JPH0793469B2 - 半導体レーザ励起固体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ励起固体レーザ装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体レーザにより固体レーザ媒質の励起を
行う固体レーザ装置に関するもので、特に半導体レーザ
からの励起光を固体レーザ媒質に導く手段に関する。
行う固体レーザ装置に関するもので、特に半導体レーザ
からの励起光を固体レーザ媒質に導く手段に関する。
第14図は、例えば1971年11月30日に交付された米国特許
第3624545号に開示されている半導体レーザ励起固体レ
ーザ装置の構成図であり、図において、１は固体レーザ
媒質、２は半導体レーザを多数ならべてアレー状にした
半導体レーザアレー、３は反射筒、４は高反射鏡、５は
出力結合鏡、６は高反射鏡４及び出力結合鏡５から形成
されたレーザ共振器の光軸、７はレーザ共振器モードで
ある。これは固体レーザ媒質１の吸収スペクトルにほぼ
一致した発光スペクトルを持つ半導体レーザを多数なら
べてアレー状にした半導体レーザアレー２からの出射光
を固体レーザ媒質１の励起に用いる所謂側面光励起の固
体レーザ装置である。
第3624545号に開示されている半導体レーザ励起固体レ
ーザ装置の構成図であり、図において、１は固体レーザ
媒質、２は半導体レーザを多数ならべてアレー状にした
半導体レーザアレー、３は反射筒、４は高反射鏡、５は
出力結合鏡、６は高反射鏡４及び出力結合鏡５から形成
されたレーザ共振器の光軸、７はレーザ共振器モードで
ある。これは固体レーザ媒質１の吸収スペクトルにほぼ
一致した発光スペクトルを持つ半導体レーザを多数なら
べてアレー状にした半導体レーザアレー２からの出射光
を固体レーザ媒質１の励起に用いる所謂側面光励起の固
体レーザ装置である。
半導体レーザアレー２からの出射光は光軸６とほぼ直交
して固体レーザ媒質１の側面から入射し一部は吸収され
一部は透過して反射筒３で反射された後再び固体レーザ
媒質１に入射し、レーザ増幅が可能な励起領域を形成す
る。一方、レーザ共振器は高反射鏡４と出力結合鏡５と
で構成されており、レーザ共振器モード７が形成され
る。上記励起領域はレーザ共振器モード７のモード分布
との間にあまり関係なく固体レーザ媒質１のほぼ全体に
わたって形成される。レーザ発振モードはレーザ共振器
モード７の内での基本モードであるTEM00モードが望ま
しい。ここで、レーザ増幅が可能な励起領域とレーザ共
振器モード７との関係を説明するため、第14図における
固体レーザ媒質１を含む光軸６に垂直な断面図を第15図
に示す。図において、１〜７は上記第14図に示したもの
と同一のものであり、８は励起領域である。このように
半導体レーザアレー２からの出射光に伴う励起エネルギ
ーの多くはレーザ共振器モード７によって占められる領
域以外の固体レーザ媒質１の領域内に与えられるため、
レーザ発振モードの増幅に寄与しない部分が多くなり、
したがって励起効率が低くなるという問題点があった。
して固体レーザ媒質１の側面から入射し一部は吸収され
一部は透過して反射筒３で反射された後再び固体レーザ
媒質１に入射し、レーザ増幅が可能な励起領域を形成す
る。一方、レーザ共振器は高反射鏡４と出力結合鏡５と
で構成されており、レーザ共振器モード７が形成され
る。上記励起領域はレーザ共振器モード７のモード分布
との間にあまり関係なく固体レーザ媒質１のほぼ全体に
わたって形成される。レーザ発振モードはレーザ共振器
モード７の内での基本モードであるTEM00モードが望ま
しい。ここで、レーザ増幅が可能な励起領域とレーザ共
振器モード７との関係を説明するため、第14図における
固体レーザ媒質１を含む光軸６に垂直な断面図を第15図
に示す。図において、１〜７は上記第14図に示したもの
と同一のものであり、８は励起領域である。このように
半導体レーザアレー２からの出射光に伴う励起エネルギ
ーの多くはレーザ共振器モード７によって占められる領
域以外の固体レーザ媒質１の領域内に与えられるため、
レーザ発振モードの増幅に寄与しない部分が多くなり、
したがって励起効率が低くなるという問題点があった。
上記の励起領域８とレーザ発振モードの大きさもしくは
体積に大きな差があるという欠点を改善するため励起光
源である半導体レーザからの出射光をレーザ共振器の光
軸６と略平行になるように配置し、固体レーザ媒質１の
光軸６に略垂直な端面から励起するようにした所謂端面
光励起の固体レーザが1987年３月24日に交付された米国
特許第4653056号に開示されている。この構成図を第16
図に示す。図において、１〜７は上記第14図に示したも
のと同等のものであり、９は半導体レーザ、10はレン
ズ、11は励起光である。半導体レーザ９からの発散射出
光はレンズ10で集められた後収束光に変換され、高反射
鏡４を通過し固体レーザ媒質１の光軸６に略垂直な端面
の一方から固体レーザ媒質１内に導入される。励起効率
を高くするため、励起領域８をレーザ共振器モード７の
内で基本モードであるTEM00モードのモード体積にマッ
チングさせるようになっている。このように半導体レー
ザ９を用いる端面光励起の固体レーザでは励起領域８を
TEM00モードのモード体積にマッチングさせることが可
能であるため高い励起効率が得られる。しかしながら、
従来の半導体レーザではその出力が高々1W程度に限定さ
れていることが多く、また、より高出力の半導体レーザ
を励起光源として用いても所謂端面光励起の固体レーザ
では使用できるエネルギーに限度があるため固体レーザ
の出力が限定される。これに対して先に述べたように、
所謂側面光励起の固体レーザでは励起光源からのエネル
ギーをより多く固体レーザ媒質内に移入できるが、励起
領域とTEM00モードのモード体積のマッチングに問題が
ある。
体積に大きな差があるという欠点を改善するため励起光
源である半導体レーザからの出射光をレーザ共振器の光
軸６と略平行になるように配置し、固体レーザ媒質１の
光軸６に略垂直な端面から励起するようにした所謂端面
光励起の固体レーザが1987年３月24日に交付された米国
特許第4653056号に開示されている。この構成図を第16
図に示す。図において、１〜７は上記第14図に示したも
のと同等のものであり、９は半導体レーザ、10はレン
ズ、11は励起光である。半導体レーザ９からの発散射出
光はレンズ10で集められた後収束光に変換され、高反射
鏡４を通過し固体レーザ媒質１の光軸６に略垂直な端面
の一方から固体レーザ媒質１内に導入される。励起効率
を高くするため、励起領域８をレーザ共振器モード７の
内で基本モードであるTEM00モードのモード体積にマッ
チングさせるようになっている。このように半導体レー
ザ９を用いる端面光励起の固体レーザでは励起領域８を
TEM00モードのモード体積にマッチングさせることが可
能であるため高い励起効率が得られる。しかしながら、
従来の半導体レーザではその出力が高々1W程度に限定さ
れていることが多く、また、より高出力の半導体レーザ
を励起光源として用いても所謂端面光励起の固体レーザ
では使用できるエネルギーに限度があるため固体レーザ
の出力が限定される。これに対して先に述べたように、
所謂側面光励起の固体レーザでは励起光源からのエネル
ギーをより多く固体レーザ媒質内に移入できるが、励起
領域とTEM00モードのモード体積のマッチングに問題が
ある。
次に、上記の２例の欠点を改善するため励起光源である
半導体レーザアレーは側面光励起の配置構造とし、レー
ザ共振器の構成を変えて励起光源である半導体レーザア
レーからの光がレーザ共振器の光軸にほぼ一致するよう
にした構成の固体レーザが1987年12月１日に交付された
米国特許第4710940号に開示されている。この構成図を
第17図に示す。図において、４〜7,9は上記第14図及び
第16図に示したものと同等のものであり、12は台形状の
断面を有する固体レーザ媒質、13は固体レーザ媒質12の
第１の側面、14は固体レーザ媒質12の第２の側面、15は
固体レーザ媒質12の第１の端面、16は固体レーザ媒質12
の第２の端面である。なお、半導体レーザ９は第１の側
面13及び第２の側面14に対向してそれぞれ複数個配置さ
れている。第１の側面13及び第２の側面14には固体レー
ザの発振波長に対して高反射となるが励起光源である半
導体レーザ９の発振波長に対しては低反射となる誘電体
多層膜が形成されている。また、第１の端面15と第２の
端面16には固体レーザの発振波長に対して低反射となる
誘電体多層膜が形成されている。このような構成におい
て、レーザ共振器内のレーザ共振器モード７は第17図に
示すように第１の側面13及び第２の側面14で交互に反射
を繰り返しながら固体レーザ媒質12の中をジグザグに進
行する。一方、励起光源である半導体レーザ９からの出
射光はジグザグに進行するレーザ共振器モード７とその
光軸をほぼ一致させるよう、第１の側面13もしくは第２
の側面14に対して斜めから入射する。したがって、第15
図に示した端面光励起の固体レーザと同様に励起領域を
レーザ共振器モード７の内で基本モードであるTEM00モ
ードのモード体積にマッチングさせることができる。し
かしながら、第１の側面13及び第２の側面14に形成され
ている高反射の誘電体多層膜の反射率は製作精度等によ
り100％にすることはできず、せいぜい99.5％程度であ
り、各１回の反射につき0.5％の損失を受けるので、高
出力を得ようとして反射回数を増加させると損失もそれ
に応じて増加するという欠点がある。
半導体レーザアレーは側面光励起の配置構造とし、レー
ザ共振器の構成を変えて励起光源である半導体レーザア
