JPH0791223B2 - 光学活性6―t―ブトキシ―3,5―ジヒドロキシヘキサン酸エステルの製造法 - Google Patents
光学活性6―t―ブトキシ―3,5―ジヒドロキシヘキサン酸エステルの製造法Info
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- JPH0791223B2 JPH0791223B2 JP2039762A JP3976290A JPH0791223B2 JP H0791223 B2 JPH0791223 B2 JP H0791223B2 JP 2039762 A JP2039762 A JP 2039762A JP 3976290 A JP3976290 A JP 3976290A JP H0791223 B2 JPH0791223 B2 JP H0791223B2
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Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、医薬の合成原料の中間体として有用な光学活
性6−t−ブトキシ−3,5−ジヒドロキシヘキサン酸エ
ステルの製造法に関する。
性6−t−ブトキシ−3,5−ジヒドロキシヘキサン酸エ
ステルの製造法に関する。
[従来の技術] 6−t−ブトキシ−3,5−ジヒドロキシヘキサン酸エス
テルの3位、5位の立体配置がそれぞれ(R)、(S)
である化合物は、コレステロール低下剤として注目され
ているコンパクチンならびにメビノリンの化学構造のラ
クトンの部分に容易に変換できることが知られている
(K.Prasadら:“Tetrahedron Lett.",25,3391(198
4))。このラクトン部はコレステロール生合成を調整
する主要酵素の一つである3−ヒドロキシ−3−メチル
グリタリル−CoA還元酵素の阻害剤の活性部分であると
推定されており、このラクトン部を有する多くの類縁体
が合成されている。(J.R.PROUS編:“DRUGS OF THE FU
TURE"VOL.12,No.5,437(1987))。
テルの3位、5位の立体配置がそれぞれ(R)、(S)
である化合物は、コレステロール低下剤として注目され
ているコンパクチンならびにメビノリンの化学構造のラ
クトンの部分に容易に変換できることが知られている
(K.Prasadら:“Tetrahedron Lett.",25,3391(198
4))。このラクトン部はコレステロール生合成を調整
する主要酵素の一つである3−ヒドロキシ−3−メチル
グリタリル−CoA還元酵素の阻害剤の活性部分であると
推定されており、このラクトン部を有する多くの類縁体
が合成されている。(J.R.PROUS編:“DRUGS OF THE FU
TURE"VOL.12,No.5,437(1987))。
光学活性な6−t−ブトキシ−3,5−ジヒドロキシヘキ
サン酸エステルの合成に使用できる方法としては、天然
物の糖類であるD−グルコースを利用して光学活性な1,
3−ジオール体を合成する方法{T.Leeら:“Tetrahedro
n Lett.",26,4995(1985)、Y.Yangら:“Tetrahedron
Lett.",23,4305(1982)}がある。また、2ヵ所の不斉
炭素原子を一つずつ構築する方法として、特定な反応剤
としてトリアルキルボロンを用いてジアステレオ選択的
に還元する方法{K.Chenら:“Tetrahedron Lett.",28,
155(1987)}、不斉アルドール反応による方法{J.E.L
ynchら:“Tetrahedron Lett.",28,138(1987)}、不
斉エポキシ化を利用する方法{K.Prasadら:“Tetrahed
ron Lett.",25,3391(1984)}、微生物を用いる方法
{P.R.Ortizo De Montellanoら:“J.Am.Chem.Soc",98,
2018,(1976)}等がある。
サン酸エステルの合成に使用できる方法としては、天然
物の糖類であるD−グルコースを利用して光学活性な1,
3−ジオール体を合成する方法{T.Leeら:“Tetrahedro
n Lett.",26,4995(1985)、Y.Yangら:“Tetrahedron
Lett.",23,4305(1982)}がある。また、2ヵ所の不斉
炭素原子を一つずつ構築する方法として、特定な反応剤
としてトリアルキルボロンを用いてジアステレオ選択的
に還元する方法{K.Chenら:“Tetrahedron Lett.",28,
155(1987)}、不斉アルドール反応による方法{J.E.L
ynchら:“Tetrahedron Lett.",28,138(1987)}、不
斉エポキシ化を利用する方法{K.Prasadら:“Tetrahed
ron Lett.",25,3391(1984)}、微生物を用いる方法
{P.R.Ortizo De Montellanoら:“J.Am.Chem.Soc",98,
2018,(1976)}等がある。
[発明が解決しようとする課題] 光学活性1,3−ジオールを得るために、出発原料に天然
物を用いる場合には目的物までの反応工程が長い等の欠
点がある。また、出発原料の光学活性体を光学分割によ
り入手する方法では、鏡像体が不要となり生産効率に問
題がある。更に、微生物を用いる方法では、生成物の立
体配置が限られている例が多く、菌体と生成物の分離操
作が煩雑である等の欠点がある。本発明の1,3−ジオー
ル体の合成において、糖類を原料とする以外では、1ヵ
所の不斉点を利用してもう1ヵ所の不斉点を誘起させる
ジアステレオ選択的な方法を用いる手法があるが、この
立体制御においては一般式に高価な試薬を必要とする。
物を用いる場合には目的物までの反応工程が長い等の欠
点がある。また、出発原料の光学活性体を光学分割によ
り入手する方法では、鏡像体が不要となり生産効率に問
題がある。更に、微生物を用いる方法では、生成物の立
体配置が限られている例が多く、菌体と生成物の分離操
作が煩雑である等の欠点がある。本発明の1,3−ジオー
ル体の合成において、糖類を原料とする以外では、1ヵ
所の不斉点を利用してもう1ヵ所の不斉点を誘起させる
ジアステレオ選択的な方法を用いる手法があるが、この
立体制御においては一般式に高価な試薬を必要とする。
本発明は、6−t−ブトキシ−3,5−ジヒドロキシヘキ
サン酸エステルの有利な製造法を提供しようとするもの
である。
サン酸エステルの有利な製造法を提供しようとするもの
である。
[課題を解決するための手段] 本発明者らは、上記の課題に解決しようとして研究を重
ねた結果、 (1) ジケテンから容易に合成できる4−t−ブトキ
