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JPH0795169B2 - Optical device - Google Patents
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JPH0795169B2 - Optical device - Google Patents

Optical device

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JPH0795169B2
JPH0795169B2 JP62194161A JP19416187A JPH0795169B2 JP H0795169 B2 JPH0795169 B2 JP H0795169B2 JP 62194161 A JP62194161 A JP 62194161A JP 19416187 A JP19416187 A JP 19416187A JP H0795169 B2 JPH0795169 B2 JP H0795169B2
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conjugated polymer
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conjugated
electrochemical cell
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裕至 肥塚
虎彦 安藤
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、第1のπ−共役系高分子を半導体層とした
電界効果型トランジスタ(以下FET素子と略称する)か
らなる駆動部と、第2のπ−共役系高分子で被覆したド
レイン電極を作用極とする電気化学セルからなる表示部
とにより構成した光学装置、特に表示装置および光学シ
ャッタに関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial field of application] The present invention relates to a drive section comprising a field effect transistor (hereinafter abbreviated as FET element) having a first π-conjugated polymer as a semiconductor layer, The present invention relates to an optical device, in particular, a display device and an optical shutter, which is configured by a display unit including an electrochemical cell having a drain electrode coated with a second π-conjugated polymer as a working electrode.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

本発明と類似した従来の光学装置としては、FET素子を
内蔵した液晶表示装置の他にエレクトロクロミックディ
スプレイ(以下ECD素子と略称する)があった。まず、F
ET素子を内蔵した液晶表示装置では、駆動部のFET素子
と表示部の液晶を無機と有機の異なった材料を用いて構
成していた。例えば、FET素子の半導体層を無機の単結
晶シリコン,多結晶シリコン,あるいはアモルファスシ
リコンとし、表示部を有機のネマチック液晶として光学
装置を構成していた。すなわち、第2図の断面側面図に
示すように、基板1上のゲート電極2に印加する電圧に
よって絶縁膜3を介して電界をかけ、ソース電極4とド
レイン電極5間の無機半導体層6の抵抗を変化させ、相
互に対向し、かつ配向処理を施した1組の透明電極11に
電荷を蓄積させたり放出させたりして液晶15の配向を変
化させて表示を行わせていた。このとき、表示は液晶分
子の配向により、偏光板付ガラス板16を透過した偏光が
液晶15を透過できるかできないかによってなされた。17
は上記ドレイン電極5と透明電極11の一方とを電気的に
接続する配線である。このFET素子を内蔵した液晶表示
装置の場合、液晶表示部14の透明電極11の電荷の蓄積と
放出がゲート電圧とドレイン電極5と接続していない方
の透明電極11の電圧で制御できるため、単純マトリクス
駆動による液晶表示装置に比べてクロストークを少なく
でき、多素子化を可能にする利点がある(「液晶−応用
編」,岡野光治・小林駿介編,培風館)。なお、第2図
において、7は保護膜、13と14はそれぞれFET素子部と
表示部である。
As a conventional optical device similar to the present invention, there is an electrochromic display (hereinafter abbreviated as ECD element) in addition to a liquid crystal display device having a built-in FET element. First, F
In a liquid crystal display device with a built-in ET element, the FET element of the drive section and the liquid crystal of the display section were composed of different materials, inorganic and organic. For example, the semiconductor device of the FET element is made of inorganic single crystal silicon, polycrystalline silicon, or amorphous silicon, and the display unit is made of organic nematic liquid crystal to form an optical device. That is, as shown in the cross-sectional side view of FIG. 2, an electric field is applied through the insulating film 3 by the voltage applied to the gate electrode 2 on the substrate 1 to form the inorganic semiconductor layer 6 between the source electrode 4 and the drain electrode 5. The display is performed by changing the orientation of the liquid crystal 15 by changing the resistance, causing the pair of transparent electrodes 11 facing each other and subjected to the orientation treatment to accumulate or release charges. At this time, the display was made depending on whether the polarized light transmitted through the glass plate 16 with the polarizing plate can pass through the liquid crystal 15 depending on the orientation of the liquid crystal molecules. 17
Is a wiring for electrically connecting the drain electrode 5 and one of the transparent electrodes 11. In the case of a liquid crystal display device incorporating this FET element, since the charge accumulation and discharge of the transparent electrode 11 of the liquid crystal display unit 14 can be controlled by the gate voltage and the voltage of the transparent electrode 11 which is not connected to the drain electrode 5, Compared to a liquid crystal display device driven by a simple matrix, it has the advantages of reducing crosstalk and enabling multiple elements ("Liquid Crystal-Application", Koji Okano / Shunsuke Kobayashi, Baifukan). In FIG. 2, 7 is a protective film, and 13 and 14 are a FET element part and a display part, respectively.

次にECD素子について説明する。第3図の断面側面図で
示すように、ECD素子は電気化学的な酸化還元反応によ
って変色反応を行う化学物質18によって被覆された作用
電極8と、これと対向する透明電極11、および支持電解
質や酸化還元剤を含む電解液10から構成されている。ま
たこの第3図中、1は基板、12はガラス板である。この
ECD素子では作用極8と対極11の間に電圧をかけて電流
を流すことにより化学物質18に変色を伴う酸化還元反応
を行わせて表示を行う(「エレクトロクロミック素
子」,野村健次著,工業材料,第35巻,第3号,63
頁)。このECD素子は構造が簡単であるため、大面積化
が容易である。
Next, the ECD element will be described. As shown in the sectional side view of FIG. 3, the ECD element includes a working electrode 8 covered with a chemical substance 18 that undergoes a color change reaction by an electrochemical redox reaction, a transparent electrode 11 facing the working electrode 8, and a supporting electrolyte. It is composed of an electrolytic solution 10 containing a redox agent. Further, in FIG. 3, 1 is a substrate and 12 is a glass plate. this
In the ECD element, a voltage is applied between the working electrode 8 and the counter electrode 11 to cause an electric current to flow, and thereby the chemical substance 18 is caused to undergo a redox reaction accompanied by discoloration for display (“electrochromic device”, Kenji Nomura, Industrial) Material, Vol. 35, No. 3, 63
page). Since this ECD element has a simple structure, it is easy to increase the area.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problems to be solved by the invention]

