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JPH0793330B2 - 半導体素子 - Google Patents
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JPH0793330B2 - 半導体素子 - Google Patents

半導体素子

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Publication number
JPH0793330B2
JPH0793330B2 JP26553486A JP26553486A JPH0793330B2 JP H0793330 B2 JPH0793330 B2 JP H0793330B2 JP 26553486 A JP26553486 A JP 26553486A JP 26553486 A JP26553486 A JP 26553486A JP H0793330 B2 JPH0793330 B2 JP H0793330B2
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JP
Japan
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resin
epoxy resin
parts
chip
semiconductor element
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JP26553486A
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輝 奥野山
洋志 稲葉
祐 久保田
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東芝ケミカル株式会社
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Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、大形ICなどチップを樹脂で封止した半導体素
子に関し、特に耐湿性、耐加水分解性、接着性に優れた
半導体素子に係るものである。
(従来の技術) 金属薄板(リードフレーム)上の所定部分にIC、LSI等
の半導体チップを接続する工程は、素子の長期信頼性に
影響を与える重要な工程の1つである。従来からこの接
続方法としてチップのシリコン面をリードフレーム上の
金メッキ面に加熱圧着するというAu−Si共晶法が主流で
あった。しかし、近年の貴金属、特に金の高騰を契機と
して、樹脂封止形半導体装置では、Au−Si共晶法から、
半田を使用する方法、導電性接着剤を使用する方法等に
急速に移行しつつある。
しかし、半田を使用する方法は、一部実用化されている
が半田や半田ボールが飛散して電極等に付着し、腐食断
線の原因となることが指摘されている。一方、導電性接
着剤を使用する方法では、通常、銀粉末を配合したエポ
キシ樹脂が用いられ、数10年程前から一部実用化されて
きたが、信頼性の面でAu−Si共晶法に比較して満足すべ
きものが得られなかった。導電性接着剤を使用する場合
は、半田法に比べて耐熱性に優れる等の長所を有してい
るが、その反面、樹脂や硬化剤が半導体素子接着用とし
て作られたものでないため、ボイドの発生や、耐湿性、
耐加水分解性に劣り、アルミニウム電極の腐食を促進
し、断線不良の原因となることが多く、素子の信頼性は
Au−Si共晶法に比べて劣っていた。また近年、IC/LSIや
LED等の半導体チップの大形化に伴い、チップクラック
の発生や接着力の低下が起こり、問題となってきた。
(発明が解決しようとする問題点) 本発明は、上記の事情・欠点に鑑みてなされたもので、
半導体チップの大形化に対応した耐湿性、耐加水分解
性、接着性に優れ、特に接着チップの反りを低減した信
頼性の高い半導体素子を提供しようとするものである。
[発明の構成] (問題点を解決するための手段と作用) 本発明者らは、上記の目的を達成しようと鋭意研究を重
ねた結果、後述する樹脂組成物を用いることによって、
耐湿性、耐加水分解性、接着性に優れ、ボイドの発生が
なく、またチップの反りが少ない高信頼性の半導体素子
が得られることを見いだし、本発明を完成したものであ
る。すなわち、本発明は、 (A)固形エポキシ樹脂 (B)低粘度液状エポキシ樹脂 (C)ノルボネン環を有する樹脂 (D)アクリロニトリル基を有するポリブタジエン系液
状樹脂 (E)イミダゾール系触媒および (F)導電性粉末 を含む樹脂組成物を用い、半導体チップとリードフレー
ムとを接着固定してなることを特徴とする半導体素子で
ある。
本発明に用いる(A)固形エポキシ樹脂としては、工業
生産されており、かつ本発明に効果的に使用し得るもの
として、例えば次のようなビスフェノール類のジエポキ
シドがある。シェル化学社製エピコート1001,1002,100
4,1007,1009、ダウケミカル社製DER660,661,662,667,66
8,669、チバガイギー社製アラルダイトGY6071,6084,609
7,6099、大日本インキ化学工業社製エピクロン1010,301
0や旭電化社製EPシリーズ・EP−5100,5400,5700,5900
(以上いずれも商品名)等がある。さらに固形エポキシ
樹脂として、例えば平均エポキシ基数3以上のノボラッ
ク・エポキシ樹脂を使用することにより、熱時(350
℃)の接着強度を更に向上させることができ、このノボ
ラック・エポキシ樹脂としては、分子量500以上のもの
が適している。このようなノボラック・エポキシ樹脂で
工業生産されているものとしては、例えば次のようなも
のがある。チバガイギー社製アラルダイトEPN1138,113
9、ECN1273,1280,1299、ダウケミカル社製DEN431,438、
シェル化学社製エピコート152,154、ユニオンカーバイ
ト社製ERR−0100,ERRB−0447,ERLB−0488、日本化薬社
製EOCNシリーズ、山陽国策パルプ社製DER400(以上いず
れも商品名)等が挙げられ、これらは単独又は2種以上
の混合系として用いる。
本発明に用いる(B)低粘度液状エポキシ樹脂として
は、例えばβ−(3,4エポキシシクロヘキシル)エチル
トリメトキシシラン,γ−グリシドキシプロピルトリメ
トキシシラン,γ−グリシドキシプロピルメチルジエト
キシシラン等のシラン系モノマーおよびビスフェノール
形低粘度液状エポキシ樹脂,脂環式低粘度液状エポキシ
樹脂,グリシジルエーテル形エポキシ樹脂,グリシジル
エステル形エポキシ樹脂等が挙げられ、これらは単独も
しくは2種以上混合して用いる。
(A)固形エポキシ樹脂と(B)低粘度液状エポキシ樹
脂とは重量比で5:95〜40:60の範囲で配合される。固形
エポキシ樹脂が5重量%未満では必要とする接着強度が
得られず、また40重量%を超えると導電性ペーストにし
た場合の作業性が極めて悪くなり好ましくない。
本発明に用いる(C)ノルボネン環を有する樹脂として
は、石油樹脂などがあり、石油のC5〜C9留分から得られ
る汎用の樹脂である。例えば市販されているものとし
て、セロキサイド4000(ダイセル化学社製、商品名)、
タッキロール1000(住友化学工業社製、商品名)、クイ
ントン1500,1000,1300,1700(日本ゼオン社製、商品
名)等が挙げられる。そして、これらは単独又は2種以
上混合して用いる。ノルボネン環を有する樹脂の配合割
合は、前述した(A)固形エポキシ樹脂と(B)低粘度
液状エポキシ樹脂との合計量に対して0.5〜30重量%配
合することが望ましい。配合量が0.5重量%末端の場合
は、接着強度の向上に効果なく、また30重量%を超える
と反応性が劣る傾向にあり好ましくない。
本発明に用いる(D)アクリロニトリル基を有するポリ
ブタジエン系液状樹脂としては、例えばCTBN1300,2000
(宇部興産社製、商品名)等が挙げられ、1種又は2種
以上混合して使用する。このポリブタジエン系液状樹脂
の配合割合は、(A)固形エポキシ樹脂と(B)低粘度
液状エポキシ樹脂との合計量に対して0.5〜30重量%配
合することが望ましい。配合量が0.5重量%未満の場合
は、低応力に効果がなく、また30重量%を超えると接着
力が低下する傾向にあり好ましくない。
本発明に用いる(E)イミダゾール系触媒としては、例
えば四国化成工業社製の2PZ−OK,2PZ−CN,2MZ−OK(以
上いずれも商品名)等がある。イミダゾール系触媒は、
通常、(A)固形エポキシ樹脂と(B)低粘度液状エポ
キシ樹脂との合計量に対して0.01〜8重量%配合する。
本発明に用いる(A)固形エポキシ樹脂,(B)低粘度
液状エポキシ樹脂,(C)ノルボネン環を有する樹脂,
(D)アクリロニトリル基を有するポリブタジエン系液
状樹脂および(E)イミダゾール系触媒を配合する場合
は、全成分に溶剤を加えて混合溶解させてもよいが、最
初にノルボネン環を有する樹脂およびアクリロニトリル
基を有するポリブタジエン系液状樹脂を溶剤に溶解させ
た後、これに固形エポキシ樹脂と低粘度液状エポキシ樹
脂とを溶解混合したものを、添加混合することが望まし
い。ここで用いる粘度調整用の溶剤類としては、ジオキ
サン,ヘキサノン,ベンゼン,トルエン,ソルベントナ
フサ,工業用ガソリン,酢酸セロソルブ,エチルセロソ
ルブ,ブチルセロソルブアセテート,ブチルカルビトー
ルアセテート,ジメチルホルムアミド,ジメチルアセト
アミド,N−メチルピロリドン等が挙げられ、これらは単
独もしくは2種以上混合して使用することができる。
本発明に用いる(F)導電性粉末としては、例えば銀粉
末等が使用される。
本発明に用いる樹脂組成物は、固形エポキシ樹脂,低粘
度液状エポキシ樹脂,ノルボネン環を有する樹脂,アク
リロニトリル基を有する液状ポリブタジエン樹脂,イミ
ダゾール系触媒,導電性粉末を含むが、必要に応じて消
泡剤,カップリング剤その他の添加剤を加えることがで
きる。そして、この樹脂組成物は、常法に従い各原料成
分を充分混合した後、更に例えば三本ロールによる混練
処理をし、その後、減圧脱泡して製造することができ
る。こうして製造した樹脂組成物を用いて半導体チップ
とリードフレームを接着固定した後、ワイヤボンディン
グを行い、次いで樹脂で封止して半導体素子を製造す
る。この半導体素子は、200℃で樹脂組成物を加熱硬化
させても、大型チップの反り変形が少なく、接着力は半
導体チップの接着に必要な強度を有し、ワイヤボンディ
ング強度も同じく4〜5gの値以上の強度を得ることがで
きる。
(実施例) 次に本発明を実施例によって説明するが、本発明はこれ
らの実施例によって限定されるものではない。実施例お
よび比較例において「部」とは特に説明のない限り「重
量部」を意味する。
実施例 1 固形エポキシ樹脂EOCN103S(日本化薬社製、商品名)9.
6部、液状エポキシ樹脂EX201(長瀬化成社製、商品名)
9.6部、ノルボネン環を有する樹脂セロキサイド4000
(ダイセル社製、商品名)3.0部、ポリブタジエン系樹
脂CTBN1300(宇部興産社製、商品名)3.0部およびジエ
チレングリコールジエチルエーテル1.8部を混合溶解
し、粘稠な褐色の樹脂を得た。この樹脂29部に触媒とし
て2PZ−OK(四国化成工業社製、商品名)1.2部と銀粉末
70部とを混合して樹脂組成物Aを製造した。
実施例 2 EOCN103S(前出)5.0部、EP1001(シェル化学社製、商
品名)4.6部、EX201(前出)9.6部、クイントン1700
(日本ゼオン社製、商品名)3.0部、およびジエチレン
グリコールジエチルエーテル1.8部を混合溶解し、粘稠
な褐色の樹脂を得た。この樹脂29部に触媒として2PZ−O
K(前出)1.2部と銀粉末70部を混合して樹脂組成物Bを
製造した。
実施例 3 DEC400(山陽国策パルプ社製、商品名)9.6部、EX201
(前出)9.6部、クイントン1700(前出)3.0部、CTBN13
00(前出)3.0部、およびジエチレングリコールジエチ
ルエーテル1.8部を混合溶解し、粘稠な黄色の樹脂を得
た。この樹脂29部に触媒として2PZ−OK(前出)1.2部と
銀粉末70部とを加えて十分混合して樹脂組成物Cを製造
した。
比較例 市販のエポキシ樹脂ベースの溶剤型半導体用導電性接着
剤Dを入手した。
実施例1〜3および比較例で得た樹脂組成物A,B,Cおよ
び導電性接着剤Dを用いて半導体チップとリードフレー
ムとを接着硬化して半導体素子を製造した。これらの半
導体素子について接着強度、加水分解性、耐湿性、チッ
プの反りの試験を行った。その結果を第1表に示したが
いずれも本発明の顕著な効果が認められた。
接着強度は、200μm厚のリードフレーム(銅系)上に
4×12mmのシリコンチップを接着し、それぞれの温度で
プッシュプルゲージを用いて測定した。加水分解性Clイ
オンは、半導体素子接着条件で硬化させた後、100メッ
シュに粉砕して、180℃で2時間加熱抽出を行ったClイ
オンの量を測定した。耐湿性試験は、温度121℃,圧力
2気圧の水蒸気中における耐湿試験(PCT)および温度1
20℃,圧力2気圧の水蒸気中印加電圧直流15Vを通電し
て耐湿試験(バイアス−PCT)を各半導体素子について
行い評価した。この試験に供した半導体素子数は各々60
個で、時間の経過に伴う不良発生数を第1表に示した。
なお、評価の方法は半導体素子を構成するアルミニウム
電極の腐食によるオープン又はリーク電流が許容値の50
0%以上への上昇をもって不良と判定した。チップの反
りは、硬化後のチップ表面を表面あらさ計で測定し、チ
ップ中央部と末端との距離で示した。
[発明の効果] 以上の説明および第1表からも明らかなように本発明の
半導体素子は、樹脂組成物を接着剤として用いたことに
よって、優れた耐湿性、耐加水分解性を示し、その結果
アルミニウム電極の腐食による断線不良等が起こらず、
ボイドの発生もなく、接着チップの反りが少なく、また
接着性、特に熱時の接着性に優れた、高信頼性の製品を
得ることができる。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】(A)固形エポキシ樹脂 (B)低粘度液状エポキシ樹脂 (C)ノルボネン環を有する樹脂 (D)アクリロニトリル基を有するポリブタジエン系液
    状樹脂 (E)イミダゾール系触媒および (F)導電性粉末 を含む樹脂組成物を用い、半導体チップとリードフレー
    ムとを接着固定してなることを特徴とする半導体素子。
JP26553486A 1986-11-10 1986-11-10 半導体素子 Expired - Lifetime JPH0793330B2 (ja)

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JP4690714B2 (ja) * 2004-12-09 2011-06-01 積水化学工業株式会社 エポキシ系硬化性組成物及び電子部品の実装構造
JP6388202B2 (ja) * 2014-08-07 2018-09-12 パナソニックIpマネジメント株式会社 絶縁樹脂シート、並びにそれを用いた回路基板および半導体パッケージ

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