レーからの光がレーザ共振器の光軸にほぼ一致するよう
にした構成の固体レーザが1987年12月１日に交付された
米国特許第4710940号に開示されている。この構成図を
第17図に示す。図において、４〜7,9は上記第14図及び
第16図に示したものと同等のものであり、12は台形状の
断面を有する固体レーザ媒質、13は固体レーザ媒質12の
第１の側面、14は固体レーザ媒質12の第２の側面、15は
固体レーザ媒質12の第１の端面、16は固体レーザ媒質12
の第２の端面である。なお、半導体レーザ９は第１の側
面13及び第２の側面14に対向してそれぞれ複数個配置さ
れている。第１の側面13及び第２の側面14には固体レー
ザの発振波長に対して高反射となるが励起光源である半
導体レーザ９の発振波長に対しては低反射となる誘電体
多層膜が形成されている。また、第１の端面15と第２の
端面16には固体レーザの発振波長に対して低反射となる
誘電体多層膜が形成されている。このような構成におい
て、レーザ共振器内のレーザ共振器モード７は第17図に
示すように第１の側面13及び第２の側面14で交互に反射
を繰り返しながら固体レーザ媒質12の中をジグザグに進
行する。一方、励起光源である半導体レーザ９からの出
射光はジグザグに進行するレーザ共振器モード７とその
光軸をほぼ一致させるよう、第１の側面13もしくは第２
の側面14に対して斜めから入射する。したがって、第15
図に示した端面光励起の固体レーザと同様に励起領域を
レーザ共振器モード７の内で基本モードであるTEM00モ
ードのモード体積にマッチングさせることができる。し
かしながら、第１の側面13及び第２の側面14に形成され
ている高反射の誘電体多層膜の反射率は製作精度等によ
り100％にすることはできず、せいぜい99.5％程度であ
り、各１回の反射につき0.5％の損失を受けるので、高
出力を得ようとして反射回数を増加させると損失もそれ
に応じて増加するという欠点がある。
さらに、上記第17図と同様の構成で励起光源である半導
体レーザを適当な間隔をもって並べた複数の半導体レー
ザで構成された半導体レーザアレーを備えた高効率モー
ド調和型固体レーザ装置がトーマス・マイケル・ベイア
により特開平１−122180に開示されている。この構成図
を第18図に示す。図において、1,4,5,13,14は上記第14
図及び第17図に示したものと同等のものであり、17は半
導体レーザ、18は適当な間隔をもって並べた複数の半導
体レーザ17で構成された半導体レーザアレー、19はファ
イバレンズ、20は第２の側面14に形成された第１の入射
端面、21は第２の側面14に形成された第２の入射端面で
ある。
体レーザを適当な間隔をもって並べた複数の半導体レー
ザで構成された半導体レーザアレーを備えた高効率モー
ド調和型固体レーザ装置がトーマス・マイケル・ベイア
により特開平１−122180に開示されている。この構成図
を第18図に示す。図において、1,4,5,13,14は上記第14
図及び第17図に示したものと同等のものであり、17は半
導体レーザ、18は適当な間隔をもって並べた複数の半導
体レーザ17で構成された半導体レーザアレー、19はファ
イバレンズ、20は第２の側面14に形成された第１の入射
端面、21は第２の側面14に形成された第２の入射端面で
ある。
次に動作について説明する。半導体レーザアレー18を構
成する半導体レーザ17からの出力光は一般に紙面に平行
な方向の広がり角に比べて紙面に垂直な方向の広がり角
が広い。そこでファイバレンズ19により紙面に垂直な方
向のみを平行光束としてそのビーム径が固体レーザの横
モードの大きさと調和するようにして固体レーザ媒質１
に入射させる。ここで半導体レーザアレー18からの出力
光の波長を固体レーザ媒質１の吸収帯に一致させておく
と半導体レーザアレー18からの出力光は固体レーザ媒質
１の中で伝搬するに従って指数関数的に吸収され固体レ
ーザの発振波長で利得を有する反転分布を形成する。こ
のときの反転分布はファイバレンズ19を通過した半導体
レーザアレー18からの出力光の空間分布を反映して半導
体レーザアレー18を構成する各半導体レーザ17の発光位
置で大きく、半導体レーザ17それぞれの間の位置で小さ
い。このような反転分布が形成された固体レーザ媒質１
内で、各半導体レーザ17の発光位置とほぼ一致する第１
の側面13の位置と、第１の側面13に対向する第２の側面
14で交互に反射するジグザグな光路をもってレーザ共振
器を形成するのに高反射鏡4,出力結合鏡５を配置する。
ここでは、半導体レーザアレー18からの出力光が入射す
る第18図の側面13は半導体レーザアレー18からの出力光
の波長に対しては無反射とし、固体レーザの発振波長に
対しては高反射となるダイクロイックコーティングを施
してある。第２の側面14には固体レーザの発振波長に対
して高反射コーティングを施し、一部、高反射鏡4,出力
結合鏡５にレーザ光が出力される部分である第１の入射
端面20と第２の入射端面21には固体レーザの発振波長に
対してほぼ無反射となるコーティングを施してある。こ
のようにレーザ共振器を構成することにより、半導体レ
ーザアレー18から射出された光のエネルギーを高効率で
レーザ発振モードに結合できる。したがって、半導体レ
ーザアレー18を構成する半導体レーザの数を増加させ、
ジグザグの反射回数を増加させることにより固体レーザ
の発振出力を増加させることができる。
成する半導体レーザ17からの出力光は一般に紙面に平行
な方向の広がり角に比べて紙面に垂直な方向の広がり角
が広い。そこでファイバレンズ19により紙面に垂直な方
向のみを平行光束としてそのビーム径が固体レーザの横
モードの大きさと調和するようにして固体レーザ媒質１
に入射させる。ここで半導体レーザアレー18からの出力
光の波長を固体レーザ媒質１の吸収帯に一致させておく
と半導体レーザアレー18からの出力光は固体レーザ媒質
１の中で伝搬するに従って指数関数的に吸収され固体レ
ーザの発振波長で利得を有する反転分布を形成する。こ
のときの反転分布はファイバレンズ19を通過した半導体
レーザアレー18からの出力光の空間分布を反映して半導
体レーザアレー18を構成する各半導体レーザ17の発光位
置で大きく、半導体レーザ17それぞれの間の位置で小さ
い。このような反転分布が形成された固体レーザ媒質１
内で、各半導体レーザ17の発光位置とほぼ一致する第１
の側面13の位置と、第１の側面13に対向する第２の側面
14で交互に反射するジグザグな光路をもってレーザ共振
器を形成するのに高反射鏡4,出力結合鏡５を配置する。
ここでは、半導体レーザアレー18からの出力光が入射す
る第18図の側面13は半導体レーザアレー18からの出力光
の波長に対しては無反射とし、固体レーザの発振波長に
対しては高反射となるダイクロイックコーティングを施
してある。第２の側面14には固体レーザの発振波長に対
して高反射コーティングを施し、一部、高反射鏡4,出力
結合鏡５にレーザ光が出力される部分である第１の入射
端面20と第２の入射端面21には固体レーザの発振波長に
対してほぼ無反射となるコーティングを施してある。こ
のようにレーザ共振器を構成することにより、半導体レ
ーザアレー18から射出された光のエネルギーを高効率で
レーザ発振モードに結合できる。したがって、半導体レ
ーザアレー18を構成する半導体レーザの数を増加させ、
ジグザグの反射回数を増加させることにより固体レーザ
の発振出力を増加させることができる。
以上説明したように第14図に示した側面光励起の従来装
置では半導体レーザアレー２からの出射光に伴う励起エ
ネルギーの多くはレーザ共振器モード７によって占めら
れる領域以外の固体レーザ媒質１の領域内に与えられる
ため、レーザ発振モードの増幅に寄与しない部分が多く
なり、励起効率が低いという問題点があった。
置では半導体レーザアレー２からの出射光に伴う励起エ
ネルギーの多くはレーザ共振器モード７によって占めら
れる領域以外の固体レーザ媒質１の領域内に与えられる
ため、レーザ発振モードの増幅に寄与しない部分が多く
なり、励起効率が低いという問題点があった。
また、第16図に示した端面光励起の従来装置では、半導
体レーザを用いる端面光励起の固体レーザは励起領域を
TEM00モード体積にマッチングさせることが可能である
ため高い励起効率が得られるが、しかしながら、その出
力がせいぜい1W程度に限定されていることが多く、ま
た、より高出力の半導体レーザを励起光源として用いて
も所謂端面光励起の固体レーザでは使用できるエネルギ
ーに限度があるため固体レーザの出力が限定され、高出
力を得ることができないという問題点があった。
体レーザを用いる端面光励起の固体レーザは励起領域を
TEM00モード体積にマッチングさせることが可能である
ため高い励起効率が得られるが、しかしながら、その出
力がせいぜい1W程度に限定されていることが多く、ま
た、より高出力の半導体レーザを励起光源として用いて
も所謂端面光励起の固体レーザでは使用できるエネルギ
ーに限度があるため固体レーザの出力が限定され、高出
力を得ることができないという問題点があった。
さらに、第17図もしくは第18図に示した従来装置では以
下のような問題点があった。第１に、高効率な励起を実
現するために半導体レーザアレー18を構成する複数の半
導体レーザの設置位置とレーザ共振器を構成するジグザ
グ光路の反射位置を一致させる必要があり、高反射鏡4,
出力結合鏡５及び半導体レーザアレー18の相互の配置関
係を調整することが難しかった。第２に、固体レーザ媒
質１に施す高反射膜は誘電体多層膜で作成しているが、
多層膜での吸収や散乱、作成精度等により反射率を100
