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JPH0795508B2 - Exposure equipment - Google Patents
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JPH0795508B2 - Exposure equipment - Google Patents

Exposure equipment

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JPH0795508B2
JPH0795508B2 JP62073160A JP7316087A JPH0795508B2 JP H0795508 B2 JPH0795508 B2 JP H0795508B2 JP 62073160 A JP62073160 A JP 62073160A JP 7316087 A JP7316087 A JP 7316087A JP H0795508 B2 JPH0795508 B2 JP H0795508B2
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light
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signal
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裕二 今井
成郎 村上
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、光源にパルス発光されるエキシマレーザを使
用して半導体装置を製造する露光装置に関する。
The present invention relates to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor device using a pulsed excimer laser as a light source.

(従来技術) 従来、ステッパーとして知られた露光装置にあっては、
光源として水銀ランプを使用しており、水銀ランプから
の光を露光照明系によりレチクル上に均一照明し、照明
されたレチクルパターンを結像レンズによりウェハース
テージに載置されたウェハー上に結像するようにしてい
る。
(Prior Art) In an exposure apparatus conventionally known as a stepper,
A mercury lamp is used as the light source, and the light from the mercury lamp is uniformly illuminated on the reticle by the exposure illumination system, and the illuminated reticle pattern is imaged on the wafer mounted on the wafer stage by the imaging lens. I am trying.

またレチクルとウェハーとを位置合わせするアライメン
ト計測手段として、水銀ランプからの光の一部をアライ
メント光として分割して結像レンズによりウェハー上の
アライメントマーク又はウェハーステージに設けたフィ
デュシャルマークに照射し、アライメントマークの反射
光による受光出力からアライメント位置を計測するよう
にしている。
Further, as alignment measuring means for aligning the reticle and the wafer, a part of the light from the mercury lamp is split as alignment light and the alignment mark on the wafer or the fiducial mark provided on the wafer stage is irradiated by the imaging lens. However, the alignment position is measured from the received light output by the reflected light of the alignment mark.

(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、このような従来の露光装置にあっては、
半導体装置の微細加工が進むにつれ、水銀ランプでは波
長が長くなることから微細化には限界があった。
(Problems to be Solved by the Invention) However, in such a conventional exposure apparatus,
As the microfabrication of semiconductor devices has progressed, the wavelength of mercury lamps has become longer, so there has been a limit to miniaturization.

そこで、近年にあっては、照明光を短波長化する光源と
してエキシマレーザの実用化が押し進められている。
Therefore, in recent years, practical use of excimer lasers has been promoted as a light source for shortening the wavelength of illumination light.

しかしながら、エキシマレーザは周知のようにパルス光
を発振するパルスレーザであり、例えばトリガ回路によ
り一定周期毎のトリガ信号を発生してパルス発光させる
ようしている。このためエキシマレーザからのパルス光
の一部を分割してアライメント光とした場合には、アラ
イメント光が得られるタイミングに同期したアライメン
ト計測が要求され、アライメント計測のためのウェハー
ステージの移動及びアライメント検出信号の記憶等を外
部からのトリガ信号に同期させなければならず、従来の
アライメント計測処理をトリガ同期に適合するように変
更しなければならないという問題があった。
However, as is well known, the excimer laser is a pulse laser that oscillates pulsed light, and for example, a trigger circuit generates a trigger signal at regular intervals to cause pulsed light emission. Therefore, when a part of the pulsed light from the excimer laser is divided into alignment light, alignment measurement synchronized with the timing at which the alignment light is obtained is required, and movement of the wafer stage and alignment detection for alignment measurement are required. There is a problem in that the storage of signals and the like must be synchronized with an external trigger signal, and the conventional alignment measurement process must be changed so as to be compatible with trigger synchronization.

