5-トリアジン、2,4-ジアミノ‐6-〔２′‐エ
チル‐4-メチルイミダゾリル（１′）〕エチル‐1,3,5-
トリアジン、2,4-ジアミノ‐6-〔２′‐ウンデシルイミ
ダゾリル（１′）〕エチル‐1,3,5-トリアジン等があげ
られる。
平滑添加剤の濃度は、0.01〜30g/、好ましくは0.03〜
5g/である。
5g/である。
本発明のメツキ浴の上述の各成分の濃度は、バレルメツ
キ、ラツクメツキ、高速連続メツキ、スルホールメツキ
等に対応して任意に選択することができる。
キ、ラツクメツキ、高速連続メツキ、スルホールメツキ
等に対応して任意に選択することができる。
また、本発明のメツキ浴は、広範囲の電流密度において
均質で緻密なメツキを得ることができる。
均質で緻密なメツキを得ることができる。
次に本発明の実施例によるメツキ液の組成及びメツキ作
業条件を示すが、本発明はこれら数例に限定されるもの
ではなく、前述した目的に添つてメツキ浴の組成及びメ
ツキ条件は任意に変更することができる。
業条件を示すが、本発明はこれら数例に限定されるもの
ではなく、前述した目的に添つてメツキ浴の組成及びメ
ツキ条件は任意に変更することができる。
実施例１ 下記の実施例では、表‐１に記載の各種のグアナミン化
合物を表‐２に記載の基本浴組成を有するすず‐鉛合金
メツキ浴に添加し、銅片上にメツキを行つた。
合物を表‐２に記載の基本浴組成を有するすず‐鉛合金
メツキ浴に添加し、銅片上にメツキを行つた。
メツキは、φ2mm×200mmの銅線を陰極として2m/minの陰
極移動を行いながら、所定の電流密度で600クーロンの
定電流電解により行つた。得られた電着物を6N-HC1に溶
解し、原子吸光分析法により電着物中の鉛含有率（％）
を測定した。測定結果を第１図に示す。
極移動を行いながら、所定の電流密度で600クーロンの
定電流電解により行つた。得られた電着物を6N-HC1に溶
解し、原子吸光分析法により電着物中の鉛含有率（％）
を測定した。測定結果を第１図に示す。
実施例２ 表‐２の基本浴に表‐１の各安定剤を添加した浴から得
られたすず‐鉛合金めつき試料に赤外線フユージング処
理を施した後、フユージング温度に対する表面状態を評
価した。比較的定電流密度条件（0.25A/dm2）でめつき
を施し、めつき厚さは、10μｍとし、フユージングの加
熱時間は各所定温度で３秒間一定とした。
られたすず‐鉛合金めつき試料に赤外線フユージング処
理を施した後、フユージング温度に対する表面状態を評
価した。比較的定電流密度条件（0.25A/dm2）でめつき
を施し、めつき厚さは、10μｍとし、フユージングの加
熱時間は各所定温度で３秒間一定とした。
フユージング試験には近赤外線式面状加熱装置、自動SC
R電力制御装置及び温度制御装置を使用し、めつき試料
は鉄‐コンスタンタン熱電対を接続した温度制御用銅板
上にセツトし、垂直方向から赤外線を照射した。
R電力制御装置及び温度制御装置を使用し、めつき試料
は鉄‐コンスタンタン熱電対を接続した温度制御用銅板
上にセツトし、垂直方向から赤外線を照射した。
得られた結果を第２図に示す。
フユージング性は比較的低温で完全溶融することが望ま
しく、したがつて、基本浴に比べ、安定化剤を加えた場
合はいずれも低い温度で完全溶融面が得られた。
しく、したがつて、基本浴に比べ、安定化剤を加えた場
合はいずれも低い温度で完全溶融面が得られた。
実施例３ 次の組成を有する浴からすず‐鉛合金メツキ皮膜を形成
し、電流密度と電着物中の鉛含有率との関係を求め、さ
らにフユージング性を評価した。
し、電流密度と電着物中の鉛含有率との関係を求め、さ
らにフユージング性を評価した。
2-ヒドロキシプロパンスルホン酸第１すず（２価のすず
として） 12g/ 2-ヒドロキシプロパンスルホン酸鉛（２価の鉛として）
８ 遊離メタンスルホン酸 100 C2C6OPAA ２ 結果を第３図及び第４図に示す。C2C6OPAA単独でも電着
組成は安定であり、フユージング性も安定であつた。
として） 12g/ 2-ヒドロキシプロパンスルホン酸鉛（２価の鉛として）
８ 遊離メタンスルホン酸 100 C2C6OPAA ２ 結果を第３図及び第４図に示す。C2C6OPAA単独でも電着
組成は安定であり、フユージング性も安定であつた。