％にすることは困難であり、せいぜい99.5％程度であ
る。したがって、各１回の反射につき0.5％程度の損失
を有し、レーザ発振出力をふやすためジグザグ光路の反
射回数を増加させるとレーザ共振器内部の損失が増加す
るという不具合があった。第３に、ダイオードバー18か
らの出力光が入射する端面に対向する第１の入射端面20
と第２の入射端面21には、高反射鏡４と出力結合鏡５に
レーザ光を出力させるため固体レーザの発振波長に対し
て無反射コーティングを施す必要があり、第２の側面14
の高反射コーティング領域と上記無反射コーティング領
域とを分離して作製しなければならず、作製工程が多く
なるという課題があった。
下のような問題点があった。第１に、高効率な励起を実
現するために半導体レーザアレー18を構成する複数の半
導体レーザの設置位置とレーザ共振器を構成するジグザ
グ光路の反射位置を一致させる必要があり、高反射鏡4,
出力結合鏡５及び半導体レーザアレー18の相互の配置関
係を調整することが難しかった。第２に、固体レーザ媒
質１に施す高反射膜は誘電体多層膜で作成しているが、
多層膜での吸収や散乱、作成精度等により反射率を100
％にすることは困難であり、せいぜい99.5％程度であ
る。したがって、各１回の反射につき0.5％程度の損失
を有し、レーザ発振出力をふやすためジグザグ光路の反
射回数を増加させるとレーザ共振器内部の損失が増加す
るという不具合があった。第３に、ダイオードバー18か
らの出力光が入射する端面に対向する第１の入射端面20
と第２の入射端面21には、高反射鏡４と出力結合鏡５に
レーザ光を出力させるため固体レーザの発振波長に対し
て無反射コーティングを施す必要があり、第２の側面14
の高反射コーティング領域と上記無反射コーティング領
域とを分離して作製しなければならず、作製工程が多く
なるという課題があった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、側面光励起方式を用いているにもかかわら
ず、大きなエネルギーで固体レーザ媒質を励起でき、レ
ーザ発振モードのモード体積と励起領域とのマッチング
を良くした、高出力かつ高効率な半導体レーザ励起固体
レーザ装置を得ることを目的とする。
たもので、側面光励起方式を用いているにもかかわら
ず、大きなエネルギーで固体レーザ媒質を励起でき、レ
ーザ発振モードのモード体積と励起領域とのマッチング
を良くした、高出力かつ高効率な半導体レーザ励起固体
レーザ装置を得ることを目的とする。
第１の発明に係る半導体レーザ励起固体レーザ装置は、
半導体レーザ９からの出射光をレーザ共振器モード７が
形成される方向に合わせるように回折して固体レーザ媒
質22中に入射させる回折格子（透過形回折格子24又は反
射形回折格子38）を備えたものである。
半導体レーザ９からの出射光をレーザ共振器モード７が
形成される方向に合わせるように回折して固体レーザ媒
質22中に入射させる回折格子（透過形回折格子24又は反
射形回折格子38）を備えたものである。
第２の発明に係る半導体レーザ励起固体レーザ装置は、
略平行な対向する側面を持ち、かつ上記側面の両側に無
反射コーティングが施された部分24a,24b,24c,24dと上
記側面に近接もしくは接触して設置された反射形回折格
子23a,23b,23c,23dを有する部分とが交互に少なくとも
１個以上配置され、かつ上記無反射コーティングが施さ
れた部分24a,24b,24c,24dに対向して上記反射形回折格
子23a,23b,23c,23dが配置された固体レーザ媒質22のブ
ロック22Bと、上記反射形回折格子23a,23b,23c,23dに対
向して配設された複数の半導体レーザ９で構成されてい
る少なくとも１個以上の半導体レーザアレー2a,2b,2c,2
dと、上記無反射コーティングが施された上記側面と上
記半導体レーザアレー2a,2b,2c,2dとの間に設置された
少なくとも１個以上のロッドレンズ27a,27b,27c,27dと
を備えたものである。
略平行な対向する側面を持ち、かつ上記側面の両側に無
反射コーティングが施された部分24a,24b,24c,24dと上
記側面に近接もしくは接触して設置された反射形回折格
子23a,23b,23c,23dを有する部分とが交互に少なくとも
１個以上配置され、かつ上記無反射コーティングが施さ
れた部分24a,24b,24c,24dに対向して上記反射形回折格
子23a,23b,23c,23dが配置された固体レーザ媒質22のブ
ロック22Bと、上記反射形回折格子23a,23b,23c,23dに対
向して配設された複数の半導体レーザ９で構成されてい
る少なくとも１個以上の半導体レーザアレー2a,2b,2c,2
dと、上記無反射コーティングが施された上記側面と上
記半導体レーザアレー2a,2b,2c,2dとの間に設置された
少なくとも１個以上のロッドレンズ27a,27b,27c,27dと
を備えたものである。
第１の発明に係る半導体レーザ励起固体レーザ装置で
は、上記回折格子が固体レーザ媒質22を励起する半導体
レーザ９からの入射光を回折させ、励起光の方向を変化
させる。したがって、固体レーザ媒質２内の励起光の方
向とレーザ共振器モード７が形成される方向とは、概略
同一方向に設定され、レーザ発振モード７のモード体積
と励起領域とのマッチングが良くなる。
は、上記回折格子が固体レーザ媒質22を励起する半導体
レーザ９からの入射光を回折させ、励起光の方向を変化
させる。したがって、固体レーザ媒質２内の励起光の方
向とレーザ共振器モード７が形成される方向とは、概略
同一方向に設定され、レーザ発振モード７のモード体積
と励起領域とのマッチングが良くなる。
第２の発明に係る半導体レーザ励起固体レーザ装置で
は、反射形回折格子23a,2b,23c,23dが固体レーザ媒質22
を励起す半導体レーザ９からの入射光を回折させ、励起
光の伝搬方向を変化させる。したがって、固体レーザ媒
質22内の励起光の方向とレーザ共振器モード７が形成さ
れる方向とは概略同一方向に設定され、レーザ発振モー
ド７のモード体積と励起領域とのマッチングが良くな
る。
は、反射形回折格子23a,2b,23c,23dが固体レーザ媒質22
を励起す半導体レーザ９からの入射光を回折させ、励起
光の伝搬方向を変化させる。したがって、固体レーザ媒
質22内の励起光の方向とレーザ共振器モード７が形成さ
れる方向とは概略同一方向に設定され、レーザ発振モー
ド７のモード体積と励起領域とのマッチングが良くな
る。
以下、この発明の実施例を図について説明する。なお、
以下に示す第１の発明に係る実施例の構成の説明図で
は、説明を簡潔にするために固体レーザ媒質の形状が四
角柱で、四角柱の主軸方向がレーザ共振器の光軸方向と
なるようにレーザ共振器が構成されており、励起光源は
四角柱の側面の周囲から上記主軸に略垂直な方向に半導
体レーザの励起光が出射されるように設置されている場
合の例で説明する。
以下に示す第１の発明に係る実施例の構成の説明図で
は、説明を簡潔にするために固体レーザ媒質の形状が四
角柱で、四角柱の主軸方向がレーザ共振器の光軸方向と
なるようにレーザ共振器が構成されており、励起光源は
四角柱の側面の周囲から上記主軸に略垂直な方向に半導
体レーザの励起光が出射されるように設置されている場
合の例で説明する。
第１図はこの第１の発明の半導体レーザ励起固体レーザ
装置の第１の実施例の構成図であり、2,4〜7,9は上記第
14図及び第16図に示したものと同一のものであり、22は
固体レーザ媒質、23は固体レーザ媒質22の第１の側面、
24は第１の側面23に形成された透過形回折格子、25は固
体レーザ媒質22の第１の面、26は固体レーザ媒質22の第
２の面、27は第１の側面23に対向する固体レーザ媒質22
の第２の側面、28は半導体レーザアレー２の半導体９の
出射光を固体レーザ媒質22中へ効率良く入射させるよう
に半導体レーザアレー２と回折格子24の間に配置された
ロッドレンズ、29は回折格子24による半導体レーザ９の
出射光の０次回折光、30は１次回折光、31は−１次回折
光である。なお、第１の面25と第２の面26には半導体レ
ーザアレー２からの励起光に対して高反射であるが固体
レーザの発振波長に対しては無反射である誘電体多層膜
のコーティングが形成されている。また、第２の側面27
には半導体レーザアレー２からの励起光に対して高反射
である誘電体多層膜のコーティングが形成されている。
ここでは半導体レーザアレー２は各々の反動体レーザ９
の接合面がレーザ共振器の光軸６にほぼ平行であり、互
いに間隔を置いて配置された複数の別個の半導体レーザ
９で構成されている。
装置の第１の実施例の構成図であり、2,4〜7,9は上記第
14図及び第16図に示したものと同一のものであり、22は
固体レーザ媒質、23は固体レーザ媒質22の第１の側面、
24は第１の側面23に形成された透過形回折格子、25は固
体レーザ媒質22の第１の面、26は固体レーザ媒質22の第
２の面、27は第１の側面23に対向する固体レーザ媒質22
の第２の側面、28は半導体レーザアレー２の半導体９の
出射光を固体レーザ媒質22中へ効率良く入射させるよう
に半導体レーザアレー２と回折格子24の間に配置された
ロッドレンズ、29は回折格子24による半導体レーザ９の
出射光の０次回折光、30は１次回折光、31は−１次回折
光である。なお、第１の面25と第２の面26には半導体レ
ーザアレー２からの励起光に対して高反射であるが固体
レーザの発振波長に対しては無反射である誘電体多層膜
のコーティングが形成されている。また、第２の側面27
には半導体レーザアレー２からの励起光に対して高反射
である誘電体多層膜のコーティングが形成されている。