従来のFET素子を内蔵した液晶表示装置はFET素子部と表
示部が無機と有機の異なった材料で構成されているの
で、作製するための工程が複雑になり、また、装置の構
造自体も複雑になるため、製造コストが高くなる問題が
あった。また、FET素子部分に無機半導体の単結晶板や
多結晶板を用いた場合、基板の大きさに制約されるため
光学装置の多素子化および大面積化が困難であった。た
とえ、プラズマCVD(Chemical Vapor D−eposition)法
によるアモルファスシリコンを半導体層として用いた場
合でも、アモルファスシリコンを均質に作ることが難し
いためやはり多素子化および大面積化が困難であった。
また、液晶表示部は偏光板を用いているため視野角が狭
く見にくいという問題もあった。
In the conventional liquid crystal display device with built-in FET element, the FET element part and the display part are composed of different inorganic and organic materials, which complicates the manufacturing process and also the device structure itself. Therefore, there is a problem that the manufacturing cost becomes high. Further, when a single crystal plate or a polycrystalline plate of an inorganic semiconductor is used for the FET element portion, it is difficult to increase the number of elements and the area of the optical device because the size of the substrate is restricted. Even if amorphous silicon formed by a plasma CVD (Chemical Vapor D-eposition) method is used as a semiconductor layer, it is difficult to form amorphous silicon uniformly, and thus it is difficult to increase the number of elements and increase the area.
Further, since the liquid crystal display section uses a polarizing plate, there is a problem that the viewing angle is narrow and it is difficult to see.

一方、従来のECD素子は視野角が広く見やすいものの、F
ET素子を内蔵していないため多素子化が困難であった。
On the other hand, although the conventional ECD element has a wide viewing angle and is easy to see,
It was difficult to make multiple elements because it had no built-in ET element.

本発明は上記のような問題点を解消するためになされた
もので、その基本構造が簡単であり、装置の製造プロセ
スが簡略化でき、製造コストを低減化でき、また同時に
装置の多素子化と大面積化をも可能にする光学装置を得
ることを目的としたものである。
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and has a simple basic structure, can simplify the manufacturing process of the device, can reduce the manufacturing cost, and at the same time can increase the number of elements of the device. The purpose of the present invention is to obtain an optical device capable of increasing the area.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

この発明に係る光学装置は、FET素子部の半導体層と電
気化学セル部の変色反応を起こす部分とにπ−共役系高
分子を用いると共に、FET素子部のゲートと電気化学セ
ル部の対極とに印加する電圧により上記変色反応を制御
するようにしたものである。
The optical device according to the present invention uses a π-conjugated polymer for the semiconductor layer of the FET element part and the part that causes the color change reaction of the electrochemical cell part, and also the gate of the FET element part and the counter electrode of the electrochemical cell part. The color change reaction is controlled by the voltage applied to the.

〔作用〕[Action]

この発明においては、FET素子部の半導体層と表示部の
着色材料を有機のπ−共役系高分子で構成したことによ
り、一般にπ−共役系高分子は無機半導体の単結晶板や
多結晶板、およびアモルファスシリコンと異なり、容易
に均一な薄膜を得やすいことからFET素子部の半導体層
の形成が容易となり、また、表示部でもπ−共役系高分
子を用いるため基本素子構造も簡単になる。従って、装
置の多素子化および大面積化が容易になり、装置を安価
に製造できる。
In the present invention, since the semiconductor layer of the FET element part and the coloring material of the display part are made of organic π-conjugated polymer, the π-conjugated polymer is generally an inorganic semiconductor single crystal plate or polycrystalline plate. , And unlike amorphous silicon, it is easy to obtain a uniform thin film, which facilitates the formation of the semiconductor layer of the FET element part, and also simplifies the basic element structure because the π-conjugated polymer is used in the display part. . Therefore, it becomes easy to increase the number of elements and the area of the device, and the device can be manufactured at low cost.

また、本発明においては表示部に液晶表示素子を用いず
にπ−共役系高分子を用いた電気化学的な表示素子すな
わちECD素子を用いており、かつFET素子を付属させてい
ることから、視野角が広く見やすく、またマトリクス駆
動が可能であり、多素子化が容易である。
Further, in the present invention, without using a liquid crystal display element in the display unit, an electrochemical display element using a π-conjugated polymer, that is, an ECD element is used, and since an FET element is attached, It has a wide viewing angle, is easy to see, can be driven by a matrix, and can easily have multiple elements.

すなわち、本発明においてはFET素子を内蔵した液晶表
示装置とECD素子との両者の長所が取り入れられると共
に、基本素子構造が簡単化し、製造コストが低減する。
That is, in the present invention, the advantages of both the liquid crystal display device incorporating the FET element and the ECD element are incorporated, the basic element structure is simplified, and the manufacturing cost is reduced.

〔実施例〕〔Example〕

第1図はこの発明の一実施例による光学装置の断面図で
あり、図において、1は基板、2は基板1の片面に設け
られたゲート電極、3は基板1およびゲート電極2上に
設けられた絶縁膜、4は絶縁膜3上に設けられたソース
電極、5は同じく絶縁膜3上にソース電極4と分離して
設けられたドレイン電極、6は絶縁膜3,ソース電極4お
よびドレイン電極5上に設けられたπ−共役系高分子か
らなる半導体層である。これらのうち、2ないし6はFE
T素子の部分13を構成し、また7はFET素子の部分13を被
覆し後述する表示部と分離する保護膜である。また、8
はFET素子13のドレイン電極5を延長して形成した作用
極、9は電気化学的な変色反応を行うπ−共役系高分子
層、10は電解質を含む電解液、11は作用極8と対向する
透明電極、12はガラス板である。これら8ないし12は本
光学装置の表示部14を構成している。
FIG. 1 is a sectional view of an optical device according to an embodiment of the present invention, in which 1 is a substrate, 2 is a gate electrode provided on one surface of the substrate 1, and 3 is provided on the substrate 1 and the gate electrode 2. The insulating film 4 is a source electrode provided on the insulating film 3, 5 is a drain electrode provided on the insulating film 3 separately from the source electrode 4, and 6 is an insulating film 3, a source electrode 4 and a drain. It is a semiconductor layer made of π-conjugated polymer provided on the electrode 5. Of these, 2 to 6 are FE
A part 13 of the T element is formed, and 7 is a protective film which covers the part 13 of the FET element and separates it from the display part described later. Also, 8
Is a working electrode formed by extending the drain electrode 5 of the FET element 13, 9 is a π-conjugated polymer layer that undergoes an electrochemical color change reaction, 10 is an electrolyte solution containing an electrolyte, and 11 is facing the working electrode 8. The transparent electrode 12 is a glass plate. These 8 to 12 constitute the display unit 14 of the present optical device.