実施例４ 表‐３に示した基本めつき浴に表‐１の各安定化剤を添
加しためつき浴から得られたすず‐鉛合金電着物の合金
組成を実施例１と同様の方法で測定した。結果を表‐４
に示す。
加しためつき浴から得られたすず‐鉛合金電着物の合金
組成を実施例１と同様の方法で測定した。結果を表‐４
に示す。
実施例５ 表‐５に示した基本めつき浴に表‐１の各安定化剤を添
加しためつき浴から得られたすず‐鉛合金電着物の合金
組成を実施例１と同様の方法で測定した。結果を表‐６
に示す。
加しためつき浴から得られたすず‐鉛合金電着物の合金
組成を実施例１と同様の方法で測定した。結果を表‐６
に示す。
実施例６ 表‐７に示した基本めつき浴に表‐１の各安定化剤を添
加しためつき浴から得られたすず‐鉛合金電着物の合金
組成を実施例１と同様の方法で測定した。結果を表‐８
に示す。
加しためつき浴から得られたすず‐鉛合金電着物の合金
組成を実施例１と同様の方法で測定した。結果を表‐８
に示す。
実施例７ 表‐９に示した基本めつき浴に表‐１の各安定化剤を添
加しためつき浴から得られたすず‐鉛合金電着物の合金
組成を実施例１と同様の方法で測定した。結果を表‐10
に示す。
加しためつき浴から得られたすず‐鉛合金電着物の合金
組成を実施例１と同様の方法で測定した。結果を表‐10
に示す。
実施例８ 表‐11に示した基本めつき浴に表‐１の各安定化剤を添
加しためつき浴から得られたすず‐鉛合金電着物の合金
組成を実施例１と同様の方法で測定した。結果を表‐12
に示す。
加しためつき浴から得られたすず‐鉛合金電着物の合金
組成を実施例１と同様の方法で測定した。結果を表‐12
に示す。
第１図は、各種のグアナミン化合物を用いたすず‐鉛合
金メツキにおける電流密度の変化による電着物中の鉛含
有率の関係を示すグラフである。 第２図は、各種のグアナミン化合物を用いたすず‐鉛合
金メツキ皮膜のフユージング後の表面状態を示す図であ
る。 第３図は、他の具体例のにおける電流密度の変化による
電着物中の鉛含有率の関係を示すグラフである。 第４図は、他の具体例のすず‐鉛合金メツキ皮膜のフユ
ージング後の表面状態を示す図である。
金メツキにおける電流密度の変化による電着物中の鉛含
有率の関係を示すグラフである。 第２図は、各種のグアナミン化合物を用いたすず‐鉛合
金メツキ皮膜のフユージング後の表面状態を示す図であ
る。 第３図は、他の具体例のにおける電流密度の変化による
電着物中の鉛含有率の関係を示すグラフである。 第４図は、他の具体例のすず‐鉛合金メツキ皮膜のフユ
ージング後の表面状態を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小幡 恵吾 兵庫県姫路市小利木町８の１ (72)発明者 土肥 信康 兵庫県神戸市須磨区月見山本町１丁目１番 ４号 (72)発明者 奥浜 良明 兵庫県神戸市東灘区岡本６丁目５の17 岡 本エクセル502号 (72)発明者 正木 征史 兵庫県神戸市長田区西山町４丁目16の５ (72)発明者 岡田 幸能 兵庫県神戸市北区泉台４丁目１番１号 (72)発明者 吉田 正 兵庫県神戸市北区つくしが丘４丁目４の２ (56)参考文献 特開 昭59−182986（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−67387（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】アルカンスルホン酸又はアルカノールスル
ホン酸及びそれらの２価のすず塩と鉛塩の両者を主成分
とし、これに非イオン性界面活性剤及び（又は）平滑添
加剤を添加してなるすず−鉛合金電気メッキ浴におい
て、すず−鉛析出物組成の安定化剤として下記の一般式 （ここで、R1及びR2は同一又は異なっていてもよく、そ
れぞれ水素原子、C1〜18直鎖若しくは分岐鎖状アルキル
基、C1〜18直鎖若しくは分岐鎖状アルコキシ−低級アル
キル基又はC3〜７シクロアルキル基を表わし、或いはR1
及びR2は一緒になってピペリジン、モルホリン又はピペ
ラジン環を形成することができ、Ａは低級アルキレン基
を表わす）を有するグアナミン化合物の浴の液１につ
き0.01〜30gの濃度で添加したことを特徴とするすず−
鉛合金電気メッキ浴。 - 【請求項２】アルカンスルホン酸及びアルカノールスル