(問題点を解決するための手段) 本発明は、このような状況に鑑みてなされたもので、エ
キシマレーザのようにパルス的に発光する光源を使用し
た露光装置において、光源からの光の一部をアライメン
ト光として使用するための発光タイミングのトリガ制御
をアライメント計測処理に依存して適切に行なえるよう
にした露光装置を提供することを目的とする。
(Means for Solving Problems) The present invention has been made in view of such a situation, and in an exposure apparatus using a light source that emits light in a pulsed manner such as an excimer laser, one of the light from the light source is used. It is an object of the present invention to provide an exposure apparatus capable of appropriately performing trigger control of light emission timing for using a part as alignment light depending on alignment measurement processing.

この目的を達成するため本発明にあっては、アライメン
計測の際にウェハーステージの位置を計測する干渉計等
の位置検出手段から得られる位置座標パルスを光源のパ
ルス発光及びアライメント計測のための基準パルスと
し、この基準パルスに基づいて光源をパルス発光するた
めのトリガ制御及びアライメント検出信号をデータとし
て取り込む処理を行なうようにしたものである。
To achieve this object, in the present invention, a position coordinate pulse obtained from a position detecting means such as an interferometer for measuring the position of the wafer stage at the time of alignment measurement is used as a reference for pulse emission of a light source and alignment measurement. The pulse is used as a pulse, and the trigger control for pulse-emitting the light source based on the reference pulse and the process of fetching the alignment detection signal as data are performed.

(作用) このような本発明の露光装置によれば、アライメント計
測で得られる位置座標パルスを基準パルスとしてエキシ
マレーザの発振トリガ及びアライメント検出信号の記憶
を行なうようにしたため、エキシマレーザの発振とアラ
イメントデータの取り込みに時間的なずれがなく、しか
もアライメント計測で得られる基準パルスによるエキシ
マレーザのトリガであることから、アライメント計測の
処理動作を中心としてエキシマレーザの発光制御がで
き、従来のアライメント装置の機能をほとんど変更する
ことなく、パルス的に発光する光源を使用したアライメ
ント位置計測を行なうことができる。
(Operation) According to the exposure apparatus of the present invention as described above, the position coordinate pulse obtained by the alignment measurement is used as a reference pulse to oscillate the excimer laser and store the alignment detection signal. Since there is no time lag in data acquisition and the excimer laser trigger is based on the reference pulse obtained in alignment measurement, it is possible to control the excimer laser emission centering on the alignment measurement processing operation. Alignment position measurement using a light source that emits light in a pulsed manner can be performed with almost no change in function.

(実施例) 図は本発明の一実施例を示したシステムブロック図であ
る。
(Embodiment) FIG. 1 is a system block diagram showing an embodiment of the present invention.

まず構成を説明すると、1はパルス的に発光する光源で
あり、具体的にはエキシマレーザが使用される。光源1
のパルス的な発光で射出された照明光SLは、ハーフミラ
ー2で反射される照明光SL′とハーフミラー2を透過す
るアライメント光ALとに分離される。照明光SL′は光学
系3で均一照明光とされ、レチクルR上に照明される。
一方、ハーフミラー2を透過したアライメント光ALは、
ミラー4、ビーム整形光学系5、ビームスプリッター
6、対物レンズ7、更にミラー8を通り、レチクルR上
に結像される。レチクルRを透過したアライメント光AL
は結像レンズ9を通り、ウェハーステージ10上に載置さ
れたウエハーW面上に再結像する。
First, the configuration will be described. 1 is a light source that emits light in a pulsed manner, and specifically, an excimer laser is used. Light source 1
The illumination light SL emitted by the pulsed light emission is separated into the illumination light SL ′ reflected by the half mirror 2 and the alignment light AL transmitted through the half mirror 2. The illumination light SL ′ is made uniform illumination light by the optical system 3 and illuminated on the reticle R.
On the other hand, the alignment light AL transmitted through the half mirror 2 is
An image is formed on the reticle R through the mirror 4, the beam shaping optical system 5, the beam splitter 6, the objective lens 7, and the mirror 8. Alignment light AL transmitted through reticle R
Passes through the image forming lens 9 and is re-imaged on the surface of the wafer W placed on the wafer stage 10.