シ−アセト酢酸エステルを、ルネニウム−光学活性ホス
フィン錯体を触媒とする不斉水素化反応で光学活性な4
−t−ブトキシ−3−ヒドロキシブタン酸エステルと
し、 (2) つづいて酢酸エステルのリチウムエノラートと
の反応により光学活性な6−t−ブトキシ−5−ヒドロ
キシ−3−オキソ−ヘキサン酸エステルに誘導した後、 (3) 更に、ルテニウム−光学活性ホスフィン錯体を
触媒としてジアステレオ選択的水素化を行うこと によって収率よく、かつ、立体選択的に目的とする6−
t−ブトキシ−3,5−ジヒドロキシヘキサン酸エステル
を有利に製造する方法を見出し、本発明を完成した。
ねた結果、 (1) ジケテンから容易に合成できる4−t−ブトキ
シ−アセト酢酸エステルを、ルネニウム−光学活性ホス
フィン錯体を触媒とする不斉水素化反応で光学活性な4
−t−ブトキシ−3−ヒドロキシブタン酸エステルと
し、 (2) つづいて酢酸エステルのリチウムエノラートと
の反応により光学活性な6−t−ブトキシ−5−ヒドロ
キシ−3−オキソ−ヘキサン酸エステルに誘導した後、 (3) 更に、ルテニウム−光学活性ホスフィン錯体を
触媒としてジアステレオ選択的水素化を行うこと によって収率よく、かつ、立体選択的に目的とする6−
t−ブトキシ−3,5−ジヒドロキシヘキサン酸エステル
を有利に製造する方法を見出し、本発明を完成した。
本発明は、一般式(I) (ただし、式中の R1は低級アルキル基、 t−Buはt−ブチル基を示す) で表わされる4−t−ブトキシアセト酢酸エステルを、
次の一般式(II) Ru(R2−BINAP)(O2CR3)2 (II) (ただし、式中の R2−BINAPは式(III) で表される三級ホスフィンを示し、 R2は水素原子またはメチル基を示し、 R3は低級アルキル基またはトリフロロメチル基を示す) で表わされるルテニウム−光学活性ホスフィン錯体を触
媒として不斉水素化を行い、一般式(IV) (ただし、式中のR1とt−Buは上記と同じ意義を有す
る) で表わされる光学活性4−t−ブトキシ−3−ヒドロキ
シブタン酸エステルを得、これと酢酸エステルのリチウ
ムエノラートを反応させて、一般式(V) (ただし、式中の R4は低級アルキル基を示し、 t−Buは上記と同じ意義を有する) で表される光学活性6−t−ブトキシ−5−ヒドロキシ
−3−オキソヘキサン酸エステルとし、次に一般式(V
I) Ru2Cl4(R2−BINAP)2(NEt3) (VI) (ただし、式中の R2−BINAPは上記と同じ意義を有し、 Etはエチル基を示す) で表わされるルテニウム−光学活性ホスフィン錯体を触
媒として不斉水素化を行うことを特徴とする一般式(VI
I) (ただし、式中のR4およびt−Buは上記と同じ意義を有
する) で表わされる光学活性6−t−ブトキシ−3,5−ジヒド
ロキシヘキサン酸エステルの製造法を提供するものであ
る。
次の一般式(II) Ru(R2−BINAP)(O2CR3)2 (II) (ただし、式中の R2−BINAPは式(III) で表される三級ホスフィンを示し、 R2は水素原子またはメチル基を示し、 R3は低級アルキル基またはトリフロロメチル基を示す) で表わされるルテニウム−光学活性ホスフィン錯体を触
媒として不斉水素化を行い、一般式(IV) (ただし、式中のR1とt−Buは上記と同じ意義を有す
る) で表わされる光学活性4−t−ブトキシ−3−ヒドロキ
シブタン酸エステルを得、これと酢酸エステルのリチウ
ムエノラートを反応させて、一般式(V) (ただし、式中の R4は低級アルキル基を示し、 t−Buは上記と同じ意義を有する) で表される光学活性6−t−ブトキシ−5−ヒドロキシ
−3−オキソヘキサン酸エステルとし、次に一般式(V
I) Ru2Cl4(R2−BINAP)2(NEt3) (VI) (ただし、式中の R2−BINAPは上記と同じ意義を有し、 Etはエチル基を示す) で表わされるルテニウム−光学活性ホスフィン錯体を触
媒として不斉水素化を行うことを特徴とする一般式(VI
I) (ただし、式中のR4およびt−Buは上記と同じ意義を有
する) で表わされる光学活性6−t−ブトキシ−3,5−ジヒド
ロキシヘキサン酸エステルの製造法を提供するものであ
る。
(原料) 本発明に用いられる原料である化合物(I)は、市場で
容易に入手できる4−クロロアセト酢酸エステルからD.
Seebachら:“Synthesis",37(1986)に記載の方法で得
ることができる。
容易に入手できる4−クロロアセト酢酸エステルからD.
Seebachら:“Synthesis",37(1986)に記載の方法で得
ることができる。
(II)式のルテニウム−光学活性ホスフィン錯体Ru(R2
−BINAP(O2CR3)2 (II) は、特開昭62−265293号公報で開示されている方法によ
り得ることかできる。すなわち、以下に記述する Ru2Cl4(R2−BINAP)2(NEt3)とカルボン酸塩をメタ
ノール、エタノール、t−ブタノール等のアルコール溶
媒中で反応させたのち、溶媒を留去し、エーテル、エタ
ノール等の溶媒で抽出して錯体を得る。またトリフロロ
アセテート基を有する錯体は、上記のようにして得たRu
(R2−BINAP)(O2CR3)2にトリフロロ酢酸を、溶媒と
しての塩化メチレン中で反応させることにより得られ
る。(II)式のルテニウム−光学活性ホスフィン錯体の
例として、次のものが挙げられる。
−BINAP(O2CR3)2 (II) は、特開昭62−265293号公報で開示されている方法によ
り得ることかできる。すなわち、以下に記述する Ru2Cl4(R2−BINAP)2(NEt3)とカルボン酸塩をメタ
ノール、エタノール、t−ブタノール等のアルコール溶
媒中で反応させたのち、溶媒を留去し、エーテル、エタ
ノール等の溶媒で抽出して錯体を得る。またトリフロロ
アセテート基を有する錯体は、上記のようにして得たRu
(R2−BINAP)(O2CR3)2にトリフロロ酢酸を、溶媒と
しての塩化メチレン中で反応させることにより得られ
る。(II)式のルテニウム−光学活性ホスフィン錯体の
例として、次のものが挙げられる。
Ru(BINAP)(O2CCH3)2 [BINAPは、2,2′−ビス(ジフェニルホスフィノ)−1,
1′−ビナフチルを意味する] Ru(Tol−BINAP)(O2CCH3)2 [Tol−BINAPは2,2′−ビス(ジ−p−トリルホスフィ
ノ)−1,1′−ビナフチルを意味する] Ru(BINAP)(O2CCF3)2 Ru(Tol−BINAP)(O2CCF3)2 また、(VI)式のルテニウム−光学活性ホスフィン錯体 Ru2Cl4(R2−BINAP)2(NEt3)は、T.Ikariyaら:“J.
Chem.Soc.,Chem.Commun."922(1985)及び特開昭61−63
690号公報で開示されている方法により得ることができ
る。すなわち、ルテニウムクロライドとシクロオクタ−
1,5−ジエン(以下、CODと略記する。)をエタノール溶
液中で反応させることにより得られる[RuCl2(COD)]
nとR2−BINAPをトリエチルアミンの存在下でトルエン
またはエタノール等の溶媒中で加熱反応させることによ
り得られる。
1′−ビナフチルを意味する] Ru(Tol−BINAP)(O2CCH3)2 [Tol−BINAPは2,2′−ビス(ジ−p−トリルホスフィ
ノ)−1,1′−ビナフチルを意味する] Ru(BINAP)(O2CCF3)2 Ru(Tol−BINAP)(O2CCF3)2 また、(VI)式のルテニウム−光学活性ホスフィン錯体 Ru2Cl4(R2−BINAP)2(NEt3)は、T.Ikariyaら:“J.
Chem.Soc.,Chem.Commun."922(1985)及び特開昭61−63
690号公報で開示されている方法により得ることができ
る。すなわち、ルテニウムクロライドとシクロオクタ−
1,5−ジエン(以下、CODと略記する。)をエタノール溶
液中で反応させることにより得られる[RuCl2(COD)]
nとR2−BINAPをトリエチルアミンの存在下でトルエン
またはエタノール等の溶媒中で加熱反応させることによ
り得られる。
(VI)式のルテニウム−光学活性ホスフィン錯体の例と
して次のものが挙げられる。
して次のものが挙げられる。
Ru2Cl4(BINAP)2(NEt3) Ru2Cl4(Tol−BINAP)2(NEt3) 上にあげたルテニウム−光学活性ホスフィン錯体中のホ
スフィン誘導体は、それぞれ鏡像体を有しているが、そ
れらの表示は省略した。
スフィン誘導体は、それぞれ鏡像体を有しているが、そ
れらの表示は省略した。
(操作方法) 本発明を実施するには、4−t−ブトキシアセト酢酸エ
ステル(I)を、メタノール、エタノール、イソプロパ
ノール等のアルコール溶媒に溶かしておき、つづいて Ru(R2−BINAP)(O2CR3)2(II)を基質1モルに対し
て0.1ないし0.001モル、好ましくは、0.01ないし0.002
モルを添加し、水素圧与ないし150kg/cm2、好ましくは3
0ないし70kg/cm2で、反応温度25ないし100℃で基質が完
全に消費されるまで水素化を行い、光学活性4−t−ブ
トキシ−3−ヒドロキシブタン酸エステル(IV)を得
る。次に、T.E.Linthらの“Tetrahedron Lett.",28,138
5(1987)に記載の方法により用意した酢酸エステルの
エノレートと、光学活性4−t−ブトキシ−3−ヒドロ
キシブタン酸エステル(IV)をテトラヒドロフラン溶媒
中、反応温度−50℃(すなわち零下50℃)で反応させた
後、常法により処理して6−t−ブトキシ−5−ヒドロ
キシ−3−オキソヘキサン酸エステル(V)を得る。
ステル(I)を、メタノール、エタノール、イソプロパ
ノール等のアルコール溶媒に溶かしておき、つづいて Ru(R2−BINAP)(O2CR3)2(II)を基質1モルに対し
て0.1ないし0.001モル、好ましくは、0.01ないし0.002
モルを添加し、水素圧与ないし150kg/cm2、好ましくは3
0ないし70kg/cm2で、反応温度25ないし100℃で基質が完
全に消費されるまで水素化を行い、光学活性4−t−ブ
トキシ−3−ヒドロキシブタン酸エステル(IV)を得
る。次に、T.E.Linthらの“Tetrahedron Lett.",28,138
5(1987)に記載の方法により用意した酢酸エステルの
エノレートと、光学活性4−t−ブトキシ−3−ヒドロ
キシブタン酸エステル(IV)をテトラヒドロフラン溶媒
中、反応温度−50℃(すなわち零下50℃)で反応させた
後、常法により処理して6−t−ブトキシ−5−ヒドロ
キシ−3−オキソヘキサン酸エステル(V)を得る。
こうして得た6−t−ブトキシ−5−ヒドロキシ−3−
オキソヘキサン酸エステル(V)をメタノール、エタノ
ール、イソプロパノール等のアルコール溶媒に溶かして
おき、この中に Ru2Cl4(R2−BINAP)2(NEt3)(VI)を基質1モルに
対して0.1ないし0.001モル、好ましくは、0.01ないし0.
002モルを添加し、水素圧10ないし120kg/cm2、好ましく
は50ないし100kg/cm2、反応温度5ないし100℃、好まし
くは30ないし50℃で水素化を行い、溶媒を留去した後、
残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し
て、目的とする光学活性6−t−ブトキシ−3,5−ジヒ
ドロキシヘキサン酸エステル(VIII)を得た。本発明に
おいて、原料の4−t−ブトキシアセト酢酸エステルの
エーテル基としてt−ブチル基を用いる理由は、例えば
ベンジル基、トリアルキルシリル基等も保護基として用
いることができるが、次の工程において最も安定かつ高
収率を与える保護基としてt−ブチル基が優れている。
また、最後の工程であるジエステレオ選択的不斉水素化
で、光学活性syn−ジオール(VII)を得るためには、基
質(V)の5位の炭素原子の立体配置が(S)の場合、
(R)−BINAPをルテニウムに組み合わせることが必須
となり、また、(R)の場合には(S)−BINAPをルテ
ニウムに組み合わせることが必要である。
オキソヘキサン酸エステル(V)をメタノール、エタノ
ール、イソプロパノール等のアルコール溶媒に溶かして
おき、この中に Ru2Cl4(R2−BINAP)2(NEt3)(VI)を基質1モルに
対して0.1ないし0.001モル、好ましくは、0.01ないし0.
002モルを添加し、水素圧10ないし120kg/cm2、好ましく
は50ないし100kg/cm2、反応温度5ないし100℃、好まし
くは30ないし50℃で水素化を行い、溶媒を留去した後、
残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し
て、目的とする光学活性6−t−ブトキシ−3,5−ジヒ
ドロキシヘキサン酸エステル(VIII)を得た。本発明に
おいて、原料の4−t−ブトキシアセト酢酸エステルの
エーテル基としてt−ブチル基を用いる理由は、例えば
ベンジル基、トリアルキルシリル基等も保護基として用
いることができるが、次の工程において最も安定かつ高
収率を与える保護基としてt−ブチル基が優れている。
また、最後の工程であるジエステレオ選択的不斉水素化
で、光学活性syn−ジオール(VII)を得るためには、基
質(V)の5位の炭素原子の立体配置が(S)の場合、
(R)−BINAPをルテニウムに組み合わせることが必須
となり、また、(R)の場合には(S)−BINAPをルテ
ニウムに組み合わせることが必要である。
[実施例] 次に実施例により本発明を説明するが、本発明は下記の
実施例に制限されるものではない。
実施例に制限されるものではない。
なお、実施例中の分析は、次の分析機器を用いて行っ
た。
た。
ガスクロマトグラフィー:島津GC−9A(株式会社島津製
作所製) カラム;0V−101シリカキャピラリー φ0.25mm×25m(ガスクロ工業株式会社製) 測定温度:100ないし250℃で10℃/分で昇温 高速液体クロマトグラフィー: 日立液体クロマトグラフィーL−6000(株式会社日立製
作所製) カラム;デヴェロシル(Develosil)100−3 φ4.6mm×250mm(野村化学株式会社製) 展開溶媒;エーテル:ヘキサン=1:9 1ml/分 検出器;UV検出器 L−4000 (UV−254nm)(株式会社日立製作所製) 実施例1 (3S)−4−t−ブトキシ−3−ヒドロキシブタン酸メ
チルエステルの製造 あらかじめ窒素置換した三方コック付100mlのナス型フ
ラスコに、Ru((R)−BINAP(O2CCH3)290mg(0.106
ミリモル)をはかりとり、4−t−ブトキシ−3−オン
−ブタン酸メチルエステル20g(106ミリモル)とメタノ
ール60mlを加えて溶液とした。あらかじめ窒素置換した
200mlのオートクレーブに上記の溶液を加え、水素圧100
kg/cm2、反応温度30℃で16時間撹拌し、水素化を行い、
溶媒を留去し、残留物を減圧蒸留し、無色透明の(3S)
−4−t−ブトキシ−3−ヒドロキシブタン酸メチルエ
ステル21.1gを得た。収率100%。
作所製) カラム;0V−101シリカキャピラリー φ0.25mm×25m(ガスクロ工業株式会社製) 測定温度:100ないし250℃で10℃/分で昇温 高速液体クロマトグラフィー: 日立液体クロマトグラフィーL−6000(株式会社日立製
作所製) カラム;デヴェロシル(Develosil)100−3 φ4.6mm×250mm(野村化学株式会社製) 展開溶媒;エーテル:ヘキサン=1:9 1ml/分 検出器;UV検出器 L−4000 (UV−254nm)(株式会社日立製作所製) 実施例1 (3S)−4−t−ブトキシ−3−ヒドロキシブタン酸メ
チルエステルの製造 あらかじめ窒素置換した三方コック付100mlのナス型フ
ラスコに、Ru((R)−BINAP(O2CCH3)290mg(0.106
ミリモル)をはかりとり、4−t−ブトキシ−3−オン
−ブタン酸メチルエステル20g(106ミリモル)とメタノ
ール60mlを加えて溶液とした。あらかじめ窒素置換した
200mlのオートクレーブに上記の溶液を加え、水素圧100
kg/cm2、反応温度30℃で16時間撹拌し、水素化を行い、
溶媒を留去し、残留物を減圧蒸留し、無色透明の(3S)
−4−t−ブトキシ−3−ヒドロキシブタン酸メチルエ
ステル21.1gを得た。収率100%。
沸点;78℃/2mmHg1 H NMR δppm; 1.20(s,9H)、 2.50(d,J=7Hz,2H)、 3.31(d,J=6Hz,2H)、 3.65(s,3H)、4.10(m,1H)、 得られた(3S)−4−t−ブトキシ−3−ヒドロキシブ
タン酸メチルエステルを(R)−(+)−α−メトキシ
−α−トリフルオロメチルフェニルアセチルクロライド
と反応させてエステル体を合成し、高速液体クロマトグ
ラフィーで分析を行った結果、(3S)−4−t−ブトキ
シ−3−ヒドロキシブタン酸メチルエステル98.2%%と
(3R)−4−t−ブトキシ−3−ヒドロキシブタン酸メ
チルエステル1.8%の混合物であり、(3S)−4−t−
ブトキシ−3−ヒドロキシブタン酸メチルエステルの光
学純度は96.4%eeであった。
タン酸メチルエステルを(R)−(+)−α−メトキシ
−α−トリフルオロメチルフェニルアセチルクロライド
と反応させてエステル体を合成し、高速液体クロマトグ
ラフィーで分析を行った結果、(3S)−4−t−ブトキ
シ−3−ヒドロキシブタン酸メチルエステル98.2%%と
(3R)−4−t−ブトキシ−3−ヒドロキシブタン酸メ
チルエステル1.8%の混合物であり、(3S)−4−t−
ブトキシ−3−ヒドロキシブタン酸メチルエステルの光
学純度は96.4%eeであった。
実施例2 (3R)−4−t−ブトキシ−3−ヒドロキシブタン酸メ
チルエステルの製造 あらかじめ窒素置換した三方コック付100mlのナス型フ
ラスコに、Ru((S)−Tol−BINAP)(O2CCF3)26.1mg
(0.066ミリモル)をはかりとり、4−t−ブトキシ−
3−オン−ブタン酸メチルエステル1g(7ミリモル)と
メタノール50mlを加えて溶液とした。あらかじめ窒素置
換した100mlのオートクレーブに上記の溶液を加え、水
素圧100kg/cm2、反対温度30℃で16時間撹拌し、水素化
を行い、溶媒を留去し、残留物を減圧蒸留し、無色透明
の(3S)−4−t−ブトキシ−3−ヒドロキシブタン酸
メチルエステル649mgを得た。収率65%。
チルエステルの製造 あらかじめ窒素置換した三方コック付100mlのナス型フ
ラスコに、Ru((S)−Tol−BINAP)(O2CCF3)26.1mg
(0.066ミリモル)をはかりとり、4−t−ブトキシ−
3−オン−ブタン酸メチルエステル1g(7ミリモル)と
メタノール50mlを加えて溶液とした。あらかじめ窒素置
換した100mlのオートクレーブに上記の溶液を加え、水
素圧100kg/cm2、反対温度30℃で16時間撹拌し、水素化
を行い、溶媒を留去し、残留物を減圧蒸留し、無色透明
の(3S)−4−t−ブトキシ−3−ヒドロキシブタン酸
メチルエステル649mgを得た。収率65%。
得られた(3R)−4−t−ブトキシ−3−ヒドロキシブ
タン酸メチルエステルを実施例1と同様にして、(R)
−(+)−α−メトキシ−α−トリフルオロメチルフェ
ニルアセチルクロライドと反応させ、エステル体とした
後、高速液体クロマトグラフィーで分析を行った結果、
(3R)−4−t−ブトキシ−3−ヒドロキシブタン酸メ
チルエステルの光学純度は96.4%eeであった。
タン酸メチルエステルを実施例1と同様にして、(R)
−(+)−α−メトキシ−α−トリフルオロメチルフェ
ニルアセチルクロライドと反応させ、エステル体とした
後、高速液体クロマトグラフィーで分析を行った結果、
(3R)−4−t−ブトキシ−3−ヒドロキシブタン酸メ
チルエステルの光学純度は96.4%eeであった。
実施例3 (3S)−4−t−ブトキシ−3−ヒドロキシブタン酸メ
チルエステルの製造 あらかじめ窒素置換した三方コック付100mlのナス型フ
ラスコに、Ru((R)−BINAP)(O2CCH3)290mg(0.10
6ミリモル)をはかりとり、4−t−ブトキシ−3−オ
ン−ブタン酸メチルエステル20g(106ミリモル)とエタ
ノール60mlを加え溶液とした。あらかじめ窒素置換した
100mlのオートクレーブに上記の溶液を加え、水素圧100
kg/cm2、反対温度30℃で18時間撹拌し、水素化を行い、
溶媒を留去し、残留物を減圧蒸留し、無色透明の(3S)
−4−t−ブトキシ−3−ヒドロキシブタン酸メチルエ
ステル20gを得た。収率95%。
チルエステルの製造 あらかじめ窒素置換した三方コック付100mlのナス型フ
ラスコに、Ru((R)−BINAP)(O2CCH3)290mg(0.10
6ミリモル)をはかりとり、4−t−ブトキシ−3−オ
ン−ブタン酸メチルエステル20g(106ミリモル)とエタ
ノール60mlを加え溶液とした。あらかじめ窒素置換した
100mlのオートクレーブに上記の溶液を加え、水素圧100
kg/cm2、反対温度30℃で18時間撹拌し、水素化を行い、
溶媒を留去し、残留物を減圧蒸留し、無色透明の(3S)
−4−t−ブトキシ−3−ヒドロキシブタン酸メチルエ
ステル20gを得た。収率95%。
得られた(3S)−4−t−ブトキシ−3−ヒドロキシブ
タン酸メチルエステルを実施例1と同様にして、(R)
−(+)−α−メトキシ−α−トリフルオロメチルフェ
ニルアセチルクロライドと反応させ、エステル体とした
後、高速液体クロマトグラフィーで分析を行った結果、
(3S)−4−t−ブトキシ−3−ヒドロキシブタン酸メ
チルエステルの光学純度は90%eeであった。
タン酸メチルエステルを実施例1と同様にして、(R)
−(+)−α−メトキシ−α−トリフルオロメチルフェ
ニルアセチルクロライドと反応させ、エステル体とした
後、高速液体クロマトグラフィーで分析を行った結果、
(3S)−4−t−ブトキシ−3−ヒドロキシブタン酸メ
チルエステルの光学純度は90%eeであった。
実施例4 (5S)−6−t−ブトキシ−5−ヒドロキシ−3−オキ
ソヘキサン酸t−ブチルエステルの製造 三頚フラスコに滴下ロート、温度計を付け、テトラヒド
ロフラン80mlを加え、氷水中で冷却して0℃とし、これ
にリチウムジイソプロピルアミド60ml(60ミリモル)を
加え、さらに滴下ロートから酢酸t−ブチルエステル6.
7ml(50ミリモル)をテトラヒドロフラン15mlに溶かし
た溶液を、30分間で加えた。
ソヘキサン酸t−ブチルエステルの製造 三頚フラスコに滴下ロート、温度計を付け、テトラヒド
ロフラン80mlを加え、氷水中で冷却して0℃とし、これ
にリチウムジイソプロピルアミド60ml(60ミリモル)を
加え、さらに滴下ロートから酢酸t−ブチルエステル6.
7ml(50ミリモル)をテトラヒドロフラン15mlに溶かし
た溶液を、30分間で加えた。
滴下終了後、15分間撹拌して酢酸t−ブチルエステルの
リチウムエノラートを合成した。反応液をドライアイス
−アセトン中で冷却して−50℃にし、実施例1で得た
(3S)−4−t−ブトキシ−3−ヒドロキシブタン酸メ
チルエステル3.3g(16.5ミリモル)をテトラヒドロフラ
ン15mlに溶かしたものを、滴下ロートから20分間で加え
た。さらに1時間30分間撹拌した。反応の終了をガスク
ロマトグラフィーで確認した後、飽和塩化アンモニウム
水30mlとエーテル100mlを加えて抽出した。有機層を無
水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去した。残査を
シリカゲルカラムクロマトグラフィー(エーテル:ヘキ
サン=1:1)で精製し、(5S)−6−t−ブトキシ−5
−ヒドロキシ−3−オキソヘキサン酸t−ブチルエステ
ル2.3gを得た。収率46%。このものの機器分析値は次の
とおりである。1 H NMR δppm; 1.10(s,9H)、1.45(s,9H)、 2.65(d,J=6Hz,2H)、 3.35(d,J=6Hz,2H)、 3.40(s,3H)、4.15(m,1H)、 実施例5 (3R,5S)−6−t−ブトキシ−3,5−ジヒドロキシヘキ
サン酸t−ブチルエステルの製造 あらかじめ窒素置換した三方コック付100mlのナス型フ
ラスコに、Ru2Cl4((R)−BINAP)2(NEt3)15mg
(0.009ミリモル)をはかりとり、実施例4で合成した
(5S)−6−t−ブトキシ−5−ヒドロキシ−3−オキ
ソヘキサン酸t−ブチルエステル500mg(1.75ミリモ
ル)とメタノール60mlを加えて溶液とした。あらかじめ
窒素置換した100mlのオートクレープに上記の溶液を加
え、水素圧50kg/cm2、反対温度30℃で16時間撹拌し、水
素化を行った。溶媒を留去し、残留物をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー(エーテル:ヘキサン=5:1)で
精製し、(3R,5S)−6−t−ブトキシ−3,5−ジヒドロ
キシヘキサン酸t−ブチルエステル340mgを得た。収率6
8%。このものの機器分析値は次のとおりである。1 H NMR δppm; 1.18(s,9H)、1.42(s,9H)、 1.65(d,J=6Hz,2H)、 2.35(d,J=7Hz,2H)、 3.25(d,J=5Hz,2H)、 4.05(m,2H)、 得られた(3R,5S)−6−t−ブトキシ−3,5−ジヒドロ
キシヘキサン酸t−ブチルエステルをアセトンジメチル
アセタールと反応させ、アセタールを合成し、ガスクロ
マトグラフィーで分析を行った結果、(3R,5S)−6−
t−ブトキシ−3,5−ジヒドロキシヘキサン酸t−ブチ
ルエステル91%、(3S,5S)−6−t−ブトキシ−3,5−
ジヒドロキシヘキサン酸t−ブチルエステル9%の比率
であった。したがって、(3R,5S)−6−t−ブトキシ
−3,5−ジヒドロキシヘキサン酸t−ブチルエステルの
ジアステレオ選択性は82%deであった。
リチウムエノラートを合成した。反応液をドライアイス
−アセトン中で冷却して−50℃にし、実施例1で得た
(3S)−4−t−ブトキシ−3−ヒドロキシブタン酸メ
チルエステル3.3g(16.5ミリモル)をテトラヒドロフラ
ン15mlに溶かしたものを、滴下ロートから20分間で加え
た。さらに1時間30分間撹拌した。反応の終了をガスク
ロマトグラフィーで確認した後、飽和塩化アンモニウム
水30mlとエーテル100mlを加えて抽出した。有機層を無
水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去した。残査を
シリカゲルカラムクロマトグラフィー(エーテル:ヘキ
サン=1:1)で精製し、(5S)−6−t−ブトキシ−5
−ヒドロキシ−3−オキソヘキサン酸t−ブチルエステ
ル2.3gを得た。収率46%。このものの機器分析値は次の
とおりである。1 H NMR δppm; 1.10(s,9H)、1.45(s,9H)、 2.65(d,J=6Hz,2H)、 3.35(d,J=6Hz,2H)、 3.40(s,3H)、4.15(m,1H)、 実施例5 (3R,5S)−6−t−ブトキシ−3,5−ジヒドロキシヘキ
サン酸t−ブチルエステルの製造 あらかじめ窒素置換した三方コック付100mlのナス型フ
ラスコに、Ru2Cl4((R)−BINAP)2(NEt3)15mg
(0.009ミリモル)をはかりとり、実施例4で合成した
(5S)−6−t−ブトキシ−5−ヒドロキシ−3−オキ
ソヘキサン酸t−ブチルエステル500mg(1.75ミリモ
ル)とメタノール60mlを加えて溶液とした。あらかじめ
窒素置換した100mlのオートクレープに上記の溶液を加
え、水素圧50kg/cm2、反対温度30℃で16時間撹拌し、水
素化を行った。溶媒を留去し、残留物をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー(エーテル:ヘキサン=5:1)で
精製し、(3R,5S)−6−t−ブトキシ−3,5−ジヒドロ
キシヘキサン酸t−ブチルエステル340mgを得た。収率6
8%。このものの機器分析値は次のとおりである。1 H NMR δppm; 1.18(s,9H)、1.42(s,9H)、 1.65(d,J=6Hz,2H)、 2.35(d,J=7Hz,2H)、 3.25(d,J=5Hz,2H)、 4.05(m,2H)、 得られた(3R,5S)−6−t−ブトキシ−3,5−ジヒドロ
キシヘキサン酸t−ブチルエステルをアセトンジメチル
アセタールと反応させ、アセタールを合成し、ガスクロ
マトグラフィーで分析を行った結果、(3R,5S)−6−
t−ブトキシ−3,5−ジヒドロキシヘキサン酸t−ブチ
ルエステル91%、(3S,5S)−6−t−ブトキシ−3,5−
ジヒドロキシヘキサン酸t−ブチルエステル9%の比率
であった。したがって、(3R,5S)−6−t−ブトキシ
−3,5−ジヒドロキシヘキサン酸t−ブチルエステルの
ジアステレオ選択性は82%deであった。
実施例6 (3S,5S)−6−t−ブトキシ−3,5−ジヒドロキシヘキ
サン酸t−ブチルエステルの製造 実施例5と同様にしてRu2Cl4((S)−Tol−BINAP)2
(NEt3)15.8mg(0.009ミリモル)を計りとり、実施例
4で合成した(5S)−6−t−ブトキシ−5−ヒドロキ
シ−3−オキソヘキサン酸t−ブチルエステル500mg
(1.75ミリモル)とメタノール50mlを加え溶液とした。
あらかじめ窒素置換した100mlのオートクレーブに上記
の溶液を加え、水素圧50kg/cm2、反応温度30℃で21時間
撹拌し、水素化を行った。溶媒を留去し、残留物をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィー(エーテル:ヘキサン
=5:1)で精製し、(3S,5S)−6−t−ブトキシ−3,5
−ジヒドロキシヘキサン酸t−ブチルエステル345mgを
得た。収率70%。実施例5と同様の方法でジアステレオ
選択性を測定したところ、(3S,5S)−6−t−ブトキ
シ−3,5−ジヒドロキシヘキサン酸t−ブチルエステル
のジアステレオ選択性は71%deであった。
サン酸t−ブチルエステルの製造 実施例5と同様にしてRu2Cl4((S)−Tol−BINAP)2
(NEt3)15.8mg(0.009ミリモル)を計りとり、実施例
4で合成した(5S)−6−t−ブトキシ−5−ヒドロキ
シ−3−オキソヘキサン酸t−ブチルエステル500mg
(1.75ミリモル)とメタノール50mlを加え溶液とした。
あらかじめ窒素置換した100mlのオートクレーブに上記
の溶液を加え、水素圧50kg/cm2、反応温度30℃で21時間
撹拌し、水素化を行った。溶媒を留去し、残留物をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィー(エーテル:ヘキサン
=5:1)で精製し、(3S,5S)−6−t−ブトキシ−3,5
−ジヒドロキシヘキサン酸t−ブチルエステル345mgを
得た。収率70%。実施例5と同様の方法でジアステレオ
選択性を測定したところ、(3S,5S)−6−t−ブトキ
シ−3,5−ジヒドロキシヘキサン酸t−ブチルエステル
のジアステレオ選択性は71%deであった。
実施例7 (3R,5S)−6−t−ブトキシ−3,5−ジヒドロキシヘキ
サン酸メチルエステルの製造 実施例4において、酢酸t−ブチルエステルに替えてメ
チルエステルを用いて同様な操作により合成した(5S)
−6−t−ブトキシ−5−ヒドロキシ−3−オキソヘキ
サン酸メチルエステルを用いた。すなわち、実施例5と
同様にしてRu2Cl4((R)−BINAP)2(NEt3)16.9mg
(0.01ミリモル)を計りとり、(5S)−6−t−ブトキ
シ−5−ヒドロキシ−3−オキソヘキサン酸メチルエス
テル500mg(2.15ミリモル)とメタノール50mgを加え溶
液とした。あらかじめ窒素置換した100mgのオートクレ
ーブに上記の溶液を加え、水素圧50kg/cm2、反応温度30
℃で21時間撹拌し、水素化を行った。溶媒を留去し、残
留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(エーテ
ル:ヘキサン=5:1)精製し、(3R,5S)−6−t−ブト
キシ−3,5−ジヒドロキシヘキサン酸メチルエステル323
mgを得た。収率65%。このものの機器分析値は次のとお
りである。1 H NMR δppm; 1.20(s,9H)、 2.40(d,J=7Hz,2H)、 3.25(d,J=5Hz,2H)、 3.70(s,3H)、 4.10(m,2H) 実施例5と同様の方法でジアステレオ選択性を測定した
ところ、(3R,5S)−6−t−ブトキシ−3,5−ジヒドロ
キシヘキサン酸メチルエステルジアステレオ選択性は65
%deであった。
サン酸メチルエステルの製造 実施例4において、酢酸t−ブチルエステルに替えてメ
チルエステルを用いて同様な操作により合成した(5S)
−6−t−ブトキシ−5−ヒドロキシ−3−オキソヘキ
サン酸メチルエステルを用いた。すなわち、実施例5と
同様にしてRu2Cl4((R)−BINAP)2(NEt3)16.9mg
(0.01ミリモル)を計りとり、(5S)−6−t−ブトキ
シ−5−ヒドロキシ−3−オキソヘキサン酸メチルエス
テル500mg(2.15ミリモル)とメタノール50mgを加え溶
液とした。あらかじめ窒素置換した100mgのオートクレ
ーブに上記の溶液を加え、水素圧50kg/cm2、反応温度30
℃で21時間撹拌し、水素化を行った。溶媒を留去し、残
留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(エーテ
ル:ヘキサン=5:1)精製し、(3R,5S)−6−t−ブト
キシ−3,5−ジヒドロキシヘキサン酸メチルエステル323
mgを得た。収率65%。このものの機器分析値は次のとお
りである。1 H NMR δppm; 1.20(s,9H)、 2.40(d,J=7Hz,2H)、 3.25(d,J=5Hz,2H)、 3.70(s,3H)、 4.10(m,2H) 実施例5と同様の方法でジアステレオ選択性を測定した
ところ、(3R,5S)−6−t−ブトキシ−3,5−ジヒドロ
キシヘキサン酸メチルエステルジアステレオ選択性は65
%deであった。
実施例8 (3R,5S)−6−t−ブトキシ−3,5−ジヒドロキシヘキ
サン酸t−ブチルエステルの製造 実施例5と同様にしてRu2Cl4((R)−BINAP)2(NEt
3)15mg(0.009ミリモル)を計りとり、実施例4で合成
した(5S)−6−t−ブトキシ−5−ヒドロキシ−3−
オキソヘキサン酸t−ブチルエステル500mg(1.75ミリ
モル)とエタノール50mlを加え溶液とした。あらかじめ
窒素置換した100mlのオートクレーブに上記の溶液を加
え、水素圧50kg/cm2、反応温度30℃で16時間撹拌し、水
素化を行った。溶媒を留去し、残留物をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー(エーテル:ヘキサン=5:1)で
精製し、(3R,5S)−6−t−ブトキシ−3,5−ジヒドロ
キシヘキサン酸t−ブチルエステル300mgを得た。収率6
0%。
サン酸t−ブチルエステルの製造 実施例5と同様にしてRu2Cl4((R)−BINAP)2(NEt
3)15mg(0.009ミリモル)を計りとり、実施例4で合成
した(5S)−6−t−ブトキシ−5−ヒドロキシ−3−
オキソヘキサン酸t−ブチルエステル500mg(1.75ミリ
モル)とエタノール50mlを加え溶液とした。あらかじめ
窒素置換した100mlのオートクレーブに上記の溶液を加
え、水素圧50kg/cm2、反応温度30℃で16時間撹拌し、水
素化を行った。溶媒を留去し、残留物をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー(エーテル:ヘキサン=5:1)で
精製し、(3R,5S)−6−t−ブトキシ−3,5−ジヒドロ
キシヘキサン酸t−ブチルエステル300mgを得た。収率6
0%。
実施例5と同様の方法でジアステレオ選択性を測定した
ところ、(3R,5S)−6−t−ブトキシ−3,5−ジヒドロ
キシヘキサン酸t−ブチルエステルのジアステレオ選択
性は60%deであった。
ところ、(3R,5S)−6−t−ブトキシ−3,5−ジヒドロ
キシヘキサン酸t−ブチルエステルのジアステレオ選択
性は60%deであった。
[発明の効果] 本発明は、コレステロール合成酵素阻害剤として有用な
コンパクチン、メビノリン等及びその類縁体のラクトン
部の前駆体となる光学活性は6−t−ブトキシ−3,5−
ジヒドロキシヘキサン酸エステルを、有利に取得する方
法である。すなわち、光学活性ルテニウム錯体を触媒と
して不斉水素化反応、炭素鎖伸長反応、これに続いて光
学活性ルテニウム錯体を触媒とするジアステレオ選択的
水素化からなる合成プロセスを採用し、従来方法に見ら
れない高エナンチオ選択性及び高ジアステレオ選択的水
素化を可能にした、工業的に優れた方法である。
コンパクチン、メビノリン等及びその類縁体のラクトン
部の前駆体となる光学活性は6−t−ブトキシ−3,5−
ジヒドロキシヘキサン酸エステルを、有利に取得する方
法である。すなわち、光学活性ルテニウム錯体を触媒と
して不斉水素化反応、炭素鎖伸長反応、これに続いて光
学活性ルテニウム錯体を触媒とするジアステレオ選択的
水素化からなる合成プロセスを採用し、従来方法に見ら
れない高エナンチオ選択性及び高ジアステレオ選択的水
素化を可能にした、工業的に優れた方法である。
Claims (1)
- 【請求項1】一般式(I) (ただし、式中の R1は低級アルキル基、 t−Buはt−ブチル基を示す) で表わされる4−t−ブトキシアセト酢酸エステルを、
次の一般式(II) Ru(R2−BINAP)(O2CR3)2 (II) (ただし、式中の R2−BINAPは式(III) で表される三級ホスフィンを示し、 R2は水素原子またはメチル基を示し、 R3は低級アルキル基またはトリフロロメチル基を示す) で表わされるルテニウム−光学活性ホスフィン錯体を触
媒として不斉水素化を行い、一般式(IV) (ただし、式中のR1およびt−Buは上記と同じ意義を有
する) で表わされる光学活性4−t−ブトキシ−3−ヒドロキ
シブタン酸エステルを得、これと酢酸エステルのリチウ
ムエノラートを反応させて、一般式(V) (ただし、式中の R4は低級アルキル基を示し、 t−Buは上記と同じ意義を有する) で表される光学活性6−t−ブトキシ−5−ヒドロキシ
−3−オキソヘキサン酸エステルとし、次に一般式(V
I) Ru2Cl4(R2−BINAP)2(NEt3) (VI) (ただし、式中の R2−BINAPは上記と同じ意義を有し、 Etはエチル基を示す) で表わされるルテニウム−光学活性ホスフィン錯体を触
媒として不斉水素化を行うことを特徴とする一般式(VI
I) (ただし、式中のR4およびt−Buは上記と同じ意義を有
する) で表わされる光学活性6−t−ブトキシ−3,5−ジヒド
ロキシヘキサン酸エステルの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2039762A JPH0791223B2 (ja) | 1989-02-27 | 1990-02-22 | 光学活性6―t―ブトキシ―3,5―ジヒドロキシヘキサン酸エステルの製造法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4319689 | 1989-02-27 | ||
| JP1-43196 | 1989-02-27 | ||
| JP2039762A JPH0791223B2 (ja) | 1989-02-27 | 1990-02-22 | 光学活性6―t―ブトキシ―3,5―ジヒドロキシヘキサン酸エステルの製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02289537A JPH02289537A (ja) | 1990-11-29 |
| JPH0791223B2 true JPH0791223B2 (ja) | 1995-10-04 |
Family
ID=26379144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2039762A Expired - Fee Related JPH0791223B2 (ja) | 1989-02-27 | 1990-02-22 | 光学活性6―t―ブトキシ―3,5―ジヒドロキシヘキサン酸エステルの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0791223B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1008590B1 (en) | 1998-12-07 | 2006-10-11 | Takasago International Corporation | Process for preparing optically active oxazolidinone derivatives |
| EP1404642B1 (en) * | 2001-07-06 | 2010-02-17 | Basf Se | Process for the preparatiom of 7-amino syn 3,5-dihydroxy heptanoic acid derivatives, intermediates thereof and methods for their preparation |
| CN115286504B (zh) * | 2022-08-18 | 2024-01-26 | 上海博氏医药科技有限公司 | 一种合成(r)-2-(2-(叔丁氧基)-2-氧乙基)戊酸的方法 |
-
1990
- 1990-02-22 JP JP2039762A patent/JPH0791223B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02289537A (ja) | 1990-11-29 |
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|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
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