ここでは半導体レーザアレー２は各々の反動体レーザ９
の接合面がレーザ共振器の光軸６にほぼ平行であり、互
いに間隔を置いて配置された複数の別個の半導体レーザ
９で構成されている。
次に動作について説明する。
半導体レーザ９からの出射光は、紙面に垂直な方向に広
がり角度が紙面に平行な方向の広がり角度に比べて大き
いため、紙面に垂直な方向のみ屈折力をもつロッドレン
ズ28を通過させて平行光束にする。ロッドレンズ28を通
過した略平行光束は回折格子24に入射し０次回折光29、
１次回折光30、−１次回折光31、±２次回折光もしくは
それ以上の高次回折光を生じる。なお、０次回折光、±
２次回折光もしくはそれ以上の高次回折光を生じるかど
うかは回折格子24の格子ピッチと励起光源である半導体
レーザアレー２の出射光の波長λと固体レーザ媒質22の
屈折率ｎ及び回折格子24の格子断面形状などによって決
定される。ここでは回折格子24の格子断面形状が矩形で
ある場合の例を示しているが必ずしもこれに限定されな
いのはいうまでもない。さらに、回折格子24と格子断面
形状が矩形であっても格子ピッチと格子深さを適当に選
べば０次回折光を抑制することができる。
がり角度が紙面に平行な方向の広がり角度に比べて大き
いため、紙面に垂直な方向のみ屈折力をもつロッドレン
ズ28を通過させて平行光束にする。ロッドレンズ28を通
過した略平行光束は回折格子24に入射し０次回折光29、
１次回折光30、−１次回折光31、±２次回折光もしくは
それ以上の高次回折光を生じる。なお、０次回折光、±
２次回折光もしくはそれ以上の高次回折光を生じるかど
うかは回折格子24の格子ピッチと励起光源である半導体
レーザアレー２の出射光の波長λと固体レーザ媒質22の
屈折率ｎ及び回折格子24の格子断面形状などによって決
定される。ここでは回折格子24の格子断面形状が矩形で
ある場合の例を示しているが必ずしもこれに限定されな
いのはいうまでもない。さらに、回折格子24と格子断面
形状が矩形であっても格子ピッチと格子深さを適当に選
べば０次回折光を抑制することができる。
０次回折光29は光軸６に略垂直な方向でその強度が指数
関数的に減衰する吸収を受けながら固体レーザ媒質22を
伝搬し第２の側面27で反射し、再びその強度が指数関数
的に減衰する吸収を受けながら固体レーザ媒質22を伝搬
し励起領域を形成する。次に１次回折光30は回折格子24
の法線と次の（１）式で表される零でない角度θの方向
に進行する。ここでは回折格子24の格子ピッチｄは角度
θが90゜に近い角度になるよう設定する。
関数的に減衰する吸収を受けながら固体レーザ媒質22を
伝搬し第２の側面27で反射し、再びその強度が指数関数
的に減衰する吸収を受けながら固体レーザ媒質22を伝搬
し励起領域を形成する。次に１次回折光30は回折格子24
の法線と次の（１）式で表される零でない角度θの方向
に進行する。ここでは回折格子24の格子ピッチｄは角度
θが90゜に近い角度になるよう設定する。
θ＝SIN-1λ/nd （１） 上記のように格子ピッチｄを設定しておくと、１次回折
光30は光軸６に略平行な方向でその強度が指数関数的に
減衰する吸収を受けながら固体レーザ媒質22を伝搬し第
１の面25で反射し、再びその強度が指数関数的に減衰す
る吸収を受けながら固体レーザ媒質22を伝播し励起領域
を形成する。次に−１次回折光31は回折格子24の法線に
対して１次回折光とほぼ対称となる方向に進行し、光軸
６に略平行な方向でその強度が指数関数的に減衰する吸
収を受けながら固体レーザ媒質22を伝搬し第１の面26で
反射し再びその強度が指数関数的に減衰する吸収を受け
ながら固体レーザ媒質22を伝搬し励起領域を形成する。
同様に半導体レーザアレー２を構成する複数の半導体レ
ーザ９の各々から出射された励起光も回折格子24によっ
て０次回折光、１次回折光、−１次回折光、±２次回折
光もしくはそれ以上の高次回折光を生じ固体レーザ媒質
22を伝搬することにより励起領域を形成する。したがっ
て、励起領域はこれらの回折光の重なり領域として形成
される。なお、ここでは回折格子24を０次回折光を抑制
する条件に設定しておく。
光30は光軸６に略平行な方向でその強度が指数関数的に
減衰する吸収を受けながら固体レーザ媒質22を伝搬し第
１の面25で反射し、再びその強度が指数関数的に減衰す
る吸収を受けながら固体レーザ媒質22を伝播し励起領域
を形成する。次に−１次回折光31は回折格子24の法線に
対して１次回折光とほぼ対称となる方向に進行し、光軸
６に略平行な方向でその強度が指数関数的に減衰する吸
収を受けながら固体レーザ媒質22を伝搬し第１の面26で
反射し再びその強度が指数関数的に減衰する吸収を受け
ながら固体レーザ媒質22を伝搬し励起領域を形成する。
同様に半導体レーザアレー２を構成する複数の半導体レ
ーザ９の各々から出射された励起光も回折格子24によっ
て０次回折光、１次回折光、−１次回折光、±２次回折
光もしくはそれ以上の高次回折光を生じ固体レーザ媒質
22を伝搬することにより励起領域を形成する。したがっ
て、励起領域はこれらの回折光の重なり領域として形成
される。なお、ここでは回折格子24を０次回折光を抑制
する条件に設定しておく。
以上のように、１次回折光30もしくは−１次回折光31は
光軸６に略平行な方向に進行するので吸収長も長くと
れ、また、レーザ共振器モード７の固体レーザ媒質22に
おけるモード体積と一致させることができるので励起効
率を高くすることができる効果がある。
光軸６に略平行な方向に進行するので吸収長も長くと
れ、また、レーザ共振器モード７の固体レーザ媒質22に
おけるモード体積と一致させることができるので励起効
率を高くすることができる効果がある。
第２図は上記回折格子24における０次回折光29,1次回折
光30,−１次回折光31の関係、及び上記固体レーザ媒質
レーザ媒質22における励起領域８とレーザ共振器モード
７との関係を説明するための第１図の部分拡大図であ
り、第２図（ａ）は固体レーザ媒質22の一部分、第２図
（ｂ）は第２図（ａ）の位置Ａ−Ａにおける断面図であ
る。第２図（ｂ）の励起領域８とレーザ共振器モード７
との重なりからわかるように、回折格子24を用いた励起
領域８の形成手段は、励起光のポンプ体積をレーザ共振
器のモード体積に良く一致できる効果がある。ここでレ
ーザ共振器のモード体積は高反射鏡４と出力結合鏡５の
設置位置及び形状によって決定される。レーザ共振器モ
ード７の、TEM00モードは単峰でサイドローブがないの
で極めて有用であり望ましい。この回折格子24を用いた
励起領域の形成手段では、多数の半導体レーザを固体レ
ーザ媒質22の回折格子24が形成された側面に沿って配置
することができるので、励起される固体レーザ媒質22の
レーザ利得部分が大幅に増加させることができ、また、
励起領域８をレーザ共振器の所要のモード体積にマッチ
ングさせることによって高い励起効率を得ることができ
る。したがって、効率と利得の高い半導体レーザ励起固
体レーザ装置が得られる。
光30,−１次回折光31の関係、及び上記固体レーザ媒質
レーザ媒質22における励起領域８とレーザ共振器モード
７との関係を説明するための第１図の部分拡大図であ
り、第２図（ａ）は固体レーザ媒質22の一部分、第２図
（ｂ）は第２図（ａ）の位置Ａ−Ａにおける断面図であ
る。第２図（ｂ）の励起領域８とレーザ共振器モード７
との重なりからわかるように、回折格子24を用いた励起
領域８の形成手段は、励起光のポンプ体積をレーザ共振
器のモード体積に良く一致できる効果がある。ここでレ
ーザ共振器のモード体積は高反射鏡４と出力結合鏡５の
設置位置及び形状によって決定される。レーザ共振器モ
ード７の、TEM00モードは単峰でサイドローブがないの
で極めて有用であり望ましい。この回折格子24を用いた
励起領域の形成手段では、多数の半導体レーザを固体レ
ーザ媒質22の回折格子24が形成された側面に沿って配置
することができるので、励起される固体レーザ媒質22の
レーザ利得部分が大幅に増加させることができ、また、
励起領域８をレーザ共振器の所要のモード体積にマッチ
ングさせることによって高い励起効率を得ることができ
る。したがって、効率と利得の高い半導体レーザ励起固
体レーザ装置が得られる。
第３図はこの第１の発明の半導体レーザ励起固体レーザ
装置の第２の実施例の構成図であり、第２図と同様の半
導体レーザ励起固体レーザ装置の部分拡大図である。こ
の実施例では、回折格子24を固体レーザ媒質22の面に形
成せず、透過形回折格子32を固体レーザ媒質22の第１の
側面23に近接もしくは第１の側面23に接触させて配設し
たものである。ここで透過形回折格子32と固体レーザ媒
質22の間は屈折率の整合をとってある。
装置の第２の実施例の構成図であり、第２図と同様の半
導体レーザ励起固体レーザ装置の部分拡大図である。こ
の実施例では、回折格子24を固体レーザ媒質22の面に形
成せず、透過形回折格子32を固体レーザ媒質22の第１の
側面23に近接もしくは第１の側面23に接触させて配設し
たものである。ここで透過形回折格子32と固体レーザ媒
質22の間は屈折率の整合をとってある。
第４図はこの第１の発明の半導体レーザ励起固体レーザ
装置の第３の実施例の構成図であり、第２図と同様の半
導体レーサ励起固体レーザ装置の部分拡大図である。こ
の実施例では、固体レーザ媒質22の面に直接形成された
回折格子24と断面が円形のロッドレンズ28の代わりに、
断面が半月形でその平面部に透過形回折格子が形成され
ているロッドレンズ33を固体レーザ媒質22の第１の側面
23に近接もしくは第１の側面23に接触させて配設したも
のである。断面が半月形のロッドレンズ33は上記断面が