ウェハーステージ10上にはウェハーWの他に、ウェハー
Wと同じ高さにアライメントの基準となるフィデュシャ
ルマークFMと、スリット状の光電変換素子11とが載置さ
れている。ウェハーW面又はフィデュシャルマークFM上
への再結像による戻り光は光学系を逆光し、ビームスプ
リッター6を透過した後、結像レンズ9の瞳位置9aと共
役な位置に配置された空間フィルター12で必要な信号成
分のみを透過させた後、集光レンズ13により光電変換素
子14上に結像される。光電変換素子14で光電変換された
アライメント信号はプリアンプ回路15で増幅された後、
A/D変換回路16に入力される。A/D変換回路16でA/D変換
されたアライメント信号はメモリ回路17に記憶された
後、マイクロコンピュータ18及び演算専用プロセッサ19
を用いて信号処理され、アライメント位置が求められ
る。
In addition to the wafer W, a fiducial mark FM serving as a reference for alignment and a slit-shaped photoelectric conversion element 11 are mounted on the wafer stage 10 at the same height as the wafer W. The returned light by re-imaging on the wafer W surface or the fiducial mark FM is backlit by the optical system, passes through the beam splitter 6, and then is placed in a position conjugate with the pupil position 9a of the imaging lens 9. Only the necessary signal component is transmitted by the filter 12, and then an image is formed on the photoelectric conversion element 14 by the condenser lens 13. After the alignment signal photoelectrically converted by the photoelectric conversion element 14 is amplified by the preamplifier circuit 15,
It is input to the A / D conversion circuit 16. The alignment signal A / D converted by the A / D conversion circuit 16 is stored in the memory circuit 17, and then the microcomputer 18 and the arithmetic processor 19 are provided.
The signal is processed by using, and the alignment position is obtained.

更に、この実施例にあっては、パルス的に発光する光源
1からの照明光SLを分離したアライメント光ALによるア
ライメント系の他に、別光源(例えばHe−Neレーザ等)
からのアライメント光AL′を用いたアライメント系が搭
載されている。この別光源からのアライメント光AL′
は、ビームスプリッター18、対物レンズ19、ミラー20,2
1、結像レンズ9を通り、ウェハーW面上に結像され
る。ウェハーW面又はフィデュシャルマークFM上のアラ
イメントマークからの戻り光は光学系を逆光し、ビーム
スプリッター18で反射された後、結像レンズ9の瞳位置
9aと共役な位置に配置された空間フィルター22で必要な
信号成分のみを透過後、集光レンズ23で光電変換素子24
上に結像される。光電変換素子24で光電変換されたアラ
イメント信号は、プリアンプ回路25で増幅された後、前
記のアライメント光ALの場合と同様に処理される。アラ
イメント光AL及びAL′を用いて得られた2系統のアライ
メント装置からのアライメント信号は、ウェハーステー
ジ10を一定距離移動する毎にステージ座標計測用の干渉
計26が発生するup/downパルスに同期して信号処理され
る。即ち、干渉計26の発生するup/downパルスに同期し
てステージコントローラ27内でパルス数をカウントし、
メモリ回路17のアドレスを発生すると同時に、A/D変換
回路16におけるA/D変換の開始パルスを発生する。更に
干渉計26で発生したup/downパルスに基づくステージコ
ントローラ27からのパルスは、光源1を発振させるトリ
ガ装置28にも入力され、トリガ装置28はステージコント
ローラ27より干渉計26からのup/downパルスに同期した
パルスを受ける毎にエキシマレーザを用いた光源1をト
リガして照明光SLをパルス的に発光させる。
Furthermore, in this embodiment, in addition to the alignment system by the alignment light AL that separates the illumination light SL from the light source 1 that emits light in a pulsed manner, another light source (for example, He-Ne laser, etc.)
An alignment system using the alignment light AL 'from is installed. Alignment light from this separate light source AL ′
Is a beam splitter 18, objective lens 19, mirrors 20,2
1. An image is formed on the wafer W surface through the imaging lens 9. The return light from the alignment mark on the wafer W surface or the fiducial mark FM is reflected by the optical system and reflected by the beam splitter 18, and then the pupil position of the imaging lens 9 is reached.
The spatial filter 22 arranged at a position conjugate with 9a transmits only the necessary signal component, and then the condenser lens 23 is used for photoelectric conversion element 24.
Imaged above. The alignment signal photoelectrically converted by the photoelectric conversion element 24 is amplified by the preamplifier circuit 25 and then processed in the same manner as in the case of the alignment light AL. The alignment signals from the two systems of alignment devices obtained by using the alignment lights AL and AL 'are synchronized with the up / down pulse generated by the interferometer 26 for stage coordinate measurement every time the wafer stage 10 is moved by a certain distance. Then, the signal is processed. That is, the number of pulses is counted in the stage controller 27 in synchronization with the up / down pulse generated by the interferometer 26,
At the same time that the address of the memory circuit 17 is generated, a start pulse for A / D conversion in the A / D conversion circuit 16 is generated. Further, the pulse from the stage controller 27 based on the up / down pulse generated in the interferometer 26 is also input to the trigger device 28 that oscillates the light source 1, and the trigger device 28 causes the stage controller 27 to up / down the interferometer 26. Each time the pulse synchronized with the pulse is received, the light source 1 using the excimer laser is triggered to make the illumination light SL emit light in a pulsed manner.

次に上記の実施例の作用を説明する。Next, the operation of the above embodiment will be described.

ウェハーステージ10に載置されたウェハーWのアライメ
ントのため、ステージコントローラ27がウェハーステー
ジ10の駆動モータ30に制御信号を出力してウェハーステ
ージ10の移動を開始すると、ウェハーステージ10が一定
距離移動する毎に干渉計26が移動方向に応じてupパルス
又はdownパルスを発生する。干渉計26からの座標位置パ
ルスはステージコントローラ27に与えられ、トリガ装置
28にパルスを入力して光源1をパルス発光させる。この
光源1のパルス発光で得られた照明光SLの一部は、ハー
フミラー2を透過してアライメント光ALとなり、アライ
メント光ALの光学系によりウェハーW面又はフィデュシ
ャルマークFM上に結像され、その戻り光が光学系を逆光
して光電変換素子14でアライメント信号に変換され、プ
リアンプ回路15で増幅されてA/D変換回路16に入力され
る。このときステージコントローラ27はA/D変換回路16
に対しA/D変換開始パルスを与えていることから、光電
変換素子14からのアライメント信号は光源1のパルス発
光に同期してA/D変換され、更にステージコントローラ2
7にあっては干渉計26からの位置座標パルスのカウント
でメモリ回路17のアドレスを指定していることから、A/
D変換回路16でA/D変換されたアライメント信号は光源1
のパルス発光に同期してメモリ回路17の指定アドレスに
記憶されるようになる。以下同様にウェハーステージ10
が一定距離移動する毎に、光源1のパルス発光とアライ
メント信号の記憶処理が繰り返され、、メモリ回路17に
アライメント位置の計測に必要なアライメント信号の記
憶が終了すると、マイクロコンピュータ18及び演算専用
プロセッサ19を用いた信号処理によりアライメント位置
が求められる。このように本発明にあっては、ウェハス
テージの移動で得られる位置座標パルスを基準パルスと
してエキシマレーザを用いた光源1の発光制御及びアラ
イメント信号の記憶を行っているため、光源1のパルス
発光とアライメント信号の取り込みに時間的なズレがな
く、計測誤差を発生しないために精度の良いアライメン
ト計測ができる。
For alignment of the wafer W placed on the wafer stage 10, when the stage controller 27 outputs a control signal to the drive motor 30 of the wafer stage 10 and starts moving the wafer stage 10, the wafer stage 10 moves a certain distance. Each time, the interferometer 26 generates an up pulse or a down pulse depending on the moving direction. The coordinate position pulse from the interferometer 26 is given to the stage controller 27, and the trigger device
A pulse is input to 28 to cause the light source 1 to emit a pulse. A part of the illumination light SL obtained by the pulsed light emission of the light source 1 passes through the half mirror 2 to become the alignment light AL, and is imaged on the wafer W surface or the fiducial mark FM by the optical system of the alignment light AL. The returned light is backlit through the optical system, converted into an alignment signal by the photoelectric conversion element 14, amplified by the preamplifier circuit 15, and input to the A / D conversion circuit 16. At this time, the stage controller 27 moves the A / D conversion circuit 16
Since the A / D conversion start pulse is applied to the alignment signal from the photoelectric conversion element 14, the alignment signal is A / D converted in synchronization with the pulse emission of the light source 1, and the stage controller 2
In the case of 7, the address of the memory circuit 17 is specified by counting the position coordinate pulse from the interferometer 26.
The alignment signal A / D converted by the D conversion circuit 16 is the light source 1
The data is stored in the designated address of the memory circuit 17 in synchronization with the pulse emission of. Wafer stage 10
The pulse light emission of the light source 1 and the storage processing of the alignment signal are repeated every time when is moved by a certain distance. The alignment position is obtained by signal processing using 19. As described above, in the present invention, since the light emission control of the light source 1 using the excimer laser and the storage of the alignment signal are performed by using the position coordinate pulse obtained by the movement of the wafer stage as the reference pulse, the pulse light emission of the light source 1 is performed. Since there is no time lag in capturing the alignment signal and no measurement error occurs, accurate alignment measurement can be performed.

次にパルス的に発光する光源1からのアライメント光AL
と別光源によるアライメント光AL′の2系統のアライメ
ント装置を設けたことによる作用を説明する。
Alignment light AL from the light source 1 that emits light in a pulsed manner
The operation of providing two alignment devices for the alignment light AL 'by another light source will be described.

2種のアライメント光AL,AL′は、波長及び光学系が異
なるので、ウェハーステージ10に載置されたフィデュシ
ャルマークFMを用いてそれぞれのアライメント装置によ
り基準アライメントマーク位置を計測すると、この計測
結果からアライメント装置間で発生するオフセット量を
求めることができる。この場合、両アライメント装置と
も同じウェハーステージ10の干渉計26のパルスを用いて
座標計測を行っているので、精度良くオフセット量を求
めることができる。そして2つのアライメント装置間で
発生するオフセット量を用いてアライメント位置を補正
することにより、単一のアライメント装置によるアライ
メントに比べ極め高い位置合せ精度を得ることができ
る。更に、ウェハーW面のプロセス状態に応じて両方の
アライメント装置を使い分けることにより、精度の良い
アライメントが可能となる。
Since the two types of alignment lights AL and AL 'have different wavelengths and optical systems, when the fiducial mark FM mounted on the wafer stage 10 is used to measure the reference alignment mark position by each alignment device, this measurement is performed. The offset amount generated between the alignment devices can be obtained from the result. In this case, since both alignment devices perform coordinate measurement using the pulse of the interferometer 26 of the same wafer stage 10, the offset amount can be obtained with high accuracy. By correcting the alignment position by using the offset amount generated between the two alignment devices, it is possible to obtain extremely high alignment accuracy as compared with the alignment by the single alignment device. Furthermore, by using both alignment devices properly according to the process state of the wafer W surface, accurate alignment becomes possible.

次にウェハーステージ10上に載置されたスリット状の光
電変換素子11を用いた処理作用を説明する。
Next, the processing operation using the slit-shaped photoelectric conversion element 11 placed on the wafer stage 10 will be described.

ウェハーステージ10上のに載置されたスリット状の光電
変換素子11は、ウェハーステージ10を走査することによ
り、ウェハーW面上に結像されるアライメント光ALまた
はAL′によるビームの幅を測定できるようになってい
る。光電変換素子11で光電変換された信号はプリアンプ
回路29で増幅された後、アライメント装置の場合と同様
に、干渉計26の位置座標パルスに同期してA/D変換回路1
6でA/D変換され、メモリ回路17に記憶された後、信号処
理される。
The slit-shaped photoelectric conversion element 11 mounted on the wafer stage 10 can measure the beam width of the alignment light AL or AL ′ imaged on the wafer W surface by scanning the wafer stage 10. It is like this. The signal photoelectrically converted by the photoelectric conversion element 11 is amplified by the preamplifier circuit 29, and then, similarly to the case of the alignment apparatus, in synchronization with the position coordinate pulse of the interferometer 26, the A / D conversion circuit 1
After A / D conversion in 6 and storage in the memory circuit 17, signal processing is performed.

ここでスリット状光電変換素子11は非常に幅が狭くなっ
ているため、ウェハーW面上に結像されるビームの幅を
高精度で計測することができ、従って、レチクルR上の
スリットを透過したビーム幅を計測してビーム中心を求
めると、相対的にレチクルRのスリット位置を求めるこ
ととなり、レチクルRのアライメント計測が出来ること
になる。
Here, since the slit-shaped photoelectric conversion element 11 has a very narrow width, the width of the beam imaged on the wafer W surface can be measured with high accuracy, and therefore the slit on the reticle R is transmitted. When the beam width is measured and the beam center is determined, the slit position of the reticle R is relatively determined, and the alignment measurement of the reticle R can be performed.

またウェハーステージ10をZ軸方向(高さ方向)に一定
距離づつ移動し、各移動高さにおけるビーム幅を測定し
てビーム幅が最小となる高さを求めれば、結像レンズ9
によるウェハーW面のベストフォーカス位置を求めるこ
とができる。
Further, if the wafer stage 10 is moved in the Z-axis direction (height direction) by a constant distance and the beam width at each moving height is measured to find the height at which the beam width is minimum, the imaging lens 9
The best focus position of the wafer W surface can be obtained by

更に、レチクルR上にスリット状の窓を数ケ所に設けて
照明し、結像レンズ9を通して結像されたスリット像を
スリット状の光電変換素子11を用いて計測することで、
各スリット像の結像間隔を求めれば、結像レンズ9のデ
ィストーションを求めることができる。
Further, by providing slit windows on the reticle R at several places for illumination, and measuring the slit image formed through the imaging lens 9 using the slit photoelectric conversion element 11,
The distortion of the imaging lens 9 can be determined by determining the imaging interval of each slit image.

更にまた、定期的にレチクルR上の2つのスリットの結
像間隔を計測すれば、結像レンズ9の倍率変動も計測す
ることができる。
Furthermore, if the image forming interval of the two slits on the reticle R is regularly measured, the magnification variation of the image forming lens 9 can also be measured.

尚、上記の実施例にあっては、光源1をトリガしてパル
ス発光させると同時にアライメント信号を取り込むため
の基準パルスを、ウェハーステージ10の座標位置を計測
する干渉計26から発生するパルスを用いた場合を例にと
ったが、レチクルステージの位置座標を計測する干渉計
からのパルスを基準パルスに用いれば、同様にレチクル
のアライメント計測にもそのまま適用することができ
る。
In the above-described embodiment, the reference pulse for capturing the alignment signal at the same time as triggering the light source 1 to emit the pulse is used as the reference pulse generated from the interferometer 26 for measuring the coordinate position of the wafer stage 10. However, if the pulse from the interferometer that measures the position coordinates of the reticle stage is used as the reference pulse, it can be similarly applied to the alignment measurement of the reticle.

(発明の効果) 以上説明してきたように、本発明によれば、ウェハース
テージの干渉計のパルスに同期してアライメント信号の
取り込みタイミングと、エキシマレーザ等を用いた照明
光源の発振トリガのタイミングを取るようにしたため、
照明光の発光とアライメント計測との時間的なズレがな
く、計測誤差を発生しないため精度の良いアライメント
計測ができる。
(Effects of the Invention) As described above, according to the present invention, the timing of capturing the alignment signal in synchronization with the pulse of the interferometer of the wafer stage and the timing of the oscillation trigger of the illumination light source using an excimer laser or the like are set. Because I tried to take
Since there is no time lag between the emission of the illumination light and the alignment measurement and no measurement error occurs, it is possible to perform accurate alignment measurement.

またアライメント計測のためのウェハーステージの移動
に同期した位置座標パルスで光源をパルス発光させるこ
とから、アライメント計測の処理動作を中心として光源
のパルス的な発光制御ができ、パルス的に発光するエキ
シマレーザ等の光源をアライメント光に使用しても、従
来のアライメント装置の機能を変更することなく、精度
の良いアライメント計測ができる。
Also, since the light source emits a pulsed light with a position coordinate pulse synchronized with the movement of the wafer stage for alignment measurement, the light emission of the light source can be controlled in a pulsed manner centering on the alignment measurement processing operation, and the excimer laser emits light in a pulsed manner. Even if a light source such as the above is used for the alignment light, accurate alignment measurement can be performed without changing the function of the conventional alignment apparatus.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

図は本発明の一実施例を示したシステムブロック図であ
る。 1:光源(エキシマレーザー) 2:ハーフミラー 3:光学系(均一照明用) 4,8,20,21:ミラー 5:ビーム整形光学系 6,18:ビームスプリッター 7,19:対物レンズ 9:結像レンズ 10:ウェハーステージ 11:スリット状の光電変換素子 12,22:空間フィルター 13,23:集光レンズ 14,24:光電変換素子 15,25,29:プリアンプ回路 16:A/D変換回路 17:メモリ回路 18:マイクロコンピュータ 19:演算専用プロセッサ 26:干渉計 27:ステージコントローラ 28:トリガ装置 30:ステージ駆動モータ R:レチクル W:ウェハー FM:フィデュシャルマーク
FIG. 1 is a system block diagram showing an embodiment of the present invention. 1: Light source (excimer laser) 2: Half mirror 3: Optical system (for uniform illumination) 4,8,20,21: Mirror 5: Beam shaping optical system 6,18: Beam splitter 7,19: Objective lens 9: Connection Image lens 10: Wafer stage 11: Slit-shaped photoelectric conversion element 12, 22: Spatial filter 13,23: Condenser lens 14, 24: Photoelectric conversion element 15, 25, 29: Preamplifier circuit 16: A / D conversion circuit 17 : Memory circuit 18: Microcomputer 19: Dedicated processor 26: Interferometer 27: Stage controller 28: Trigger device 30: Stage drive motor R: Reticle W: Wafer FM: Fiducial mark

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】パルス的に光を発光する光源から照明光に
よってレチクルパターンをウェハー上に結像して露光す
る露光装置において、 前記光源からの照明光の一部をアライメント光として分
割して前記ウェハー上に結像し、ウェハー上のアライメ
ントマークからの反射光を受光してアライメント信号を
発生するアライメント信号検出手段と;ウェハーステー
ジの移動に応じて座標位置パルスを発生する位置検出手
段と;該位置検出手段の座標位置パルスに同期して前記
光源をパルス的に発光駆動させるトリガ手段と;前記ア
ライメント信号を前記位置検出手段の位置座標パルスに
同期して記憶する記憶手段と;該記憶手段からの記憶信
号に基づいてアライメント位置を計測する位置計測手段
とを備え、前記位置検出手段からの座標位置パルスを前
記光源の発光トリガと前記記憶手段の記憶動作とに兼用
したことを特徴とする露光装置。
1. An exposure apparatus for forming an image of a reticle pattern on a wafer by exposure with illumination light from a light source that emits light in a pulsed manner, and dividing a part of the illumination light from the light source as alignment light. Alignment signal detecting means for forming an alignment signal by receiving reflected light from an alignment mark on the wafer by forming an image on the wafer; position detecting means for generating coordinate position pulse in response to movement of the wafer stage; Trigger means for pulsatingly driving the light source in synchronization with the coordinate position pulse of the position detecting means; Storage means for storing the alignment signal in synchronization with the position coordinate pulse of the position detecting means; Position measuring means for measuring the alignment position based on the stored signal of the coordinate position pulse from the position detecting means. Is used for both the light emission trigger of the light source and the storage operation of the storage means.
【請求項2】パルス的な照明光でレチクルを照明するた
めのパルス光源と、該レチクルのパターンを結像する結
像光学系と、該結像されたパターンが露光される基板を
載置すると共に該基板と異なる位置に基準マークが設け
られた移動ステージと、該移動ステージの移動に応じた
パルス信号を出力する干渉計とを備えた露光装置におい
て、 前記パルス光源からの照明光の一部を第1のアライメン
ト光として分割する光分割器と;該第1のアライメント
光を前記レチクルに照射し、その透過光を前記結像光学
系を介して前記基準マークに照射すると共に、前記基準
マークからの戻り光を前記結像光学系とレチクルとを介
して光電検出する第1のアライメント検出手段と;前記
パルス光源と異なる波長の第2のアライメント光を出力
する別光源と;該第2のアライメント光を前記基板また
は前記基準マークに照射すると共に、前記基板上のマー
ク又は前記基準マークからの戻り光を光電検出する第2
のアライメント検出手段と;前記基準マークを前記第1,
第2のアライメント検出手段の各々で検出する際、前記
干渉計からのパルス信号に同期して前記パルス光源をパ
ルス的に発光駆動させるトリガ手段と;前記第1,第2の
アライメント検出手段の各々により光電検出される信号
を前記干渉計からのパルス信号に応答して取り込み、両
信号を処理することで前記基準マークの位置を決定する
信号処理手段とを備え、前記干渉計からのパルス信号を
前記パルス光源の発光トリガと前記信号処理手段の信号
取り込みとに兼用したことを特徴とする露光装置。
2. A pulse light source for illuminating a reticle with pulsed illumination light, an image forming optical system for forming an image of the pattern of the reticle, and a substrate on which the imaged pattern is exposed. A part of illumination light from the pulse light source in an exposure apparatus including a movable stage having a reference mark at a position different from that of the substrate, and an interferometer that outputs a pulse signal according to the movement of the movable stage. An optical splitter that splits the first alignment light as the first alignment light; irradiating the reticle with the first alignment light, irradiating the reference light with the transmitted light through the imaging optical system, and the reference mark. First alignment detecting means for photoelectrically detecting return light from the optical system through the imaging optical system and the reticle; another light source for outputting second alignment light having a wavelength different from that of the pulse light source. Irradiating the substrate or the reference mark with the second alignment light and photoelectrically detecting return light from the mark on the substrate or the reference mark
The alignment detection means of the;
Trigger means for driving the pulsed light source to emit light in synchronism with the pulse signal from the interferometer when detecting by each of the second alignment detecting means; each of the first and second alignment detecting means And a signal processing means for determining the position of the reference mark by processing both signals by capturing a signal photoelectrically detected by the pulse signal from the interferometer. An exposure apparatus, which is used as both a light emission trigger of the pulse light source and a signal acquisition of the signal processing means.
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