ホン酸がそれぞれ次の一般式 Ｒ−SO3H （ここで、ＲはC1〜12アルキル基を表わす） HO−Ｒ−SO3H （ここで、ＲはC1〜12アルキル基を表わし、水酸基はア
ルキル基の任意の位置にあってよい） を有することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
電気メッキ浴。 - 【請求項３】アルカンスルホン酸又はアルカノールスル
ホン酸のすず−鉛塩が金属に換算して浴の液１につき
0.5〜200gの濃度で用いられることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の電気メッキ浴。 - 【請求項４】アルカンスルホン酸又はアルカノールスル
ホン酸が浴の液１につき30〜400gの濃度で用いられる
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電気メッ
キ浴。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59169898A JPH079076B2 (ja) | 1984-08-16 | 1984-08-16 | すず―鉛合金メッキ浴 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59169898A JPH079076B2 (ja) | 1984-08-16 | 1984-08-16 | すず―鉛合金メッキ浴 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6148589A JPS6148589A (ja) | 1986-03-10 |
| JPH079076B2 true JPH079076B2 (ja) | 1995-02-01 |
Family
ID=15895008
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59169898A Expired - Lifetime JPH079076B2 (ja) | 1984-08-16 | 1984-08-16 | すず―鉛合金メッキ浴 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH079076B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63128194A (ja) * | 1986-11-18 | 1988-05-31 | Okuno Seiyaku Kogyo Kk | 錫−鉛合金めつき浴 |
| JPH03146689A (ja) * | 1989-10-31 | 1991-06-21 | Nec Kansai Ltd | 半田および錫メッキ液 |
| US5471854A (en) * | 1994-06-16 | 1995-12-05 | Automotive Fluid Systems, Inc. | Accumulator for an air conditioning system |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5967387A (ja) * | 1982-10-08 | 1984-04-17 | Hiyougoken | すず、鉛及びすず―鉛合金メッキ浴 |
| JPS59182986A (ja) * | 1983-04-01 | 1984-10-17 | Keigo Obata | スズ、鉛及びすず−鉛合金メツキ浴 |
| JPS6214639A (ja) * | 1985-07-12 | 1987-01-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子写真複写機 |
-
1984
- 1984-08-16 JP JP59169898A patent/JPH079076B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6148589A (ja) | 1986-03-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |