JPH0793286B2 - Spray processing device - Google Patents
Spray processing deviceInfo
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- JPH0793286B2 JPH0793286B2 JP1158581A JP15858189A JPH0793286B2 JP H0793286 B2 JPH0793286 B2 JP H0793286B2 JP 1158581 A JP1158581 A JP 1158581A JP 15858189 A JP15858189 A JP 15858189A JP H0793286 B2 JPH0793286 B2 JP H0793286B2
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- JP
- Japan
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- atomizer
- spray
- semiconductor wafer
- liquid
- wafer
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置製造工程に使用される半導体基板
(半導体ウェハー:以下、ウェハーと称す)の薬液処理
に関し、特に剥離・洗浄に用いられる半導体基板処理装
置に関するものである。TECHNICAL FIELD The present invention relates to chemical treatment of a semiconductor substrate (semiconductor wafer: hereinafter referred to as a wafer) used in a semiconductor device manufacturing process, and is particularly used for peeling and cleaning. The present invention relates to a semiconductor substrate processing apparatus.
従来、この種の噴霧式処理装置は、処理物を回転させな
がら、噴霧状態にした処理液を吹きかけて処理するもの
であった。Conventionally, this type of spraying type processing apparatus has been a method of spraying a processing liquid in a sprayed state while rotating a processed material for processing.
以下に、図面に添って従来技術の説明を行う。Hereinafter, a conventional technique will be described with reference to the drawings.
第8図は、従来の処理装置の側面図である。密閉型のボ
ウル16の内に設けたローター17に、複数のウェハーを収
納したカセット18をセットし、ローター17を回転させな
がらボウル16内に設けられたスプレーポスト19から濾過
された薬液を噴霧状態にし、吹き付けるものであった。
例えば特公昭61−42352号公報は、従来技術のボウルの
特許であり、特公昭61−21756号公報は、スプレポスト
の特許である。FIG. 8 is a side view of a conventional processing apparatus. A cassette 18 containing a plurality of wafers is set in a rotor 17 provided in a hermetically sealed bowl 16, and a chemical solution filtered from a spray post 19 provided in the bowl 16 is sprayed while rotating the rotor 17. It was something to spray.
For example, Japanese Patent Publication No. 61-42352 is a prior art bowl patent, and Japanese Patent Publication No. 61-21756 is a spray post patent.
上述した従来の噴霧式処理装置は、ウェハーを収納した
キャリアを回転させながら処理するため、キャリアを回
転させる機構部が必要となる。Since the above-mentioned conventional spraying type processing apparatus processes while rotating the carrier containing the wafer, a mechanism for rotating the carrier is required.
従って、回転部からの発塵が避けられない、ウェハーの
破損率が高い回転機構部の故障による稼働率低下及びメ
ンテナンスの必要性がある等の欠点がある。Therefore, there are drawbacks such that dust generation from the rotating part cannot be avoided, the operating rate is lowered due to a failure of the rotating mechanism part having a high wafer damage rate, and maintenance is required.
本発明は、前記問題点を解消し、IC製造上の歩留り向上
生産性向上をもたらすものである。すなわち本発明の目
的は、ウェハーを回転することなく処理できそれにより
ウェハーの破損および発塵をなくしIC製造歩留を向上
し、回転をなくすことによる装置の故障による稼働率低
下を低減でき、メンテナンス費用及び工数削減によるコ
スト低下を実現できる噴霧式処理装置を提供することに
ある。The present invention solves the above-mentioned problems and improves yield in IC manufacturing and productivity. That is, the object of the present invention is to process the wafer without rotating it, thereby improving the IC manufacturing yield by eliminating the damage and dust generation of the wafer, and reducing the decrease in operating rate due to the failure of the device due to the elimination of rotation, and maintenance. An object of the present invention is to provide a spray-type processing apparatus that can realize cost reduction due to cost reduction and man-hour reduction.
本発明の噴霧式処理装置は、密閉式のチャンバーと、チ
ャンバー内に複数の並列したウェハーを保持し、かつあ
るウェハーの上端とそれに隣接するウェハーの下端が垂
直方向で重ならない角度まで全ウェハーを一方向に傾け
るガイドと、薬液を噴霧するアトマイザーの噴霧口の中
心線が整列した複数枚のウェハーの上端から円周方向に
同一距離離れた点を結んだ線と直交し、かつ、整列した
複数枚のウェハー面の中心点を結んだ線と直交する位置
に配置したアトマイザーと、噴霧状態を乱さないように
チャンバー内の排気・排液を行なう排気孔と、アトマイ
ザーに薬液を供給する手段を有する。The spray-type processing apparatus of the present invention holds a sealed chamber and a plurality of parallel wafers in the chamber, and treats all the wafers to an angle such that the upper end of a certain wafer and the lower end of the adjacent wafer do not overlap in the vertical direction. The guide line that tilts in one direction and the center line of the atomizing port of the atomizer that sprays the chemical liquid are aligned, and are orthogonal to the line that connects the points that are equidistant in the circumferential direction from the upper edge of the plurality of wafers and that are aligned. It has an atomizer arranged at a position orthogonal to the line connecting the center points of the wafer surfaces, an exhaust hole for exhausting and draining the inside of the chamber so as not to disturb the spray state, and a means for supplying a chemical solution to the atomizer. .
さらに本発明の噴霧式処理装置は、処理液を噴霧状に
し、かつ処理物にむらなく照射できるように配置したア
トマイザーと、処理液を貯液し、かつ液温を制御する機
能を有する貯液槽と、該貯液槽内の処理液を前記アトマ
イザーに濾過供給する機能と、前記アトマイザーにより
作られた噴霧状態をみださないような密閉型で、かつ排
出口を有する処理槽と、その排出口に接続され薬液と空
気を分離し、それぞれ排出するミストセパレータと、処
理槽内に配置し処理物を固定するガイドとを有し、処理
物を複数枚同時に処理し、かつ処理中に処理物が動かな
いことを特徴として構成される。Further, the spray-type processing apparatus of the present invention is an atomizer arranged so that the processing liquid is atomized and can be uniformly irradiated to the processed material, and a storage liquid having a function of storing the processing liquid and controlling the liquid temperature. A tank, a function of filtering and supplying the processing liquid in the liquid storage tank to the atomizer, a processing tank which is a closed type and does not find a spray state created by the atomizer, and has an outlet, It has a mist separator that is connected to the discharge port and separates the chemical liquid and air and discharges each, and a guide that is placed in the processing tank to fix the processed products, and processes multiple processed products at the same time and processes during processing. It is composed of things that do not move.
次に、本発明について図面を参照して説明する。 Next, the present invention will be described with reference to the drawings.
第1図は、本発明の第1の実施例の構成図である。薬液
供給バルブ1は、調合槽2に薬液を供給するものであ
り、フィルター3は調合槽2に供給される薬液の塵埃を
除去するものであり、温調器4は、調合槽2の薬液温度
を任意の設定値に保つためのものである。FIG. 1 is a block diagram of the first embodiment of the present invention. The chemical liquid supply valve 1 supplies the chemical liquid to the mixing tank 2, the filter 3 removes dust of the chemical liquid supplied to the mixing tank 2, and the temperature controller 4 controls the temperature of the chemical liquid in the mixing tank 2. Is to keep the value set to an arbitrary value.
供給ポンプ5は、調合槽2の薬液をアトマイザー6に供
給し、かつ、噴霧するに必要な吐出圧及び吐出流量を出
しうるものであり、ファイナルフィルター7は、アトマ
イザー6に供給される薬液を完全に濾過された状態にす
るものであり、アトマイザー6は、カセット8内に収納
したウェハー9に薬液を均一に噴霧照射するためのもの
である。The supply pump 5 is capable of supplying the chemical liquid in the blending tank 2 to the atomizer 6 and outputting the discharge pressure and the discharge flow rate necessary for spraying, and the final filter 7 completes the chemical liquid supplied to the atomizer 6. The atomizer 6 is for uniformly spraying and irradiating the wafer 9 housed in the cassette 8 with the chemical solution.
チャンバー10は噴霧化された薬液が外部にリークしない
ように蓋11とリードシール12で密閉されており、チャン
バ10内の雰囲気を排出するための排出口13を有してい
る。The chamber 10 is sealed with a lid 11 and a lead seal 12 so that the atomized chemical liquid does not leak to the outside, and has a discharge port 13 for discharging the atmosphere in the chamber 10.
カセットガイド14は、チャンバー10内にカセット8を入
れたときの位置決め及び固定するためのものであり、カ
セット8をウェハー9の面に対して垂直方向に傾斜する
ように傾けてある。The cassette guide 14 is used for positioning and fixing the cassette 8 when the cassette 8 is placed in the chamber 10, and the cassette 8 is inclined so as to be inclined in a direction perpendicular to the surface of the wafer 9.
次に第2図及び第3図はウェハー9とアトマイザー6の
位置関係のみを表わした図であり、それぞれウェハー9
の面を正面からみた図と側面からみた部分図である。Next, FIGS. 2 and 3 are views showing only the positional relationship between the wafer 9 and the atomizer 6, respectively.
2 is a view of the surface of FIG. 2 from the front and a partial view of the surface from the side.
これらの図には、アトマイザー6とウェハー9の位置関
係を明確にするためカセット8を除いた形で表わしてあ
る。アトマイザー6は、ウェハー9の直径方向に対し
て、ウェハー9の直径以上でかつカセット8の幅以上の
範囲をカバーできる。スプレーパターンのものを使い、
ウェハー9の厚さ方向では、1枚分以上の範囲をカバー
できるものとする。第3図では、3枚のウェハー9a,9b,
9cをカバーする場合を例として揚げた。ここでウェハー
9aの上端とウェハー9bの下端,ウェハー9bの上端とウェ
ハー9cの下端が鉛直方向で重ならないようにウェハー9
a,9b,9cの全てを同一方向に、同一角度傾けるために、
カセットガイド14を傾斜させてある。この傾斜角を第3
図上でθと表わし、例えばウェハーが4インチで、ウェ
ハー・ピッチが3/16インチの場合、 であり、θは約2.69゜となる。In these figures, the cassette 8 is omitted in order to clarify the positional relationship between the atomizer 6 and the wafer 9. The atomizer 6 can cover a range of the diameter of the wafer 9 or more and the width of the cassette 8 or more in the diameter direction of the wafer 9. Use a spray pattern,
In the thickness direction of the wafer 9, a range of one or more wafers can be covered. In FIG. 3, three wafers 9a, 9b,
The case of covering 9c was fried as an example. Wafer here
Make sure that the upper edge of 9a and the lower edge of wafer 9b, and the upper edge of wafer 9b and the lower edge of wafer 9c do not overlap in the vertical direction.
In order to tilt all of a, 9b, 9c in the same direction and at the same angle,
The cassette guide 14 is tilted. This tilt angle is the third
Denote by θ in the figure, for example, when the wafer is 4 inches and the wafer pitch is 3/16 inches, And θ becomes about 2.69 °.
第4図は、第1図に於いて、液を噴霧した状態の図であ
り、その際カセット8とカセットガイド14は、噴霧状態
とウェハーの関係を明確にするため省いた。FIG. 4 is a view showing a state in which the liquid is sprayed in FIG. 1, in which the cassette 8 and the cassette guide 14 are omitted to clarify the relationship between the sprayed state and the wafer.
次に動作について説明する。薬液バルブ1を開けること
により、複数の濾過された薬液が調合槽2に供給され
る。調合槽2で温調された薬液は供給ポンプ5によりフ
ァイナルフィルター7を通り、アトマイザー6により、
アトマイズされる。そのアトマイズ状の薬液がウェハー
9の処理したい面に効率良く触れることにより処理がな
される。Next, the operation will be described. By opening the chemical liquid valve 1, a plurality of filtered chemical liquids are supplied to the mixing tank 2. The chemical solution whose temperature has been adjusted in the mixing tank 2 passes through the final filter 7 by the supply pump 5 and the atomizer 6
Be atomized. The atomized chemical solution efficiently contacts the surface of the wafer 9 to be processed, thereby performing the processing.
第5図は、本発明の第2の実施例の処理部の断面図であ
る。FIG. 5 is a sectional view of the processing portion of the second embodiment of the present invention.
ウェハーホルダー15は、任意のウェハー9の上端とそれ
に隣接するウェハーの下端が鉛直方向で重ならないだけ
の角度を有した溝を有しており、ウェハー9がそれ以上
傾斜しないようにかつ、下方向に落下しないように保持
するものである。この実施例では、カセットを使用しな
いため、実施例1では考えられた、カセットによるウェ
ハーの死角がなく、死角となる面積を最小限にとどめる
ことかできるという利点がある。The wafer holder 15 has a groove having an angle such that the upper end of an arbitrary wafer 9 and the lower end of the adjacent wafer do not overlap each other in the vertical direction, and the wafer 9 is prevented from inclining any more and the downward direction. It is intended to be held so that it does not fall into the. In this embodiment, since the cassette is not used, there is no blind spot of the wafer due to the cassette, which is considered in the first embodiment, and there is an advantage that the area of the blind spot can be minimized.
第6図は第3の実施例を示す構成図である。FIG. 6 is a block diagram showing the third embodiment.
第6図において、薬液供給バルブ31は、恒温貯液槽32に
薬液を供給するものであり、フィルター3は、恒温貯液
槽32に供給する薬液の塵埃量を低減するものであり、温
調器34は、恒温貯液槽32内の薬液の温度を設定値に保つ
ためのものである。供給ポンプ35は、恒温貯液槽32の薬
液を超音波アトマイザー36に供給するためのものであ
り、ファイナルフィルター37は、超音波アトマイザー36
に供給される薬液を100%濾過された状態にするもので
あり、ファイナルフィルター37は、超音波アトマイザー
36は、ウェハー38に無駄なく、均一に薬液を噴霧状に照
射するためのものである。処理槽39は、ウェハー38を噴
霧処理するための密閉型構造であり、槽内の雰囲気を排
出するための排出口40を有している。ミストセパレータ
41は、排出口40から排出された雰囲気を薬液と空気に分
離するためのものであり、排気口42と排気口43を有して
いる。ガイド44は、ウェハー38を固定するものである。6, the chemical liquid supply valve 31 supplies the chemical liquid to the constant temperature liquid storage tank 32, and the filter 3 reduces the amount of dust of the chemical liquid supplied to the constant temperature liquid storage tank 32. The container 34 is for keeping the temperature of the chemical liquid in the constant temperature liquid storage tank 32 at a set value. The supply pump 35 is for supplying the chemical solution in the constant temperature storage tank 32 to the ultrasonic atomizer 36, and the final filter 37 is the ultrasonic atomizer 36.
The chemical solution supplied to the device is made 100% filtered, and the final filter 37 is an ultrasonic atomizer.
The numeral 36 is for uniformly irradiating the wafer 38 with the chemical liquid in a spray state without waste. The processing tank 39 has a closed structure for spraying the wafer 38, and has a discharge port 40 for discharging the atmosphere in the tank. Mist separator
Reference numeral 41 is for separating the atmosphere discharged from the discharge port 40 into a chemical liquid and air, and has an exhaust port 42 and an exhaust port 43. The guide 44 fixes the wafer 38.
次に、基本的動作について説明する。フィルター33及び
ファイナルフィルターにより濾過され温調器34により温
調された薬液を超音波アトマイザー36により無駄なく均
一に噴霧状にして、ウェハー38の処理に用いる。そし
て、処理後の噴霧状薬液は、ミストセパレータ41によ
り、薬液と空気に分離されそれぞれ排出されるものであ
る。Next, the basic operation will be described. The chemical liquid filtered by the filter 33 and the final filter and controlled by the temperature controller 34 is uniformly atomized by the ultrasonic atomizer 36 without waste and used for the treatment of the wafer 38. Then, the sprayed chemical liquid after the treatment is separated into a chemical liquid and air by the mist separator 41 and discharged.
第7図は本発明の第4の実施例を説明するための構造図
である。エアー供給バルブ45はアスピレータ46にエアー
を供給するものであり、アスピレータ46は、エアーの流
速により恒温貯液槽32の内の薬液を吸い上げノズル47に
供給するものである。ノズル47は、送られてきた気体・
薬液混合物の流速によりアトマイズするものである。FIG. 7 is a structural diagram for explaining a fourth embodiment of the present invention. The air supply valve 45 supplies air to the aspirator 46, and the aspirator 46 sucks up the chemical solution in the constant temperature liquid storage tank 32 to the nozzle 47 according to the flow velocity of air. Nozzle 47 is
It is atomized according to the flow rate of the chemical liquid mixture.
この実施例では、アトマイザーに摺動部がないためユー
スポイントでの発塵要素が皆無であるという利点があ
る。This embodiment has an advantage that there is no dust generating element at the point of use because the atomizer has no sliding portion.
以上説明したように本発明は、薬液を噴霧するアトマイ
ザーに対して、ウェハーの処理したい面の死角が完全に
無く、複数のウェハーが均一に処理でき、かつ、処理し
たくない面の影響をなくすことができる効果がある。さ
らに、ウェハー及びカセットを処理中に動かすことがな
いため、発塵及び故障の可能性がない。As described above, the present invention, with respect to the atomizer spraying the chemical liquid, there is no blind spot on the surface of the wafer to be processed, a plurality of wafers can be processed uniformly, and the effect of the surface that is not desired to be processed is eliminated. There is an effect that can be. Furthermore, since the wafer and cassette are not moved during processing, there is no possibility of dust generation and failure.
又、本発明は、処理液を超音波アトマイザー等の噴霧装
置により微細な噴霧状態にしてむらなく均一にウェハー
表面に照射することにより、ウェハーを静止したままで
処理できる。従って、ウェハーを回転させることによる
破損が解消できる上、発塵部が皆無になるため、IC製造
上の歩留りが向上する効果がある。Further, according to the present invention, the processing liquid is finely sprayed by a spraying device such as an ultrasonic atomizer and uniformly irradiated onto the wafer surface, so that the wafer can be processed in a stationary state. Therefore, the damage due to the rotation of the wafer can be eliminated, and since the dust-generating portion is eliminated, the yield in the IC manufacturing is improved.
このように本発明は、回転機構部がないため、故障によ
る稼働率低下の発生を低減し、メンテナンス費用及び工
数の削減の実現をもたらすという効果もある。As described above, since the present invention does not have a rotating mechanism, it also has an effect of reducing the occurrence of a reduction in the operating rate due to a failure, and achieving a reduction in maintenance costs and man-hours.
第1図は本発明の第1の実施例の構成図、第2図及び第
3図はアトマイザーとウェハーの位置関係を示した側面
図及び正面図の部分図であり、第4図は第1図に於いて
液を噴霧した状態を示す図である。第5図は本発明の第
2の実施例の処理部だけを示す断面図である。第6図は
本発明の第3の実施例を示す構成図である。第7図は本
発明の第4の実施例を示す構成図である。第8図は従来
の処理装置の一例を示す側面構成図である。 尚、図において、 1……薬液供給バルブ、2……調合槽、3……フィルタ
ー、4……温調器、5……供給ポンプ、6……アトマイ
ザー、7……ファイナルフィルター、8,18……カセッ
ト、9,9a,9b,9c……ウェハー、10……チャンバー、11…
…蓋、12……リッドシール、13……排出口、14……カセ
ットガイド、15……ウェハーホルダー、16……ボウル、
17……ローター、19……スプレーポスト、31……薬液供
給バルブ、32……恒温貯液槽、33……フィルター、34…
…温調器、35……ポンプ、36……超音波アトマイザー、
37……ファイナルフィルター、38……ウェハー、39……
処理槽、40……排出口、41……ミストセパレータ、42…
…排気口、43……排液口、44……ガイド、45……エアー
供給バルブ、46……アスプレータ、47……ノズルであ
る。FIG. 1 is a block diagram of a first embodiment of the present invention, FIGS. 2 and 3 are partial views of a side view and a front view showing a positional relationship between an atomizer and a wafer, and FIG. It is a figure which shows the state which sprayed the liquid in the figure. FIG. 5 is a sectional view showing only the processing section of the second embodiment of the present invention. FIG. 6 is a block diagram showing a third embodiment of the present invention. FIG. 7 is a block diagram showing the fourth embodiment of the present invention. FIG. 8 is a side view showing an example of a conventional processing apparatus. In the figure, 1 ... Chemical supply valve, 2 ... Mixing tank, 3 ... Filter, 4 ... Temperature controller, 5 ... Supply pump, 6 ... Atomizer, 7 ... Final filter, 8,18 ...... Cassette, 9,9a, 9b, 9c …… Wafer, 10 …… Chamber, 11…
… Lid, 12 …… Lid seal, 13 …… Ejection port, 14 …… Cassette guide, 15 …… Wafer holder, 16 …… Bowl,
17 …… rotor, 19 …… spray post, 31 …… chemical supply valve, 32 …… constant temperature storage tank, 33 …… filter, 34…
… Temperature controller, 35… Pump, 36… Ultrasonic atomizer,
37 …… Final filter, 38 …… Wafer, 39 ……
Treatment tank, 40 ... Ejection port, 41 ... Mist separator, 42 ...
… Exhaust port, 43 …… Drainage port, 44 …… Guide, 45 …… Air supply valve, 46 …… Asprayer, 47 …… Nozzle.
Claims (4)
複数の並列した半導体ウェハーを同時処理する噴霧式処
理装置において、ある半導体ウェハーの上端部と該半導
体ウェハーに隣接する半導体ウェハーの下端部が垂直方
向で重なり合わないように前記半導体ウェハーを一方向
に傾け、処理液を噴霧するアトマイザーの噴霧口の中心
線が整列した複数枚の半導体ウェハーの上端を結んだ線
と交わり、かつ鉛直方向となる位置に配置したことを特
徴とする噴霧式処理装置。1. A spray-type processing apparatus in which a semiconductor wafer is stationary during processing and a plurality of semiconductor wafers arranged in parallel are simultaneously processed, and an upper end portion of a semiconductor wafer and a lower end portion of a semiconductor wafer adjacent to the semiconductor wafer. Tilt the semiconductor wafer in one direction so that they do not overlap in the vertical direction, intersect with the line connecting the upper ends of the plurality of semiconductor wafers with the center line of the atomizing port of the atomizer that sprays the processing liquid aligned, and in the vertical direction. The spray-type processing device is arranged at a position that
複数の並列した半導体ウェハーを同時処理する噴霧式処
理装置において、ある半導体ウェハーの上端部と該半導
体ウェハーに隣接する半導体ウェハーの下端部が垂直方
向で重なり合わないように前記半導体ウェハーを一方向
に傾け、アトマイザーの噴霧口の中心線が、整列した複
数枚の半導体ウェハーの上端から円周上に同一方向で同
一距離離れた点を結んだ線と直交し、かつ、整列した複
数枚の半導体ウェハーの中心を結んだ線と交わるように
前記アトマイザーを配置したことを特徴とする噴霧式処
理装置。2. A spray-type processing apparatus in which a semiconductor wafer is stationary during processing and a plurality of semiconductor wafers are arranged in parallel at the same time, and the upper end of a semiconductor wafer and the lower end of a semiconductor wafer adjacent to the semiconductor wafer are processed. The semiconductor wafers are tilted in one direction so that they do not overlap in the vertical direction, and the center line of the atomizing port of the atomizer is located at the same distance in the same direction on the circumference from the upper ends of the aligned semiconductor wafers. A spray-type processing apparatus, characterized in that the atomizer is arranged so as to intersect a line connecting the centers of a plurality of aligned semiconductor wafers at right angles to the connecting line.
とする特許請求の範囲第(1)項又は第(2)項記載の
噴霧式処理装置。3. The spray-type processing apparatus according to claim 1, wherein the atomizer is plural.
く照射できるように配置したアトマイザーと、処理液を
貯液し、かつ液温を制御する機能を有する貯液槽と、該
貯液槽内の処理液を前記アトマイザーに濾過供給する機
能と、前記アトマイザーにより作られた噴霧状態をみだ
さないような密閉型で、かつ排出口を有する処理槽と、
該排出口に接続され薬液と空気を分離し、それぞれ排出
するミストセパレータと、処理槽内に配置し、処理物を
固定するガイドとを有し、処理物を複数枚同時処理し、
かつ処理中に処理物が動かないことを特徴とする噴霧式
処理装置。4. An atomizer in which the treatment liquid is atomized and arranged so that the treatment product can be uniformly irradiated, a storage tank having the function of storing the treatment liquid and controlling the liquid temperature, and the storage tank. A function of filtering and supplying a processing liquid in a liquid tank to the atomizer, a processing tank which is a sealed type and does not find a spray state made by the atomizer, and has a discharge port,
A mist separator that is connected to the discharge port to separate the chemical liquid and air and discharges each, and a mist separator that is disposed in the processing tank and has a guide that fixes the processed product, and simultaneously processes a plurality of processed products,
In addition, the spray-type processing apparatus is characterized in that the processed material does not move during processing.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1158581A JPH0793286B2 (en) | 1989-06-20 | 1989-06-20 | Spray processing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1158581A JPH0793286B2 (en) | 1989-06-20 | 1989-06-20 | Spray processing device |
Publications (2)
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|---|---|
| JPH0322533A JPH0322533A (en) | 1991-01-30 |
| JPH0793286B2 true JPH0793286B2 (en) | 1995-10-09 |
Family
ID=15674818
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP1158581A Expired - Lifetime JPH0793286B2 (en) | 1989-06-20 | 1989-06-20 | Spray processing device |
Country Status (1)
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| JP (1) | JPH0793286B2 (en) |
Families Citing this family (2)
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|---|---|---|---|---|
| JPH0669176A (en) * | 1992-01-17 | 1994-03-11 | Mitsubishi Materials Corp | Wafer cleaning equipment |
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Family Cites Families (2)
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1989
- 1989-06-20 JP JP1158581A patent/JPH0793286B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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