円形のロッドレンズ28と同様に紙面に垂直な方向のみ屈
折力をもち、半導体レーザ９からの出射光を平行光束に
する。なお、透過形回折格子が形成されているロッドレ
ンズ33と固体レーザ媒質22の間は屈折率の整合をとって
ある。
装置の第３の実施例の構成図であり、第２図と同様の半
導体レーサ励起固体レーザ装置の部分拡大図である。こ
の実施例では、固体レーザ媒質22の面に直接形成された
回折格子24と断面が円形のロッドレンズ28の代わりに、
断面が半月形でその平面部に透過形回折格子が形成され
ているロッドレンズ33を固体レーザ媒質22の第１の側面
23に近接もしくは第１の側面23に接触させて配設したも
のである。断面が半月形のロッドレンズ33は上記断面が
円形のロッドレンズ28と同様に紙面に垂直な方向のみ屈
折力をもち、半導体レーザ９からの出射光を平行光束に
する。なお、透過形回折格子が形成されているロッドレ
ンズ33と固体レーザ媒質22の間は屈折率の整合をとって
ある。
ここで、上記の第２及び第３の実施例においても回折格
子が第１の実施例と同様の作用をし、上記同様の効果が
得られる。
子が第１の実施例と同様の作用をし、上記同様の効果が
得られる。
第５図はこの第１の発明の半導体レーザ励起固体レーザ
装置の第４の実施例の構成図である。この実施例は、第
１図に示した第１の実施例において、固体レーザ媒質22
の第２の側面27にも回折格子34を形成し、第１の側面23
側と同様に円形のロッドレンズ35及び半導体レーザアレ
ー36を設けたものであり、周囲からより多くの励起光を
固体レーザ媒質22に注入するため一構成例を示すもので
ある。なお、その他の構成は第１の実施例と同一であ
り、37は回折格子24又は回折格子34の±１次回折光を示
す。
装置の第４の実施例の構成図である。この実施例は、第
１図に示した第１の実施例において、固体レーザ媒質22
の第２の側面27にも回折格子34を形成し、第１の側面23
側と同様に円形のロッドレンズ35及び半導体レーザアレ
ー36を設けたものであり、周囲からより多くの励起光を
固体レーザ媒質22に注入するため一構成例を示すもので
ある。なお、その他の構成は第１の実施例と同一であ
り、37は回折格子24又は回折格子34の±１次回折光を示
す。
また、上記第５図では固体レーザ媒質22の第１の側面23
と第２の側面27に回折格子24,34を形成する場合を示し
たが、さらに残る２側面に回折格子を形成して励起光を
注入する構成としても良い。
と第２の側面27に回折格子24,34を形成する場合を示し
たが、さらに残る２側面に回折格子を形成して励起光を
注入する構成としても良い。
なお、上記第５図に示した第４の実施例における回折格
子の形成において、上記第２及び第３の実施例の構成を
適用できることはいうまでもない。
子の形成において、上記第２及び第３の実施例の構成を
適用できることはいうまでもない。
以上の実施例では透過形回折格子を用いた半導体レーザ
励起固体レーザ装置の構成を示したが、次に反射形回折
格子を用いた半導体レーザ励起固体レーザ装置の実施例
の構成を示す。
励起固体レーザ装置の構成を示したが、次に反射形回折
格子を用いた半導体レーザ励起固体レーザ装置の実施例
の構成を示す。
第６図は反射形回折格子を用いた第１の実施例の構成図
であり、上記第１図に示した第１の実施例に対応するも
のである。図において、38は固体レーザ媒質22の第１の
側面23に形成された反射形回折格子であり、半導体レー
ザアレー２からの励起光に対して高反射である誘電体多
層膜又は金属膜のコーティングが施されている。ロッド
レンズ28と半導体レーザアレー２は第２の側面27側に設
けられており、半導体レーザ９からの出射光はロッドレ
ンズ28で紙面に垂直な方向が平行光束に変換されて固体
レーザ媒質22に入射し、反射形回折格子38で回折された
励起領域８を形成する。なお、反射形回折格子38の格子
深さや格子ピッチは上記透過形回折格子の場合同様に０
次回折光を抑制する条件に設定しておく。
であり、上記第１図に示した第１の実施例に対応するも
のである。図において、38は固体レーザ媒質22の第１の
側面23に形成された反射形回折格子であり、半導体レー
ザアレー２からの励起光に対して高反射である誘電体多
層膜又は金属膜のコーティングが施されている。ロッド
レンズ28と半導体レーザアレー２は第２の側面27側に設
けられており、半導体レーザ９からの出射光はロッドレ
ンズ28で紙面に垂直な方向が平行光束に変換されて固体
レーザ媒質22に入射し、反射形回折格子38で回折された
励起領域８を形成する。なお、反射形回折格子38の格子
深さや格子ピッチは上記透過形回折格子の場合同様に０
次回折光を抑制する条件に設定しておく。
第７図は上記反射形回折格子38における０次回折光29,1
次回折光30,−１次回折光31の関係、及び上記固体レー
ザ媒質22における励起領域８とレーザ共振器モード７と
の関係を説明するための第６図の部分拡大図であり、第
７図（ａ）は固体レーザ媒質22の一部分、第７図（ｂ）
は第７図（ａ）の位置Ａ−Ａにおける断面図である。第
７図（ｂ）の励起領域８とレーザ共振器モード７との重
なりからわかるように、反射形回折格子38を用いた励起
領域８の形成手段は、励起光のポンプ体積をレーザ共振
器のモード体積に良く一致でき、上記透過形回折格子の
場合と同様に効率と利得の高い半導体レーザ励起固体レ
ーザ装置が得られる効果がある。さらに、反射形回折格
子38では透過形回折格子の半分の格子溝の深さで同等の
回折作用が得られるので、回折格子の製作が容易にでき
る効果がある。
次回折光30,−１次回折光31の関係、及び上記固体レー
ザ媒質22における励起領域８とレーザ共振器モード７と
の関係を説明するための第６図の部分拡大図であり、第
７図（ａ）は固体レーザ媒質22の一部分、第７図（ｂ）
は第７図（ａ）の位置Ａ−Ａにおける断面図である。第
７図（ｂ）の励起領域８とレーザ共振器モード７との重
なりからわかるように、反射形回折格子38を用いた励起
領域８の形成手段は、励起光のポンプ体積をレーザ共振
器のモード体積に良く一致でき、上記透過形回折格子の
場合と同様に効率と利得の高い半導体レーザ励起固体レ
ーザ装置が得られる効果がある。さらに、反射形回折格
子38では透過形回折格子の半分の格子溝の深さで同等の
回折作用が得られるので、回折格子の製作が容易にでき
る効果がある。
第８図は反射形回折格子を用いた第２の実施例の構成図
であり、上記第３図に示した第２の実施例に対応するも
のである。第７図と同様の半導体レーザ励起固体レーザ
装置の部分拡大図である。この実施例では、反射形回折
格子38を固体レーザ媒質22の面に形成せず、固体レーザ
媒質22の第１の側面23に近接もしくは第１の側面23に接
触させて配設したものである。ここで、反射形回折格子
38と固体レーザ媒質22の間は屈折率の整合をとってあ
る。上記第２の実施例においても反射形回折格子38が第
１の実施例と同様の作用をし、上記同様の効果が得られ
る。
であり、上記第３図に示した第２の実施例に対応するも
のである。第７図と同様の半導体レーザ励起固体レーザ
装置の部分拡大図である。この実施例では、反射形回折
格子38を固体レーザ媒質22の面に形成せず、固体レーザ
媒質22の第１の側面23に近接もしくは第１の側面23に接
触させて配設したものである。ここで、反射形回折格子
38と固体レーザ媒質22の間は屈折率の整合をとってあ
る。上記第２の実施例においても反射形回折格子38が第
１の実施例と同様の作用をし、上記同様の効果が得られ
る。
以上の効果に付加するに、回折格子により半導体レーザ
からの出射光を固体レーザ媒質内のレーザ共振器モード
が形成される方向に合わせるように回折して上記固体レ
ーザ媒質中に入射させる手段によれば、各部の設定精度
をゆるくできる効果がある。
からの出射光を固体レーザ媒質内のレーザ共振器モード
が形成される方向に合わせるように回折して上記固体レ
ーザ媒質中に入射させる手段によれば、各部の設定精度
をゆるくできる効果がある。
なお、以上の説明においては固体レーザ媒質の形状が四
角柱で、四角柱の主軸方向がレーザ共振器の光軸方向と
なるようにレーザ共振器が構成されており、励起光源は
四角柱の側面の周囲から上記主軸に略垂直な方向に半導
体レーザの励起光が出射されるように設置されている場
合の例を示したが、この発明はこれに限るものではな
く、上記説明から明らかなように回折格子を用いること
により半導体レーザからの出射光を固体レーザ媒質内の
レーザ共振器モードが形成される方向に合わせるように
回折して上記固体レーザ媒質中に入射させ、励起光のポ
ンプ体積とレーザ共振器のモード体積との一致を図る構
成であればよいことはいうまでもない。
角柱で、四角柱の主軸方向がレーザ共振器の光軸方向と
なるようにレーザ共振器が構成されており、励起光源は
四角柱の側面の周囲から上記主軸に略垂直な方向に半導
体レーザの励起光が出射されるように設置されている場
合の例を示したが、この発明はこれに限るものではな
く、上記説明から明らかなように回折格子を用いること
により半導体レーザからの出射光を固体レーザ媒質内の
レーザ共振器モードが形成される方向に合わせるように
回折して上記固体レーザ媒質中に入射させ、励起光のポ
ンプ体積とレーザ共振器のモード体積との一致を図る構
成であればよいことはいうまでもない。
また、この発明の固体レーザは広い範囲に及び固体レー
ザ材料例えばNd:YAG.Nd:GIassもしくはNd:YLFを用いる
ことができる。
ザ材料例えばNd:YAG.Nd:GIassもしくはNd:YLFを用いる
ことができる。
さらに、この発明の固体レーザはレーザ共振器の最低次
モードであるTEM00モードのモード体積に励起領域をマ
ッチングでき、また小型にすることができるので周波数
逓倍の動作を行うのに適している。この実施例を第９図
に示す。図において、39はレーザ共振器内に挿入された
周波数逓倍器であり、基本数の1/2倍の波長のレーザ光
を発生し得る。
モードであるTEM00モードのモード体積に励起領域をマ
ッチングでき、また小型にすることができるので周波数
逓倍の動作を行うのに適している。この実施例を第９図
に示す。図において、39はレーザ共振器内に挿入された
周波数逓倍器であり、基本数の1/2倍の波長のレーザ光
を発生し得る。
また、この発明の固体レーザでは、第10図のようにレー
ザ共振器内にＱ−スイッチ40を挿入すればパルス光を発
生させることができる。
ザ共振器内にＱ−スイッチ40を挿入すればパルス光を発
生させることができる。
次に第２の発明に係る実施例について説明する。なお、
以下に示す実施例の構成の説明図では、説明を簡単にす
るために固体レーザ媒質の形状が四角柱で、四角柱の主
軸方向がレーザ共振器の光軸方向となるようにレーザ共
振器が構成されており、励起光源は四角柱の側面の周囲
から上記主軸に略垂直な方向に半導体レーザの励起光が
射出されるように設置され、反射形回折格子、無反射コ
ーティング部分および半導体レーザアレーがそれぞれ４
つある場合の例で説明する。これらの数は４に限られな
いことは言うまでもない。
以下に示す実施例の構成の説明図では、説明を簡単にす
るために固体レーザ媒質の形状が四角柱で、四角柱の主
軸方向がレーザ共振器の光軸方向となるようにレーザ共
振器が構成されており、励起光源は四角柱の側面の周囲
から上記主軸に略垂直な方向に半導体レーザの励起光が
射出されるように設置され、反射形回折格子、無反射コ
ーティング部分および半導体レーザアレーがそれぞれ４
つある場合の例で説明する。これらの数は４に限られな
いことは言うまでもない。
第11図はこの第２の発明に係る半導体レーザ励起固体レ
ーザ装置の第１の実施例の構成図である。第11図におい
て、2a,2b,2c,2dは反射形回折格子23a,23b,23c,23dに対
向して配設された複数の半導体レーザ９で構成されてい
る半導体レーザアレーである。22Bは略平行な対向する
側面を持ち、かつ上記側面の両側に無反射コーティング
された部分24a,24b,24c,24dと上記側面に近接もしくは
接触して設置された反射形回折格子23a,23b,23c,23dを
有する部分とが交互に少なくとも１個以上配置され、か
つ上記無反射コーティングが施された部分24a,24b,24
c,,24dに対向反射形回折格子23a,23b,23c,23dが配置さ
れた固体レーザ媒質22のブロックである。27a,27b,27c,
27dは無反射コーティングが施された上記側面と半導体
レーザアレー2a,2b,2c,2dとの間に設置されたロッドレ
ンズである。28Lは０次回折光、29Lは１次回折光、30L
は−１次回折光、31は共振器内光学素子である。上記反
射形回折格子23a,23b,23c,23dは固体レーザ媒質22のブ
ロック22Bの表面に近接もしくは接触して配置されてお
りかつ上記無反射コーティングを施した部分24a,24b,24
c,24dに対向して配置されている。また、第１の面25と
第２の面26には上記半導体レーザアレー２からの励起光
に対して高反射であるが固体レーザの発振波長に対して
は略無反射である誘電体多層膜のコーティングが形成さ
れている。上記無反射コーティングを施した部分24a,24
b,24c,24dに対向して配置された上記半導体レーザアレ
ー2a,2b,2c,2dは励起光源を構成する。この半導体レー
ザアレー2a,2b,2c,2dはその長さ方向に沿って接合面が
ほぼ平行であり互いに間隔を置いて配置された複数の別
個の半導体レーザ９で構成されている。以下では上記半
導体レーザアレー2aと対を成す部分について説明する。
他の部分についても同様である。上記半導体レーザアレ
ー2aを構成している半導体レーザ９のうちの１つからの
出射光は紙面に垂直な方向の広がり角度が紙面に平行な
方向の広がり角度に比べて大きいため、紙面に垂直な方
向のみ屈折力をもつ上記ロッドレンズ27aを通過させて
平行光束にする。上記ロッドレンズ27aを通過した略平
行光束は上記反射形回折格子23aに入射し０次回折光28
L、１次回折光29L、−１次回折光30L、±２次回折光も
しくはそれ以上の高次回折光を生じる。０次回折光、±
２次回折光もしくはそれ以上の高回折光を生じるかどう
かは上記反射形回折格子23aの格子ピッチと上記励起光
源である半導体レーザアレー2aの出射光の波長λと固体
レーザ媒質22のブロック22Bの屈折率ｎおよび反射形回
折格子23aの格子断面形状などによって決定される。こ
こでは上記反射形回折格子23aの格子断面形状が矩形で
ある場合の例を記載しているが必ずしもこれに限定され
ないのはいうまでもない。上記反射形回折格子23aの格
子断面形状が矩形であっても格子ピッチと格子深さを適
当に選べば０次回折光を抑制することができる。上記０
次回折光28Lは光軸６に略垂直な方向でその強度が指数
関数的に減衰する吸収を受けながら固体レーザ媒質22の
ブロック22Bを伝搬し励起領域を形成する。つぎに１次
回折光29Lは上記反射形回折格子23aの垂線と前記第１式
で表される零でない角度θの方向に進行する。上記反射
形回折格子23aの格子ピッチｄは上記角度θが出来るだ
け90゜に近い角度になるように設定される。
ーザ装置の第１の実施例の構成図である。第11図におい
て、2a,2b,2c,2dは反射形回折格子23a,23b,23c,23dに対
向して配設された複数の半導体レーザ９で構成されてい
る半導体レーザアレーである。22Bは略平行な対向する
側面を持ち、かつ上記側面の両側に無反射コーティング
された部分24a,24b,24c,24dと上記側面に近接もしくは
接触して設置された反射形回折格子23a,23b,23c,23dを
有する部分とが交互に少なくとも１個以上配置され、か
つ上記無反射コーティングが施された部分24a,24b,24
c,,24dに対向反射形回折格子23a,23b,23c,23dが配置さ
れた固体レーザ媒質22のブロックである。27a,27b,27c,
27dは無反射コーティングが施された上記側面と半導体
レーザアレー2a,2b,2c,2dとの間に設置されたロッドレ
ンズである。28Lは０次回折光、29Lは１次回折光、30L
は−１次回折光、31は共振器内光学素子である。上記反
射形回折格子23a,23b,23c,23dは固体レーザ媒質22のブ
ロック22Bの表面に近接もしくは接触して配置されてお
りかつ上記無反射コーティングを施した部分24a,24b,24
c,24dに対向して配置されている。また、第１の面25と
第２の面26には上記半導体レーザアレー２からの励起光
に対して高反射であるが固体レーザの発振波長に対して
は略無反射である誘電体多層膜のコーティングが形成さ
れている。上記無反射コーティングを施した部分24a,24
b,24c,24dに対向して配置された上記半導体レーザアレ
ー2a,2b,2c,2dは励起光源を構成する。この半導体レー
ザアレー2a,2b,2c,2dはその長さ方向に沿って接合面が
ほぼ平行であり互いに間隔を置いて配置された複数の別
個の半導体レーザ９で構成されている。以下では上記半
導体レーザアレー2aと対を成す部分について説明する。
他の部分についても同様である。上記半導体レーザアレ
ー2aを構成している半導体レーザ９のうちの１つからの
出射光は紙面に垂直な方向の広がり角度が紙面に平行な
方向の広がり角度に比べて大きいため、紙面に垂直な方
向のみ屈折力をもつ上記ロッドレンズ27aを通過させて
平行光束にする。上記ロッドレンズ27aを通過した略平
行光束は上記反射形回折格子23aに入射し０次回折光28
L、１次回折光29L、−１次回折光30L、±２次回折光も
しくはそれ以上の高次回折光を生じる。０次回折光、±
２次回折光もしくはそれ以上の高回折光を生じるかどう
かは上記反射形回折格子23aの格子ピッチと上記励起光
源である半導体レーザアレー2aの出射光の波長λと固体
レーザ媒質22のブロック22Bの屈折率ｎおよび反射形回
折格子23aの格子断面形状などによって決定される。こ
こでは上記反射形回折格子23aの格子断面形状が矩形で
ある場合の例を記載しているが必ずしもこれに限定され
ないのはいうまでもない。上記反射形回折格子23aの格
子断面形状が矩形であっても格子ピッチと格子深さを適
当に選べば０次回折光を抑制することができる。上記０
次回折光28Lは光軸６に略垂直な方向でその強度が指数
関数的に減衰する吸収を受けながら固体レーザ媒質22の
ブロック22Bを伝搬し励起領域を形成する。つぎに１次
回折光29Lは上記反射形回折格子23aの垂線と前記第１式
で表される零でない角度θの方向に進行する。上記反射
形回折格子23aの格子ピッチｄは上記角度θが出来るだ
け90゜に近い角度になるように設定される。
上記１次回折光29Lは光軸６に略平行な方向でその強度
が指数関数的に減衰する吸収を受けながら固体レーザ媒
質22のブロック22Bを伝搬し上記第２の面26で反射し再
びその強度が指数関数的に減衰する吸収を受けながら固
体レーザ媒質２のブロック22Bを伝搬し励起領域を形成
する。次に−１次回折光30Lは上記反射形回折格子23aの
垂線に対して１次回折光ほぼ対称になる方向に進行し、
光軸６に略平行な方向でその強度が指数関数的に減衰す
る吸収を受けながら固体レーザ媒質22のブロック22Bを
伝搬し上記反射形回折格子23bで回折し再びその強度が
指数関数的に減衰する吸収を受けながら固体レーザ媒質
22のブロック22Bを伝搬し励起領域を形成する。
が指数関数的に減衰する吸収を受けながら固体レーザ媒
質22のブロック22Bを伝搬し上記第２の面26で反射し再
びその強度が指数関数的に減衰する吸収を受けながら固
体レーザ媒質２のブロック22Bを伝搬し励起領域を形成
する。次に−１次回折光30Lは上記反射形回折格子23aの
垂線に対して１次回折光ほぼ対称になる方向に進行し、
光軸６に略平行な方向でその強度が指数関数的に減衰す
る吸収を受けながら固体レーザ媒質22のブロック22Bを
伝搬し上記反射形回折格子23bで回折し再びその強度が
指数関数的に減衰する吸収を受けながら固体レーザ媒質
22のブロック22Bを伝搬し励起領域を形成する。
同様に上記半導体レーザアレー2aを構成する複数の別個
の半導体レーザ９の他の１つから出射された励起光も上
記反射形回折格子23aによって０次回折光、１次回折
光、−１次回折光、±２次回折光もしくはそれ以上の高
次回折光を生じ固体レーザ媒質22のブロック22Bを伝搬
することにより励起領域を形成する。励起領域はこれら
回折光の重なり領域として形成される。上記１次回折光
29Lもしくは−１次回折光30Lは光軸６に略平行な方向に
進行するので吸収長も長くとれ、またレーザ共振器モー
ド７の上記固体レーザ媒質22のブロック22Bにおけるモ
ード体積と略一致させることができるので励起効率を高
くすることができる効果がある。
の半導体レーザ９の他の１つから出射された励起光も上
記反射形回折格子23aによって０次回折光、１次回折
光、−１次回折光、±２次回折光もしくはそれ以上の高
次回折光を生じ固体レーザ媒質22のブロック22Bを伝搬
することにより励起領域を形成する。励起領域はこれら
回折光の重なり領域として形成される。上記１次回折光
29Lもしくは−１次回折光30Lは光軸６に略平行な方向に
進行するので吸収長も長くとれ、またレーザ共振器モー
ド７の上記固体レーザ媒質22のブロック22Bにおけるモ
ード体積と略一致させることができるので励起効率を高
くすることができる効果がある。
第12図は、上記反射形回折格子23における０次回折光28
L、１次回折光29L、−１次回折光30Lの関係をより明ら
かにするための図と、上記固体レーザ媒質22のブロック
22Bにおける励起領域８とレーザ共振器モード７との関
係を示している。この反射形回折格子23を用いた励起領
域の形成手段の大きな利点は、励起光のポンプ体積とレ
ーザ共振器のモード体積に良く一致できる点にある。レ
ーザ共振器のモード体積は高反射鏡４と出力結合鏡５の
設置位置および形状によって決定される。レーザ共振器
モードの内、TEM00モードは単峰でサイドロープがない
ので極めて有用であり望ましい。この反射形回折格子23
を用いた励起領域の形成手段では、多数の半導体レーザ
を上記固体レーザ媒質22のブロック22Bの反射形回折格
子23が形成された側面に沿って配置することができるの
で、励起される固体レーザ媒質22のブロック22Bのレー
ザ利得部分を大幅に増加させることができまた励起領域
をレーザ共振器の所用のモード体積にマッチングさせる
ことによって高い励起効率を得ることができる。したが
って、効率と利得の高い構造が得られる。
L、１次回折光29L、−１次回折光30Lの関係をより明ら
かにするための図と、上記固体レーザ媒質22のブロック
22Bにおける励起領域８とレーザ共振器モード７との関
係を示している。この反射形回折格子23を用いた励起領
域の形成手段の大きな利点は、励起光のポンプ体積とレ
ーザ共振器のモード体積に良く一致できる点にある。レ
ーザ共振器のモード体積は高反射鏡４と出力結合鏡５の
設置位置および形状によって決定される。レーザ共振器
モードの内、TEM00モードは単峰でサイドロープがない
ので極めて有用であり望ましい。この反射形回折格子23
を用いた励起領域の形成手段では、多数の半導体レーザ
を上記固体レーザ媒質22のブロック22Bの反射形回折格
子23が形成された側面に沿って配置することができるの
で、励起される固体レーザ媒質22のブロック22Bのレー
ザ利得部分を大幅に増加させることができまた励起領域
をレーザ共振器の所用のモード体積にマッチングさせる
ことによって高い励起効率を得ることができる。したが
って、効率と利得の高い構造が得られる。
第13図はこの第２の発明に関わる第２の実施例の構成を
示すものであって、上記固体レーザ媒質22のブロック22
Bとロッドレンズ27a,27b,27c,27dの間に波長板32a,32b,
32c,32dを配置したものである。たとえば上記固体レー
ザ媒質22のブロック22BがNd:YLFのように一軸性の結晶
で構成されている場合、上記半導体レーザアレー2a,2b,
2c,2dからの射出光の偏光方向により吸収関係が異なる
ため、吸収係数がより大きくなる方向に上記半導体レー
ザアレー2a,2b,2c,2dからの出射光の偏光方向を合わせ
るようにするため波長板32a,32b,32c,32dを配設したも
のである。
示すものであって、上記固体レーザ媒質22のブロック22
Bとロッドレンズ27a,27b,27c,27dの間に波長板32a,32b,
32c,32dを配置したものである。たとえば上記固体レー
ザ媒質22のブロック22BがNd:YLFのように一軸性の結晶
で構成されている場合、上記半導体レーザアレー2a,2b,
2c,2dからの射出光の偏光方向により吸収関係が異なる
ため、吸収係数がより大きくなる方向に上記半導体レー
ザアレー2a,2b,2c,2dからの出射光の偏光方向を合わせ
るようにするため波長板32a,32b,32c,32dを配設したも
のである。
本発明の固体レーザはレーザ共振器の最低次モードであ
るTEM00モードのモード体積に励起領域をマッチングで
き、また小型にすることができるので周波数逓倍の動作
を行うのに適している。レーザ共振器内に周波数逓倍器
を挿入し基本波の1/2倍の波長のレーザ光を発生し得
る。この逓倍器としては第11図の共振器内光学素子41で
表わされている。
るTEM00モードのモード体積に励起領域をマッチングで
き、また小型にすることができるので周波数逓倍の動作
を行うのに適している。レーザ共振器内に周波数逓倍器
を挿入し基本波の1/2倍の波長のレーザ光を発生し得
る。この逓倍器としては第11図の共振器内光学素子41で
表わされている。
また、パルス光を発生させるためには第11図の共振器内
光学素子41としてＱ−スイッチを用いれば良い。
光学素子41としてＱ−スイッチを用いれば良い。
以上のように第１の発明によれば、半導体レーザからの
出射光をレーザ共振器モードが形成される方向に合わせ
るように回折して固体レーザ媒質中に入射させる回折格
子を設けて構成したので、回折格子を用いることによる
励起領域が形成され、これにより多数の半導体レーザを
固体レーザ媒質の周囲に配置することが可能となり、励
起される固体レーザ媒質のレーザ利得部分を大幅に増加
させることができ、また、固体レーザ媒質内の励起光の
方向とレーザ共振器モードが形成される方向とを概略同
一方向に設定でき、励起領域をレーザ共振器の所要のモ
ード体積にマッチングさせることによって高い励起効率
を得ることができる。したがって、効率と利得の高い半
導体レーザ励起固体レーザ装置を提供できるという効果
が得られる。
出射光をレーザ共振器モードが形成される方向に合わせ
るように回折して固体レーザ媒質中に入射させる回折格
子を設けて構成したので、回折格子を用いることによる
励起領域が形成され、これにより多数の半導体レーザを
固体レーザ媒質の周囲に配置することが可能となり、励
起される固体レーザ媒質のレーザ利得部分を大幅に増加
させることができ、また、固体レーザ媒質内の励起光の
方向とレーザ共振器モードが形成される方向とを概略同
一方向に設定でき、励起領域をレーザ共振器の所要のモ
ード体積にマッチングさせることによって高い励起効率
を得ることができる。したがって、効率と利得の高い半
導体レーザ励起固体レーザ装置を提供できるという効果
が得られる。
また、第２の発明によれば、略平行な対向する側面を持
ち、かつ上記側面の両側に無反射コーティングが施され
た部分と上記側面に近接もしくは接触して設置された反
射形回折格子を有する部分とが交互に少なくとも１個以
上配設され、かつ上記無反射コーティングが施された部
分に対向して上記反射形回折格子が配置された固体レー
ザ媒質のブロックと、上記反射形改正格子に対向して配
設された複数の半導体レーザで構成されている少なくと
も１個以上の半導体レーザアレーと、上記無反射コーテ
ィングが施された上記側面と上記半導体レーザアレーと
の間に設置された少なくとも１個以上のロッドレンズと
を設けて構成したので、固体レーザ媒質のブロックの略
平行な一対の側面に近接して設置された反射形回折格子
を用いることによる励起領域が形成され、これにより多
数の半導体レーザを、固体レーザ媒質のブロックの回折
格子が形成された側面に沿って配置することが可能とな
り、励起される固体レーザ媒質のブロックのレーザ利得
部分を大幅に増加させることができ、また、励起領域を
レーザ共振器の所用のモード体積にマッチングさせるこ
とによって高い励起効率を得ることができる。したがっ
て、効率と利得が更に高い構造が得られるとともに装置
が安価にでき、また、レーザ光出力の設定を幅広く精度
良く行なえる半導体レーザ励起固体レーザ装置を提供で
きるという効果が得られる。
ち、かつ上記側面の両側に無反射コーティングが施され
た部分と上記側面に近接もしくは接触して設置された反
射形回折格子を有する部分とが交互に少なくとも１個以
上配設され、かつ上記無反射コーティングが施された部
分に対向して上記反射形回折格子が配置された固体レー