ここで、この実施例による装置に用いる材料としては以
下に述べるものがある。
Here, as materials used for the device according to this embodiment, there are the following materials.

基板1としてはガラスが一般に用いられるが、ポリエス
テルフィルム等の高分子膜を用いることもできる。FET
素子部13において、ゲート電極2としては、金,白金,
クロム,パラジウム,アルミニウム,インジウム等の金
属や、錫酸化物,酸化インジウム,インジウム・錫酸化
物(ITO)等を用いるのが一般的であるが、これら材料
を2つ以上あわせて用いてもよい。また、p型シリコン
やn型シリコン、あるいは導電性を有する有機系高分子
を用いてもよく、これらを利用する場合には基板1を省
略することができる。絶縁膜3および保護膜7として
は、酸化シリコン(SiO2),窒化シリコン,酸化アルミ
ニウム等の無機絶縁膜や、ポリエチレンやポリビリカル
バゾール,ポリフェニレンスルフィド,ポリパラキシレ
ン等の絶縁性高分子を用いるが、もちろんこれら材料を
2つ以上あわせて用いてもよい。
Although glass is generally used as the substrate 1, a polymer film such as a polyester film can also be used. FET
In the element portion 13, as the gate electrode 2, gold, platinum,
Metals such as chromium, palladium, aluminum and indium, tin oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO) and the like are generally used, but two or more of these materials may be used together. . Further, p-type silicon, n-type silicon, or an organic polymer having conductivity may be used, and when these are used, the substrate 1 can be omitted. As the insulating film 3 and the protective film 7, an inorganic insulating film of silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride, aluminum oxide or the like, or an insulating polymer such as polyethylene, polyvinylcarbazole, polyphenylene sulfide or polyparaxylene is used. Of course, two or more of these materials may be used in combination.

また、FET素子部13の半導体層6を形成するπ−共役系
高分子および表示部14の変色部9を形成するπ−共役系
高分子としては、ポリピロール,ポリ(N−置換ピロー
ル),ポリ(3,4−二置換ピロール),ポリチオフェ
ン,ポリ(3−置換チオフェン),ポリ(3,4−二置換
チオフェン),ポリアニリン,ポリアズレン,ポリピレ
ン,ポリカルバゾール,ポリ(N−置換カルバゾー
ル),ポリセレノフェン,ポリフラン,ポリベンゾチオ
フェン,ポリ(フェニレンビニレン),ポリベンゾフラ
ン,ポリ(パラフェニレン),ポリインドール,ポリイ
ソチオナフテン,ポリピリダジン,ポリジアセチレン類
のいずれも使用可能であるが、特性上は複素五員環を有
するπ−共役系高分子が良く、一般式 (ただし、XはSおよびO原子の内の一種、R1およびR2
は−H,−COOH,−CmH2m+1,−OCmH2m+1,および−COOCmH
2m+1基の内から選ばれる一種、mは1ないし10の整数、
nは整数) 並びに一般式 (ただし、R1およびR2は−H,−COOH,−CmH2m+1,−OCmH
2m+1,および−COOCmH2m+1基の内から選ばれる一種、R3
は−H,−CH3,−C2H5,−C3H7および の内から選ばれる一種、mは1ないし10の整数、nは整
数) で示されるものが好んで用いられ、これらを2つ以上あ
わせても用いられる。
Further, as the π-conjugated polymer forming the semiconductor layer 6 of the FET element part 13 and the π-conjugated polymer forming the color changing part 9 of the display part 14, polypyrrole, poly (N-substituted pyrrole), poly (3,4-disubstituted pyrrole), polythiophene, poly (3-substituted thiophene), poly (3,4-disubstituted thiophene), polyaniline, polyazulene, polypyrene, polycarbazole, poly (N-substituted carbazole), polyseleno Any of phen, polyfuran, polybenzothiophene, poly (phenylene vinylene), polybenzofuran, poly (paraphenylene), polyindole, polyisothionaphthene, polypyridazine, and polydiacetylene can be used, but they are complex in characteristics. A π-conjugated polymer having a five-membered ring is preferable, and a general formula (However, X is one of S and O atoms, R 1 and R 2
Is -H, -COOH, -C m H 2m + 1 , -OC m H 2m + 1 , and -COOC m H
One selected from 2m + 1 groups, m is an integer from 1 to 10,
n is an integer) and general formula (However, R 1 and R 2 are -H, -COOH, -C m H 2m + 1 , -OC m H
2m + 1 , and one selected from the group --COOC m H 2m + 1 , R 3
It is -H, -CH 3, -C 2 H 5, -C 3 H 7, and One selected from among these, m is an integer of 1 to 10 and n is an integer) is preferably used, and two or more of these may be used together.

π−共役系高分子はそれ自身では通常絶縁体であるが、
適当な電子受容体、例えば過塩素酸イオンやテトラフル
オロボレートイオン,スルホン酸イオンなどをドーピン
グすることによってp型半導体にすることができ、その
電導度も絶縁体領域から金属領域まで幅広く制御するこ
とができる(工業材料,第34巻,第4号,55頁,1986
年)。この実施例のFET素子部13においては、π−共役
系高分子に極く少量のドーピングをしてp型半導体性を
付与したものが好ましく用いられる。
The π-conjugated polymer is usually an insulator by itself,
A p-type semiconductor can be obtained by doping an appropriate electron acceptor such as perchlorate ion, tetrafluoroborate ion, sulfonate ion, etc., and its conductivity can be controlled widely from the insulator region to the metal region. (Industrial materials, Volume 34, No. 4, p. 55, 1986
Year). In the FET element portion 13 of this embodiment, it is preferable to use a π-conjugated polymer which is doped with an extremely small amount to impart p-type semiconductor properties.

ソース電極4およびドレイン電極5としては、金,白
金,クロム,パラジウム等が一般的に用いられるが、も
ちろんこれらに限られるものではなく、場合によっては
錫酸化物,酸化インジウム,インジウム・錫酸化物(IT
O)や導電性を有する有機系高分子を用いてもよい。
As the source electrode 4 and the drain electrode 5, gold, platinum, chromium, palladium, etc. are generally used, but of course, the material is not limited to these, and tin oxide, indium oxide, indium tin oxide may be used in some cases. (IT
O) or an organic polymer having conductivity may be used.

上記FET素子部13のπ−共役系高分子の薄膜6をゲート
電極2,絶縁膜3,ソース電極4,ドレイン電極5により構成
された中間部材の上に形成する方法としては、電気化学
的重合法(電解重合法),化学的重合法(化学酸化重合
法),スピンコート法、蒸着法,または触媒を用いた気
相重合法を用いる。
As a method of forming the π-conjugated polymer thin film 6 of the FET element portion 13 on the intermediate member composed of the gate electrode 2, the insulating film 3, the source electrode 4, and the drain electrode 5, an electrochemical weight is used. A synthetic method (electrolytic polymerization method), a chemical polymerization method (chemical oxidative polymerization method), a spin coating method, a vapor deposition method, or a gas phase polymerization method using a catalyst is used.

例えば、電解重合法で複素五員環を有するπ−共役系高
分子膜を形成するには、この複素五員環を有するπ−共
役系高分子に相当するモノマーおよび支持電解質を有機
溶媒または水に溶かし反応溶液とし、上記ソース電極4
およびドレイン電極5(作用極8)の内の少なくとも一
方を作用電極とし、例えば白金などの対極との間に電流
を通じて重合反応を起こさせて作用電極近傍上に所望の
複素五員環を有するπ−共役系高分子を析出させ、析出
した複素五員環を有するπ−共役系高分子膜をよく洗浄
した後、窒素雰囲気中で乾燥するという方法を用いる。
この場合、析出した複素五員環を有するπ−共役系高分
子膜6は反応時に支持電解質のアニオンがドーピングさ
れてp型有機半導体となり、またソース電極4およびド
レイン電極5間の距離は充分短いため、両電極間の絶縁
膜3も複素五員環を有するπ−共役系高分子膜6によっ
て被覆され、両電極はp型有機半導体膜6によって電気
的につながる。またこのp型有機半導体膜6は、電解重
合後に電気化学的にドーピング量をコントロールしてFE
T素子に適した電導度に変化させることができる。ここ
で、有機溶媒としては、支持電解質および上記モノマー
を溶解させるものならよく、例えばアセトニトリル、ニ
トロベンゼン、ベンゾニトリル、ニトロメタン、N,N−
ジメチルホルムアミド(DMF)、ジメチルスルホキシド
(DMSO)、ジクロロメタン、テトラヒドロフラン、エチ
ルアルコール、およびメチルアルコール等の極性溶媒が
単独にまたは2種以上の混合溶媒として好ましく用いら
れる。また、上記溶媒と水との混合溶媒でも使用可能で
ある。支持電解質は、電解重合時にそれ自身が酸化また
は還元反応を受けず、かつ溶媒中に溶解させることによ
って溶液に電導性を付与することのできる物質であり、
例えば、過塩素酸テトラアルキルアンモニウム塩,テト
ラアルキルアンモニウムテトラフルオロボレート塩,テ
トラアルキルアンモニウムヘキサフルオロホスフェート
塩,テトラアルキルアンモニウムパラトルエンスルホネ
ート塩,および水酸化ナトリウム等が用いられるが、も
ちろん2種以上を併用しても構わない。
For example, in order to form a π-conjugated polymer film having a five-membered heterocyclic ring by an electrolytic polymerization method, a monomer corresponding to the π-conjugated polymer having a five-membered heterocyclic ring and a supporting electrolyte are mixed with an organic solvent or water. The above-mentioned source electrode 4
At least one of the drain electrode 5 (working electrode 8) is used as a working electrode, and a desired hetero five-membered ring is present in the vicinity of the working electrode by causing a polymerization reaction by passing an electric current between the working electrode and a counter electrode such as platinum. -A method is used in which a conjugated polymer is deposited, the deposited? -Conjugated polymer film having a hetero five-membered ring is thoroughly washed, and then dried in a nitrogen atmosphere.
In this case, the precipitated π-conjugated polymer film 6 having a hetero five-membered ring is doped with anions of the supporting electrolyte during the reaction to become a p-type organic semiconductor, and the distance between the source electrode 4 and the drain electrode 5 is sufficiently short. Therefore, the insulating film 3 between both electrodes is also covered with the π-conjugated polymer film 6 having a five-membered heterocyclic ring, and both electrodes are electrically connected by the p-type organic semiconductor film 6. In addition, this p-type organic semiconductor film 6 is formed by controlling the doping amount electrochemically after electrolytic polymerization.
The conductivity can be changed to be suitable for the T element. Here, as the organic solvent, any solvent capable of dissolving the supporting electrolyte and the above-mentioned monomer may be used, for example, acetonitrile, nitrobenzene, benzonitrile, nitromethane, N, N-
Polar solvents such as dimethylformamide (DMF), dimethylsulfoxide (DMSO), dichloromethane, tetrahydrofuran, ethyl alcohol, and methyl alcohol are preferably used alone or as a mixed solvent of two or more kinds. Also, a mixed solvent of the above solvent and water can be used. The supporting electrolyte is a substance that itself does not undergo an oxidation or reduction reaction during electrolytic polymerization, and can impart conductivity to a solution by being dissolved in a solvent,
For example, tetraalkylammonium perchlorate salt, tetraalkylammonium tetrafluoroborate salt, tetraalkylammonium hexafluorophosphate salt, tetraalkylammonium paratoluenesulfonate salt, sodium hydroxide and the like are used, but of course two or more kinds are used together. It doesn't matter.

次に、化学酸化重合法で複素五員環を有するπ−共役系
高分子膜を形成するには、脱イオン水または脱イオン水
と有機溶媒との混合溶媒または有機溶媒に開始剤として
所定量の酸化剤を溶解させ、これを充分脱酸素した溶液
を準備した後に、この溶液中に上記複素五員環を有する
π−共役系高分子に相当するモノマーを所定量添加し、
モノマーの重合を行う。このとき、あらかじめゲート電
極2,絶縁膜3,ソース電極4,ドレイン電極5,および作用電
極8を設けておいた基板1、すなわち中間部材をこの溶
液中に少なくとも5分以上浸し、複素五員環を有するπ
−共役系高分子の重合膜6および9をFET素子部13上お
よび表示部14上に形成させる。この際、少量の酸化剤ま
たはアニオンが複素五員環を有するπ−共役系高分子膜
6および9中にドーピングされ、この後必要に応じ適当
なドーピング法または電気化学的ドーピングによって所
望の電導度を有するp型のπ−共役系高分子膜とするこ
ともできる。なお、上記溶液中にモノマーを添加した後
直ちに、あるいは同時に、上記中間部材をこの溶液中に
浸してもよい。この方法は、膜厚制御性や膜の均一性に
優れ、かつ膜形成と同時にFETに適した電導度が得られ
易い。ここで開始剤としては塩化第二鉄,フェリシアン
化カリウム等が用いられるが、もちろんこれらに限るわ
けではない。開始剤の酸化還元電位がモノマーの重合開
始電位より高いすべての酸化剤を用いることができる。
Next, in order to form a π-conjugated polymer film having a five-membered heterocyclic ring by the chemical oxidative polymerization method, deionized water or a mixed solvent of deionized water and an organic solvent or an organic solvent in a predetermined amount as an initiator is used. Of the oxidizer, and after preparing a solution sufficiently deoxygenated, a predetermined amount of a monomer corresponding to the π-conjugated polymer having a hetero five-membered ring is added to the solution,
Polymerize the monomers. At this time, the substrate 1 on which the gate electrode 2, the insulating film 3, the source electrode 4, the drain electrode 5, and the working electrode 8 are provided in advance, that is, the intermediate member is immersed in this solution for at least 5 minutes or more to form a complex five-membered ring. Has π
-Polymerized films 6 and 9 of conjugated polymer are formed on the FET element part 13 and the display part 14. At this time, a small amount of an oxidizing agent or anion is doped into the π-conjugated polymer films 6 and 9 having a five-membered heterocyclic ring, and then a desired conductivity is obtained by a suitable doping method or electrochemical doping if necessary. It is also possible to use a p-type π-conjugated polymer film having The intermediate member may be immersed in the solution immediately after or simultaneously with the addition of the monomer to the solution. This method is excellent in film thickness controllability and film uniformity, and it is easy to obtain conductivity suitable for FET simultaneously with film formation. Here, ferric chloride, potassium ferricyanide, or the like is used as the initiator, but the initiator is not limited to these. It is possible to use all oxidizing agents whose redox potential of the initiator is higher than the polymerization initiation potential of the monomer.

この他、スピンコート法では可溶性π−共役系ポリマー
を溶媒に溶かし、上記中間部材上にスピンコートするだ
けで均一なπ−共役系ポリマー膜6および9が作製でき
る。また、蒸着法では可蒸着性π−共役系ポリマーを蒸
着源として上記中間部材上に蒸着するだけで均一なπ−
共役系ポリマー膜6および9が作製できる。さらに、あ
らかじめ触媒を塗布した上記中間部材上へモノマーガス
を導入して、重合させるという気相重合法も用いられ
る。
Besides, in the spin coating method, the uniform π-conjugated polymer films 6 and 9 can be prepared only by dissolving a soluble π-conjugated polymer in a solvent and spin-coating it on the intermediate member. Further, in the vapor deposition method, a vaporizable π-conjugated polymer is used as a vapor deposition source to deposit a uniform π-conjugate polymer on the intermediate member.
The conjugated polymer films 6 and 9 can be produced. Furthermore, a gas phase polymerization method in which a monomer gas is introduced onto the above-mentioned intermediate member coated with a catalyst in advance to carry out polymerization is also used.

また、表示部14においてFET素子のドレイン電極5を延
長した電極8は、充分な電導度を有し電解液10に不溶で
あるものならば何でも良く、金,白金,クロム,アルミ
ニウムなどの金属や、錫酸化物,酸化インジウム,イン
ジウム・錫酸化物(ITO)などの透明電極、p型シリコ
ンやn型シリコン、あるいは導電性を有する有機系高分
子などを用いる。もちろんこれら材料を2つ以上組み合
せて用いてもよい。ガラス板12上の電極11としては、錫
酸化物,酸化インジウム,インジウム・錫酸化物(IT
O)などの透明電極を用いるのが一般的である。また、
適度の透明度を有する導電性有機系高分子を用いてもよ
い。あるいはこれら材料を2つ以上あわせて用いてもよ
い。電解液10としては、表示部14のπ−共役系高分子9
に電気化学的な変色反応を起こさせられるものなら何で
も良く、例えば上記π−共役系高分子6および9の電解
重合に用いることのできる溶液でモノマーを含まないも
のや、ナフィオンなどのイオン交換膜からなる固体電解
質でドーパントとして機能するイオン種を含むものなど
が使用できる。
Further, in the display portion 14, the electrode 8 obtained by extending the drain electrode 5 of the FET element may be any one as long as it has sufficient electric conductivity and is insoluble in the electrolyte solution 10, such as a metal such as gold, platinum, chromium or aluminum. , A transparent electrode such as tin oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), p-type silicon or n-type silicon, or an organic polymer having conductivity is used. Of course, two or more of these materials may be used in combination. As the electrode 11 on the glass plate 12, tin oxide, indium oxide, indium tin oxide (IT
It is common to use transparent electrodes such as O). Also,
A conductive organic polymer having an appropriate transparency may be used. Alternatively, two or more of these materials may be used together. As the electrolyte solution 10, the π-conjugated polymer 9 of the display unit 14 is used.
May be any that can cause an electrochemical color change reaction, for example, a solution that can be used for the electrolytic polymerization of the π-conjugated polymers 6 and 9 and does not contain a monomer, or an ion exchange membrane such as Nafion. It is possible to use, for example, a solid electrolyte composed of (1) containing an ionic species that functions as a dopant.

以上は、FET素子部13と表示部14に同一のπ−共役系高
分子を用いる場合を説明したが、FET素子部13で用いる
π−共役系高分子と表示部14で用いるπ−共役系高分子
は異なっていても良く、FET素子特性,表示特性の観点
から、種々のπ−共役系高分子の中から適宜選択でき
る。FET素子部13と表示部14に異なるπ−共役系高分子
(A)および(B)を用いる場合にも、上記π−共役系
高分子膜の作製法すなわち電解重合法,化学酸化重合
法,スピンコート法,蒸着法,気相重合法等が用いられ
る。FET素子部13と表示部14に同一のπ−共役系高分子
を用いる場合は、電気化学的に変色反応を起こすπ−共
役系高分子を用いる必要がある。これに対し、FET素子
部13と表示部14に異なるπ−共役系高分子を用いる場合
には、表示部14に用いるπ−共役系高分子は電気化学的
に変色反応を起こす必要があるが、FET素子部13に用い
られるπ−共役系高分子にはこの特性は特に要求されな
い。
Although the case where the same π-conjugated polymer is used for the FET element section 13 and the display section 14 has been described above, the π-conjugated system polymer used in the FET element section 13 and the π-conjugated system used in the display section 14 are described. The polymers may be different and can be appropriately selected from various π-conjugated polymers from the viewpoint of FET device characteristics and display characteristics. Even when different π-conjugated polymer (A) and (B) are used for the FET element portion 13 and the display portion 14, the above-mentioned π-conjugated polymer film is produced by the electrolytic polymerization method, the chemical oxidation polymerization method, Spin coating, vapor deposition, vapor phase polymerization, etc. are used. When the same π-conjugated polymer is used for the FET element portion 13 and the display portion 14, it is necessary to use a π-conjugated polymer that causes a color change reaction electrochemically. On the other hand, when different π-conjugated polymers are used for the FET element unit 13 and the display unit 14, the π-conjugated polymer used for the display unit 14 needs to electrochemically cause a color change reaction. This characteristic is not particularly required for the π-conjugated polymer used in the FET element unit 13.

上記のように構成された光学装置のFET素子13において
その動作機構は不明な点が多いが、π−共役系高分子6
がp型の時にはπ−共役系高分子膜6と絶縁膜3の界面
において、π−共役系高分子膜6側に形成するホールの
蓄積層の幅がゲート電極2とソース電極4との間にかけ
た電圧で制御され、従って実効的なホールのチャネル断
面積が変化するためにソース電極4とドレイン電極5の
間の抵抗が変化すると考えられる。また、π−共役系高
分子膜6がn型の時には、π−共役系高分子膜6と絶縁
膜3の界面においてπ−共役系高分子膜6側に形成する
電子の蓄積層の幅がゲート電極2とソース電極4との間
にかけた電圧で制御され、従って実効的な電子のチャネ
ル断面積が変化するためにソース電極4とドレイン電極
5の間の抵抗が変化すると考えられる。また、FET素子1
3に用いられるπ−共役系高分子膜6として電導度の低
い半導体性しか持たせていない場合には、ゲート電極2
としては金属電極以外にp型シリコンやn型シリコン、
あるいは導電性を有する有機系高分子等の電導度の大き
い材料を用いても、π−共役系高分子膜6中にチャネル
が形成されて電界効果が現れると考えられる。
The operating mechanism of the FET element 13 of the optical device configured as described above is unclear in many cases, but the π-conjugated polymer 6
Is p-type, at the interface between the π-conjugated polymer film 6 and the insulating film 3, the width of the hole accumulation layer formed on the π-conjugated polymer film 6 side is between the gate electrode 2 and the source electrode 4. It is considered that the resistance between the source electrode 4 and the drain electrode 5 changes due to the change in the effective channel cross section of the hole controlled by the applied voltage. When the π-conjugated polymer film 6 is n-type, the width of the electron accumulation layer formed on the π-conjugated polymer film 6 side at the interface between the π-conjugated polymer film 6 and the insulating film 3 is small. It is considered that the resistance between the source electrode 4 and the drain electrode 5 changes because it is controlled by the voltage applied between the gate electrode 2 and the source electrode 4, and therefore the effective electron channel cross-sectional area changes. In addition, FET element 1
In the case where the π-conjugated polymer film 6 used in 3 has only semiconductivity with low electric conductivity, the gate electrode 2
In addition to metal electrodes, p-type silicon and n-type silicon,
Alternatively, it is considered that a channel is formed in the π-conjugated polymer film 6 and an electric field effect appears even when a material having a high conductivity such as an organic polymer having conductivity is used.

この実施例においては、上記FET素子13と表示部14は直
列に接続されている。FET素子部13におけるπ−共役系
高分子6がp型である時を例に、以下動作を説明する。
ソース電極4を基準としてゲート電極2に負電圧を印加
しておき、透明電極11に正または負の電圧を印加する
と、表示部14のπ−共役系高分子9が変色反応を起こ
す。これは第4図にその特性の一例を示す(図中、実線
はゲート電圧が負の場合、破線はゲート電圧が正の場合
を示す)ように、FET素子13のソース・ドレイン電極4
・5間の抵抗がゲート電極2への負電圧印加により減少
し、FET素子13と直列につながった表示部14の作用極8
と対極11の間に電圧がかかってπ−共役系高分子9が電
気化学的酸化還元反応を起こすためである。一般に、π
−共役系高分子は電気化学的な酸化還元反応に伴って変
色反応を起こす。色を元に戻すためにはゲート電極2に
負電圧を印加しておき、透明電極11に変色時とは逆向き
の電圧を印加すれば良い。一方、ソース電極4を基準と
してゲート電極2に正電圧を印加したまま、透明電極11
に正または負の電圧を印加しても表示部14のπ−共役系
高分子9の色は変化しない。これは第4図に示すように
FET素子13のソース・ドレイン電極4・5間の抵抗が高
まり、電圧降下によってFET素子13と直列につながった
表示部14の作用極8と対極11の間に電圧がかからなくな
り、電気化学的な酸化還元反応が起こらなくなるためで
あると考えられる。
In this embodiment, the FET element 13 and the display section 14 are connected in series. The operation will be described below by taking as an example the case where the π-conjugated polymer 6 in the FET element unit 13 is p-type.
When a negative voltage is applied to the gate electrode 2 with reference to the source electrode 4 and a positive or negative voltage is applied to the transparent electrode 11, the π-conjugated polymer 9 in the display unit 14 causes a color change reaction. This is shown in FIG. 4 as one example of its characteristics (in the figure, the solid line shows the case where the gate voltage is negative, and the broken line shows the case where the gate voltage is positive).
The resistance between 5 decreases by applying a negative voltage to the gate electrode 2, and the working electrode 8 of the display unit 14 connected in series with the FET element 13
This is because the voltage is applied between the counter electrode 11 and the counter electrode 11 and the π-conjugated polymer 9 causes an electrochemical redox reaction. In general, π
-The conjugated polymer causes a color change reaction along with an electrochemical redox reaction. To restore the color, a negative voltage may be applied to the gate electrode 2 and a voltage opposite to that at the time of color change may be applied to the transparent electrode 11. On the other hand, while the positive voltage is applied to the gate electrode 2 with the source electrode 4 as a reference, the transparent electrode 11
Even if a positive or negative voltage is applied to, the color of the π-conjugated polymer 9 of the display unit 14 does not change. This is as shown in FIG.
The resistance between the source / drain electrodes 4 and 5 of the FET element 13 increases, and no voltage is applied between the working electrode 8 and the counter electrode 11 of the display unit 14 which is connected in series with the FET element 13 due to the voltage drop. It is considered that this is because no special redox reaction occurs.

以上のように、この実施例による光学装置はFET素子部1
3のゲート電圧を変えることにより表示部14の変色反応
の可否を制御できる。従って、本光学素子はいわゆるマ
トリクス駆動が可能になり、多素子化および大面積化が
可能になる。また、表示部14にπ−共役系高分子を用い
た電気化学的な表示素子すなわちECD素子を用いている
ことにより基本素子構造も簡単になり、安価に製造で
き、視野角が広く見やすくなる。
As described above, the optical device according to this embodiment has the FET element unit 1
By changing the gate voltage of 3, it is possible to control whether or not the discoloration reaction of the display unit 14 is possible. Therefore, the present optical element can be so-called matrix driven, and can have multiple elements and a large area. Further, by using an electrochemical display element using a π-conjugated polymer, that is, an ECD element, in the display unit 14, the basic element structure is simplified, can be manufactured at low cost, and the viewing angle is wide and easy to see.

なお、上記実施例では基板1上にゲート電極2が設けら
れているが、基板上にπ−共役系高分子膜を設け、その
上にソース電極およびこのソース電極と分離してドレイ
ン電極を設け、このソース電極とドレイン電極との間に
絶縁膜を介在させてゲート電極を設けてもよい。もちろ
ん、FET素子部は保護膜で電解液と分離する必要があ
る。
Although the gate electrode 2 is provided on the substrate 1 in the above embodiment, the π-conjugated polymer film is provided on the substrate, and the source electrode and the drain electrode separately from the source electrode are provided thereon. A gate electrode may be provided with an insulating film interposed between the source electrode and the drain electrode. Of course, the FET element part needs to be separated from the electrolytic solution by a protective film.

あるいは、基板上にゲート電極を設け、絶縁膜を介在さ
せて、その上にπ−共役系高分子膜を設け、さらにその
上にソース電極およびこのソース電極と分離してドレイ
ン電極を設けてもよい。あるいはまた、基板上にソース
電極およびこのソース電極と分離してドレイン電極を設
け、この上にπ−共役系高分子膜を設け、さらに絶縁膜
を介在させてゲート電極を設けてもよい。いずれの場合
もやはりFET素子部は保護膜で電解液と分離する必要が
ある。
Alternatively, a gate electrode may be provided on a substrate, an insulating film may be interposed, a π-conjugated polymer film may be provided thereon, and a source electrode and a drain electrode separate from the source electrode may be provided thereon. Good. Alternatively, a source electrode and a drain electrode may be provided on the substrate separately from the source electrode, a π-conjugated polymer film may be provided thereon, and a gate electrode may be provided with an insulating film interposed. In either case, the FET element section must be separated from the electrolytic solution by a protective film.

また、上記実施例による光学装置は、表示部14の色が変
化することによる表示装置として用いることができるほ
か、この表示部14の変色が無色透明と着色との間の変色
である場合は光学シャッタとして用いることもできる。
Further, the optical device according to the above embodiment can be used as a display device by changing the color of the display unit 14, and when the color change of the display unit 14 is a color change between colorless and transparent and colored, the optical device is used. It can also be used as a shutter.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上のように、この発明に係る光学装置によれば、FET
素子部の半導体層と表示部の変色層をπ−共役系高分子
で構成し、FET素子部と表示部とを一体化させたので、
基本単位構造が簡単になり安価に作製でき、しかも多素
子化や大面積化が可能となる効果がある。
As described above, according to the optical device of the present invention, the FET
Since the semiconductor layer of the element section and the color-changing layer of the display section are made of π-conjugated polymer, and the FET element section and the display section are integrated,
The basic unit structure is simple and can be manufactured at low cost, and moreover, it is possible to increase the number of elements and the area.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図はこの発明の一実施例による光学装置を示す断面
側面図、第2図は従来のFET素子を内蔵した液晶表示装
置を示す断面側面図、第3図は従来のECD素子を示す断
面側面図、第4図はp型のπ−共役系高分子膜を用いた
FET素子の電流−電圧特性図である。 1は基板、2はゲート電極、3はゲート絶縁膜、4はソ
ース電極、5はドレイン電極、6はFET素子の半導体
層、7はFET素子の保護膜、8は表示部の作用極、9は
π−共役系高分子からなる変色層、10は電解液、11は透
明電極、12はガラス板、13はFET素子部、14は表示部、1
5は液晶表示素子の液晶層、16は偏光板付ガラス板、17
はドレイン電極と透明電極の一方を電気的に接続する配
線、18はECD素子の変色反応を起こす化学物質である。 なお、図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
1 is a sectional side view showing an optical device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a sectional side view showing a liquid crystal display device incorporating a conventional FET element, and FIG. 3 is a sectional view showing a conventional ECD element. The side view and FIG. 4 use a p-type π-conjugated polymer film.
It is a current-voltage characteristic view of a FET element. 1 is a substrate, 2 is a gate electrode, 3 is a gate insulating film, 4 is a source electrode, 5 is a drain electrode, 6 is a semiconductor layer of an FET element, 7 is a protective film of an FET element, 8 is a working electrode of a display portion, 9 Is a color change layer made of a π-conjugated polymer, 10 is an electrolytic solution, 11 is a transparent electrode, 12 is a glass plate, 13 is a FET element part, 14 is a display part, 1
5 is a liquid crystal layer of the liquid crystal display device, 16 is a glass plate with a polarizing plate, 17
Is a wiring that electrically connects one of the drain electrode and the transparent electrode, and 18 is a chemical substance that causes a color change reaction of the ECD element. The same reference numerals in the drawings indicate the same or corresponding parts.

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】ソース電極とドレイン電極間の電流通路で
あり、第1のπ−共役系高分子からなる半導体層の電導
度を絶縁薄膜を介してゲート電圧によって制御する電界
効果型トランジスタ部と、 上記電界効果型トランジスタ部のドレイン電極より延長
して形成される作用極と、該作用極の対極と、該2極間
の電解液層と、上記作用極を被覆して形成され電気化学
的に変色反応を行う第2のπ−共役系高分子とからなる
電気化学セル部との2つの部分から構成される光学装置
であって、 上記電界効果型トランジスタ部のゲートに印加する電圧
と上記電気化学セル部の対極に印加する電圧をそれぞれ
変化させて、上記第2のπ−共役系高分子の電気化学的
変色反応を制御することを特徴とする光学装置。
1. A field effect transistor part which is a current path between a source electrode and a drain electrode, and which controls the conductivity of a semiconductor layer made of a first π-conjugated polymer by a gate voltage through an insulating thin film. A working electrode formed to extend from the drain electrode of the field effect transistor section, a counter electrode of the working electrode, an electrolyte layer between the two electrodes, and an electrochemical electrode formed by covering the working electrode. An optical device comprising two parts, an electrochemical cell part composed of a second π-conjugated polymer that undergoes a color change reaction, and a voltage applied to the gate of the field effect transistor part and An optical device characterized in that an electrochemical color change reaction of the second π-conjugated polymer is controlled by changing the voltage applied to the counter electrode of the electrochemical cell section.
【請求項2】上記第1のπ−共役系高分子と上記第2の
π−共役系高分子とが異なることを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載の光学装置。
2. The optical device according to claim 1, wherein the first .pi.-conjugated polymer is different from the second .pi.-conjugated polymer.
【請求項3】上記第1のπ−共役系高分子と上記第2の
π−共役系高分子とが同じであることを特徴とする特許
請求の範囲第1項記載の光学装置。
3. The optical device according to claim 1, wherein the first π-conjugated polymer is the same as the second π-conjugated polymer.
【請求項4】上記第1および第2のπ−共役系高分子の
少なくとも一方が複素五員環を有するπ−共役系高分子
であることを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第
3項のいずれかに記載の光学装置。
4. At least one of the first and second π-conjugated polymers is a π-conjugated polymer having a five-membered heterocyclic ring. Item 3. The optical device according to any one of items 3.
【請求項5】上記複素五員環を有するπ−共役系高分子
が一般式 (ただし、XはSおよびO原子の内の一種、R1およびR2
は−H,−COOH,−CmH2m+1,−OCmH2m+1,および−COOCmH
2m+1の内の一種、mは1ないし10の整数、nは整数であ
る)で示されるものであることを特徴とする特許請求の
範囲第4項記載の光学装置。
5. The π-conjugated polymer having the above-mentioned five-membered heterocyclic ring has the general formula (However, X is one of S and O atoms, R 1 and R 2
Is -H, -COOH, -C m H 2m + 1 , -OC m H 2m + 1 , and -COOC m H
The optical device according to claim 4, wherein one of 2m + 1 , m is an integer of 1 to 10, and n is an integer.
【請求項6】上記複素五員環を有するπ−共役系高分子
が、一般式 (ただし、R1およびR2は−H,−COOH,−CmH2m+1,−OCmH
2m+1,および−COOCmH2m+1の内の一種、R3は−H,−C
H3,−C2H5,−C3H7の内の一種、mは1ないし10の整数、nは整数である)
で示されるものであることを特徴とする特許請求の範囲
第4項記載の光学装置。
6. The π-conjugated polymer having a five-membered heterocyclic ring has the general formula (However, R 1 and R 2 are -H, -COOH, -C m H 2m + 1 , -OC m H
2m + 1 , and one of --COOC m H 2m + 1 , R 3 is --H, --C
H 3, -C 2 H 5, -C 3 H 7, (M is an integer from 1 to 10 and n is an integer)
The optical device according to claim 4, characterized in that:
【請求項7】上記π−共役系高分子が可溶性π−共役系
高分子であることを特徴とする特許請求の範囲第1項な
いし第6項のいずれかに記載の光学装置。
7. The optical device according to any one of claims 1 to 6, wherein the π-conjugated polymer is a soluble π-conjugated polymer.
【請求項8】上記π−共役系高分子が可蒸着性π−共役
系高分子であることを特徴とする特許請求の範囲第1項
ないし第6項のいずれかに記載の光学装置。
8. The optical device according to any one of claims 1 to 6, wherein the π-conjugated polymer is a vapor-depositable π-conjugated polymer.
【請求項9】上記π−共役系高分子が電界重合により形
成されたπ−共役系高分子であることを特徴とする特許
請求の範囲第1項ないし第6項のいずれかに記載の光学
装置。
9. The optical system according to claim 1, wherein the π-conjugated polymer is a π-conjugated polymer formed by electric field polymerization. apparatus.
【請求項10】上記電気化学セル部の電解液層が電解質
を含む有機溶媒からなることを特徴とする特許請求の範
囲第1項ないし第9項のいずれかに記載の光学装置。
10. The optical device according to any one of claims 1 to 9, wherein the electrolytic solution layer of the electrochemical cell portion is made of an organic solvent containing an electrolyte.
【請求項11】上記電気化学セル部の電解液層が電解質
を含む水溶液からなることを特徴とする特許請求の範囲
第1項ないし第9項のいずれかに記載の光学装置。
11. The optical device according to any one of claims 1 to 9, wherein the electrolyte layer of the electrochemical cell portion is made of an aqueous solution containing an electrolyte.
【請求項12】上記電気化学セル部の電解液層が固体電
解質からなることを特徴とする特許請求の範囲第1項な
いし第9項のいずれかに記載の光学装置。
12. The optical device according to claim 1, wherein the electrolytic solution layer of the electrochemical cell portion is made of a solid electrolyte.
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