ザ媒質のブロックと、上記反射形改正格子に対向して配
設された複数の半導体レーザで構成されている少なくと
も１個以上の半導体レーザアレーと、上記無反射コーテ
ィングが施された上記側面と上記半導体レーザアレーと
の間に設置された少なくとも１個以上のロッドレンズと
を設けて構成したので、固体レーザ媒質のブロックの略
平行な一対の側面に近接して設置された反射形回折格子
を用いることによる励起領域が形成され、これにより多
数の半導体レーザを、固体レーザ媒質のブロックの回折
格子が形成された側面に沿って配置することが可能とな
り、励起される固体レーザ媒質のブロックのレーザ利得
部分を大幅に増加させることができ、また、励起領域を
レーザ共振器の所用のモード体積にマッチングさせるこ
とによって高い励起効率を得ることができる。したがっ
て、効率と利得が更に高い構造が得られるとともに装置
が安価にでき、また、レーザ光出力の設定を幅広く精度
良く行なえる半導体レーザ励起固体レーザ装置を提供で
きるという効果が得られる。
第１図はこの第１の発明の半導体レーザ励起固体レーザ
装置の第１の実施例の構成図、第２図は第１図の部分拡
大図、第３図はこの第１の発明の半導体レーザ励起固体
レーザ装置の第２の実施例の構成の説明図、第４図はこ
の第１の発明の半導体レーザ励起固体レーザ装置の第３
の実施例の構成の説明図、第５図はこの第１の発明の半
導体レーザ励起固体レーザ装置の第４の実施例の構成
図、第６図は反射形回折格子を用いた上記第１の実施例
の構成図、第７図は第６図の部分拡大図、第８図は反射
形回折格子を用いた上記第２の実施例の構成の説明図、
第９図は周波数逓倍の動作を行う場合の構成図、第10図
はパルス光を発生の動作を行う構成図、第11図はこの第
２の発明の半導体レーザ励起固体レーザ装置の第１の実
施例の構成図、第12図はこの第１の実施例において回折
格子の作用を説明するための構成図、第13図はこの第２
の発明の半導体レーザ励起固体レーザ装置の構成図、第
14図は従来の半導体レーザ励起固体レーザ装置の構成
図、第15図は固体レーザ媒質を含む光軸に垂直な断面
図、第16図は従来の半導体レーザ励起固体レーザ装置の
構成図、第17図は従来の半導体レーザ励起固体レーザ装
置の構成の説明図、第18図は従来の半導体レーザ励起固
体レーザ装置の構成の説明図である。 2,2a〜2d……半導体レーザアレー、７……レーザ共振器
モード、９……半導体レーザ、22……固体レーザ媒質、
22B……固体レーザ媒質のブロック、23a〜23d,38……反
射形回折格子、24,32……透過形回折格子、24a〜24d…
…無反射コーティングが施された部分、27a〜27d,28…
…ロッドレンズ、32a〜32d……波長板。
装置の第１の実施例の構成図、第２図は第１図の部分拡
大図、第３図はこの第１の発明の半導体レーザ励起固体
レーザ装置の第２の実施例の構成の説明図、第４図はこ
の第１の発明の半導体レーザ励起固体レーザ装置の第３
の実施例の構成の説明図、第５図はこの第１の発明の半
導体レーザ励起固体レーザ装置の第４の実施例の構成
図、第６図は反射形回折格子を用いた上記第１の実施例
の構成図、第７図は第６図の部分拡大図、第８図は反射
形回折格子を用いた上記第２の実施例の構成の説明図、
第９図は周波数逓倍の動作を行う場合の構成図、第10図
はパルス光を発生の動作を行う構成図、第11図はこの第
２の発明の半導体レーザ励起固体レーザ装置の第１の実
施例の構成図、第12図はこの第１の実施例において回折
格子の作用を説明するための構成図、第13図はこの第２
の発明の半導体レーザ励起固体レーザ装置の構成図、第
14図は従来の半導体レーザ励起固体レーザ装置の構成
図、第15図は固体レーザ媒質を含む光軸に垂直な断面
図、第16図は従来の半導体レーザ励起固体レーザ装置の
構成図、第17図は従来の半導体レーザ励起固体レーザ装
置の構成の説明図、第18図は従来の半導体レーザ励起固
体レーザ装置の構成の説明図である。 2,2a〜2d……半導体レーザアレー、７……レーザ共振器
モード、９……半導体レーザ、22……固体レーザ媒質、
22B……固体レーザ媒質のブロック、23a〜23d,38……反
射形回折格子、24,32……透過形回折格子、24a〜24d…
…無反射コーティングが施された部分、27a〜27d,28…
…ロッドレンズ、32a〜32d……波長板。
Claims (4)
- 【請求項１】レーザ光を出射する半導体レーザと、この
半導体レーザの出射光を受け増幅させるための固体レー
ザ媒質と、この固体レーザ媒質を含みレーザ共振器モー
ドを形成するように設置されたレーザ共振器構成手段と
を備え、上記半導体レーザからの出射光で上記固体レー
ザ媒質を周囲から励起して増幅されたレーザ光を送出す
る半導体レーザ励起固体レーザ装置において、上記半導
体レーザからの出射光を上記レーザ共振器モードが形成
される方向に合わせるように回折して上記固体レーザ媒
質中に入射させる回折格子を設けたことを特徴とする半
導体レーザ励起固体レーザ装置。 - 【請求項２】上記回折格子が反射形回折格子であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ
励起固体レーザ装置。 - 【請求項３】レーザ光を出射する半導体レーザと、この
半導体レーザの出射光を受け増幅させるための固体レー
ザ媒質と、この固体レーザ媒質を含みレーザ共振器モー
ドを形成するように設置されたレーザ共振器構成手段と
を備え、上記半導体レーザからの出射光で上記固体レー
ザ媒質を周囲から励起して増幅されたレーザ光を送出す
る半導体レーザ励起固体レーザ装置において、 略平行な対向する側面を持ち、かつ上記側面の両側に無
反射コーティングが施された部分と上記側面に近接もし
くは接触して設置された反射形回折格子を有する部分と
が交互に少なくとも１個以上配置され、かつ上記無反射
コーティングが施された部分に対向して上記反射形回折
格子が配置された固体レーザ媒質のブロックと、 上記反射形回折格子に対向して配設された複数の半導体
レーザで構成されている少なくとも１個以上の半導体レ
ーザアレーと、 上記無反射コーティングが施された上記側面と上記半導
体レーザアレーとの間に設置された少なくとも１個以上
のロッドレンズとを設けたことを特徴とする半導体レー
ザ励起固体レーザ装置。 - 【請求項４】上記固体レーザ媒質のブロックの側面と上
記ロッドレンズとの間に、吸収係数がより大きくなる方
向に上記半導体レーザアレーからの出射光の偏光方向を
合わせるようにするための少なくとも１個以上の波長板
を設けたことを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の
半導体レーザ励起固体レーザ装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/618,427 US5091915A (en) | 1989-12-25 | 1990-11-27 | Semiconductor laser excited solid laser device |
| DE4042566A DE4042566C2 (de) | 1989-12-25 | 1990-12-12 | Festkörperlaser, der transversal durch das von Halbleiterlasern ausgesandte Licht angeregt wird |
| DE4039682A DE4039682C2 (de) | 1989-12-25 | 1990-12-12 | Festkörperlaser, der transversal durch das von Halbleiterlasern ausgesandte Licht angeregt wird |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1-335585 | 1989-12-25 | ||
| JP33558589 | 1989-12-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03224282A JPH03224282A (ja) | 1991-10-03 |
| JPH0793469B2 true JPH0793469B2 (ja) | 1995-10-09 |
Family
ID=18290231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25632290A Expired - Fee Related JPH0793469B2 (ja) | 1989-12-25 | 1990-09-26 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0793469B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5854865A (en) * | 1995-12-07 | 1998-12-29 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method and apparatus for side pumping an optical fiber |
-
1990
- 1990-09-26 JP JP25632290A patent/JPH0793469B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03224282A (ja) | 1991-10-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |